KR20090122833A - 발광다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 차례로 위치하는 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광구조체; 및상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 위치하고, 상기 발광구조체의 하부면을 노출시키는 절연 보호층을 포함하는 발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하는 제1 전극 및 제2 전극을 더 포함하되, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 연장되어 상기 발광구조체의 하부면의 양측에 노출된 발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 절연 보호층은 형광체를 함유하는 발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 절연 보호층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, PI(Poly Imide)막, 실리콘 고분자(silicone polymer)막, 및 에폭시 수지(epoxy resin)막을 구비하는 군에서 선택되는 적어도 하나의 막을 구비하는 발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 절연 보호층은 상기 발광구조체에 인접하여 적층된 패시베이션층 및 상기 패시베이션층 상에 위치하는 봉지층을 구비하는 발광다이오드.
- 제5항에 있어서,상기 패시베이션층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, BPSG(Boro-phospho Silicate Glass)막, SOG(Spin On Glass)막, BCB(BenzoCycloButene)막, 또는 PI(Poly Imide)막인 발광다이오드.
- 제5항에 있어서,상기 봉지층은 실리콘 고분자(silicone polymer)막, 또는 에폭시 수지(epoxy resin)막인 발광다이오드.
- 제1항에 있어서,상기 절연보호층은 그의 표면 내에 요철구조를 구비하는 발광다이오드.
- 베이스 기판 상에 제1 클래드층, 활성층 및 제2 클래드층을 구비하는 발광구조체를 형성하는 단계;상기 발광구조체의 상부 및 측벽 상에 절연 보호층을 형성하는 단계; 및상기 베이스 기판을 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 절연 보호층을 형성하기 전에,상기 제1 클래드층 및 상기 제2 클래드층에 각각 전기적으로 접속하고, 상기 베이스 기판 상으로 연장된 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 절연보호층의 표면 내에 요철구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법.
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