KR20100021845A - 적층형 태양 전지 - Google Patents

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KR20100021845A
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임미화
이창호
서준영
신명훈
오민석
이병규
남육현
정승재
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삼성전자주식회사
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Abstract

적층형 태양 전지를 제공한다. 상기 태양 전지는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 투명 전도막, 상기 투명 전도막 위에서 차례로 적층되어 있는 P층, I층, N층으로 각각 형성된 복수개의 반도체층, 그리고 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 후면 전극을 포함한다. 여기서, 상기 반도체층은 미세 결정 실리콘으로 형성된 I층을 갖는 제1 반도체층 및 비정질 실리콘으로 형성된 I층을 갖는 제2 반도체층을 포함한다. 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 서로 접해 있고, 상기 제1 반도체층의 P층은 비정질 실리콘 카바이드를 포함한다.
적층형 태양 전지, 미세 결정 실리콘, 비정질 실리콘 카바이드

Description

적층형 태양 전지{Stacked Type Solar Cell}
본 발명은 서로 다른 상(Phase)의 접합으로 이루어진 적층형 태양 전지에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 것이다. 태양 전지는 기본적으로 PN접합으로 구성된 다이오드로서, 광흡수층으로 사용되는 물질에 따라 다양한 종류로 구분된다.
광흡수층으로 실리콘을 이용하는 태양 전지는 결정질(단결정, 다결정) 기판(Wafer)형 태양 전지와 박막형(결정질, 비정질) 태양 전지로 구분된다.
박막 태양 전지는 얇은 유리나 플라스틱 기판에 막을 입히는 방식으로, 일반적으로 박막 특성상 캐리어의 확산거리가 결정질에 비해 매우 짧아 PN접합 구조로만 제조될 경우 태양광에 의해 생성되는 전자-정공쌍(Electron-Hole Pairs)의 수집효율이 매우 낮아 광흡수율이 높은 진성 반도체 재질의 광흡수층을 P형과 N형 반도체 사이에 삽입한 PIN구조를 갖는다. 일반적인 박막 태양 전지의 구조는 기판 위에 전면 투명 전도막, PIN막, 후면 반사 전극막 순으로 증착된다. 이와 같은 구조에서 광흡수층은 상하의 높은 도핑 농도를 갖는 P와 N층에 의해 공핍(depletion)되어 내부에 전기장이 발생하므로 태양광에 의해 광흡수층에서 생성된 캐리어들은 내부전기장의 드리프트(drift)에 의해 전자는 N층, 정공은 P층으로 수집되어 전류를 발생하게 된다.
비정질 실리콘(a-Si:H)과 미세 결정 실리콘(mc-Si:H)을 이용한 박막 태양 전지는 광흡수층으로 수 마이크론 이하의 두께를 갖는 박막을 사용하고 실리콘 자체의 광흡수계수가 낮아, 단일 PIN 접합으로는 고효율을 달성하는데 한계가 있다. 따라서 PIN 구조의 비정질 실리콘(a-Si:H)와 미세 결정 실리콘(mc-Si:H) 태양 전지를 2층 또는 3층으로 적층하여 제조하는 적층형 태양 전지가 실제로 사용된다. 이는 태양 전지를 직렬 연결함으로써 개방 전압을 높일 수 있고, 입사광에 대한 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
그러나, 적층형 태양 전지는 여러 층이 적층되어 있으므로 광효율을 떨어뜨리는 재결합(Recombination)의 원인이 되는 계면이 증가하게 된다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 적층형 태양 전지에서 개방 전압을 높이고, 계면 특성을 향상시켜 광효율 특성을 개선할 수 있는 적층형 태양 전지를 제공하는데 있다.
본 발명의 한 실시에에 따른 태양 전지는 P층, I층, N층이 차례로 적층되어 이루어진 제1 반도체층을 포함하고, 상기 P층은 비정질 실리콘 카바이드로 형성되고, 상기 I층 및 상기 N층 중 적어도 하나는 미세 결정 실리콘으로 형성되어 있다.
상기 제1 반도체층과 접하고, P층, I층, N층으로 이루어진 제2 반도체층을 더 포함하고, 상기 제2 반도체층의 상기 P층, 상기 I층 및 상기 N층 중 적어도 하나는 비정질 실리콘으로 형성되어 있다.
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되어 있고, P층, 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)으로 형성된 I층 및 N층이 차례로 적층되어 있는 제3 반도체층을 더 포함한다.
상기 제1 반도체층의 I층은 상기 제1 반도체층의 P층 상에 접해 있는 배양층(Incubation Layer)을 포함한다.
상기 배양층은 비정질 실리콘을 포함한다.
상기 제2 반도체층이 상기 제1 반도체층보다 광 입사측에 더 가까이 형성될 수 있다.
상기 제1 반도체층의 I층은 수직 방향으로 서로 다른 결정화도를 갖는다.
상기 제2 반도체층의 상기 P층, 상기 I층, 상기 N층은 기판 위에 차례로 적층되어 있고, 상기 기판과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되어 있는 투명 전도막을 더 포함한다.
상기 제1 반도체층 위에 후면 전극을 더 포함한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 적층형 태양 전지는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 투명 전도막, 상기 투명 전도막 위에서 차례로 적층되어 있는 P층, I층, N층으로 각각 형성된 복수개의 반도체층, 그리고 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 후면 전극을 포함한다. 여기서, 상기 반도체층은 미세 결정 실리콘으로 형성된 I층을 갖는 제1 반도체층 및 비정질 실리콘으로 형성된 I층을 갖는 제2 반도체층을 포함한다. 이 때, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 서로 접해 있고, 상기 제1 반도체층의 P층은 비정질 실리콘 카바이드를 포함한다.
상기 제2 반도체층의 N층은 비정질 실리콘으로 형성되어 있다.
상기 제2 반도체층이 상기 제1 반도체층 보다 광 입사측에 더 가까이 형성되어 있다.
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되어 있고, P층, 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)으로 형성된 I층 및 N층이 차례로 적층되어 있는 제3 반도 체층을 더 포함한다.
상기 제2 반도체층의 P층은 붕소가 도핑되어 있는 비정질 실리콘 및 비정질 실리콘 카바이드 중에 어느 하나로 형성되어 있다.
상기 제1 반도체층의 N층은 미세 결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 형성되어 있다.
상기 제1 반도체층의 I층은 박막 성장시 상기 제1 반도체층의 P층 상에 접해 있는 배양층(Incubation Layer)을 포함한다.
이와 같이 본 발명에 따르면, P 타입의 미세 결정 실리콘 층 대신에 P 타입의 비정질 실리콘 카바이드(a-SiC:H) 층을 사용함으로써, 개방 전압을 높일 수 있고, 계면 특성을 향상시켜 결과적으로 적층형 태양 전지의 광효율을 높일 수 있다.
첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것 이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
도 1은 비정질 실리콘으로 형성된 PIN층과 미세 결정 실리콘으로 형성된 PIN층의 특성을 비교한 그래프이다. 도 1은 H. Wagner 등에 의해 "Potential of amorphous silicon for solar cells" 라는 제목의 논문 (Applied Physics A : Materials Science & Processing, 69 (1999) 의 164페이지) 에 게재되어 있다.
도 1을 참조하면, 파장에 따른 양자 효율을 나타내는데 양자 효율은 전자-정공 쌍을 얼마나 생성할 수 있는지를 나타낸다. 광흡수층이 비정질 실리콘으로 형성된 경우는 주로 단파장을 흡수하고, 광흡수층이 미세 결정 실리콘으로 형성된 경우는 장파장까지 흡수할 수 있으므로 보다 넓은 흡수 파장대를 나타낸다.
적층형 태양 전지에서는 미세 결정 실리콘으로 이루어진 PIN층의 개방 전압(Voc)이 비정질 실리콘으로 이루어진 PIN층의 개방 전압(Voc)에 비해 작다. 단락 전류 밀도(Isc)는 미세 결정 실리콘을 이용한 PIN층이 비정질 실리콘을 이용한 PIN층 보다 높지만, 개방 전압 값은 0.5V로 비정질 실리콘 PIN층의 개방 전압 값인 0.87V에 비해 현저히 낮음을 알 수 있다. 이렇게 낮은 개방 전압 값은 전체 적층형 태양 전지의 광효율 특성을 감소시키는 원인이 된다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 적층형 태양 전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지는 기판(100) 상에 적층되어 있는 투명 전도막(110)을 포함한다. 투명 전도막(110)은 SnO2, ZnO:Al, ZnO:B 등으로 형성할 수 있다. 투명 전도막(110)의 상부면은 텍스처(Texture)링 될 수 있다.
텍스처링은 태양 전지 표면에서의 광반사를 줄여서 태양 전지 내부로 유효광의 흡수량을 증가시킬 목적으로 투명 전도막(110) 표면을 에칭하여 10㎛ 크기 이내의 피라미드 조직으로 형성하는 것을 말한다.
박막형 실리콘 태양 전지는 태양광에 의해 생성된 캐리어들(electron-hole pairs)의 확산에 의하여 동작하는 결정계 실리콘 PN 접합 태양 전지에 비해 캐리어들의 확산거리가 매우 짧기 때문에 P층과 N층 사이에 광흡수층과 내부 전기장을 동시에 발생시킬 수 있는 진성 반도체막(intrinsic Si layer)을 삽입할 수 있다. 상기 진성 반도체막은 본 발명의 실시예에서 I층(130)에 해당할 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지는 투명 전도막(110) 위에 P층(120), I층(130), N층(140)이 차례로 적층되어 있다. P층(120), I층(130)과 N층(140)은 플라스마 화학 기상 증착 방법(Plase chemical vapor deposition, PECVD)으로 증착될 수 있다.
태양광에 의해 광흡수층인 I층(130)에서 생성된 캐리어들은 내부 전기장의 드리프트(drift)에 의해 전자는 N층(140), 정공은 P층(120)으로 수집되어 전류를 발생하게 된다.
P층(120)은 붕소가 도핑된 비정질 실리콘(Boron doped a-Si:H) 및 비정질 실리콘 카바이드(a-SiC:H) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 광흡수층인 I층(130)과 N층(140)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성될 수 있다. P층(120), I층(130), N층(140)으로 이루어진 제1 반도체층(145)은 광흡수층이 비정질 실리콘으로 형성되어 있으므로 주로 단파장의 빛을 흡수한다.
본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지에서 탠덤(Tandem) 구조를 형성하기 위해 제1 반도체층(145)의 N층(140) 위에 P층(150), I층(160), N층(170)으로 이루어진 제2 반도체층(175)이 형성되어 있다. 제2 반도체층(175)의 광흡수층인 I층(160)은 미세 결정 실리콘(mc-Si:H)으로 형성될 수 있다. 제2 반도체층(175) 위에 후면 전극(180)이 형성된다.
본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지와 같이 비정질 실리콘과 미세 결정 실리콘을 광흡수층으로 이용한 탠덤 구조 태양 전지는, 일반적으로 비정질 실리콘의 광흡수층에 인접한 도핑층(Doping Layer)은 비정질 실리콘 층을 이용하고, 미세 결정 실리콘의 광흡수층에 인접한 도핑층은 미세 결정 실리콘 층을 이용한다.
탠덤 구조와 같은 적층형 태양 전지에서 높은 광효율을 얻기 위해서는 높은 개방 전압(Voc) 값이 필요하고, 높은 필 팩터(Fill Factor)와 높은 단락 전류(Isc) 값을 얻기 위해서는 태양 전지 내에서의 재결합(Recombination)을 감소시켜야 한다. 재결합이란, 반도체에서 전자-정공 쌍을 생성하는 과정 또는 가전자대로부터 전도대로 전자가 여기되는 과정을 생성(Generation)이라는 용어로 정의할 경우에 전자가 전도대로부터 가전자대로 이동함으로써 하나의 전자-정공 쌍이 소멸되는 과 정을 재결합(Recombination)이라고 한다.
또한, PIN층과 PIN층 사이의 계면은 비정질과 미세 결정질의 서로 다른 상(Phase)의 접합이므로 동종의 접합에 비해 계면 특성이 나쁘기 때문에 계면 특성을 향상시킬 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지에서는 순차적으로 적층된 태양 전지에서 개방 전압(Voc)를 높이고, 계면 특성을 향상시켜 광효율 특성을 향상시키는 구조를 제안한다.
제1 반도체층(145)과 이에 접해 있는 제2 반도체층(175)은 적층형 태양 전지를 형성한다. 이 때, 제1 반도체층(145)의 N층(140)과 계면을 이루는 제2 반도체층(175)의 P층(150)을 비정질 실리콘 카바이드(a-SiC:H)로 형성한다. 비정질 실리콘 카바이드는 미세 결정 실리콘에 비해 높은 밴드갭(Band Gap)을 가지므로 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있고, 제1 반도체층(145)의 N층(140)과 동일한 비정질 상을 가지므로 제1 반도체층(145)과 제2 반도체층(175) 간 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 결과적으로 적층형 태양 전지의 광효율을 높일 수 있다.
제2 반도체층(175)의 광흡수층인 I층(160)이 미세 결정 실리콘으로 형성되는 경우에는 박막 성장시 비정질 상의 배양층(Incubation Layer)을 갖는다. 이는 도 3이 나타내는 TEM 사진으로 확인할 수 있다.
도 3은 ZnO 위에 증착된 미세 결정 실리콘 박막의 TEM 단면 사진이다. 도 3 은 A.V. Shah 등에 의해 "Material and solar cell research in microcrystalline silicon"라는 제목의 논문(Solar Energy Materials & Solar Cells 78 (2003)의 474 페이지)에 게재되어 있다.
도 3을 참조하면, ZnO 위에서 미세 결정 실리콘 박막이 증착할 때, 초기에는 비정질로 성장한 후에 미세 결정으로 성장한다. 미세 결정 박막의 결정화 분율이 약 60퍼센트 정도인 광흡수층을 이용하는 것이 미세 결정 태양 전지 특성이 가장 우수하다. 따라서, 제2 반도체층(175)의 P층(150)이 비정질 상인 것이 P층(150)과 미세 결정 실리콘으로 형성된 광흡수층인 I층(160) 사이의 계면 특성도 더 향상된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층형 태양 전지를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는 기판(200) 상에 적층되어 있는 투명 전도막(210)을 포함한다. 투명 전도막(210)은 SnO2, ZnO:Al, ZnO:B 등으로 형성할 수 있다. 투명 전도막(210)의 상부면은 텍스처(Texture)링 될 수 있다.
박막형 실리콘 태양 전지는 태양광에 의해 생성된 캐리어들(electron-hole pairs)의 확산에 의하여 동작하는 결정계 실리콘 PN 접합 태양 전지에 비해 캐리어들의 확산거리가 매우 짧기 때문에 P층과 N층 사이에 광흡수층과 내부 전기장을 동시에 발생시킬 수 있는 진성 반도체막(intrinsic Si layer)을 삽입할 수 있다. 상기 진성 반도체막은 본 발명의 실시예에서 I층(230)에 해당할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는 투명 전도막(210) 위에 P층(220), I층(230), N층(240)이 차례로 적층되어 있다. P층(220), I층(230)과 N층(240)은 플 라스마 화학 기상 증착 방법(Plase chemical vapor deposition, PECVD)으로 증착될 수 있다.
P층(220)은 붕소가 도핑된 비정질 실리콘(Boron doped a-Si:H) 및 비정질 실리콘 카바이드(a-SiC:H) 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 광흡수층인 I층(230)과 N층(240)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성될 수 있다. P층(220), I층(230), N층(240)으로 이루어진 제1 반도체층(245)은 광흡수층이 비정질 실리콘으로 형성되어 있으므로 주로 단파장의 빛을 흡수한다.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지에서 PIN/PIN/PIN 순서로 차례로 적층되는 삼층(Triple-juncton) 구조를 형성하기 위해 N층(240) 위에 P층(250), I층(260), N층(270)으로 이루어진 제2 반도체층(275)과 제2 반도체층(275) 위에 P층(280), I층(290), N층(300)으로 이루어진 제3 반도체층(305)이 형성되어 있다. 반도체층(245, 275, 305)을 다층 구조로 형성하면, 광흡수대가 넓어지는 효과가 있다. 제3 반도체층(305) 위에 후면 전극(310)이 형성된다.
제2 반도체층(275)의 광흡수층인 I층(260)은 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)으로 형성될 수 있다. 일반적으로 비정질 실리콘의 광흡수층에 인접한 도핑층(Doping Layer)은 비정질 실리콘 층을 이용하고, 미세 결정 실리콘의 광흡수층에 인접한 도핑층은 미세 결정 실리콘 층을 이용한다. 따라서, 제2 반도체층(275)의 N층(270)은 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)으로 형성될 수 있다. 제3 반도체층(305)의 광흡수층인 I층(290)은 미세 결정 실리콘(mc-Si:H)으로 형성될 수 있다.
제2 반도체층(275)의 N층(270)과 계면을 이루는 제3 반도체층(305)의 P 층(280)을 비정질 실리콘 카바이드(a-SiC:H)로 형성한다. 비정질 실리콘 카바이드는 미세 결정 실리콘에 비해 높은 밴드갭(Band Gap)을 가지므로 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있고, 제2 반도체층(275)의 N층(270)과 동일한 비정질 상을 가지므로 제2 반도체층(275)과 제3 반도체층(305) 간 계면 특성을 향상시킬 수 있다. 결과적으로 적층형 태양 전지의 광효율을 높일 수 있다.
제3 반도체층(305)의 광흡수층인 I층(290)이 미세 결정 실리콘으로 형성되는 경우에는 박막 성장시 비정질 상의 배양층(Incubation Layer)을 갖는다. 미세 결정 실리콘 박막이 증착할 때, 초기에는 비정질로 성장한 후에 미세 결정으로 성장한다. 미세 결정 박막의 결정화 분율이 약 60퍼센트 정도인 광흡수층을 이용하는 것이 미세 결정 태양 전지 특성이 가장 우수하다.
따라서, 제3 반도체층(305)의 P층(280)이 비정질 상(Phase)인 것이 P층(280)과 미세 결정 실리콘으로 형성된 광흡수층인 I층(290) 사이의 계면 특성도 더 향상된다.
본 발명에 따른 또 다른 실시예는 탠덤(Tandem) 구조, 삼층(Triple-juncton) 구조 뿐만 아니라 다층(Multi-junction) 구조일 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
도 1은 비정질 실리콘으로 형성된 PIN층과 미세 결정 실리콘으로 형성된 PIN층의 특성을 비교한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 적층형 태양 전지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 ZnO 위에 증착된 미세 결정 실리콘 박막의 TEM 단면 사진이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층형 태양 전지를 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 기판 110 투명 전도막
120, 150 P층 130, 160 I층
140, 170 N층 180 후면 전극

Claims (17)

  1. P층, I층, N층이 차례로 적층되어 이루어진 제1 반도체층을 포함하고, 상기 P층은 비정질 실리콘 카바이드로 형성되고, 상기 I층 및 상기 N층 중 적어도 하나는 미세 결정 실리콘으로 형성되어 있는 태양 전지.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 반도체층과 접하고, P층, I층, N층으로 이루어진 제2 반도체층을 더 포함하고, 상기 제2 반도체층의 상기 P층, 상기 I층 및 상기 N층 중 적어도 하나는 비정질 실리콘으로 형성되어 있는 태양 전지.
  3. 제2항에서,
    상기 제2 반도체층은 상기 제1 반도체층보다 광 입사측에 더 가까이 형성되어 있는 태양 전지.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되어 있고, P층, 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)으로 형성된 I층 및 N층이 차례로 적층되어 있는 제3 반도체층을 더 포함하는 태양 전지.
  5. 제2항에서,
    상기 제1 반도체층의 I층은 상기 제1 반도체층의 P층 상에 접해 있는 배양층(Incubation Layer)을 포함하는 태양 전지.
  6. 제5항에서,
    상기 배양층은 비정질 실리콘을 포함하는 태양 전지.
  7. 제6항에서,
    상기 제2 반도체층이 상기 제1 반도체층보다 광 입사측에 더 가까이 형성되어 있는 태양 전지.
  8. 제2항에서,
    상기 제1 반도체층의 I층은 수직 방향으로 서로 다른 결정화도를 갖는 태양 전지.
  9. 제2항에서,
    상기 제2 반도체층의 상기 P층, 상기 I층, 상기 N층은 기판 위에 차례로 적층되어 있고, 상기 기판과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되어 있는 투명 전도막을 더 포함하는 태양 전지.
  10. 제1항에서,
    상기 제1 반도체층 위에 후면 전극을 더 포함하는 태양 전지.
  11. 기판,
    상기 기판 위에 형성되어 있는 투명 전도막,
    상기 투명 전도막 위에서 차례로 적층되어 있는 P층, I층, N층으로 각각 형성된 복수개의 반도체층, 그리고
    상기 반도체층 위에 형성되어 있는 후면 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 미세 결정 실리콘으로 형성된 I층을 갖는 제1 반도체층 및 비정질 실리콘으로 형성된 I층을 갖는 제2 반도체층을 포함하며, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 은 서로 접해 있고, 상기 제1 반도체층의 P층은 비정질 실리콘 카바이드를 포함하는 적층형 태양 전지.
  12. 제11항에서,
    상기 제2 반도체층이 상기 제1 반도체층 보다 광 입사측에 더 가까이 형성되어 있는 적층형 태양 전지.
  13. 제12항에서,
    상기 제2 반도체층의 N층은 비정질 실리콘으로 형성되어 있는 적층형 태양 전지.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 형성되어 있고, P층, 비정질 실리콘 게르마늄(a-SiGe)으로 형성된 I층 및 N층이 차례로 적층되어 있는 제3 반도체층을 더 포함하는 적층형 태양 전지.
  15. 제13항에서,
    상기 제2 반도체층의 P층은 붕소가 도핑되어 있는 비정질 실리콘 및 비정질 실리콘 카바이드 중에 어느 하나로 형성되어 있는 적층형 태양 전지.
  16. 제13항에서,
    상기 제1 반도체층의 N층은 미세 결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 형성되어 있는 적층형 태양 전지.
  17. 제11항에서,
    상기 제1 반도체층의 I층은 박막 성장시 상기 제1 반도체층의 P층 상에 접해 있는 배양층(Incubation Layer)을 포함하는 적층형 태양 전지.
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