KR20090104720A - 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법, 자기 전사용 마스터담체, 자기 전사 방법, 및 자기 기록 매체 - Google Patents

자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법, 자기 전사용 마스터담체, 자기 전사 방법, 및 자기 기록 매체 Download PDF

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KR20090104720A
KR20090104720A KR1020090026884A KR20090026884A KR20090104720A KR 20090104720 A KR20090104720 A KR 20090104720A KR 1020090026884 A KR1020090026884 A KR 1020090026884A KR 20090026884 A KR20090026884 A KR 20090026884A KR 20090104720 A KR20090104720 A KR 20090104720A
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magnetic
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요이치 니시다
카즈유키 우스키
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법은 제 1 기재와 제 1 기재 상에 라미네이팅된 자기 층을 포함하는 라미네이트의 자기 층의 표면 상에 임프린트 레지스트 층을 형성하는 스텝; 상기 임프린트 레지스트 층에 대해 오목부를 가압함으로써 상기 자기 층의 표면 상에 몰드의 오목부의 형상을 따르는 레지스트 패턴을 형성하는 스텝; 및 상기 몰드를 상기 임프린트 레지스트 층으로부터 제거한 다음 표면이 레지스트 패턴을 갖지 않는 상기 자기 층의 표면을 에칭함으로써 상기 제 1 기재 상에 자기 볼록부를 형성하는 스텝을 포함하고, 상기 몰드는 제 2 기재와, 자기 기록 매체 상에 기록되는 정보의 패턴에 대응하도록 상기 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되는 오목부를 포함한다.
자기 전사용 마스터 담체, 기재, 오목부, 볼록부, 몰드, 자기 기록 매체

Description

자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법, 자기 전사용 마스터 담체, 자기 전사 방법, 및 자기 기록 매체{PRODUCTION METHOD OF MAGNETIC TRANSFER MASTER CARRIER, MAGNETIC TRANSFER MASTER CARRIER, MAGNETIC TRANSFER METHOD, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM}
본 발명은 자기 기록 매체 상에 정보를 자기적으로 전사하는데 이용되는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 획득되는 자기 전사용 마스터 담체, 상기 자기 전사용 마스터 담체를 이용하는 자기 전사 방법, 및 상기 자기 전사 방법에 의해 획득되는 자기 기록 매체에 관한 것이다.
자기 기록 매체는 서보(servo)를 트랙킹하는데 이용되는 서보 정보를 소위 프리포맷으로서 기록한다. 서보 정보는, 예를 들면 마스터 담체를 이용하는 자기 기록 매체에 기록된다. 그러한 마스터 담체는 서보 정보의 패턴에 대응되게 형성된 자기부를 패턴화시킨다. 기록 자계가 마스터 담체의 자기부에 밀착된 상태로 자기 기록 매체에 인가될 때, 자기 기록 매체는 자기부의 패턴에 의거하여 자화된다. 결과적으로, 서보 정보가 자기 기록 매체에 한번에 기록된다.
1개의 마스터 담체는 일본 특허 출원 공개(JP-A) 2001-256644호 공보에 개시 된 바와 같이, 자기 층이 놓인 상면에 볼록부의 표면을 갖는다. 이 마스터 담체는, 예를 들면 상면 상의 자기 층이 자기 기록 매체에 충분히 밀착되고, 우수한 자기 전사 성능을 나타낸다는 점에서 유리하기 때문에 자주 이용된다.
또한, JP-A 2000-195048호 공보는 볼록 형상의 자기 층을 갖는 마스터 담체를 제안한다. 이 마스터 담체는, 예를 들면 불필요한 자기 층이 서로 인접하는 볼록 형상의 자기 층 사이에 형성되지 않고, 하부 층이 용이하게 형성된다는 점에서 유리하기 때문에 바람직하게 이용된다.
JP-A 2000-195048호 공보에 기재된 마스터 담체 제조 방법에서, 포토레지스트는, 예를 들면 글래스로 이루어지는 기판에 형성되는 자기 층에 도포되어 포토레지스트 층을 형성하고, 이와 같이 형성된 포토레지스트 층은 포토마스크를 이용하는 광에 노광된 다음 현상되어 레지스트 패턴을 형성한다. 이 제조 방법은 포토레지스트 층이 다이렉트 라이팅(direct writing)을 위한 전자 빔으로 조사되는 전자 빔 라이팅 방법과 비교하여 상당히 더 짧은 시간을 필요로 한다. 전자 빔 라이팅 방법에 의한 6.35㎝(2.5인치)[또는 8.89㎝(3.5인치)]의 사이즈를 갖는 레지스트 패턴의 형성은 통상 몇 일을 요구한다.
그러나, 레지스트 패턴이 포토마스크를 이용하여 노광을 통해 형성되는 상술한 방법은 전자 빔 라이팅 방법과 비교하여 패터닝 정확도를 감소시켜 문제가 있다.
또한, 자기 기록 매체에 기록되는 정보가 서보 정보일 때, 서보 정보는 전체 자기 기록 매체에 기록되고, 형성되는 패턴은 서로 상이해야 한다. 따라서, 포토마 스크가 JP-A 2000-195048호 공보에 기재된 바와 같이 이용되는 방법은 서보 정보의 기록에 적용될 수 없어 문제가 있다.
또한, JP-A 2001-256644호 공보에 개시된 마스터 담체에서, 그 기재는 요철면을 갖는 오리지널 마스터(original master)를 원판으로서 이용하는 전착을 통해서 제조된다. 오리지널 마스터를 원판으로서 이용하는 그러한 제조 방법은 대량 제조에 적합하다.
그러나, 이 마스터 담체의 자기 층은, 예를 들면 기재의 일부로서 미리 형성된 볼록부에 스퍼터링(sputtering)을 통해서 형성된다. 따라서, 두꺼운 자기 층의 형성은 처리 정확도가 저하되는 문제를 나타낸다; 예를 들면 볼록부의 폭이 커지게 된다.
그러한 환경 하에서, 예를 들면 서보 정보의 자기 전사를 용이하게 수행하는 것이 가능한 자기 전사용 마스터 담체를 우수한 처리 정확도에서 제조할 수 있는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법(자기 전사용 마스터 담체 제조 방법)에 대한 요구가 발생되었다.
본 발명은 상술한 현재의 문제를 해결하고 이하의 목적을 제공하는 것을 목적으로 한다. 즉, 본 발명의 목적은 우수한 처리 정확도를 나타내고 제조 시간, 비용 등을 저감시키는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법; 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법에 의해 획득되는 자기 전사용 마스터 담체; 자기 전사용 마스터 담체를 이용하는 자기 전사 방법, 및 자기 전사 방법에 의해 획득되는 자기 기록 매체를 제공하는 것이다.
본 기술분야에 관한 문제를 해결하기 위한 제조 방법은 이하와 같다.
<1> 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법은,
제 1 기재와 제 1 기재 상에 라미네이팅된 자기 층을 포함하는 라미네이트의 자기 층의 표면 상에 임프린트(imprint) 레지스트 층을 형성하는 스텝,
상기 임프린트 레지스트 층에 대해 오목부를 가압함으로써 상기 자기 층의 표면 상에 몰드의 오목부의 형상을 따르는 레지스트 패턴을 형성하는 스텝, 및
상기 몰드를 상기 임프린트 레지스트 층으로부터 제거한 다음 표면이 레지스트 패턴을 갖지 않는 상기 자기 층의 표면을 에칭함으로써 상기 제 1 기재 상에 자기 볼록부를 형성하는 스텝을 포함하고,
상기 몰드는 제 2 기재와, 자기 기록 매체 상에 기록되는 정보의 패턴에 대응하도록 상기 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되는 오목부를 포함하고,
상기 자기 전사용 마스터 담체는 제 1 기재와, 자기 재료로 이루어지고 상기 정보의 패턴에 대응되게 상기 제 1 기재 상에 배치되는 자기 볼록부를 포함하고, 자계가 상기 자기 전사용 마스터 담체에 인가될 때 상기 자기 볼록부에서 자속을 흡수함으로써 자계 패턴을 형성한다.
상기 <1>에 의한 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법에서, 상기 몰드의 상기 오목부는 상기 라미네이트의 상기 자기 층에 형성되는 임프린트 레지스트 층에 대해 가압될 때, 상기 레지스트 패턴은 상기 자기 층의 표면 상에 형성된다.
<2> 상기 <1>에 의한 제조 방법에서, 상기 라미네이트는 상기 제 1 기재와 상기 자기 층 사이의 하부 층을 더 포함한다.
<3> 상기 <1> 또는 <2>에 의한 제조 방법에서, 상기 자기 층은 수직 자기 이방성을 갖는다.
<4> 자기 전사용 마스터 담체는,
제 1 기재, 및
자기 재료로 이루어지고 자기 기록 매체에 기록되는 정보의 패턴에 대응되게 상기 제 1 기재 상에 배치되는 자기 볼록부를 포함하고,
상기 자기 전사용 마스터 담체는 자계가 상기 자기 전사용 마스터 담체에 인가될 때 상기 자기 볼록부에서 자속을 흡수함으로써 자계 패턴을 형성하고, 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 의한 제조 방법에 의해 획득되고,
<5> 자기 전사 방법은,
자계를 인가함으로써 수직 자기 기록 매체를 초기에 자화하는 스텝,
상기 <4>에 의한 자기 전사용 마스터 담체를 초기에 자화된 수직 자기 기록 매체에 밀착하는 스텝, 및
상기 수직 자기 기록 매체와 상기 자기 전사용 마스터 담체가 서로 밀착된 상태로 방향이 상기 초기 자화에 적용된 상기 자계의 방향과 반대인 자계를 인가함으로써 정보를 상기 수직 자기 기록 매체에 자기적으로 전사하여 상기 정보가 상기 수직 자기 기록 매체에 기록된다.
<6> 자기 기록 매체는 상기 <5>에 의한 자기 전사 방법에 의해 획득된다.
본 발명은 우수한 처리 정확도를 나타내고 제조 시간, 비용 등을 저감시키는 자기 전사용 마스터 담체 제조 방법; 자기 전사용 마스터 담체 제조 방법에 의해 획득되는 자기 전사용 마스터 담체; 자기 전사용 마스터 담체를 이용하는 자기 전사 방법, 및 자기 전사 방법에 의해 획득되는 자기 기록 매체를 제공할 수 있다. 이것은 상술한 현재의 문제를 해결할 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 먼저 자기 전사용 마스터 담체에 대한 본 발명의 제조 방법에 의해 획득되는 자기 전사용 마스터 담체가 설명될 것이다.
[자기 전사용 마스터 담체]
도 1은 자기 전사용 마스터 담체(20)의 개략적 부분 단면도이다. 도 2는 자기 전사용 마스터 담체(20)의 평면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 자기 전사용 마스터 담체(20)는 제 1 기재(200) 및 자기 볼록부(40)를 갖는다.
제 1 기재(200)용 재료는 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다. 그 실시예는 글래스, 합성 수지(예를 들면, 폴리카보네이트), 금속(예를 들면, 니켈 및 알루미늄), 실리콘 및 탄소 등의 공지된 재료를 포함한다.
제 1 기재(200)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다. 도 2에 나타낸 자기 전사용 마스터 담체(20)는 디스크 형상을 갖는다.
제 1 기재(200)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다. 제 1 기재(200)는 0.05㎜ ~ 1㎜의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 0.1㎜ ~ 0.5㎜가 더 바람직하다.
특히, 제 1 기재(200)가 니켈로 이루어질 때, 두께는 0.1㎜ ~ 0.3㎜가 바람직하다.
자기 볼록부(40)는 자기 기록 매체에 기록되는 정보에 따른 패턴에 대응해서 제 1 기재(200)에 배치된다. 복수의 자기 볼록부(40)는 제 1 기재(200)에 배치된다. 오목부(204)는 자기 볼록부(40) 중에 형성된다. 오목부(204)의 저면[예를 들면, 제 1 기재(200)의 표면]에는 자기부가 제공되지 않는다.
자기 기록 매체에 기록되는 정보는, 예를 들면 트래킹 서보를 수행하기 위해 이용되는 정보 신호; 예를 들면, 서보 신호와 어드레스 정보 신호이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 기재(200) 상의 자기 볼록부(40)는 기록되는 정보의 패턴에 대응하는 방사상 연장 패턴(52)을 형성한다.
후술되는 바와 같이, 자기 볼록부(40)는 제 1 기재(200)에 자기 층을 라미네이팅함으로써 준비되는 라미네이트로부터 형성된다. 라미네이트의 자기 층은 자기 층의 불필요한 부분을 제거하도록 에칭됨으로써 자기 볼록부(40)가 형성된다.
자기 볼록부(40)용 자기 재료는 Co, CoPtCr, CoCr, CoPtCrTa, CoPtCrNbTa, CoCrB, CoNi, Fe, FeCo, FePt, FeNi, CoNb, FeSiAl 및 FeTaN를 포함한다.
특히, 수직 자기 기록 매체에 정보를 기록하기 위해 이용되는 자기 전사용 마스터 담체의 경우에, 자기 볼록부(40)용 재료는 Fe, Co 및 Ni로부터 선택되는 하나 이상의 강자성 금속과 Cr, Pt, Ru, Pd, Si, Ti, B, Ta 및 O로부터 선택되는 하나 이상의 비자기 원자로 이루어지는 합금 또는 화합물이다.
이 경우에, 자기 볼록부(40)는 자기 기록 매체의 기록 면에 수직으로 지시되는 자기 이방성(수직 자기 이방성)을 갖는다.
각 자기 볼록부(40)의 두께(높이)는 10㎚ ~ 200㎚가 바람직하고, 20㎚ ~ 150㎚가 더 바람직하고, 40㎚ ~ 100㎚가 특히 바람직하다.
자기 볼록부(40)의 두께(높이)가 10㎚보다 작을 때, 자기 볼록부는 자속의 충분한 양을 이끌 수 없다. 반면에, 두께(높이)가 200㎚보다 클 때, 자기 볼록부의 남아있는 자화가 증가되어 소망의 전사를 방해한다. 또한, 일반적으로, 자기 볼록부(40)가 두꺼울수록 그 비용이 높아진다. 따라서, 40㎚ ~ 100㎚의 상기 범위가 바람직하다.
필요하다면, 자기 볼록부(40)에는, 예를 들면 하부 층, 보호 층 및 윤활 층이 제공될 수 있다.
하부 층(도시 생략)은 자기 볼록부(40)[즉, 자기 볼록부(40)와 제 1 기재(200) 사이] 아래에 형성된다. 하부 층용 재료의 예는 금속, 합금 및 화합물을 포함하고, 각각은 Pt, Ru, Pd, Co, Cr, Ni, W, Ta, Al, P, Si 및 Ti으로부터 선택된 하나 이상을 포함하며, 백금계 금속(예를 들면, Pt 및 Ru)과 그 합금이 바람직하다. 하부 층은 단일 또는 멀티 층 구조를 가질 수 있다. 하부 층의 두께는 1㎚ ~ 30㎚가 바람직하고, 3㎚ ~ 10㎚가 더 바람직하다.
보호 층(도시 생략)은 자기 볼록부(40) 상에 형성된다. 보호 층은, 예를 들면 다이아몬드 형상 탄소로 이루어진다. 보호 층의 두께는 통상 10㎚ 이하이다. 게다가, 예를 들면 플루오르계 윤활제(예를 들면, PFPE)로 이루어지는 윤활 층(도시 생략)은 보호 층 상에 형성될 수 있다.
[자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법]
본 실시형태에 의한 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법은 임프린트 레지스트 층 형성 스텝, 레지스트 패턴 형성 스텝, 및 자기 볼록부 형성 스텝을 포함한다. 도 3A ~ 3E는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법의 스텝의 설명도이다. 도 3A ~ 3E를 참조하여 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법이 이하 설명될 것이다.
(임프린트 레지스트 층 형성 스텝)
임프린트 레지스트 층 형성 스텝은 제 1 기재(200)와 제 1 기재(200) 상의 자기 층(4)을 갖는 라미네이트(5)(도 3A 참조)의 표면 상에 임프린트 레지스트 층(39)(도 3B 참조)을 형성하는 스텝이고, 그 표면은 자기 층(4)의 표면이다.
임프린트 레지스트 층(39)은 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광경화성 수지로부터 선택된 하나 이상으로 이루어진다.
임프린트 레지스트 층(39)은 소정 용매로 상기 수지 등을 용해함으로써 준비된 임프린트 레지스트 조성액을 제 1 기재(200)의 표면에 스핀 코팅 등의 공지된 코팅 방법에 의해 도포함으로써 형성된다.
임프린트 레지스트 층의 두께는, 예를 들면 후술되는 몰드의 각 오목부 깊이 를 고려하여 적절히 결정된다. 일반적으로, 10㎚ ~ 100㎚가 바람직하다.
라미네이트(5)에서, 제 1 기재(200) 상의 자기 층(4)은 스퍼터링 등의 공지된 기술을 이용하여 형성된다. 자기 층(4)의 두께는 자기 볼록부(40)의 높이에 따라 적절히 결정된다.
특히, 다른 실시형태에서, 하부 층을 갖는 자기 볼록부(40)가 형성된다. 이 경우에, 하부 층은 제 1 기재(200)와 자기 층(4) 사이에 형성되어 라미네이트(5)를 형성한다.
또한, 또 다른 실시형태에서, 마스크 층으로서 기능되는 하드 마스크가 자기 층(4)에 형성될 수 있다. 마스크 층은 자기 층(4)을 에칭하는 방법을 고려하여 적절히 형성된다. 마스크 층용 재료의 실시예는 C, Cr, W, Ta, Si 및 Ti로부터 선택된 하나 이상을 각각 포함하는 금속, 합금 및 화합물을 포함한다. 마스크 층은 CVD 및 스퍼터링 등의 공지된 방법에 의해 형성된다. 마스크 층의 두께는 형성되는 자기 볼록부(40)의 높이와 임프린트 레지스트 층(39)의 두께를 고려하여 적절히 결정된다.
(레지스트 패턴 형성 스텝)
레지스트 패턴 형성 스텝은 임프린트 레지스트 층(39)에 대해 오목부(35)를 가압함으로써, 몰드(36)의 오목부(35)의 형상을 따르는 레지스트 패턴(6)을 자기 층(4)의 표면 상에 형성하는 스텝이고, 상기 몰드는 제 2 기재와 자기 기록 매체(도 3C 참조) 상에 기록되는 정보의 패턴에 대응하도록 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되는 오목부(35)를 갖는다.
몰드(36)는 임프린트 레지스트 층(39)에 레지스트 패턴(6)을 형성하는데 이용된다. 상술된 바와 같이, 몰드(36)는 제 2 기재와 정보의 패턴에 대응하도록 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되는 오목부(35)를 갖는다. 도 4A ~ 4F는 몰드(36)의 제조 방법의 설명도이다. 도 4A ~ 4F를 참조하여 몰드(36)의 제조 방법이 다음에 설명될 것이다.
도 4A에 나타낸 바와 같이, 먼저 몰드(36)를 제조하기 위한 기재(30)(예를 들면, 제 2 기재)가 제공된다.
제 2 기재(30)용 재료는 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다. 그 예는 PET, PEN, 폴리카르보네이트, 저융점 플루오르 수지, PMMA, 실리콘 및 석영을 포함한다.
특히, 광경화성 수지로 이루어지는 임프린트 레지스트 층(39)이 임프린트 레지스트 층 형성 스텝에 이용될 때, 제 2 기재(30)는 투명 재료로 이루어져야 한다.
다음에, 도 4B에 나타낸 바와 같이, 전자 빔 레지스트 용액은 공지된 코팅 방법(예를 들면, 스핀 코팅)에 의해 제 2 기재(30)의 면에 도포되어 전자 빔 레지스트 층(32)을 형성한다. 그 후에, 이렇게 형성된 전자 빔 레지스트 층(32)이 베이킹(baking)(프리 베이킹)된다.
다음에, 도 4C에 나타낸 바와 같이, 전자 빔 레지스트 층(32)은 고정밀 회전 스테이지 또는 X-Y 스테이지를 갖는 예시되지 않은 전자 빔 노광 장치를 이용하여 노광된다. 특히, 전자 빔 레지스트 층(32)을 갖는 제 2 기재(30)는 예시되지 않은 노광 장치의 스테이지에 세팅된다. 제 2 기재(30)가 회전되는 동안, 서보 신호에 대응하여 변조되는 전자 빔이 전자 빔 레지스트 층(32)에 인가됨으로써, 서보 신호에 대응하는 패턴이 전자 빔 레지스트 층(32)에 형성된다. 도 4C에서, 참조 번호(33)로 지시되는 부분은 노광 부분이다.
다음에, 도 4D에서 나타낸 바와 같이, 레지스트 층(32)이 노광부(33)를 제거하도록 현상됨으로써, 패턴화된 레지스트 층(32)이 제 2 기재(30)에 형성된다. 현상 후에, 베이킹(포스트 베이킹)은 패턴화된 레지스트 층(32)과 제 2 기재(30) 사이의 접착을 증가시키기 위해 수행된다.
다음에, 도 4E에 나타낸 바와 같이, 제 2 기재(30)는 마스크로서 레지스트 층(32)을 이용하여 에칭된다. 특히, 덴트(dent)부(34)[레지스트 층(32)의 노광부에 대응함]에 노출된 제 2 기재(30)가 에칭되어 오목부(35)를 형성한다. 이 에칭은 반응성 이온 에칭(RIE) 등의 이방성 에칭을 통해 수행되는 것이 바람직하다.
다음에, 도 4F에 나타낸 바와 같이, 제 2 기재(30)에 남아있는 레지스트 층(32)은, 필요하다면, 예를 들어 에싱(ashing)을 통해 제거된다. 대안으로, 남아있는 레지스트 층(32)은 제거 용액을 이용하여 제거될 수 있다.
레지스트 층(32)의 제거 후에, 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법에 이용되는 몰드(36)가 획득된다.
도 3C를 다시 언급함으로써 이하의 설명이 제공될 것이다. 도 3C에 나타낸 바와 같이, 몰드(36)의 오목부(35)는 라미네이트(5)의 자기 층(4)에 형성되는 임프린트 레지스트 층(39)에 대해 가압된다. 몰드(36)의 오목부(35)가 임프린트 레지스트 층(39)에 대해 가압될 때, 오목부(35)가 임프린트 레지스트 층(39)으로 채워진 다. 결과적으로, 패턴이 오목부(35)에 대응하는 임프린트 레지스트 층(39)으로 이루어진 레지스트 패턴(6)이 형성된다.
임프린트 레지스트 층(39)이 광경화성 수지로 이루어질 때, 임프린트 레지스트 층(39)은 외부로부터 투명한 몰드(36)를 통해서 방출되는 광으로 임프린트 레지스트 층(39)을 조사함으로써 경화된다.
임프린트 레지스트 층(39)이 열경화성 수지로 이루어질 때, 임프린트 레지스트 층(39)은 가압되는 몰드(36)의 열을 통해 경화된다.
임프린트 레지스트 층(39)이 열가소성 수지로 이루어질 때, 임프린트 레지스트 층(39)은 몰드(36)의 가압 동안 온도가 연화되며, 즉 온도가 증가되기 때문에, 가압되는 몰드(36)의 냉각을 통해 경화된다.
(자기 볼록부 형성 스텝)
자기 볼록부 형성 스텝은 몰드(36)가 임프린트 레지스트 층(39)으로부터 제거된 후에, 어떠한 레지스트 패턴(6)도 없는 자기 층(4)의 표면이 에칭되어 제 1 기재(200)(도 3D 참조)에 자기 볼록부(40)를 형성하는 스텝이다.
도 3D에 나타낸 바와 같이, 몰드(36)가 라미네이트(5)에 형성되는 임프린트 레지스트 층(39)으로부터 제거된 후에, 어떠한 레지스트 패턴(6)도 없는 자기 층(4)의 표면은, 예를 들면 제 1 기재(200)가 노광될 때까지 아르곤 이온 빔 에칭을 통해 에칭된다. 다시 말하면, 자기 층(4)이 에칭되어 자기 층(4)의 불필요한 부분을 제거한다. 불필요한 부분이 제거된 후에, 자기 볼록부(40)가 제 1 기재(200)에 형성된다.
그 후에, 자기 볼록부(40)에 남아있는 레지스트 패턴(6)은, 필요하다면 예를 들어 에싱을 통해서 제거된다(제거 스텝, 도 3E 참조). 상기 공정을 통해서 자기 전사용 마스터 담체(20)가 획득된다.
필요하다면, 자기 전사용 마스터 담체(20)가 세척될 수 있다. 또한, 보호 층 등은 스퍼터링 등의 공지된 기술을 통해서 자기 볼록부(40)에 적절히 형성될 수 있다.
본 발명의 자기 전사용 마스터 담체 제조 방법에서 몰드(36)를 이용함으로써, 레지스트 패턴(6)은 라미네이트(5)의 자기 층(4)에 형성되는 임프린트 레지스트 층(39)에 용이하게 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 자기 전사용 마스터 담체 제조 방법에서, 자기 볼록부(40)의 두께(높이)가 원하는 대로 세팅될 수 있다. 예를 들면, 큰 두께의 자기 볼록부(40)를 갖는 자기 전사용 마스터 담체는 자기 볼록부(40)의 변형을 수반하지 않고 제조될 수 있다.
또한, 본 발명의 자기 전사용 마스터 담체 제조 방법에서 자기 전사용 마스터 담체는 불필요한 자기부가 자기 볼록부(40) 사이에 존재하지 않도록 제조될 수 있다. 이 제조 방법에 의하면, 자기 볼록부(40)는 기록되는 정보에 대응되게 제 1 기재(200)의 표면 상에 의도한대로 용이하게 형성된다.
또한, 본 발명의 자기 전사용 마스터 담체 제조 방법에서, 자기 볼록부(40)가 하부 층에 형성되는 자기 전사용 마스터 담체가 용이하게 제조될 수 있다. 하부 층은 자기 볼록부(40)에 포함되는 결정의 방향을 제어할 수 있다. 따라서, 본 발명 의 자기 전사용 마스터 담체 제조 방법은 자기 기록 매체의 기록면에 수직으로 디렉팅되는 자기 이방성을 갖는 자기 볼록부(40)를 포함하는 자기 전사용 마스터 담체의 특히 바람직한 제조 방법이다.
[자기 전사 방법]
다음에 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법에 의해 획득되는 자기 전사용 마스터 담체를 이용하는 자기 기록 매체(수직 자기 기록 매체)에 정보를 기록(또는 자기적 전사)하기 위한 방법이 설명될 것이다.
도 5A ~ 5C에 자기 전사 방법을 개략적으로 나타낸다. 자기 전사 방법은 초기 자화 스텝, 밀착 스텝 및 자기 전사 스텝을 포함한다.
<초기 자화 스텝>
초기 자화 스텝은 수직 자기 기록 매체(10)에 DC 자계(Hi)를 인가함으로써 수직 자기 기록 매체(10)[슬레이브(slave) 디스크]를 초기에 자화하는 스텝이다.
도 5A에 나타낸 바와 같이, 초기 자화 스텝에서 DC 자계(Hi)는 수직 자기 기록 매체(10)에 인가된다. DC 자계(초기 자계)(Hi)는 수직 방향으로 수직 자기 기록 매체(10)의 표면(기록 면)에 인가된다. DC 자계(Hi)는 소정의 자계 인가 유닛(도시 생략)을 이용함에 인가된다. DC 자계(Hi)의 강도는 수직 자기 기록 매체(10)의 보자력(Hc) 이상으로 유지된다.
도 6은 수직 자기 기록 매체의 초기에 자화되는 자기 층의 자화의 방향을 나타낸다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 초기에 자화되는 수직 자기 기록 매체(10)의 자기 층은 수직 자기 기록 매체(디스크)(10)의 표면에 단일 방향과 수직으로 초기에 자화된다. 도 6에서 Pi로 지시되는 화살표는 자기 층이 자화되는 방향에 대응한다.
<밀착 스텝>
밀착 스텝은 초기에 자화되는 수직 자기 기록 매체(10)에 자기 전사용 마스터 담체(마스터 디스크)(20)를 밀착하는 스텝이다.
도 5B에 나타낸 바와 같이, 초기에 자화되는 수직 자기 기록 매체(10)는 자기 전사용 마스터 담체(20)에 중첩되어 밀착된다.
밀착 스텝에서, 자기 전사용 마스터 담체(20)의 표면에 형성되는 자기 볼록부(40)는 수직 자기 기록 매체(10)에 밀착된다. 자기 전사용 마스터 담체(20)는 소정 가압력의 인가를 통해 수직 자기 기록 매체(10)에 밀착된다.
필요하다면, 자기 전사용 마스터 담체(20)가 수직 자기 기록 매체(10)에 밀착되기 전에, 수직 자기 기록 매체(10)는 그라인드 헤드(grind head), 펄리셔(polisher) 등을 이용하여 제거되는 면 상에 미세 가루가 돌출되거나 접착되도록 클리닝 공정[예를 들면, 버니싱(burnishing)]을 받게할 수 있다.
본 실시형태에서, 도 5B에 나타낸 바와 같이, 자기 전사용 마스터 담체(20)는 밀착 스텝에서 수직 자기 기록 매체(10)의 한 면에만 밀착된다. 대안으로, 다른 실시형태에서 양 면에 자기 층을 갖는 수직 자기 기록 매체(슬레이브 디스크)를 이용하여 자기 전사용 마스터 담체(20)가 표면에 밀착될 수 있다.
<자기 전사 스텝>
자기 전사 스텝은 서로 밀착되는 수직 자기 기록 매체(10)와 자기 전사용 마스터 담체(20)에 초기 자계(Hi)에 반대되는 방향의 기록 자계(Hd)를 인가함으로써 자기 전사용 마스터 담체(20)에 의거한 정보를 수직 자기 기록 매체(10)에 기록하는 스텝이다.
도 5C에 나타낸 바와 같이, 초기 자계(Hi)의 반대되는 방향으로 자계(Hd)가 서로 밀착되는 수직 자기 기록 매체(10)와 자기 전사용 마스터 담체에 소정의 자계 인가 유닛(도시 생략됨)을 이용함으로써 인가된다.
도 7은 자기 전사 스텝에서 수직의 기록 매체(10)와 자기 전사용 마스터 담체(20)의 단면 설명도이다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 기록 자계(Hd)가 서로 밀착되는 수직 자기 기록 매체(10)와 자기 전사용 마스터 담체(20)에 인가될 때, 자계(Hd)로부터 생성되는 자속(G)이 자기 전사용 마스터 담체(20)에 들어간 후, 자기 전사용 마스터 담체(20)의 자기 볼록부(40)에서 흡수된다.
결과적으로, 강한 자계가 자기 전사용 마스터 담체(20)의 자기 볼록부(40)에 생성된다. 한편, 자기 전사용 마스터 담체(20)의 오목부(204)의 자계는-자기 볼록부(40) 사이의 인터스페이스-자기 볼록부(40)의 필드보다 약해진다. 이러한 방법으로, 기록되는 정보에 따라 자계 패턴이 수직 자기 기록 매체(10)에 형성된다.
결과적으로, 자기 층 부분은 정보를 기록하기 위한 자화의 정도가 진행되는 자기 볼록부(40)에 따라 수직 자기 기록 매체(10)에 포함된다. 한편, 오목부(204)에 대응하는 것은 자화의 반전을 겪지 않는다.
도 8은 자기 전사 스텝 후에 획득되는 수직 자기 기록 매체의 자기 층의 자화의 방향을 나타낸다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 정보(예를 들면, 서보 신호)가 초기 자화(Pi)에 대해 반대되는 방향인 기록 자화(Pd)의 형성에서 수직 자기 기록 매체(10)의 자기 층에 기록된다.
기록 자계(Hd)는 목적에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로, 강도는 수직 자기 기록 매체(10)의 자기 층의 보자력(Hc)의 40% ~ 130%인 자계가 바람직하다. 강도는 수직 자기 기록 매체(10)의 자기 층의 보자력(Hc)의 50% ~ 120%인 자계가 더 바람직하다.
실시예
본 발명은 실시예와 같은 방법으로 다음에 설명될 것이고, 본 발명에 한정되는 것으로 해석되는 것은 아니다.
실시예 1
자기 전사용 마스터 담체
(몰드의 제조)
전자 빔 레지스트는 스핀 코팅을 통해서 20.32㎝(8 인치)의 직경으로[제 2 기재(30)] 실리콘 웨이퍼에 도포되어 100㎚의 두께를 가졌다. 그 후에, 제 2 기재(30)에 인가된 레지스트가, 예를 들면 회전 전자 빔 노광 장치를 이용하는 서보 신호에 따라 변조되는 전자 빔으로 방사되었다. 그 후, 레지스트가 현상되어 비 노광부를 제거함으로써, 관심 레지스트 패턴이 제 2 기재(30)에 형성되었다.
그 후에, 마스크로서 상기 형성되는 패턴화된 레지스트를 이용하여 제 2 기재(30)가 반응성 에칭 처리되어 어떠한 레지스트(예를 들면, 비 마스크된 부)도 갖지 않는 부분을 에칭함으로써 오목부(35)가 형성되었다. 이 에칭 처리 후에, 제 2 기재(30)에 남아있는 레지스트가 용매로 세척/제거되었다. 그 후, 제 2 기재(30)가 자기 전사용 마스터 담체의 제조에 이용되는 몰드(36)를 제조하도록 건조되었다.
(자기 전사용 마스터 담체의 제조)
<자기 층 형성 스텝>
Ta 하부 층(두께: 10㎚)이 스퍼터링을 통해서 (실리콘)제 1 기재(200)에 형성되었다. 그 후, Ru 하부 층(두께: 10㎚)이 스퍼터링을 통해서 Ta 하부 층에 형성되었다. 스퍼터링이 수행된 조건은 이하와 같다.
<Ta 필름>
타겟 재료: Ta
타겟과 제 1 기재 사이의 거리: 200㎜
압력: 0.5Pa
DC 전력: 350W
<Ru 필름>
타겟 재료: Ru
타겟과 제 1 기재 사이의 거리: 200㎜
압력: 0.3㎩
DC 전원: 300W
그 후에, CoPt로 이루어진 자기 층(4)(두께: 40㎚)이 스퍼터링을 통해서 하부 층에 형성되었다. 자기 층(4)이 형성된 조건은 이하와 같다.
타겟 재료: Co80Pt20
타겟과 제 1 기재 사이의 거리: 200㎜
압력: 0.1㎩
DC 전력: 1,000W
상기 공정을 통해서 라미네이트(5)가 획득되었다.
<임프린트 레지스트 층 형성 스텝>
임프린트 레지스트 화합물 용액(노볼락 수지)이 스핀 코팅을 통해서 획득된 라미네이트(5)의 자기 층(4)에 도포되어 25㎚의 두께를 가져서 임프린트 레지스트 층(39)이 형성되었다.
<레지스트 패턴 형성 스텝>
몰드(36)의 오목부(35)는 이렇게 형성된 임프린트 레지스트 층(39)에 대해 가압되었다. 몰드(36)는 120℃의 가열 하에서 10초 동안 3㎫의 가압력으로 임프린트 레지스트 층에 인가되어 레지스트의 경화에 의해 지속되었다.
<자기 볼록부 형성 스텝>
그 후에, 몰드(36)가 임프린트 레지스트 층(39)으로부터 제거되어, 라미네이트(5)의 자기 층(4)에서 레지스트 패턴(높이: 100㎚)이 획득되고, 패턴은 임프린트 레지스트 층(39)으로 이루어졌다. 레지스트 패턴이 산소(O2) RIE로 되어 임프린트부(오목부)에 남아있는 레지스트를 제거하였다.
마스크로서 레지스트 패턴을 이용하여, 자기 층(4)이 이하의 조건 아래에서 아르곤 이온 빔으로 에칭되었다. 이 에칭의 결과, 자기 볼록부(40)가 제 1 기 재(200)에 형성되었다.
그 후에, 자기 볼록부(40)에 남아있는 레지스트 패턴이 산소(O2) RIE를 통해서 제거되었다.
그 후, 자기 볼록부(40)가 형성된 제 1 기재(200)가 세척되고 건조되어 자기 전사용 마스터 담체가 제조되었다.
수직 자기 기록 매체
후술되는 층이 6.35cm(2.5 인치)의 직경 글래스 기판에 이하 방법으로 형성되어 수직 자기 기록 매체가 제조되었다.
특히, 제조된 수직 자기 기록 매체는 연질 자기 층, 제 1 비 자기 방향 층, 제 2 비 자기 방향 층, 자기 층, 보호 층, 및 윤활 층을 순차적으로 가졌다.
특히, 연질 자기 층, 제 1 비 자기 방향 층, 제 2 비 자기 방향 층, 자기 층 및 보호 층이 스퍼터링을 통해서 형성되었고, 윤활 층이 딥 방법에 의해 형성되었다.
(부드러운 자기 층의 형성)
부드러운 자기 층은 CoZrNb로 이루어져 100㎚의 두께를 가졌다.
특히, 아르곤 가스가 챔버 내에 공급되는 동안 가스 압력이 0.6㎩로 조절되고, 글래스 기판은 CoZrNb 타겟에 면하도록 배치된 채로 1,500W의 DC 전력에서 방전되었다.
(제 1 비 자기 방향 층의 형성)
제 1 비 자기 방향 층이 Ti로 이루어져 5㎚의 두께를 가졌다.
특히, 아르곤 가스가 챔버 내에 공급되는 동안 가스 압력이 0.5㎩로 조절되고, 소프트 자기 층이 형성된 글래스 기판은 Ti 타겟에 면하도록 배치된 채로 DC 1,000W의 전력에서 방전되었다.
(제 2 비 자기 방향 층의 형성)
제 2 비 자기 방향 층이 Ru으로 이루어져 6㎚의 두께를 가졌다.
특히, 아르곤 가스가 챔버 내에 공급되는 동안에 가스 압력이 0.8㎩로 조절되어, 제 1 비 자기 방향 층이 형성된 글래스 기판이 Ru 타겟에 면하도록 배치된 채로 900W의 DC 전력에서 방전되었다.
(자기 층의 형성)
자기 층 CoCrPtO로 이루어져 18㎚의 두께를 가졌다.
특히, 산소(O2)(0.06%)를 포함하는 아르곤 가스가 챔버에 공급되는 동안에, 가스 압력이 14㎩로 조절되고, 제 2 비 자기 방향 층이 형성된 글래스 기판 위에 CoCrPtO 타겟에 면하도록 배치된 채로 290W의 DC 전력에서 방전되었다.
(보호 층의 형성)
보호 층은 C로 이루어져 4㎚의 두께를 가졌다.
특히, 아르곤 가스가 챔버에 공급되어 가스 압력이 0.5㎩로 조절되도록 자기 층이 형성된 글래스 기판이 탄소 타겟에 면하도록 배치된 채로 1,000W의 DC 전력에서 방전되었다.
(윤활 층의 형성)
윤활 층이 PFPE 윤활제로 이루어져 2㎚의 두께를 가졌다.
수직 자기 기록 매체가 334 kA/m(4.2 kOe)의 보자력을 갖는 것으로 나타났다.
자기 전사
(초기 자화 스텝)
수직 자기 기록 매체(10)가 10 kOe의 강도를 갖는 DC 자계(Hi)를 인가함으로써 초기에 자화되었다.
(밀착 스텝)
상기 제조된 자기 전사용 마스터 담체가 9 ㎏/㎠의 압력에서 초기에 자화되는 수직 자기 기록 매체에 밀착되었다.
(자기 전사 스텝)
기록 자계가 밀착되는 수직 자기 기록 매체와 자기 전사용 마스터 담체에 인가되었다. 기록 자계의 강도는 3.4 kOe 이었다.
그 후에, 기록 자계의 인가가 종료된 후에, 자기 전사용 마스터 담체가 수직 자기 기록 매체로부터 분리되었다.
이와 같이 제조된 자기 전사용 마스터 담체가 이하와 같이 검토될 것이다.
평가 1: 자기 볼록부의 처리 정확도
패턴화된 자기 볼록부는 AFM(Dimension 5000, product of Nihon Veeco Co.)을 이용한 폭의 균일함에 대해 평가되었다. 특히, 15㎜ 반경의 거의 균일하게 구분 된(16) 위치가 요철 패턴에 관한 데이터를 획득하는데 측정되었다; 예를 들면, 그 부분의 높이의 80%에서 자기 볼록부의 폭과 자기 볼록부의 측면의 치수. 폭과 치수의 표준 편차가 요철부에서 진동을 평가하기 위해 산출되었다. 각각의 위치는 1㎛ × 1㎛의 범위를 갖는 것에 주의한다. 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.
평가 2: 서보 신호 특성
자기 전사용 마스터 담체를 이용하는 자기 전사를 통해서 자기 기록 매체에 기록되는 서보 신호의 특성이 평가되었다. 특히, 프리앰블 범위에서 재생산된 출력[트랙 평균 증폭(TAA)]은 15㎜의 반경의 회로 내에 각각의 섹터에서 검출되었고, 그 후, 출력의 SNR이 서보 신호 품질을 평가하기 위해 산출되었다. 이 평가는 LS-90(product of Kyodo Denshi Co.)과 GMR 헤드(읽기 폭: 120㎚, 쓰기 폭: 200㎚)를 이용하여 수행되었다. 결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.
비교 실시예 1
(자기 전사용 마스터 담체)
<오리지널 마스터의 제조>
전자 빔 레지스트가 스핀 코팅을 통해서 20.32cm(8인치)의 직경을 갖는 디스크 형상의 실리콘 기판에 인가되어 100㎚의 두께를 가졌다. 그 후에, 실리콘 기판에 인가된 레지스트가, 예를 들면 회전 전자 빔 노광 장치를 이용한 서보 신호에 따라 변조된 전자 빔으로 방사되었다. 그 후, 레지스트가 현상되어 비 노광부를 제거함으로써, 관심의 레지스트 패턴이 기판에 형성되었다.
그 후, 마스크로서 상기 형성된 패턴화된 레지스트를 이용하여, 실리콘 기판 이 어떠한 레지스트(예를 들면, 비 마스크 부)도 없는 부분에 에칭하기 위해 에칭 처리에 반응하도록 됨으로써, 오목부가 형성되었다. 이 에칭 처리 후에, 실리콘 기판에 남아있는 레지스트가 용매에서 세척/제거되었다. 그 후, 기판이 자기 전사용 마스터 담체를 제조하도록 이용되는 오리지널 마스터를 제조하도록 건조되었다.
먼저, 니켈 박막 필름이 상기 제조된 오리지널 마스터의 요철 패턴에 스퍼터링을 통해서 형성되었다. 그 후, 니켈 피복(전착)은 원판으로써 오리지널 마스터를 이용하여 수행됨으로써, 니켈 층이 형성되었다. 그 후에, 니켈 층을 세척하여 원판으로부터 제거됨으로써, 니켈 기판이 획득되었다. 이와 같이 획득된 니켈 기판은 요철면을 가졌다.
그 후, Ta 필름(두께: 5㎚), Ru 필름(두께: 5㎚)과 Co80Pt20 필름(두께: 40㎚)이 니켈 기판의 볼록부에 스퍼터링을 통해서 연속적으로 형성됨으로써, 비교 실시예 1의 자기 전사용 마스터 담체가 제조되었다.
실시예 1과 유사하게, 비교 실시예 1의 자기 전사용 마스터 담체가 평가 1 및 2에 따라 평가되었다. 결과가 표 1에 나타내어 졌다.
Figure 112009018958330-PAT00001
표 1로부터 분명해짐에 따라, 실시예 1의 자기 전사 몰드 구조가 볼록부(예를 들면, 13㎚ 대 11㎚)의 처리 정확도에 관해서 비교 실시예 1과 동등하게 되었다. 그러나, 실시예 1의 자기 전사 몰드 구조는 비교 실시예 1의 구조와 비교되는 서보 신호 품질보다 우수하게(또는 높게) 나타내는 것으로 나타났다. 아마도, 이러한 이유는 이하와 같다. 특히, 비교 실시예 1에서, 볼록부의 라인 폭은 자기 층이 요철부 패턴의 형성 후에 형성되기 때문에 더 크고; 자기 층이 돌출부 뿐만 아니라 오목부에도 형성되었다.
도 1은 자기 전사용 마스터 담체의 개략적인 부분 단면도이다.
도 2는 자기 전사용 마스터 담체의 평면도이다.
도 3A는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 3B는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 3C는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 3D는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 3E는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 4A는 몰드의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 4B는 몰드의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 4C는 몰드의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 4D는 몰드의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 4E는 몰드의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 4F는 몰드의 제조 방법의 스텝의 설명도이다.
도 5A는 자기 전사 방법을 개략적으로 나타낸다.
도 5B는 자기 전사 방법을 개략적으로 나타낸다.
도 5C는 자기 전사 방법을 개략적으로 나타낸다.
도 6은 초기 자화를 받은 수직 자기 기록 매체의 자기 층의 자화의 방향을 나타낸다.
도 7은 자기 전사 스텝에서 수직 자기 기록 매체 및 자기 전사용 마스터 담 체의 단면 설명도이다.
도 8은 자기 전사 스텝 후에 획득되는 수직 자기 기록 매체의 자기 층의 자화의 방향을 나타낸다.

Claims (6)

  1. 제 1 기재와 상기 제 1 기재 상에 라미네이팅된 자기 층을 포함하는 라미네이트의 자기 층의 표면 상에 임프린트 레지스트 층을 형성하는 스텝;
    상기 임프린트 레지스트 층에 대해 오목부를 가압함으로써 상기 자기 층의 표면 상에 몰드의 오목부의 형상을 따르는 레지스트 패턴을 형성하는 스텝; 및
    상기 몰드를 상기 임프린트 레지스트 층으로부터 제거한 다음 표면이 레지스트 패턴을 갖지 않는 자기 층의 표면을 에칭함으로써 상기 제 1 기재 상에 자기 볼록부를 형성하는 스텝을 포함하는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법으로서:
    상기 몰드는 제 2 기재와 상기 오목부를 포함하고, 상기 오목부는 상기 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되어 자기 기록 매체 상에 기록되는 정보의 패턴에 대응하고;
    상기 자기 전사용 마스터 담체는 제 1 기재와, 자기 재료로 이루어지고 상기 정보의 패턴에 대응되게 상기 제 1 기재 상에 배치되는 자기 볼록부를 포함하고, 자계가 상기 자기 전사용 마스터 담체에 인가될 때 상기 자기 볼록부에서 자속을 흡수함으로써 자계 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 라미네이트는 상기 제 1 기재와 상기 자기 층 사이의 하부 층을 더 포 함하는 것을 특징으로 하는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 자기 층은 수직 자기 이방성을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법.
  4. 제 1 기재; 및
    자기 재료로 이루어지고 자기 기록 매체에 기록되는 정보의 패턴에 대응되게 상기 제 1 기재 상에 배치되는 자기 볼록부를 포함하는 자기 전사용 마스터 담체로서:
    상기 자기 전사용 마스터 담체는 자계가 상기 자기 전사용 마스터 담체에 인가될 때 상기 자기 볼록부에서 자속을 흡수함으로써 자계 패턴을 형성하고, 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법에 의해 획득되고;
    상기 제조 방법은 상기 제 1 기재와 상기 제 1 기재 상에 라미네이팅된 자기 층을 포함하는 라미네이트의 자기 층의 표면 상에 임프린트 레지스트 층을 형성하는 스텝, 상기 임프린트 레지스트 층에 대해 오목부를 가압함으로써 상기 자기 층의 표면 상에 몰드의 오목부의 형상을 따르는 레지스트 패턴을 형성하는 스텝, 및 상기 몰드를 상기 임프린트 레지스트 층으로부터 제거한 다음 표면이 레지스트 패턴을 갖지 않는 자기 층의 표면을 에칭함으로써 상기 제 1 기재 상에 자기 볼록부를 형성하는 스텝을 포함하고;
    상기 몰드는 제 2 기재와 상기 오목부를 포함하고, 상기 오목부는 상기 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되어 상기 정보의 패턴에 대응하는 것을 특징으로 하는 자기 전사용 마스터 담체.
  5. 자계를 인가함으로써 수직 자기 기록 매체를 초기에 자화하는 스텝;
    자기 전사용 마스터 담체를 초기에 자화된 수직 자기 기록 매체에 밀착하는 스텝; 및
    상기 수직 자기 기록 매체와 상기 자기 전사용 마스터 담체가 서로 밀착된 상태로 방향이 상기 초기 자화에 적용된 자계의 방향과 반대인 자계를 인가함으로써 정보를 상기 수직 자기 기록 매체에 자기적으로 전사하여 정보가 상기 수직 자기 기록 매체에 기록되는 스텝을 포함하는 자기 전사 방법에 있어서:
    상기 자기 전사용 마스터 담체는 제 1 기재와, 자기 재료로 이루어지고 자기 기록 매체에 기록되는 정보의 패턴에 대응되게 상기 제 1 기재 상에 배치되는 자기 볼록부를 포함하고, 자계가 상기 자기 전사용 마스터 담체에 인가될 때 상기 자기 볼록부에서 자속을 흡수함으로써 자계 패턴을 형성하며, 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법에 의해 획득되고;
    상기 제조 방법은 상기 제 1 기재와 상기 제 1 기재 상에 라미네이팅된 자기 층을 포함하는 라미네이트의 자기 층의 표면 상에 임프린트 레지스트 층을 형성하는 스텝, 상기 임프린트 레지스트 층에 대해 오목부를 가압함으로써 상기 자기 층의 표면 상에 몰드의 오목부의 형상을 따르는 레지스트 패턴을 형성하는 스텝, 및 상기 몰드를 상기 임프린트 레지스트 층으로부터 제거한 다음 표면이 레지스트 패턴을 갖지 않는 자기 층의 표면을 에칭함으로써 상기 제 1 기재 상에 자기 오목부를 형성하는 스텝을 포함하고;
    상기 몰드는 제 2 기재와 상기 오목부를 포함하고, 상기 오목부는 상기 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되어 상기 정보의 패턴에 대응하는 것을 특징으로 하는 자기 전사 방법.
  6. 자계를 인가함으로써 수직 자기 기록 매체를 초기에 자화하는 스텝;
    자기 전사용 마스터 담체를 초기에 자화된 수직 자기 기록 매체에 밀착하는 스텝; 및
    상기 수직 자기 기록 매체와 상기 자기 전사용 마스터 담체가 서로 밀착된 상태로 방향이 상기 초기 자화에 적용된 자계의 방향과 반대인 자계를 인가함으로써 정보를 상기 수직 자기 기록 매체에 자기적으로 전사하여 상기 정보가 상기 수직 자기 기록 매체에 기록되는 스텝을 포함하는 자기 전사 방법에 의해 획득되는 자기 기록 매체로서:
    상기 자기 전사용 마스터 담체는 제 1 기재와, 자기 재료로 이루어지고 자기 기록 매체에 기록되는 정보의 패턴에 대응되게 상기 제 1 기재 상에 배치되는 자기 볼록부를 포함하고, 자계가 상기 자기 전사용 마스터 담체에 인가될 때 상기 자기 볼록부에서 자속을 흡수함으로써 자계 패턴을 형성하며, 자기 전사용 마스터 담체의 제조 방법에 의해 획득되고;
    상기 제조 방법은 상기 제 1 기재와 상기 제 1 기재 상에 라미네이팅된 자기 층을 포함하는 라미네이트의 자기 층의 표면 상에 임프린트 레지스트 층을 형성하는 스텝, 상기 임프린트 레지스트 층에 대해 오목부를 가압함으로써 상기 자기 층의 표면 상에 몰드의 오목부의 형상을 따르는 레지스트 패턴을 형성하는 스텝, 및 상기 몰드를 상기 임프린트 레지스트 층으로부터 제거한 다음 표면이 레지스트 패턴을 갖지 않는 자기 층의 표면을 에칭함으로써 상기 제 1 기재 상에 자기 오목부를 형성하는 스텝을 포함하고;
    상기 몰드는 제 2 기재와 상기 오목부를 포함하고, 상기 오목부는 상기 제 2 기재의 표면을 에칭함으로써 형성되어 상기 정보의 패턴에 대응하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
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