KR20100009952A - 플라즈마 표시 패널의 구동 방법, 및 이 방법을 채용한플라즈마 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 플라즈마 표시 패널의 구동 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 플라즈마 표시 패널의 모든 셀들의 벽전하 상태가 초기화되는 리셋 주기, 선택 셀들이 방전을 일으킴에 의하여 유지 방전의 조건을 구비하는 어드레싱 주기, 및 선택 셀들이 유지 방전을 일으키는 유지 주기가 존재하는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법에 관한 것이다.
통상적인 플라즈마 표시 장치에서는, 단위 프레임이 시분할 계조 디스플레이를 위한 복수의 서브필드들로 구분되고, 서브필드들 각각이 리셋 주기, 어드레싱 주기, 및 유지 주기를 포함한다. 서브필드들 각각은 고유한 계조 가중값을 가지며, 이 계조 가중값에 비례하여 유지 주기가 설정된다.
상기와 같은 통상적인 플라즈마 표시 패널의 구동 방법에 있어서, 형광체의 재료 특성, 도포 두께, 격벽의 높이 등의 이유로 모든 셀들이 균일하게 리셋 또는 어드레싱 동작을 수행하지 못한다.
예를 들어, 리셋 주기에서 비정상적으로 동작하는 셀은 어드레싱 주기에서 선택 방전을 일으키지 않았음에도 불구하고 유지 주기에서 유지 방전을 일으킬 수 있다.
또한, 어드레싱 주기에서 인접 선택 셀이 방전할 경우에 비선택 셀도 방전하여, 유지 주기에서 유지 방전을 일으킬 수 있다.
어느 한 서브필드의 유지 주기에서 최초로 유지 방전이 일어날 경우, 상기 유지 주기가 종료될 때까지 계속적으로 유지 방전이 일어난다.
이에 따라, 영상 디스플레이의 재현성(reproducibility)이 떨어지는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은, 플라즈마 표시 패널의 제조상의 편차로 인하여 모든 셀들이 균일하게 리셋 또는 어드레싱 동작을 수행하지 못하더라도, 영상 디스플레이의 재현성(reproducibility)을 높일 수 있는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법 및 플라즈마 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 구동 방법은, 주사 전극 라인들과 교차되도록 어드레스 전극 라인들이 형성되고, 유지 전극 라인들이 상기 주사 전극 라인들과 나란하면서 교호하게 형성된 플라즈마 표시 패널의 구동 방법으로서, 리셋 주기, 어드레싱 주기 및 유지 주기를 포함한다.
상기 리셋 주기에서 상기 플라즈마 표시 패널의 모든 셀들의 벽전하 상태가 초기화된다. 상기 어드레싱 주기에서 선택 셀들이 방전을 일으킴에 의하여 유지 방전의 조건을 구비한다. 상기 유지 주기에서 상기 선택 셀들이 상기 유지 방전을 일으킨다. 그리고 상기 유지 주기의 초기에서 상기 주사 전극 라인들에 소거 펄스가 인가된다.
본 발명의 플라즈마 표시 장치는 상기 본 발명의 플라즈마 표시 패널의 구동 방법을 채용한다.
본 발명의 상기 플라즈마 표시 패널의 구동 방법 및 이를 채용한 플라즈마 표시 장치에 의하면, 상기 유지 주기의 초기에서 상기 플라즈마 표시 패널의 모든 셀들의 벽전하들이 감소되도록 소거 방전이 일어난다. 이에 따라, 플라즈마 표시 패널의 제조상의 편차로 인하여 모든 셀들이 균일하게 리셋 또는 어드레싱 동작을 수행하지 못하더라도, 다음과 같은 이유들로 인하여 영상 디스플레이의 재현성(reproducibility)이 높아질 수 있다.
첫째, 어드레싱 주기에서 정상적으로 선택된 셀들에서는 유지 방전을 위한 벽전하들이 충분히 형성되어 있다. 따라서, 상기 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되더라도 선택 셀들에서 유지 방전이 정상적으로 일어날 수 있다.
둘째, 리셋 주기에서 비정상적으로 동작하는 셀은 어드레싱 주기에서 정상적으로 선택된 셀들에 비하여 유지 방전을 위한 벽전하들이 충분히 형성되어 있지 않다. 따라서, 상기 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되면 비선택 셀들에서 유지 방전이 일어날 수 없다.
셋째, 어드레싱 주기에서 비선택 셀에서는 정상적으로 선택된 셀들에 비하여 유지 방전을 위한 벽전하들이 충분히 형성되어 있지 않다. 따라서, 상기 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되면 비선택 셀들에서 유지 방전이 일어날 수 없다.
이하, 첨부된 도면들과 함께 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.
도 1은 본 발명에 따른 구동 방법이 적용되는 플라즈마 표시 패널(1)의 구조를 보여준다. 도 2는 도 1의 패널(1)의 단위 디스플레이-셀의 구성을 보여준다.
도 1 및 2를 참조하면, 통상적인 면방전 플라즈마 표시 패널(1)의 앞쪽 및 뒤쪽 글라스 기판들(10, 13) 사이에는, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm), 유전체층(11, 15), 주사 전극 라인들로서의 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn), 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn), 형광체(16), 격벽(17) 및 보호층으로서의 일산화마그네슘(MgO)층(12)이 마련되어 있다.
어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)은 뒤쪽 글라스 기판(13)의 앞쪽에 일정한 패턴으로 형성된다. 하부 유전체층(15)은 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)의 앞쪽에서 전면(全面) 도포된다. 하부 유전체층(15)의 앞쪽에는 격벽(17)들이 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)과 평행한 방향으로 형성된다. 이 격벽(17)들은 각 셀의 방전 영역을 구획하고 각 셀 사이의 광학적 간섭(cross talk)을 방지하는 기능을 한다. 형광체(16)는, 격벽(17)들 사이에 도포된다.
유지 전극-라인들로서의 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn)과 주사 전극-라인들로서의 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)은 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)과 직교되도록 앞쪽 글라스 기판(10)의 뒤쪽에 일정한 패턴으로 형성된다. 각 교차점은 상응하는 셀을 설정한다. 각 유지 전극-라인(X1, ..., Xn)과 각 주사 전극-라인(Y1, ..., Yn)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 재질의 투명 전극-라인(도 2의 Xna, Yna)과 전도도를 높이기 위한 금속 전극-라인(도 2의 Xnb, Ynb) 이 결합되어 형성된다. 앞쪽 유전체층(11)은 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn)과 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)의 뒤쪽에 전면(全面) 도포되어 형성된다. 강한 전계로부터 패널(1)을 보호하기 위한 보호층(12) 예를 들어, 일산화마그네슘(MgO)층은 앞쪽 유전체층(11)의 뒤쪽에 전면 도포되어 형성된다. 방전 공간(14)에는 플라즈마 형성용 가스가 밀봉된다.
도 3은 도 1의 플라즈마 표시 패널의 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)에 대한 어드레스-디스플레이 분리(Address-Display Separation) 구동 방식을 보여준다.
도 3을 참조하면, 모든 단위 프레임들 각각은 시분할 계조 디스플레이를 실현하기 위하여 8 개의 서브필드들(SF1, ..., SF8)로 분할된다. 또한, 각 서브필드(SF1, ..., SF8)는 리셋 주기(I1, ..., I8), 어드레스 주기(A1, ..., A8), 및 유지 주기(S1, ..., S8)로 분할된다.
모든 셀들의 방전 조건들은 각 리셋 주기(I1, ..., I8)에서 균일해진다.
각 어드레스 주기(A1, ..., A8)에서는, 어드레스 전극-라인들(도 1의 AR1, ..., ABm)에 디스플레이 데이터 신호가 인가됨과 동시에 각 주사 전극-라인(Y1, ..., Yn)에 상응하는 주사 펄스가 순차적으로 인가된다.
각 유지 주기(S1, ..., S8)에서는, 모든 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)과 모든 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn)에 유지용 펄스가 교호하게 인가되어, 상응하는 어드레스 주기(A1, ..., A8)에서 설정 레벨 이상의 벽전압이 형성되어 있는 방전 셀들에서 디스플레이 방전을 일으킨다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 구동 방법이 채용된 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(1) 및 그 구동 장치를 포함한다. 이 구동 장치는 영상 처리부(41), 제어부(42), 어드레스 구동부(43), X-구동부(44), 및 Y-구동부(45)를 포함한다.
영상 처리부(41)는 외부 아날로그 영상 신호를 디지털 신호로 변환하여 내부 영상 신호 예를 들어, 각각 8 비트의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 영상 데이터, 클럭 신호, 수직 및 수평 동기 신호들을 발생시킨다. 제어부(42)는 영상 처리부(41)로부터의 내부 영상 신호에 따라 구동 제어 신호들(SA, SY, SX)을 발생시킨다.
어드레스 구동부(43)는, 제어부(42)로부터의 구동 제어 신호들(SA, SY, SX)중에서 어드레스 신호(SA)를 처리하여 디스플레이 데이터 신호를 발생시키고, 발생된 디스플레이 데이터 신호를 플라즈마 표시 패널(1)의 어드레스 전극-라인들(도 1의 AR1, ..., ABm)에 인가한다. X-구동부(44)는 제어부(42)로부터의 구동 제어 신호들(SA, SY, SX) 중에서 X-구동 제어 신호(SX)를 처리하여 플라즈마 표시 패널(1)의 유지 전극 라인들로서의 유지 전극-라인들(도 1의 X1, ..., Xn)을 구동한다. Y-구동부(45)는 제어부(42)로부터의 구동 제어 신호들(SA, SY, SX) 중에서 주사 전극 라인들로서의 Y-구동 제어 신호(SY)를 처리하여 플라즈마 표시 패널(1)의 주사 전극- 라인들(도 1의 Y1, ..., Yn)을 구동한다.
도 5는 도 4의 구동 장치에 의하여 단위 서브-필드(SF)에서 도 1의 패널(1)에 인가되는 구동 신호들의 제1 예를 보여는 타이밍도이다. 도 5에서 참조부호 SAR1..ABm은 각 어드레스 전극-라인(도 1의 AR1, AG1, ..., AGm, ABm)에 인가되는 구동 신호를, SX1 .. Xn은 유지 전극-라인들(도 1의 X1, ...Xn)에 인가되는 구동 신호를, 그리고 SY1, ..., SYn은 각 주사 전극-라인(도 1의 Y1, ...Yn)에 인가되는 구동 신호를 가리킨다.
도 6은 도 5의 t57 내지 t60 시간 동안의 구동 신호들을 확대하여 보여준다. 도 6에서 참조 부호 SY1..Yn은 모든 주사 전극-라인들(도 1의 Y1, ...Yn)에 인가되는 구동 신호를 가리킨다.
도 7a는 도 5의 t52 시점에서 정상적으로 벽전하들이 축적된 셀의 벽전하 분포를 보여준다. 도 7b는 도 5의 t54 시점에서 정상적으로 리셋된 셀의 벽전하 분포를 보여준다. 도 7c는 도 5의 t57 시점에서 어드레싱 방전에 의하여 정상적으로 선택된 셀의 벽전하 분포를 보여준다. 도 7d는 도 5 및 6의 t59 시점에서 정상적으로 선택된 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여준다. 도 7e는 도 5 및 6의 t60 시점에서 도 7d의 셀이 제1차 유지 방전을 수행한 결과의 벽전하 분포를 보여준다. 도 7f는 도 5의 t61 시점에서 도 7e의 셀이 제2차 유지 방전을 수행한 결과의 벽전하 분포를 보여준다. 도 7g는 도 5의 t62 시점에서 도 7f의 셀이 제3차 유 지 방전을 수행한 결과의 벽전하 분포를 보여준다.
도 7a 내지 도 7g에서 도 2와 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다.
도 1, 5, 6, 및 7a 내지 7g를 참조하여 도 5의 구동 방법을 설명하면 다음과 같다.
단위 서브-필드(SF)의 리셋 주기(I)에서의 전위 상승 주기(t51 ~ t52)에서는, 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)에 인가되는 전위가 제5 전위(|VSCL - VSCH|) 예를 들어, 140 볼트(V)로부터 제5 전위(|VSCL - VSCH|)보다 제6 전위(VSET) 예를 들어, 195 볼트(V)만큼 더 높은 제1 전위(VSET + |VSCL - VSCH|) 예를 들어, 335 볼트(V)까지 지속적으로 상승된다. 여기에서, 주사-바이어스 전위로서의 제3 전위(VSCH) 예를 들어, - 50 볼트(V)와 주사 전위로서의 제4 전위(VSCL) 예를 들어, - 190 볼트(V)의 차이에 의하여 제5 전위(|VSCL - VSCH|)가 발생된다. 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn)과 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에는 영(0) 볼트(V) 즉, 접지 전위(VG)가 인가된다.
이에 따라, 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)과 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn) 사이에 방전이 일어나는 한편, 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)과 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm) 사이에도 방전이 일어난다. 이에 따라, 주사 전극-라인들 (Y1, ..., Yn) 주위에는 부극성 벽전하들이 많이 형성되고, 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn) 주위에는 정극성의 벽전하들이 형성되며, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm) 주위에도 정극성의 벽전하들이 형성된다(도 7a 참조).
다음에, 리셋 주기(I)에서의 제1 전위-하강 주기(t52~t53)에서는, 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn)에 인가되는 전위가 접지 전위(VG)로 유지된 상태에서, 주사 전극 라인들로서의 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)에 인가되는 전위가 상기 제1 전위(VSET + |VSCL - VSCH|)로부터 접지 전위(VG)까지 급속히 하강한다. 여기에서, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위(VG)가 인가된다.
다음에, 리셋 주기(I)에서의 제2 전위-하강 주기(t53~t54)에서는, 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn)에 인가되는 전위가 제9 전위(VE) 예를 들어, 110 볼트(V)로 유지된 상태에서, 주사 전극 라인들로서의 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)에 인가되는 전위가 접지 전위(VG)로부터 부극성 전위인 제2 전위(VF) 예를 들어, - 168 볼트(V)까지 완만하게 하강한다. 여기에서, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위(VG)가 인가되고, 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에 제10 전위(VE) 예를 들어, 95 볼트(V)가 인가된다.
상기와 같은 전위-하강 주기(t52 ~ t54)에 의하면, 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn)과 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn) 사이의 방전으로 인하여, 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn) 주위의 부극성의 벽전하들이 적절히 감소되고, 유지 전극-라인들(X1, ..., Xn) 주위에 부극성의 벽전하들이 적절히 형성되며, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm) 주위의 정극성의 벽전하들이 적절히 감소된다(도 7b 참조).
이에 따라, 이어지는 어드레싱 주기(A)에서, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에 디스플레이 데이터 신호가 인가되고, 상기 제3 전위(VSCH)로 바이어싱된 주사 전극-라인들(Y1, ..., Yn)에 상기 제4 전위(VSCL)의 주사 펄스가 순차적으로 인가됨에 따라, 원활한 어드레싱이 수행될 수 있다. 여기에서, 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에 정극성의 바이어스 전위로서의 제10 전위(VE)가 지속적으로 인가된다.
주사-바이어스 전위로서의 제3 전위(VSCH)는, 접지 전위(VG)보다 낮은 부극성 전위로서, 상기 리셋-하강 전위로서의 제2 전위(VF)보다 높다. 하지만, 주사 전위로서의 제4 전위(VSCL)는 제2 전위(VF)보다 낮다.
각 어드레스 전극-라인(AR1, ..., ABm)에 인가되는 디스플레이 데이터 신호는 셀을 선택할 경우에 어드레스 전위(VA) 예를 들어, 65 볼트(V)가, 그렇지 않을 경우에 접지 전위(VG)가 인가된다. 이에 따라, 제4 전위(VSCL)의 주사 펄스가 인가되는 동안에 어드레스 전위(VA)의 디스플레이 데이터 신호가 인가되면 상응하는 선택 셀에서 어드레스 방전에 의하여 유지 방전의 조건이 구비되고(도 7c 참조), 그렇지 않은 비선택 셀에서는 유지 방전의 조건이 구비되지 않는다.
이어지는 유지 주기(S)의 초기(t57 ~ t59)에서 모든 셀들의 벽전하들이 감소되도록 주사 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 소거 펄스가 인가된다. 이 소거 펄스가 인가되는 동안(t57 ~ t59)에 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)과 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에 접지 전위가 인가된다.
여기에서, 소거 펄스의 폭(t57 ~ t58)은 유지 방전 펄스의 폭(t59 ~ t60)보다 좁다. 예를 들어, 어드레싱 주기(A)가 1 밀리-초(ms)이고, 유지 방전 펄스의 폭(t59 ~ t60)이 22 마이크로-초(μs)인 경우, 유지 방전 펄스의 폭(t59 ~ t60)은 13 내지 16 마이크로-초(μs)에서 선택된다.
또한, 소거 펄스의 상승 기울기가 유지 방전 펄스의 상승 기울기보다 완만하고, 소거 펄스의 하강 기울기가 유지 방전 펄스의 하강 기울기보다 급하다. 그리고, 소거 펄스의 높이(VR)가 유지 방전 펄스의 높이 예를 들어, 207 볼트(V)보다 낮고 상기 제10 전위(VE) 예를 들어, 95 볼트(V)보다 높다. 예를 들어, 소거 펄스의 높이(VR)는 130 내지 160 볼트(V)에서 선택된다.
이에 따라, 유지 주기(S)의 초기(t57 ~ t59)에서 소거 방전에 의하여 모든 셀들의 벽전하들이 감소된다. 하지만, 어드레싱 주기(A)에서 정상적으로 선택된 셀들에서는 유지 방전을 위한 벽전하들이 충분히 형성되어 있다(도 7c 참조). 따라서, 상기 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되더라도(도 7d 참조) 선택 셀들에서 유지 방전이 정상적으로 일어날 수 있다.
유지 주기(S)의 초기(t57 ~ t59)가 경과되면, 유지 주기(S)의 나머지 시간(t59 ~ t71)에서 모든 주사 전극-라인들(Y1, ...Yn)과 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에 제7 전위(VS) 예를 들어, 207 볼트(V)의 유지 펄스가 교호하게 인가되어, 어드레스 주기(A)에서 선택되었던 셀들에서 유지 방전을 일으킨다(도 7e 내지 7g 참조).
도 8a는 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 미흡하게 축적된 셀의 벽전하 분포를 보여준다. 도 8a 내지 8e에서 도 2와 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 7a 및 8a를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 형광체의 재료 특성, 도포 두께, 격벽의 높이 등의 이유로 모든 셀들에서 균일하게 벽전하들이 축적되지 못한다.
도 8b는 도 5의 t54 시점에서 도 8a의 셀이 비정상적으로 리셋된 경우를 보여준다. 도 7b 및 8b를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 모든 주사 전극-라인들(Y1, ...Yn)의 주위에 부극성의 벽전하들이 형성되어야 하는데 정극성의 벽전하들이 형성될 수도 있다. 그 이유로는 도 8a에 도시된 바와 같이 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 미흡하게 축적된 것으로 볼 수 있다. 하지만, 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 충분하게 축적되었다고 하더라도, 형광체의 재료 특성, 도포 두께, 격 벽의 높이 등의 이유로 벽전하들이 적절히 분배되지 못할 수도 있다.
도 8c는 도 5의 t57 시점에서 도 8b의 셀이 선택되지 않은 경우의 벽전하 분포를 보여준다. 도 7c 및 8c를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 도 8b의 셀에서 선택 방전이 일어나지 않았더라도 미흡하지만 유지 방전의 조건이 구비될 수 있다.
도 8d는 도 5 및 6의 t59 시점에서 도 8c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여준다. 도 7d 및 8d를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 도 8c의 셀들에서 벽전하들이 충분히 형성되지 않았으므로, 소거 방전에 의하여 유지 방전의 조건이 제거될 수 있다.
도 8e는 도 5 및 6의 t60 시점에서 도 8d의 셀이 유지 방전을 일으키지 않음을 보여준다. 도 7e 및 8e를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 도 8d의 셀에서 유지 방전의 조건이 제거되었으므로, 상기 셀에서 유지 방전이 일어나지 않는다. 물론, 어느 한 서브필드(도 5의 SF)의 유지 주기(S)에서 최초의 유지 방전이 일어나지 않는 셀에서는 상기 유지 주기(S)가 종료될 때까지 유지 방전이 일어나지 않는다.
따라서, 상기 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되면 비선택 셀들에서 유지 방전이 일어날 수 없다.
도 9a는 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 과도하게 축적된 셀의 벽전하 분포를 보여준다. 도 9a 내지 9e에서 도 2와 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 7a 및 9a를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 형광체의 재료 특성, 도포 두께, 격벽의 높이 등의 이유로 모든 셀들에서 균일하게 벽전하들이 축적 되지 못한다.
도 9b는 도 5의 t54 시점에서 벽전하들이 과도하게 형성된 셀의 벽전하 분포를 보여준다. 도 7b 및 9b를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 리셋 주기가 종료되는 시점(t54)에서 벽전하들이 과도하게 형성된 셀들이 있을 수 있다. 그 이유로는 도 9a에 도시된 바와 같이 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 과도하게 축적된 것으로 볼 수 있다. 하지만, 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 적절하게 축적되었다고 하더라도, 형광체의 재료 특성, 도포 두께, 격벽의 높이 등의 이유로 벽전하들이 적절히 분배되지 못할 수도 있다.
도 9c는 도 5의 t57 시점에서 선택되지 않아야 할 셀이 어드레싱 방전을 일으킨 결과를 보여준다. 도 7c 및 9c를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 도 9b의 셀에서 미약하게 선택 방전이 일어나더라도, 미흡하지만 유지 방전의 조건이 구비될 수 있다.
도 9d는 도 5 및 6의 t59 시점에서 도 9c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여준다. 도 7d 및 9d를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 도 9c의 셀들에서 벽전하들이 충분히 형성되지 않았으므로, 소거 방전에 의하여 유지 방전의 조건이 제거될 수 있다.
도 9e는 도 5 및 6의 t60 시점에서 도 9d의 셀이 유지 방전을 일으키지 않음을 보여준다. 도 7e 및 9e를 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 도 9d의 셀에서 유지 방전의 조건이 제거되었으므로, 상기 셀에서 유지 방전이 일어나지 않는다. 물론, 어느 한 서브필드(도 5의 SF)의 유지 주기(S)에서 최초의 유지 방전이 일어나 지 않는 셀에서는 상기 유지 주기(S)가 종료될 때까지 유지 방전이 일어나지 않는다.
따라서, 상기 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되면 비선택 셀들에서 유지 방전이 일어날 수 없다.
도 10은 도 4의 구동 장치에 의하여 단위 서브-필드(SF)에서 도 1의 패널(1)에 인가되는 구동 신호들의 제2 예를 보여준다. 도 11은 도 10의 t57 내지 t60 시간 동안의 구동 신호들을 확대하여 보여준다.
도 10 및 11에서 도 5 및 6과 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 따라서, 도 5 및 6에 대한 도 10 및 11의 차이점만을 설명하면 다음과 같다.
상기한 바와 같이, 유지 주기(S)의 초기(t57 ~ t59)에서 모든 셀들의 벽전하들이 감소되도록 주사 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 소거 펄스가 인가된다.
이 소거 펄스가 인가되는 동안(t57 ~ t59)에 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에 소거 펄스와 동일한 극성의 바이어스 전위인 제10 전위(VE)가 인가된다.
상기한 바와 같이, 소거 펄스의 높이(VR)가 유지 방전 펄스의 높이 예를 들어, 207 볼트(V)보다 낮고 상기 제10 전위(VE) 예를 들어, 95 볼트(V)보다 높다. 예를 들어, 소거 펄스의 높이(VR)는 130 내지 160 볼트(V)에서 선택된다.
어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위가 인가된다. 물론, 어 드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에 접지 전위와 다른 전위가 인가될 수도 있다. 또한, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)이 플로팅되는 것도 가능하다.
도 12는 도 10 및 11의 t59 시점에서 정상적으로 선택된 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여준다. 따라서, 도 12에 대응되는 도면은 도 7d이다.
도 12를 도 7d와 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 소거 펄스가 인가되는 동안(t57 ~ t59)에 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에 소거 펄스와 동일한 극성의 바이어스 전위인 제10 전위(VE)가 인가되므로, 유지 전극-라인들(X1, ...Xn) 주위의 부극성 전하들이 증가하는 만큼 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm) 주위의 부극성 전하들이 감소한다.
따라서, 이어지는 유지 방전에서 휘도 상승의 효과를 추가적으로 얻을 수 있다.
도 13은 도 10 및 11의 t59 시점에서 도 8c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여준다. 따라서, 도 13에 대응되는 도면은 도 8d이다.
도 13을 도 8d와 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 소거 펄스가 인가되는 동안(t57 ~ t59)에 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에 소거 펄스와 동일한 극성의 바이어스 전위인 제10 전위(VE)가 인가되므로, 유지 전극-라인들(X1, ...Xn) 주위의 부극성 전하들이 증가하는 만큼 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm) 주위의 정극성 전하들이 증가한다.
하지만, 도 8c의 셀들에서 벽전하들이 충분히 형성되지 않았으므로, 소거 방전에 의하여 유지 방전의 조건이 제거된 상태이다.
도 14는 도 10 및 11의 t59 시점에서 도 9c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여준다. 따라서, 도 14에 대응되는 도면은 도 9d이다.
도 14를 도 9d와 비교하면 알 수 있는 바와 같이, 소거 펄스가 인가되는 동안(t57 ~ t59)에 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에 소거 펄스와 동일한 극성의 바이어스 전위인 제10 전위(VE)가 인가되므로, 유지 전극-라인들(X1, ...Xn) 주위의 부극성 전하들이 증가하는 만큼 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm) 주위의 정극성 전하들이 증가한다.
하지만, 도 9c의 셀들에서 벽전하들이 충분히 형성되지 않았으므로, 소거 방전에 의하여 유지 방전의 조건이 제거된 상태이다.
도 15는 도 4의 구동 장치에 의하여 단위 서브-필드(SF)에서 도 1의 패널(1)에 인가되는 구동 신호들의 제3 예를 보여준다. 도 16은 도 15의 t57 내지 t60 시간 동안의 구동 신호들을 확대하여 보여준다.
도 15 및 16에서 도 5 및 6과 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 따라서, 도 5 및 6에 대한 도 15 및 16의 차이점만을 설명하면 다음과 같다.
상기한 바와 같이, 유지 주기(S)의 초기(t57 ~ t59)에서 모든 셀들의 벽전하들이 감소되도록 주사 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 소거 펄스가 인가된다.
이 소거 펄스가 인가되는 동안(t57 ~ t59)에 유지 전극-라인들(X1, ...Xn)에도 상기 동일한 소거 펄스가 인가된다. 여기에서, 주사 전극 라인들(Y1, ..., Yn)과 유지 전극-라인들(X1, ...Xn) 사이에는 자생적인 캐페시터가 형성되어 있다. 따라서, 유지 전극 라인들(X1, ...Xn)이 전기적으로 플로팅됨(floated)에 따라 상기 유지 전극 라인들(X1, ...Xn)에도 상기 소거 펄스가 인가될 수 있다. 즉, 유지 전극 라인들(X1, ...Xn)이 전기적으로 플로팅될 경우, 주사 전극 라인들(Y1, ..., Yn)의 전위가 점진적으로 상승하면 유지 전극 라인들(X1, ...Xn)의 전위도 동일한 비율로써 함께 상승한다.
어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위가 인가된다. 상기한 바와 같이, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)에 접지 전위와 다른 전위가 인가될 수도 있다. 또한, 어드레스 전극-라인들(AR1, ..., ABm)이 플로팅되는 것도 가능하다.
참고로, 상기 도 12 내지 14의 설명은 도 15 및 16의 구동 방법에도 동일하게 적용된다. 따라서, 이와 관련된 설명이 생략된다.
이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 표시 패널의 구동 방법 및 이 방법을 채용한 플라즈마 표시 장치에 의하면, 유지 주기의 초기에서 모든 셀들의 벽전하들이 감소되도록 소거 방전이 일어난다. 이에 따라, 플라즈마 표시 패널 의 제조상의 편차로 인하여 모든 셀들이 균일하게 리셋 또는 어드레싱 동작을 수행하지 못하더라도, 다음과 같은 이유들로 인하여 영상 디스플레이의 재현성(reproducibility)이 높아질 수 있다.
첫째, 어드레싱 주기에서 정상적으로 선택된 셀들에서는 유지 방전을 위한 벽전하들이 충분히 형성되어 있다. 따라서, 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되더라도 선택 셀들에서 유지 방전이 정상적으로 일어날 수 있다.
둘째, 리셋 주기에서 비정상적으로 동작하는 셀은 어드레싱 주기에서 선택 방전을 일으키지 않았음에도 불구하고 유지 주기에서 유지 방전을 일으킬 수 있다. 하지만, 어드레싱 주기에서 정상적으로 선택된 셀들에 비하여 유지 방전을 위한 벽전하들이 충분히 형성되어 있지 않다. 따라서, 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되면 비선택 셀들에서 유지 방전이 일어날 수 없다.
셋째, 어드레싱 주기에서 인접 선택 셀이 방전할 경우에 비선택 셀도 방전하여, 유지 주기에서 유지 방전을 일으킬 수 있다. 하지만, 데이터 전극에 선택 전위가 인가되지 않은 상태에서 비선택 셀이 선택 방전을 일으키므로, 어드레싱 주기에서 정상적으로 선택된 셀들에 비하여 유지 방전을 위한 벽전하들이 충분히 형성되어 있지 않다. 따라서, 소거 방전에 의하여 벽전하들이 감소되면 비선택 셀들에서 유지 방전이 일어날 수 없다.
본 발명은, 상기 실시예들에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 구동 방법이 적용되는 플라즈마 표시 패널로서의 플라즈마 표시 패널의 구조를 보여주는 내부 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 표시 패널의 단위 디스플레이-셀의 구성을 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 플라즈마 표시 패널의 주사 전극-라인들에 대한 어드레스-디스플레이 분리(Address-Display Separation) 구동 방식을 보여주는 타이밍도이다.
도 4는 본 발명에 따른 구동 방법이 채용된 플라즈마 표시 장치를 보여주는 블록도이다.
도 5는 도 4의 구동 장치에 의하여 단위 서브-필드에서 도 1의 패널에 인가되는 구동 신호들의 제1 예를 보여주는 타이밍도이다.
도 6은 도 5의 t57 내지 t60 시간 동안의 구동 신호들을 확대하여 보여주는 타이밍도이다.
도 7a는 도 5의 t52 시점에서 정상적으로 벽전하들이 축적된 셀의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 7b는 도 5의 t54 시점에서 정상적으로 리셋된 셀의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 7c는 도 5의 t57 시점에서 어드레싱 방전에 의하여 정상적으로 선택된 셀의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 7d는 도 5 및 6의 t59 시점에서 정상적으로 선택된 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 7e는 도 5 및 6의 t60 시점에서 도 7d의 셀이 제1차 유지 방전을 수행한 결과의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 7f는 도 5의 t61 시점에서 도 7e의 셀이 제2차 유지 방전을 수행한 결과의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 7g는 도 5의 t62 시점에서 도 7f의 셀이 제3차 유지 방전을 수행한 결과의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 8a는 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 미흡하게 축적된 셀의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 8b는 도 5의 t54 시점에서 도 8a의 셀이 비정상적으로 리셋된 경우를 보여주는 단면도이다.
도 8c는 도 5의 t57 시점에서 도 8b의 셀이 선택되지 않은 경우의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 8d는 도 5 및 6의 t59 시점에서 도 8c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 8e는 도 5 및 6의 t60 시점에서 도 8d의 셀이 유지 방전을 일으키지 않음을 보여주는 단면도이다.
도 9a는 도 5의 t52 시점에서 벽전하들이 과도하게 축적된 셀의 벽전하 분포를 보여주는 단면도이다.
도 9b는 도 5의 t54 시점에서 벽전하들이 과도하게 형성된 셀의 벽전하 분포 를 보여주는 단면도이다.
도 9c는 도 5의 t57 시점에서 선택되지 않아야 할 셀이 어드레싱 방전을 일으킨 결과를 보여주는 단면도이다.
도 9d는 도 5 및 6의 t59 시점에서 도 9c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 9e는 도 5 및 6의 t60 시점에서 도 9d의 셀이 유지 방전을 일으키지 않음을 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 4의 구동 장치에 의하여 단위 서브-필드에서 도 1의 패널에 인가되는 구동 신호들의 제2 예를 보여주는 타이밍도이다.
도 11은 도 10의 t57 내지 t60 시간 동안의 구동 신호들을 확대하여 보여주는 타이밍도이다.
도 12는 도 10 및 11의 t59 시점에서 정상적으로 선택된 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 10 및 11의 t59 시점에서 도 8c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 10 및 11의 t59 시점에서 도 9c의 셀의 벽전하들이 약간 소거된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 4의 구동 장치에 의하여 단위 서브-필드에서 도 1의 패널에 인가되는 구동 신호들의 제3 예를 보여주는 타이밍도이다.
도 16은 도 15의 t57 내지 t60 시간 동안의 구동 신호들을 확대하여 보여주 는 타이밍도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1...플라즈마 표시 패널, 10...앞쪽 글라스 기판,
11, 15...유전체층, 12...보호층,
13...뒤쪽 글라스 기판, 14...방전 공간,
16...형광체, 17...격벽,
X1, ..., Xn...유지 전극-라인, Y1, ..., Yn...주사 전극-라인,
AR1, ..., ABm...어드레스 전극-라인, Xna, Yna...투명 전극-라인,
Xnb, Ynb...금속 전극-라인,
SF1, ...SF8, SF1, ...SF8...서브-필드,
42...제어부, 43...어드레스 구동부, 44...X-구동부, 45...Y-구동부, 41...영상 처리부.
Claims (11)
- 주사 전극 라인들과 교차되도록 어드레스 전극 라인들이 형성되고, 유지 전극 라인들이 상기 주사 전극 라인들과 나란하면서 교호하게 형성된 플라즈마 표시 패널의 구동 방법에 있어서,상기 플라즈마 표시 패널의 모든 셀들의 벽전하 상태가 초기화되는 리셋 주기,선택 셀들이 방전을 일으킴에 의하여 유지 방전의 조건을 구비하는 어드레싱 주기, 및상기 선택 셀들이 상기 유지 방전을 일으키는 유지 주기를 포함하되,상기 유지 주기의 초기에서 상기 주사 전극 라인들에 소거 펄스가 인가되는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제1항에 있어서,상기 유지 주기에서 유지 방전 펄스가 상기 주사 전극 라인들과 유지 전극 라인들에 교호하게 인가되되,상기 소거 펄스의 폭이 상기 유지 방전 펄스의 폭보다 좁은 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제1항에 있어서,상기 유지 주기에서 유지 방전 펄스가 상기 주사 전극 라인들과 유지 전극 라인들에 교호하게 인가되되,상기 소거 펄스의 높이가 상기 유지 방전 펄스의 높이보다 낮은 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 소거 펄스의 상승 기울기가 상기 유지 방전 펄스의 상승 기울기보다 완만한 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 소거 펄스의 하강 기울기가 상기 유지 방전 펄스의 하강 기울기보다 급한 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 유지 주기의 초기에서 상기 주사 전극 라인들에 상기 소거 펄스가 인가되는 동안에 상기 유지 전극 라인들에 접지 전위가 인가되는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 유지 주기의 초기에서 상기 주사 전극 라인들에 상기 소거 펄스가 인가 되는 동안에 상기 유지 전극 라인들에 바이어스 전위가 인가되는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 소거 펄스가 인가되는 동안에 상기 유지 전극 라인들에 인가되는 바이어스 전위의 극성이 상기 소거 펄스의 극성과 같은 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 유지 주기의 초기에서 상기 주사 전극 라인들에 상기 소거 펄스가 인가되는 동안에 상기 유지 전극 라인들에도 상기 소거 펄스가 인가되는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서,상기 유지 주기의 초기에서 상기 주사 전극 라인들에 상기 소거 펄스가 인가되는 동안에, 상기 유지 전극 라인들이 전기적으로 플로팅됨(floated)에 따라 상기 유지 전극 라인들에도 상기 소거 펄스가 인가되는 플라즈마 표시 패널의 구동 방법.
- 플라즈마 표시 패널의 모든 셀들의 벽전하 상태가 초기화되는 리셋 주기, 선 택 셀들이 방전을 일으킴에 의하여 유지 방전의 조건을 구비하는 어드레싱 주기, 및 상기 선택 셀들이 상기 유지 방전을 일으키는 유지 주기가 존재하는 플라즈마 표시 장치에 있어서,상기 유지 주기의 초기에서 상기 플라즈마 표시 패널의 모든 셀들이 소거 방전을 일으키는 플라즈마 표시 장치.
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