KR20090119144A - Wafer back grind system - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 이면 연마(back grind) 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 이면 연마 장치에서 척 테이블(chuck table)에 분사된 세정액을 진공 흡입하여 챔버에 저장하고 저장된 세정액이 일정량에 도달하면 이를 외부로 배출시키는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 반도체 패키지는 여러 단계의 공정을 거쳐 완성된다. 즉, 사진, 식각, 확산, 박막 공정 등을 여러 차례 반복하여 수행함으로써 웨이퍼 상에 전기회로 패턴을 형성하는 FAB(fabrication) 공정을 거친 후, 웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩의 전기적 특성 및 동작 상태를 테스트하여 양품과 불량품을 분류하는 EDS(Electric Die Sorting) 공정을 거치게 된다. 또한, EDS 공정을 통해 양품으로 판정된 칩은 칩 단위로 절단되어 조립(assembly) 공정을 거쳐 하나의 완성된 반도체 패키지로 만들어지게 된다. 한편, FAB 공정 및 EDS 공정 중에 있는 웨이퍼는 핸들링 과정에서 가해지는 충격 기타 외력에 견디기 위해 어느 정도의 강도를 유지해야 할 필요성이 있고, 이를 위해 충분한 두께를 가져야만 한다. 그러나 다른 한편으로는 상술한 바와 같이 칩 단위로 절단한 후 조립 공정을 거쳐 완성된 반도체 패키지의 소형화 및 고집적화를 위해서는 웨이퍼의 두께가 얇은 것이 유리하다.In general, semiconductor packages are completed through a multi-step process. That is, the photo, etching, diffusion, and thin film processes are repeatedly performed several times, followed by a FAB (fabrication) process for forming an electric circuit pattern on the wafer, and then the electrical characteristics and operating states of each chip constituting the wafer. It goes through an EDS (Electric Die Sorting) process that tests and sorts good and bad parts. In addition, the chip, which is determined to be good through the EDS process, is cut into chips and then assembled into a completed semiconductor package. On the other hand, wafers in the FAB process and the EDS process need to maintain some strength to withstand the impact and external force applied during the handling process, and must have a sufficient thickness for this. On the other hand, a thinner wafer is advantageous for miniaturization and high integration of the completed semiconductor package after cutting in chip units as described above.
따라서 FAB 공정 및 EDS 공정 중에는 웨이퍼의 두께를 통상 750㎛ 정도로 유지하다가, 조립 공정을 위해 웨이퍼를 칩 단위로 절단하기 전에 웨이퍼의 이면, 즉 전기회로 패턴이 형성된 면의 반대면을 연마하여 웨이퍼의 두께를 대략 280㎛ 정도까지 감소시키고 있다.Therefore, during FAB process and EDS process, the thickness of the wafer is generally maintained at about 750 μm, and then the back side of the wafer, that is, the surface opposite to the surface on which the electric circuit pattern is formed, is polished before the wafer is cut into chips for the assembly process. Is reduced to approximately 280 μm.
도 1은 종래의 웨이퍼 이면 연마 장치에서 폴리싱(polishing) 공정시 사용된 세정액을 진공 흡입 및 저장한 후 이를 외부로 배출하기 위한 구조를 간략하게 나타낸 구성도이다.FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a structure for discharging and cleaning a cleaning liquid used in a polishing process in a conventional wafer back surface polishing apparatus and then discharging the cleaning liquid to the outside.
종래의 웨이퍼 이면 연마 장치는 웨이퍼가 놓여지는 척 테이블(12), 척 테이블(12)로부터 진공 흡입된 세정액을 저장하는 진공 챔버(14), 진공 챔버(14)를 진공상태로 만들어주는 메인 진공 펌프(16), 진공 챔버(14)에 저장된 세정액의 수위를 단계별(LOW, HIGH, OVERFLOW)로 감지는 복수의 수위 감지 센서들(18a, 18b, 18c) 및 진공 챔버(14)의 세정액을 외부로 배출하기 위한 배출 펌프(20)를 포함한다. 그리고, 진공 밸브(22), 배기 밸브(24) 및 배출 밸브(26)를 포함한다.Conventional wafer back surface polishing apparatus includes a chuck table 12 on which a wafer is placed, a
도 1의 웨이퍼 이면 연마 장치의 동작을 간략하게 설명하면 다음과 같다.The operation of the wafer backside polishing apparatus of FIG. 1 will be briefly described as follows.
웨이퍼가 연마되는 동안 진공 챔버(14)는 메인 진공 펌프(16)에 의해 진공 상태가 된다. 이때, 진공 밸브(22)는 오픈 상태가 된다.The
진공 챔버(14)가 진공 상태가 됨으로써 웨이퍼 연마를 위해 웨이퍼에 분사된 세정액은 압력차에 의해 척 테이블(12)의 기공(미도시)을 통해 진공 챔버(14)로 진공 흡입되어 저장된다.Since the
이렇게 진공 흡입된 세정액이 진공 챔버(14)에 모아지면서 그 수위가 점차 높아져 기 설정된 하이레벨까지 상승하게 되면 이를 수위 감지 센서(18b)가 감지하게 된다. 수위 감지 센서(18b)로부터 감지신호가 발생하게 되면, 웨이퍼 이면 연마 장치는 배출 펌프(20)를 구동시켜 진공 챔버(14)에 저장된 세정액을 강제적으로 외부로 배출시킨다.As the cleaning liquid sucked in the vacuum is collected in the
이때, 진공 챔버(14)가 진공인 상태에서는 배출 펌프(20)를 구동시키더라도 세정액이 정상적으로 배출되지 않기 때문에 먼저 진공 밸브(22)를 닫고 배기 밸브(24)와 배출 밸브(26)를 열어 진공 챔버(14) 내의 진공 상태를 해제시킨다.At this time, since the cleaning liquid is not normally discharged even when the
그런데, 진공 챔버(14) 내의 압력이 진공 상태를 유지하지 못하게 되면 척 테이블에 놓여진 웨이퍼를 진공 흡착할 수 없게 되므로 이 상태에서는 연마 동작을 계속 수행할 수 없게 된다.However, when the pressure in the
따라서, 종래의 웨이퍼 이면 연마 장치는 진공 챔버(14)에 저장된 세정액을 배출하는 일정 시간 동안(약 2 ∼ 3분) 즉 진공 챔버(14)가 진공 상태로 있지 않는 동안에는 불가피하게 연마 동작을 중단시켜야 하는 비가동 시간을 갖게 되는 문제가 있다. 더욱이 이러한 비가동 시간은 세정액을 배출할 때마다 발생하기 때문에 전체적인 공정의 효율을 저해하는 원인이 되고 있다.Therefore, the conventional wafer back surface polishing apparatus must inevitably stop the polishing operation for a predetermined time (about 2 to 3 minutes) for discharging the cleaning liquid stored in the
본 발명은 웨이퍼 이면 연마 동작시 세정액 배출에 의한 장비의 비가동 시간을 제거함으로써 공정 효율을 증대시키고자 한다.The present invention aims to increase process efficiency by eliminating equipment downtime due to cleaning liquid discharge during wafer backside polishing.
본 발명의 웨이퍼 이면 연마 장치는 척 테이블에 진공을 공급하고 세정액을 흡입하는 진공부; 상기 진공부를 통해 흡입된 세정액을 저장하는 저장 챔버; 상기 저장 챔버에 저장된 세정액의 수위를 감지하는 수위 감지부; 상기 저장 챔버에 저장된 세정액을 배출시키는 배출 펌프; 및 상기 수위 감지부의 출력신호에 따라 상기 배출 펌프에 구동 전원을 공급하는 펌프 구동부를 포함한다.The wafer backside polishing apparatus of the present invention includes a vacuum unit for supplying a vacuum to the chuck table and sucking the cleaning liquid; A storage chamber storing the cleaning liquid sucked through the vacuum unit; A level sensor detecting a level of the cleaning liquid stored in the storage chamber; A discharge pump for discharging the cleaning liquid stored in the storage chamber; And a pump driver supplying driving power to the discharge pump according to the output signal of the water level detector.
본 발명에서 상기 진공부는 에어를 분사하는 에어 공급부; 및 상기 에어 공급부에서 분사된 에어의 흐름을 조정하여 상기 척 테이블에 진공을 공급하는 진공 밸브를 포함한다. 이때, 상기 진공 밸브는 상기 척 테이블에 공급되는 진공을 이용하여 척 테이블의 세정액을 진공 흡입하여 상기 저장 챔버에 공급한다. 그리고, 이러한 진공 밸브로는 벤츄리(Ventury) 밸브가 사용된다.In the present invention, the vacuum unit is an air supply unit for injecting air; And a vacuum valve for supplying a vacuum to the chuck table by adjusting a flow of air injected from the air supply unit. At this time, the vacuum valve vacuum- suctions the cleaning liquid of the chuck table by using the vacuum supplied to the chuck table and supplies it to the storage chamber. As the vacuum valve, a Venturi valve is used.
본 발명에서 상기 수위 감지부는 상기 세정액의 수위가 기 설정된 제 1 레벨에 도달시 제 1 감지신호를 출력하는 제 1 수위 감지 센서; 및 상기 세정액이 기 설정된 제 2 레벨에 도달시 제 2 감지신호를 출력하는 제 2 수위 감지 센서를 포함한다. 이러한 수위 감지 센서로는 정전용량형 근접센서(proximity sensor)가 사용된다.The level sensor may include a first level sensor configured to output a first detection signal when the level of the cleaning liquid reaches a preset first level; And a second water level sensor configured to output a second detection signal when the cleaning liquid reaches a preset second level. As such a water level sensor, a capacitive proximity sensor is used.
본 발명에서 상기 펌프 구동부는 상기 제 2 감지신호가 발생시 상기 배출 펌프에 구동 전원을 공급하고 상기 제 1 감지신호에 따라 자기유지기능을 수행하는 자기유지회로이다. 이러한 상기 펌프 구동부는 상기 제 1 수위 감지 센서의 출력단과 연결되어 상기 제 1 감지신호를 인가받는 제 1 접속단자; 상기 배출 펌프의 전원 입력단과 연결되는 제 2 접속단자; 상기 제 2 수위 감지 센서의 출력단과 연결되며, 상기 제 1 감지신호 또는 상기 제 2 감지신호가 인가시 스위칭되어 상기 제 1 접속단자와 연결되는 제 1 릴레이 스위치; 및 상기 구동 전원과 연결되며, 상기 제 1 릴레이 스위치와 릴레이되어 상기 제 1 릴레이 스위치가 상기 제 1 접속단자와 연결시 상기 제 2 접속단자와 연결되는 제 2 릴레이 스위치를 포함한다.In the present invention, the pump driving unit is a self-holding circuit for supplying driving power to the discharge pump when the second detection signal is generated and performs a self-holding function according to the first detection signal. The pump driving unit may include a first connection terminal connected to an output terminal of the first water level detection sensor and receiving the first detection signal; A second connection terminal connected to a power input terminal of the discharge pump; A first relay switch connected to an output terminal of the second water level sensor and connected to the first connection terminal when the first detection signal or the second detection signal is applied; And a second relay switch connected to the driving power source and relayed to the first relay switch to be connected to the second connection terminal when the first relay switch is connected to the first connection terminal.
본 발명의 웨이퍼 이면 연마 장치는 상기 진공부를 통해 상기 저장 챔버에 유입된 공기를 외부로 배출하는 배기부를 더 구비하며, 이러한 배기부는 저장 챔버의 내부를 항시 외부에 개방시키는 개방된 밸브로 이루어진다.The wafer backside polishing apparatus of the present invention further includes an exhaust portion for discharging the air introduced into the storage chamber through the vacuum portion to the outside, and the exhaust portion is formed of an open valve which always opens the inside of the storage chamber to the outside.
본 발명은 웨이퍼 이면 연마 장치의 구조를 개선하여 챔버에 저장된 세정액이 배출되는 동안에도 연마 장치가 계속해서 구동될 수 있도록 해줌으로써 전체적인 공정 효율을 향상시켜준다.The present invention improves the overall process efficiency by improving the structure of the wafer backside polishing apparatus so that the polishing apparatus can be continuously driven while the cleaning liquid stored in the chamber is discharged.
아울러 본 발명의 바람직한 실시 예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.In addition, the preferred embodiment of the present invention for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, substitutions and additions through the spirit and scope of the appended claims, such modifications and changes are the following claims It should be seen as belonging to a range.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 이면 연마 장치의 구성을 나타낸 구성도이다.2 is a block diagram showing the configuration of a wafer back surface polishing apparatus according to the present invention.
본 발명의 웨이퍼 이면 연마 장치는 저장 챔버(100), 진공부(200), 수위 감지부(300), 펌프 구동부(400), 배출 펌프(500) 및 배기부(600)를 포함한다.The wafer back surface polishing apparatus of the present invention includes a
저장 챔버(100)는 진공부(300)를 통해 진공 흡입된 세정액을 일시 저장한다. 본 발명의 저장 챔버(100)는 도 1의 진공 챔버(14)와 달리 폴리싱(polishing) 동작시 그 내부가 진공 상태로 유지되지 않는다.The
진공부(200)는 척 테이블(12)에 직접 진공을 공급하여 척 테이블(12)에 놓여진 웨이퍼가 척 테이블(12)에 진공 흡착되도록 하고 척 테이블(12) 상의 세정액이 진공 흡입되어 저장 챔버(100)에 저장되도록 한다. 즉, 본 발명의 진공부(200)는 종래와 같이 저장 챔버(100)의 내부를 진공 상태로 만들어 이를 통해 척 테이블(12)에 진공을 공급하는 것이 아니라 척 테이블(12)에 직접 진공을 공급하며 배출 펌프(500)와 독립적으로 구동되어 배출 펌프(500)가 구동되는 동안에도 척 테이블(12)에 지속적으로 진공을 공급함으로써 저장 챔버(100)에 저장된 세정액을 배출하는 동안에도 폴리싱 동작을 계속 수행할 수 있도록 해준다. 이러한 진공부(200)는 고압의 에어(air)를 분사하는 에어 공급부(210) 및 에어 공급부(210)에서 분사되는 고압의 에어를 이용하여 척 테이블(12)에 진공을 공급하는 벤츄리(Ventury) 밸브(220)를 포함한다. 이때, 에어 공급부(210)는 저장 챔버(100)의 세정액이 배출 되는 동안에도 지속적으로 벤츄리 밸브(220)에 에어를 분사한다. 그리고, 벤츄리 밸브(220)는 에어 공급부(210)에서 분사되는 에어의 흐름을 조정하여 파스칼 원리에 따라 진공을 형성한 후 이를 척 테이블(120)에 공급함으로써 척 테이블(12)에 놓인 웨이퍼가 진공 흡착되어 고정될 수 있도록 해주며 폴리싱 공정시 사용된 세정액을 진공 흡입하여 저장 챔버(100)에 저장되도록 한다. 이러한 벤츄리 밸브(220)는 에어 공급부(210)에서 공급되는 에어의 압력이 0.5 Mpa 이상일 때 최대 -88 Kpa의 진공압을 형성하며, 진공압이 -80 Kpa 이상일 때 흡입유량은 12 L/Min(ANR) 정도가 된다.The
수위 감지부(300)는 저장 챔버(100)에 저장된 세정액의 수위를 레벨별(LS1, LS2, LS3)로 감지하여 세정액의 현재 수위를 알려주는 감지신호들을 출력하는 복수의 수위 감지 센서들(300a, 300b, 300c)을 포함한다. 이때, 본 발명의 수위 감지 센서들(300a, 300b, 300c)은 전극에 인가된 전압에 의해 생성된 전계를 이용하여 전계 중에 존재하는 물체 내의 전하의 이동 및 분리에 따른 정전용량의 변화를 검출하는 정전용량형 근접센서(proximity sensor)가 사용된다. 이러한 정전용량형 근접센서들00a, 300b, 300c)은 저장 챔버(100)의 표면으로부터 10 ㎜ 이내에 설치되는 것이 바람직하다. 이러한 정전용량형 근접센서 자체는 일반적인 것이므로 이하에서는 이에 대한 구체적인 동작 설명을 생략한다. 그리고, 수위 감지 센서들(300a, 300b, 300c)이 감지하는 세정액의 수위(LS1, LS2, LS3)는 도 1에서와 같다.The
펌프 구동부(400)는 수위 감지부(300)에서 발생하는 감지신호들에 따라 배출 펌프(600)를 선택적으로 구동시켜 저장 챔버(100)에 세정액이 기 설정된 일정 수위(LS2) 이상 저장되지 않도록 조절한다. 즉, 펌프 구동부(400)는 저장 챔버(100)에 저장된 세정액이 하이레벨(LS2)에 도달하여 수위 감지 센서(300b)에서 감지신호가 발생하면 배출 펌프(500)에 구동 전원을 공급하여 배출 펌프(500)를 구동시시킨다. 이때, 펌프 구동부(400)는 자기유지회로로서 동작하여 세정액의 수위가 로우레벨(LS1) 아래로 낮아질 때까지 배출 펌프(500)에 구동 전원을 계속 공급한다.The
배출 펌프(500)는 펌프 구동부(400)로부터 공급되는 구동 전원에 따라 구동되어 저장 챔버(100)에 저장된 세정액을 저장 챔버(100) 외부로 강제 배출시킨다.The
배기부(600)는 진공부(200)로부터 저장 챔버(100)에 유입되는 공기가 챔버(100)의 외부로 배출되도록 해준다. 즉, 배기부(600)는 저장 챔버(100)의 내부를 항시 외부에 개방시키는 개방된 밸브로 이루어져 저장 챔버(100)의 내부가 밀폐되지 않고 대기중에 항상 개방되도록 해준다.The
도 3은 상술한 본 발명에 따른 웨이퍼 이면 연마 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating the operation of the wafer back surface polishing apparatus according to the present invention described above.
장치가 가동되어 웨이퍼 이면이 연마되는 동안, 에어 공급부(210)는 고압의 에어를 벤츄리 밸브(220)로 분사한다(단계 210).While the apparatus is running and the wafer backside is polished, the
에어 공급부(210)에서 분사된 고압의 공기는 도 4와 같은 구조의 벤츄리 밸브(220)를 통과하면서 진공을 형성하여 척 테이블(12)에 진공을 공급하게 된다(단계 220).The high pressure air injected from the
즉, 파스칼의 원리에 따라, 입력단을 통해 유입된 공기가 갑자기 좁은 관을 통과하게 되면 공기의 흐름이 갑자기 빨라지면서 그 좁은 관의 압력이 급격히 낮아져 하단에서 유체가 빨려 들어오게 된다. 이때, 입력단으로 유입되는 공기의 압력이 높게 되면 좁은 관의 압력은 거의 진공 상태에 가깝게 된다. 본 발명의 진공부(200)는 이러한 파스칼의 원리를 이용하여 척 테이블(12)에 진공을 공급한다.In other words, according to Pascal's principle, when the air introduced through the input stage suddenly passes through the narrow tube, the air flow suddenly increases and the pressure of the narrow tube is drastically lowered, so that the fluid is sucked in from the bottom. At this time, when the pressure of the air flowing into the input stage is high, the pressure of the narrow tube is almost close to the vacuum state. The
이러한 원리에 따라 척 테이블(12)에 진공이 공급됨으로써 웨이퍼는 척 테이블(12)에 진공 흡착되고 폴리싱 공정시 사용된 세정액은 벤츄리 밸브(220)로 진공 흡입되어 저장 챔버(100)에 저장되게 된다.According to this principle, the vacuum is supplied to the chuck table 12 so that the wafer is vacuum-adsorbed to the chuck table 12, and the cleaning liquid used in the polishing process is vacuum sucked by the
이렇게 저장 챔버(100)에 저장되는 세정액의 양이 점점 늘어나 세정액의 수위가 로우레벨(LS1)에 도달하게 되면(단계 230), 제 1 수위 감지 센서(300a)는 이를 감지하여 제 1 감지신호를 발생시킨다(단계 240).When the amount of the cleaning liquid stored in the
이러한 제 1 감지신호는 펌프 구동부(400)의 b 단자로 인가된다. 제 1 감지신호는 세정액의 수위가 로우레벨(LS1) 아래로 낮아질 때까지 계속 발생하게 된다.The first detection signal is applied to the b terminal of the
폴리싱 공정이 계속되어 척 테이블(12)을 통해 흡입된 세정액이 점차 늘어나 저장 챔버(100)에 저장된 세정액의 수위가 하이레벨(LS2)에 도달하게 되면(단계 250), 제 2 수위 감지 센서(300b)는 이를 감지하여 제 2 감지신호를 발생시킨다(단계 260).When the polishing process continues and the cleaning liquid sucked through the chuck table 12 gradually increases, and the level of the cleaning liquid stored in the
이러한 제 2 감지신호는 펌프 구동부(400)의 릴레이 스위치(RS1)로 인가되며, 세정액의 수위가 하이레벨(LS2) 아래로 낮아질 때까지 계속 발생하게 된다.The second detection signal is applied to the relay switch RS1 of the
제 2 감지신호가 발생하게 되면, 펌프 구동부(400)의 릴레이 스위치(RS1)가 a 접속단자에서 b 접속단자로 스위칭 된다. 이와 함께, 릴레이 스위치(RS2)도 릴 레이 스위치(RS1)와 릴레이 되어 c 접속단자에서 d 접속단자로 스위칭 된다. 즉, 릴레이 스위치(RS1)는 감지신호가 인가되지 않는 동안에는 a 접속단자와 연결되며 감지신호가 인가되면 b 접속단자로 스위칭되어 b 접속단자와 연결된다. 이때, 릴레이 스위치(RS2)는 릴레이 스위치(RS1)와 릴레이 되어 같은 방향으로 즉 c 접속단자에서 d 접속단자로 스위칭 된다.When the second detection signal is generated, the relay switch RS1 of the
이러한 릴레이 구동에 의해 릴레이 스위치(RS2)가 d 접속단자와 연결되면 릴레이 스위치(RS2)에 연결된 구동 전원(AC 110V)이 릴레이 스위치(RS2) 및 d 접속단자를 통해 배출 펌프(500)의 전원 입력단에 인가됨으로써 배출 펌프(500)가 구동하게 된다. 이에 따라, 저장 챔버(100)에 저장된 세정액은 배출 펌프(500)의 구동에 의해 강제적으로 저장 챔버(100)의 외부로 배출된다(단계 270).When the relay switch RS2 is connected to the d connection terminal by the relay driving, the driving power source AC 110V connected to the relay switch RS2 is connected to the power input terminal of the
이러한 세정액 배출이 이루어지는 동안에도 에어 공급부(210)는 고압의 에어 분사를 계속한다. 즉, 에어 공급부(210)는 배출 펌프(500)의 구동과 상관없이 계속 벤츄리 밸브(220)에 에어를 분사함으로써 세정액의 배출이 이루어지는 동안에도 척 테이블(12)은 계속 진공을 공급받을 수 있게 된다. 따라서 세정액을 배출시에도 폴리싱 동작을 멈추지 않고 계속 진행할 수 있게 된다.Even while the cleaning liquid is discharged, the
배출 펌프(500)의 구동에 의해 세정액이 배출되면 세정액의 수위가 점차 낮아지게 되며 그 수위가 하이레벨(LS2) 보다 낮아지게 되면 제 2 수위 감지 센서(300b)가 이를 감지하여 제 2 감지신호의 발생을 중단한다.When the cleaning liquid is discharged by the driving of the
그러나 본 발명의 펌프 구동부(400)는 제 2 감지신호의 발생이 중단되더라도 바로 배출 펌프(500)로의 전원공급을 중단하지 않고 제 1 감지신호를 이용한 자기 유지기능을 수행하여 세정액의 수위가 로우레벨(LS1) 보다 낮아질 때까지 배출 펌프(500)로의 전원공급을 계속 수행한다. 즉, 본 발명의 펌프 구동부(400)는 제 2 감지신호에 의해 배출 펌프(500)로의 전원 공급을 시작한 후 제 2 감지신호와 상관없이 제 1 감지신호를 이용해 일정 시점까지 전원 공급을 유지하는 자기유지기능을 수행하는 자기유지회로로서 동작한다.However, even if the generation of the second detection signal is stopped, the
이러한 펌프 구동부(400)의 자기유지기능을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Referring to the self-maintenance function of the
만약 배출 펌프(500)로의 전원공급이 제 2 감지신호의 발생 여부에 따라 결정되게 되면 세정액의 수위가 하이레벨(LS2) 보다 낮아지는 순간 제 2 감지신호의 발생이 중단되어 세정액의 배출이 중단되게 된다. 그러다 다시 세정액의 수위가 하이레벨(LS2)에 도달하면 다시 세정액의 배출이 시작되고 세정액의 배출로 인해 다시 세정액의 수위가 하이레벨(LS2) 보다 낮아지면 세정액의 배출이 다시 중단된다. 따라서, 세정액의 수위는 계속 하이레벨(LS2)을 중심으로 약간 낮아졌다 다시 하이레벨에에 도달하는 과정을 반복하게 되며 배출 펌프(500)의 구동도 빈번하게 반복되게 된다.If the power supply to the
따라서, 세정액의 배출은 세정액의 수위가 하이레벨(LS2)에 도달시(제 2 감지 신호 발생시)에 시작되어 그 수위가 로우레벨(LS1) 보다 낮아질 때(제 1 감지 신호의 발생이 중단될 때)까지 계속되어야 한다.Therefore, the discharge of the cleaning liquid starts when the level of the cleaning liquid reaches the high level LS2 (when the second sensing signal is generated) and when the level is lower than the low level LS1 (the generation of the first sensing signal is stopped). Must be continued).
이를 위해 본 발명의 펌프 구동부(400)는 제 1 감지신호를 이용한 자기유지기능을 수행한다. 즉, 제 2 감지신호의 발생이 중단되더라도 아직 세정액의 수위 는 로우레벨(LS1) 보다 높은 상태이므로 제 1 감지신호는 계속 발생하여 펌프 구동부(400)의 b 접속단자로 인가된다. 따라서, b 접속단자와 물리적으로 연결된 릴레이 스위치(RS1)는 비록 제 2 수위 감지 센서(300b)로부터의 제 2 감지신호는 인가받지 못하더라도 b 접속단자를 통해 제 1 감지신호를 계속 인가받게 되므로 b 접속단자와 연결된 상태가 계속 유지된다. 릴레이 스위치(RS1)가 b 접속단자와 계속 연결된 상태를 유지함으로써 릴레이 스위치(RS2)도 d 접속단자와 연결된 상태가 계속 유지되며, 이에 따라 배출 펌프(500)는 계속해서 구동 전원을 공급받을 수 있게 된다.To this end, the
이러한 배출 펌프(500)로의 전원공급은 저장 챔버(100) 내 세정액의 수위가 로우레벨(LS1) 아래로 낮아져 제 1 감지신호가 발생하지 않을 때까지 계속된다. 이처럼, 본 발명의 펌프 구동부(400)는 배출 펌프(500)로의 전원공급은 제 2 감지신호가 발생시 수행되지만, 제 2 감지신호의 발생이 중단되었다고 하여 바로 전원공급을 중단하지 않고 제 1 감지신호에 의한 자기유지기능을 수행하여 제 1 감지신호의 발생이 중단될 때까지 전원공급을 지속한다.The power supply to the
이러한 자기유지기능에 의해 세정액이 계속 배출되어 세정액의 수위가 로우레벨(LS1) 보다 낮아지게 되면 제 1 수위 감지 센서(300a)는 제 1 감지신호의 발생을 중단한다(단계 280).When the cleaning liquid continues to be discharged by the self-maintaining function such that the level of the cleaning liquid becomes lower than the low level LS1, the first
제 1 감지신호의 중단으로 릴레이 스위치(RS1)로 더 이상 감지신호가 인가되지 않게 되면, 릴레이 스위치(RS1)는 다시 b 단자에서 a 단자로 스위칭하게 되며, 이에 따라 릴레이 스위치(RS2)도 릴레이 되어 d 단자와의 연결을 끊고 다시 c 단자 로 스위칭하게 된다.When the detection signal is no longer applied to the relay switch RS1 due to the interruption of the first detection signal, the relay switch RS1 switches from the b terminal to the a terminal again, so that the relay switch RS2 is also relayed. It disconnects from d terminal and switches back to c terminal.
이처럼, 릴레이 스위치(RS2)가 c 단자로 이동하게 되면 d 단자를 통한 배출 펌프(500)로의 전원공급이 차단되게 되므로 배출 펌프(500)는 더 이상 구동되지 못하게 되고 이로 인해 세정액의 배출도 중단된다(단계 290).As such, when the relay switch RS2 is moved to the c terminal, the power supply to the
세정액의 수위가 로우레벨(LS1) 보다 낮아진 후에는 다시 상술한 단계 230 이후의 과정들이 반복 수행된다.After the level of the cleaning liquid is lower than the low level LS1, the processes subsequent to step 230 are repeated.
이처럼, 종래에는 메인 진공 펌프를 이용하여 챔버를 진공상태로 만듦으로써 척 테이블에 진공을 공급하였으나 본 발명은 챔버를 진공상태로 만들지 않고 바로 척 테이블에 진공을 공급함으로써 챔버에 저장된 세정액을 배출하는 동안에도 척 테이블에 지속적으로 진공을 공급할 수 있어 장비의 비동작 시간을 제거할 수 있게 된다.As such, in the related art, the vacuum is supplied to the chuck table by making the chamber into a vacuum state using a main vacuum pump. However, the present invention provides a vacuum to the chuck table without discharging the chamber, thereby discharging the cleaning liquid stored in the chamber. Vacuum can be continuously supplied to the induction table, eliminating equipment downtime.
도 1은 종래의 웨이퍼 이면 연마 장치에서 폴리싱(polishing) 공정시 사용된 세정액을 진공 흡입 및 저장한 후 이를 외부로 배출하기 위한 구조를 간략하게 나타낸 구성도.1 is a schematic view showing a structure for discharging a cleaning liquid used during a polishing process in a conventional wafer backside polishing apparatus after vacuum suction and storage and then discharging the cleaning liquid to the outside.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 이면 연마 장치의 구성을 나타낸 구성도.Figure 2 is a block diagram showing the configuration of a wafer back surface polishing apparatus according to the present invention.
도 3은 상술한 본 발명에 따른 웨이퍼 이면 연마 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도.Figure 3 is a flow chart for explaining the operation of the wafer back surface polishing apparatus according to the present invention described above.
도 4는 벤츄리 밸브의 구조를 나타내는 도면.4 shows the structure of a venturi valve.
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080045007A KR20090119144A (en) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Wafer back grind system |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020080045007A KR20090119144A (en) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Wafer back grind system |
Publications (1)
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Family Applications (1)
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KR1020080045007A KR20090119144A (en) | 2008-05-15 | 2008-05-15 | Wafer back grind system |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN117316832A (en) * | 2023-11-28 | 2023-12-29 | 泗洪红芯半导体有限公司 | Vacuum automatic fast switch intelligent system |
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2008
- 2008-05-15 KR KR1020080045007A patent/KR20090119144A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN117316832A (en) * | 2023-11-28 | 2023-12-29 | 泗洪红芯半导体有限公司 | Vacuum automatic fast switch intelligent system |
CN117316832B (en) * | 2023-11-28 | 2024-02-23 | 泗洪红芯半导体有限公司 | Vacuum automatic fast switch intelligent system |
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