KR20090131903A - Transistor and flexible organic light emitting display therewith - Google Patents
Transistor and flexible organic light emitting display therewith Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090131903A KR20090131903A KR1020080057896A KR20080057896A KR20090131903A KR 20090131903 A KR20090131903 A KR 20090131903A KR 1020080057896 A KR1020080057896 A KR 1020080057896A KR 20080057896 A KR20080057896 A KR 20080057896A KR 20090131903 A KR20090131903 A KR 20090131903A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- data
- holes
- line
- electrically connected
- Prior art date
Links
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/413—Nanosized electrodes, e.g. nanowire electrodes comprising one or a plurality of nanowires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/481—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
- H10K10/482—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors the IGFET comprising multiple separately-addressable gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
- H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
- H01L27/11807—CMOS gate arrays
- H01L2027/11809—Microarchitecture
- H01L2027/11822—Microarchitecture relative P to N transistor sizes
- H01L2027/11827—Microarchitecture relative P to N transistor sizes for capacitive loading
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
- H01L27/11803—Masterslice integrated circuits using field effect technology
- H01L27/11807—CMOS gate arrays
- H01L2027/11868—Macro-architecture
- H01L2027/11874—Layout specification, i.e. inner core region
- H01L2027/11879—Data lines (buses)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
- H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
- H01L2221/1094—Conducting structures comprising nanotubes or nanowires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
Description
본 발명은 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 금속 배선과 절연막에 홀을 형성하여 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 휨이 용이 하고, 휘어지거나 접을 때 절연막이나 배선패턴이 깨지거나 끊어지는 것을 방지할 수 있는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible organic light emitting display device, and more particularly, to form a hole in a metal wiring and an insulating film to facilitate bending of the flexible organic light emitting display device, and to break or break an insulating film or a wiring pattern when it is bent or folded. The present invention relates to a flexible organic light emitting display device which can prevent breakage.
일반적으로 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)는 소스 영역 및 드레인영역에 p형 또는 n형 불순물을 도핑하고, 게이트 전극에 소정 전압을 인가함으로써, 정공 또는 전자가 흐를 수 있는 채널 영역이 형성되도록 한 반도체 소자이다.In general, a thin film transistor is a semiconductor device which forms a channel region through which holes or electrons can flow by doping p-type or n-type impurities in a source region and a drain region and applying a predetermined voltage to a gate electrode. to be.
이러한 박막 트랜지스터는 능동 매트릭스 방식의 액정표시장치 및 유기전계 발광 표시 장치 등과 같은 각종 평판 표시 장치의 스위칭 소자 또는 구동 소자로서 널리 이용되고 있다. Such thin film transistors are widely used as switching elements or driving elements of various flat panel display devices such as an active matrix liquid crystal display device and an organic light emitting display device.
최근 들어 이러한 각종 평판 표시 장치는 휴대 가능한 유연한 표시장치에 대한 요구가 증가함에 따라 표시 장치를 접거나 말아서 넣더라도 손상되지 않는 플랙서블 표시 장치(flexible diplay)에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다. Recently, as various types of flat panel display devices have increased in demand, flexible diplays that are not damaged even when the display device is folded or rolled up have been actively developed.
이러한 플랙서블 표시 장치를 구현하기 위해서는 기판은 물론이고 기판에 형성되는 배선 패턴 그리고 박막트랜지스터 또한 유연한 성질을 가지고 있어야 하며, 표시 장치를 휘거나 접었을 때에도 기계적으로 안정될 수 있도록 높은 기계적 강도를 갖고 있어야 한다. In order to implement such a flexible display device, not only a substrate but also a wiring pattern and a thin film transistor formed on the substrate must have a flexible property, and have a high mechanical strength to be mechanically stable even when the display device is bent or folded. .
그러나 현재 사용되는 플랙서블 표시 장치의 경우에는 배선 패턴 및 박막트랜지스터가 금속 배선이나 절연막 성분으로 이루어지는데 이러한 금속 배선이나 절연막은 유연성이 떨어지기 때문에 초박형으로 제작한다 하더라도 플랙서블 표시 장치에서 필요로 하는 유연성에는 한계가 있다. However, in the present flexible display device, the wiring pattern and the thin film transistor are composed of a metal wiring or an insulating film component. Since the metal wiring or insulating film is inferior in flexibility, the flexibility required for the flexible display device even though it is manufactured to be ultra thin There is a limit.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 금속 배선과 절연막에 홀을 형성하여 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 휨이 용이 하고, 휘어지거나 접을 때 배선패턴이 끊어지거나 절연막이 깨지는 것을 방지할 수 있는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to overcome the above-described problems, and an object of the present invention is to form a hole in a metal wiring and an insulating layer so that the flexible organic electroluminescent display can be easily bent, and the wiring pattern is broken when bent or folded. It is an object of the present invention to provide a flexible organic light emitting display that can prevent an insulating film from being broken.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치는 다수의 홀이 형성된 데이터선과, 다수의 홀이 형성된 주사선 및, 상기 데이터선과 상기 주사선에 전기적으로 연결되어 상기 주사선에서 인가되는 주사신호에 의해 선택되며, 상기 데이터선에서 인가되는 데이터 신호에 따른 밝기로 발광하는 화소를 포함할 수 있다. In order to achieve the above object, the flexible organic light emitting display device according to the present invention includes a data line having a plurality of holes, a scanning line having a plurality of holes, and an electrical connection between the data line and the scanning line and applied from the scanning line. The display device may include a pixel selected by a scan signal and emitting light at a brightness according to a data signal applied from the data line.
상기 화소에 제1전원전압을 공급하며, 다수의 홀이 형성된 제1전원전압선을 더 포함할 수 있다. The display device may further include a first power supply voltage line supplying a first power supply voltage to the pixel and having a plurality of holes.
상기 화소에 제2전원전압을 공급하며, 다수의 홀이 형성된 제2전원전압선을 더 포함할 수 있다. The second power supply voltage may be supplied to the pixel, and the second power supply voltage line may further include a plurality of holes.
상기 화소는 제1전극이 상기 데이터선에 전기적으로 연결되고, 제어전극이 상기 주사선에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 제1전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 용량성 소자와, 상기 용량성소자와 상기 스위칭 트랜지스터의 제2전극 사이에 제어전극이 전기적으로 연결되고, 상기 제1전원전압선에 제1전극이 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제2전극과 상기 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 유기 전계 발광 소자를 포함할 수 있다. The pixel includes a switching transistor having a first electrode electrically connected to the data line, a control electrode electrically connected to the scan line, a capacitive element electrically connected between the switching transistor and the first power supply voltage line, and the capacitance. A control electrode is electrically connected between the element and the second electrode of the switching transistor, and the driving transistor is electrically connected to the first power voltage line and between the second electrode of the driving transistor and the second power voltage line. It may include an electrically connected organic electroluminescent device.
상기 구동 트랜지스터는 상기 제어전극과 대응되며, 기판위에 형성되어 인가되는 신호에 따라 트랜지스터를 동작 여부를 결정하는 게이트전극과, 상기 게이트 전극의 상부를 모두 덮도록 형성된 게이트 절연막과, 상기 제1전극과 대응되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되고 상기 제1전원전압선에 전기적으로 연결된 데이터전극 및, 상기 제2전극과 대응되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되고 상기 유기 전계 발광 소자에 전기적으로 연결된 소스 전극을 포함할 수 있다. The driving transistor corresponds to the control electrode, and includes a gate electrode for determining whether to operate the transistor according to a signal formed on a substrate, a gate insulating film covering the upper portion of the gate electrode, and the first electrode; A corresponding data electrode formed on the gate insulating film and electrically connected to the first power supply voltage line, and a source electrode corresponding to the second electrode and formed on the gate insulating film and electrically connected to the organic electroluminescent device. It may include an electrode.
상기 데이터 전극과 상기 소스 전극 사이는 나노 와이어로 연결될 수 있다.Nano data may be connected between the data electrode and the source electrode.
상기 데이터 전극과 상기 소스전극 및 상기 게이트 전극에서 다수의 홀이 형성될 수 있다.A plurality of holes may be formed in the data electrode, the source electrode, and the gate electrode.
상기 게이트 절연막에는 다수의 홀이 형성될 수 있다.A plurality of holes may be formed in the gate insulating layer.
기판의 상부에 형성되며, 다수의 홀이 형성된 게이트전극과, 상기 게이트 전극의 상부와 상기 게이트 전극이 형성된 외주연의 기판을 덮도록 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막에서 상부의 일측을 덮도록 형성되며 다수의 홀이 형성된 데이터전극 및, 상기 게이트 절연막에서 상부의 타측을 덮도록 형성되며, 상기 데이터 전극과 나노 와이어로 연결되고 다수의 홀이 형성된 소스 전극을 포함할 수 있다. A gate electrode formed on the substrate, the gate electrode having a plurality of holes formed thereon, a gate insulating film formed to cover the substrate having an outer circumference formed thereon, and the gate electrode formed on the substrate; And a data electrode having a plurality of holes formed therein, and a source electrode formed to cover the other side of the upper portion of the gate insulating layer and connected to the data electrode with nanowires and having a plurality of holes formed therein.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치는 금속 배선과 절연막에 홀을 형성하여 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 휨이 용이 하고, 휘어지거나 접을 때 배선패턴이 끊어지거나 절연막이 깨지는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, the flexible organic light emitting display device according to the present invention forms holes in the metal wiring and the insulating film to facilitate the bending of the flexible organic light emitting display device, and when the bending or folding occurs, the wiring pattern is broken or the insulating film is It can be prevented from breaking.
본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art may easily implement the present invention.
여기서, 명세서 전체를 통하여 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분과 전기적으로 연결(electrically coupled)되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.Here, the same reference numerals are attached to parts having similar configurations and operations throughout the specification. In addition, when a part is electrically coupled to another part, this includes not only a case in which the part is directly connected, but also a case in which another part is connected in between.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 구성이 블록도로서 도시되어 있다.Referring to FIG. 1, a configuration of a flexible organic light emitting display device according to the present invention is shown as a block diagram.
도 1에서 도시된 바와 같이 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)는 주사 구동부(100), 데이터 구동부(200) 및 유기 전계 발광 표시 패널(이하, 패널 (300))을 포함 할 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the flexible organic
상기 주사 구동부(100)는 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])을 통하여 상기 패널(300)에 주사신호를 순차적으로 공급할 수 있다. The
상기 데이터 구동부(200)는 다수의 데이터선 (Data[1],Data[2],…,Data[m])을 통하여 상기 패널(300)에 데이터 신호를 공급할 수 있다. The
또한 상기 패널(300)은 행방향으로 배열되어 있는 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])과, 열방향으로 배열되는 다수의 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m]) 및 상기 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])과 상기 다수의 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m])에 의해 정의되는 화소 회로(310, Pixel)를 포함 할 수 있다.In addition, the
상기 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])은 행방향으로 일정거리 이격되어 배열되며, 행방향으로 배열된 화소 회로(310)는 동일한 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])에 연결된다. 그리고, 상기 다수의 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m])은 열방향으로 일정거리 이격되어 배열되며, 열방향으로 배열된 화소 회로(310)는 동일한 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m])에 연결된다. The plurality of scan lines Scan [1], Scan [2],..., Scan [n] are arranged at a predetermined distance apart in the row direction, and the
여기서 상기 화소 회로(310)는 이웃하는 두 주사선과 이웃하는 두 데이터선에 의해 정의 되는 화소 영역에 형성 될 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이 상기 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])에는 상기 주사 구동부(100)로 부터 주사신호가 공급될 수 있고, 상기 데이터선 (Data[1],Data[2],…,Data[m])에는 상기의 데이터 구동부(200)로 부터 데이터 신호가 공급될 수 있다.The
도 2를 참조하여 보면, 도 1의 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로의 회로도가 도시되어 있다. Referring to FIG. 2, a circuit diagram of a pixel circuit of the flexible organic light emitting display device of FIG. 1 is illustrated.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)의 화소 회로(310)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS), 스위칭 트랜지스터(T1), 용량성 소자(Cst), 구동 트랜지스터(T2) 및 유기 전계 발광 소자(OLED)를 포함한다. As illustrated in FIG. 2, the
상기 주사선(Scan)은 발광 시키고자 하는 유기 전계 발광 소자(OLED)를 선택하는 주사신호를 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제어 전극에 공급하는 역할을 한다. 물론, 이러한 주사선(Scan)은 주사신호를 생성하는 주사 구동부(100, 도 1 참조)에 전기적으로 연결될 수 있다.The scan line Scan serves to supply a scan signal for selecting the organic light emitting diode OLED to emit light to the control electrode of the switching transistor T1. Of course, the scan line Scan may be electrically connected to the scan driver 100 (see FIG. 1) that generates the scan signal.
상기 데이터선(Data)은 발광 휘도에 비례하는 데이터 신호를 상기 용량성소자(Cst)의 제1전극 및 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극에 공급하는 역할을 한다. 물론, 이러한 데이터선(Data)은 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동부(200, 도 1 참조)에 전기적으로 연결될 수 있다.The data line Data supplies a data signal proportional to light emission luminance to the first electrode of the capacitive element Cst and the control electrode of the driving transistor T2. Of course, the data line Data may be electrically connected to the data driver 200 (see FIG. 1) that generates the data signal.
상기 제1전원전압선(VDD)은 제1전원전압이 상기 구동 트랜지스터(T2)를 통해서 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 공급되도록 한다.The first power voltage line VDD causes a first power voltage to be supplied to the organic light emitting diode OLED through the driving transistor T2.
상기 제2전원전압선(VSS)은 제2전원전압이 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 공급되도록 한다. The second power supply voltage line VSS allows a second power supply voltage to be supplied to the organic light emitting diode OLED.
상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 제1전극(드레인 전극 또는 소스 전극)이 상기 데이터선(Data)에 전기적으로 연결되고, 제2전극(소스 전극 또는 드레인 전극)이 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극(게이트 전극)에 전기적으로 연결되며, 제어 전극이 주사선(Scan)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터(S1)는 턴온되면, 데이터 신호를 용량성 소자(Cst)의 제1전극 및 구동트랜지스터(T2)의 제어 전극에 공급한다.In the switching transistor T1, a first electrode (a drain electrode or a source electrode) is electrically connected to the data line Data, and a second electrode (a source electrode or a drain electrode) is a control electrode of the driving transistor T2 ( Gate electrode), and a control electrode may be electrically connected to the scan line Scan. When the switching transistor S1 is turned on, the switching transistor S1 supplies a data signal to the first electrode of the capacitive element Cst and the control electrode of the driving transistor T2.
상기 용량성 소자(Cst)는 제1전극이 스위칭 트랜지스터(T1)의 제2전극과 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되고, 제2전극이 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제1전극과 제1전원전압선(VDD) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 상기 용량성 소자(Cst)는 제1전극과 제2전극에 인가되는 전압의 차에 해당하는 전압을 저장한다. In the capacitive element Cst, a first electrode is electrically connected between the second electrode of the switching transistor T1 and the control electrode of the driving transistor T2, and the second electrode is formed of the first electrode of the driving transistor T2. The first electrode may be electrically connected between the first power voltage line VDD. The capacitive element Cst stores a voltage corresponding to a difference between voltages applied to the first electrode and the second electrode.
상기 구동 트랜지스터(T2)는 제1전극이 상기 제1전원전압선(VDD)과 상기 용량성 소자(Cst)의 제2전극 사이에 전기적으로 연결되고, 제2전극이 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드에 전기적으로 연결되며, 제어 전극이 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제2전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴온되었을때, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)를 통해서 제어 전극에 데이터 신호가 인가되면, 제1전원전압선(VDD)으로부터 일정량의 전류를 유기 전계 발광 소자(OLED) 쪽으로 공급하는 역할을 한다. 물론, 상기 데이터 신호는 상기 용량성 소자(Cst)의 제1전극에 공급되어, 상기 용량성 소자(Cst)는 상기 데이터 신호와 상기 제1전원전압의 차이값에 충전한다. 상기 용량성 소자(Cst)는 상기 제1스위칭소자(S1)가 턴오프된다고 해도 일정 시간동안 상기 용량성소 자(Cst)의 충전 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극에 데이터 신호가 계속 인가될 수 있다. In the driving transistor T2, a first electrode is electrically connected between the first power voltage line VDD and a second electrode of the capacitive element Cst, and the second electrode of the driving transistor T2 is connected to the OLED. It may be electrically connected to the anode, and a control electrode may be electrically connected to the second electrode of the switching transistor T1. When the data transistor is applied to the control electrode through the switching transistor T1 when the switching transistor T1 is turned on, the driving transistor T2 emits a predetermined amount of current from the first power supply voltage line VDD. Supply to the device (OLED) side. Of course, the data signal is supplied to the first electrode of the capacitive element Cst, and the capacitive element Cst is charged at a difference value between the data signal and the first power voltage. Even when the first switching device S1 is turned off, the capacitive element Cst continues to receive a data signal to the control electrode of the driving transistor T2 by the charging voltage of the capacitive element Cst for a predetermined time. Can be applied.
상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 애노드이 구동 트랜지스터(T2)의 제2전극에 전기적으로 연결되고, 캐소드가 제2전원전압선(VSS)에 전기적으로 연결된다. 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 상기 구동 트랜지스터(T2)를 통하여 제어되는 전류에 의해 소정 밝기로 발광하는 역할을 한다. 여기서, 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 발광층(EML)을 구비하고 있으며, 상기 발광층(EML)은 형광 재료, 인광 재료, 그 혼합물 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있다. 그러나, 여기서 상기 발광층(EML)의 재질 또는 종류를 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 발광층(EML)은 적색 발광 재료, 녹색 발광 재료, 청색 발광 재료, 그 혼합물질 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있으나, 여기서 그 재질 또는 종류를 한정하는 것은 아니다.In the organic light emitting diode OLED, an anode is electrically connected to the second electrode of the driving transistor T2, and a cathode is electrically connected to the second power voltage line VSS. The organic light emitting diode OLED emits light with a predetermined brightness by a current controlled through the driving transistor T2. The organic light emitting diode OLED may include an emission layer EML, and the emission layer EML may be any one selected from a fluorescent material, a phosphorescent material, a mixture thereof, and an equivalent thereof. However, the material or type of the emission layer EML is not limited thereto. In addition, the light emitting layer EML may be any one selected from a red light emitting material, a green light emitting material, a blue light emitting material, a mixture thereof, and an equivalent thereof, but is not limited thereto.
도 3a를 참조하면 도 1의 화소 회로의 구성의 일실시예에 따른 평면도가 도시되어 있고, 도 3b를 참조하면 도3a의 3b-3b의 단면도가 도시되어 있으며, 도 3c를 참조하면 도 3a에서 유기 전계 발광 소자의 발광층 및 캐소드가 형성된 이후의 평면도가 도시되어 있다. Referring to FIG. 3A, a plan view according to an exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1 is illustrated. Referring to FIG. 3B, a cross-sectional view of FIGS. 3B and 3B of FIG. 3A is illustrated. The top view after the light emitting layer and the cathode of the organic electroluminescent device is formed is shown.
도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 화소 회로(310)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS), 스위칭 트랜지스터(T1), 용량성 소자(Cst), 구동 트랜지스터(T2) 및 유기 전계 발광 소 자(OLED)를 포함한다. 이러한 상기 화소 회로(310)의 각 구성 요소의 연결관계는 상기 도 2의 화소 회로(310)의 회로도와 동일하다. 본 발명에서 상기 화소 회로(310)는 화소 회로(310)의 특성을 향상시키기 위한 스위칭 트랜지스터, 용량성 소자 및 구동 트랜지스터 등이 더 형성될 수 있다. As shown in FIGS. 3A to 3C, the
상기 주사선(Scan)은 다수의 행으로 배열되는 화소 회로(310)에 주사신호를 순차적으로 인가한다. 상기 주사선(Scan)은 상기 화소 회로(310)의 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제어전극에 전기적으로 연결되어 상기 스위칭 트랜지스터(T1)에 주사신호를 인가한다. 이러한 상기 주사선(Scan)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개가 배열되도록 형성된다. 상기 주사선(Scan)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 주사선(Scan)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 이러한 다수의 홀의 지름은 주사선(Scan)의 배선 폭 보다 작아야 한다. 상기 홀의 지름이 주사선(Scan) 보다 더 클경우에는 상기 주사선(Scan)이 연결이 끊어지게 되는 문제점이 발생될 수 있다. 상기 주사선(Scan)에 형성된 다수의 홀은 도 3a과 도 3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The scan line Scan sequentially applies a scan signal to the
상기 데이터선(Data)은 다수의 열로 배열되는 화소 회로(310)에 데이터신호를 순차적으로 인하한다 상기 데이터선(Data)은 상기 화소 회로(310)의 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제1전극에 전기적으로 연결되어 상기 스위칭 트랜지스터(T1) 를 통해서 구동 트랜지스터(T2)와 용량성 소자(Cst)에 데이터 신호를 인가한다. 이러한 상기 데이터선(Data)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개 배열되도록 형성된다. 상기 데이터선(Data)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 데이터선(Data)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 이러한 다수의 홀의 지름은 데이터선(Data)의 배선 폭 보다 작아야 한다. 상기 홀의 지름이 데이터선(Data) 보다 더 클경우에는 상기 데이터선(Data)이 연결이 끊어지게 되는 문제점이 발생될 수 있다. 그리고 열방향으로 배열되는 상기 데이터선(Data)과 행방향으로 배열되는 상기 주사선(Scan)이 교차되는 영역에는 홀이 형성하지 않는다. 상기 주사선(Scan)과 데이터선(Data)의 교차 영역에 홀이 형성될 경우에는 각 배선이 단락될 수 있기 때문에 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 데이터선(Data)에 형성된 다수의 홀은 도 3a와 도 3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The data line Data is sequentially lowered to the
상기 제1전원전압선(VDD)은 상기 화소 회로(310)의 구동 트랜지스터(T2)의 제1전극에 제1전원을 인가한다. 상기 제1전원전압선(VDD)은 유기 전계 발광 표시 패널(300, 도 1참조)에 배열된 n×m개의 화소 회로와 연결되도록 행방향 열방향으로 배열될 수 있다. 이러한 제1전원전압선(VDD)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개 형성된다. 상기 제1전원전압선(VDD)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되 어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 제1전원전압선(VDD)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 상기 제1전원전압선(VDD)은 주사선(Scan) 및 데이터선(Data)과의 교차 영역에 홀을 형성하지 않는데, 홀이 형성될 경우에는 각 배선이 단락될 수 있기 때문에 홀을 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 제1전원전압선(VDD)에 형성된 다수의 홀은 도 3a와 도3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The first power supply voltage line VDD applies a first power source to the first electrode of the driving transistor T2 of the
상기 제2전원전압선(VSS)은 상기 화소 회로(310)의 유기 전계 발광 소자의 캐소드(cathode)에 제2전압을 인가한다. 상기 제2전원전압선(VSS)은 유기 전계 발광 표시 패널(300, 도 1참조)에 배열된 nㅧ m개의 화소 회로와 연결되도록 행방향과 열방향으로 배열될 수 있다. 이러한 제2전원전압선(VSS)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개 형성된다. 상기 제2전원전압선(VSS)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 제2전원전압선(VSS)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 상기 제2전원전압선(VSS)은 주사선(Scan), 데이터선(Data) 및 제1전원전압선(VDD)과의 교차 영역에 홀을 형성하지 않는데, 홀이 형성될 경우에는 각 배선이 단락될 수 있기 때문에 홀을 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 제2전원전압선(VSS)에 형성된 다수의 홀은 도 3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원 등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The second power supply voltage line VSS applies a second voltage to the cathode of the organic light emitting diode of the
상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 기판에 형성된 게이트전극, 게이트절연막, 드레인전극 및 소스전극이 형성될 수 있다. 이러한 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 구성은 구동 트랜지스터(T2)의 구성과 동일하며, 도 3b에 단면도에서 도시한 구동 트랜지스터(T2)의 구성에서 상세히 설명하도록 한다. The switching transistor T1 may include a gate electrode, a gate insulating film, a drain electrode, and a source electrode formed on a substrate. The configuration of the switching transistor T1 is the same as that of the driving transistor T2, and will be described in detail in the configuration of the driving transistor T2 shown in the sectional view in FIG. 3B.
상기 용량성 소자(Cst)는 기판(311)위에 제1전극과 제2전극이 순차적으로 형성될 수 있으며, 상기 제1전극과 제2전극 사이에는 절연막이 형성될 수 있다. In the capacitive element Cst, a first electrode and a second electrode may be sequentially formed on a
상기 구동 트랜지스터(T2)는 기판(311), 제어전극인 게이트 전극(312), 게이트 절연막(313), 제1전극인 소스 전극(314) 및 제2전극인 드레인 전극(315)를 포함한다. 상기 구동 트랜지스터(T2)의 구성은 일례로 게이트가 상부에 위치하는 트랜지스터 형상으로 형성될 수 도 있다. The driving transistor T2 includes a
상기 게이트 전극(312)은 게이트 전극 형성 물질을 상기 기판(311)의 상부에 증착한 후에 패터닝하여 형성 할 수 있다. The
상기 게이트 절연막(313)은 상기 게이트 전극(312)를 모두 덮도록 형성된다. 상기 게이트 절연막(313)은 상기 게이트 전극(312)와 상기 게이트 전극(312)의 외주연의 상기 기판(311)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 상기 게이트 절연막(313)은 산화막 또는 질화막과 같은 절연막을 단층 또는 복층으로 형성할 수 있다. The
상기 소스 전극(314)은 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 일측을 덮도록 형 성된다. 그리고 상기 소스 전극(314)은 상기 제1전원전압선(VDD)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. The
상기 드레인 전극(315)은 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 일측에 형성된 상기 소스 전극(314)와 대응되도록 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 타측에 형성된다. 이러한 상기 드레인 전극(315)은 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되도록 형성된다. 상기 드레인 전극(315)은 상기 소스 전극(314)과 나노 와이어(316)로 전기적으로 연결된다. 이러한 상기 나노 와이어(316)는 상기 드레인 전극(315)와 상기 소스 전극(314) 사이에 채널영역으로 동작하게 된다. The
상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 투명전극인 애노드(anode), 유기박막, 캐소드(cathode)의 구조로 이루어진다. 상기 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송 층(electron transport layer, ETL) 및 정공수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)층을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode OLED has a structure of an anode, an organic thin film, and a cathode, which are transparent electrodes. The organic thin film has a multilayer structure including an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) to improve the light emission efficiency by improving the balance between electrons and holes. It may also comprise a separate electron injecting layer (EIL) and a hole injecting layer (HIL) layer.
상기 화소 회로(310)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD) 및 제2전원전압선(VSS)의 길이방향으로 일정간격 이격되어 다수의 홀이 배열되므로 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 화소 회로(310)는 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질에 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. The
도 4a를 참조하면 도 1의 화소 회로의 구성의 다른 실시예에 따른 평면도가 도시되어 있고, 도 4b를 참조하면 도4a의 4b-4b의 단면도가 도시되어 있다. Referring to FIG. 4A, a plan view according to another exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1 is illustrated, and referring to FIG. 4B, a cross-sectional view of 4b-4b of FIG. 4A is illustrated.
도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 화소 회로(410)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS), 스위칭 트랜지스터(T1), 용량성 소자(Cst), 구동 트랜지스터(T2) 및 유기 전계 발광 소자(OLED)를 포함한다. 이러한 상기 화소 회로(410)의 각 구성 요소의 연결관계는 상기 도 2와 동일하다. 상기 화소 회로(410)는 스위칭 트랜지스터(T1)와 구동 트랜지스터(T2)를 제외하고는 도 3a 내지 도 3c에 도시된 화소 회로(310)와 동일하다. 이하에서는 도 3a 내지 도 3c에 도시된 화소 회로(310)와 다른 부분을 위주로 설명하고자 한다. As shown in FIGS. 4A to 4B, the
상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 기판(311), 게이트전극(412), 게이트 절연막(413), 소스 전극(414) 및 드레인 전극(415)을 포함한다. 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 구성은 일례로 게이트가 상부에 위치하는 트랜지스터 형상으로 형성될 수 도 있으며, 본 발명에서 상기 스위칭 트랜지스터의 형상을 한정하는 것은 아니다. The switching transistor T1 includes a
상기 게이트 전극(412)은 상기 기판(311)의 상부에 게이트 전극 형성 물질을 증착한 후에 패터닝하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 게이트 전극(312)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 게이트 전극(412)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨을 더 용이할 수 있다. 상기 게이트 전극(412)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The
상기 게이트 절연막(413)은 상기 게이트 전극(412)을 모두 덮도록 형성된다. 상기 게이트 절연막(413)은 상기 게이트 전극(412)와 상기 게이트 전극(412)의 외주연의 상기 기판(411)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 상기 게이트 절연막(413)은 산화막 또는 질화막과 같은 절연막을 단층 또는 복층으로 형성할 수 있다. 그리고 게이트 절연막(413)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 게이트 절연막(413)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨이 더 용이할 수 있다. 이때, 상기 게이트 전극(412)의 상부에 형성된 게이트 절연막(413)에는 홀을 형성하지 않는데, 홀이 형성될 경우에는 게이트 절연막(412) 상부에 형성되는 소스 전극(414) 및 드레인 전극(415)과 단락되는 것을 방지하기 위해서 홀을 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 게이트 절연막(413)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The
상기 소스 전극(414)은 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 일측을 덮도록 형성된다. 그리고 소스 전극(414)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 소스 전극(44)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨을 더 용이할 수 있다. 상기 소스 전극(414)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The
상기 드레인 전극(415)은 상기 게이트 절연막(413)의 상부의 일측에 형성된 상기 소스 전극(414)과 대응되도록 상기 게이트 절연막(413)의 상부의 타측에 형성된다. 상기 드레인 전극(415)은 상기 소스 전극(414)과 나노 와이어(416)로 전기적으로 연결된다. 이러한 상기 나노 와이어(416)는 상기 드레인 전극(415)과 상기 소스 전극(314) 사이에 채널영역으로 동작하게 된다. 그리고 상기 드레인 전극(415)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 드레인 전극(415)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨이 더 용이할 수 있다. 상기 드레인 전극(415)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The
그리고 상기 스위칭 트랜지스터(T1)에는 버퍼층(미도시), 층간절연막(미도시) 및 패시베이션층(미도시)등 더 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(미도시), 층간절연막(미도시) 및 패시베이션층(미도시)에도 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨이 용이하도록 다수의 홀이 형성될 수 있다. The switching transistor T1 may further include a buffer layer (not shown), an interlayer insulating film (not shown), and a passivation layer (not shown), and the buffer layer (not shown), an interlayer insulating film (not shown), and a passivation layer. A plurality of holes may be formed in the switching transistor T1 to facilitate bending of the switching transistor T1.
상기 구동 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 트랜지스터(T1)와 동일한 구성요소를 포함하여 이루어질 수 있으므로 상기 구동 트랜지스터(T2)의 구성의 설명은 생략하도록 한다. Since the driving transistor T2 may include the same components as the switching transistor T1, the description of the configuration of the driving transistor T2 will be omitted.
상기 화소 회로(410)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS) 및 스위칭 트랜지스터(T1)과 구동 트랜지스터(T2)의 구성요소인 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스전극, 드레인 전극에 길이방향으로 일정간격 이격되어 다수의 홀이 배열되므로 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 화소 회로(310)는 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질과 무기물질인 절연막 또는 보호막에 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 보다 용이하게 방지할 수 있다. The
이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for implementing the flexible organic electroluminescent display device according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the invention, anyone of ordinary skill in the art to which the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로의 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram of a pixel circuit of the organic light emitting display device of FIG. 1.
도 3a 내지 도 3c는 도 1의 화소 회로의 구성의 일실시예에 따른 평면도와 단면도이다. 3A to 3C are plan views and cross-sectional views according to an exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1.
도 4a 내지 도 4b는 도 1의 화소 회로의 구성의 다른 실시예에 따른 평면도와 단면도이다. 4A to 4B are plan views and cross-sectional views according to another exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
10; 유기 전계 발광 표시 장치10; Organic electroluminescent display
100; 주사 구동부 200; 데이터 구동부100;
300; 유기 전계 발광 표시 패널 310; 화소 회로300; An organic
Data; 데이터선 Scan; 주사선Data; Data line Scan; scanning line
VDD; 제1전원전압선 VSS; 제2전원전압선VDD; A first power supply voltage line VSS; Second power supply voltage line
T1; 스위칭 트랜지스터 T2; 구동 트랜지스터T1; Switching transistor T2; Driving transistor
Claims (11)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080057896A KR20090131903A (en) | 2008-06-19 | 2008-06-19 | Transistor and flexible organic light emitting display therewith |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080057896A KR20090131903A (en) | 2008-06-19 | 2008-06-19 | Transistor and flexible organic light emitting display therewith |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090131903A true KR20090131903A (en) | 2009-12-30 |
Family
ID=41691022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080057896A KR20090131903A (en) | 2008-06-19 | 2008-06-19 | Transistor and flexible organic light emitting display therewith |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20090131903A (en) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011111943A2 (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | 경기대학교 산학협력단 | Light emitting display device having nanowire |
US9029857B2 (en) | 2010-10-26 | 2015-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
KR20160095307A (en) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Foldable display |
CN106920820A (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-04 | 三星显示有限公司 | Flexible substrates and the flexible display apparatus including the flexible substrates |
US20170207289A1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing the same |
KR20170139152A (en) * | 2015-04-24 | 2017-12-18 | 그라호프 뉴 매터리얼즈 테크놀러지스 인크. | HEATING FILM DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING HEATING FILM DEVICE |
CN108346682A (en) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 群创光电股份有限公司 | Show equipment |
JP2019533832A (en) * | 2016-12-27 | 2019-11-21 | 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
WO2019237551A1 (en) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel |
CN112909023A (en) * | 2021-01-29 | 2021-06-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | Display panel, preparation method thereof and display device |
-
2008
- 2008-06-19 KR KR1020080057896A patent/KR20090131903A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011111943A2 (en) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | 경기대학교 산학협력단 | Light emitting display device having nanowire |
WO2011111943A3 (en) * | 2010-03-08 | 2012-01-05 | 경기대학교 산학협력단 | Light emitting display device having nanowire |
CN102884651A (en) * | 2010-03-08 | 2013-01-16 | 京畿大学校产学协力团 | Light emitting display device having nanowire |
US9029857B2 (en) | 2010-10-26 | 2015-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and manufacturing method thereof |
KR20160095307A (en) * | 2015-02-02 | 2016-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Foldable display |
US9634272B2 (en) | 2015-02-02 | 2017-04-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Foldable display |
KR20170139152A (en) * | 2015-04-24 | 2017-12-18 | 그라호프 뉴 매터리얼즈 테크놀러지스 인크. | HEATING FILM DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING HEATING FILM DEVICE |
CN106920820A (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-04 | 三星显示有限公司 | Flexible substrates and the flexible display apparatus including the flexible substrates |
CN106920820B (en) * | 2015-12-28 | 2022-03-01 | 三星显示有限公司 | Flexible substrate and flexible display device including the same |
US20170207289A1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing the same |
US10431643B2 (en) * | 2016-01-14 | 2019-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel |
JP2019533832A (en) * | 2016-12-27 | 2019-11-21 | 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
CN108346682A (en) * | 2017-01-25 | 2018-07-31 | 群创光电股份有限公司 | Show equipment |
WO2019237551A1 (en) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel |
US10964768B1 (en) | 2018-06-11 | 2021-03-30 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel |
CN112909023A (en) * | 2021-01-29 | 2021-06-04 | Tcl华星光电技术有限公司 | Display panel, preparation method thereof and display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11776973B2 (en) | Method of manufacturing display device | |
JP7413469B2 (en) | Thin film transistor array substrate and display device | |
KR20090131903A (en) | Transistor and flexible organic light emitting display therewith | |
KR101258259B1 (en) | Organic Light Emitting Display Device | |
KR102242214B1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
KR101320655B1 (en) | Organic Light Emitting Display Device | |
KR102362092B1 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP4747185B2 (en) | Electronic device, thin film transistor structure, and flat panel display device including the same | |
CN108154842B (en) | Organic light-emitting display panel and electronic equipment | |
US11355568B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
US11923400B2 (en) | Display apparatus | |
KR102476562B1 (en) | Electroluminescent Display Device | |
JP2019113728A (en) | Display | |
CN109216420B (en) | Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same | |
KR100805599B1 (en) | Organic elcetroluminescence display and making method teherof | |
JP6433234B2 (en) | Display device | |
US8242492B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
KR102191823B1 (en) | Organic light emitting diode device and method of fabricating the same | |
CN101414620B (en) | Electronic device, thin-film transistor structure, and flat panel display having the same | |
US7193858B2 (en) | Organic electroluminescent display device in which an electromagnetic field preventing and protecting circuit is easily arranged | |
KR100589551B1 (en) | Display device | |
KR100685399B1 (en) | Flat Panel Display | |
KR100666645B1 (en) | Organic electro luminescence display device | |
KR100578794B1 (en) | Organic electro luminescence display device | |
KR100645535B1 (en) | Organic electro luminescence display device and fabrication method of the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |