KR20090122833A - 발광다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents

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발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드는 발광구조체를 구비한다. 상기 발광구조체는 차례로 위치하는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비한다. 상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 절연 보호층이 위치한다. 상기 절연 보호층은 상기 발광구조체의 하부면을 노출시킨다. 베이스 기판이 제거됨으로써, 발광다이오드의 두께를 줄일 수 있을 뿐 아니라 열방출 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 절연 보호층은 봉지재로서의 역할을 수행할 수도 있으므로 추가적인 봉지 공정을 생략할 수 있다.

Description

발광다이오드 및 그의 제조방법{Light emitting diode and method for fabricating the same}
본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 기판이 제거된 발광다이오드에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 소자로서, 디스플레이 소자의 광원으로 주로 이용되고 있다. 이러한 발광다이오드는 기존의 광원에 비해 극소형이며, 소비전력이 적고, 수명이 길며, 반응속도가 빠른 등 매우 우수한 특성을 나타낸다. 이와 더불어서, 자외선과 같은 유해파를 방출하지 않으며, 수은 및 기타 방전용 가스를 사용하지 않으므로 환경 친화적이다.
이러한 발광다이오드는 기판 상에 반도체층들인 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층을 형성하여 제조하는 것이 일반적이다. 소자 동작과정에서는 상기 n형 클래드층과 상기 p형 클래드층으로부터 상기 활성층으로 전자와 정공이 각각 공급되고, 상기 활성층 내에서 전자와 정공이 엑시톤(exciton)을 형성하고, 상기 엑시톤이 여기상태에서 바닥상태로 전이하면서 빛이 발생된다. 이러한 소자 동작과 정에서 발생한 열은 적절히 방출되지 않으면 소자를 열화시킬 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소자 동작시 발생되는 열을 적절히 제거할 수 있는 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 발광다이오드를 제공한다. 상기 발광다이오드는 발광구조체를 구비한다. 상기 발광구조체는 차례로 위치하는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비한다. 상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 절연 보호층이 위치한다. 상기 절연 보호층은 상기 발광구조체의 하부면을 노출시킨다.
상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하는 제1 전극 및 제2 전극이 제공될 수 있다. 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 연장되어 상기 발광구조체의 하부면과 동일면 내에 노출될 수 있다.
상기 절연 보호층은 형광체를 함유할 수 있다.
상기 절연 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, PI(Poly Imide)막, 실리콘 고분자(silicone polymer)막, 및 에폭시 수지(epoxy resin)막을 구비하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 막을 구비할 수 있다.
상기 절연보호층은 그의 표면 내에 요철구조를 구비할 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 발광다이오드 제조방법을 제공한다. 먼저, 베이스 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광구조체를 형성한다. 상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 절연 보호층을 형성한다. 상기 절연 보호층을 형성한 후, 상기 베이스 기판을 제거한다.
상기 절연 보호층을 형성하기 전에, 상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하고, 상기 베이스 기판 상으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극을 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 첫째로 베이스 기판을 제거함으로써, 발광다이오드의 두께를 줄일 수 있을 뿐 아니라 열방출 효율을 향상시킬 수 있다.
둘째로, 상기 베이스 기판을 제거하기 전에 발광구조체의 지지체로서 절연 보호층을 형성하는데, 상기 절연 보호층은 봉지재로서의 역할을 수행할 수도 있으므로 추가적인 봉지 공정을 생략할 수 있다.
셋째로, 상기 절연 보호층의 표면 내에 요철구조를 형성함으로써, 외부광자효율을 향상시킬 수 있다.
넷째로, 상기 절연 보호층은 형광체를 함유할 수 있으므로, 백색발광다이오드를 용이하게 형성할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 또한, "상부"와 "하부"는 상대적인 개념이며, 경우에 따라서는 서로 바뀔 수도 있다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 1a을 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 제1 클래드층(21)을 형성한다. 상기 베이스 기판(10)은 Al2O3(사파이어), SiC, ZnO, Si, GaAs, LiAl2O3, InP, BN, AlN 또는 GaN 기판일 수 있다. 바람직하게는 상기 베이스 기판(10)은 Al2O3 기판일 수 있다.
상기 제1 클래드층(21)은 버퍼층(21a) 및 제1형 반도체층(21a)을 구비할 수 있다. 상기 버퍼층(21)은 상기 베이스 기판(10)과 상기 제1형 반도체층(21a) 사이의 격자부정합을 최소화시킬 수 있는 층으로, GaN층, AlN층 또는 이들의 복합층일 수 있다. 상기 제1형 반도체층(21a)은 제1형 불순물 예를 들어, n형 불순물이 주입된 질화물계 반도체층일 수 있다. 상기 n형 질화물계 반도체층은 GaN층 또는 AlxGa(1-x)N(0≤x≤1)층일 수 있다.
상기 제1 클래드층(21) 상에 활성층(25)을 형성할 수 있다. 상기 활성층(25)은 양자점 구조 또는 다중양자우물 구조(Multi Quantum Well Structure)를 가질 수 있다. 상기 활성층(25)이 다중양자우물 구조를 갖는 경우에, 상기 활성층(25)은 우물층으로서 InGaN층과 장벽층인 GaN층의 다중 구조를 가질 수 있다.
상기 활성층(25) 상에 제2 클래드층(27)을 형성할 수 있다. 상기 제2 클래드층(27)은 제2형 불순물 예를 들어, p형 불순물이 주입된 질화물계 반도체층일 수 있다. 상기 p형 질화물계 반도체층은 GaN층 또는 AlxGa(1-x)N(0≤x≤1)층일 수 있다.
상기 제1 클래드층(21), 상기 활성층(25) 및 상기 제2 클래드층(27)은 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 기술 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 기술을 사용하여 형성할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 상기 제2 클래드층(27), 상기 활성층(25) 및 상기 제1 클래드층(21)을 차례로 패터닝하여, 발광구조체들(S)을 형성한다.
도 1c를 참조하면, 상기 제2 클래드층(27) 및 상기 활성층(25)의 일부를 식각하여 상기 제1 클래드층(21)의 일부를 노출시킨다. 이 때, 상기 제1 클래드층(21)의 상부 일부 또한 식각될 수도 있다. 이에 따라, 각 발광 구조체(S)는 차례로 적층된 상기 제1 클래드층(21), 상기 활성층(25) 및 상기 제2 클래드층(27)을 구비하되, 상기 활성층(25) 및 상기 제2 클래드층(27)의 일측에는 상기 제1 클래드층(21)이 노출될 수 있다.
그 후, 상기 제2 클래드층(27) 및 상기 노출된 제1 클래드층(21)을 덮는 스페이서 절연막(30)을 형성할 수 있다.
도 1d를 참조하면, 상기 스페이서 절연막(30)을 비등방성 식각(anisotropic etch)하여, 상기 제1 클래드층(21), 상기 활성층(25) 및 상기 제2 클래드층(27)의 측벽을 덮는 절연 스페이서(31)를 형성할 수 있다.
이 후, 상기 제2 클래드층(27) 상에 전류 스프레딩층(41)을 형성할 수 있다. 상기 전류 스프레딩층(41)은 투명 도전막 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)막, ZnO막 또는 MgO막일 수 있다. 상기 전류 스프레딩층(41)은 상기 제2 클래드층(27)과 상기 투명 도전막 사이에 오믹콘택층을 더 포함할 수 있다. 상기 오믹콘택층은 Cu, Zn 또는 Mg를 함유하는 인듐산화막일 수 있다. 나아가, 상기 제2 클래드층(27)을 통해 광이 방출되지 않는 경우 즉, 상기 제1 클래드층(21)을 통해 광이 방출되는 경우에, 상기 전류 스프레딩층(41)은 상기 투명 도전막 상에 광반사층을 더 포함할 수 있다. 상기 광반사층은 Al, Ag, Rh, Ru Pt 또는 Pd를 함유하는 층일 수 있다.
도 1e를 참조하면, 상기 노출된 제1 클래드층(21)의 상부면 및 상기 전류 스프레딩층(41) 상에 각각 전기적으로 접속하는 제1 전극(45) 및 제2 전극(43)을 형성한다. 상기 제2 전극(43)은 상기 전류 스프레딩층(41)을 통해 상기 제2 클래드층(27)에 전기적으로 접속할 수 있다. 상기 제1 전극(45) 및 상기 제2 전극(43)은Al 및/또는 Ag을 함유할 수 있다.
상기 제1 전극(45)은 상기 베이스 기판(10) 상으로 연장될 수 있다. 상기 제2 전극(43) 또한 상기 베이스 기판(10) 상으로 연장될 수 있다. 상기 제1 전극(45) 및 상기 제2 전극(43)이 상기 베이스 기판 (10) 상으로 연장된 부분들은 다른 외부 소자와의 연결전극들의 역할을 할 수 있다.
이 때, 상기 제2 전극(43)은 상기 절연 스페이서(31)에 의해 상기 활성층(25) 및 상기 제1 클래드층(21)과 서로 절연될 수 있다.
도 1f를 참조하면, 상기 전극들(43, 43)이 형성된 베이스 기판(10) 상에 절연 보호층(55)을 형성한다. 상기 절연 보호층(55)은 지지체로서의 역할을 할 뿐 아니라, 상기 발광구조체(S) 및 상기 전극들(43, 45)을 봉지하는 역할을 할 수 있다. 따라서, 추가적인 봉지 과정을 생략할 수 있다. 이와 더불어서, 상기 절연 보호층(55)은 형광체(phosphor)를 함유할 수 있다.
상기 절연 보호층(55)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, PI(Poly Imide)막, 실리콘 고분자(silicone polymer)막, 또는 에폭시 수지(epoxy resin)막일 수 있다. 일 예로서, 상기 절연 보호층(55)은 차례로 적층된 패시베이션층(55_1)과 봉지층(55_2)을 구비할 수 있다. 상기 패시베이션층(55_1)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, 또는 PI(Poly Imide)막일 수 있고, 상기 봉지층(55_2)은 실리콘 고분자(silicone polymer)막, 또는 에폭시 수지(epoxy resin)막일 수 있다.
상기 절연 보호층(55)의 상부면 내에 요철구조(55a)를 형성할 수 있다. 상 기 요철구조(55a)는 주기성을 갖도록 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 상기 요철구조(55a)는 불규칙한 거칠기부여법(random roughening)에 의해 형성될 수도 있다. 이로 인해, 상기 활성층(25)에서 방출된 광이 상기 절연 보호층(55)을 통해 출사되는 경우에, 외부광자효율을 향상시킬 수 있다.
이어서, 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO), 화학적 리프트 오프(Chemical Lift-Off; CLO), 화학적 식각 , 그라운딩/랩핑 등의 기계적 연마 또는 화학기계적 연마법을 사용하여 상기 베이스 기판(10)을 제거할 수 있다. 일 예로서, 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO)법을 사용하는 경우에는 상기 베이스 기판(10) 하부에 레이저(L)를 조사할 수 있다. 상기 레이저(L)의 조사에 의해 상기 제1 클래드층(21)의 하부 일부 예를 들어, 버퍼층(21a)은 분해되고, 이에 따라 상기 베이스 기판(10)을 분리할 수 있다.
도 1g를 참조하면, 상기 베이스 기판(10)이 분리됨에 따라, 상기 각 발광구조체(S)의 하부면 즉, 상기 제1 클래드층(21)의 하부면이 노출된다. 부연하면, 상기 절연 보호층(55)은 상기 발광구조체(S)의 상부 및 측벽 상에 위치하고, 상기 발광구조체(S)의 하부면을 노출시킬 수 있다. 또한, 제1 전극 및 제2 전극의 연장된 부분들은 상기 발광구조체(S)의 하부면의 양측에 노출될 수 있다.
도 1h를 참조하면, 상기 발광구조체들(S) 사이의 절연 보호층(55)을 절단하여, 서로 분리된 단위 발광다이오드들(UC1)을 형성한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 발광다이오드를 나타낸 레이아웃도 이다. 도 1h에 도시된 단위 발광다이오드의 단면은 도 2의 절단선 I-I'를 따라 취해진 단면에 대응한다.
도 1h 및 도 2를 참조하면, 단위 발광다이오드(UC1)는 차례로 적층된 제1 클래드층(21), 활성층(25) 및 제2 클래드층(27)을 구비하는 발광구조체(S)를 포함한다. 상기 제2 클래드층(27) 및 상기 활성층(25)의 주변에는 상기 제1 클래드층(21)의 일부가 노출될 수 있다.
상기 발광구조체(S)의 상부 및 측벽 상에 절연 보호층(55)이 위치한다. 상기 절연 보호층(55)은 상기 발광구조체(S)의 하부면 즉, 상기 제1 클래드층(21)의 하부면을 노출시킬 수 있다. 상기 절연 보호층(55)은 지지체로서의 역할을 할 수 있을 뿐 아니라, 상기 발광구조체(S) 및 상기 전극들(43, 45)을 봉지하는 역할을 할 수 있다. 상기 절연 보호층(55)은 차례로 적층된 패시베이션층(55_1)과 봉지층(55_2)을 구비할 수 있다. 상기 절연 보호층(55)의 상부면 내에 요철구조(55a)를 형성할 수 있다. 그러나, 상기 요철구조(55a)는 상기 활성층(25)에서 방출된 광이 상기 제1 클래드층(21)을 통해 출사되는 경우에는 생략될 수도 있다.
상기 제1 클래드층(21) 및 상기 제2 클래드층(27) 상에 제1 전극(45) 및 제2 전극(43)이 각각 전기적으로 접속할 수 있다. 상기 제2 클래드층(27) 상에 전류 스프레딩층(41)이 형성된 경우에, 상기 제2 전극(43)은 상기 전류 스프레딩층(41)을 통해 상기 제2 클래드층(27)에 전기적으로 접속할 수 있다.
상기 제1 전극(45) 및 상기 제2 전극(43)은 상기 발광구조체(S)의 측벽들을 따라 각각 연장된 후, 상기 발광구조체(S)에서 멀어지는 방향으로 각각 연장될 수 있다. 다시 말해서, 상기 제1 전극(45) 및 상기 제2 전극(43)은 상기 절연 보호층(55)의 하부로 각각 연장될 수 있다. 그 결과, 상기 제1 전극(45) 및 제2 전극(43)의 연장된 부분들은 상기 발광구조체(S)의 하부면의 양측에 노출될 수 있다. 이 때, 상기 제2 전극(43)은 절연 스페이서(31)에 의해 상기 활성층(25) 및 상기 제1 클래드층(21)과 서로 절연될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 베이스 보드(100) 상에 위치한 한 쌍의 본딩 패드들(101) 및 절연 코팅층(102)을 구비하는 회로 보드(CB) 상에 발광다이오드(UC1)가 배치된다. 상기 발광다이오드(UC1)는 도 2 및 도 1h를 참조하여 설명한 발광다이오드일 수 있다. 상기 본딩 패드들(101)과 상기 발광다이오드(UC1)의 하부면에 노출된 전극들(43, 45)은 도전성 볼들(130)에 의해 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 베이스 보드(100) 상에 위치한 한 쌍의 본딩 패드들(101) 및 절연 코팅층(102)을 구비하는 회로 보드(CB) 상에 발광다이오드(UC1)가 플립되어 배치된다. 상기 발광다이오드(UC1)는 도 2 및 도 1h를 참조하여 설명한 발광다이오드일 수 있다. 다만, 상기 발광다이오드(UC1)는 절연 보호층(55) 내에 요철구조가 형성되지 않을 수 있다.
상기 본딩 패드들(101)과 상기 발광다이오드(UC)의 하부면 내에 노출된 전극 들(43, 45)은 도전성 와이어들(135)에 의해 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다. 본 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법은 후술하는 것을 제외하고는 도 1a 내지 도 1h를 참조하여 설명한 발광다이오드의 제조방법과 유사할 수 있다.
도 5a을 참조하면, 베이스 기판(10) 상에 발광구조체(S)를 형성한다. 상기 발광구조체(S)는 차례로 적층된 제1 클래드층(21), 활성층(25) 및 제2 클래드층(27)을 구비하며, 상기 제2 클래드층(27) 및 상기 활성층(25)의 주변에는 상기 제1 클래드층(21)의 일부가 노출될 수 있다. 상기 제1 클래드층(21)은 버퍼층(21a) 및 제1형 반도체층(21b)를 구비할 수 있다. 상기 제2 클래드층(27)은 제2형 반도체층일 수 있다.
이 후, 상기 제1 클래드층(21), 상기 활성층(25) 및 상기 제2 클래드층(27)의 측벽을 덮는 절연 스페이서(31)를 형성할 수 있다. 이 후, 상기 제2 클래드층(27) 상에 전류 스프레딩층(41)을 형성할 수 있다.
상기 노출된 제1 클래드층(21)의 상부면 및 상기 전류 스프레딩층(41) 상에 각각 접속하는 제1 전극(45) 및 제2 전극(43)을 형성할 수 있다. 상기 제2 전극(43)은 상기 전류 스프레딩층(41)을 통해 상기 제2 클래드층(27)에 전기적으로 접속할 수 있다.
상기 전극들(43, 43)이 형성된 베이스 기판(10) 상에 절연 보호층(55)을 형 성할 수 있다. 상기 절연 보호층(55)은 차례로 적층된 패시베이션층(55_1)과 봉지층(55_2)을 구비할 수 있다. 상기 절연 보호층(55)의 상부면 내에 요철구조(55a)를 형성할 수 있다. 상기 요철구조(55a)는 상기 활성층(25)에서 방출된 광이 상기 제1 클래드층(21)을 통해 출사되는 경우에는 생략될 수 있다.
이 후, 상기 절연 보호층(55) 내에 상기 전극들(43,45)이 상기 베이스 기판(10) 상으로 연장된 부분을 노출시키는 개구부(55b)를 형성할 수 있다.
이어서, 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO), 화학적 리프트 오프(Chemical Lift-Off; CLO), 화학적 식각 , 그라운딩/랩핑 등의 기계적 연마 또는 화학기계적 연마법을 사용하여 상기 베이스 기판(10)을 제거할 수 있다. 일 예로서, 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO)법을 사용하는 경우에는 상기 베이스 기판(10) 하부에 레이저(L)를 조사할 수 있다. 상기 레이저(L)의 조사에 의해 상기 제1 클래드층(21)의 하부 일부 예를 들어, 버퍼층(21a)은 분해되고, 이에 따라 상기 베이스 기판(10)은 분리될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 발광구조체들(S) 사이의 절연 보호층(55)을 소잉하여, 서로 분리된 단위발광다이오드들(UC2)을 형성한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 발광다이오드(UC2)를 나타낸 레이아웃도이다. 도 5b에 도시된 단위 발광다이오드의 단면은 도 6의 절단선 I-I'를 따라 취해진 단면에 대응한다. 본 실시예에 따른 단위 발광다이오드는 후술하는 것을 제외하고는 도 2를 참조하여 설명한 단위 발광다이오드와 유사할 수 있다.
도 5b 및 도 6을 참조하면, 절연 보호층(55)은 상기 전극들(43,45)이 상기 발광구조체(S)에서 멀어지는 방향으로 각각 연장된 부분들을 노출시키는 개구부들(55b)을 포함할 수 있다.
도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 7을 참조하면, 베이스 보드(100) 상에 위치한 한 쌍의 본딩 패드들(101) 및 절연 코팅층(102)을 구비하는 회로 보드(CB) 상에 발광다이오드(UC2)가 배치된다. 상기 발광다이오드(UC2)는 도 6 및 도 5b를 참조하여 설명한 발광다이오드일 수 있다. 상기 본딩 패드들(101)은 도전성 와이어들(135)에 의해 상기 발광다이오드(UC2)의 절연 보호층(55)의 개구부들(55b) 내에 노출된 전극들(43, 45)에 각각 접속할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 실장형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 8을 참조하면, 베이스 보드(100) 상에 위치한 한 쌍의 본딩 패드들(101) 및 절연 코팅층(102)을 구비하는 회로 보드(CB) 상에 발광다이오드(UC2)가 플립되어 배치된다. 상기 발광다이오드(UC2)는 도 6 및 도 5b를 참조하여 설명한 발광다이오드일 수 있다. 다만, 상기 발광다이오드(UC2)에는 절연 보호층(55) 내에 요철구조가 형성되지 않을 수 있다. 상기 본딩 패드들(101)은 도전성 볼들(130)에 의해 상기 발광다이오드(UC2)의 절연 보호층(55)의 개구부들(55b) 내에 노출된 전극들(43, 45)에 각각 접속할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 발광다이오드를 나타낸 레이아웃도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 발광다이오드(UC2)를 나타낸 레이아웃도이다.
도 7는 본 발명의 다른 실시예에 따른 와이어 본딩형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 실장형 발광다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.

Claims (11)

  1. 차례로 위치하는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광구조체; 및
    상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 위치하고, 상기 발광구조체의 하부면을 노출시키는 절연 보호층을 포함하는 발광다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하되, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 연장되어 상기 발광구조체의 하부면의 양측에 노출된 발광다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연 보호층은 형광체를 함유하는 발광다이오드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 절연 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, PI(Poly Imide)막, 실리콘 고분자(silicone polymer)막, 및 에폭시 수지(epoxy resin)막을 구비하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 막을 구비하는 발광다이오드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 절연 보호층은 상기 발광구조체에 인접하여 적층된 패시베이션층 및 상기 패시베이션층 상에 위치하는 봉지층을 구비하는 발광다이오드.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, 또는 PI(Poly Imide)막인 발광다이오드.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 봉지층은 실리콘 고분자(silicone polymer)막, 또는 에폭시 수지(epoxy resin)막인 발광다이오드.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 절연보호층은 그의 표면 내에 요철구조를 구비하는 발광다이오드.
  9. 베이스 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광구조체를 형성하는 단계;
    상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 절연 보호층을 형성하는 단계; 및
    상기 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 절연 보호층을 형성하기 전에,
    상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하고, 상기 베이스 기판 상으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 절연보호층의 표면 내에 요철구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법.
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