KR20100010070A - 가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버및 방법 - Google Patents

가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100010070A
KR20100010070A KR1020080070903A KR20080070903A KR20100010070A KR 20100010070 A KR20100010070 A KR 20100010070A KR 1020080070903 A KR1020080070903 A KR 1020080070903A KR 20080070903 A KR20080070903 A KR 20080070903A KR 20100010070 A KR20100010070 A KR 20100010070A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
guide bar
lift pin
processed
guide
Prior art date
Application number
KR1020080070903A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101507736B1 (ko
Inventor
위순임
Original Assignee
위순임
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 위순임 filed Critical 위순임
Priority to KR20080070903A priority Critical patent/KR101507736B1/ko
Publication of KR20100010070A publication Critical patent/KR20100010070A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101507736B1 publication Critical patent/KR101507736B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 가이드 바가 구비된 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버 및 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기판 지지대는 피처리 기판이 놓이는 일 표면을 갖는 바디와 상기 피처리 기판을 인계 받아 업/다운 시키는 리프트 핀과 상기 피처리 기판이 상기 리프트 핀에 인계 시 발생되는 흔들림을 예방 및 방지하는 가이드 바와 상기 리프트 핀과 상기 가이드 바의 업/다운 동작을 구동하는 구동부가 포함 되어 구성된다. 이에 따라 상기 피처리 기판의 로딩/ 언 로딩을 하기위하여 상기 피처리 기판의 인계 시 발생되는 흔들림으로 정위치가 틀어지는 경우 가이드 바를 이용하여 피처리 기판의 위치를 정렬할 수 있다.
기판 지지대, 바디 ,피처리 기판, 리프트 핀

Description

가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버 및 방법{SUSCEPTOR WITH GUIDE BAR AND PROCESS CHAMBER HAVING THE SAME AND METHOD THEREFOR}
본 발명은 가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 피처리 기판의 로딩/언 로딩을 위하여 상기 피처리 기판의 인계 시 발생되는 흔들림을 방지하고 피처리 기판의 위치를 정렬하여 정 위치 시키도록 한 가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버 및 방법에 관한 것이다.
본 발명은 가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판의 로딩/언 로딩을 위하여 피처리 기판의 인계 시 발생되는 흔들림을 방지하기 위한 기판 지지대에 관한 것이다.
일반적으로 기판 지지대는, 피처리 기판의 일 측면에 소정의 물질들을 증착하는 공정과 이를 식각하는 공정을 포함하여 수많은 공정을 반복 진행한다. 이러한 각각의 공정은 각기 고유한 작업 환경을 가지는 밀폐 형 용기인 챔버 내에서 수행되다. 챔버 내부에는 통상적으로 피처리 기판이 안착되는 기판 지지대가 설치되어 챔버 내부에서 로딩/언 로딩 시에 피처리 기판을 지지하게 된다.
종래 기판 지지대는 원판 구조로 이루어지고 기판 지지대의 소정 위치에는 피처리 기판의 업/다운 이동, 즉 로딩/ 언 로딩 되도록 리프트 핀의 홀이 형성되어 있다. 피처리 기판의 로딩/ 언 로딩을 하기 위하여 상기 리프트 핀으로 인계 과정 중에 흔들림이 발생하여 상기 피처리 기판이 정 위치에 오지 않는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 피처리 기판의 로딩/언 로딩을 위하여 상기 피처리 기판의 인계 시 발생될 수 있는 흔들림을 예방하거나 방지하는 기판 지지대를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 기판 지지대와 본 발명의 다른 일면은 기판 지지대를 구비한 공정 챔버 및 본 발명의 또 다른 일면은 방법에 관한 것이다. 본 발명의 기판 지지대는 피처리 기판이 놓이는 일 표면을 갖는 바디와 상기 피처리 기판을 인계 받아 업/다운 시키는 리프트 핀과 상기 피처리 기판이 상기 리프트 핀에 인계 시 발생되는 흔들림을 방지하는 가이드 바 및 상기 리프트 핀과 상기 가이드 바의 업/다운 동작을 구동하는 구동부로 구성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 바는 구동 시 일정 각도가 유지 되고, 연질의 재질이 한 개 이상으로 구성된다.
일 실시예에 있어서, 상기 가이드 바는 다수개로 구성된다.
본 발명의 다른 일면은 기판 지지대가 구비된 공정 챔버에 관한 것이다 피처리 기판을 처리하기 위한 공간을 갖는 챔버 및 상기 피처리 기판을 업/다운 시키는 리프트 핀과, 상기 피처리 기판이 상기 리프트 핀에 인계 시 발생되는 흔들림을 예방 및 방지하는 가이드 바가 구비된 기판 지지대 가 포함되어 구성된다.
본 발명의 또 다른 일면은 공정 방법에 관한 것이다. 리프트 핀과 가이드 바의 대기 단계와 상기 리프트 핀에 피처리 기판이 인계됨과 동시에 가이드 바가 피처리 기판을 정렬하는 단계와 상기 피처리 기판의 정렬 후 상기 가이드 바가 하강하여 상기 피처리 기판 보다 하부에 위치된 단계 및 상기 리프트 핀과 가이드 바가 하강하여 피처리 기판을 정위치 시키는 단계로 진행되도록 구성된다.
본 발명의 가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버 및 방법에 의하면, 피처리 기판의 로딩/언 로딩을 하기 위하여, 상기 피처리 기판의 인계시 발생되는 흔들림으로 인하여 피처리 기판이 정위치 되지 않을 경우, 피처리 기판을 정렬하여 정 위치시키도록 가이드 한다.
또한, 상기 피처리 기판이 정 위치되지 않을 경우 발생될 수 있는 기판의 불량률을 줄이고, 나아가서는 상기 피처리 기판이 사용되는 제품에 불량률을 저하시키는 효과가 있다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 지지대의 구성을 도시한 사시도 이고, 도 2는 도 1의 가이드 바의 상승 시 피처리 기판이 위치된 단면도이다. 도 3은 도1의 평면도이다. 도 4는 도3의 A부분 확대도 이다.
본 발명에 따른 기판 지지대(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이 피처리 기판이 안착되어 놓일 수 있는 표면을 갖는 바디(20)와 피처리 기판(30)을 인계 받아 업/다운 시키는 리프트 핀(40)과 피처리 기판(30)이 리프트 핀(40)에 인계 시 발생되는 무게중심의 이동에 대한 흔들림을 방지하는 가이드 바(bar)(50) 및 리프트 핀(40)과 가이드 바(50)의 업/다운 동작을 구동하는 구동부(60)로 구성된다.
상기 바디(20)는 피처리 기판(30)이 안착될 수 있도록 상부의 일 측에 면이 형성된다. 또한, 피처리 기판(30)의 로딩/언 로딩 시에 구동되는 리프트 핀(40)이 업/다운 될 수 있도록 상·하부를 연결해 주는 리프트 홀(42)이 형성된다. 이때, 바디(20)는 리프트 핀(40)과 피처리 기판(30)이 접촉하여 업/다운 될 수 있도록 피처리 기판(30)의 외부 크기보다 내측으로 리프트 홀(42)이 형성되는 것이 바람직하 다.
또한, 상기 바디(20)는 피처리 기판(30)이 리프트 핀(40)으로 인계 시 발생될 수 있는 흔들림을 방지하기 위한 가이드 바(50)가 삽입되도록 가이드 홀(51)이 형성된다. 바디(20)는 가이드 바(50)가 일정거리 이격되어 소정의 각도가 유지 된다. 가이드 홀(51)은 적어도 3개 이상이 형성되고 등 간격으로 120도가 유지되어 형성된다.
상기 리프트 핀(40)은 피처리 기판(20)의 로딩/ 언 로딩 시에 안착 될 수 있도록 상부로 접촉면이 형성되고 하부는 구동부(60)와 체결된다. 리프트 핀(40)은 피처리 기판(30)의 이송수단인 로보트 암으로부터 인계 시에 발생 될 수 있는 미끄럼을 방지하기 위하여 마찰력을 보유한 재질로 구성된다. 리프트 핀(40)은 피처리 기판(30)이 하강 시 바디(20)의 일 측면에 안착 될 수 있도록 내부로 삽입이 가능한 직선형태의 바로 형성 되도록 한다.
또한, 리프트 핀(40)은 피처리 기판(30)이 인계 시에 발생되는 무게 중심의 이동과 충격으로 인한 흔들림을 최소화하기 위하여, 바디(20)의 일측 면으로 3개 이상의 리프트 핀(40)이 위치되는 것이 바람직하다.
가이드 바(50)는 피처리 기판(30)이 리프트 핀(40)으로 인계시 무게 중심의 이동 및 충격으로부터, 리프트 핀(40)이 안전하게 지지되도록 한다.
도 4와 도 5에 도시된 바와 같이, 가이드 바(50)는 피처리 기판과 접촉되는 제 1가이드 부재(52)와 제 1가이드 부재(52)에 연결되고, 연질의 성질을 갖는 제 2가이드 부재(54)는 제2가이드 부재(54)에 연결되고, 하부는 구동부와 체결되는 제 3가이드 부재(56)로 구성된다. 상기 제 1가이드 부재(52)의 전체 길이 B와 제 2가이드 부재(54)의 전체 길이 C 및 제 3가이드 부재(56)의 전체 길이 D의 길이는 B<C<D의 크기로 진행된다. 또한, 가이드 바(50)는 바디(20)에 형성된 가이드 홀(51)을 통과하기 위하여 제 2가이드 부재(54)가 휘어짐이 유연한 재질로 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이 가이드 바(50)는 피처리 기판(30)의 하강 시에 피처리 기판(30) 하부면 보다 밑에 위치되어 리프트 핀(40)과 동시에 하강 하는 것이 바람직하다.
도 7에 도시된 바와 같이 리프트 핀(40)이 하강 후에는 바디(20)의 상부로 가이드 바(50)가 돌출 되지 않도록 위치된다.
구동부(60)는 제 1구동부(62)와 제 2구동부(64)로 구성된다. 제 1구동부(62)는 일측이 가이드 바(50)과 체결되면 타측은 상기 가이드 바(50)을 업/다운 구동을 하는 동력 장치에 연결된다. 제 1구동부(62)는 기판 지지대(10)의 하부에 위치된다.
제 2구동부(64)의 일측은 리프트 핀(40)과 체결되며 타측은 상기 리프트 핀(40)의 업/다운 구동을 하는 동력 장치에 연결된다. 제 2구동부(64)는 제 1구동부 (62)와 같은 일측 또는 타측에 위치된다.
또한, 도 8은 도 1에 도시된 지지대 기판(10)의 바디(20)와 리프트 핀(40) 및 가이드 바(50)의 구조는 동일하다. 그러나, 바디(20)의 일측면에 리프트 핀(40)이 삽입되어 위치되는 리프트 홀(42)의 위치와 가이드 바(50)가 삽입되어 위치되는 가이드 홀(51)의 방향이 서로 역방향으로 위치되는 것이 바람직하다.
또한, 도 9는 도 1에 도시된 지지대 기판(10)의 바디(20)와 리프트 핀(40) 구조는 동일하다. 그러나, 바디(20)의 일 측면에 리프트 핀(40)이 삽입되어 위치되는 리프트 홀(42)의 위치와 가이드 바(50)가 삽입되어 위지되는 가이드 홀(51)이 일정거리 이격되어 위치되는 특징을 갖는다.
도 10은 본 발명의 다른 일면에 따른 기판 지지대를 구비한 공정 챔버의(70)에 대한 단면도를 도면이다. 기판 지지대가 구비된 공정 챔버(70)는 피처리 기판(30)을 처리 하는 공간이 형성된 챔버바디(80)와 상기 챔버 바디(80) 내부에 위치되고 피처리 기판(30)을 인계 받아 정렬하는 기판 지지대(10)로 구성된다.
챔버(80)는 플라즈마 방전 영역을 갖도록 내부에 피처리 기판의 처리공간이 존재한다. 또한, 챔버 바디(80)의 상부를 형성하는 유전체 윈도우가 구비되고 내부에는 피처리 기판(30)을 지지하기 위한 기판 지지대(10)가 구비된다. 피처리 기판(30)은 예를 들어, 반도체 장치를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판 또는 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이 등의 제조를 위한 유리 기판이다. 구체적으로 도시하지는 안았으나 챔버 바디(80)의 하단에는 가스 배기를 위해 진공 펌프에 연결되는 가스 출구가 구비된다.
챔버 바디(80)는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 물질로 재작된다. 또는 코팅된 금속 예를 들어, 양극 처리된 알루미늄이나 니켈 도금된 알루미늄으로 재작될 수 있고. 또한 내화 금속(refractory metal)로 재작될 수 있다. 또 다른 대안으로 챔버(80)를 전체적으로 석영, 세라믹과 같은 전기적 절연 물질로 재 작하는 것도 가능하며, 의도된 플라즈마 프로세스가 수행되기에 적합한 다른 물질로도 재작될 수 있다.
기판 지지대(10)는 피처리 기판이 안착되어 놓일 수 있는 표면을 갖는 바디(20)와 피처리 기판(30)을 인계 받아 업/다운 시키는 리프트 핀(40)과 피처리 기판(30)이 리프트 핀(40)에 인계 시 발생되는 무게중심의 이동 및 충격에 대한 흔들림을 최소화로 예방 및 방지하는 가이드 바(50) 및 리프트 핀(40)과 가이드 바(50)의 업/다운 동작을 구동하는 구동부(60)로 구성된다.
상기 바디(20)는 피처리 기판(30)이 안착될 수 있도록 상부의 일 측에 면으이 형성된다. 또한, 피처리 기판(30)의 로딩/언 로딩 시에 구동되는 리프트 핀(40)이 업/다운 될 수 있도록 상하부를 연결해 주는 리프트 홀(42)이 형성된다. 이때, 바디(20)는 리프트 핀(40)과 피처리 기판(30)이 접촉하여 업/다운 될 수 있도록 피처리 기판(30)의 외부 크기보다 내측으로 리프트 홀(42)이 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 바디(20)는 피처리 기판(30)이 리프트 핀(40)으로 인계 시 발생될 수 있는 흔들림을 방지하기 위한 가이드 바(50)가 삽입되도록 가이드 홀(51)이 형성된다. 바디(20)는 가이드 바(50)가 일정거리 이격되어 소정의 각도가 유지 된다. 가이드 홀(51)은 적어도 3개 이상이 형성되고 등 간격으로 120도가 유지되어 형성된다.
상기 리프트 핀(40)은 피처리 기판(20)의 로딩/ 언 로딩 시에 안착 될 수 있도록 상부로 접촉면이 형성되고 하부는 구동부(60)와 체결된다. 리프트 핀(40)은 피처리 기판(30)의 이송수단인 로보트 암(80)으로부터 인계 시에 발생 될 수 있는 미끄럼을 방지하기 위하여 마찰력을 보유한 재질로 구성된다. 리프트 핀(40)은 피처리 기판(30)이 하강 시 바디(20)의 일 측면에 안착 될 수 있도록 내부로 삽입이 가능한 직선형태의 바로 형성 되도록 한다.
또한, 리프트 핀(40)은 피처리 기판(30)이 인계 시에 발생되는 무게 중심의 이동과 충격으로 인한 흔들림을 최소화하기 위하여, 바디(20)의 일측 면으로 3개 이상의 리프트 핀(40)이 위치되는 것이 바람직하다.
가이드 바(50)는 피처리 기판(30)이 리프트 핀(40)으로 인계시 무게 중심의 이동 및 충격으로부터, 리프트 핀(40)이 안전하게 지지되도록 한다.
도 4와 도5에 도시된 바와 같이 가이드 바(50)는 피처리 기판과 접촉되는 제 1가이드 부재(52)와 제 1가이드 부재(52)와 연결되고 연질의 성질을 갖는 제 2가이드 부재(54) 및 제2가이드 부재(54)와 연결되고 하부로는 구동부와 체결되는 제 3가이드 부재(56)로 구성된다. 상기 제 1가이드 부재(52)의 전체 길이 B와 제 2가이드 부재(54)의 전체 길이 C 및 제 3가이드 부재(56)의 전체 길이 D의 길이 비율은 B<C<D의 크기로 진행된다. 또한, 가이드 바(50)는 바디(20)에 형성된 가이드 홀(51)을 통과하기 위하여 제 2가이드 부재(54)가 굴곡이 가능한 연질의 재질로 형성된다.
도 6에 도시된 바와 같이 가이드 바(50)는 피처리 기판(30)의 하강 시에 피처리 기판(30) 한단 면 보다 밑에 위치되어 리프트 핀(40)과 동시에 하강 하는 것이 바람직하다.
도 7에 도시된 바와 같이 리프트 핀(40)이 하강 후에는 바디(20)의 상부로 가이드 바(50)가 돌출 되지 않도록 위치된다.
구동부(60)는 제 1구동부(62)와 제 2구동부(64)로 구성된다. 제 1구동부(62)는 일측이 가이드 바(50)과 체결되면 타측은 상기 가이드 바(50)을 업/다운 구동을 하는 동력 장치에 연결된다. 제 1구동부(62)는 기판 지지대(10)의 하단부에 위치된다.
제 2구동부(64)는 일측은 리프트 핀(40)과 체결되며 타 측은 상기 리프트 핀(40)의 업/다운 구동을 하는 동력 장치에 연결된다. 제 2구동부(64)는 제 1구동부 (62)와 같은 일측이나 타측에 위치된다.
또한, 기판 지지대(10)는 하나 이상의 바이어스 전원 공급원으로부터 임피던스 정합기를 통하여 바이어스 전력을 공급 받아 바이어스 된다. 이때, 기판지지대는 도면에 도시되지 않았으나 직류 전원 공급원으로부터 직류 전원이 기판 지지대(10)로 공급될 수도 있다.
기판 지지대(10)는 둘 이상의 바이어스 전원 공급원으로부터 바이어스 전력이 공급되는 경우 각각의 바이어스 전력은 서로 다른 주파수를 갖는다. 또한 공정 특성에 따라 기판 지지대(10)는 바이어스가 전혀 인가되지 않을 수도 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일면에 따른 로딩 시 공정 순서도이다. 이를 참조하여 설명한다. 본 발명의 공정 순서는 로보트암 이송단계(S10)와 리프트 핀 대기단계(S20)와 가이드바 대기단계(S30)와 피처리 기판 인계단계(S40)와 피처리 기판 정렬단계(S50)와 가이드 바 하강단계(S60)와 리프트 핀 하강단계(S70) 및 피 처리 기판 정위치단계(S80)로 구성된다.
로보트암 이송단계(S10)는 외부로부터 피처리 기판을 이송 받아 피처리 기판을 처리하는 공간이 만들어진 챔버바디 내부로 로보트 암이 이송되는 단계이다.
리프트 핀 대기단계(S20)는 바디의 일 측면으로 리프트 핀(S40)이 돌출되어 업/다운 동작을 구동하기 전 단계이며. 또한, 로보트 암으로부터 피처리 기판을 인계받기 위한 대기단계 이다.
가이드바 대기단계(S30)는 리프트 핀 대기단계와 같이 대기하는 단계이며, 또한, 가이드 바가 바디로 부터 돌출 되고 리프트 핀에 인계 시 정렬될 수 있도록 하는 대기 단계이다.
피처리 기판 인계단계(S40)는 로보트의 암으로부터 피처리 기판(30)을 상부 면에 인계받는 단계이다. 이때, 피처리 기판의 무게 중심의 이동 및 피처리 기판의 인계 시 발생되는 충격으로 인하여 피처리 기판이 흔들리는 단계이다.
피처리 기판 정렬 단계(S50)는 피처리 기판 인계단계와 동시에 진행된다. 이때, 피처리 기판의 인계 시 발생되는 무게 중심의 이동 및 충격으로 인하여 피처리 기판 자체가 흔들림이 발생되고 위치가 틀어지게 된다. 이때, 가이드 바에 피처리 기판이 접촉되어 인계 시에 발생될 수 있는 흔들림을 최소화 시켜 피처리 기판이 안정화 되도록 하는 단계이다.
가이드바 하강단계(S60)는 피처리 기판이 리프트 핀에 안정화 되면, 가이드 바는 피처리 기판의 하단 부보다 밑에 위치되어 리프트 핀이 내려오면 동시에 같이 하강하는 단계이다.
리프트 핀 하강단계(S70)는, 가이드 바의 하강단계가 리프트 핀 하강단계 와 동시에 진행 될 경우, 상기 가이드 바가 피처리 기판을 상부로 올려 위치가 틀어 질 경우를 방지하기 위하여, 가이드 바 하강단계 이후에 진행된다.
피처리 기판 정위치 단계(S80)는 피처리 기판이 바디의 일 표면에 안착 되어 챔버 내부에서 공정이 진행될 수 있는 정우치 되는 단계.
도 12은 도 11의 언 로딩시의 공정 순서도를 나타낸 도면이다. 이를 참조하여 설명 한다.본 발명의 공정 순서는 피처리 기판 정위치단계(S110)와 리프트 핀 상승단계(S120) 와 가이드 바 상승단계(S130)와 피처리 기판 정렬단계(S140)와 피처리 판 인계단계(S150) 로봇의 암 이송단계(S160) 와 리프트 핀 대기단계(S170)와 가이드바 대기단계(S180)으로 구성된다.
피처리 기판 정위치 단계(S110)는 피처리 기판이 바디의 일 표면에 안착 되어 챔버의 공간에서 작업할 수 있도록 정 위치된 단계이다.
리프트 핀 상승단계(S120)는, 가이드바 상승단계가 동시에 상승 진행 될 경우 피처리 기판의 위치가 가이드 바로 인하여 틀어 질 경우를 대비하여, 가이드 바 상승단계 이전에 진행된다.
가이드바 상승단계(S130)는 리프트 핀의 상승단계가 시작되면 일정시간이 경과 후 가이드 바가 상승하는 단계이다.
피처리 기판 정렬 단계(S140)는 가이드 바 상승단계와 동시에 진행되고. 이때, 피처리 기판의 업 구동 시 발생되는 흔들림으로 인하여, 피처리 기판 자체가 흔들림이 발생되어 위치가 틀어지게 된다. 이때, 피처리 기판에 가이드 바가 접촉 하여 구동 시에 발생될 수 있는 흔들림을 최소화 시켜 피처리 기판이 안정화 되도록 하는 단계이다.
피처리 기판 인계단계(S150)는 리프트 핀으로부터 피처리 기판이 정 위치에서 로보트의 암으로 인계되는 단계이다.
로보트암 이송단계(S160)는 챔버 내부로부터 피처리 기판을 인계받아 피처리 기판을 외부로 이송 하는 하는 단계이다.
리프트 핀 대기단계(S170)는 바디의 일 측면으로 리프트 핀(S40)이 돌출되어 다음 동작을 구동하기 전 단계이며. 또한, 로보트의 암으로부터 다음 공정을 진행할 피처리 기판을 인계받기 위한 대기단계 이다.
가이드바 대기단계(S180)는 리프트 핀 대기단계와 같이 대기하는 단계이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일면을 갖는 공정 순서의 제1변형 예를 보여주는 공정 순서도이다. 이를 참조하여 설명한다. 로보트암 이송단계(S210)와 리프트핀 상승 단계(S220)와 피처리 기판 인계 단계(S230)와 가이드바 상승 단계(S240)와 피처리 기판 정렬 단계(S250)와 가이드바 하강 단계(S260)와 리프트 핀 하강단계(S270)와 피처리 기판 정위치 단계(S280)로 구성된다.
로보트암 이송단계(S210)는 외부로부터 피처리 기판을 이송 받아 피처리 기판을 처리하는 공간이 만들어진 챔버 내부로 로보트의 암이 이송되는 단계이다.
리프트핀 상승단계(S220)는 피처리 기판을 지지할 수 있도록, 바디의 일측면으로 돌출 되는 단계이다.
피처리 기판 인계단계(S230)는 로보트의 암으로부터 피처리 기판을 상부 면 에 접촉하여 인계받는 단계이다. 이때, 피처리 기판의 인계 시 무게 중심의 이동 및 피처리 기판의 충격으로 인하여 피처리 기판이 흔들리는 단계이다.
가이드 상승단계(S240)는 피처리 판의 흔들림으로 인하여 위치가 틀어지게 되며, 가이드 바가 바디의 상부로 돌출되어 피처리 판에 접근하는 단계이다.
피처리 기판 정렬단계(S250)는 피처리 기판 인계단계와 동시에 진행된다. 이때, 피처리 기판의 인계 시 발생되는 무게 중심의 이동 및 충격으로 인하여 피처리 기판 자체가 흔들림이 발생되고 위치가 틀어지게 된다. 이때, 가이드 바에 피처리 기판이 접촉되어 인계 시에 발생될 수 있는 흔들림을 최소화 시켜 피처리 기판이 안정화 되도록 하는 단계이다.
가이드바 하강단계(S260)는 피처리 기판이 리프트 핀에 안정화 되면, 가이드 바는 피처리 기판의 하단 부보다 밑에 위치되어 리프트 핀이 내려오면 동시에 같이 하강하는 단계이다.
리프트 핀 하강단계(S270)는, 가이드 바가 동시에 진행 될 경우 피처리 기판의 위치가 틀어 질 경우를 대비하여, 가이드 바 하강단계 이후에 진행된다.
피처리 기판 정위치 단계(S280)는 피처리 기판이 바디의 일 표면에 안착 되어 챔버의 내부 공간에서 공정을 작업할 수 있도록 정 위치 되는 단계이다
이상에서 설명된 본 발명의 기판 지지대와 기판 지지대를 구비한 공정 챔버 및 방법의 실시 예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 가이드 바가 구비된 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버 및 방법은 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 피처리 기판의 정렬 공정에 매우 유용하게 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 바람직한 가이드 바가 구비된 기판 지지대를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도1의 가이드 바의 상승시 피처리 기판이 위치된 단면도이다.
도 3은 도2의 평면도이다.
도 4는 도3의 A부분을 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 5는 도4의 가이드 바를 구성하는 각 부위별 길이 비교를 나타낸 단면도이다.
도 6은 도4의 가이드 바의 하강 중 피처리 기판이 위치된 단면도,
도 7는 도8의 가이드 바의 하강 시 피처리 기판이 위치된 단면도,
도 8 내지 도 9는 본 발명에 따른 다른 변형 예를 보여 주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 다른 일면에 따른 기판 지지대를 구비한 공정 챔버의 단면도 이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 일면에 따른 로딩 시 공정 순서도이다.
도 12는 도 11의 언 로딩 시 공정 순서도이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 일면을 갖는 공정 순서의 제1 변형 예를 보여 주는 로딩 공정 순서도 이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 기판 지지대 20: 바디
30: 피처리 기판 40: 리프트 핀
42: 리프트 홀 50: 가이드 바
51: 가이드 홀 52: 제1 가이드 부재
54: 제2 가이드 부재 56: 제3 가이드 부재
60: 구동부 62: 제 1구동부
64: 제 2구동부 70: 공정 챔버
72: 챔버 바디 80: 로보트 암

Claims (5)

  1. 피처리 기판이 놓이는 일 표면을 갖는 바디;
    상기 피처리 기판을 인계 받아 업/다운 시키는 리프트 핀;
    상기 피처리 기판이 상기 리프트 핀에 인계 시 발생되는 흔들림을 방지하는 가이드 바 ; 및
    상기 리프트 핀과 상기 가이드 바의 업/다운 동작을 구동하는 구동부가 포함된 기판 지지대.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 바는 구동 시 일정 각도가 유지 되고, 연질의 재질이 한 개 이상으로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 지지대.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 가이드 바는 다수개로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 지지대.
  4. 피처리 기판을 처리하기 위한 공간을 갖는 챔버 및
    상기 피처리 기판을 업/다운 시키는 리프트 핀과, 상기 피처리 기판이 상기 리프트 핀에 인계 시 발생되는 흔들림을 예방 및 방지하는 가이드 바가 구비된 기판 지지대 가 포함된 공정 챔버
  5. 리프트 핀과 가이드 바의 대기 단계;
    상기 리프트 핀에 피처리 기판이 인계됨과 동시에 가이드 바가 피처리 기판을 정렬하는 단계;
    상기 피처리 기판의 정렬 후 상기 가이드 바가 하강하여 상기 피처리 기판 보다 하부에 위치된 단계; 및
    상기 리프트 핀과 가이드 바가 하강하여 피처리 기판을 정위치 시키는 단계로 진행되는 공정 방법
KR20080070903A 2008-07-22 2008-07-22 기판정렬장치 및 기판정렬방법 KR101507736B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080070903A KR101507736B1 (ko) 2008-07-22 2008-07-22 기판정렬장치 및 기판정렬방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20080070903A KR101507736B1 (ko) 2008-07-22 2008-07-22 기판정렬장치 및 기판정렬방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100010070A true KR20100010070A (ko) 2010-02-01
KR101507736B1 KR101507736B1 (ko) 2015-04-08

Family

ID=42084800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20080070903A KR101507736B1 (ko) 2008-07-22 2008-07-22 기판정렬장치 및 기판정렬방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101507736B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150118886A (ko) 2014-04-15 2015-10-23 정석원 볼링용 손목보호대
KR101678036B1 (ko) 2015-10-28 2016-11-21 (주)디엔에스 볼링용 손목보호대

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101215893B1 (ko) * 2005-07-11 2012-12-27 주성엔지니어링(주) 승강부재를 포함하는 기판지지장치
KR20070069428A (ko) * 2005-12-28 2007-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판 표시장치 제조용 기판 가이드 장치
KR100777466B1 (ko) 2006-09-16 2007-11-21 주식회사 뉴파워 프라즈마 피처리 기판의 가장 자리 및 후면을 동시 식각하기 위한플라즈마 식각 장치 및 이를 위한 기판 리프팅 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150118886A (ko) 2014-04-15 2015-10-23 정석원 볼링용 손목보호대
KR101678036B1 (ko) 2015-10-28 2016-11-21 (주)디엔에스 볼링용 손목보호대

Also Published As

Publication number Publication date
KR101507736B1 (ko) 2015-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100636487B1 (ko) 기판 지지 장치 및 기판 디처킹 방법
KR100993441B1 (ko) 기판 탑재 기구, 기판 주고받음 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR101425268B1 (ko) 기판 수수 방법
US20060156987A1 (en) Lift pin mechanism and substrate carrying device of a process chamber
JP2004179600A (ja) 半導体製造装置
JP2007273685A (ja) 基板載置台および基板処理装置
JP2009187990A (ja) プラズマ処理装置
TW200926337A (en) Substrate mounting stage and substrate treating equipment
JP2000237983A (ja) 基板チャック装置
JP2008041969A (ja) 基板の脱離方法
WO2005076343A1 (ja) 半導体処理用の基板保持具及び処理装置
KR20100010070A (ko) 가이드 바를 구비한 기판 지지대와 이를 구비한 공정 챔버및 방법
JP2009147042A (ja) 基板受取方法および基板ステージ装置
KR101345605B1 (ko) 승강 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를이용하여 기판을 처리하는 방법
KR20210039526A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102550838B1 (ko) 기판 탑재 방법 및 기판 탑재 기구
KR101235623B1 (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치
KR101135355B1 (ko) 기판 리프트장치
JP2009246229A (ja) 基板支持装置
KR100596328B1 (ko) 평판표시소자 제조장치의 리프트 핀 모듈
KR20040062175A (ko) 건식 식각 장비 및 이를 이용한 식각방법
KR20230057955A (ko) 피처리체의 반송 방법 및 처리 장치
KR20090070666A (ko) 지지유닛 및 상기 지지유닛의 기판 처리 방법, 그리고 상기지지유닛을 구비하는 베이크 장치
KR200495161Y1 (ko) 기판지지부 및 이를 포함하는 기판처리장치
TW202410280A (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180424

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190327

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200305

Year of fee payment: 6