KR20090131903A - Transistor and flexible organic light emitting display therewith - Google Patents

Transistor and flexible organic light emitting display therewith Download PDF

Info

Publication number
KR20090131903A
KR20090131903A KR1020080057896A KR20080057896A KR20090131903A KR 20090131903 A KR20090131903 A KR 20090131903A KR 1020080057896 A KR1020080057896 A KR 1020080057896A KR 20080057896 A KR20080057896 A KR 20080057896A KR 20090131903 A KR20090131903 A KR 20090131903A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
data
holes
line
electrically connected
Prior art date
Application number
KR1020080057896A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
주상현
Original Assignee
경기대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 경기대학교 산학협력단 filed Critical 경기대학교 산학협력단
Priority to KR1020080057896A priority Critical patent/KR20090131903A/en
Publication of KR20090131903A publication Critical patent/KR20090131903A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/413Nanosized electrodes, e.g. nanowire electrodes comprising one or a plurality of nanowires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/481Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors
    • H10K10/482Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate conductors the IGFET comprising multiple separately-addressable gate electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803Masterslice integrated circuits using field effect technology
    • H01L27/11807CMOS gate arrays
    • H01L2027/11809Microarchitecture
    • H01L2027/11822Microarchitecture relative P to N transistor sizes
    • H01L2027/11827Microarchitecture relative P to N transistor sizes for capacitive loading
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • H01L27/11803Masterslice integrated circuits using field effect technology
    • H01L27/11807CMOS gate arrays
    • H01L2027/11868Macro-architecture
    • H01L2027/11874Layout specification, i.e. inner core region
    • H01L2027/11879Data lines (buses)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1068Formation and after-treatment of conductors
    • H01L2221/1094Conducting structures comprising nanotubes or nanowires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Abstract

PURPOSE: A transistor and a flexible organic light emitting display with the same are provided to form a hole on a metal line and an insulating film, thereby facilitating bending of the flexible organic light emitting display. CONSTITUTION: A plurality of holes are formed in a data line. A plurality of holes are formed in a scanning line. A pixel is electrically connected to the data line and scanning line. A scanning signal is applied in the scanning line. The pixel is selected by the scanning signal. A data signal is applied in the data line. The pixel emits light according to brightness according to the data signal.

Description

트랜지스터 및 그를 포함하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치{TRANSISTOR AND FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY THEREWITH}A transistor and a flexible organic electroluminescent display including the same {TRANSISTOR AND FLEXIBLE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY THEREWITH}

본 발명은 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 금속 배선과 절연막에 홀을 형성하여 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 휨이 용이 하고, 휘어지거나 접을 때 절연막이나 배선패턴이 깨지거나 끊어지는 것을 방지할 수 있는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible organic light emitting display device, and more particularly, to form a hole in a metal wiring and an insulating film to facilitate bending of the flexible organic light emitting display device, and to break or break an insulating film or a wiring pattern when it is bent or folded. The present invention relates to a flexible organic light emitting display device which can prevent breakage.

일반적으로 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)는 소스 영역 및 드레인영역에 p형 또는 n형 불순물을 도핑하고, 게이트 전극에 소정 전압을 인가함으로써, 정공 또는 전자가 흐를 수 있는 채널 영역이 형성되도록 한 반도체 소자이다.In general, a thin film transistor is a semiconductor device which forms a channel region through which holes or electrons can flow by doping p-type or n-type impurities in a source region and a drain region and applying a predetermined voltage to a gate electrode. to be.

이러한 박막 트랜지스터는 능동 매트릭스 방식의 액정표시장치 및 유기전계 발광 표시 장치 등과 같은 각종 평판 표시 장치의 스위칭 소자 또는 구동 소자로서 널리 이용되고 있다. Such thin film transistors are widely used as switching elements or driving elements of various flat panel display devices such as an active matrix liquid crystal display device and an organic light emitting display device.

최근 들어 이러한 각종 평판 표시 장치는 휴대 가능한 유연한 표시장치에 대한 요구가 증가함에 따라 표시 장치를 접거나 말아서 넣더라도 손상되지 않는 플랙서블 표시 장치(flexible diplay)에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있다. Recently, as various types of flat panel display devices have increased in demand, flexible diplays that are not damaged even when the display device is folded or rolled up have been actively developed.

이러한 플랙서블 표시 장치를 구현하기 위해서는 기판은 물론이고 기판에 형성되는 배선 패턴 그리고 박막트랜지스터 또한 유연한 성질을 가지고 있어야 하며, 표시 장치를 휘거나 접었을 때에도 기계적으로 안정될 수 있도록 높은 기계적 강도를 갖고 있어야 한다. In order to implement such a flexible display device, not only a substrate but also a wiring pattern and a thin film transistor formed on the substrate must have a flexible property, and have a high mechanical strength to be mechanically stable even when the display device is bent or folded. .

그러나 현재 사용되는 플랙서블 표시 장치의 경우에는 배선 패턴 및 박막트랜지스터가 금속 배선이나 절연막 성분으로 이루어지는데 이러한 금속 배선이나 절연막은 유연성이 떨어지기 때문에 초박형으로 제작한다 하더라도 플랙서블 표시 장치에서 필요로 하는 유연성에는 한계가 있다. However, in the present flexible display device, the wiring pattern and the thin film transistor are composed of a metal wiring or an insulating film component. Since the metal wiring or insulating film is inferior in flexibility, the flexibility required for the flexible display device even though it is manufactured to be ultra thin There is a limit.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 금속 배선과 절연막에 홀을 형성하여 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 휨이 용이 하고, 휘어지거나 접을 때 배선패턴이 끊어지거나 절연막이 깨지는 것을 방지할 수 있는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is to overcome the above-described problems, and an object of the present invention is to form a hole in a metal wiring and an insulating layer so that the flexible organic electroluminescent display can be easily bent, and the wiring pattern is broken when bent or folded. It is an object of the present invention to provide a flexible organic light emitting display that can prevent an insulating film from being broken.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의한 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치는 다수의 홀이 형성된 데이터선과, 다수의 홀이 형성된 주사선 및, 상기 데이터선과 상기 주사선에 전기적으로 연결되어 상기 주사선에서 인가되는 주사신호에 의해 선택되며, 상기 데이터선에서 인가되는 데이터 신호에 따른 밝기로 발광하는 화소를 포함할 수 있다. In order to achieve the above object, the flexible organic light emitting display device according to the present invention includes a data line having a plurality of holes, a scanning line having a plurality of holes, and an electrical connection between the data line and the scanning line and applied from the scanning line. The display device may include a pixel selected by a scan signal and emitting light at a brightness according to a data signal applied from the data line.

상기 화소에 제1전원전압을 공급하며, 다수의 홀이 형성된 제1전원전압선을 더 포함할 수 있다. The display device may further include a first power supply voltage line supplying a first power supply voltage to the pixel and having a plurality of holes.

상기 화소에 제2전원전압을 공급하며, 다수의 홀이 형성된 제2전원전압선을 더 포함할 수 있다. The second power supply voltage may be supplied to the pixel, and the second power supply voltage line may further include a plurality of holes.

상기 화소는 제1전극이 상기 데이터선에 전기적으로 연결되고, 제어전극이 상기 주사선에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 제1전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 용량성 소자와, 상기 용량성소자와 상기 스위칭 트랜지스터의 제2전극 사이에 제어전극이 전기적으로 연결되고, 상기 제1전원전압선에 제1전극이 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 제2전극과 상기 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 유기 전계 발광 소자를 포함할 수 있다. The pixel includes a switching transistor having a first electrode electrically connected to the data line, a control electrode electrically connected to the scan line, a capacitive element electrically connected between the switching transistor and the first power supply voltage line, and the capacitance. A control electrode is electrically connected between the element and the second electrode of the switching transistor, and the driving transistor is electrically connected to the first power voltage line and between the second electrode of the driving transistor and the second power voltage line. It may include an electrically connected organic electroluminescent device.

상기 구동 트랜지스터는 상기 제어전극과 대응되며, 기판위에 형성되어 인가되는 신호에 따라 트랜지스터를 동작 여부를 결정하는 게이트전극과, 상기 게이트 전극의 상부를 모두 덮도록 형성된 게이트 절연막과, 상기 제1전극과 대응되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되고 상기 제1전원전압선에 전기적으로 연결된 데이터전극 및, 상기 제2전극과 대응되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되고 상기 유기 전계 발광 소자에 전기적으로 연결된 소스 전극을 포함할 수 있다. The driving transistor corresponds to the control electrode, and includes a gate electrode for determining whether to operate the transistor according to a signal formed on a substrate, a gate insulating film covering the upper portion of the gate electrode, and the first electrode; A corresponding data electrode formed on the gate insulating film and electrically connected to the first power supply voltage line, and a source electrode corresponding to the second electrode and formed on the gate insulating film and electrically connected to the organic electroluminescent device. It may include an electrode.

상기 데이터 전극과 상기 소스 전극 사이는 나노 와이어로 연결될 수 있다.Nano data may be connected between the data electrode and the source electrode.

상기 데이터 전극과 상기 소스전극 및 상기 게이트 전극에서 다수의 홀이 형성될 수 있다.A plurality of holes may be formed in the data electrode, the source electrode, and the gate electrode.

상기 게이트 절연막에는 다수의 홀이 형성될 수 있다.A plurality of holes may be formed in the gate insulating layer.

기판의 상부에 형성되며, 다수의 홀이 형성된 게이트전극과, 상기 게이트 전극의 상부와 상기 게이트 전극이 형성된 외주연의 기판을 덮도록 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막에서 상부의 일측을 덮도록 형성되며 다수의 홀이 형성된 데이터전극 및, 상기 게이트 절연막에서 상부의 타측을 덮도록 형성되며, 상기 데이터 전극과 나노 와이어로 연결되고 다수의 홀이 형성된 소스 전극을 포함할 수 있다. A gate electrode formed on the substrate, the gate electrode having a plurality of holes formed thereon, a gate insulating film formed to cover the substrate having an outer circumference formed thereon, and the gate electrode formed on the substrate; And a data electrode having a plurality of holes formed therein, and a source electrode formed to cover the other side of the upper portion of the gate insulating layer and connected to the data electrode with nanowires and having a plurality of holes formed therein.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치는 금속 배선과 절연막에 홀을 형성하여 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 휨이 용이 하고, 휘어지거나 접을 때 배선패턴이 끊어지거나 절연막이 깨지는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, the flexible organic light emitting display device according to the present invention forms holes in the metal wiring and the insulating film to facilitate the bending of the flexible organic light emitting display device, and when the bending or folding occurs, the wiring pattern is broken or the insulating film is It can be prevented from breaking.

본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings such that those skilled in the art may easily implement the present invention.

여기서, 명세서 전체를 통하여 유사한 구성 및 동작을 갖는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 또한, 어떤 부분이 다른 부분과 전기적으로 연결(electrically coupled)되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.Here, the same reference numerals are attached to parts having similar configurations and operations throughout the specification. In addition, when a part is electrically coupled to another part, this includes not only a case in which the part is directly connected, but also a case in which another part is connected in between.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 구성이 블록도로서 도시되어 있다.Referring to FIG. 1, a configuration of a flexible organic light emitting display device according to the present invention is shown as a block diagram.

도 1에서 도시된 바와 같이 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)는 주사 구동부(100), 데이터 구동부(200) 및 유기 전계 발광 표시 패널(이하, 패널 (300))을 포함 할 수 있다.As illustrated in FIG. 1, the flexible organic electroluminescent display 10 may include a scan driver 100, a data driver 200, and an organic electroluminescent display panel (hereinafter, the panel 300).

상기 주사 구동부(100)는 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])을 통하여 상기 패널(300)에 주사신호를 순차적으로 공급할 수 있다. The scan driver 100 may sequentially supply a scan signal to the panel 300 through a plurality of scan lines Scan [1], Scan [2],..., Scan [n].

상기 데이터 구동부(200)는 다수의 데이터선 (Data[1],Data[2],…,Data[m])을 통하여 상기 패널(300)에 데이터 신호를 공급할 수 있다. The data driver 200 may supply a data signal to the panel 300 through a plurality of data lines Data [1], Data [2], ..., Data [m].

또한 상기 패널(300)은 행방향으로 배열되어 있는 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])과, 열방향으로 배열되는 다수의 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m]) 및 상기 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])과 상기 다수의 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m])에 의해 정의되는 화소 회로(310, Pixel)를 포함 할 수 있다.In addition, the panel 300 includes a plurality of scan lines Scan [1], Scan [2],..., Scan [n] arranged in a row direction, and a plurality of data lines Data [1] arranged in a column direction. , Data [2], ..., Data [m] and the plurality of scan lines Scan [1], Scan [2], ..., Scan [n] and the plurality of data lines Data [1], Data [ 2], ..., Data [m]) may include a pixel circuit 310 (Pixel).

상기 다수의 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])은 행방향으로 일정거리 이격되어 배열되며, 행방향으로 배열된 화소 회로(310)는 동일한 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])에 연결된다. 그리고, 상기 다수의 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m])은 열방향으로 일정거리 이격되어 배열되며, 열방향으로 배열된 화소 회로(310)는 동일한 데이터선(Data[1],Data[2],…,Data[m])에 연결된다. The plurality of scan lines Scan [1], Scan [2],..., Scan [n] are arranged at a predetermined distance apart in the row direction, and the pixel circuits 310 arranged in the row direction have the same scan line Scan [1]. ], Scan [2], ..., Scan [n]). The data lines Data [1], Data [2], ..., Data [m] are arranged at a predetermined distance apart in the column direction, and the pixel circuits 310 arranged in the column direction have the same data line. (Data [1], Data [2], ..., Data [m]).

여기서 상기 화소 회로(310)는 이웃하는 두 주사선과 이웃하는 두 데이터선에 의해 정의 되는 화소 영역에 형성 될 수 있다. 물론, 상술한 바와 같이 상기 주사선(Scan[1],Scan[2],…,Scan[n])에는 상기 주사 구동부(100)로 부터 주사신호가 공급될 수 있고, 상기 데이터선 (Data[1],Data[2],…,Data[m])에는 상기의 데이터 구동부(200)로 부터 데이터 신호가 공급될 수 있다.The pixel circuit 310 may be formed in a pixel area defined by two neighboring scan lines and two neighboring data lines. Of course, as described above, a scan signal may be supplied from the scan driver 100 to the scan lines Scan [1], Scan [2], ..., Scan [n], and the data lines Data [1]. ], Data [2], ..., Data [m]) may be supplied with a data signal from the data driver 200.

도 2를 참조하여 보면, 도 1의 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로의 회로도가 도시되어 있다. Referring to FIG. 2, a circuit diagram of a pixel circuit of the flexible organic light emitting display device of FIG. 1 is illustrated.

도 2에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)의 화소 회로(310)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS), 스위칭 트랜지스터(T1), 용량성 소자(Cst), 구동 트랜지스터(T2) 및 유기 전계 발광 소자(OLED)를 포함한다. As illustrated in FIG. 2, the pixel circuit 310 of the flexible organic light emitting display device 10 according to the present invention includes a scan line, a data line, a first power voltage line VDD, and a second power source. The voltage line VSS includes a switching transistor T1, a capacitive element Cst, a driving transistor T2, and an organic light emitting element OLED.

상기 주사선(Scan)은 발광 시키고자 하는 유기 전계 발광 소자(OLED)를 선택하는 주사신호를 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제어 전극에 공급하는 역할을 한다. 물론, 이러한 주사선(Scan)은 주사신호를 생성하는 주사 구동부(100, 도 1 참조)에 전기적으로 연결될 수 있다.The scan line Scan serves to supply a scan signal for selecting the organic light emitting diode OLED to emit light to the control electrode of the switching transistor T1. Of course, the scan line Scan may be electrically connected to the scan driver 100 (see FIG. 1) that generates the scan signal.

상기 데이터선(Data)은 발광 휘도에 비례하는 데이터 신호를 상기 용량성소자(Cst)의 제1전극 및 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극에 공급하는 역할을 한다. 물론, 이러한 데이터선(Data)은 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동부(200, 도 1 참조)에 전기적으로 연결될 수 있다.The data line Data supplies a data signal proportional to light emission luminance to the first electrode of the capacitive element Cst and the control electrode of the driving transistor T2. Of course, the data line Data may be electrically connected to the data driver 200 (see FIG. 1) that generates the data signal.

상기 제1전원전압선(VDD)은 제1전원전압이 상기 구동 트랜지스터(T2)를 통해서 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 공급되도록 한다.The first power voltage line VDD causes a first power voltage to be supplied to the organic light emitting diode OLED through the driving transistor T2.

상기 제2전원전압선(VSS)은 제2전원전압이 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)에 공급되도록 한다. The second power supply voltage line VSS allows a second power supply voltage to be supplied to the organic light emitting diode OLED.

상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 제1전극(드레인 전극 또는 소스 전극)이 상기 데이터선(Data)에 전기적으로 연결되고, 제2전극(소스 전극 또는 드레인 전극)이 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극(게이트 전극)에 전기적으로 연결되며, 제어 전극이 주사선(Scan)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터(S1)는 턴온되면, 데이터 신호를 용량성 소자(Cst)의 제1전극 및 구동트랜지스터(T2)의 제어 전극에 공급한다.In the switching transistor T1, a first electrode (a drain electrode or a source electrode) is electrically connected to the data line Data, and a second electrode (a source electrode or a drain electrode) is a control electrode of the driving transistor T2 ( Gate electrode), and a control electrode may be electrically connected to the scan line Scan. When the switching transistor S1 is turned on, the switching transistor S1 supplies a data signal to the first electrode of the capacitive element Cst and the control electrode of the driving transistor T2.

상기 용량성 소자(Cst)는 제1전극이 스위칭 트랜지스터(T1)의 제2전극과 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극 사이에 전기적으로 연결되고, 제2전극이 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제1전극과 제1전원전압선(VDD) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 상기 용량성 소자(Cst)는 제1전극과 제2전극에 인가되는 전압의 차에 해당하는 전압을 저장한다. In the capacitive element Cst, a first electrode is electrically connected between the second electrode of the switching transistor T1 and the control electrode of the driving transistor T2, and the second electrode is formed of the first electrode of the driving transistor T2. The first electrode may be electrically connected between the first power voltage line VDD. The capacitive element Cst stores a voltage corresponding to a difference between voltages applied to the first electrode and the second electrode.

상기 구동 트랜지스터(T2)는 제1전극이 상기 제1전원전압선(VDD)과 상기 용량성 소자(Cst)의 제2전극 사이에 전기적으로 연결되고, 제2전극이 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드에 전기적으로 연결되며, 제어 전극이 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제2전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 구동 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴온되었을때, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)를 통해서 제어 전극에 데이터 신호가 인가되면, 제1전원전압선(VDD)으로부터 일정량의 전류를 유기 전계 발광 소자(OLED) 쪽으로 공급하는 역할을 한다. 물론, 상기 데이터 신호는 상기 용량성 소자(Cst)의 제1전극에 공급되어, 상기 용량성 소자(Cst)는 상기 데이터 신호와 상기 제1전원전압의 차이값에 충전한다. 상기 용량성 소자(Cst)는 상기 제1스위칭소자(S1)가 턴오프된다고 해도 일정 시간동안 상기 용량성소 자(Cst)의 충전 전압에 의해 상기 구동 트랜지스터(T2)의 제어 전극에 데이터 신호가 계속 인가될 수 있다. In the driving transistor T2, a first electrode is electrically connected between the first power voltage line VDD and a second electrode of the capacitive element Cst, and the second electrode of the driving transistor T2 is connected to the OLED. It may be electrically connected to the anode, and a control electrode may be electrically connected to the second electrode of the switching transistor T1. When the data transistor is applied to the control electrode through the switching transistor T1 when the switching transistor T1 is turned on, the driving transistor T2 emits a predetermined amount of current from the first power supply voltage line VDD. Supply to the device (OLED) side. Of course, the data signal is supplied to the first electrode of the capacitive element Cst, and the capacitive element Cst is charged at a difference value between the data signal and the first power voltage. Even when the first switching device S1 is turned off, the capacitive element Cst continues to receive a data signal to the control electrode of the driving transistor T2 by the charging voltage of the capacitive element Cst for a predetermined time. Can be applied.

상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 애노드이 구동 트랜지스터(T2)의 제2전극에 전기적으로 연결되고, 캐소드가 제2전원전압선(VSS)에 전기적으로 연결된다. 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 상기 구동 트랜지스터(T2)를 통하여 제어되는 전류에 의해 소정 밝기로 발광하는 역할을 한다. 여기서, 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 발광층(EML)을 구비하고 있으며, 상기 발광층(EML)은 형광 재료, 인광 재료, 그 혼합물 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있다. 그러나, 여기서 상기 발광층(EML)의 재질 또는 종류를 한정하는 것은 아니다. 또한, 상기 발광층(EML)은 적색 발광 재료, 녹색 발광 재료, 청색 발광 재료, 그 혼합물질 및 그 등가물중 선택된 어느 하나일 수 있으나, 여기서 그 재질 또는 종류를 한정하는 것은 아니다.In the organic light emitting diode OLED, an anode is electrically connected to the second electrode of the driving transistor T2, and a cathode is electrically connected to the second power voltage line VSS. The organic light emitting diode OLED emits light with a predetermined brightness by a current controlled through the driving transistor T2. The organic light emitting diode OLED may include an emission layer EML, and the emission layer EML may be any one selected from a fluorescent material, a phosphorescent material, a mixture thereof, and an equivalent thereof. However, the material or type of the emission layer EML is not limited thereto. In addition, the light emitting layer EML may be any one selected from a red light emitting material, a green light emitting material, a blue light emitting material, a mixture thereof, and an equivalent thereof, but is not limited thereto.

도 3a를 참조하면 도 1의 화소 회로의 구성의 일실시예에 따른 평면도가 도시되어 있고, 도 3b를 참조하면 도3a의 3b-3b의 단면도가 도시되어 있으며, 도 3c를 참조하면 도 3a에서 유기 전계 발광 소자의 발광층 및 캐소드가 형성된 이후의 평면도가 도시되어 있다. Referring to FIG. 3A, a plan view according to an exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1 is illustrated. Referring to FIG. 3B, a cross-sectional view of FIGS. 3B and 3B of FIG. 3A is illustrated. The top view after the light emitting layer and the cathode of the organic electroluminescent device is formed is shown.

도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 화소 회로(310)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS), 스위칭 트랜지스터(T1), 용량성 소자(Cst), 구동 트랜지스터(T2) 및 유기 전계 발광 소 자(OLED)를 포함한다. 이러한 상기 화소 회로(310)의 각 구성 요소의 연결관계는 상기 도 2의 화소 회로(310)의 회로도와 동일하다. 본 발명에서 상기 화소 회로(310)는 화소 회로(310)의 특성을 향상시키기 위한 스위칭 트랜지스터, 용량성 소자 및 구동 트랜지스터 등이 더 형성될 수 있다. As shown in FIGS. 3A to 3C, the pixel circuit 310 includes a scan line, a data line, a first power voltage line VDD, a second power voltage line VSS, and a switching transistor T1. , A capacitive element Cst, a driving transistor T2, and an organic electroluminescent element OLED. The connection relationship between the components of the pixel circuit 310 is the same as the circuit diagram of the pixel circuit 310 of FIG. 2. In the present invention, the pixel circuit 310 may further include a switching transistor, a capacitive element, a driving transistor, and the like for improving the characteristics of the pixel circuit 310.

상기 주사선(Scan)은 다수의 행으로 배열되는 화소 회로(310)에 주사신호를 순차적으로 인가한다. 상기 주사선(Scan)은 상기 화소 회로(310)의 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제어전극에 전기적으로 연결되어 상기 스위칭 트랜지스터(T1)에 주사신호를 인가한다. 이러한 상기 주사선(Scan)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개가 배열되도록 형성된다. 상기 주사선(Scan)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 주사선(Scan)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 이러한 다수의 홀의 지름은 주사선(Scan)의 배선 폭 보다 작아야 한다. 상기 홀의 지름이 주사선(Scan) 보다 더 클경우에는 상기 주사선(Scan)이 연결이 끊어지게 되는 문제점이 발생될 수 있다. 상기 주사선(Scan)에 형성된 다수의 홀은 도 3a과 도 3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The scan line Scan sequentially applies a scan signal to the pixel circuit 310 arranged in a plurality of rows. The scan line Scan is electrically connected to the control electrode of the switching transistor T1 of the pixel circuit 310 to apply a scan signal to the switching transistor T1. The scan lines Scan are spaced apart in the arranged longitudinal direction so that a plurality of holes are arranged. A plurality of holes may be formed in the scan line to be spaced apart from each other so that the flexible organic electroluminescent display 10 may be more easily warped. In addition, the scan line is made of a metal wiring material to have electrical characteristics, thereby forming a hole to prevent a cracking phenomenon generated when the substrate is bent. The diameter of the plurality of holes should be smaller than the wiring width of the scan line Scan. If the diameter of the hole is larger than that of the scan line, the scan line may be disconnected. Although the plurality of holes formed in the scan line Scan are illustrated as circular in FIGS. 3A and 3C, they may be formed in various shapes such as polygons, ellipses, and the like.

상기 데이터선(Data)은 다수의 열로 배열되는 화소 회로(310)에 데이터신호를 순차적으로 인하한다 상기 데이터선(Data)은 상기 화소 회로(310)의 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 제1전극에 전기적으로 연결되어 상기 스위칭 트랜지스터(T1) 를 통해서 구동 트랜지스터(T2)와 용량성 소자(Cst)에 데이터 신호를 인가한다. 이러한 상기 데이터선(Data)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개 배열되도록 형성된다. 상기 데이터선(Data)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 데이터선(Data)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 이러한 다수의 홀의 지름은 데이터선(Data)의 배선 폭 보다 작아야 한다. 상기 홀의 지름이 데이터선(Data) 보다 더 클경우에는 상기 데이터선(Data)이 연결이 끊어지게 되는 문제점이 발생될 수 있다. 그리고 열방향으로 배열되는 상기 데이터선(Data)과 행방향으로 배열되는 상기 주사선(Scan)이 교차되는 영역에는 홀이 형성하지 않는다. 상기 주사선(Scan)과 데이터선(Data)의 교차 영역에 홀이 형성될 경우에는 각 배선이 단락될 수 있기 때문에 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 데이터선(Data)에 형성된 다수의 홀은 도 3a와 도 3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The data line Data is sequentially lowered to the pixel circuit 310 arranged in a plurality of columns. The data line Data is applied to the first electrode of the switching transistor T1 of the pixel circuit 310. It is electrically connected to apply a data signal to the driving transistor T2 and the capacitive element Cst through the switching transistor T1. The data lines Data are spaced apart in the arranged longitudinal direction so that a plurality of holes are arranged. A plurality of holes may be formed in the data line Data to be spaced apart from each other so that the flexible organic electroluminescent display 10 may be more easily warped. In addition, the data line Data is made of a metal wiring material to have electrical characteristics, thereby forming a hole to prevent a cracking phenomenon generated when the substrate is bent. The diameter of the plurality of holes should be smaller than the wiring width of the data line Data. If the diameter of the hole is larger than the data line Data, the data line Data may be disconnected. A hole is not formed in an area where the data line Data arranged in the column direction and the scan line Scan arranged in the row direction cross each other. When holes are formed in the intersection area between the scan line Scan and the data line Data, the wirings may be shorted, and therefore, not formed. Although the plurality of holes formed in the data line Data are illustrated as circular in FIGS. 3A and 3C, they may be formed in various shapes such as polygons, ellipses, and the like.

상기 제1전원전압선(VDD)은 상기 화소 회로(310)의 구동 트랜지스터(T2)의 제1전극에 제1전원을 인가한다. 상기 제1전원전압선(VDD)은 유기 전계 발광 표시 패널(300, 도 1참조)에 배열된 n×m개의 화소 회로와 연결되도록 행방향 열방향으로 배열될 수 있다. 이러한 제1전원전압선(VDD)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개 형성된다. 상기 제1전원전압선(VDD)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되 어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 제1전원전압선(VDD)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 상기 제1전원전압선(VDD)은 주사선(Scan) 및 데이터선(Data)과의 교차 영역에 홀을 형성하지 않는데, 홀이 형성될 경우에는 각 배선이 단락될 수 있기 때문에 홀을 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 제1전원전압선(VDD)에 형성된 다수의 홀은 도 3a와 도3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The first power supply voltage line VDD applies a first power source to the first electrode of the driving transistor T2 of the pixel circuit 310. The first power voltage line VDD may be arranged in a row direction to be connected to n × m pixel circuits arranged in the organic light emitting display panel 300 (refer to FIG. 1). The first power voltage line VDD is spaced apart in the arranged longitudinal direction, and a plurality of holes are formed. A plurality of holes may be formed in the first power voltage line VDD to be spaced apart from each other, so that the flexible organic electroluminescent display 10 may bend the device more easily. The first power voltage line VDD is formed of a metal wiring material to have electrical characteristics, thereby forming a hole to prevent a cracking phenomenon generated when the substrate is bent. The first power supply voltage line VDD does not form a hole in an intersection area between the scan line Scan and the data line Data. However, when the hole is formed, the hole may not be formed because the wiring may be shorted. desirable. Although the plurality of holes formed in the first power voltage line VDD are circular in FIGS. 3A and 3C, they may be formed in various shapes such as polygons and ellipses, and the present invention is not limited to circular shapes.

상기 제2전원전압선(VSS)은 상기 화소 회로(310)의 유기 전계 발광 소자의 캐소드(cathode)에 제2전압을 인가한다. 상기 제2전원전압선(VSS)은 유기 전계 발광 표시 패널(300, 도 1참조)에 배열된 nㅧ m개의 화소 회로와 연결되도록 행방향과 열방향으로 배열될 수 있다. 이러한 제2전원전압선(VSS)은 배열된 길이 방향으로 이격되어 홀이 다수개 형성된다. 상기 제2전원전압선(VSS)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)에서 장치의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 제2전원전압선(VSS)은 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질로 이루어지는데 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. 상기 제2전원전압선(VSS)은 주사선(Scan), 데이터선(Data) 및 제1전원전압선(VDD)과의 교차 영역에 홀을 형성하지 않는데, 홀이 형성될 경우에는 각 배선이 단락될 수 있기 때문에 홀을 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 제2전원전압선(VSS)에 형성된 다수의 홀은 도 3c에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원 등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The second power supply voltage line VSS applies a second voltage to the cathode of the organic light emitting diode of the pixel circuit 310. The second power voltage line VSS may be arranged in a row direction and a column direction so as to be connected to n ㅧ m pixel circuits arranged in the organic light emitting display panel 300 (see FIG. 1). The second power supply voltage lines VSS are spaced apart in the arranged longitudinal direction, and a plurality of holes are formed. A plurality of holes may be formed in the second power voltage line VSS to be spaced apart from each other, so that the flexible organic electroluminescent display 10 may bend the device more easily. The second power supply voltage line VSS is formed of a metal wiring material to have electrical characteristics, thereby forming a hole to prevent a cracking phenomenon generated when the substrate is bent. The second power voltage line VSS does not form a hole in an intersection area between the scan line Scan, the data line Data, and the first power voltage line VDD. When the hole is formed, each wire may be shorted. It is preferable not to form a hole because there is. Although the plurality of holes formed in the second power voltage line VSS are illustrated as circular in FIG. 3C, they may be formed in various shapes such as polygons, ellipses, and the like.

상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 기판에 형성된 게이트전극, 게이트절연막, 드레인전극 및 소스전극이 형성될 수 있다. 이러한 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 구성은 구동 트랜지스터(T2)의 구성과 동일하며, 도 3b에 단면도에서 도시한 구동 트랜지스터(T2)의 구성에서 상세히 설명하도록 한다. The switching transistor T1 may include a gate electrode, a gate insulating film, a drain electrode, and a source electrode formed on a substrate. The configuration of the switching transistor T1 is the same as that of the driving transistor T2, and will be described in detail in the configuration of the driving transistor T2 shown in the sectional view in FIG. 3B.

상기 용량성 소자(Cst)는 기판(311)위에 제1전극과 제2전극이 순차적으로 형성될 수 있으며, 상기 제1전극과 제2전극 사이에는 절연막이 형성될 수 있다. In the capacitive element Cst, a first electrode and a second electrode may be sequentially formed on a substrate 311, and an insulating layer may be formed between the first electrode and the second electrode.

상기 구동 트랜지스터(T2)는 기판(311), 제어전극인 게이트 전극(312), 게이트 절연막(313), 제1전극인 소스 전극(314) 및 제2전극인 드레인 전극(315)를 포함한다. 상기 구동 트랜지스터(T2)의 구성은 일례로 게이트가 상부에 위치하는 트랜지스터 형상으로 형성될 수 도 있다. The driving transistor T2 includes a substrate 311, a gate electrode 312 as a control electrode, a gate insulating layer 313, a source electrode 314 as a first electrode, and a drain electrode 315 as a second electrode. For example, the driving transistor T2 may be formed in the shape of a transistor in which a gate is positioned above.

상기 게이트 전극(312)은 게이트 전극 형성 물질을 상기 기판(311)의 상부에 증착한 후에 패터닝하여 형성 할 수 있다. The gate electrode 312 may be formed by depositing a gate electrode forming material on the substrate 311 and then patterning the gate electrode forming material.

상기 게이트 절연막(313)은 상기 게이트 전극(312)를 모두 덮도록 형성된다. 상기 게이트 절연막(313)은 상기 게이트 전극(312)와 상기 게이트 전극(312)의 외주연의 상기 기판(311)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 상기 게이트 절연막(313)은 산화막 또는 질화막과 같은 절연막을 단층 또는 복층으로 형성할 수 있다. The gate insulating layer 313 is formed to cover all of the gate electrodes 312. The gate insulating layer 313 may be formed to cover a portion of the substrate 311 at the outer circumference of the gate electrode 312 and the gate electrode 312. The gate insulating layer 313 may form an insulating film such as an oxide film or a nitride film in a single layer or a plurality of layers.

상기 소스 전극(314)은 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 일측을 덮도록 형 성된다. 그리고 상기 소스 전극(314)은 상기 제1전원전압선(VDD)과 전기적으로 연결되도록 형성된다. The source electrode 314 is formed to cover one side of the upper portion of the gate insulating layer 313. The source electrode 314 is formed to be electrically connected to the first power voltage line VDD.

상기 드레인 전극(315)은 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 일측에 형성된 상기 소스 전극(314)와 대응되도록 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 타측에 형성된다. 이러한 상기 드레인 전극(315)은 상기 유기 전계 발광 소자(OLED)의 애노드(anode)와 전기적으로 연결되도록 형성된다. 상기 드레인 전극(315)은 상기 소스 전극(314)과 나노 와이어(316)로 전기적으로 연결된다. 이러한 상기 나노 와이어(316)는 상기 드레인 전극(315)와 상기 소스 전극(314) 사이에 채널영역으로 동작하게 된다. The drain electrode 315 is formed on the other side of the upper portion of the gate insulating layer 313 to correspond to the source electrode 314 formed on one side of the gate insulating layer 313. The drain electrode 315 is formed to be electrically connected to an anode of the organic light emitting diode OLED. The drain electrode 315 is electrically connected to the source electrode 314 and the nanowire 316. The nanowire 316 operates as a channel region between the drain electrode 315 and the source electrode 314.

상기 유기 전계 발광 소자(OLED)는 투명전극인 애노드(anode), 유기박막, 캐소드(cathode)의 구조로 이루어진다. 상기 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송 층(electron transport layer, ETL) 및 정공수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)층을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode OLED has a structure of an anode, an organic thin film, and a cathode, which are transparent electrodes. The organic thin film has a multilayer structure including an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and a hole transport layer (HTL) to improve the light emission efficiency by improving the balance between electrons and holes. It may also comprise a separate electron injecting layer (EIL) and a hole injecting layer (HIL) layer.

상기 화소 회로(310)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD) 및 제2전원전압선(VSS)의 길이방향으로 일정간격 이격되어 다수의 홀이 배열되므로 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 화소 회로(310)는 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질에 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 방지할 수 있다. The pixel circuit 310 is flexible because the plurality of holes are arranged at regular intervals in the longitudinal direction of the scan line Scan, the data line Data, the first power voltage line VDD, and the second power voltage line VSS. The warpage of the electroluminescent display 10 may be easier. In addition, the pixel circuit 310 may form a hole in the metal wiring material to have electrical characteristics, thereby preventing a cracking phenomenon generated when the substrate is bent.

도 4a를 참조하면 도 1의 화소 회로의 구성의 다른 실시예에 따른 평면도가 도시되어 있고, 도 4b를 참조하면 도4a의 4b-4b의 단면도가 도시되어 있다. Referring to FIG. 4A, a plan view according to another exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1 is illustrated, and referring to FIG. 4B, a cross-sectional view of 4b-4b of FIG. 4A is illustrated.

도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 화소 회로(410)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS), 스위칭 트랜지스터(T1), 용량성 소자(Cst), 구동 트랜지스터(T2) 및 유기 전계 발광 소자(OLED)를 포함한다. 이러한 상기 화소 회로(410)의 각 구성 요소의 연결관계는 상기 도 2와 동일하다. 상기 화소 회로(410)는 스위칭 트랜지스터(T1)와 구동 트랜지스터(T2)를 제외하고는 도 3a 내지 도 3c에 도시된 화소 회로(310)와 동일하다. 이하에서는 도 3a 내지 도 3c에 도시된 화소 회로(310)와 다른 부분을 위주로 설명하고자 한다. As shown in FIGS. 4A to 4B, the pixel circuit 410 includes a scan line, a data line, a first power voltage line VDD, a second power voltage line VSS, and a switching transistor T1. , A capacitive element Cst, a driving transistor T2, and an organic electroluminescent element OLED. The connection relationship between each component of the pixel circuit 410 is the same as that of FIG. 2. The pixel circuit 410 is the same as the pixel circuit 310 illustrated in FIGS. 3A to 3C except for the switching transistor T1 and the driving transistor T2. Hereinafter, a description will be given of parts different from the pixel circuit 310 illustrated in FIGS. 3A to 3C.

상기 스위칭 트랜지스터(T1)는 기판(311), 게이트전극(412), 게이트 절연막(413), 소스 전극(414) 및 드레인 전극(415)을 포함한다. 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 구성은 일례로 게이트가 상부에 위치하는 트랜지스터 형상으로 형성될 수 도 있으며, 본 발명에서 상기 스위칭 트랜지스터의 형상을 한정하는 것은 아니다. The switching transistor T1 includes a substrate 311, a gate electrode 412, a gate insulating layer 413, a source electrode 414, and a drain electrode 415. The configuration of the switching transistor T1 may be, for example, formed in the shape of a transistor in which a gate is located above, and the shape of the switching transistor T1 is not limited thereto.

상기 게이트 전극(412)은 상기 기판(311)의 상부에 게이트 전극 형성 물질을 증착한 후에 패터닝하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 게이트 전극(312)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 게이트 전극(412)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨을 더 용이할 수 있다. 상기 게이트 전극(412)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The gate electrode 412 may be formed by depositing and patterning a gate electrode forming material on the substrate 311. In this case, a plurality of holes are formed in the gate electrode 312. A plurality of holes may be formed in the gate electrode 412 to be spaced apart from each other, so that the bending of the switching transistor T1 may be easier. Although the plurality of holes formed in the gate electrode 412 are illustrated in a circular shape in FIG. 4A, the holes may be formed in various shapes such as polygons, ellipses, and the like.

상기 게이트 절연막(413)은 상기 게이트 전극(412)을 모두 덮도록 형성된다. 상기 게이트 절연막(413)은 상기 게이트 전극(412)와 상기 게이트 전극(412)의 외주연의 상기 기판(411)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다. 이러한 상기 게이트 절연막(413)은 산화막 또는 질화막과 같은 절연막을 단층 또는 복층으로 형성할 수 있다. 그리고 게이트 절연막(413)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 게이트 절연막(413)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨이 더 용이할 수 있다. 이때, 상기 게이트 전극(412)의 상부에 형성된 게이트 절연막(413)에는 홀을 형성하지 않는데, 홀이 형성될 경우에는 게이트 절연막(412) 상부에 형성되는 소스 전극(414) 및 드레인 전극(415)과 단락되는 것을 방지하기 위해서 홀을 형성하지 않는 것이 바람직하다. 상기 게이트 절연막(413)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The gate insulating layer 413 is formed to cover all of the gate electrodes 412. The gate insulating layer 413 may be formed to cover part of the gate electrode 412 and the substrate 411 on the outer circumference of the gate electrode 412. The gate insulating film 413 may be formed of an insulating film such as an oxide film or a nitride film in a single layer or a plurality of layers. A plurality of holes are formed in the gate insulating film 413. A plurality of holes may be formed in the gate insulating layer 413 so as to be spaced apart from each other, and thus the bending of the switching transistor T1 may be easier. In this case, a hole is not formed in the gate insulating layer 413 formed on the gate electrode 412. When the hole is formed, the source electrode 414 and the drain electrode 415 formed on the gate insulating layer 412 are formed. It is preferable not to form a hole in order to prevent short circuit. Although the plurality of holes formed in the gate insulating layer 413 are illustrated as circular in FIG. 4A, the holes may be formed in various shapes such as polygons, ellipses, and the like.

상기 소스 전극(414)은 상기 게이트 절연막(313)의 상부의 일측을 덮도록 형성된다. 그리고 소스 전극(414)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 소스 전극(44)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨을 더 용이할 수 있다. 상기 소스 전극(414)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The source electrode 414 is formed to cover one side of the upper portion of the gate insulating layer 313. A plurality of holes are formed in the source electrode 414. A plurality of holes may be formed in the source electrode 44 to be spaced apart from each other, so that the bending of the switching transistor T1 may be easier. Although the plurality of holes formed in the source electrode 414 are shown in a circular shape in FIG. 4A, they may be formed in various shapes such as polygons, ellipses, and the like.

상기 드레인 전극(415)은 상기 게이트 절연막(413)의 상부의 일측에 형성된 상기 소스 전극(414)과 대응되도록 상기 게이트 절연막(413)의 상부의 타측에 형성된다. 상기 드레인 전극(415)은 상기 소스 전극(414)과 나노 와이어(416)로 전기적으로 연결된다. 이러한 상기 나노 와이어(416)는 상기 드레인 전극(415)과 상기 소스 전극(314) 사이에 채널영역으로 동작하게 된다. 그리고 상기 드레인 전극(415)에는 홀이 다수개 형성된다. 상기 드레인 전극(415)에는 다수의 홀이 이격되어 형성되어, 상기 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨이 더 용이할 수 있다. 상기 드레인 전극(415)에 형성된 다수의 홀은 도 4a에서는 원형으로 도시하였으나, 다각형, 타원등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 홀의 형태를 원형으로 한정하는 것은 아니다. The drain electrode 415 is formed on the other side of the gate insulating layer 413 so as to correspond to the source electrode 414 formed on one side of the gate insulating layer 413. The drain electrode 415 is electrically connected to the source electrode 414 and the nanowire 416. The nanowire 416 operates as a channel region between the drain electrode 415 and the source electrode 314. A plurality of holes are formed in the drain electrode 415. A plurality of holes may be formed in the drain electrode 415 so as to be spaced apart from each other, and thus the bending of the switching transistor T1 may be easier. Although the plurality of holes formed in the drain electrode 415 are illustrated as circular in FIG. 4A, the holes may be formed in various shapes such as polygons, ellipses, and the like.

그리고 상기 스위칭 트랜지스터(T1)에는 버퍼층(미도시), 층간절연막(미도시) 및 패시베이션층(미도시)등 더 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(미도시), 층간절연막(미도시) 및 패시베이션층(미도시)에도 스위칭 트랜지스터(T1)의 휨이 용이하도록 다수의 홀이 형성될 수 있다. The switching transistor T1 may further include a buffer layer (not shown), an interlayer insulating film (not shown), and a passivation layer (not shown), and the buffer layer (not shown), an interlayer insulating film (not shown), and a passivation layer. A plurality of holes may be formed in the switching transistor T1 to facilitate bending of the switching transistor T1.

상기 구동 트랜지스터(T2)는 상기 스위칭 트랜지스터(T1)와 동일한 구성요소를 포함하여 이루어질 수 있으므로 상기 구동 트랜지스터(T2)의 구성의 설명은 생략하도록 한다. Since the driving transistor T2 may include the same components as the switching transistor T1, the description of the configuration of the driving transistor T2 will be omitted.

상기 화소 회로(410)는 주사선(Scan), 데이터선(Data), 제1전원전압선(VDD), 제2전원전압선(VSS) 및 스위칭 트랜지스터(T1)과 구동 트랜지스터(T2)의 구성요소인 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스전극, 드레인 전극에 길이방향으로 일정간격 이격되어 다수의 홀이 배열되므로 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치(10)의 휨을 더 용이할 수 있다. 그리고 상기 화소 회로(310)는 전기적 특성을 갖도록 금속 배선 물질과 무기물질인 절연막 또는 보호막에 홀을 형성하여 기판이 휘어질때 발생되는 깨짐 현상을 보다 용이하게 방지할 수 있다. The pixel circuit 410 includes a scan line, a data line, a first power supply voltage line VDD, a second power supply voltage line VSS, and a gate that is a component of the switching transistor T1 and the driving transistor T2. Since a plurality of holes are arranged at regular intervals in the longitudinal direction on the electrode, the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode, the flexible organic electroluminescence display 10 may be more easily bent. In addition, the pixel circuit 310 may easily prevent a cracking phenomenon generated when the substrate is bent by forming holes in the insulating film or the protective film, which is a metal wiring material and an inorganic material, to have electrical characteristics.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 의한 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for implementing the flexible organic electroluminescent display device according to the present invention, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, as claimed in the following claims. Without departing from the gist of the invention, anyone of ordinary skill in the art to which the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 유기 전계 발광 표시 장치의 화소 회로의 회로도이다.FIG. 2 is a circuit diagram of a pixel circuit of the organic light emitting display device of FIG. 1.

도 3a 내지 도 3c는 도 1의 화소 회로의 구성의 일실시예에 따른 평면도와 단면도이다. 3A to 3C are plan views and cross-sectional views according to an exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1.

도 4a 내지 도 4b는 도 1의 화소 회로의 구성의 다른 실시예에 따른 평면도와 단면도이다. 4A to 4B are plan views and cross-sectional views according to another exemplary embodiment of the configuration of the pixel circuit of FIG. 1.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10; 유기 전계 발광 표시 장치10; Organic electroluminescent display

100; 주사 구동부 200; 데이터 구동부100; Scan driver 200; Data driver

300; 유기 전계 발광 표시 패널 310; 화소 회로300; An organic electroluminescent display panel 310; Pixel circuit

Data; 데이터선 Scan; 주사선Data; Data line Scan; scanning line

VDD; 제1전원전압선 VSS; 제2전원전압선VDD; A first power supply voltage line VSS; Second power supply voltage line

T1; 스위칭 트랜지스터 T2; 구동 트랜지스터T1; Switching transistor T2; Driving transistor

Claims (11)

다수의 홀이 형성된 데이터선;A data line in which a plurality of holes are formed; 다수의 홀이 형성된 주사선; 및A scan line in which a plurality of holes are formed; And 상기 데이터선과 상기 주사선에 전기적으로 연결되어 상기 주사선에서 인가되는 주사신호에 의해 선택되며, 상기 데이터선에서 인가되는 데이터 신호에 따른 밝기로 발광하는 화소를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.Flexible organic electroluminescence comprising a pixel electrically connected to the data line and the scan line and selected by a scan signal applied from the scan line and emitting light at a brightness according to the data signal applied from the data line. Display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소에 제1전원전압을 공급하며, 다수의 홀이 형성된 제1전원전압선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.And a first power supply voltage line for supplying a first power supply voltage to the pixel and having a plurality of holes. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 화소에 제2전원전압을 공급하며, 다수의 홀이 형성된 제2전원전압선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.And a second power supply voltage line supplying a second power supply voltage to the pixel and having a plurality of holes. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 화소는 The pixel is 제1전극이 상기 데이터선에 전기적으로 연결되고, 제어전극이 상기 주사선에 전기적으로 연결된 스위칭 트랜지스터;A switching transistor having a first electrode electrically connected to the data line, and a control electrode electrically connected to the scan line; 상기 스위칭 트랜지스터와 상기 제1전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 용량성 소자; A capacitive element electrically connected between the switching transistor and the first power voltage line; 상기 용량성소자와 상기 스위칭 트랜지스터의 제2전극 사이에 제어전극이 전기적으로 연결되고, 상기 제1전원전압선에 제1전극이 전기적으로 연결된 구동 트랜지스터; 및A driving transistor electrically connected between the capacitive element and the second electrode of the switching transistor and a first electrode electrically connected to the first power voltage line; And 상기 구동 트랜지스터의 제2전극과 상기 제2전원전압선 사이에 전기적으로 연결된 유기 전계 발광 소자를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.And an organic electroluminescent element electrically connected between the second electrode of the driving transistor and the second power supply voltage line. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 구동 트랜지스터는The driving transistor 상기 제어전극과 대응되며, 기판위에 형성되어 인가되는 신호에 따라 트랜지스터를 동작 여부를 결정하는 게이트전극;A gate electrode corresponding to the control electrode and determining whether to operate the transistor according to a signal applied and formed on a substrate; 상기 게이트 전극의 상부를 모두 덮도록 형성된 게이트 절연막;A gate insulating film formed to cover all of the upper portions of the gate electrodes; 상기 제1전극과 대응되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되고 상기 제1전원전압선에 전기적으로 연결된 데이터전극; 및A data electrode corresponding to the first electrode and formed on the gate insulating layer and electrically connected to the first power voltage line; And 상기 제2전극과 대응되며, 상기 게이트 절연막의 상부에 형성되고 상기 유기 전계 발광 소자에 전기적으로 연결된 소스 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.And a source electrode corresponding to the second electrode and formed on the gate insulating layer and electrically connected to the organic electroluminescent element. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 데이터 전극과 상기 소스 전극 사이는 나노 와이어로 연결된 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.The organic light emitting display device of claim 1, wherein the data electrode and the source electrode are connected by nanowires. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 데이터 전극과 상기 소스전극 및 상기 게이트 전극에서 다수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.And a plurality of holes formed in the data electrode, the source electrode and the gate electrode. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 게이트 절연막에는 다수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.And a plurality of holes are formed in the gate insulating layer. 기판의 상부에 형성되며, 다수의 홀이 형성된 게이트전극;A gate electrode formed on the substrate and having a plurality of holes formed therein; 상기 게이트 전극의 상부와 상기 게이트 전극이 형성된 외주연의 기판을 덮도록 형성된 게이트 절연막;A gate insulating layer formed to cover an upper portion of the gate electrode and an outer circumferential substrate on which the gate electrode is formed; 상기 게이트 절연막에서 상부의 일측을 덮도록 형성되며 다수의 홀이 형성된 데이터전극; 및A data electrode formed to cover one side of an upper portion of the gate insulating layer, and having a plurality of holes; And 상기 게이트 절연막에서 상부의 타측을 덮도록 형성되며, 상기 데이터 전극과 나노 와이어로 연결되고 다수의 홀이 형성된 소스 전극을 포함하여 이루어진 것 을 특징으로 하는 트랜지스터.And a source electrode formed to cover the other side of the upper portion of the gate insulating layer, and including a source electrode connected to the data electrode and nanowires and having a plurality of holes. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 게이트 절연막에는 다수의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터.And a plurality of holes are formed in the gate insulating film. 제 9 항 내지 제10항 중 적어도 어느 한항의 플랙시블 트랜지스터를 포함하는 플랙서블 유기 전계 발광 표시 장치.A flexible organic electroluminescent display comprising the flexible transistor of any one of claims 9 to 10.
KR1020080057896A 2008-06-19 2008-06-19 Transistor and flexible organic light emitting display therewith KR20090131903A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080057896A KR20090131903A (en) 2008-06-19 2008-06-19 Transistor and flexible organic light emitting display therewith

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080057896A KR20090131903A (en) 2008-06-19 2008-06-19 Transistor and flexible organic light emitting display therewith

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090131903A true KR20090131903A (en) 2009-12-30

Family

ID=41691022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080057896A KR20090131903A (en) 2008-06-19 2008-06-19 Transistor and flexible organic light emitting display therewith

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090131903A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011111943A2 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 경기대학교 산학협력단 Light emitting display device having nanowire
US9029857B2 (en) 2010-10-26 2015-05-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
KR20160095307A (en) * 2015-02-02 2016-08-11 삼성디스플레이 주식회사 Foldable display
CN106920820A (en) * 2015-12-28 2017-07-04 三星显示有限公司 Flexible substrates and the flexible display apparatus including the flexible substrates
US20170207289A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same
KR20170139152A (en) * 2015-04-24 2017-12-18 그라호프 뉴 매터리얼즈 테크놀러지스 인크. HEATING FILM DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING HEATING FILM DEVICE
CN108346682A (en) * 2017-01-25 2018-07-31 群创光电股份有限公司 Show equipment
JP2019533832A (en) * 2016-12-27 2019-11-21 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
WO2019237551A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel
CN112909023A (en) * 2021-01-29 2021-06-04 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel, preparation method thereof and display device

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011111943A2 (en) * 2010-03-08 2011-09-15 경기대학교 산학협력단 Light emitting display device having nanowire
WO2011111943A3 (en) * 2010-03-08 2012-01-05 경기대학교 산학협력단 Light emitting display device having nanowire
CN102884651A (en) * 2010-03-08 2013-01-16 京畿大学校产学协力团 Light emitting display device having nanowire
US9029857B2 (en) 2010-10-26 2015-05-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
KR20160095307A (en) * 2015-02-02 2016-08-11 삼성디스플레이 주식회사 Foldable display
US9634272B2 (en) 2015-02-02 2017-04-25 Samsung Display Co., Ltd. Foldable display
KR20170139152A (en) * 2015-04-24 2017-12-18 그라호프 뉴 매터리얼즈 테크놀러지스 인크. HEATING FILM DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING HEATING FILM DEVICE
CN106920820A (en) * 2015-12-28 2017-07-04 三星显示有限公司 Flexible substrates and the flexible display apparatus including the flexible substrates
CN106920820B (en) * 2015-12-28 2022-03-01 三星显示有限公司 Flexible substrate and flexible display device including the same
US20170207289A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same
US10431643B2 (en) * 2016-01-14 2019-10-01 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
JP2019533832A (en) * 2016-12-27 2019-11-21 昆山工研院新型平板顕示技術中心有限公司Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co., Ltd. Flexible display device and manufacturing method thereof
CN108346682A (en) * 2017-01-25 2018-07-31 群创光电股份有限公司 Show equipment
WO2019237551A1 (en) * 2018-06-11 2019-12-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel
US10964768B1 (en) 2018-06-11 2021-03-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
CN112909023A (en) * 2021-01-29 2021-06-04 Tcl华星光电技术有限公司 Display panel, preparation method thereof and display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11776973B2 (en) Method of manufacturing display device
JP7413469B2 (en) Thin film transistor array substrate and display device
KR20090131903A (en) Transistor and flexible organic light emitting display therewith
KR101258259B1 (en) Organic Light Emitting Display Device
KR102242214B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR101320655B1 (en) Organic Light Emitting Display Device
KR102362092B1 (en) Organic light emitting diode display
JP4747185B2 (en) Electronic device, thin film transistor structure, and flat panel display device including the same
CN108154842B (en) Organic light-emitting display panel and electronic equipment
US11355568B2 (en) Organic light emitting diode display device
US11923400B2 (en) Display apparatus
KR102476562B1 (en) Electroluminescent Display Device
JP2019113728A (en) Display
CN109216420B (en) Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same
KR100805599B1 (en) Organic elcetroluminescence display and making method teherof
JP6433234B2 (en) Display device
US8242492B2 (en) Organic light emitting diode display
KR102191823B1 (en) Organic light emitting diode device and method of fabricating the same
CN101414620B (en) Electronic device, thin-film transistor structure, and flat panel display having the same
US7193858B2 (en) Organic electroluminescent display device in which an electromagnetic field preventing and protecting circuit is easily arranged
KR100589551B1 (en) Display device
KR100685399B1 (en) Flat Panel Display
KR100666645B1 (en) Organic electro luminescence display device
KR100578794B1 (en) Organic electro luminescence display device
KR100645535B1 (en) Organic electro luminescence display device and fabrication method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application