KR20090113771A - 음향발생장치 - Google Patents

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KR20090113771A
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Abstract

본 발명에 따른 음향발생장치는, 신호입력장치 및 상기 신호입력장치가 입력한 신호를 수신하여 음파를 방출할 수 있는 탄소 나노튜브구조를 갖고 있는 음향발생소자를 포함한다.

Description

음향발생장치{Sound Emitting Device}
본 발명은 음향발생장치에 관한 것으로, 특히 탄소 나노튜브에 의한 음향발생장치에 관한 것이다.
음향발생장치는 일반적으로 신호입력장치 및 음향발생소자로 구성되고, 신호입력장치에 의해 음향발생소자에 전기신호를 제공함으로써 소리를 방출한다. 음향발생소자로서 일반적으로 확성기를 사용한다. 확성기는 전기신호를 음향신호로 변환시키는 전기음향장치(electroacoustic device)이다. 즉, 확성기는 변환기를 통해 일정한 범위 내의 오디오(audio)신호를 왜곡(distortion)이 작고 충분한 음압레벨(SPL)을 갖는 가청(可聽)소리로 변환시킨다.
종래의 확성기는 그 작동윈리에 따라 동전형(動電型), 전자기형, 정전형(靜電型), 압전기형(壓電氣型) 등으로 나눌 수 있다. 비록 작동 방식이 다르기는 하지만, 모두 기계적 진동을 통해 주위의 공기를 추동시키고, 이에 따라 공기매질에 파동이 발생되어 "전기(電氣)-힘(力)-소리"의 변환을 실현한다. 상기 확성기 중에 서 동전형 확성기가 가장 널리 상용된다.
도 1은 종래 기술에 따른 동전형 확성기(100)의 구조도이다. 상기 확성기는 일반적으로 보이스코일(Voice coil)(102), 자석(104) 및, 진동판(106) 등 3부분으로 구성된다. 상기 보이스코일(102)은 일반적으로 전기도체를 채용한다. 상기 보이스코일(102)에 오디오 전류신호를 입력하는 경우, 상기 보이스코일(102)은 전류가 흐르는 도체(Current Carrying Conductor)에 상당하게 된다. 전류가 흐르는 도체가 자기장(磁氣場, magnetic field) 중에서 힘을 받아 운동하는 원리에 근거하여, 상기 보이스코일(102)은 상기 자석(104)이 발생한 자기장에서, 크기가 오디오 전류에 정비례되고 방향이 오디오 전류의 변화에 따라 변하는 힘을 받아 진동되는 한편, 상기 진동판(106)을 진동시킨다. 상기 진동판(106)이 진동됨에 따라, 상기 진동판(106) 앞뒤의 공기도 따라서 진동되며 전기신호를 음파(音波)로 변환시켜 주위로 복사시킨다. 그러나, 이러한 동전형 확성기는 구조가 복잡하고, 또 자석(즉, 장기장)이 필요로 된다.
90년대초 이래, 탄소 나노튜브[Helical microtubules of graphitic carbon, Nature, Sumio Iijima, vol 354, p56(1991) 참고]를 비롯한 나노재료는 그의 독특한 구조 및 성능으로 사람들의 주목을 받고 있다. 근래, 탄소 나노튜브 및 나노재료에 대한 연구가 계속됨에 따라, 그 응용 영역이 부단히 넓어지고 있다. 예컨대, 탄소 나노튜브가 독특한 전자기학, 광학, 역학(Mechanics) 및 화학 등의 특성을 갖고 있기 때문에, 전계방출원(Field Emission Source), 센서, 새로운 광학 재료 및 연강자성(Soft Ferromagnetic) 재료 등의 영역에 널리 응용되고 있다. 그러나, 종 래 기술에 있어서 탄소 나노튜브를 음향학에 응용하는 것을 발견하지 못하였다.
본 발명은, 구조가 간단하고, 자석(즉, 자기장)이 없는 조건 하에서 작동될 수 있는 음향발생장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 음향발생장치는, 신호입력장치 및 음향발생소자를 구비한다. 상기 음향발생소자는 탄소 나노튜브구조를 포함한다. 상기 탄소 나노튜브구조는 상기 신호입력장치가 입력한 신호를 수신하여 음파를 방출한다.
본 발명에 따른 음향발생장치는 다음과 같은 이점이 있다.
첫째, 상기 음향발생장치의 음향발생소자는 탄소 나노튜브구조만 포함하고, 자석 등과 같은 여타 구조를 필요로 하지 않기 때문에, 그 구조가 간단하고, 코스트를 절약할 수 있다.
둘째, 상기 음향발생장치는 신호입력에 의한 탄소 나노튜브구조의 온도 변화를 이용하여 주위의 공기를 신속히 팽창 또는 수축시켜 음파를 방출한다. 따라서, 상기 음향발생장치는 자기장(磁氣場)이 없는 환경에서 작동할 수 있다.
셋째, 탄소 나노튜브구조가 비교적 작은 열용량(heat capacity) 및 비교적 큰 비표면적을 가짐으로써, 상기 탄소 나노튜브구조는 승온 속도가 빠르고, 열적 히스테리시스(thermal tsteresis)가 작으며, 열교환 속도가 빠른 특성을 갖는다. 따라서, 상기 탄소 나노튜브구조에 의해 구성된 음향발생장치는 광대역 스펙트럼(wide spectrum) 범위의 소리를 방출할 수 있고, 음향발생 효과도 우수하다.
넷째, 탄소 나노튜브구조의 두께가 비교적 작을 경우(예컨대, 두께가 10㎛ 보다 작을 경우), 탄소 나노튜브구조가 투명하기 때문에 상기 탄소 나노튜브구조에 의해 구성된 음향발생장치는 투명한 음향발생장치로 된다. 이에 따라, 상기 투명한 음향발생장치를 각종 표시장치, 유화 등의 윗 표면에 직접 설치하여 공간을 절약할 수 있다.
다섯째, 탄소 나노튜브가 우수한 기계적 강도 및 인성을 가짐으로써 상기 탄소 나노튜브에 의해 구성된 탄소 나노튜브구조도 우수한 기계적 강도, 인성(靭性, Toughness) 및 내구성을 갖는다. 이러한 특성은 여러가지 모양, 사이즈의 음향발생장치를 제조하는데 유리하고, 또한 여러영역에 응용되는데도 편리하다.
이하, 예시도면을 참조하면서 본 발명에 따른 음향발생장치에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 음향발생장치(10)의 구조도이다. 상기 음향발생장치(10)는 신호입력장치(12)와, 음향발생소자(14) 및, 상기 음향발생소자(14)의 양단에 설치되는 한편 상기 신호입력장치(12)의 양단에 전기접속되어 상 기 신호입력장치(12)의 신호를 상기 음향발생소자(14)에 입력하는 제1전극(142) 및 제2전극(144)을 구비한다.
상기 음향발생소자(14)는 탄소 나노튜브구조를 포함한다. 상기 탄소 나노튜브구조는 층상(層狀) 또는 여타 모양일 수 있고, 비교적 큰 비표면적을 갖고 있다. 상기 음향발생소자(14)의 단위면적의 열용량은 2×10-4J/cm2ㆍK 보다 작다. 상기 음향발생소자(14)의 단위면적의 열용량은 1.7×10-6J/cm2ㆍK 보다 작은 것이 바람직하다. 상기 탄소 나노튜브구조는 반 데르 발스(Van der Waals)의 힘에 의해 긴밀히 연결되고, 균일하게 분포된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유한다.
상기 탄소 나노튜브구조 중의 탄소 나노튜브들은 무질서하게 또는 질서정연하게 배열되어 있다. 상기 탄소 나노튜브구조가 무질서하게 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유하는 경우에는, 탄소 나노튜브들이 서로 뒤엉킨 상태로 배열되거나 등방적(isotropic)으로 배열된다. 상기 탄소 나노튜브구조가 질서정연하게 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유하는 경우에는, 탄소 나노튜브들은 기본적으로 동일한 방향 또는 여러 방향을 따라 우선방위(preferred orientation)로 배열된다.
상기 탄소 나노튜브구조의 두께는 0.5nm∼1mm이다. 상기 탄소 나노튜브구조의 두께가 너무 크면, 비표면적이 작아지고 열용량이 커진다. 상기 탄소 나노튜브구조의 두께가 너무 작으면, 기계적 강도가 약해지고 내구성(耐久性)이 나빠진다. 상기 탄소 나노튜브구조의 두께는 50nm로 하는 것이 바람직하다. 상기 탄소 나노튜브구조의 두께가 비교적 작을 경우(예컨대, 두께가 10㎛ 보다 작을 경우), 탄소 나노튜브구조가 투명하기 때문에 상기 탄소 나노튜브구조에 의해 구성된 음향발생장치는 투명한 음향발생장치로 된다. 이에 따라서, 상기 투명한 음향발생장치를 각종 표시장치, 유화(油畵) 등의 상표면에 직접 설치하여 공간을 절약할 수 있다.
상기 탄소 나노튜브구조 중의 탄소 나노튜브는 단일벽 탄소 나노튜브, 이중벽 탄소 나노튜브 및 다중벽 탄소 나노튜브 중의 한가지 또는 몇가지를 함유한다. 상기 단일벽 탄소 나노튜브의 직경은 0.5nm∼50nm이고, 이중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.0nm∼50nm이며, 다중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.5nm∼50nm이다.
상기 탄소 나노튜브구조는 구체적으로 적어도 한층의 탄소 나노튜브막을 포함한다. 상기 탄소 나노튜브막은 탄소 나노튜브 드로잉(Drawing)막, 탄소 나노튜브 면모구조(Wadding)막 또는 긴 탄소 나노튜브막을 포함할 수 있다.
상기 탄소 나노튜브 드로잉막은 우선방위로 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유한다. 상기 복수개의 탄소 나노튜브의 끝단과 끝단은 반 데르 발스의 힘에 의해 서로 연결되어 있다. 상기 탄소 나노튜브 드로잉막은 탄소 나노튜브 어레이에서 직접 당겨 얻을 수 있다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 각각의 탄소 나노튜브 드로잉막은 연속적으로 연결되고 일정한 방향으로 배열[정향배열(定向配列)이라고도 함]된 복수개의 탄소 나노튜브 단편(143)을 포함한다. 상기 복수개의 탄소 나노튜브 단편(143)의 끝단과 끝단은 반 데르 발스의 힘에 의해 서로 연결된다. 각 탄소 나노튜브 단편(143)은 서로 평행된 복수개의 탄소 나노튜브(145)를 포함한다. 상기 서로 평행된 복수개의 탄소 나노튜브(145)는 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀 히 연접된다. 상기 탄소 나노튜브 단편(143)은 임의의 폭, 두께, 균일성 및, 형상을 갖는다.
상기한 바와 같이, 탄소 나노튜브 어레이에서 직접 당겨 얻은 탄소 나노튜브 드로잉막에 대해 유기용제 처리를 실시할 수 있다. 유기용제 처리 후의 상기 탄소 나노튜브 드로잉막의 표면체적비(표면/체적)가 작아지고, 점착성이 저하되며, 기계적강도 및 인성이 향상된다.
상기 탄소 나노튜브 드로잉막의 두께는 0.5nm∼100㎛이다. 상기 음향발생소자(14)는 중첩 설치된 적어도 2층의 탄소 나노튜브 드로잉막을 함유하고, 서로 인접된 탄소 나노튜브 드로잉막은 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 결합된다. 상기 음향발생소자(14)에 있어서, 탄소 나노튜브 드로잉막의 층수에 대해 한정하지 않고, 서로 인접한 2층의 탄소 나노튜브 드로잉막에 있어서의 탄소 나노튜브들의 배열방향이 일정한 각(α)을 이룬다. 상기 각(α)의 범위는 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작거나 같으며, 즉 0도≤α≤90도이다. 상기 각(α)은 상기한 범위 내에서 실제 수요에 따라 설정될 수 있다. 상기 음향발생소자(14)가 복수층의 탄소 나노튜브 드로잉막을 함유하는 경우, 서로 인접하는 탄소 나노튜브 드로잉막이 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 결합되기 때문에, 상기 음향발생소자(14)는 훌륭한 자아지지(自我支持) 능력을 가진다. 상기 음향발생소자(14)의 길이 및 폭에 대해 한정하지 않고, 실제수요에 따라 설정한다.
상기 탄소 나노튜브 면모구조막은 자아지지능력을 갖는 탄소 나노튜브막이다. 상기 탄소 나노튜브 면모구조막은 서로 뒤엉킨 복수개의 탄소 나노튜브를 함 유한다(도 5를 참조). 상기 탄소 나노튜브 면모구조막에 있어서, 탄소 나노튜브들은 등방성을 가지고 분포가 균일하며 무질서하게 배열되어 있다. 상기 탄소 나노튜브들의 길이는 10㎛ 보다 크다. 상기 탄소 나노튜브들은 반 데르 발스의 힘에 의해 서로 흡인되고 뒤엉켜 망상(網狀)구조를 이루기 때문에 상기 탄소 나노튜브 면모구조막에 다량의 미세공(micro pore)이 형성된다. 상기 미세공의 직경은 10㎛ 보다 작다. 상기 다량의 미세공의 존재는 상기 음향발생소자(14)가 비교적 큰 비표면적을 가지도록 한다. 상기 탄소 나노튜브막의 길이 및 폭에 대해 한정하지 않고, 실제수요에 따라 설정한다. 상기 탄소 나노튜브막의 두께는 0.5nm∼1mm이다. 또한, 상기 탄소 나노튜브막은 탄소 나노튜브들이 서로 뒤엉켜서 우수한 인성을 가지므로 어떠한 모양으로 접어도 파열되지 않는다.
상기 긴 탄소 나노튜브막은 우선방위로 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유한다(도 6 참고). 상기 복수개의 탄소 나노튜브는 서로 평행되게 가지런히 배열되고 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 결합된다. 상기 탄소 나노튜브들은 길이가 거의 같으며 밀리미터레벨에 도달한다. 상기 긴 탄소 나노튜브막의 길이는 상기 탄소 나노튜브의 길이와 같을 수 있으므로, 적어도 하나의 탄소 나노튜브는 상기 긴 탄소 나노튜브막의 일단으로부터 맞은편의 일단까지 연신되어 있을 수 있다. 상기 긴 탄소 나노튜브막의 길이는 탄소 나노튜브의 길이의 제한을 받는다. 상기 긴 탄소 나노튜브막 중에 있어서, 서로 인접하는 탄소 나노튜브 사이의 간격은 50㎛ 보다 작다. 상기 긴 탄소 나노튜브막의 두께는 0.5nm∼100㎛이고, 길이는 1㎛∼30mm이다.
상기 음향발생소자(14)는 중첩 설치된 적어도 2층의 긴 탄소 나노튜브막을 함유하며, 서로 인접된 2층의 긴 탄소 나노튜브막은 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 결합된다. 서로 인접된 2층의 긴 탄소 나노튜브막에 있어서의 탄소 나노튜브들의 배열방향은 일정한 각(α)을 이룬다. 상기 각(α)의 범위는 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작거나 같으며, 즉 0도≤α≤90도이다. 상기 각(α)은 상기한 범위 내에서 실제 수요에 따라 설정될 수 있다. 상기한 서로 인접된 2층의 긴 탄소 나노튜브막에 있어서의 탄소 나노튜브들의 배열방향이 이루는 각(α)이 0도 보다 클 경우(즉, α＞0일 경우), 상기 음향발생소자(14) 중의 탄소 나노튜브들은 망상구조를 이루며, 상기 망상구조에는 직경이 50㎛ 보다 작은 복수개의 미세공이 균일하게 분포되어 있다. 상기 음향발생소자(14)가 복수층의 긴 탄소 나노튜브막을 함유하는 경우, 서로 인접하는 2층의 긴 탄소 나노튜브막이 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 결합되기 때문에, 상기 음향발생소자(14)는 우수한 자아지지능력을 가진다.
본 실시예에 있어서, 상기 탄소 나노튜브구조는 탄소 나노튜브 드로잉막을 함유한다. 상기 탄소 나노튜브 드로잉막의 길이가 3cm이고, 폭이 3cm이며, 두께가 50nm이다.
상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)은 도전재료에 의해 형성되고, 그 모양에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)의 모양은 층상(層狀), 막대기모양, 덩어리모양(塊狀) 또는 여타 모양일 수 있고, 그 재료는 금속, 도전성 본드(bond), 탄소 나노튜브, 인듐주석산화물(ITO) 등을 채용할 수 있 다. 본 실시예에 있어서, 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)은 막대기모양의 금속전극이다.
상기 음향발생소자(14)의 양단은 각기 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)에 전기접속되는 한편, 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)에 의해 고정된다.
상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)을 간격을 두고 설치하는 것은, 상기 음향발생소자(14)가 상기 음향발생장치(10)에 응용될 때, 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144) 사이에 일정한 저항치를 발생시켜 이들이 서로 단락되는 것을 방지한다.
상기 탄소 나노튜브가 상당히 큰 비표면적을 가지고, 반 데르 발스의 힘의 작용 하에 상기 탄소 나노튜브구조 자체가 우수한 부착성을 가지기 때문에, 상기 탄소 나노튜브구조를 음향발생소자(14)로 사용할 때, 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)을 상기 음향발생소자(14)에 직접 부착하여 전기접속시킬 수 있다.
또한, 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)을 도전성 점착층(도시되지 않았음)을 통해 상기 음향발생소자(14)에 부착고정시킬 수 있다. 상기 도전성 점착층은 상기 음향발생소자(14)의 표면에 설치된다. 상기 도전성 점착층은 상기 제1전극(142) 및 제2전극(144)을 상기 음향발생소자(14)에 전기접속시키는 한편, 더욱 견고하게 고정시킬 수 있다. 본 실시예에서, 상기 도전성 점착층으로서 은페이스트(Silver Paste)를 사용한다.
상기 신호입력장치(12)는 오디오신호 입력장치, 광신호 입력장치, 전기신호 입력장치 또는 전자기파신호 입력장치일 수 있다. 따라서, 상기 신호입력장치(12)가 입력하는 신호에 대해서도 한정하지 않는다. 즉, 상기 신호입력장치(12)가 전 자기파, 교류신호, 오디오신호 및 광신호 중의 한가지 또는 몇가지를 입력할 수 있다. 상기 신호입력장치(12)가 입력하는 신호는 상기 음향발생장치(10)의 구체적인 응용에 관련된다. 예컨대, 상기 음향발생장치(10)를 라디오에 응용할 경우, 상기 신호입력장치(12)가 입력하는 신호는 전자기파신호이고; 상기 음향발생장치(10)를 이어폰(earphone)에 응용할 경우, 상기 신호입력장치(12)가 입력하는 신호는 교류 전기신호 또는 오디오 전기신호이다. 본 실시예에 있어서, 신호입력장치(12)는 전기신호입력장치이다.
또한, 신호입력장치(12)의 종류에 따라 제1전극(142) 및 제2전극(144)을 생략할 수도 있다. 예컨대, 입력신호가 광신호 또는 전자기파신호인 경우, 전극(142, 144) 및 도선(149)이 필요없이 상기 신호입력장치(12)는 입력신호를 직접 상기 음향발생소자(14)에 제공할 수 있다.
상기 음향발생장치(10)를 사용할 때, 상기 탄소 나노튜브구조가 균일하게 분포된 탄소 나노튜브에 의해 구성되고, 상기 탄소 나노튜브구조가 층상이고 비교적 큰 비표면적을 가지고 두께가 비교적 작기 때문에, 상기 탄소 나노튜브구조는 비교적 작은 열용량과 비교적 큰 열발산 표면을 가진다. 이에 따라서, 신호가 입력된 후, 상기 탄소 나노튜브구조는 신속히 승온(昇溫)되고 주기성 온도변화가 생산되며, 주위의 기체매질과 신속히 열교환을 진행하여 주위의 기체매질을 신속히 팽창 및 수축시켜 소리를 발생시킨다. 본 실시예에 있어서, 입력신호가 전기신호인 경우, 상기 음향발생장치(10)의 음향발생원리는 "전기-열-소리"의 변환이고; 입력신호가 광신호인 경우, 상기 음향발생장치(10)의 음향발생원리는 "광-열-소리"의 변 환이다. 상기 음향발생소자(14)에 의해 구성된 음향발생장치(10)의 응용범위는 상당히 광범하다.
본 발명의 음향발생장치(10)의 음압레벨은 50데시벨(dB) 보다 크고 105데시벨 보다 작으며, 음향발생 주파수범위는 1Hz∼100KHz이다.
도 7은 길이 및 폭이 모두 30mm이고 탄소 나노튜브들이 기본적으로 동일한 방향을 따라 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브 드로잉막을 음향발생소자(14)로 사용하고, 상기 음향발생장치(10)에 50볼트(V)의 전압을 입력한 경우, 마이크로폰(microphone)을 상기 음향발생장치(10)에서 5cm 떨어진 곳에 재치하여 검출한 음향발생장치(10)의 주파수 응답(Frequency Response) 곡선이다.
도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 음향발생장치(10)는 100Hz∼100KHz의 음향발생 주파수범위에서 우수한 음향발생 효과를 가진다. 상기 음향발생장치(10)는 500Hz∼40KHz의 주파수 범위내에서의 음왜곡률(total harmonic distortion)이 3% 보다 작다. 또한, 본 발명에 있어서의 탄소 나노튜브구조가 우수한 기계적 강도 및 인성을 가지기 때문에 상기 탄소 나노튜브구조로 각종 모양 및 사이즈의 음향발생장치를 쉽게 제조할 수 있다. 따라서, 상기 음향발생장치(10)는 소리를 방출할 수 있는 여러가지 장치에 사용될 수 있다. 예컨대, 사운드박스, 휴대폰, MP3, MP4, 텔레비전, 계산기 등과 같은 전자영역 및 여타 음향발생장치에 응용될 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 음향발생장치(20)의 구조를 나타낸 도면이다. 상기 음향발생장치(20)는 신호입력장치(22), 음향발생소자(24), 제1전 극(242), 제2전극(244), 제3전극(246) 및, 제4전극(248)을 구비한다.
본 실시예에 있어서의 음향발생장치(20)와 상기 제1실시예에 있어서의 음향발생장치(10)가 다른 점은, 본 실시예에 있어서의 음향발생장치(20)가 4개의 전극, 즉 제1전극(242), 제2전극(244), 제3전극(246) 및, 제4전극(248)을 구비하는 것이다. 상기 제1전극(242), 제2전극(244), 제3전극(246) 및, 제4전극(248)은 모두 막대기모양의 금속전극이고, 공간상에서 서로 평행되도록 일정한 간격을 두고 설치되어 있다. 상기 음향발생소자(24)는 상기 제1전극(242), 제2전극(244), 제3전극(246) 및, 제4전극(248)을 둘러싸서 환형(環形)의 음향발생장치를 형성하는 한편, 상기 제1전극(242), 제2전극(244), 제3전극(246) 및, 제4전극(248)에 전기접속된다. 임의의 서로 인접한 2개의 전극은 상기 신호입력장치(22)의 양단에 각기 전기접속되어 서로 인접한 두 전극 사이에 있는 음향발생소자(24)가 상기 신호입력장치(22)로부터 입력신호를 수신하도록 한다. 다시 말하면, 우선 서로 인접하지 않는 2개의 전극을 도선(249)으로 상기 신호입력장치(22)의 일단에 전기접속시키고, 나머지 2개의 전극을 도선(249)으로 상기 신호입력장치(22)의 타단에 전기접속시킨다. 본 실시예에 있어서, 우선 제1전극(242)과 제3전극(246)을 도선(249)으로 상기 신호입력장치(22)의 일단에 전기접속시키고, 다음에 제2전극(244)과 제4전극(248)을 도선(249)으로 상기 신호입력장치(22)의 타단에 전기접속시킨다. 상기한 접속방식은 서로 인접된 전극 사이의 탄소 나노튜브구조를 병렬접속시킬 수 있다. 병렬접속된 탄소 나노튜브구조는 작은 저항치를 가지므로 음향발생장치(20)의 작동전압을 작게 할 수 있다. 또한, 상기한 접속방식에 의해 상기 음향발생소 자(24)가 비교적 큰 복사면적을 가지므로 음향의 세기가 향상되고, 음향의 서라운드(Surround) 효과를 실현할 수 있다. 또한, 상기 음향발생소자(24)의 면적이 비교적 큰 경우, 제3전극(246) 및 제4전극(248)은 상기 음향발생소자(24)를 지지하는 작용을 할 수도 있다.
또한, 상기 제1전극(242), 제2전극(244), 제3전극(246) 및, 제4전극(248)은 상기 음향발생소자(24)와 함께 동일한 평면에 설치될 수도 있다. 상기 동일한 평면에 설치된 각 전극의 연결발식은 상기한 전극의 연결방식과 같거나 유사하다.
또한, 본 실시예에 있어서, 임의의 인접하는 전극이 상기 신호입력장치(22)의 양단에 각기 전기접속되는 것만 만족시키면, 전극의 수량에 대해 한정하지 않는다. 즉, 복수개의 전극을 설치할 수 있다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 음향발생장치(30)의 구조도이다. 상기 음향발생장치(30)는 신호입력장치(32), 음향발생소자(34), 지지체(36), 제1전극(342) 및, 제2전극(344)을 구비한다.
본 실시예에 있어서의 음향발생장치(30)와 제1실시예에 있어서의 음향발생장치(10)가 다른 점은, 본 실시예에 있어서의 음향발생장치(30)가 지지체(36)를 추가로 구비하고, 상기 음향발생소자(34)를 상기 지지체(36)의 표면에 설치하는 것이다.
상기 지지체(36)는 주로 지지작용을 하고, 그 모양에 대해서는 한정하지 않으며, 모양을 확정할 수 있는 임의의 물체, 예컨대 벽 또는 책상 등은 모두 본 실시예에 있어서의 지지체(36)로 될 수 있다. 상기 지지체(36)는 평면구조일 수도 있고 곡면구조일 수도 있으며, 적어도 하나의 표면을 가진다. 이 때, 상기 음향발생소자(34)는 상기 지지체(36)의 표면에 설치된다.
상기 지지체(36)의 재료에 대해 한정하지 않으며, 즉, 금강석, 유리 또는 석영과 같은 경질(硬質)재료나 플라스틱 또는 수지와 같은 유연성(柔軟性)재료일 수 있다. 상기 지지체(36)가 상기 음향발생소자(34)에 의해 생산된 열량을 너무 많이 흡수하여 주위의 공기 매질을 충분히 가열할 수 없게 되고, 따라서 소리를 낼 수 없는 것을 방지하기 위하여, 지지체(36)의 재료가 열 절연성을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 상기 지지체(36)가 거칠은 표면을 가지면, 상기 지지체(36)의 표면에 설치되는 음향발생소자(34)가 공기 또는 여타의 외계 매질과의 접촉면적이 커지게 되어 음향발생장치(30)의 음향발생효과를 일정한 정도로 개선할 수 있다.
상기 탄소 나노튜브가 상당히 큰 비표면적을 가지고, 반 데르 발스의 힘의 작용 하에 상기 탄소 나노튜브구조 자체가 훌륭한 부착성을 가지기 때문에, 상기 탄소 나노튜브구조를 음향발생소자(34)로 사용할 때, 상기 음향발생소자(34)와 상기 지지체(36)를 직접 부착 고정시킬 수 있다.
또한, 상기 음향발생소자(34)와 상기 지지체(36)를 도전성 점착층(도시되지 않았음)을 통해 부착 고정시킬 수 있다. 상기 도전성 점착층은 상기 음향발생소자(34)의 표면에 설치된다. 상기 도전성 점착층은 상기 음향발생소자(34)와 상기 지지체(36)를 더욱 견고하게 고정시킬 수 있다. 상기 점착층의 재료는 절연성재료일 수도 있고, 일정한 도전성을 가지는 재료일 수도 있다. 본 실시예에서, 상기 도전성 점착층은 은페이스트를 사용한다.
상기 음향발생소자(34)가 상기 지지체(36)의 표면에 설치되고, 상기 제1전극(342) 및 제2전극(344)은 일정한 간격을 두고 상기 음향발생소자(34)의 양단 또는 표면에 상기 음향발생소자(34)와 전기접속되도록 설치된다.
또한, 본 실시예에 있어서, 임의의 인접하는 두 전극이 서로 간격을 두고 상기 음향발생소자(34)에 전기접속되도록 설치되는 한편 상기 신호입력장치(32)의 양단에 각기 전기접속되는 것만 만족시키면, 전극의 수량에 대해 한정하지 않는다. 즉, 복수개의 전극을 설치할 수 있다.
또한, 상기 신호입력장치(32)가 상기 음향발생소자(34)에 전기신호를 입력하는 것만 확보할 수 있다면, 상기 제1전극(342) 및 제2전극(344)을 생략할 수 있다. 즉, 도선(349) 또는 전극도입선을 통해 상기 신호입력장치(32)를 상기 음향발생소자(34)에 직접 전기접속할 수 있다. 상기 신호입력장치(32)와 상기 음향발생소자(34)의 전기접속을 실현하는 방식은 모두 본 발명이 보호하려는 범주 범위에 속한다.
도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 음향발생장치(40)의 구조도이다. 상기 음향발생장치(40)는 신호입력장치(42), 음향발생소자(44), 지지체(46), 제1전극(442), 제2전극(444), 제3전극(446) 및, 제4전극(448)을 구비한다.
본 실시예에 있어서의 음향발생장치(40)와 상기 제3실시예에 있어서의 음향발생장치(30)가 다른 점은, 본 실시예에 있어서의 음향발생소자(44)가 상기 지지체(46)를 감싸서 환형(環形)의 음향발생장치(40)를 형성한다. 상기 지지체(46)의 모양에 대해 한정하지 않으며, 즉 임의의 입체구조일 수 있다. 상기 지지체(46) 를 입방(立方)체, 원추(圓錐)체 또는 원주(圓柱)체로 하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서, 상기 지지체(46)는 원주체이다.
상기 제1전극(442), 제2전극(444), 제3전극(446) 및, 제4전극(448)은 서로 일정한 간격을 두고 상기 음향발생소자(44)의 표면에 설치되어 있으며, 또한 상기 음향발생소자(44)에 전기접속되어 있다. 임의의 서로 인접한 두 전극은 상기 신호입력장치(42)의 양단에 각기 전기접속되어 서로 인접한 두 전극 사이에 있는 음향발생소자(44)가 상기 신호입력장치(42)로부터의 입력신호를 수신하도록 한다. 다시 말하면, 우선 서로 인접하지 않는 두개의 전극을 도선(449)으로 상기 신호입력장치(42)의 일단에 전기접속시키고, 나머지 2개의 전극을 도선(449)으로 상기 신호입력장치(42)의 타단에 전기접속시킨다. 본 실시예에 있어서, 우선 제1전극(442)과 제3전극(446)을 도선(449)으로 상기 신호입력장치(42)의 일단에 전기접속시키고, 다음에 제2전극(444)과 제4전극(448)을 도선(449)으로 상기 신호입력장치(42)의 타단에 전기접속시킨다. 상기한 접속방식은 서로 인접된 전극 사이의 탄소 나노튜브구조를 병렬접속시킬 수 있다. 병렬접속된 탄소 나노튜브구조는 작은 저항치를 가지므로 음향발생장치(40)의 작동전압을 작게 할 수 있다. 또한, 상기한 접속방식에 의해 상기 음향발생소자(44)가 비교적 큰 복사면적을 가지므로 음향의 세기가 향상되고, 음향의 서라운드(Surround) 효과를 실현할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 임의의 인접하는 두 전극이 서로 간격을 두고 상기 음향발생소자(44)에 전기접속되도록 설치되는 한편 상기 신호입력장치(42)의 양단에 각기 전기접속되는 것만 만족시키면, 전극의 수량에 대해 한정하지 않는다. 즉, 복수개의 전극을 설치할 수 있다.
도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 음향발생장치(50)의 구조도이다. 상기 음향발생장치(50)는 신호입력장치(52), 음향발생소자(54), 지지체(56), 제1전극(542) 및, 제2전극(544)을 구비한다.
본 실시예에 있어서의 음향발생장치(50)와 상기 제3실시예에 있어서의 음향발생장치(30)가 다른 점은, 본 실시예에 있어서의 음향발생소자(54)의 일부분이 상기 지지체(56)의 표면에 설치되어 상기 음향발생소자(54)의 표면과 상기 지지체(56) 사이에 소리모음(sound gathering)공간을 형성한다. 상기 소리모음공간은 밀폐된 공간 또는 개방된 공간일 수 있다. 상기 지지체(56)는 V형구조, U형구조 또는 좁은 개구(開口)를 가지는 캐비티 (cavity)체일 수 있다. 상기 지지체(56)가 좁은 개구를 가지는 캐비티체인 경우, 상기 음향발생소자(54)를 상기 캐비티체의 개구에 곧게 펴서 고정설치하여, 헤몰쯔 리소네이터(Helmholtz resonator)를 형성한다. 상기 지지체(56)의 재료는 목질(木質), 플라스틱, 금속 또는 유리와 같은 재료일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 지지체(56)는 V형 구조이다. 상기 V형 구조는 2개의 경사진 측벽을 가지고, 상기 두 측벽은 각기 제1단부(端部) 및 제2단부를 가진다. 상기 두 측벽의 제1단부가 긴밀히 접속되어 V형 구조를 형성한다. 상기 음향발생소자(54)는 상기 두 측벽의 제2단부에 설치되며, 즉 한 측벽의 제2단부로부터 다른 한 측벽의 제2단부까지 연신되어 상기 음향발생소자(54)의 일부분이 공중에 뜨도록 한다. 이에 따라, 상기 음향발생소자(54)의 표면과 상기 지지체(56) 사 이에 소리모음공간이 형성된다. 상기 제1전극(542) 및 제2전극(544)은 서로 간격을 두고 상기 음향발생소자(54)의 표면에 설치된다. 상기 제1전극(542) 및 제2전극(544)은 도선(549)을 통해 상기 신호입력장치(52)에 양단에 각기 전기접속된다. 상기 V형 지지체(56)는 상기 음향발생소자(54)의 상기 지지체(56)측의 음파를 반사할 수 있기 때문에 상기 음향발생장치(50)의 음향발생 효과를 더욱 좋게 할 수 있다.
종래 기술과 비교하여 보면, 상기한 본 발명에 따른 음향발생장치는 다음과 같은 장점이 있다.
첫째, 상기 음향발생장치의 음향발생소자는 탄소 나노튜브구조만 포함하고, 자석 등과 같은 여타 구조를 필요하지 않기 때문에 그 구조가 간단하고, 코스트를 절약할 수 있다.
둘째, 상기 음향발생장치는, 신호입력에 의한 탄소 나노튜브구조의 온도변화를 이용하여 주위의 공기를 신속히 팽창 또는 수축시켜 음파를 방출한다. 따라서, 상기 음향발생장치는 자기장(磁氣場)이 없는 환경에서 작동할 수 있다.
셋째, 탄소 나노튜브구조가 비교적 작은 열용량(heat capacity) 및 비교적 큰 비표면적을 가지기 때문에, 상기 탄소 나노튜브구조는 승온속도가 빠르고, 열적 히스테리시스(thermal tsteresis)가 작으며, 열교환속도가 빠른 특성을 가진다. 따라서, 상기 탄소 나노튜브구조에 의해 구성된 음향발생장치는 광대역 스펙트럼(wide spectrum)범위의 소리(1Hz∼100KHz)를 방출할 수 있고, 음향발생 효과도 우수하다.
넷째, 탄소 나노튜브구조의 두께가 비교적 작을 경우(예컨대, 두께가 10㎛ 보다 작을 경우), 탄소 나노튜브구조가 투명하기 때문에 상기 탄소 나노튜브구조에 의해 구성된 음향발생장치는 투명한 음향발생장치로 된다. 이에 따라서, 상기 투명한 음향발생장치를 각종 표시장치, 유화 등의 윗 표면에 직접 설치하여 공간을 절약할 수 있다.
다섯째, 탄소 나노튜브가 우수한 기계적 강도 및 인성을 가지기 때문에 상기 탄소 나노튜브에 의해 구성된 탄소 나노튜브구조도 우수한 기계적 강도, 인성(靭性, Toughness) 및 내구성을 가진다. 이러한 특성은 여러가지 모양, 사이즈의 음향발생장치를 제조하는데 유리하고, 또한 여러영역에 응용되는데도 편리하다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 동전형 확성기의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 음향발생장치의 구조도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 음향발생장치 중의 탄소 나노튜브 드로잉막의 전자현미경 사진이다.
도 4는 도 3의 탄소 나노튜브 드로잉막 중의 탄소 나노튜브 단편의 표시도이다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 음향발생장치 중의 탄소 나노튜브 면모구조막의 전자현미경 사진이다.
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 음향발생장치 중의 긴 탄소 나노튜브막의 전자현미경 사진이다.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 음향발생장치의 주파수 응답 곡선이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 음향발생장치의 구조도이다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 음향발생장치의 구조도이다.
도 10은 본 발명의 제4실시예에 따른 음향발생장치의 구조도이다.
도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 음향발생장치의 구조도이다.
도면부호설명
10 --- 음향발생장치 12 --- 신호입력장치
14 --- 음향발생소자 142---제1전극
144 --- 제2전극 143 ---탄소 나노튜브 단편
145 --- 탄소 나노튜브 149 --- 도선

Claims (15)

  1. 신호입력장치 및 음향발생소자를 구비하는 음향발생장치에 있어서,
    상기 음향발생소자가 탄소 나노튜브구조를 포함하고,
    상기 탄소 나노튜브구조는 상기 신호입력장치가 입력한 신호를 수신하여 음파를 방출하는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조는 층상구조이고, 그 두께는 0.5nm∼1mm인 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조는 균일하게 분포된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유하고,
    상기 탄소 나노튜브들은 반 데르 발스의 힘에 의해 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조의 단위면적의 열용량은 2×10-4J/cm2ㆍK 보다 작은 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조는 적어도 한층의 탄소 나노튜브막을 포함하고,
    상기 탄소 나노튜브막은 끝단과 끝단이 서로 연결되고 기본적으로 동일한 방향을 따라 우선방위로 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유하는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조는 중첩설치된 복수층의 탄소 나노튜브막을 포함하는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조는 탄소 나노튜브막을 포함하고,
    상기 탄소 나노튜브막은 서로 뒤엉킨 복수개의 탄소 나노튜브 또는 다른 방향을 따라 우선방위로 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유하는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 음향발생장치는 적어도 2개의 전극을 추가로 구비하고,
    상기 적어도 2개의 전극은 서로 간격을 두고 설치되는 한편 상기 음향발생소자에 전기접속되고, 상기 신호입력장치는 상기 적어도 2개의 전극을 통해 상기 음향발생소자에 입력신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 음향발생장치는 복수개의 전극을 추가로 구비하고,
    상기 복수개의 전극 중에서 서로 인접하는 두 전극은 상기 신호입력장치의 양단에 각기 전기접속되는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 신호입력장치가 입력하는 신호는 전자기파, 교류전기신호, 오디오전기 신호 및 광신호 중의 한가지 또는 몇가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조의 적어도 일부분이 공중에 뜨도록 설치되는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 탄소 나노튜브구조의 적어도 일부분이 지지체에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  13. 제1항 또는 제12항에 있어서,
    상기 음향발생소자가 상기 지지체의 표면에 직접 설치될 수 있는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  14. 제1항 또는 제12항에 있어서,
    상기 지지체는 V형 구조, U형 구조 또는 좁은 개구를 가지는 캐비티체이고,
    상기 음향발생소자가 상기 지지체에 일부분이 공중에 뜨도록 설치되는 것에 의해 상기 음향발생소자와 상기 지지체 사이에 소리모음공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
  15. 제1항 또는 제12항에 있어서,
    상기 지지체는 입체구조이고,
    상기 음향발생소자는 상기 지지체를 감싸도록 설치되는 것을 특징으로 하는 음향발생장치.
KR1020090036004A 2008-04-28 2009-04-24 음향발생장치 KR101217913B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190040894A (ko) * 2017-10-11 2019-04-19 울산과학기술원 나노 멤브레인, 나노 멤브레인 제조방법 및 나노 멤브레인을 이용한 스피커 및 마이크로폰 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2138998B1 (en) * 2008-06-04 2019-11-06 Tsing Hua University Thermoacoustic device comprising a carbon nanotube structure
WO2017005958A1 (en) 2015-07-06 2017-01-12 Aalto University Foundation Acoustic wave transducer construction and method for accomplishing mechanical waves
JP2018133625A (ja) * 2017-02-13 2018-08-23 ヤマハファインテック株式会社 熱音響装置及び音波検査装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003319491A (ja) * 2002-04-19 2003-11-07 Sony Corp 振動板及びその製造方法、並びにスピーカ
CN100411979C (zh) 2002-09-16 2008-08-20 清华大学 一种碳纳米管绳及其制造方法
CN101437663B (zh) 2004-11-09 2013-06-19 得克萨斯大学体系董事会 纳米纤维带和板以及加捻和无捻纳米纤维纱线的制造和应用
CN1821048B (zh) * 2005-02-18 2014-01-15 中国科学院理化技术研究所 一种基于热声转换的微/纳米热声激振器
US7995777B2 (en) * 2005-10-03 2011-08-09 Xun Yu Thin film transparent acoustic transducer
KR100767260B1 (ko) * 2005-10-31 2007-10-17 (주)케이에이치 케미컬 음향 진동판 및 이를 구비하는 스피커
DE102007007957A1 (de) * 2007-02-17 2008-08-21 Lyttron Technology Gmbh Lautsprecher aufgebaut aus Folien
KR100761548B1 (ko) * 2007-03-15 2007-09-27 (주)탑나노시스 필름 스피커

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190040894A (ko) * 2017-10-11 2019-04-19 울산과학기술원 나노 멤브레인, 나노 멤브레인 제조방법 및 나노 멤브레인을 이용한 스피커 및 마이크로폰 장치
US11140487B2 (en) 2017-10-11 2021-10-05 Unist(Ulsan National Institute Of Science And Technology) Nano membrane, method of manufacturing nano membrane, and apparatus for speaker and microphone using nano membrane

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