KR20090120913A - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR20090120913A KR1020080046965A KR20080046965A KR20090120913A KR 20090120913 A KR20090120913 A KR 20090120913A KR 1020080046965 A KR1020080046965 A KR 1020080046965A KR 20080046965 A KR20080046965 A KR 20080046965A KR 20090120913 A KR20090120913 A KR 20090120913A
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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display and a manufacturing method thereof for improving aperture ratio are provided to implement a common electrode function and a repair function by a connection pattern with a repair function. CONSTITUTION: A pixel electrode(23) is connected to a TFT(Thin Film Transistor). A common electrode is arranged to the pixel electrode. Common lines are connected to the common electrode. The common line is arranged to be contiguous to the gate line and the data line. A connection pattern(29) is arranged around a cross area of the data line and the gate line. The connection pattern is connected to the common electrode.

Description

액정표시장치 및 그 제조 방법{Liquid crystal display device and manufacturing method thereof}Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 액정표시장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

정보화 사회의 발달로 인해, 정보를 표시할 수 있는 표시 장치가 활발히 개발되고 있다. 표시 장치는 액정표시장치(liquid crystal display device), 유기전계발광 표시장치(organic electro-luminescence display device), 플라즈마 표시장치(plasma display panel) 및 전계 방출 표시장치(field emission display device)를 포함한다.Due to the development of the information society, display devices capable of displaying information have been actively developed. The display device includes a liquid crystal display device, an organic electro-luminescence display device, a plasma display panel, and a field emission display device.

이 중에서, 액정표시장치는 경박 단소, 저 소비 전력 및 풀 컬러 동영상 구현과 같은 장점이 있어, 모바일 폰, 네비게이션, 모니터, 텔레비전에 널리 적용되고 있다.Among these, the liquid crystal display device has advantages such as light weight, small size, low power consumption, and full color video, and is widely applied to mobile phones, navigation, monitors, and televisions.

액정표시장치는 액정 패널 상의 액정셀들의 광 투과율을 조절함으로써 비디오신호에 해당하는 영상을 표시한다. The LCD displays an image corresponding to a video signal by adjusting the light transmittance of the liquid crystal cells on the liquid crystal panel.

액정표시장치는 화소전극과 공통전극이 어레이기판에 형성되어 횡전계에 의 해 액정 분자를 변위시켜 영상을 표시하여 시야각을 향상시킬 수 있는 IPS 모드(in-plane switching mode)가 사용되고 있다.In the liquid crystal display device, an in-plane switching mode (IPS) mode is used in which a pixel electrode and a common electrode are formed on an array substrate to display an image by displacing liquid crystal molecules by a transverse electric field, thereby improving a viewing angle.

한편, 해상도를 향상시키기 위해서는 액정표시장치에 형성되는 금속 라인이나 전극의 두께와 피치(pitch)가 좁아지고 있다. 이러한 경우, 공정 중에 금속 라인 간에 쇼트나 금속 라인의 단선 등에 의한 불량이 발생되기 쉽다. On the other hand, in order to improve the resolution, the thickness and pitch of metal lines or electrodes formed in the liquid crystal display device are narrowed. In such a case, a defect is likely to occur due to a short between the metal lines or disconnection of the metal lines during the process.

이러한 문제를 해결하기 위해 리페어(repair) 기술이 이용되고 있다. Repair technology is used to solve this problem.

도 1은 종래의 액정표시장치의 리페어 구조를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a repair structure of a conventional liquid crystal display.

도 1에 도시한 바와 같이, 게이트라인과 데이터라인의 교차 영역에서 적어도 교차 영역을 초과하여 데이터라인과 오버랩되도록 리페어 패턴이 형성된다. 아울러, 교차 영역의 게이트 라인에는 게이트 홀이 적어도 교차 영역을 초과하도록 형성된다. 이러한 게이트 홀에 의해 교차 영역에서 게이트라인으로 두 영역으로 분리될 수 있다. As shown in FIG. 1, a repair pattern is formed to overlap the data line at least more than the intersection area in the intersection area of the gate line and the data line. In addition, a gate hole is formed in the gate line of the crossing region so as to at least exceed the crossing region. The gate hole may be divided into two regions from the crossing region to the gate line.

리페어 패턴은 화소에 배치된 화소전극과 동일한 물질로 형성될 수 있다.The repair pattern may be formed of the same material as the pixel electrode disposed on the pixel.

게이트라인의 두께로 인해 교차 영역에서 데이터라인이 단선될 수 있다. 이러한 경우, 레이저를 리페어 패턴의 두지점에 조사하여 데이터라인 하부에 형성된 게이트절연막을 녹여 리페어패턴이 각각 데이터라인의 두 지점과 연결되도록 한다. 이에 따라, 데이터라인이 단선되더라도 데이터라인으로 공급된 신호가 리페어패턴을 경유하여 흐를 수 있으므로, 단선 불량을 방지할 수 있다.Due to the thickness of the gate line, the data line may be disconnected at the crossing area. In this case, the laser is irradiated to two points of the repair pattern to melt the gate insulating film formed under the data line so that the repair pattern is connected to the two points of the data line, respectively. Accordingly, even when the data line is disconnected, a signal supplied to the data line may flow through the repair pattern, thereby preventing a disconnection failure.

게이트절연막의 두께로 인해 게이트라인과 데이터라인이 교차 영역에서 쇼트될 수 있다. 이러한 경우, 데이터라인과 쇼트된 게이트라인의 영역(예컨대, 제1 영 역)을 중심으로 데이터라인의 양측의 게이트라인의 영역을 단선시킨다. 이에 따라, 제1 영역의 양측이 게이트라인과 단선됨에 따라 데이터라인과 게이트라인의 쇼트는 해제되고, 게이트라인으로 공급된 신호는 제2 영역을 경유하여 흐르게 된다.Due to the thickness of the gate insulating layer, the gate line and the data line may be shorted at the intersection area. In this case, the area of the gate line on both sides of the data line is disconnected with respect to the area of the data line and the shorted gate line (for example, the first region). Accordingly, as both sides of the first region are disconnected from the gate line, the short of the data line and the gate line is released, and the signal supplied to the gate line flows through the second region.

이와 같은 종래의 액정표시장치는 데이터라인과 오버랩되도록 리페어 패턴이 형성됨에 따라, 리페어 패턴과 동일한 물질로 이루어진 화소전극이 리페어 패턴과의 쇼트를 방지하기 위해 설계 마진의 범위로 이격되어야 한다. In the conventional liquid crystal display, as the repair pattern is formed to overlap the data line, the pixel electrode made of the same material as the repair pattern should be spaced apart within the design margin to prevent short circuit with the repair pattern.

한편, 종래의 액정표시장치는 화소에 화소전극과 동일한 물질로 형성된 공통전극이 배치되고, 각 화소의 공통전극이 연결패턴에 의해 연결될 수 있다. In the conventional liquid crystal display, a common electrode formed of the same material as a pixel electrode is disposed on a pixel, and the common electrode of each pixel may be connected by a connection pattern.

따라서, 종래의 액정표시장치는 연결패턴이 화소전극 또는 공통전극이 서로 전기적으로 쇼트되는 것을 방지하기 위해서 연결패턴과 화소전극 또는 공통전극 사이에는 설계된 마진 범위로 이격되어야 한다. 이에 따라, 화소전극 또는 공통전극의 사이즈가 작아지게 되어 결국 화소의 사이즈가 작아지게 되어 개구율이 감소되는 문제가 있다. Accordingly, the liquid crystal display of the related art should be spaced apart from the connection pattern and the pixel electrode or the common electrode in a designed margin range in order to prevent the pixel electrode or the common electrode from being electrically shorted to each other. Accordingly, there is a problem that the size of the pixel electrode or the common electrode is reduced, and thus the size of the pixel is reduced, thereby reducing the aperture ratio.

또한, 종래의 액정표시장치는 화소의 사이즈가 감소됨에 따라 화소전극의 사이즈 또한 감소되게 되어, 화소전극에 의해 형성되는 스토리지 캐패시턴스의 용량도 줄어들게 되는 문제가 있다.In addition, in the conventional liquid crystal display, as the size of the pixel is reduced, the size of the pixel electrode is also reduced, thereby reducing the capacity of the storage capacitance formed by the pixel electrode.

아울러, 종래의 액정표시장치는 교차 영역에 형성된 게이트라인의 게이트 홀에 의해 교차 영역의 게이트라인의 저항이 증가하여 신호가 지연되는 문제가 있다. In addition, the conventional liquid crystal display has a problem in that a signal is delayed due to an increase in resistance of the gate line in the cross region due to the gate hole of the gate line formed in the cross region.

따라서, 본 발명은 공통전극으로 리페어 전극도 겸하도록 하여 개구율을 향상시키고 스토리지 캐패시턴스의 용량을 증가시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can improve the aperture ratio and increase the capacitance of the storage capacitance by serving as a repair electrode as a common electrode.

또한, 본 발명의 다른 목적은 교차 영역의 게이트라인에 게이트 홀을 형성하지 않도록 하여 신호 지연을 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조 방법을 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent a signal delay by not forming a gate hole in a gate line of an intersection region.

본 발명의 제1 실시예에 따르면, 액정표시장치는, 매트릭스로 배열된 다수의 화소들을 포함하고, 상기 각 화소는, 게이트라인; 상기 게이트라인에 교차하는 데이터라인; 상기 게이트라인과 상기 데이터라인과 연결된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극; 상기 화소전극에 인접하여 배치된 공통전극; 및 상기 공통전극에 연결되고 상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 인접하여 배치된 공통라인을 포함하고, 상기 게이트라인과 상기 데이터라인의 교차 영역 주변에는 상기 데이터라인에 오버랩되도록 배치되고 인접하는 화소들의 공통전극에 연결된 연결패턴이 배치된다.According to a first embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes a plurality of pixels arranged in a matrix, each pixel comprising: a gate line; A data line crossing the gate line; A thin film transistor connected to the gate line and the data line; A pixel electrode connected to the thin film transistor; A common electrode disposed adjacent to the pixel electrode; And a common line connected to the common electrode and disposed adjacent to the gate line and the data line, wherein the common line is disposed to overlap the data line around an intersection area of the gate line and the data line. A connection pattern connected to the electrode is disposed.

본 발명의 제2 실시예에 따르면, 액정표시장치의 제조 방법은, 기판 상에 게이트라인, 공통라인 및 콘택 패드를 형성하는 단계; 상기 게이트라인, 상기 공통라인 및 상기 콘택 패드를 포함하는 상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트라인에 대응하는 상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층을 포함하는 상기 기판 상에 데이터라인 및 소오스/드레인전극을 형 성하는 단계; 상기 데이터라인 및 상기 소오스/드레인전극을 포함하는 기판 상에 제1 및 제2 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 보호막 상에 화소전극, 공통전극 및 연결패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 연결패턴은 상기 게이트라인과 상기 데이터라인의 교차 영역 주변에서 상기 데이터라인에 오버랩되도록 배치되고 인접하는 화소들의 공통전극에 연결된다.According to a second embodiment of the present invention, a method of manufacturing a liquid crystal display includes: forming a gate line, a common line, and a contact pad on a substrate; Forming a gate insulating film on the substrate including the gate line, the common line, and the contact pad; Forming a semiconductor layer on the gate insulating layer corresponding to the gate line; Forming a data line and a source / drain electrode on the substrate including the semiconductor layer; Forming a passivation layer having first and second contact holes on a substrate including the data line and the source / drain electrodes; And forming a pixel electrode, a common electrode, and a connection pattern on the passivation layer, wherein the connection pattern is disposed to overlap the data line around an intersection area of the gate line and the data line and is common to adjacent pixels. Connected to the electrode.

따라서, 본 발명은 리페어 기능을 갖는 연결패턴을 각 화소의 공통전극에 일체로 연결함으로써, 연결패턴에 의해 공통전극의 기능과 리페어 기능을 모두 구현할 수 있다.Accordingly, in the present invention, by connecting the connection pattern having the repair function to the common electrode of each pixel integrally, both the function and the repair function of the common electrode can be realized by the connection pattern.

또한, 본 발명은 각 화소의 공통전극을 별도로 연결할 필요가 없으므로, 화소전극 또는 공통전극의 사이즈를 증가시킬 수 있어 개구율이 향상될 수 있다.In addition, the present invention does not need to connect the common electrode of each pixel separately, so that the size of the pixel electrode or the common electrode can be increased, and the aperture ratio can be improved.

아울러, 본 발명은 각 화소의 공통전극을 별도로 연결할 필요가 없으므로, 화소전극의 사이즈를 증가시킬 수 있으므로, 화소전극에 의해 형성되는 스토리지 캐패시턴스의 용량을 증가시킬 수 있다. In addition, since the common electrode of each pixel does not need to be separately connected, the size of the pixel electrode can be increased, thereby increasing the capacity of the storage capacitance formed by the pixel electrode.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도이고, 도 3은 도 2의 I-I' 라인과 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along lines II ′ and II-II ′ of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 액정표시장치는 영상을 표시하기 위한 다수의 화소들(P1 내지 P4)이 매트릭스로 배열된다. 2 and 3, in the liquid crystal display, a plurality of pixels P1 to P4 for displaying an image are arranged in a matrix.

각 화소(P1 내지 P4)는 적어도 제1 및 제2 도메인(D1, D2)을 포함한다. 제1 및 제2 도메인(D1, D2)은 서로 다른 방향의 횡전계가 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 도메인(D1, D2)에는 서로 대칭 방향의 횡전계가 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 도메인(D1, D2)에 각각 배치된 액정들은 횡전계에 의해 서로 다른 방향으로 배향할 수 있어, 시야각을 더욱 확대할 수 있다. Each pixel P1 to P4 includes at least first and second domains D1 and D2. Transverse electric fields of different directions may be formed in the first and second domains D1 and D2. For example, transverse electric fields in symmetrical directions may be formed in the first and second domains D1 and D2. Accordingly, the liquid crystals disposed in the first and second domains D1 and D2 may be aligned in different directions by the transverse electric field, thereby further expanding the viewing angle.

각 화소(P1 내지 P4)는 기판(1) 상에 서로 교차하는 게이트라인(3)과 데이터라인(17, 19)에 의해 정의될 수 있다. 즉, 게이트라인(3)은 제1 방향을 따라 배치되고, 데이터라인(17, 19)은 제1 방향에 수직인 제2 방향을 따라 배치될 수 있다. Each pixel P1 to P4 may be defined by the gate line 3 and the data lines 17 and 19 crossing each other on the substrate 1. That is, the gate line 3 may be disposed along the first direction, and the data lines 17 and 19 may be disposed along the second direction perpendicular to the first direction.

본 발명에서는 게이트라인(3)과 데이터라인(17, 19)이 서로 수직으로 교차하는 것으로 한정하고 있지만, 게이트라인(3)과 데이터라인(17, 19)은 반드시 수직으로 교차하지 않을 수도 있다. In the present invention, the gate line 3 and the data lines 17 and 19 are limited to vertically cross each other, but the gate line 3 and the data lines 17 and 19 may not necessarily cross vertically.

게이트라인(3)과 데이터라인(17, 19)은 그 사이에 개재된 게이트절연막(9)에 의해 서로 절연된다.The gate line 3 and the data lines 17 and 19 are insulated from each other by the gate insulating film 9 interposed therebetween.

게이트라인(3)과 데이터라인(17, 19)에 인접하여 공통라인(5, 5')이 배치된다. 각 화소(P1 내지 P4)에 배치된 공통라인(5, 5')은 게이트라인(3)에 평행한 제1 방향을 따라 공통 링크라인(5a)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 링크라인은 각 화소(P1 내지 P4)에 배치된 공통라인(5, 5') 사이에 적어도 하나 이상 배치될 수 있다.Common lines 5 and 5 'are disposed adjacent to the gate line 3 and the data lines 17 and 19. The common lines 5 and 5 ′ disposed in each of the pixels P1 to P4 may be electrically connected to each other by the common link line 5a in a first direction parallel to the gate line 3. At least one common link line may be disposed between the common lines 5 and 5 ′ disposed in each pixel P1 to P4.

예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 공통라인(5, 5')은 제1 화소(P1)를 정의하기 위한 게이트라인(3)과 데이터라인(17)에 인접하여 'ㄷ'자 형상으로 배치되 고, 제3 화소(P3)를 정의하기 위한 게이트라인(3)과 데이터라인(19)에 인접하여 'ㄷ'자 형상으로 배치될 수 있다. For example, as shown in FIG. 4, the common lines 5 and 5 ′ have a '-' shape adjacent to the gate line 3 and the data line 17 for defining the first pixel P1. And the gate line 3 and the data line 19 for defining the third pixel P3 may be disposed in a '-' shape.

제3 화소(P3)에 배치된 공통라인으로부터 제1 화소(P1)로 연장되어 콘택 패드(7)가 배치될 수 있다. 마찬가지로, 제 4 화소(P4)에 배치된 공통라인으로부터 제2 화소(P2)로 연장되어 콘택 패드(7')가 배치될 수 있다.The contact pad 7 may be disposed to extend from the common line disposed in the third pixel P3 to the first pixel P1. Similarly, the contact pad 7 ′ may be disposed to extend from the common line disposed in the fourth pixel P4 to the second pixel P2.

콘택 패드(7, 7')는 후술한 공통전극(25, 27)과 전기적으로 연결될 수 있다. 콘택 패드(7, 7')는 개구율 저하를 방지하기 위해 제1 및 제2 도메인(D1, D2) 사이의 경계 영역에 배치될 수 있다. 따라서, 공통라인(5, 5')으로 공급된 공통전압이 공통전극(25, 27)으로 인가될 수 있다. The contact pads 7 and 7 ′ may be electrically connected to the common electrodes 25 and 27 described later. The contact pads 7 and 7 ′ may be disposed in the boundary region between the first and second domains D1 and D2 to prevent the decrease in the aperture ratio. Therefore, the common voltage supplied to the common lines 5 and 5 'may be applied to the common electrodes 25 and 27.

공통라인(5, 5')은 게이트라인(3)과 동일한 재질로 동일한 층에 형성될 수 있다. The common lines 5 and 5 ′ may be formed on the same layer as the same material as the gate line 3.

공통전극(25, 27)은 절연막, 즉 게이트절연막(9)과 보호막을 사이에 두고 화소전극(23)과 오버랩되어 스토리지 캐패시턴스가 형성될 수 있다. The common electrodes 25 and 27 may overlap the pixel electrode 23 with an insulating layer, that is, the gate insulating layer 9 and the passivation layer, to form a storage capacitance.

제1 및 제2 도메인(D1, D2)의 경계 영역에는 액정 분자의 배향이 흐트러지는 전경영역(disclination region)이 형성되어, 액정이 구동되지 않는다. 이로써, 제1 및 제2 도메인(D1, D2)의 경계 영역은 광이 투과되지 않는 비투과 영역, 즉 데드(dead) 영역이으로 존재한다. 이로써, 상기 각 화소(P1 내지 P4)의 데드 영역에 콘택 패드(7, 7')를 배치함에 따라 개구율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In the boundary regions of the first and second domains D1 and D2, a disclination region in which the alignment of the liquid crystal molecules is disturbed is formed, and thus the liquid crystal is not driven. Accordingly, the boundary regions of the first and second domains D1 and D2 exist as non-transmissive regions, that is, dead regions where light is not transmitted. As a result, as the contact pads 7 and 7 ′ are disposed in the dead regions of the pixels P1 to P4, the aperture ratio may be prevented from being lowered.

또한, 제3 화소(P3)를 정의하기 위한 데이터라인(19)에 인접한 제1 화소(P1)에는 공통라인(5)을 배치하지 않음으로써, 제1 화소(P1)의 개구율이 증가될 수 있 다. 이와 같이, 각 화소(P1 내지 P4)를 배치함으로써, 액정표시장치의 전체 개구율이 현저히 향상될 수 있다.In addition, since the common line 5 is not disposed in the first pixel P1 adjacent to the data line 19 for defining the third pixel P3, the aperture ratio of the first pixel P1 may be increased. All. As such, by arranging each of the pixels P1 to P4, the total aperture ratio of the liquid crystal display device can be significantly improved.

공통라인(5, 5'), 콘택 패드(7, 7') 및 공통 링크라인은 일체로 형성될 수 있다. The common lines 5 and 5 ', the contact pads 7 and 7' and the common link line may be integrally formed.

각 화소(P1 내지 P4)에는 박막트랜지스터(15)가 배치된다. 박막트랜지스터(15)는 게이트전극, 반도체층(11) 및 소오스/드레인전극(13a, 13b)을 포함한다. The thin film transistor 15 is disposed in each pixel P1 to P4. The thin film transistor 15 includes a gate electrode, a semiconductor layer 11, and source / drain electrodes 13a and 13b.

게이트전극은 게이트라인(3)과 일체로 형성될 수 있다. 반도체층(11)은 게이트전극에 대응하는 게이트절연막(9) 상에 배치될 수 있다. 소오스전극(13a)과 드레인전극(13b)은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 소오스전극(13a)은 데이터라인(17)과 일체로 형성될 수 있다.The gate electrode may be integrally formed with the gate line 3. The semiconductor layer 11 may be disposed on the gate insulating film 9 corresponding to the gate electrode. The source electrode 13a and the drain electrode 13b may be spaced apart from each other. The source electrode 13a may be integrally formed with the data line 17.

따라서, 게이트라인(3)으로 공급된 게이트전극에 의해 박막트랜지스터(15)가 턴온될 때, 데이터라인(17)으로 공급된 데이터 전압이 박막트랜지스터(15)를 경유하여 인가될 수 있다. Therefore, when the thin film transistor 15 is turned on by the gate electrode supplied to the gate line 3, the data voltage supplied to the data line 17 may be applied via the thin film transistor 15.

도 2에서는 박막트랜지스터(15)의 전기적 특성을 향상시키기 위해, 박막트랜지스터(15)의 채널폭을 증가시키기 위해 소오스전극(13a)의 에지 영역을 U자 형상으로 형성하는 것을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In FIG. 2, to improve the electrical characteristics of the thin film transistor 15, the edge region of the source electrode 13a is formed in a U shape to increase the channel width of the thin film transistor 15. It is not.

박막트랜지스터(15)를 포함하는 기판(1) 상에는 보호막이 형성된다. 보호막은 박막트랜지스터(15)의 드레인전극(13b)이 노출되도록 형성된 제1 콘택홀(31)과 콘택 패드(7, 7')가 노출되도록 형성된 제2 콘택홀(33a, 33b)을 갖는다. A protective film is formed on the substrate 1 including the thin film transistor 15. The passivation layer has a first contact hole 31 formed to expose the drain electrode 13b of the thin film transistor 15 and second contact holes 33a and 33b formed to expose the contact pads 7 and 7 '.

각 화소(P1 내지 P4)의 보호막 (21)상에는 화소전극(23)과 공통전극(25, 27) 이 서로 마주보도록 배치된다. 화소전극(23)과 공통전극(25, 27) 각각은 데이터라인(17, 19)에 평행하도록 배치될 수 있다.On the passivation layer 21 of each pixel P1 to P4, the pixel electrode 23 and the common electrodes 25 and 27 face each other. Each of the pixel electrode 23 and the common electrodes 25 and 27 may be disposed parallel to the data lines 17 and 19.

제1 도메인에는 화소전극 바들(23a)이 화소전극(23)으로부터 우측 및 상측의 대각선 방향으로 연장 형성되고, 제2 도메인에는 화소전극 바들(23a)이 화소전극(23)으로부터 우측 및 하측의 대각선 방향으로 연장 형성될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 도메인 각각의 화소전극 바들(23a)은 제1 및 제2 도메인을 기준으로 서로 대칭적으로 형성될 수 있다.Pixel electrode bars 23a are formed in the first domain in the diagonal directions of the right and the upper sides of the pixel electrodes 23, and pixel electrode bars 23a are formed in the second domain in the diagonals of the right and lower sides of the pixel electrodes 23. It may be formed extending in the direction. Therefore, the pixel electrode bars 23a of each of the first and second domains may be symmetrically formed with respect to the first and second domains.

제1 도메인에는 공통전극 바들(25a, 27a)이 공통전극(25, 27)으로부터 좌측 및 하측의 대각선 방향으로 연장 형성되고, 제2 도메인에는 공통전극 바들(25a, 27a)이 공통전극(25, 27)으로부터 좌측 및 상측의 대각선 방향으로 연장 형성될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 도메인 각각의 공통전극 바들(25a, 27a)은 제1 및 제2 도메인을 기준으로 서로 대칭적으로 형성될 수 있다.Common electrode bars 25a and 27a extend in the left and lower diagonal directions from the common electrodes 25 and 27 in the first domain, and common electrode bars 25a and 27a in the second domain. 27, it may be formed extending in the diagonal direction of the left and the upper side. Accordingly, the common electrode bars 25a and 27a of each of the first and second domains may be symmetrically formed with respect to the first and second domains.

또한, 제1 및 제2 도메인의 경계 영역에는 공통전극(25, 27)으로부터 수직인 방향으로 연장되어 공통전극 바들(25a, 27a)이 형성될 수 있다. In addition, the common electrode bars 25a and 27a may be formed in the boundary regions of the first and second domains in a direction perpendicular to the common electrodes 25 and 27.

화소전극(23)은 박막트랜지스터(15)의 드레인전극(13b)과 전기적으로 연결되고, 공통전극(25, 27)은 콘택 패드(7, 7')와 전기적으로 연결될 수 있다. The pixel electrode 23 may be electrically connected to the drain electrode 13b of the thin film transistor 15, and the common electrodes 25 and 27 may be electrically connected to the contact pads 7 and 7 ′.

각 화소(P1 내지 P4)에 배치된 공통전극(25, 27)은 데이터라인(17, 19)에 평행한 제2 방향으로 따라 연결패턴(29)에 의해 서로 연결될 수 있다. The common electrodes 25 and 27 disposed in each of the pixels P1 to P4 may be connected to each other by the connection pattern 29 in a second direction parallel to the data lines 17 and 19.

도 5에 도시한 바와 같이, 연결패턴(29)은 게이트라인(3)에 인접하는 화소들(P1 및 P2 사이 또는 P3 및 P4 사이) 사이의 영역에 배치된 데이터라인(19)에 오 버랩되도록 형성되는 한편, 양측은 인접하는 화소들(P1 및 P2 사이 또는 P3 및 P4 사이) 각각에 배치된 공통전극(25, 27)에 전기적으로 연결된다. As shown in FIG. 5, the connection pattern 29 overlaps the data line 19 disposed in an area between the pixels P1 and P2 or between P3 and P4 adjacent to the gate line 3. On the other hand, both sides are electrically connected to the common electrodes 25 and 27 disposed in each of the adjacent pixels P1 and P2 or between P3 and P4.

연결패턴(29)은 게이트라인(3)과 교차하는 데이터라인(19) 상에 형성되며, 게이트라인(3)의 폭의 5배 내지 10배의 길이를 가지고 데이터라인(19) 상에 오버랩되도록 형성될 수 있다.The connection pattern 29 is formed on the data line 19 that intersects the gate line 3 and overlaps the data line 19 with a length of 5 to 10 times the width of the gate line 3. Can be formed.

따라서, 각 화소(P1 내지 P4)의 공통전극(25, 27)과 연결패턴(29)은 일체로 형성될 수 있다. 아울러, 데이터라인(17, 19)에 평행한 제2 방향을 따라 배치된 화소들(P1 및 P2 또는 P3 및 P4) 각각에 배치된 공통전극(25, 27)은 연결패턴(29)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. Therefore, the common electrodes 25 and 27 and the connection pattern 29 of each pixel P1 to P4 may be integrally formed. In addition, the common electrodes 25 and 27 disposed in the pixels P1 and P2 or P3 and P4 arranged along the second direction parallel to the data lines 17 and 19 may be electrically connected to each other by the connection pattern 29. Can be connected.

연결패턴(29)은 평상시에는 인접하는 화소들(P1 내지 P4) 각각에 배치된 공통전극(25, 27)을 연결하여, 각 화소(P1 내지 P4) 간에 등전위의 공통전압이 유지되도록 하는 한편, 라인 불량 등으로 인해 리페어가 필요할 경우에는 리페어 패턴으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 라인 불량은 게이트라인(3)과 데이터라인(17, 19)의 쇼트나 게이트라인(3)과 데이터라인(17, 19)의 교차 영역에서 데이터라인(17, 19)의 단선일 수 있다. The connection pattern 29 normally connects the common electrodes 25 and 27 disposed in each of the adjacent pixels P1 to P4 to maintain the common voltage of the equipotential between the pixels P1 to P4. If a repair is necessary due to a bad line, it can be used as a repair pattern. For example, a line failure may be a short of the gate line 3 and the data lines 17 and 19 or a disconnection of the data lines 17 and 19 at the intersection of the gate line 3 and the data lines 17 and 19. Can be.

예를 들어, 게이트라인(3)과 데이터라인(19)이 쇼트되는 경우, 게이트라인(3)과 데이터라인(19)의 교차 영역에서 게이트라인(3)의 양측에 있는 데이터라인(19)을 각각 레이저를 이용하여 절단하고, 인접하는 화소들(P1 및 P2 또는 P3 및 P4)에 각각 배치된 공통전극(25, 27)과 연결패턴(29) 사이를 각각 레이저를 이용하여 절단한 다음, 레이저를 이용하여 게이트 패턴 양측의 연결패턴(29) 하부의 보호 막을 각각 녹여 연결패턴(29)이 데이터라인(19)과 전기적으로 연결되도록 한다. 이러한 경우, 데이터라인(19)으로 공급된 데이터 전압은 게이트라인(3)이 위치된 연결패턴(29)을 경유하여 다시 데이터라인(19)으로 인가될 수 있다.For example, when the gate line 3 and the data line 19 are shorted, the data line 19 on both sides of the gate line 3 is removed at the intersection of the gate line 3 and the data line 19. Each laser is cut using a laser, and a laser is cut between the common electrodes 25 and 27 and the connection pattern 29 disposed in adjacent pixels P1 and P2 or P3 and P4, respectively. The protective layers under the connection patterns 29 on both sides of the gate pattern are melted to form the connection patterns 29 to be electrically connected to the data lines 19. In this case, the data voltage supplied to the data line 19 may be applied to the data line 19 again via the connection pattern 29 where the gate line 3 is located.

데이터라인(19)의 단선이 발생하는 경우, 인접하는 화소들(P1 및 P2 또는 P3 및 P4)에 각각 배치된 공통전극(25, 27)과 연결패턴(29) 사이를 각각 레이저를 이용하여 절단한 다음, 레이저를 이용하여 게이트 패턴 양측의 연결패턴(29) 하부의 보호막을 각각 녹여 연결패턴(29)이 데이터라인(19)과 전기적으로 연결되도록 한다. 이러한 경우, 데이터라인(19)으로 공급된 데이터 전압은 게이트라인(3)이 위치된 연결패턴(29)을 경유하여 다시 데이터라인(19)으로 인가될 수 있다.When disconnection of the data line 19 occurs, a laser is cut between the common electrodes 25 and 27 and the connection pattern 29 disposed in the adjacent pixels P1 and P2 or P3 and P4, respectively. Next, each of the passivation layers under the connection pattern 29 on both sides of the gate pattern is melted using a laser so that the connection pattern 29 is electrically connected to the data line 19. In this case, the data voltage supplied to the data line 19 may be applied to the data line 19 again via the connection pattern 29 where the gate line 3 is located.

화소전극(23), 화소전극 바들(23a), 공통전극(25, 27), 공통전극 바들(25a, 27a) 및 연결패턴(29)은 광을 투과할 수 있는 ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다.The pixel electrode 23, the pixel electrode bars 23a, the common electrodes 25 and 27, the common electrode bars 25a and 27a, and the connection pattern 29 may be made of ITO or IZO that may transmit light.

본 발명은 게이트라인(3)에 평행한 제1 방향을 따라 배치된 각 화소(P1 및 P3 또는 P2 및 P4)에 공통라인(5, 5')을 배치하고, 각 화소(P1 및 P3 또는 P2 및 P4)의 공통라인(5, 5') 사이는 공통 링크라인으로 연결하며, 데이터라인(17, 19)에 평행한 제2 방향을 따라 배치된 각 화소(P1 및 P2 또는 P3 및 P4)에 공통전극(25, 27)을 배치하고, 각 화소(P1 및 P2 또는 P3 및 P4)의 공통전극(25, 27) 사이는 연결패턴(29)으로 연결함으로써, 각 화소(P1 내지 P4)의 공통전압이 등전위로 유지될 수 있다.According to the present invention, the common lines 5 and 5 'are disposed in the pixels P1 and P3 or P2 and P4 arranged along the first direction parallel to the gate line 3, and each pixel P1 and P3 or P2 is disposed. And common lines 5 and 5 'of P4 are connected by common link lines, and are connected to the pixels P1 and P2 or P3 and P4 arranged along a second direction parallel to the data lines 17 and 19. The common electrodes 25 and 27 are disposed, and the common electrodes 25 and 27 of the pixels P1 and P2 or P3 and P4 are connected by the connection pattern 29 to thereby common the pixels P1 to P4. The voltage can be maintained at equipotential.

또한, 본 발명은 데이터라인(17, 19)에 평행한 제2 방향을 따라 배치된 각 화소(P1 및 P2 또는 P3 및 P4)의 공통전극(25, 27) 사이의 데이터라인(17, 19) 상 에 연결패턴(29)을 형성함으로써, 라인 단선 발생시 리페어를 수행할 수 있다.In addition, the present invention also provides data lines 17 and 19 between the common electrodes 25 and 27 of the pixels P1 and P2 or P3 and P4 arranged in a second direction parallel to the data lines 17 and 19. By forming the connection pattern 29 thereon, the repair may be performed when a line break occurs.

그러므로, 본 발명은 공통라인(5, 5')과 공통전극(25, 27)에 의해 메시(mesh) 구조를 형성하는 동시에, 연결패턴(29)을 이용하여 리페어 기능을 수행할 수 있다. Therefore, in the present invention, a mesh structure is formed by the common lines 5 and 5 'and the common electrodes 25 and 27, and a repair function may be performed using the connection pattern 29.

또한, 본 발명은 종래에 리페어 패턴과 공통전극을 연결하는 연결패턴을 별도로 배치하는 것에 비해 이러한 리페어 패턴과 연결패턴을 각 화소(P1 및 P2 또는 P3 및 P4)의 공통전극(25, 27)과 연결된 연결패턴(29)을 데이터라인(17, 19) 상에 국부적으로 오버랩되도록 함으로써, 종래의 연결패턴이 필요없게 되어 화소의 사이즈가 증가되어 개구율이 증가되고, 이에 따라 공통전극(25, 27)과 화소전극(23)의 오버랩 면적을 증가시켜 스토리지 캐패시턴스의 용량을 증가시킬 수 있다.In addition, the present invention compares the repair pattern and the connection pattern with the common electrodes 25 and 27 of each pixel P1 and P2 or P3 and P4, compared to conventionally disposing a connection pattern connecting the repair pattern and the common electrode. By locally connecting the connected connection patterns 29 on the data lines 17 and 19, the conventional connection patterns are not required, so that the size of the pixel is increased and the aperture ratio is increased, thereby increasing the common electrode 25 and 27. The overlap area of the pixel electrode 23 and the pixel electrode 23 may be increased to increase the capacitance of the storage capacitance.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 공정도이다.6A through 6D are process diagrams illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display according to the present invention.

도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 게이트라인(3), 공통라인(5), 콘택 패드(7) 및 공통 링크라인을 형성한다. As shown in FIG. 6A, a gate line 3, a common line 5, a contact pad 7, and a common link line are formed on the substrate 1.

게이트라인(3), 공통라인(5), 콘택 패드(7) 및 공통 링크라인은 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.The gate line 3, the common line 5, the contact pad 7 and the common link line may be formed of the same material by the same process.

공통라인(5), 콘택 패드(7) 및 공통 링크라인은 일체로 형성될 수 있다.The common line 5, the contact pad 7 and the common link line may be integrally formed.

공통라인(5)은 각 화소(P1 내지 P4)에 'ㄷ'자 형상으로 형성될 수 있다. 공통 링크라인은 각 화소(P1 및 P3 또는 P2 및 P4)의 공통라인(5)을 전기적으로 연결시켜 준다.The common line 5 may be formed in a '-' shape in each of the pixels P1 to P4. The common link line electrically connects the common line 5 of each pixel P1 and P3 or P2 and P4.

도 6b에 도시한 바와 같이, 게이트라인(3), 공통라인(5), 콘택 패드(7) 및 공통 링크라인을 포함하는 기판(1) 상에 게이트절연막(9)을 형성한다.As shown in FIG. 6B, a gate insulating film 9 is formed on the substrate 1 including the gate line 3, the common line 5, the contact pads 7, and the common link line.

이어서, 게이트라인(3)에 대응하는 게이트절연막(9) 상에 반도체층(11)을 형성한다.Next, the semiconductor layer 11 is formed on the gate insulating film 9 corresponding to the gate line 3.

반도체층(11)을 포함하는 기판(1) 상에 데이터라인(17, 19) 및 소오스/드레인전극(13a, 13b)을 형성한다.The data lines 17 and 19 and the source / drain electrodes 13a and 13b are formed on the substrate 1 including the semiconductor layer 11.

데이터라인(17, 19)과 소오스/드레인전극(13a, 13b)은 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다. 데이터라인(17, 19)과 소오스전극(13a)은 일체로 형성될 수 있다. 드레인전극(13b)은 소오스전극(13a)으로부터 이격되어 형성된다. 소오스/드레인전극(13a, 13b)은 반도체층(11)과 국부적으로 오버랩되도록 형성될 수 있다.The data lines 17 and 19 and the source / drain electrodes 13a and 13b may be formed of the same material by the same process. The data lines 17 and 19 and the source electrode 13a may be integrally formed. The drain electrode 13b is formed spaced apart from the source electrode 13a. The source / drain electrodes 13a and 13b may be formed to locally overlap the semiconductor layer 11.

따라서, 게이트라인(3), 반도체층(11) 및 소오스/드레인전극(13a, 13b)에 의해 박막트랜지스터(15)가 형성될 수 있다. Accordingly, the thin film transistor 15 may be formed by the gate line 3, the semiconductor layer 11, and the source / drain electrodes 13a and 13b.

도 6c에 도시한 바와 같이, 데이터라인(17, 19) 및 소오스/드레인전극(13a, 13b)을 포함하는 기판(1) 상에 보호막을 형성한다. 보호막은 드레인전극(13b)이 노출되도록 형성된 제1 콘택홀(31)과 콘택 패드(7)가 노출되도록 형성된 제2 콘택홀(33a, 33b)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 6C, a protective film is formed on the substrate 1 including the data lines 17 and 19 and the source / drain electrodes 13a and 13b. The passivation layer may include a first contact hole 31 formed to expose the drain electrode 13b and second contact holes 33a and 33b formed to expose the contact pad 7.

도 6d에 도시한 바와 같이, 보호막 (21)상에 화소전극(23), 화소전극 바들(23a), 공통전극(25, 27), 공통전극 바들(25a, 27a) 및 연결패턴(29)을 형성한다.As shown in FIG. 6D, the pixel electrode 23, the pixel electrode bars 23a, the common electrodes 25 and 27, the common electrode bars 25a and 27a and the connection pattern 29 are disposed on the passivation layer 21. Form.

화소전극(23), 화소전극 바들(23a), 공통전극(25, 27), 공통전극 바들(25a, 27a) 및 연결패턴(29)은 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 형성될 수 있다.The pixel electrode 23, the pixel electrode bars 23a, the common electrodes 25 and 27, the common electrode bars 25a and 27a, and the connection pattern 29 may be formed of the same material by the same process.

화소전극(23)과 공통전극(25, 27)은 서로 마주보도록 형성될 수 있다. 화소전극 바들(23a)은 화소전극(23)으로부터 연장되어 형성되고, 공통전극 바들(25a, 27a)은 공통전극(25, 27)으로부터 연장되어 형성될 수 있다. The pixel electrode 23 and the common electrodes 25 and 27 may be formed to face each other. The pixel electrode bars 23a may extend from the pixel electrode 23, and the common electrode bars 25a and 27a may extend from the common electrodes 25 and 27.

화소전극(23)과 공통전극(25, 27)은 데이터라인(17, 19)에 평행하도록 형성될 수 있다.The pixel electrode 23 and the common electrodes 25 and 27 may be formed to be parallel to the data lines 17 and 19.

화소(P1 내지 P4)는 제1 및 제2 도메인을 포함한다. The pixels P1 to P4 include first and second domains.

제1 도메인의 화소전극 바들(23a)은 우측 및 상측의 대각선 방향으로 연장되도록 형성되고, 제2 도메인의 화소전극 바들(23a)은 우측 및 하측의 대각선 방향으로 연장되도록 형성될 수 있다. The pixel electrode bars 23a of the first domain may be formed to extend in the diagonal directions of the right and upper sides, and the pixel electrode bars 23a of the second domain may be formed to extend in the diagonal directions of the right and lower sides.

제1 도메인의 공통전극 바들(25a, 27a)은 좌측 및 하측의 대각선 방향으로 연장되도록 형성되고, 제2 도메인의 공통전극 바들(25a, 27a)은 좌측 및 상측의 대각선 방향으로 연장되로록 형성될 수 있다.The common electrode bars 25a and 27a of the first domain are formed to extend in the left and lower diagonal directions, and the common electrode bars 25a and 27a of the second domain are formed to extend in the diagonal directions of the left and upper sides. Can be.

화소전극 바들(23a)과 공통전극 바들(25a, 27a)은 서로 교대로 형성될 수 있다.The pixel electrode bars 23a and the common electrode bars 25a and 27a may be alternately formed.

따라서, 제1 및 제2 도메인의 경계 영역에서 제1 도메인의 화소전극 바들(23a)과 제2 도메인의 화소전극 바들(23a)은 서로 대칭적으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 도메인의 경계 영역에서 제1 도메인의 공통전극 바들(25a, 27a)과 제2 도메인의 공통전극 바들(25a, 27a)은 서로 대칭적으로 형성될 수 있다.Accordingly, the pixel electrode bars 23a of the first domain and the pixel electrode bars 23a of the second domain may be symmetrically formed in the boundary regions of the first and second domains. In addition, the common electrode bars 25a and 27a of the first domain and the common electrode bars 25a and 27a of the second domain may be symmetrically formed in the boundary regions of the first and second domains.

이와 같이, 제1 도메인에 형성된 화소전극 바들(23a) 및 공통전극 바들(25a, 27a)과 제2 도메인에 형성된 화소전극 바들(23a) 및 공통전극 바들(25a, 27a)이 제1 및 제2 도메인의 경계 영역에서 서로 대칭됨에 따라, 시야각을 더욱 더 넓힐 수 있다.As such, the pixel electrode bars 23a and the common electrode bars 25a and 27a formed in the first domain, and the pixel electrode bars 23a and the common electrode bars 25a and 27a formed in the second domain are formed of the first and second electrodes. By being symmetrical with each other in the boundary region of the domain, the viewing angle can be further widened.

화소전극(23)은 제1 콘택홀(31)을 통해 드레인전극(13b)에 전기적으로 연결되고, 공통전극(25, 27)은 제2 콘택홀(33a, 33b)을 통해 콘택 패드(7)에 전기적으로 연결될 수 있다.The pixel electrode 23 is electrically connected to the drain electrode 13b through the first contact hole 31, and the common electrodes 25 and 27 are connected to the contact pad 7 through the second contact holes 33a and 33b. Can be electrically connected to the

공통전극(25, 27), 공통전극 바들(25a, 27a) 및 연결패턴(29)은 일체로 형성될 수 있다.The common electrodes 25 and 27, the common electrode bars 25a and 27a, and the connection pattern 29 may be integrally formed.

연결패턴(29)은 게이트라인(3)과 데이터라인(19)의 교차 영역에서 데이터라인(19)에 오버랩되도록 형성될 수 있다. 더욱 상세하게는 연결패턴(29)은 교차 영역의 데이터라인(19)과 교차 영역에 인접한 데이터라인(19)에 오버랩되도록 배치될 수 있다. 따라서, 연결패턴(29)의 길이는 게이트라인(3)의 폭의 5배 내지 10배의 범위를 가질 수 있다.The connection pattern 29 may be formed to overlap the data line 19 at the intersection of the gate line 3 and the data line 19. More specifically, the connection pattern 29 may be disposed to overlap the data line 19 of the crossing area and the data line 19 adjacent to the crossing area. Accordingly, the length of the connection pattern 29 may range from 5 times to 10 times the width of the gate line 3.

이와 같이, 연결패턴(29)이 교차 영역과 교차 영역에 인접한 데이터라인(19)에 오버랩되도록 형성되는 한편, 양측이 게이트라인(3)에 의해 분리된 제1 및 제2 화소(P1 및 P2)에 배치된 공통전극(25, 27)에 전기적으로 연결됨에 따라, 공통전극으로서의 기능뿐만 아니라 리페어 기능까지 구현될 수 있다. As such, the first and second pixels P1 and P2 are formed such that the connection pattern 29 overlaps the intersecting area and the data line 19 adjacent to the intersecting area, while the two sides are separated by the gate line 3. As it is electrically connected to the common electrodes 25 and 27 disposed in the structure, not only a function as a common electrode but also a repair function may be implemented.

따라서, 제1 및 제2 화소(P1 및 P2)의 각 공통전극(25, 27)으로 연결하는 연결패턴(29)과 리페어를 위해 교차 영역에 배치된 리페어 패턴을 개별적으로 형성함 에 따라 발생된 개구율의 저하와 스토리지 캐패시턴스의 용량 저하를 방지할 수 있다. Therefore, the connection patterns 29 connecting to the common electrodes 25 and 27 of the first and second pixels P1 and P2 and the repair patterns disposed in the intersecting regions for the repair are separately formed. The reduction of the aperture ratio and the capacity reduction of the storage capacitance can be prevented.

도 1은 종래의 액정표시장치의 리페어 구조를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a repair structure of a conventional liquid crystal display.

도 2는 본 발명에 따른 액정표시장치를 도시한 평면도이다.2 is a plan view illustrating a liquid crystal display according to the present invention.

도 3은 도 2의 I-I' 라인과 II-II' 라인을 따라 절단한 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along lines II ′ and II-II ′ of FIG. 2.

도 4는 도 2에서 공통라인의 구조를 도시한 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating a structure of a common line in FIG. 2.

도 5는 도 2에서 화소전극, 공통전극 및 연결패턴의 구조를 도시한 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating the structure of a pixel electrode, a common electrode, and a connection pattern in FIG. 2.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 공정을 도시한 공정도이다.6A through 6D are process diagrams illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 기판 3: 게이트라인1: substrate 3: gate line

5, 5': 공통라인 7, 7': 콘택 패드5, 5 ': common line 7, 7': contact pad

9: 게이트절연막 11: 반도체층9: gate insulating film 11: semiconductor layer

13a: 소오스전극 13b: 드레인전극13a: source electrode 13b: drain electrode

15: 박막트랜지스터 17, 19: 데이터라인15: thin film transistor 17, 19: data line

21: 보호막 23: 화소전극21: protective film 23: pixel electrode

23a: 화소전극 바들 25, 27: 공통전극23a: pixel electrode bars 25 and 27: common electrode

25a, 27a: 공통전극 바들 29: 연결패턴25a and 27a: common electrode bars 29: connection pattern

31: 제1 콘택홀 33a, 33b: 제2 콘택홀31: first contact hole 33a, 33b: second contact hole

Claims (10)

매트릭스로 배열된 다수의 화소들을 포함하고,Including a plurality of pixels arranged in a matrix, 상기 각 화소는,Each pixel, 게이트라인;Gate line; 상기 게이트라인에 교차하는 데이터라인;A data line crossing the gate line; 상기 게이트라인과 상기 데이터라인과 연결된 박막트랜지스터;A thin film transistor connected to the gate line and the data line; 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극;A pixel electrode connected to the thin film transistor; 상기 화소전극에 인접하여 배치된 공통전극; 및A common electrode disposed adjacent to the pixel electrode; And 상기 공통전극에 연결되고 상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 인접하여 배치된 공통라인을 포함하고,A common line connected to the common electrode and disposed adjacent to the gate line and the data line, 상기 게이트라인과 상기 데이터라인의 교차 영역 주변에는 상기 데이터라인에 오버랩되도록 배치되고 인접하는 화소들의 공통전극에 연결된 연결패턴이 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a connection pattern arranged around the intersection of the gate line and the data line and overlapping the data line and connected to a common electrode of adjacent pixels. 제1항에 있어서, 인접하는 화소들의 공통라인은 공통 링크라인에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein the common lines of adjacent pixels are connected by a common link line. 제1항에 있어서, 상기 연결패턴의 길이는 상기 게이트라인의 폭의 5배 내지 10배의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device of claim 1, wherein a length of the connection pattern is in a range of 5 to 10 times the width of the gate line. 제1항에 있어서, 인접한 화소들 중에서 제1 화소의 공통라인으로부터 연장되어 제2 화소에 배치된 콘택 패드를 더 포함하고,The method of claim 1, further comprising: a contact pad extending from a common line of the first pixel among adjacent pixels and disposed in the second pixel; 상기 공통전극은 상기 콘택 패드에 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the common electrode is connected to the contact pad. 제1항에 있어서, 상기 공통라인은 상기 게이트라인과 상기 데이터라인에 인접하여 'ㄷ'자 형상으로 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein the common line is disposed in a '-' shape adjacent to the gate line and the data line. 제1항에 있어서, 상기 화소전극으로부터 연장된 화소전극 바들; 및The display device of claim 1, further comprising: pixel electrode bars extending from the pixel electrode; And 상기 화소전극 바들과 교대로 배치되고 상기 공통전극으로부터 연장된 공통전극 바들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a common electrode bar alternately disposed with the pixel electrode bars and extending from the common electrode. 제6항에 있어서, 상기 각 화소는 제1 및 제2 도메인을 포함하고, The method of claim 6, wherein each of the pixels includes first and second domains, 상기 제1 도메인의 화소전극 바들 및 공통전극 바들과 상기 제2 도메인의 화소전극 바들 및 공통전극 바들은 상기 제1 및 제2 도메인의 경계 영역에서 서로 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The pixel electrode bars and the common electrode bars of the first domain, and the pixel electrode bars and the common electrode bars of the second domain are symmetrically disposed in a boundary area between the first and second domains. . 기판 상에 게이트라인, 공통라인 및 콘택 패드를 형성하는 단계;Forming a gate line, a common line and a contact pad on the substrate; 상기 게이트라인, 상기 공통라인 및 상기 콘택 패드를 포함하는 상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the substrate including the gate line, the common line, and the contact pad; 상기 게이트라인에 대응하는 상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계;Forming a semiconductor layer on the gate insulating layer corresponding to the gate line; 상기 반도체층을 포함하는 상기 기판 상에 데이터라인 및 소오스/드레인전극을 형성하는 단계;Forming a data line and a source / drain electrode on the substrate including the semiconductor layer; 상기 데이터라인 및 상기 소오스/드레인전극을 포함하는 기판 상에 제1 및 제2 콘택홀을 갖는 보호막을 형성하는 단계; 및Forming a passivation layer having first and second contact holes on a substrate including the data line and the source / drain electrodes; And 상기 보호막 상에 화소전극, 공통전극 및 연결패턴을 형성하는 단계를 포함하고,Forming a pixel electrode, a common electrode, and a connection pattern on the passivation layer; 상기 연결패턴은 상기 게이트라인과 상기 데이터라인의 교차 영역 주변에서 상기 데이터라인에 오버랩되도록 배치되고 인접하는 화소들의 공통전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.And wherein the connection pattern is arranged to overlap the data line around an intersection area of the gate line and the data line, and is connected to a common electrode of adjacent pixels. 제8항에 있어서, 상기 연결패턴의 길이는 상기 게이트라인의 폭의 5배 내지 10배의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The method of claim 8, wherein the connection pattern has a length ranging from 5 times to 10 times the width of the gate line. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 인접한 화소들 중에서 제1 화소의 공통라인으로부터 연장되어 제2 화소에 배치된 콘택 패드를 더 포함하고,A contact pad extending from a common line of the first pixel among adjacent pixels and disposed in the second pixel, 상기 공통전극은 상기 콘택 패드에 연결되며,The common electrode is connected to the contact pad, 상기 인접하는 화소들의 공통라인은 공통 링크라인에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법.The common line of the adjacent pixels are connected by a common link line.
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