KR20090124689A - 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법 - Google Patents

기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090124689A
KR20090124689A KR1020080051043A KR20080051043A KR20090124689A KR 20090124689 A KR20090124689 A KR 20090124689A KR 1020080051043 A KR1020080051043 A KR 1020080051043A KR 20080051043 A KR20080051043 A KR 20080051043A KR 20090124689 A KR20090124689 A KR 20090124689A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode material
substrate
solar cell
type semiconductor
type
Prior art date
Application number
KR1020080051043A
Other languages
English (en)
Inventor
현덕환
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020080051043A priority Critical patent/KR20090124689A/ko
Publication of KR20090124689A publication Critical patent/KR20090124689A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 전극물질 및 상기 전극물질을 기화시키기 위한 가열수단을 포함하여 이루어진, 기판에 전극물질을 적층하기 위한 전극물질 적층부: 적어도 하나의 기판을 홀딩하기 위한 기판 홀딩부; 기판에 적층된 전극물질을 열처리하기 위한 열처리부; 및 상기 전극물질 적층부, 기판 홀딩부, 및 열처리부를 수용하는 챔버를 포함하여 이루어진 기판형 태양전지 제조장비, 및 그를 이용한 기판형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면, 첫째, 기판 홀딩부에 복수 개의 기판을 동시에 홀딩한 상태에서 전극물질을 기화시켜 적층하기 때문에, 스크린 인쇄공정을 이용하여 개별 기판에 전극물질을 도포하는 종래의 방법에 비하여 생산성이 훨씬 향상되고, 둘째, 동일한 장비 내에서 전극물질의 적층공정과 적층된 전극물질의 열처리공정을 수행할 수 있기 때문에, 스크린 인쇄장비 및 로(爐) 장비를 이용하는 종래의 방법에 비하여 장비구성이 간단해지고 제조비용도 감소되고, 셋째, 동일한 장비 내에서 전극물질 적층공정과 적층된 전극물질의 열처리공정을 시간차를 두지 않고 연속공정으로 수행할 수 있기 때문에, 생산공정시간이 단축되어 생산효율이 증진된다.
기판형 태양전지, 증착, 열처리

Description

기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법{Apparatus and Method for manufacturing Wafer type Solar Cell}
본 발명은 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판형 태양전지에 관한 것이다.
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다.
태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN 접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole)과 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 된다.
이와 같은 태양전지는 박막형 태양전지와 기판형 태양전지로 구분할 수 있다.
상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체 물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이다.
상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 두께가 두껍고 고가의 재료를 이용해야 하는 단점이 있지만, 전지 효율이 우수한 장점이 있다.
이하에서는 도면을 참조로 종래의 기판형 태양전지에 대해서 설명하기로 한다.
도 1은 종래의 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 기판형 태양전지는 P형 실리콘층(1), N형 실리콘층(2), 반사방지층(3), P+형 실리콘층(4), 전면전극(5), 및 후면전극(6)으로 이루어진다.
상기 P형 실리콘층(1) 및 그 상면에 형성된 N형 실리콘층(2)은 태양전지의 PN접합 구조를 이루는 것으로서, 상기 P형 실리콘층(1) 및 N형 실리콘층(2)의 상면은 요철구조로 형성되어 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 구성된다.
상기 반사방지층(3)은 상기 N형 실리콘층(2)의 상면에 형성되어 입사광의 반사를 최소화시키는 역할을 한다.
상기 P+형 실리콘층(4)은 상기 P형 실리콘층(1)의 하면에 형성되어 태양광에 의해서 형성된 전자가 재결합하여 소멸되는 것을 방지하는 역할을 한다.
상기 전면전극(5)은 상기 반사방지층(3)의 상부에서부터 상기 N형 실리콘층(2)까지 연장 형성되고, 상기 후면전극(6)은 상기 P+형 실리콘층(4)의 하면에 형성된다.
도 2a 내지 도 2e는 도 1과 같은 종래의 기판형 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정단면도이다.
우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, P형 실리콘 기판(1a)을 준비한 후 P형 실리콘 기판(1a)의 상면을 요철구조로 식각한다.
다음, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 P형 실리콘 기판(1a)의 상부에 N형 도펀트를 도핑하여 P형 실리콘층(1) 및 그 상면에 형성된 N형 실리콘층(2)으로 이루어진 PN접합층을 형성한다.
다음, 도 2c에서 알 수 있듯이, 상기 N형 실리콘층(2) 상면에 반사방지층(3)을 형성한다.
다음, 도 2d에서 알 수 있듯이, 상기 반사방지층(3) 상면에 전면전극물질(5a)을 도포하고, 상기 P형 실리콘층(1)의 하면에 후면전극물질(6a)을 도포한다.
상기 전면전극물질(5a)은 은(Ag) 페이스트(Paste)를 스크린 인쇄법을 이용하여 도포하고, 상기 후면전극물질(6a)은 알루미늄(Al) 페이스트(Paste)를 스크린 인쇄법을 이용하여 도포한다.
다음, 도 2e에서 알 수 있듯이, 고온에서 열처리 공정을 수행하여 도 1과 같은 기판형 태양전지를 완성한다. 상기 열처리 공정은 고온의 로(爐)에서 수행하는 데, 열처리 공정을 수행하면, 상기 전면전극물질(5a)이 상기 반사방지층(3)을 뚫고 상기 N형 실리콘층(2)까지 침투하게 되어 N형 실리콘층(2)과 전기적으로 연결되는 전면전극(5)이 완성되고, 또한, 상기 후면전극물질(6a)이 상기 P형 실리콘층(1)으로 침투하게 되어 상기 P형 실리콘층(1)의 하부에 P+형 실리콘층(4)이 형성되면서 후면전극(6)이 완성된다.
그러나, 이와 같은 종래의 기판형 태양전지의 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 종래의 방법은 전면전극물질(5a) 및 후면전극물질(6a)을 스크린 인쇄법을 이용하여 도포하기 때문에, 스크린 인쇄법의 특성상 인쇄공정이 한 장의 기판형 태양전지에만 적용될 수 있고, 그에 따라, 대량생산시 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.
즉, 전면전극물질(5a)이나 또는 후면전극물질(6a)을 복수 개의 기판에 동시에 도포할 수 있다면 생산성이 훨씬 향상될 수 있지만, 종래의 경우 스크린 인쇄법의 공정상 한계로 인하여 복수 개의 기판에 전면전극물질(5a) 또는 후면전극물질(6a)을 동시에 형성할 수 없다.
둘째, 종래의 방법은 스크린 인쇄법을 이용하여 전면전극물질(5a) 및 후면전극물질(6a)을 도포한 후 고온의 로(爐)에서 열처리 공정을 수행하여 전면전극(5) 및 후면전극(6)을 완성하기 때문에, 전면전극(5) 및 후면전극(6) 완성을 위해서 스크린 인쇄장비 및 고온의 로(爐) 장비가 각각 별도로 필요하여 장비구성이 복잡해 지고 그만큼 제조비용이 상승되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 전면전극물질 또는 후면전극물질을 복수 개의 기판에 동시에 적층함으로써 생산성이 향상될 수 있는 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법을 제공함을 일 목적으로 한다.
본 발명은 전면전극물질 또는 후면전극물질의 적층공정과 열처리공정을 하나의 장비에서 수행함으로써 장비구성이 간단해지고 제조비용도 감소될 수 있는 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법을 제공함을 다른 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 전극물질 및 상기 전극물질을 기화시키기 위한 가열수단을 포함하여 이루어진, 기판에 전극물질을 적층하기 위한 전극물질 적층부: 적어도 하나의 기판을 홀딩하기 위한 기판 홀딩부; 기판에 적층된 전극물질을 열처리하기 위한 열처리부; 및 상기 전극물질 적층부, 기판 홀딩부, 및 열처리부를 수용하는 챔버를 포함하여 이루어진 기판형 태양전지 제조장비를 제공한다.
이때, 상기 전극물질은 상기 가열수단과 접촉하도록 형성될 수 있으며, 특히, 상기 전극물질은 상기 가열수단을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 전극물질은 상기 가열수단을 둘러싸고 있는 제1전극물질 및 상기 제1전극물질 위에 형성된 제2전극물질로 이루어지고, 상기 제1전극물질과 상기 제2전극 물질 사이에는 절연층이 형성될 수 있다.
상기 전극물질 적층부는 상기 전극물질의 하측에 형성된 제1구조물, 및/또는 상기 전극물질의 좌우측에 형성된 제2구조물을을 추가로 포함하여 형성될 수 있다.
상기 전극물질 및 가열수단은 지지체에 의해 지지되어 있고, 상기 가열수단은 전원선에 의해 전원과 연결되어 있으며, 상기 지지체는 상기 전원선의 적어도 일부를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 기판 홀딩부는 기판을 고정하면서 기판의 소정영역을 마스킹할 수 있는 마스크 및 상기 마스크를 지지하면서 상기 챔버에 고정되어 있는 고정부를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 열처리부는 복수 개의 램프 히터로 이루어질 수 있다.
상기 기판 홀딩부는 상기 전극물질 적층부 위에 형성되어 있고, 상기 열처리부는 상기 기판 홀딩부 위에 형성될 수 있다.
본 발명은 또한, 반도체 기판의 상부에 도펀트를 도핑시켜, P형 반도체층 및 N형 반도체층으로 이루어진 PN접합구조의 반도체 기판을 형성하는 공정; 상기 반도체 기판 상에 반사방지층을 형성하는 공정; 및 상기 P형 반도체층 또는 N형 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 전극을 형성하는 공정은 소정의 전극물질을 기화시켜 상기 반도체 기판의 일면에 전극물질을 적층하는 공정, 및 상기 적층된 전극물질을 열처리하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
이때, 상기 전극물질을 적층하는 공정 및 상기 적층된 전극물질을 열처리하 는 공정은 동일한 챔버 내에서 수행할 수 있다.
상기 전극물질을 적층하는 공정은 챔버 내에 위치한 전극물질을 가열수단을 이용하여 기화시켜 상기 반도체 기판의 일면으로 이동시키는 공정으로 이루어질 수 있으며, 여기서, 상기 기화시킨 전극물질이 상기 반도체 기판의 일면 이외의 방향으로 이동하는 것을 차단한 상태에서 전극물질의 적층 공정을 수행할 수 있고, 또한, 상기 반도체 기판의 소정 영역을 마스킹한 상태에서 전극물질의 적층 공정을 수행함으로써 상기 반도체 기판의 일면에 소정 패턴으로 전극물질을 적층할 수 있다.
상기 적층된 전극물질을 열처리하는 공정은 챔버 내에 위치한 램프 히터를 이용하여 수행할 수 있다.
상기 PN접합구조의 반도체 기판을 형성하는 공정은 P형 반도체 기판의 상부에 N형 도펀트를 도핑시키는 공정으로 이루어지고, 상기 반사방지층을 형성하는 공정은 상기 N형 반도체층 상에 반사방지층을 형성하는 공정으로 이루어지고, 그리고, 상기 전극을 형성하는 공정은 전면전극물질을 기화시켜 상기 반사방지층 상에 전면전극물질을 적층하는 공정, 후면전극물질을 기화시켜 상기 P형 반도체층 상에 후면전극물질을 적층하는 공정, 및 상기 전면전극물질과 후면전극물질을 열처리하여 상기 N형 반도체층과 전기적으로 연결되는 전면전극 및 상기 P형 반도체층과 전기적으로 연결되는 후면전극을 형성하는 공정으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 후면전극물질을 적층하는 공정, 및 상기 전면전극물질과 후면전극물질을 열처리하는 공정은 동일한 챔버 내에서 연속공정으로 수행할 수 있다.
본 발명은 또한, P형 반도체층, N형 반도체층, 및 반사방지층을 구비한 반도체 기판을 준비하는 공정; 전극물질 및 상기 전극물질을 기화시키기 위한 가열수단을 포함하여 이루어진 전극물질 적층부, 적어도 하나의 기판을 홀딩하기 위한 기판 홀딩부, 기판에 적층된 전극물질을 열처리하기 위한 열처리부, 및 상기 전극물질 적층부, 기판 홀딩부 및 열처리부를 수용하는 챔버를 포함하여 이루어진 장비를 준비하는 공정; 상기 기판 홀딩부에 상기 반도체 기판을 홀딩시키는 공정; 상기 가열수단을 통해 상기 전극물질을 기화시켜 상기 홀딩된 반도체 기판의 일면에 전극물질을 적층하는 공정; 및 상기 열처리부를 통해 적층된 전극물질을 열처리하여 상기 반도체 기판의 일면에 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 기판형 태양전지의 제조방법을 제공한다.
이때, 상기 반도체 기판을 홀딩시키는 공정은 상기 기판 홀딩부에 복수 개의 반도체 기판을 홀딩시키는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 전극을 형성하는 공정은 상기 N형 반도체층과 전기적으로 연결되는 전면전극 및 상기 P형 반도체층과 전기적으로 연결되는 후면전극을 형성하는 공정으로 이루어지고, 여기서 상기 전면전극 및 후면전극을 형성하는 공정은 상기 N형 반도체층 상에 형성된 반사방지층을 전면전극물질을 포함하는 전극물질 적층부와 마주시킨 상태에서 상기 가열수단을 통해 전면전극물질을 기화시켜 상기 반사방지층 상에 전면전극물질을 적층하는 공정; 상기 P형 반도체층을 후면전극물질을 포함하는 전극물질 적층부와 마주시킨 상태에서 상기 가열수단을 통해 후면전극물질을 기화시켜 상기 P형 반도체층 상에 후면전극물질을 적층하는 공정; 및 상기 열처리부 를 통해 적층된 전면전극물질 및 후면전극물질을 동시에 열처리하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 장비는 전술한 기판형 태양전지의 제조장비를 이용할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 본 발명은 기판 홀딩부에 복수 개의 기판을 동시에 홀딩한 상태에서 전극물질을 기화시켜 적층하기 때문에, 스크린 인쇄공정을 이용하여 개별 기판에 전극물질을 도포하는 종래의 방법에 비하여 생산성이 훨씬 향상된다.
둘째, 본 발명은 동일한 장비 내에서 전극물질의 적층공정과 적층된 전극물질의 열처리공정을 수행할 수 있기 때문에, 스크린 인쇄장비 및 로(爐) 장비를 이용하는 종래의 방법에 비하여 장비구성이 간단해지고 제조비용도 감소된다.
셋째, 본 발명은 동일한 장비 내에서 전극물질 적층공정과 적층된 전극물질의 열처리공정을 시간차를 두지 않고 연속공정으로 수행할 수 있기 때문에, 생산공정시간이 단축되어 생산효율이 증진된다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
<기판형 태양전지의 제조장비>
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조장비의 개략도로서, 도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조 장비(11)는 챔버(10), 전극물질 적층부(20), 기판 홀딩부(30), 열처리부(40)를 포함하여 이루어진다.
상기 챔버(10)는 반응영역을 정의하는 것으로서, 상기 전극물질 적층부(20), 기판 홀딩부(30) 및 열처리부(40)를 수용한다. 상기 챔버(10)는 소정의 펌핑장치(미도시)와 연결되어 그 내부를 진공으로 유지할 수 있다.
상기 전극물질 적층부(20)는 상기 기판 홀딩부(30)에 의해 홀딩된 기판(S)에 전극물질을 적층하는 역할을 하는 것으로서, 전극물질(21) 및 가열수단(22)을 포함하여 이루어진다.
상기 전극물질(21)은 기판형 태양전지의 전면전극물질 또는 후면전극물질로 이용되는 것으로서, Al, Ag 등과 같은 고체상태의 금속물질로 이루어질 수 있다.
상기 전극물질(21)은 상기 가열수단(22)을 둘러싸는 형태로 상기 가열수단(22)과 접촉하도록 형성되어, 상기 가열수단(22)에 의해 소정 온도로 가열될 경우 고체상태에서 기체상태로 기화하며, 기화된 전극물질(21)은 상기 기판 홀딩부(30) 쪽으로 이동하여 상기 기판 홀딩부(30)에 의해 홀딩된 반도체 기판(S) 상에 적층된다.
상기 가열수단(22)은 상기 전극물질(21)을 가열하여 기화시키는 역할을 하는 것으로서, 상기 전극물질(21)에 의해 둘러싸여 상기 전극물질(21)과 접촉하고 있다.
상기 가열수단(22)은 다양한 형태의 발열 히터로 이루어질 수 있으며, 상기 가열수단(22)은 전원선(23)과 연결되어 있고, 상기 전원선(23)은 챔버(10) 밖에 위 치한 전원(24)과 연결되어 있다. 따라서, 상기 전원(24)에 의해 전력이 공급되어 상기 가열수단(22)이 발열하게 된다. 또한, 상기 챔버(10) 안에 위치하는 전원선(23)은 상기 전극물질(21) 및 가열수단(22)을 지지하는 역할을 하는 지지체(25)에 의해 둘러싸여 있다.
상기 전극물질 적층부(20)는 전술한 전극물질(21) 및 가열수단(22)에 더하여 제1구조물(26) 및 제2구조물(27)을 추가로 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제1구조물(26)은 상기 전극물질(21)의 하측에 형성되어 기화된 전극물질(21)이 챔버(10)의 하측으로 이동하여 적층되는 것을 방지하는 역할을 하는 것이고, 상기 제2구조물(27)은 상기 전극물질(21)의 좌우측에 형성되어 기화된 전극물질(21)이 챔버(10)의 좌우측으로 이동하여 적층되는 것을 방지하는 역할을 하는 것이다. 즉, 상기 전극물질(21)이 상기 가열수단(22)에 의해 가열되어 기화하면 기화된 전극물질(21)은 사방으로 이동하게 되는데, 이때 상기 제1구조물(26) 및 제2구조물(27)에 의해서 기화된 전극물질(21)이 챔버(10)의 하측, 및 좌우측으로 이동하는 것이 차단되고, 결국 기화된 전극물질(21)이 챔버(10)의 상측으로 이동하여 상기 기판 홀딩부(30)에 의해 홀딩된 기판(S) 상에 적층되게 되는 것이다.
상기 제1구조물(26)은 상기 전극물질(21)이 상기 가열수단(22)에 의해 가열되어 처지는 경우 그 처짐을 방지하는 역할도 담당한다.
상기 기판 홀딩부(30)는 상기 전극물질 적층부(20) 위에 형성되어 복수 개의 기판(S)을 홀딩하는 역할을 하는 것으로서, 마스크(31) 및 고정부(32)를 포함하여 이루어진다.
상기 마스크(31)는 복수 개의 기판(S)을 고정하는 역할을 하며, 경우에 따라 기판(S)의 소정 영역을 마스킹할 수 있도록 패턴 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 기판형 태양전지의 전면전극의 경우 태양광이 입사되는 면에 형성되기 때문에 태양광의 입사율을 증진시키기 위해서 소정의 패턴으로 형성되며, 따라서 전면전극물질을 기판(S)에 적층할 경우에는 기판(S)의 소정 영역을 마스킹하고 적층할 필요가 있고, 이를 위해서 기판(S)을 고정하는 마스크(31)에 소정의 마스킹 패턴을 형성하는 것이다. 다만, 기판형 태양전지의 후면전극의 경우에는 소정의 패턴으로 형성할 필요성이 적기 때문에, 후면전극물질을 기판(S)에 적층할 경우에는 상기 마스크(31)에 소정의 마스킹 패턴을 형성하지 않을 수 있다.
상기 고정부(32)는 상기 마스크(31)를 지지하는 역할을 하며, 상기 챔버(10)에 고정되어 있다.
상기 열처리부(40)는 상기 기판 홀딩부(30) 위에 형성되어 기판(S)에 적층된 전극물질을 열처리하는 역할을 한다. 상기 열처리부(40)는 복수 개의 램프 히터를 이용하여 형성할 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따른 기판형 태양전지의 제조장비는 다음과 같은 장점이 있다.
첫째, 상기 기판 홀딩부(30)에 복수 개의 기판(S)을 홀딩한 상태로 전극물질을 적층하기 때문에 전극물질 적층 공정이 복수 개의 기판(S)에서 동시에 수행되어 생산성이 향상되고, 둘째, 전극물질의 적층공정과 적층된 전극물질의 열처리공정을 하나의 제조장비에서 수행할 수 있기 때문에 장비구성이 간단해지고 제조비용도 감 소되고, 셋째, 열처리부(40)의 램프 히터를 작동한 상태에서 전극물질 적층부(20)의 적층동작을 수행할 경우 전극물질 적층공정과 열처리공정이 시간차를 두지 않고 연속공정으로 수행되기 때문에 생산공정이 단축되어 생산효율이 증진된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조장비의 개략도로서, 도 4에 따른 제조장비는 전극물질 적층부(20)의 구성을 제외하고 전술한 도 3에 따른 제조장비와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 4에 따른 제조장비에 의하면, 전극물질(21)이 제1전극물질(21a) 및 제2전극물질(21b)로 이루어진다. 상기 제1전극물질(21a)은 상기 가열수단(22)을 둘러싸고 있고, 상기 제1전극물질(21a) 및 제2전극물질(21b) 사이에는 절연층(29)이 형성되어 있다. 도 4에는 상기 제1전극물질(21a)의 상면에 절연층(29) 및 제2전극물질(21b)이 순서대로 형성된 모습을 도시하였지만, 상기 제1전극물질(21a)의 좌우측 및 하면에 절연층(29) 및 제2전극물질(21b)이 순서대로 추가 형성될 수도 있다.
도 4에 따른 제조장비에 의하면, 상기 가열수단(22)에 의한 발생된 열은 상기 제1전극물질(21a) 및 제2전극물질(21b)로 전달되는데, 이때 상기 제1전극물질(21a)이 기화하여 상기 기판 홀딩부(30) 쪽으로 이동하는 것은 상기 절연층(29)에 의해 차단되고, 상기 제2전극물질(21b)만이 기화하여 상기 기판 홀딩부(30) 쪽으로 이동하게 되어, 기판(S)에는 제2전극물질(21b)이 적층된다.
상기 제1전극물질(21a)과 제2전극물질(21b) 사이에 형성되는 절연층(29)은 산화막으로 이루어질 수 있다.
이와 같은, 도 4에 따른 제조장비는 제1전극물질(21a)만으로 구성된 제조장비(도 3에 따른 제조장비와 동일)에 의해 제1전극물질(21a)을 기판(S)에 적층한 후에, 제1전극물질(21a)과 상이한 제2전극물질을 기판(S)에 적층하고자 할 때, 전극물질 적층부(20) 전체를 변경하지 않고, 제1전극물질(21a) 상에 절연층(29) 및 제2전극물질(21b)을 순서대로 형성하는 간단한 방법으로 목적하는 바를 달성할 수 있도록 한 것이다.
<기판형 태양전지의 제조방법>
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정 단면도이다.
우선, 도 5a에서 알 수 있듯이, P형 반도체 기판(100a)을 준비한 후 그 상면을 요철구조로 식각한다.
상기 P형 반도체 기판(100a)은 단결정실리콘 또는 다결정실리콘을 이용할 수 있는데, 단결정실리콘은 순도가 높고 결정결함밀도가 낮기 때문에 태양전지의 효율이 높으나 가격이 너무 높아 경제성이 떨어지는 단점이 있고, 다결정실리콘은 상대적으로 효율은 떨어지지만 저가의 재료와 공정을 이용하기 때문에 생산비가 적게 들어 대량생산에 적합하다.
상기 P형 반도체 기판(100a)은 소정의 에칭공정을 통해 그 상면을 요철구조로 형성하는데, 상기 P형 반도체 기판(100a)으로서 단결정실리콘 기판을 이용하는 경우는 알카리 에칭에 의해서 그 표면을 요철구조로 형성할 수 있지만, 상기 P형 반도체 기판(100a)으로서 다결정실리콘 기판을 이용하는 경우는 많은 결정입자가 서로 다른 결정방위로 배열되어 있기 때문에 알카리 에칭에 의해서 그 표면을 요철구조로 형성하는데 한계가 있어서 반응성 이온 에칭법(Reactive Ion Etching:RIE), 산액을 이용한 등방성 에칭법, 또는 기계적 에칭법 등을 이용하여 수행하는 것이 바람직하다.
상기 반응성 이온 에칭법은 결정입자의 결정방위에 관계없이 기판의 표면에 균일한 요철구조를 형성할 수 있기 때문에, 다결정실리콘 기판의 표면에 요철구조를 형성하는 공정에 용이하게 적용할 수 있으며, 특히 반응성 이온 에칭법을 적용하게 되면 이후 공정을 동일한 챔버에서 수행할 수 있는 장점이 있다. 상기 반응성 이온 에칭법을 적용할 경우에는 Cl2, SF6, NF3, HBr, 또는 그들의 혼합물을 주 가스로 이용하고, 경우에 따라서는 Ar, O2, N2, He, 또는 그들의 혼합물을 첨가 가스로 이용할 수 있다.
다음, 도 5b에서 알 수 있듯이, 상기 P형 반도체 기판(100a)의 상부에 N형 도펀트를 도핑하여, 요철구조의 상면을 갖는 P형 반도체층(100) 및 N형 반도체층(200)의 PN접합층을 형성한다.
상기 N형 도펀트를 도핑하는 공정은 고온확산법 또는 플라즈마 이온도핑법을 이용하여 수행할 수 있다.
상기 고온확산법을 이용하여 N형 도펀트를 도핑하는 공정은, 상기 P형 반도체 기판(100a)을 대략 800℃이상의 고온의 확산로에 안치시킨 상태에서 POCl3, PH3 등과 같은 N형 도펀트 가스를 공급하여 N형 도펀트를 상기 P형 반도체 기판(100a) 의 표면으로 확산시키는 공정으로 이루어진다.
상기 고온확산공정은 800℃이상의 고온에서 수행되기 때문에 기판의 표면에 PSG(Phosphor-Silicate Glass)와 같은 부산물이 형성될 수 있다. 상기 PSG는 태양전지에서 전류를 차폐시키는 문제를 야기하기 때문에 태양전지의 효율을 높이기 위해서는 식각용액 등을 이용하여 상기 PSG를 제거하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 고온확산공정을 수행하면 상기 P형 반도체 기판(100a)의 상부 뿐만 아니라 상기 P형 반도체 기판(100a)의 측부 및 하부에도 N형 도펀트가 도핑되기 때문에, 상기 P형 반도체 기판(100a)의 측부 및 하부에 형성되는 N형 반도체층을 제거하는 공정을 추가로 수행해야 한다.
상기 플라즈마 이온도핑법을 이용하여 N형 도펀트를 도핑하는 공정은, 상기 P형 반도체 기판(100a)을 플라즈마 발생장치에 안치시킨 상태에서 POCl3, PH3 등과 같은 N형 도펀트 가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시키는 공정으로 이루어진다. 이와 같이 플라즈마를 발생시키면 플라즈마 내부의 인(P) 이온이 RF전기장에 의해 가속되어 상기 P형 반도체 기판(100a)의 하면으로 입사하여 이온도핑된다.
상기 플라즈마 이온도핑 공정 후에는 상기 N형 반도체층(200)을 적절한 온도로 가열하는 어닐링 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 그 이유는 상기 어닐링 공정을 수행하지 않을 경우에는 도핑된 이온이 단순한 불순물로 작용할 수 있지만, 상기 어닐링 공정을 수행하게 되면 도핑된 이온이 Si와 결합하여 활성화되기 때문이다.
다음, 도 5c에서 알 수 있듯이, 상기 N형 반도체층(200) 상에 반사방지층(300)을 형성한다.
상기 N형 반도체층(200)의 상면이 요철구조로 형성됨에 따라 상기 반사방지층(300)도 요철구조로 형성된다. 상기 반사방지층(300)은 플라즈마 CVD법을 이용하여 실리콘질화물 또는 실리콘산화물로 형성할 수 있다.
다음, 도 5d에서 알 수 있듯이, 상기 반사방지층(300)의 상면에 전면전극물질(500a)을 소정의 패턴으로 적층한다.
상기 전면전극물질(500a)을 적층하는 공정은 Ag와 같은 전면전극물질(500a)을 기화시켜 상기 반사방지층(300) 상에 적층하는 공정으로 이루어진다. 상기 전면전극물질(500a)을 기화시키기 위해서는 상기 전면전극물질(500a)을 400도씨 이상으로 가열하면 된다.
상기 전면전극물질(500a)의 적층 공정은 전술한 도 3 또는 도 4에 따른 제조장비를 이용하여 수행한다. 구체적으로 설명하면, 전극물질(21)이 전면전극물질로 구성된 전극물질 적층부(20)를 구비한 도 3에 따른 제조장비, 또는 제2전극물질(21b)이 전면전극물질로 구성된 전극물질 적층부(20)를 구비한 도 4에 따른 제조장비를 준비하고, 상기 제조장비의 기판 홀딩부(30)에 반도체 기판(S)을 홀딩시키되 상기 반사방지층(300)이 상기 전극물질 적층부(20)와 마주하도록 반도체 기판(S)을 홀딩시키고, 가열수단(22)을 통해 상기 전면전극물질을 기화시켜 기화된 전면전극물질이 상기 반사방지층(300) 상으로 이동하여 적층되도록 한다.
이때, 상기 전극물질 적층부(20)는 제1구조물(26) 및 제2구조물(27)을 구비 함으로써, 기화된 전면전극물질이 상기 반도체 기판(S)의 반사방지층(300) 이외의 영역으로 이동하는 것이 차단되도록 할 수 있다.
또한, 상기 기판 홀딩부(30)는 기판(S)의 소정 영역을 마스킹할 수 있도록 패턴 형성된 마스크(31)를 구비함으로써, 적층되는 전면전극물질이 상기 반사방지층(300) 상에 소정의 패턴으로 적층되도록 한다.
다음, 도 5e에서 알 수 있듯이, 상기 P형 반도체층(100)의 하면에 후면전극물질(600a)을 적층한 후, 열처리공정을 수행하여 전면전극(500) 및 후면전극(600)을 완성한다.
상기 후면전극물질(600a)을 적층하는 공정은 Al과 같은 후면전극물질(600a)을 기화시켜 상기 P형 반도체층(100) 상에 적층하는 공정으로 이루어지는데, 이와 같은 후면전극물질(600a)의 적층 공정은 전술한 도 3 또는 도 4에 따른 제조장비를 이용하여 수행한다. 구체적으로 설명하면, 전극물질(21)이 후면전극물질로 구성된 전극물질 적층부(20)를 구비한 도 3에 따른 제조장비, 또는 제2전극물질(21b)이 후면전극물질로 구성된 전극물질 적층부(20)를 구비한 도 4에 따른 제조장비를 준비하고, 상기 제조장비의 기판 홀딩부(30)에 반도체 기판(S)을 홀딩시키되 상기 P형 반도체층(100)이 상기 전극물질 적층부(20)와 마주하도록 반도체 기판(S)을 홀딩시키고, 가열수단(22)을 통해 상기 후면전극물질을 기화시켜 기화된 후면전극물질이 상기 P형 반도체층(100) 상으로 이동하여 적층되도록 한다.
이때, 상기 전극물질 적층부(20)는 제1구조물(26) 및 제2구조물(27)을 구비함으로써, 기화된 후면전극물질이 상기 반도체 기판(S)의 P형 반도체층(100) 이외 의 영역으로 이동하는 것이 차단되도록 할 수 있다.
상기 열처리공정은 적층된 전면전극물질(500a) 및 후면전극물질(600)을 가열함으로써, N형 반도체층(200)과 전기적으로 연결되는 전면전극(500) 및 P형 반도체층(100)과 전기적으로 연결되는 후면전극(600)을 완성하는 공정이다. 즉, 열처리를 수행하면, 상기 전면전극물질(500a) 물질이 상기 반사방지층(300)을 뚫고 상기 N형 반도체층(200)까지 침투하여, N형 반도체층(200)과 연결되는 전면전극(500)이 완성되고, 또한, 상기 후면전극물질(600a)이 상기 P형 반도체층(100)의 하면으로 침투하여 P+형 반도체층(400)이 형성되어 P+형 반도체층(400)을 통해 P형 반도체층(100)과 전기적으로 연결되는 후면전극(600)이 완성된다.
이와 같은 열처리공정은 도 3 또는 도 4에 따른 제조장비를 이용하여 수행하며, 구체적으로 설명하면, 기판 홀딩부(30)에 전면전극물질(500a) 및 후면전극물질(600a)이 적층된 반도체 기판(S)을 홀딩한 상태에서, 열처리부(400)를 구성하는 램프 히터를 작동시켜 상기 전면전극물질(500a) 및 후면전극물질(600a)을 가열한다.
상기 열처리공정은 상기 후면전극물질(600a)의 적층 공정과 동일한 제조장비 내에서 시간차를 두지 않고 연속공정으로 수행할 수 있다. 즉, 도 3 또는 도 4에 따른 제조장비의 기판 홀딩부(30)에 반도체 기판(S)을 홀딩시킨 상태에서, 가열수단(22)을 작동시켜 후면전극물질을 기화시킴과 동시에 열처리부(400)를 구성하는 램프 히터를 작동시킴으로써, 후면전극물질이 상기 P형 반도체층(100) 상으로 이동 하여 적층됨과 동시에 바로 열처리공정이 진행되어 전면전극(500)과 후면전극(600)이 완성되게 된다.
한편, 전술한 바와 같이, 도 5d 공정에서 반사방지층(300)의 상면에 전면전극물질(500a)을 적층하고 도 5e 공정에서 P형 반도체층(100)의 하면에 후면전극물질(600a)을 적층한 후 이어서 열처리공정을 수행하여 전면전극(500) 및 후면전극(600)을 완성할 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 도 5d 공정에서 P형 반도체층(100)의 하면에 후면전극물질(600a)을 적층하고 도 5e 공정에서 반사방지층(300)의 상면에 전면전극물질(500a)을 적층하고 이어서 열처리공정을 수행하여 전면전극(500) 및 후면전극(600)을 완성할 수도 있다.
이상까지는, P형 반도체기판을 베이스로 하여 P형 반도체기판에 N형 도펀트를 도핑시켜 PN접합구조를 형성한 후, 전면전극 및 후면전극 등을 완성하여 기판형 태양전지를 제조하는 방법에 대해서 설명하였는데, 본 발명의 기술적 사상이 적용되는 범위 내에서, 본 발명은 N형 반도체기판을 베이스로 하여 N형 반도체기판에 P형 도펀트를 도핑시켜 PN접합구조를 형성한 후, 전면전극 및 후면전극 등을 완성하여 기판형 태양전지를 제조하는 방법도 포함한다.
도 1은 종래의 기판형 태양전지의 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 종래의 기판형 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조장비의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조장비의 개략도이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판형 태양전지의 제조공정을 보여주는 공정 단면도이다.
<도면의 주요부에 대한 부호의 설명>
10: 챔버 20: 전극물질 적층부
30: 기판 홀딩부 40: 열처리부
100: P형 반도체층 200: N형 반도체층
300: 반사방지층 400: P+형 반도체층
500: 전면전극 600: 후면전극

Claims (22)

  1. 전극물질 및 상기 전극물질을 기화시키기 위한 가열수단을 포함하여 이루어진, 기판에 전극물질을 적층하기 위한 전극물질 적층부:
    적어도 하나의 기판을 홀딩하기 위한 기판 홀딩부;
    기판에 적층된 전극물질을 열처리하기 위한 열처리부; 및
    상기 전극물질 적층부, 기판 홀딩부, 및 열처리부를 수용하는 챔버를 포함하여 이루어진 기판형 태양전지 제조장비.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극물질은 상기 가열수단과 접촉하도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전극물질은 상기 가열수단을 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전극물질은 상기 가열수단을 둘러싸고 있는 제1전극물질 및 상기 제1전극물질 위에 형성된 제2전극물질로 이루어지고, 상기 제1전극물질과 상기 제2전극 물질 사이에는 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전극물질 적층부는 상기 전극물질의 하측에 형성된 제1구조물을 추가로 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 전극물질 적층부는 상기 전극물질의 좌우측에 형성된 제2구조물을 추가로 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 전극물질 및 가열수단은 지지체에 의해 지지되어 있고, 상기 가열수단은 전원선에 의해 전원과 연결되어 있으며, 상기 지지체는 상기 전원선의 적어도 일부를 둘러싸고 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 홀딩부는 기판을 고정하면서 기판의 소정영역을 마스킹할 수 있는 마스크 및 상기 마스크를 지지하면서 상기 챔버에 고정되어 있는 고정부를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 열처리부는 복수 개의 램프 히터로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판 홀딩부는 상기 전극물질 적층부 위에 형성되어 있고, 상기 열처리부는 상기 기판 홀딩부 위에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지 제조장비.
  11. 반도체 기판의 상부에 도펀트를 도핑시켜, P형 반도체층 및 N형 반도체층으로 이루어진 PN접합구조의 반도체 기판을 형성하는 공정;
    상기 반도체 기판 상에 반사방지층을 형성하는 공정; 및
    상기 P형 반도체층 또는 N형 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고,
    상기 전극을 형성하는 공정은 소정의 전극물질을 기화시켜 상기 반도체 기판의 일면에 전극물질을 적층하는 공정, 및 상기 적층된 전극물질을 열처리하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 전극물질을 적층하는 공정 및 상기 적층된 전극물질을 열처리하는 공정 은 동일한 챔버 내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 전극물질을 적층하는 공정은 챔버 내에 위치한 전극물질을 가열수단을 이용하여 기화시켜 상기 반도체 기판의 일면으로 이동시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 전극물질을 적층하는 공정은 상기 기화시킨 전극물질이 상기 반도체 기판의 일면 이외의 방향으로 이동하는 것을 차단한 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 전극물질을 적층하는 공정은 상기 반도체 기판의 소정 영역을 마스킹한 상태에서 수행함으로써 상기 반도체 기판의 일면에 소정 패턴으로 전극물질을 적층하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 적층된 전극물질을 열처리하는 공정은 챔버 내에 위치한 램프 히터를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 PN접합구조의 반도체 기판을 형성하는 공정은 P형 반도체 기판의 상부에 N형 도펀트를 도핑시키는 공정으로 이루어지고,
    상기 반사방지층을 형성하는 공정은 상기 N형 반도체층 상에 반사방지층을 형성하는 공정으로 이루어지고, 그리고,
    상기 전극을 형성하는 공정은 전면전극물질을 기화시켜 상기 반사방지층 상에 전면전극물질을 적층하는 공정, 후면전극물질을 기화시켜 상기 P형 반도체층 상에 후면전극물질을 적층하는 공정, 및 상기 전면전극물질과 후면전극물질을 열처리하여 상기 N형 반도체층과 전기적으로 연결되는 전면전극 및 상기 P형 반도체층과 전기적으로 연결되는 후면전극을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 후면전극물질을 적층하는 공정, 및 상기 전면전극물질과 후면전극물질을 열처리하는 공정은 동일한 챔버 내에서 연속공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  19. P형 반도체층, N형 반도체층, 및 반사방지층을 구비한 반도체 기판을 준비하는 공정;
    전극물질 및 상기 전극물질을 기화시키기 위한 가열수단을 포함하여 이루어진 전극물질 적층부, 적어도 하나의 기판을 홀딩하기 위한 기판 홀딩부, 기판에 적층된 전극물질을 열처리하기 위한 열처리부, 및 상기 전극물질 적층부, 기판 홀딩부 및 열처리부를 수용하는 챔버를 포함하여 이루어진 장비를 준비하는 공정;
    상기 기판 홀딩부에 상기 반도체 기판을 홀딩시키는 공정;
    상기 가열수단을 통해 상기 전극물질을 기화시켜 상기 홀딩된 반도체 기판의 일면에 전극물질을 적층하는 공정; 및
    상기 열처리부를 통해 적층된 전극물질을 열처리하여 상기 반도체 기판의 일면에 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 기판형 태양전지의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 반도체 기판을 홀딩시키는 공정은 상기 기판 홀딩부에 복수 개의 반도체 기판을 홀딩시키는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 전극을 형성하는 공정은 상기 N형 반도체층과 전기적으로 연결되는 전면전극 및 상기 P형 반도체층과 전기적으로 연결되는 후면전극을 형성하는 공정으로 이루어지고,
    상기 전면전극 및 후면전극을 형성하는 공정은
    상기 N형 반도체층 상에 형성된 반사방지층을 전면전극물질을 포함하는 전극물질 적층부와 마주시킨 상태에서 상기 가열수단을 통해 전면전극물질을 기화시켜 상기 반사방지층 상에 전면전극물질을 적층하는 공정;
    상기 P형 반도체층을 후면전극물질을 포함하는 전극물질 적층부와 마주시킨 상태에서 상기 가열수단을 통해 후면전극물질을 기화시켜 상기 P형 반도체층 상에 후면전극물질을 적층하는 공정; 및
    상기 열처리부를 통해 적층된 전면전극물질 및 후면전극물질을 동시에 열처리하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 장비는 상기 제2항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 제조장비인 것을 특징으로 하는 기판형 태양전지의 제조방법.
KR1020080051043A 2008-05-30 2008-05-30 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법 KR20090124689A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080051043A KR20090124689A (ko) 2008-05-30 2008-05-30 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080051043A KR20090124689A (ko) 2008-05-30 2008-05-30 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090124689A true KR20090124689A (ko) 2009-12-03

Family

ID=41686589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080051043A KR20090124689A (ko) 2008-05-30 2008-05-30 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090124689A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130130492A (ko) * 2012-05-22 2013-12-02 주성엔지니어링(주) 기판형 태양 전지 및 그의 제조 방법, 기판형 태양 전지의 도핑 방법 및 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130130492A (ko) * 2012-05-22 2013-12-02 주성엔지니어링(주) 기판형 태양 전지 및 그의 제조 방법, 기판형 태양 전지의 도핑 방법 및 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10629760B2 (en) Method of fabricating an emitter region of a solar cell
JP5153939B2 (ja) 太陽電池素子、分割太陽電池素子、太陽電池モジュールおよび電子機器
CN101567408B (zh) 光电转换装置的制造方法
TW200903820A (en) Method, apparatus and system of manufacturing solar cell
EP2810303A2 (en) Method for forming a solar cell with a selective emitter
US20170133545A1 (en) Passivated contacts for photovoltaic cells
JP2017511593A (ja) トレンチのないエミッタ領域を有する太陽電池
JP2017506826A (ja) ソーラーセル及びその製造方法
KR20090028883A (ko) 태양전지 및 그 제조방법
JP5018688B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
KR101444709B1 (ko) 기판형 태양전지 및 그 제조방법
TW201533921A (zh) 具有磊晶射極之矽太陽能電池
KR20100004193A (ko) 기판형 태양전지의 제조방법
CN111627927A (zh) 一种阵列基板及其制作方法
KR101555955B1 (ko) 기판형 태양전지의 제조방법
KR20090124689A (ko) 기판형 태양전지의 제조장비 및 제조방법
JP7492087B2 (ja) バックコンタクト型太陽電池及びその製造
US20220173264A1 (en) Method for producing back contact solar cell
KR101415320B1 (ko) 기판형 태양전지의 제조방법
US20120295391A1 (en) Method of manufacturing a solar cell
KR101352034B1 (ko) 결정질 실리콘 태양전지와 그 제조방법 및 제조시스템
KR101249030B1 (ko) 태양전지 및 그 제조방법
JP2014229850A (ja) 太陽電池の製造方法
KR102432550B1 (ko) 태양전지의 제조 방법 및 제조 시스템
KR20120106267A (ko) 기판형 태양전지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination