KR20100001785A - 화학기계 연마 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 억제제(inhibitor) 조성물은 적어도 이미다졸린(imidazoline)류 화합물 또는 트리아졸(triazole)류 화합물 또는 그 조합물과, 사르코신(sarcosine) 및 그 염류 화합물 또는 그 조합물을 포함하고, 상기 억제제 조성물은 화학기계 연마에 응용되는 것으로, 금속층의 높은 연마 제거율을 유지시키는 동시에, 금속 식각을 억제시키는 특성이 구비되며, 디스크 함몰(dishing)과 부식(erosion) 등의 결함을 충분히 감소시켜 준다.
Description
본 발명은 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물에 관한 것으로, 그 목적은 화학기계 연마 조성물에 사용되는 억제제 조성물을 제공하는 것이고, 가공물의 평탄화 효과를 높인다.
전자 소자의 선폭(Critical Dimension)이 갈수록 작아질 뿐만 아니라 리드(lead)층의 수가 급속하게 증가함에 따라, 전기 저항/전기 용량 시간 지체(RC Time Delay)는 전기 회로의 조작 속도에 중대한 영향을 끼치게 된다. 금속 배선 폭이 축소됨에 따라 조성되는 시간 지체 및 전자 이동(electron migration) 안전성의 문제를 개선하기 위하여, 전자 저항율을 낮추고 높은 전자 이동을 갖는 구리 리드선 재료를 선택하는데, 이는 알루미늄 합금 금속을 대신하는 것이다. 그러나, 구리 금속은 용이하지 않은 식각 특성을 구비하고 있기 때문에, 반드시 식각과는 다른 상감(象嵌:Damascene) 방식으로 형성되는 구리 금속 리드선을 채용해야 한다.
상감(象嵌) 방식의 제조 과정은 전통적으로 금속 도안으로 정의되어 절연층으로 채우는 금속화 제조 과정보다 특별한 것으로, 그 방법은 먼저 하나의 평탄한 절연체 상에서 금속선의 홈을 식각한 후, 다시 금속층을 채우고, 마지막으로 남아 있는 여분의 금속을 제거시켜서, 절연체의 평탄 구조에서 금속 상감이 구비된다. 상감 방식의 제조 과정은 전통적인 금속화 제조 과정에 비하여 다음과 같은 장점을 구비한다 : (1) 기저 표면이 수시로 평탄이 유지되고 ; (2) 전통적인 제조 과정 중에 절연체 재료가 금속 리드선 사이에 용아하지 않게 채워지는 결점이 배제되며 ; (3) 금속재료 식각이 용이치 못한 문제가 해결되는데, 특히 구리 금속의 식각이 그렇다.
이외에도, 전통적인 내부 배선의 제조 과정 중에 접촉창 구조와 리드선 도안을 각각 제작하는 것을 극복해야 하는데, 제조 과정 단계가 지극히 번잡한 결점을 지닌다. 종래에 이중 상감(dual damascene) 제조 과정은 발전적인 것으로, 그 제작 과정은 두차례 선택성 식각이 진행되는데, 라인 유전체(line dielectric)와 비아 유전체(via dielectric)를 각각 식각한 후, 일차적으로 금속층과 삽입된 연마 저지층이 완전하게 만들어지고, 아울러 한차례 전도성 금속을 비아홀과 내부 배선 홈에 채워, 간소화한 제조 과정 절차의 효과에 도달된다. 근래에 이르러, 소자 크기를 축소화하는 것과 소자 조작속도를 높이고자 하는 요구에 부응하기 위하여, 낮은 전기 저항상수와 높은 전자 이동 저항을 갖는 구리 금속이 구비되는데, 이미 점진적으로 금속 내부 배선 재질이 응용됨으로써, 종래의 알루미늄 금속 제조 과정 기술을 대체하게 되었다. 구리 금속의 상감식 내부 배선 기술은, 내부 배선의 축소화뿐만 아니라 아울러 RC 시간 지체를 감소시키고, 동시에 구리 금속을 식각하는 데 용이치 못한 문제를 해결함으로써, 현재는 내부 배선이 주요한 발전 추세를 보이고 있다.
단일 상감 또는 이중 상감의 구리 제조 과정을 막론하고, 구리 금속을 채운 후 모두 평탄화 제조 과정이 요구되며, 절연층 상의 여분의 금속을 제거시킨다. 종래에, 통상적으로 화학기계 연마 제조 과정은 이러한 목적에 도달되었다. 그러나 금속 화학기계 연마 기술 중에서, 금속 표면에 자주 금속 디스크 함몰(dishing) 및 부식(erosion) 등의 연마 결함이 발생되었다.
금속 디스크 함몰 및 부식 현상과 연마 속도율 및 식각비(RR/DER)는 지극히 큰 관계가 있고, 비교적 낮은 식각 속도율은 오목하게 함몰되는 부분을 제거시키는 비율이 낮아지게 하는데, 이에 따라 디스크 함몰의 결함을 유효하게 억제시킨다. 다만 단위 시간의 산출량을 고려하여, 연마 속도율 역시 허용 범위에서 유지되도록 요구된다. 이 밖에도, 연마 균일도 또한 평탄 결과에 대하여 일정한 영향을 갖게 되고, 연마 속도의 차이로 인해 구리를 완전하게 연마하는데 더 많은 연마 시간을 요구하게 되어, 더욱 심각한 금속 디스크 함몰 및 부식 현상이 발생한다.
단위 산출량과 금속 디스크 함몰 및 부식 현상을 억제시키는 것을 고려하여, 통상적으로 구리-화학기계 연마 제조 과정은, 두 가지 절차로 나뉜다. 제1 단계는 비교적 빠른 연마 속도율로써 대부분의 구리를 제거시켜서, 단위 산출량을 증가시킨다. 제2 단계는 비교적 느린 연마 속도율로써 남아 있는 소량의 구리를 연마 제거시켜서, 오목 홈 내부의 구리에 과도하게 조성되는 부식 현상을 피하게 한다. 통상적으로, 2단계의 구리 연마 제조 과정은, 동일하지 않게 세팅된 연마 조성물이 변경되는 것을 필요로 하고, 동일하지 않은 단계에 부합되는 구리 연마가 요구된다. 그러나, 변경된 연마 조성물은 간소화 제조 과정에 불리할 뿐만 아니라, 폐기 물의 증가를 조성하게 된다.
미국특허 제 6,679,929 호는 하나의 연마 조성물을 개시하고 있는데, 적어도 한 종류의 연마 입자、적어도 10개의 탄소 원자의 지방족 카르복실산(유기산)、알칼리성 성분、가속제、항식제(anticorrosive)、과산화수소 및 물을 포함하고, 상기 연마 조성물이 비록 구리 금속의 식각 속도율을 충분히 낮출 수는 있으나, 다만 대부분의 구리층(bulk copper)의 제거율에 대하여 불리한 영향을 만들게 된다. 이외에도 미국특허공개 제2004/0020135호 문헌에는 이산화규소、산화제、아미노산、트리아졸 화합물 및 물의 구리 금속 연마 조성물이 포함되는 것을 개시하고 있다. 그러나, 상기 특허에는 공동 억제제 사용이 개시되어 있지 않고, 높은 연마 제거율의 조건 하에서 유지되는 것으로, 연마 조성물이 금속의 식각 속도율에 대하여 속도를 떨어뜨리게 하고, 제1 및 제2 단계의 구리 금속 연마를 동시에 적용시키는 것이다.
본 발명의 주요 목적은 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물을 제공하는 것으로, 가공물의 억제 식각 속도율을 높이는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 두 단계의 금속 연마의 화학기계 연마 조성물에 동시 적용시키는 것을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 억제제 조성물은 적어도 이미다졸린류 화합물 또는 트리아졸류 화합물 또는 그 조합물과, 사르코신(sarcosine) 및 그 염류 화합물 또는 그 조합물을 포함하고, 그 중에서, 상기 이미다졸린류 화합물 또는 트리아졸류 화합물 또는 그 조합물은 1-H-벤조트리아졸이며, 상기 사르코신 및 그 염류 화합물은 N-염기 사르코신(N-acyl sarcosine)이고, 상기 억제제 조성물은 화학기계 연마 조성물 중에 사용되며, 가공물 표면에 화학기계 연마시에 한 층의 보호막이 형성되고, 금속층의 높은 연마 제거율이 유지되는 동시에, 식각 속도율의 특성을 유효하게 억제시키는 것이 구비되고, 디스크 함몰과 부식 등 연마 결함을 충분히 감소시킨다.
본 발명의 특징은, 본 실시예의 상세한 설명을 참고하여 확실히 이해할 수 있다.
본 발명은 「화학기계 연마의 조성물」로서, 상기 억제제 조성물은 적어도 다음을 포함한다 : 이미다졸린류 화합물 또는 트리아졸류 화합물 또는 그 조합물과, 사르코신(sarcosine) 및 그 염류 화합물 또는 그 조합물을 포함하고, 상기 억제제 조성물은 화학기계 연마 조성물 중에 사용되며, 가공물 표면에 화학기계 연마시에 한 층의 보호막이 형성되어, 가공물이 입을 수 있는 과도한 부식을 피할 수 있으며, 가공물의 부식 억제 능력을 높여 주고, 상기 화학기계 연마 조성물은 부식 억제제를 제외하고도, 연마 입자、산화제、가속제 및 용제가 더 포함된다.
상기 연마 입자의 실시예는 다만 단조 가열된 이산화규소에 한정되지 않고 ; 규산나트륨 또는 규산칼륨 가수분해、또는 규소알킬 가수분해 및 축합되어 이루어진 이산화규소 용해 콜로이드 ; 침전 또는 단조 가열된 이산화알루미늄 ; 침전 또는 단조 가열된 이산화티타늄 ; 고분자재료 ; 및 금속 산화물 및 고분자재료 혼합체(hybrid)를 포함한다. 바람직하게는 이산화규소 용해 콜로이드이다. 만일 연마 입자 용량이 과도하게 낮으면, 기계 연마에 불리하고, 기대하는 연마 제거율에 도달할 수 없다 ; 다른 측면에서, 만일 연마 입자 용량이 과도하게 높으면 기계 연마의 반응이 가속될 수 있고, 연마 저지층 및 절연 산화층의 제거율이 증가되며, 또한 표면 부식의 연마 결함이 쉽게 나타날 수 있다. 구체적인 실시예 중에서, 상기 규소 용해 콜로이드는 조성물 총중량 중 0.01 내지 30 중량%를 차지하고, 바람직하게는 0.1 내지 15 중량%를 차지하는 것이다.
연마 구리층의 화학기계 연마 조성물은, 바람직하게는 과산화수소를 사용하여 산화제를 만드는 것이다. 통상적으로, 상기 산화제는 조성물 총중량 0.25 내지 5 중량%를 차지하고, 바람직하게는 0.5 내지 3 중량%를 차지하는 것이다.
상기 화학기계 연마 조성물에 사용되는 가속제의 실시예는 다만 구연산에 한정되지 않고, 옥살산、주석산、히스타민산、프로필아민산 또는 글리코아민산을 포함한다. 상기 가속제는 금속 연마를 촉진시키는데 사용되는 것으로, 예를 들어 구리를 녹이는 물질과 같은 것이다. 연마 조성물 중의 가속제 첨가량을 높히는데 있어서, 금속층의 연마 제거율을 높이는데 도움이 되고, 제1 단계의 금속층 연마에 적용되는 것이다. 그러나, 연마 조성물 중의 가속제 첨가량을 높히는데 있어서, 또한 동시에 정해진 식각 속도율이 증가함으로써, 제2 단계의 미세한 정밀연마에는 불리하다. 구체적인 실시예 중에서, 상기 가속제는 조성물 총중량 0.01 내지 10 중량%를 차지하고, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량%를 차지하는 것이며, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 3 중량%를 차지하는 것이다.
상기 억제제 조성물은 높은 연마 제거율의 조건 하에서, 정해진 식각 속도율을 억제시키는데 유효하고, 제 1 단계와 제 2 단계의 연마 광택 제조 과정에 적용되며, 본 발명의 이미다졸린류 화합물 또는 트리아졸류 화합물 또는 그 조합물은 1-H-벤조트리아졸(1H-benzotriazole ; BTA)이고, 또한 조성물 총중량 0.001 내지 1%를 차지하며, 바람직하게는 조성물 총중량 0.005 내지 0.8%를 차지하는 것이고, 더욱 바람직하게는 조성물 총중량의 0.01 내지 0.5%를 차지하는 것이다. 상기 사르코신 및 그 염류 화합물 또는 그 조합물은 조성물 총중량 0.0005 내지 1%를 차지하고, 바람직하게는 조성물 총중량 0.001 내지 0.5%를 차지하는 것이고, 더욱 바람직하게는 조성물 총중량의 0.005 내지 0.1%를 차지하는 것이다.
그 중에서, 상기 사르코신 및 그 염류의 실시예는 다만 하기 화학식 1의 사 르코신에 한정되지 않고,
하기 화학식 2의 라우로일 사르코신(lauroyl sarcosine)、
N-염기 사르코신(N-acyl sarcosine)、코코일 사르코신(cocoyl sarcosine)、올레오일 사르코신(oleoyl sarcosine)、스테아로일 사르코신(stearoyl sarcosine)、미리스토일 사르코신(myristoyl sarcosine) 또는 그 리튬염、나트륨염、칼륨염、또는 아민염 또는 그 혼합물이 포함되며; 예를 들어 하기 화학식 3의 소디움 n-라우로일 사르코시네이트(Sodium n-Lauroyl Sarcosinate)
또는 하기 화학식 4의 소디움 코코일 사르코시네이트(Sodium Cocoyl Sarcosinate)
와 같은 것들이다.
본 발명에서 조성물은 물을 사용하여 용제를 만들고, 바람직하게는 탈이온수를 사용하여 조성물의 용제를 만드는 것이다.
이하의 특정한 구체적인 실시예에서 본 발명의 특징과 효과를 더 설명하는데, 다만 본 발명의 범주를 제한하려는 것은 아니다.
실시예
1
표 1에 근거하여, 이산화규소 용해 콜로이드、프로필아민산、과산화수소、1-H-벤조트리아졸、소디움 코코일 사르코시네이트 및 용제를 사용하여 물의 연마 펄프 조성물을 만들어 샘플과 대조하여 측정 시험을 진행한다.
| 산화제 (과산화수소) (wt%) | 가속제 (글리코아민산) (wt%) | 1-H-벤조 트리아졸 (ppm) | 연마입자 (이산화규소 용해 콜로이드) (wt%) | SCS (ppm) | |
| 대조예 1 | 0.8 | 0.8 | 50 | 0.1 | 0 |
| 대조예 2 | 0.8 | 0.8 | 0 | 0.1 | 60 |
| 대조예 3 | 0.8 | 0.8 | 25 | 0.1 | 60 |
연마 시험은 아래의 조건에 근거하여 진행한다.
연마기기 : 미라 폴리셔(Mirra polisher)(Applied Materials)
결정기판 유형 : 8인치 구리 박막 결정기판(Ramco co)
연마압력 : 1.5 psig 및 0 psig
컨베이어 회전속도 : 93 rpm
적재기구 회전속도 : 87 rpm
연마패드 : IC 1010(RODEL Inc)
연마펄프 유속 : 150 ml/min
상기 결정기판은 4가지 탐침(존데)을 사용하여 측정한 연마 속도율로서, 그 결과는 표 2와 같다 :
| RR @1.5psig (A/min) | WIWNU (%) | DER @0psig (A/min) | RR/DER | |
| 대조예 1 | 3349 | 5.1 | 1058 | 3.2 |
| 대조예 2 | 4747 | 10.4 | 230 | 20.6 |
| 대조예 3 | 5030 | 3.1 | 262 | 19.2 |
그 중에서, 상기 RR은 연마 제거율(Removal Rate)을 나타내는 것이고, WIWNU는 결정기판 표면의 균일도(With-in-wafer-non-uniformity)를 나타내는 것이며, DER은 동역학적 식각 속도율(Dynamic etching rate)을 나타내는 것이다.
표2의 결과에 근거하여 알 수 있는 것은, 대조예 1은 낮은 연마 제거율과 높은 식각 속도율이 구비되어 있고, RR/DER 비율은 낮게 편중되어 있다 ; 대조예2는 비록 비교적 높은 RR/DER 수치이지만, 다만 결정기판 표면 균일도는 바람직하지 못하고, 이러한 결과에서 알 수 있듯이, 만일 본 발명의 억제제 조성물(대조예3)을 사용한다면, 구리의 높은 연마 제거율을 유지시킬 수 있고, 또한 낮은 구리의 식각 속도율이 유효하게 됨으로써, RR/DER 수치를 높혀 준다.
실시예
2
표 3에 근거하여, 이산화규소 용해 콜로이드、프로필아민산、과산화수소、1-H-벤조트리아졸、소디움 코코일 사르코시네이트 및 용제를 사용하여 물의 연마 펄프 조성물을 만들어 샘플과 대조하여 측정 시험을 진행한다.
| 산화제 (과산화수소) (wt%) | 가속제 (글리코아민산) (wt%) | 1-H-벤조 트리아졸 (ppm) | 연마입자 (이산화규소 용해 콜로이드) (wt%) | SCS (ppm) | |
| 대조예 4 | 0.8 | 0.8 | 0 | 0.2 | 58 |
| 대조예 5 | 0.8 | 0.8 | 15 | 0.2 | 58 |
| 대조예 6 | 0.8 | 0.8 | 20 | 0.2 | 58 |
| 대조예 7 | 0.8 | 0.8 | 25 | 0.2 | 58 |
| 대조예 8 | 0.8 | 1.2 | 30 | 0.2 | 58 |
연마 시험은 아래의 조건에 근거하여 진행한다. 그 결과는 표4에 기록한다.
연마기기 : 미라 폴리셔(Mirra polisher)(Applied Materials)
연마압력 : 3 psig、1.5 psig 및 0 psig
컨베이어 회전속도 : 93 rpm
적재기구 회전속도 : 87 rpm
연마패드 : IC 1010(RODEL Inc)
연마펄프 유속 : 150 ml/min
| RR @3psig (A/min) | RR @1.5psig (A/min) | DER (A/min) | RR/DER | |
| 대조예 4 | 9618 | 5005 | 235 | 38.02 |
| 대조예 5 | 6234 | 3220 | 116 | 53.74 |
| 대조예 6 | 6490 | 3494 | 66 | 98.33 |
| 대조예 7 | 5350 | 2560 | 80 | 66.88 |
| 대조예 8 | 5859 | 3708 | 81 | 72.33 |
표 4의 결과에서 알 수 있듯이, 고정된 사르코신 농도 하에서는, 연마 제거율은 벤조트리아졸이 증가함에 따라 낮아지고, 하나의 바람직한 조성(대조예6)을 얻을 수 있으며, 구리의 높은 연마 제거율과 낮은 식각 속도율이 구비되어, 비교적 높은 RR/DER수치가 구비된다.
본 발명의 기술 내용 및 기술 특징은 상기와 같은 바 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의하여 정해져야 한다.
Claims (18)
- 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물로서, 상기 억제제 조성물이 적어도 이미다졸린류 화합물 또는 트리아졸류 화합물 또는 그 조합물, 및 사르코신(sarcosine) 및 그 염류 화합물 또는 그 조합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 1에 있어서,상기 사르코신 및 그 염류 화합물은, 사르코신(sarcosine)、라우로일 사르코신(lauroyl sarcosine)、N-염기 사르코신(N-acyl sarcosine)、코코일 사르코신(cocoyl sarcosine)、올레오일 사르코신(oleoyl sarcosine)、스테아로일 사르코신(stearoyl sarcosine)、미리스토일 사르코신(myristoyl sarcosine) 또는 그 리튬염、나트륨염、칼륨염、또는 아민염 또는 그 혼합물이 포함되는 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 1에 있어서,상기 사르코신 및 그 염류 화합물은 사르코신이며, 상기 사르코신의 화학식은 하기 화학식 1과 같은 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.[화학식 1]
- 청구항 1에 있어서,상기 사르코신 및 그 염류 화합물은 라우로일 사르코신이며, 상기 라우로일 사르코신의 화학식은 하기 화학식 2와 같은 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.[화학식 2]
- 청구항 1에 있어서,상기 사르코신 및 그 염류 화합물은 소디움 n-라우로일 사르코시네이트이며, 상기 소디움 n-라우로일 사르코시네이트의 화학식은 하기 화학식 3과 같은 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.[화학식 3]
- 청구항 1에 있어서,상기 사르코신 및 그 염류 화합물은 소디움 코코일 사르코시네이트이며, 상기 소디움 코코일 사르코시네이트의 화학식은 하기 화학식 4와 같은 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.[화학식 4]
- 청구항 1에 있어서,상기 트리아졸류 화합물은 1,2,4-트리아졸、3-아민기-1,2,4-트리아졸、3-니트로기-1,2,4-트리아졸、3-아민기-1H-1,2,4-트리아졸-5-카르복실기、1-H-벤조트리아졸、및 5-메틸기-1,2,3-벤조트리아졸로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 1에 있어서,상기 트리아졸류 화합물은 1-H-벤조트리아졸인 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 1에 있어서,상기 화학기계 연마 조성물은 연마 입자、산화제、가속제 및 용제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 연마 입자는 다만 단조 가열된 이산화규소 ; 규산나트륨 또는 규산칼륨 가수분해、또는 규소알킬 가수분해 및 축합되어 이루어진 이산화규소 용해 콜로이드 ; 침전 또는 단조 가열된 이산화알루미늄 ; 침전 또는 단조 가열된 이산화티타늄 ; 고분자재료 ; 금속 산화물 및 고분자재료 혼합체(hybrid)로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 연마 입자는 이산화규소 용해 콜로이드인 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 연마 입자는 조성물 총중량의 0.01 내지 30%인 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 산화제는 과산화수소인 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 가속제는 구연산、옥살산、주석산、히스타민산、프로필아민산、및 글리코아민산으로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 가속제는 조성물 총중량의 0.01 내지 5%인 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,이미다졸린류 화합물 또는 트리아졸류 화합물 또는 그 조합물은 조성물 중량의 0.001 내지 1%인 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 사르코신 및 그 염류 화합물 또는 그 조합물은 조성물 총중량의 0.001 내지 1%를 차지하는 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
- 청구항 9에 있어서,상기 용제는 물인 것을 특징으로 하는 화학기계 연마에 사용되는 억제제 조성물.
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|---|---|---|---|---|
| KR20170068584A (ko) * | 2014-10-21 | 2017-06-19 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 부식 억제제 및 관련 조성물 및 방법 |
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2008
- 2008-06-27 KR KR1020080061836A patent/KR20100001785A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR20170068584A (ko) * | 2014-10-21 | 2017-06-19 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 부식 억제제 및 관련 조성물 및 방법 |
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