KR20090103247A - Wafer type temperature detecting element in the furnace - Google Patents

Wafer type temperature detecting element in the furnace

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Abstract

PURPOSE: A wafer type temperature detecting element in the furnace is provided to improve the precision of measurement and prevent a gap between a wafer and the temperature measuring point. CONSTITUTION: The wafer type temperature detecting element in the furnace includes the thermocouple(120) for wafer. The sample wafer(112) is coupled with the contact region of temperature measuring point site and a thermocouple by depositing platinum. The sample wafer is a wafer of same material as the wafer. The junction is performed by welding including a brazing and a laser beam welding. Therefore, the process efficiency and precision of measurement can be improved.

Description

로내부의 웨이퍼형 온도감지장치{WAFER TYPE TEMPERATURE DETECTING ELEMENT IN THE FURNACE}Wafer type temperature sensing device in furnace {WAFER TYPE TEMPERATURE DETECTING ELEMENT IN THE FURNACE}

본 발명은 로(爐)내부의 웨이퍼형 온도감지장치에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼를 열처리하는 로내에서 웨이퍼의 어닐링(Annealing), 불순물 도핑(Dopping), 증착(Deposition) 등의 열처리시 히터의 온도제어를 위한 신속하고 정확한 온도분포를 측정할 수 있는 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer type temperature sensing device in a furnace, and more particularly, to a temperature of a heater during heat treatment such as annealing, doping, and deposition of wafers in a furnace for heat treating the wafer. A wafer type temperature sensing device in a furnace capable of measuring a quick and accurate temperature distribution for control.

일반적으로 웨이퍼의 열처리는 웨이퍼 표면을 도핑, 어닐링, 증착 등을 위한 다양한 목적으로 이용되어 왔다. 이러한 열처리의 품질은 로내의 온도에 의해 크게 좌우되며, 특히, 열처리 동안의 온도측정의 정밀성은 웨이퍼 완제품의 품질, 즉, 웨이퍼 표면에 형성된 막의 품질에 지대한 영향을 미친다. In general, heat treatment of a wafer has been used for various purposes for doping, annealing, depositing, etc. the wafer surface. The quality of this heat treatment depends largely on the temperature in the furnace, and in particular, the precision of the temperature measurement during the heat treatment has a great influence on the quality of the finished wafer, ie the quality of the film formed on the wafer surface.

이와 같은 열처리 로로서는 여러장의 웨이퍼를 수평으로 상하 적층하여 배열하는 수평형 열처리로와, 여러장의 웨이퍼를 수직으로 늘어 놓는 종형 열처리로가 알려져 있다.As such heat treatment furnaces, horizontal heat treatment furnaces in which a plurality of wafers are stacked vertically and horizontally and vertical heat treatment furnaces in which several wafers are arranged vertically are known.

어느 경우에도, 여러장의 웨이퍼에 대한 균일한 열처리를 행하는 필요가 있기 때문에 로내의 가열 히터에 대한 제어가 중요해지는데, 이러한 히터의 온도 제어는 로내에 배치되는 웨이퍼의 실제 온도를 반영하는 것이 필요하므로, 대상 웨이퍼의 열처리 이전에 열처리하고자 하는 웨이퍼와 동일한 재질과 형상을 갖는 시료 웨이퍼를 이용하여 열처리시의 온도 분포를 시뮬레이션함으로써 미리 로내의 히터를 제어하는 것이 바람직하다. In either case, it is necessary to perform a uniform heat treatment on a plurality of wafers, so control of the heating heater in the furnace becomes important. Since the temperature control of such heaters needs to reflect the actual temperature of the wafers placed in the furnace, It is preferable to control the heater in the furnace in advance by simulating the temperature distribution during the heat treatment using a sample wafer having the same material and shape as the wafer to be heat treated before the heat treatment of the target wafer.

이때, 시료 웨이퍼의 일측면에 소정의 간격을 두고 1쌍의 삽통 구멍을 개설하고, 한쌍의 열전대 소선의 각각을 한쌍의 삽통구멍에 삽통하게 한 상태로 충전한 내열 고정제중에 열전대의 측온접점을 매설한다. At this time, a pair of insertion holes are opened at predetermined intervals on one side of the sample wafer, and the thermocouple contact point is placed in the heat-resistant fixing agent filled with each of the pair of thermocouple wires inserted into the pair of insertion holes. Buried

그러나 이 경우, 시료 웨이퍼에 삽통 구멍을 형성하기 때문에 시료 웨이퍼의 두께가 감소되기 때문에 시료 웨이퍼의 온도분포가 실제 열처리시의 웨이퍼의 온도분포와 다른 문제점이 있다. However, in this case, since the thickness of the sample wafer is reduced because the insertion hole is formed in the sample wafer, there is a problem that the temperature distribution of the sample wafer is different from the temperature distribution of the wafer during actual heat treatment.

한편, 고품질 웨이퍼의 형성막 확보를 위하여 정밀성이 향상된 온도측정방법 중에는 웨이퍼와 온도감지부를 직접 접촉함으로써 웨이퍼의 온도를 측정하는 방법이 있지만, 대부분 열처리공정의 구조적 한계 때문에 이러한 웨이퍼에 대해 직접적인 온도측정은 실질적으로 곤란한 일이다. On the other hand, in order to secure a high quality wafer formed film, there is a method of measuring the temperature of the wafer by directly contacting the wafer and the temperature sensing unit to improve the precision of the film. It is practically difficult.

이러한 직접접촉 방법은 측온소자와 웨이퍼의 접합을 위해 고온용 접착제를 사용함이 일반적이나, 접착된 감지부는 제작 공정 시 또는 고온에서 장시간 사용함에 따라 측온점접으로부터 웨이퍼가 이탈되는 문제점이 있다. In the direct contact method, a high temperature adhesive is generally used for bonding the temperature measuring element and the wafer, but the bonded sensing unit has a problem in that the wafer is separated from the temperature measuring contact during a long time at the manufacturing process or at a high temperature.

이는 온도감지장치의 열전대와 웨이퍼 및 고용 접착제의 열창계수가 서로 다르기 때문이라 여겨진다. 또한, 접착제의 사용온도 및 특성(접착성, 열전도도, 열팽창 계수)에 따라 온도감지장치의 성능이 결정되기 때문에 그 사용범위가 극히 제한적이다.This is considered to be due to the difference in the thermal coefficients of the thermocouple of the temperature sensing device and those of the wafer and the solid solution adhesive. In addition, since the performance of the temperature sensing device is determined according to the use temperature and characteristics (adhesiveness, thermal conductivity, thermal expansion coefficient) of the adhesive, its use range is extremely limited.

일 예로, 실리콘 열전대로 이루어진 측온접점의 열팽장 계수는 4.0 X 10-6/℃, 백금계 열전대로 이루어진 측온접점의 열팽창 계수는 9.0 X 10-6 /℃ 이며, 세라믹계열의 고온용 접착제의 열팽창 계수는 2~8 X 10-6 /℃로 그 범위가 서로 상이하다. 이는 고온의 사용환경에서 지속적으로 사용할 경우 또는 잦은 온도변화가 있는 환경에서 그 특성이 더욱 명백하게 나타날 수 있다.As an example, the thermal expansion coefficient of the RTC is 4.0 X 10 -6 / ℃, the thermal expansion coefficient of the RT-coupled thermocouple is 9.0 X 10 -6 / ℃, the thermal expansion of the adhesive for the high temperature of the ceramic series The coefficients are 2 to 8 X 10 -6 / deg. C, which differ in the range. This may be more obvious when used continuously in high temperature environments or in environments with frequent temperature changes.

더불어 고온용 접착제의 경우 불투명한 색을 띠고 있기 때문에 온도감지장치를 제작함에 있어 웨이퍼의 표면에 측온접점이 정확히 닿았는지의 확인이 모호하여 측정 성능이 떨어지는 문제점이 있다. In addition, in the case of a high temperature adhesive has an opaque color, it is ambiguous to confirm whether the temperature contact point correctly touches the surface of the wafer in manufacturing the temperature sensing device, thereby degrading measurement performance.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 로내의 히터 온도를 제어하기 위한 사전 시뮬레이션의 신속 정확한 수행이 가능하고, 웨이퍼와 측온접점이 이격되지 않도록 고정될 수 있는 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been proposed in order to solve the above problems, it is possible to quickly and accurately perform the pre-simulation for controlling the heater temperature in the furnace, the wafer type inside the furnace that can be fixed so that the wafer and the temperature-contacting contact is not spaced apart It is an object to provide a temperature sensing device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 웨이퍼를 열처리하는 로내부의 열전대를 이용한 온도감지장치에 있어서, 열처리하고자 하는 웨이퍼와 동일한 재질 및 형상으로 이루어진 시료 웨이퍼가 상기 열전대와의 측온접점 부위에 백금이 증착되어 접합되는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a temperature sensing device using a thermocouple inside the furnace for heat treatment the wafer, the sample wafer made of the same material and shape as the wafer to be heat-treated platinum in the temperature-contacting area with the thermocouple It is characterized by being deposited and bonded.

바람직하게는 상기 시료 웨이퍼가 Si인 경우, 상기 시료 웨이퍼의 측온접점 부위는 티타늄늄, 구리, 코말트, 텅스텐, 탄탈륨, 크롬 중 어느 하나로 이루어진 제1층과 백금으로 이루어진 제2층이 증착될 수 있다. Preferably, when the sample wafer is Si, the temperature-contacting portion of the sample wafer may be deposited with a first layer made of any one of titanium, copper, cobalt, tungsten, tantalum, chromium and a second layer made of platinum. have.

바람직하게는 상기 접합은 레이져 빔 용접 및 고온용 용가재를 사용한 브레이징을 포함하는 용접에 의해 접합될 수 있다. Preferably the joining may be performed by welding including laser beam welding and brazing using a high temperature filler metal.

바람직하게는 상기 시료 웨이퍼는 상기 열전대와의 측온접점이 동심원 상에 다수의 위치에 형성될 수 있다. Preferably, the sample wafer may be formed at a plurality of locations on the concentric circles of the temperature contact with the thermocouple.

본 발명에 따른 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치는 시료 웨이퍼에 백금 증착막을 형성하고 열전대와 측온접점을 용접에 의해 접합함으로써, 시료 웨이퍼의 온도분포를 정확하게 감지하고 로내의 히터 온도를 안정적으로 제어하여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있는 동시에 공정 효율을 개선할 수 있으며, 시료 웨이퍼와 측온접점의 이격을 방지하여 측정 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. The wafer-type temperature sensing device in the furnace according to the present invention forms a platinum deposition film on the sample wafer and joins the thermocouple and the temperature contact by welding, thereby accurately detecting the temperature distribution of the sample wafer and stably controlling the heater temperature in the furnace. In addition to improving the quality of the wafer, the process efficiency can be improved, and the measurement accuracy can be improved by preventing the separation between the sample wafer and the RTC.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치의 구성도.1 is a block diagram of a wafer-type temperature sensing device in a furnace according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치의 측온접점 부위의 한 예를 나타낸 상세 평면도(a) 및 측단면도(b).Figure 2 is a detailed plan view (a) and side cross-sectional view (b) showing an example of the temperature-temperature contact portion of the wafer-type temperature sensing unit inside the furnace according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치의 측온접점 부위의 다른 예를 나타낸 상세 평면도(a) 및 측단면도(b).Figure 3 is a detailed plan view (a) and side cross-sectional view (b) showing another example of the temperature-temperature contact portion of the wafer-type temperature sensing unit inside the furnace according to the second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 온도감지부 112 : 시료 웨이퍼110: temperature detection unit 112: sample wafer

114 : 증착층 120 : 열전대114: deposited layer 120: thermocouple

140 : 연결단자140: connection terminal

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치의 구성도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치의 측온접점 부위의 한 예를 나타낸 상세 평면도(a) 및 측단면도(b)이며, 도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치의 측온접점 부위의 다른 예를 나타낸 상세 평면도(a) 및 측단면도(b)이다. 1 is a block diagram of a wafer-type temperature sensing device inside the furnace according to an embodiment of the present invention, Figure 2 shows an example of the temperature-temperature contact portion of the wafer-type temperature sensing device inside the furnace according to an embodiment of the present invention A detailed plan view (a) and a side cross-sectional view (b), and Fig. 3 is a detailed plan view (a) and a side cross-sectional view showing another example of the temperature-contacting portion of the wafer-type temperature sensing device in the furnace according to the second embodiment of the present invention. (b).

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 온도감지장치는 시료 웨이퍼(112)와 열전대(120)의 일단이 접합된 온도감지부(110)와, 열전대(120)와, 외부와 연결을 위한 연결단자(140)로 구성된다. As shown in FIG. 1, the temperature sensing device according to the embodiment of the present invention includes a temperature sensing unit 110, one end of a sample wafer 112 and a thermocouple 120, a thermocouple 120, and an external It is composed of a connection terminal 140 for the connection.

온도감지부(110)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 열처리하고자 하는 웨이퍼와 동일한 재질 및 형상으로 이루어진 시료 웨이퍼(112)가 열전대(120) 일단과의 측온접점 부위에 백금(114)이 증착되어 접합된다. As shown in FIGS. 2 and 3, the temperature sensing unit 110 includes a platinum 114 at a temperature-contacting portion of the sample wafer 112 formed of the same material and shape as the wafer to be heat-treated with one end of the thermocouple 120. ) Is deposited and bonded.

이러한 시료 웨이퍼(112)가 Si인 경우에는, 시료 웨이퍼(112)의 측온접점 부위에 형성된 증착층(114)은 티타늄늄, 구리, 코말트, 텅스텐, 탄탈륨, 크롬 중 어느 하나로 이루어진 제1층과 백금으로 이루어진 제2층으로 구성되는 것이 바람직하다. In the case where the sample wafer 112 is Si, the deposition layer 114 formed at the temperature-contacting portion of the sample wafer 112 may include a first layer made of titanium, copper, cobalt, tungsten, tantalum, or chromium. It is preferable that it is comprised by the 2nd layer which consists of platinum.

즉, 시료 웨이퍼(112)를 백금계의 열전대(120)에 접착하기 위하여, 본 발명자는 실리콘 웨이퍼를 대상으로 SiO2위에, 티타늄(Ti) 및 백금(Pt)의 순서로 증착층(114)을 형성하는 것을 제안하였다.That is, in order to adhere the sample wafer (112) to the thermal elements (120) of the platinum-based, the inventor of the deposition layer 114 in this order on the SiO 2, titanium (Ti) and platinum (Pt) as a target, a silicon wafer It was proposed to form.

예를 들면, 시료 웨이퍼(112)의 표면에 DC 스퍼터링(Sputtering)에 의해 500Å의 두께로 티타늄층이 증착되며, 그 위에 DC 스퍼터링에 의해 20,000Å의 두께로 백금이 증착된다. For example, a titanium layer is deposited on the surface of the sample wafer 112 by a thickness of 500 mV by DC sputtering, and platinum is deposited on the surface of the sample wafer 112 by a thickness of 20,000 mW by DC sputtering.

여기서, 티타늄은 실리콘과 접착력이 우수한 물질 중에 선택되었으며, 구리, 코발트, 텅스텐, 탄탈륨, 크롬 등으로 대체가 가능하다.Herein, titanium is selected from silicon and a material having excellent adhesion, and may be replaced with copper, cobalt, tungsten, tantalum, and chromium.

이와 같이 백금이 증착된 웨이퍼 세편(112)은 열전대(120)와 측온접점을 형성하도록 접합되는데, 이 접합은 용접에 의해 이루어지며, 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이 레이져 빔 용접을 통해 용접되어 접합된다.The platinum fragments 112 deposited as described above are bonded to the thermocouple 120 to form a temperature-contacting contact, which is performed by welding, for example, through laser beam welding as shown in FIG. 2. Welded and joined.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 세편(112)과 열전대(120)의 측온접점은 고온용 용가재를 사용한 브레이징을 통해 용접되어 접합되는데, 고온 용가재는 열전대(120)와 유사한 열팽창 계수를 갖는 것이 바람직하다.In addition, as shown in FIG. 3, the temperature contact of the wafer piece 112 and the thermocouple 120 is welded and joined by brazing using a high temperature filler metal, and the high temperature filler material has a coefficient of thermal expansion similar to that of the thermocouple 120. It is preferable.

시료 웨이퍼(112)와 열전대(120)의 측온접점으로 이루어진 온도감지부(110)는, 도 1에 도시된 바와 같이 시료 웨이퍼(112)의 동심원 상에 다수의 위치에 배치될 수 있다.The temperature sensing unit 110 including the temperature sensing contact of the sample wafer 112 and the thermocouple 120 may be disposed at a plurality of positions on the concentric circles of the sample wafer 112 as shown in FIG. 1.

또한, 시료 웨이퍼(112)는 온도측정을 위한 측온접점 부위를 제외한 웨이퍼 상면을, 마스크를 이용해 식각함으로써, 증착된 티타늄, 백금 등에 의한 지나친 열손실을 방지할 수 있다. In addition, the sample wafer 112 may etch the upper surface of the wafer except for the temperature-contacting portion for temperature measurement using a mask, thereby preventing excessive heat loss due to deposited titanium, platinum, or the like.

이와 같은 구성에 의해 시료 웨이퍼의 온도분포를 정확하게 감지하고 로내의 히터 온도를 안정적으로 제어하여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있는 동시에 공정 효율을 개선할 수 있으며, 시료 웨이퍼와 측온접점의 이격을 방지하여 측정 정밀도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다. This configuration can accurately detect the temperature distribution of the sample wafer and stably control the heater temperature in the furnace to improve the quality of the wafer and at the same time improve the process efficiency, and prevent the separation between the sample wafer and the temperature contact. There is an effect that can improve the measurement accuracy.

Claims (4)

웨이퍼를 열처리하는 로내부의 열전대를 이용한 온도감지장치에 있어서,In the temperature sensing device using a thermocouple inside the furnace for heat treatment of the wafer, 열처리하고자 하는 웨이퍼와 동일한 재질 및 형상으로 이루어진 시료 웨이퍼가 상기 열전대와의 측온접점 부위에 백금이 증착되어 접합되는 것을 특징으로 하는 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치.A wafer type temperature sensing device in a furnace, wherein a sample wafer made of the same material and shape as the wafer to be heat-treated is bonded with platinum by depositing at a temperature-contacting point with the thermocouple. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 시료 웨이퍼가 Si인 경우, 상기 시료 웨이퍼의 측온접점 부위는 티타늄늄, 구리, 코말트, 텅스텐, 탄탈륨, 크롬 중 어느 하나로 이루어진 제1층과 백금으로 이루어진 제2층이 증착되는 것을 특징으로 하는 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치.When the sample wafer is Si, the temperature-contacting portion of the sample wafer is deposited with a first layer made of any one of titanium, copper, cobalt, tungsten, tantalum, chromium and a second layer made of platinum. Wafer type temperature sensing device in the furnace. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접합은 레이져 빔 용접 및 고온용 용가재를 사용한 브레이징을 포함하는 용접에 의해 접합되는 것을 특징으로 하는 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치.And the joining is performed by welding including laser beam welding and brazing using a high temperature filler metal. 제 1 항에 있어서The method of claim 1 상기 시료 웨이퍼는 상기 열전대와의 측온접점이 동심원 상에 다수의 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 로내부의 웨이퍼형 온도감지장치.The sample wafer is a wafer-type temperature sensing device in the furnace, characterized in that the thermoelectric contact with the thermocouple is formed in a plurality of locations on the concentric circles.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3512158A1 (en) 1985-04-03 1986-10-23 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau ELECTRICAL COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SUCH A COMPONENT
US4787551A (en) 1987-05-04 1988-11-29 Stanford University Method of welding thermocouples to silicon wafers for temperature monitoring in rapid thermal processing
JPH11224838A (en) 1998-02-04 1999-08-17 Sakaguchi Dennetsu Kk Wafer with temperature detecting device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100974502B1 (en) * 2008-03-28 2010-08-10 우진 일렉트로나이트(주) Temperature detecting element in the furnace

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