KR20090102219A - Method for manufacturing light emitting diode package - Google Patents

Method for manufacturing light emitting diode package

Info

Publication number
KR20090102219A
KR20090102219A KR1020080027518A KR20080027518A KR20090102219A KR 20090102219 A KR20090102219 A KR 20090102219A KR 1020080027518 A KR1020080027518 A KR 1020080027518A KR 20080027518 A KR20080027518 A KR 20080027518A KR 20090102219 A KR20090102219 A KR 20090102219A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
package body
package
electrode
Prior art date
Application number
KR1020080027518A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100967965B1 (en
Inventor
이화영
박호준
김진철
윤상준
윤금희
오준록
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020080027518A priority Critical patent/KR100967965B1/en
Publication of KR20090102219A publication Critical patent/KR20090102219A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100967965B1 publication Critical patent/KR100967965B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting diode package is provided to improve heat radiation characteristic and light emitting efficiency. CONSTITUTION: A heat conductive filler and a high polymer are filled in a mold and are formed. A plurality of cavities are formed in one side of a package body(110). An electrode(120) passes through the package body. A light emitting diode chip(140) is mounted on the lower part of the cavity formed in the package body. A light emitting diode chip and an electrode are electrically connected with a bonding unit(150). The light emitting diode and the bonding unit are sealed using the molding resin.

Description

발광 다이오드 패키지의 제조 방법{Method for manufacturing light emitting diode package}Method for manufacturing light emitting diode package

본 발명은 발광 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러를 이용하여 제작된 발광 다이오드 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a method of manufacturing a light emitting diode package manufactured using a thermoplastic polymer material and a thermally conductive filler.

발광 다이오드(LED)는 간판, 디스플레이, 자동차, 신호등, 백라이트, 일반 조명에 이르기까지 광범위하게 이용되고 있으며, 각각의 분야에서 지속적인 성장을 계속하고 있다. 최근에는 모니터, 노트북, 이동통신단말기 등에 사용되는, 에너지 소비율이 작고 소형인 액정 표시 장치(LCD)가 각광받음과 동시에 발광 다이오드 분야도 함께 발전하고 있다. LCD는 자체적으로 빛을 발생시키지 못하기 때문에 LCD 패널의 뒷면 또는 측면에서 빛을 발생시키는 광원으로 이용되는 백라이트(backlight)를 구비하는 것이 일반적인데 이러한 백라이트로 발광 다이오드가 주로 사용되기 때문이다. Light emitting diodes (LEDs) are widely used in signs, displays, automobiles, traffic lights, backlights, and general lighting, and continue to grow in their respective fields. Recently, a small and small liquid crystal display (LCD), which is used for a monitor, a notebook, a mobile communication terminal, etc., has been in the spotlight, and the light emitting diode field has also developed together. Since the LCD does not generate light by itself, it is common to have a backlight used as a light source for generating light from the back or side of the LCD panel because a light emitting diode is mainly used as the backlight.

발광 다이오드는 친환경적이며, 응답 속도가 수 나노 초 정도로서 고속 응답이 가능하며, 긴 수명, 높은 내충격성을 갖는다. 아울러, 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 발광 다이오드의 광량을 조정하여 휘도, 색온도 등을 자유로이 변경할 수 있어 그 색재현성이 우수하며, 경박 단소화에도 적합하다. 따라서, 최근 형광등과 백열전구를 대신할 수 있는 조명용 광원으로 주목받고 있다.The light emitting diode is environmentally friendly, has a response speed of about several nanoseconds, enables high speed response, and has a long life and high impact resistance. In addition, the light emitting diode can freely change the brightness, color temperature, etc. by adjusting the amount of light of the red, green, and blue light emitting diodes, and is excellent in color reproducibility, and is also suitable for light and thin shortening. Therefore, in recent years, it is attracting attention as a light source for illumination that can replace fluorescent and incandescent bulbs.

조명용 발광 다이오드는 고광량, 고효율, 대면적화의 특성이 요구되며, 그에 따른 발광 다이오드 패키지 역시 고방열, 경박단소, 신뢰성 확보 등의 특성이 요구된다. 또한, 조명용 발광 다이오드의 보급을 위해서는 재료비와 공정비를 절감할 수 있는 저비용 발광 다이오드 패키지 플랫폼의 개발이 필요하다.The light emitting diode for lighting requires characteristics of high light quantity, high efficiency, and large area, and accordingly, the light emitting diode package also requires characteristics such as high heat dissipation, light weight, small size, and reliability. In addition, in order to spread the light emitting diode for lighting, it is necessary to develop a low-cost LED package platform that can reduce the material cost and process cost.

도 1은 종래 기술에 따른 리드프레임 구조를 채용한 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도이다.1 is a side view showing the structure of a light emitting diode package employing a lead frame structure according to the prior art.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 리드프레임(lead frame) 구조를 채용한 발광 다이오드 패키지는, 리드프레임(20)의 상부에 발광 다이오드 칩(40)을 실장한 후 와이어 본딩(50)하고, 리드프레임(20)을 둘러싸고 있는 사출물(30) 내에 몰딩 수지(60)를 주입하는 방법으로 제작된다. 그러나, 도 1과 같이 리드프레임을 채용한 발광 다이오드 패키지는 리드프레임의 무게 때문에 패키지의 경량화, 박형화에 어려움이 있으며, 리드프레임 자체가 고가이기 때문에 전체 재료비가 상승하는 문제점이 있다. 또한, 리드프레임의 배치로 인한 칩 디자인에 제약이 크며, 방열을 위한 히트싱크(10)와 같은 방열 시스템이 추가적으로 요구되었다.Referring to FIG. 1, in the LED package employing the lead frame structure according to the related art, the LED chip 40 is mounted on the lead frame 20, and then wire bonded 50. The molding resin 60 is injected into the injection molding 30 surrounding the lead frame 20. However, as shown in FIG. 1, a light emitting diode package employing a lead frame has difficulty in lightening and thinning a package due to the weight of the lead frame, and increases in overall material costs because the lead frame itself is expensive. In addition, the chip design due to the placement of the lead frame is a big constraint, and additional heat dissipation system such as heat sink 10 for heat dissipation was required.

이러한 문제점을 해결하기 위해 전술한 리드프레임 구조를 대체한 다른 방식의 발광 다이오드 패키지로, 저온 동시 소성 세라믹(LTCC)을 이용한 발광 다이오드 패키지가 있다. 도 2는 종래 기술에 따른 저온 동시 소성 세라믹(LTCC)을 이용한 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도이다.In order to solve this problem, there is a light emitting diode package using a low temperature co-fired ceramic (LTCC) as another type of light emitting diode package replacing the above-described lead frame structure. Figure 2 is a side view showing the structure of a light emitting diode package using a low temperature co-fired ceramic (LTCC) according to the prior art.

도 2를 참조하면, LTCC를 이용한 발광 다이오드 패키지는 하부 세라믹 시트(11), 전극(21), 상부 세라믹 시트(31), 반사판(32), 발광 다이오드 칩(41), 와이어 본딩(51), 몰딩 수지(61)를 포함한다. 이와 같이 LTCC를 이용한 발광 다이오드 패키지는 펀칭(punching)을 통한 캐비티(cavity) 가공이 가능하며, 다수개의 세라믹 시트(ceramic sheet)의 적층 공정으로 발광 다이오드 패키지를 제작할 수 있다는 점에서 종래의 리드프레임 구조를 대체할 수 있는 장점이 있으나, 하기와 같은 문제점이 있다.Referring to FIG. 2, the light emitting diode package using the LTCC may include a lower ceramic sheet 11, an electrode 21, an upper ceramic sheet 31, a reflector 32, a light emitting diode chip 41, a wire bonding 51, The molding resin 61 is included. As described above, the light emitting diode package using the LTCC is capable of cavity processing through punching, and a conventional leadframe structure in that a light emitting diode package can be manufactured by stacking a plurality of ceramic sheets. There is an advantage to replace, but there are the following problems.

먼저, LTCC를 이용한 발광 다이오드 패키지는 세라믹 재질의 기판을 사용하므로 그 재료비가 고가일 뿐만 아니라, 기판 사이즈가 증가됨에 따라 크랙(crack)이 발생할 위험이 커서 다수개의 발광 다이오드 칩을 하나의 기판에 실장시키기는데 어려움이 있다. 또한, 세라믹 기판과 몰딩 수지 간에 열팽창률이 다르기 때문에, 와이어 본딩이 떨어져나가는 등의 불량이 발생될 수 있다.First, since the light emitting diode package using LTCC uses a ceramic substrate, the material cost is not only expensive, and there is a high risk of cracking as the size of the substrate increases, so that a plurality of LED chips are mounted on one substrate. I'm having a hard time. In addition, since the coefficient of thermal expansion is different between the ceramic substrate and the molding resin, a defect such as a drop in wire bonding may occur.

또한, LTCC를 이용한 발광 다이오드 패키지는 패키지 제작시 기존의 세라믹 기판 공정을 그대로 채용하므로 발광 다이오드 패키지의 제조 공정이 복잡하다. 즉, LTCC를 이용한 발광 다이오드 패키지 제조 방법의 경우 발광 다이오드 칩이 실장될 공간인 캐비티(cavity)의 형성을 위해, 펀칭/절삭 공정 -> 적층 공정 -> 소성 공정 순의 많은 과정을 거쳐야 한다. 또한, 펀칭/절삭 및 적층 공정에 의하여 제작된 캐비티는 그 경계면이 항상 수직면을 형성하므로, 발광 다이오드 패키지에서 지향각(발광각)을 넓게 확보하는 데 어려움이 있다.In addition, the light emitting diode package using the LTCC adopts a conventional ceramic substrate process as it is when manufacturing the package, so the manufacturing process of the light emitting diode package is complicated. That is, in the method of manufacturing a light emitting diode package using the LTCC, in order to form a cavity, which is a space in which the light emitting diode chip is to be mounted, a plurality of processes, such as a punching / cutting process, a stacking process, and a firing process, must be performed. In addition, the cavity fabricated by the punching / cutting and lamination processes always has a vertical plane, and thus it is difficult to secure a wide angle of light (light emitting angle) in the LED package.

따라서, 본 발명은 단순한 공정을 통하여, 방열특성을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 제공한다.Accordingly, the present invention provides a method of manufacturing a light emitting diode package that can improve heat dissipation characteristics through a simple process.

또한, 본 발명은 설계에 제한이 없으며, 경량화, 박형화, 소형화의 구현이 가능한 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention is not limited in design, and provides a method of manufacturing a light emitting diode package capable of lightening, thinning, and miniaturization.

또한, 본 발명은 발광 세기, 발광 효율을 크게 높일 수 있는 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a light emitting diode package manufacturing method that can greatly increase the light emission intensity, the light emission efficiency.

본 발명의 이외의 목적들은 하기의 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.Other objects of the present invention will be readily understood through the following description.

본 발명의 일측면에 따르면, 미리 제작된 금형에 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러(filler)를 넣고 성형하여, 복수개의 캐비티(cavity)가 일면에 형성되는 패키지 본체를 제작하는 단계; 상기 패키지 본체를 관통하는 전극을 형성하는 단계; 상기 패키지 본체에 형성된 상기 캐비티의 저면(底面)에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계; 본딩 수단을 이용하여, 상기 발광 다이오드 칩과 상기 전극을 전기적으로 연결하는 단계; 및 몰딩 수지를 이용하여, 상기 발광 다이오드 칩과 상기 본딩 수단을 밀봉하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법이 개시된다. According to an aspect of the present invention, by inserting and molding a thermoplastic polymer material and a thermally conductive filler (filler) in a pre-made mold, manufacturing a package body in which a plurality of cavities (cavity) is formed on one surface; Forming an electrode penetrating the package body; Mounting a light emitting diode chip on a bottom surface of the cavity formed in the package body; Electrically connecting the light emitting diode chip and the electrode using a bonding means; And sealing the light emitting diode chip and the bonding means by using a molding resin.

여기서, 상기 패키지 본체는 분말 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 분말 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 넣어 압축 성형시키는 방법에 의해 제작되거나, 상기 패키지 본체는 용융 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 용융 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 주입하여 사출 성형시키는 방법에 의해 제작될 수 있다. Here, the package body is produced by a method of compression molding the thermoplastic polymer material in powder form and the thermally conductive filler in powder form, or the package body is melted in the thermoplastic polymer material and molten state The thermally conductive filler may be manufactured by injection molding by injecting the mold into the mold.

또한, 상기 패키지 본체는 이웃한 2개의 상기 캐비티 사이에 위치하는 측벽에 경사면이 형성되도록 성형 제작될 수 있으며, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 형성되고, 상기 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 드릴링 공정을 통하여 상기 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the package body may be molded to form an inclined surface formed on a side wall located between two adjacent cavities, the electrode is formed by inserting a conductive material into the through-hole penetrating the package body, the electrode Prior to forming a, it may further comprise the step of forming the through hole through a drilling process to the position to form the electrode.

그리고, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 형성되되, 상기 관통홀은 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 상응하여 형성되며, 상기 관통홀 형성하는 과정은 상기 패키지 본체를 제작하는 단계와 동시에 이루어 질 수 있으며, 상기 열가소성 고분자 물질은 액정 고분자(LCP, liquid crystal polymer), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에테르설폰(PES, Polyethersulfone), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone) 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나일 수 있다. The electrode is formed by inserting a conductive material into a through hole penetrating through the package body, and the through hole is formed corresponding to a position where the electrode is to be formed. At the same time as the manufacturing step, the thermoplastic polymer material is a liquid crystal polymer (LCP, liquid crystal polymer), polyetherimide (PEI, polyetherimide), polyether sulfone (PES, Polyethersulfone), polyether ether ketone (PEEK, Polyetheretherketone) and polytetrafluoroethylene (PTFE).

또한, 상기 열전도성 필러는 세라믹 필러일 수 있으며, 이 경우 상기 세라믹 필러는 구형, 플레이크(flake)형, 휘스커(whisker)형 및 이들의 조합으로 이루어진 형태 중 어느 하나일 수 있다. In addition, the thermally conductive filler may be a ceramic filler, in which case the ceramic filler may be any one of spherical, flake, whisker, and combinations thereof.

그리고, 상기 몰딩 수지의 상면에 형광체를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 패키지 본체는 바 타입으로 제작되되, 상기 복수개의 캐비티는 상기 패키지 본체의 상기 일면에 일렬로 형성될 수 있다. The method may further include applying a phosphor to an upper surface of the molding resin, wherein the package body may be manufactured in a bar type, and the plurality of cavities may be formed in one line on the surface of the package body.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 미리 제작된 금형에 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러(filler)를 넣고 성형하여, 복수개의 관통부가 형성되는 패키지 본체를 제작하는 단계; 상기 관통부가 형성된 위치와 다른 위치에, 상기 패키지 본체를 관통하는 전극을 형성하는 단계; 상기 관통부의 일 방향에 닫힌면이 형성되도록, 상기 패키지 본체의 일면에 접착 테이프를 부착하는 단계; 상기 관통부에 형성된 상기 닫힌면에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계; 본딩 수단을 이용하여, 상기 발광 다이오드 칩과 상기 전극을 전기적으로 연결하는 단계; 및 상기 발광 다이오드 칩과 상기 본딩 수단을 몰딩 수지를 이용하여 밀봉하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법이 개시된다. According to another aspect of the present invention, by inserting a thermoplastic polymer material and a thermally conductive filler (filler) in a pre-fabricated mold, forming a package body in which a plurality of through parts are formed; Forming an electrode penetrating the package body at a position different from the position at which the through portion is formed; Attaching an adhesive tape to one surface of the package body such that a closed surface is formed in one direction of the through part; Mounting a light emitting diode chip on the closed surface formed on the penetrating portion; Electrically connecting the light emitting diode chip and the electrode using a bonding means; And sealing the light emitting diode chip and the bonding means by using a molding resin.

이 때, 상기 패키지 본체는 분말 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 분말 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 넣어 압축 성형시키는 방법에 의해 제작되거나, 용융 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 용융 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 주입하여 사출 성형시키는 방법에 의해 제작될 수 있다.At this time, the package body is manufactured by a method of compression molding the thermoplastic polymer material in the powder state and the thermally conductive filler in the powder state into the mold, or the thermoplastic polymer material in the molten state and the thermal conductivity in the molten state. It can be produced by a method of injection molding the filler into the mold.

또한, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 형성되고, 상기 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 드릴링 공정을 통하여 상기 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 의해 형성되되, 상기 관통홀은 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 상응하여 형성되며, 상기 관통홀 형성하는 과정은 상기 패키지 본체를 제작하는 단계와 동시에 이루어질 수 있다.The electrode may be formed by inserting a conductive material into a through hole penetrating through the package body, and before forming the electrode, forming the through hole through a drilling process at a position where the electrode is to be formed. The electrode may be further formed by inserting a conductive material into a through hole penetrating the package body, wherein the through hole is formed corresponding to a position where the electrode is to be formed. The process may be performed at the same time as manufacturing the package body.

또한, 상기 열가소성 고분자 물질은 액정 고분자(LCP, liquid crystal polymer), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에테르설폰(PES, Polyethersulfone), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone) 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나이거나, 상기 열전도성 필러는 세라믹 필러일 수 있으며, 상기 세라믹 필러는 구형, 플레이크(flake)형, 휘스커(whisker)형 및 이들의 조합으로 이루어진 형태 중 어느 하나일 수 있다.In addition, the thermoplastic polymer material is a liquid crystal polymer (LCP), polyetherimide (PEI, polyetherimide), polyethersulfone (PES, Polyethersulfone), polyether ether ketone (PEEK, Polyetheretherketone) and polytetrafluoroethylene ( PTFE or polytetrafluoroethylene, or the thermally conductive filler may be a ceramic filler, and the ceramic filler may be any one of spherical, flake, whisker, and combinations thereof. .

그리고, 상기 발광 다이오드와 상기 본딩 수단을 밀봉시키는 단계 이후에, 상기 접착 테이프를 제거하는 단계; 및 상기 접착 테이프가 제거된 면에 형광체를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 상기 패키지 본체는 바 타입으로 제작되되, 상기 복수개의 관통부는 상기 패키지 본체에 일렬로 형성될 수 있다. And after the sealing of the light emitting diode and the bonding means, removing the adhesive tape; And applying a phosphor to a surface from which the adhesive tape has been removed. The package body may be manufactured in a bar type, and the plurality of through parts may be formed in a line on the package body.

본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법에 의하면, 단순한 공정을 통하여, 발광 다이오드 패키지의 방열특성을 향상시킬 수 있다.According to the LED package manufacturing method according to the present invention, it is possible to improve the heat radiation characteristics of the LED package through a simple process.

또한, 본 발명에 따르면, 설계에 제한이 없이, 발광 다이오드 패키지의 경량화, 박형화, 소형화의 구현이 가능하다.In addition, according to the present invention, without limiting the design, it is possible to implement a light weight, thinner, smaller size of the LED package.

또한, 본 발명에 따르면, 발광 다이오드 패키지의 발광 세기, 발광 효율이 크게 향상될 수 있다.In addition, according to the present invention, the light emission intensity and light emission efficiency of the LED package can be greatly improved.

도 1은 종래 기술에 따른 리드프레임 구조를 채용한 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도.1 is a side view showing the structure of a light emitting diode package employing a lead frame structure according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 저온 동시 소성 세라믹(LTCC)을 이용한 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도.Figure 2 is a side view showing the structure of a light emitting diode package using a low temperature co-fired ceramic (LTCC) according to the prior art.

도 3는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도.Figure 3 is a side view showing the structure of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.

도 4a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 패키지를 상부에서 바라봤을 때를 나타낸 평면도.FIG. 4A is a plan view of the light emitting diode package shown in FIG. 3 as viewed from above. FIG.

도 4b는 도 3에 도시된 발광 다이오드 패키지에서 패키지 본체만을 나타낸 측면도.Figure 4b is a side view showing only the package body in the light emitting diode package shown in FIG.

도 5은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도.Figure 5 is a side view showing the structure of a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도.6 is a side view showing the structure of a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도.Figure 7 is a side view showing the structure of a light emitting diode package according to a fourth embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8d는 도 6에 도시된 발광 다이오드 패키지에 관한 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도.8A to 8D are flowcharts schematically illustrating a manufacturing method of the light emitting diode package illustrated in FIG. 6.

도 9a 내지 도 9d는 도 8a 내지 도 8d에 도시된 순서에 각각 상응하여 제조 과정에 있는 발광 다이오드 패키지를 상부에서 바라봤을 때를 나타낸 평면도.9A to 9D are plan views showing the top view of the LED package in the manufacturing process corresponding to the order shown in FIGS. 8A to 8D, respectively.

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 조명용 모듈의 구조를 나타낸 구조도.10A and 10B are structural diagrams showing the structure of a light emitting diode lighting module according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

110 : 패키지 본체 120 : 전극110: package body 120: electrode

130 : 캐비티(cavity) 140 : 발광 다이오드 칩130: cavity 140: light emitting diode chip

150 : 본딩 수단 160 : 몰딩부150: bonding means 160: molding part

170 : 형광층170: fluorescent layer

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.As the invention allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. The term and / or includes a combination of a plurality of related items or any item of a plurality of related items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and are not construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도이고, 도 4a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 패키지를 상부에서 바라봤을 때를 나타낸 평면도이고, 도 5b는 도 3에 도시된 발광 다이오드 패키지에서 패키지 본체만을 나타낸 측면도이고, 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도이다.3 is a side view showing the structure of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4a is a plan view showing a top view of the light emitting diode package shown in FIG. 3, and FIG. 5b is shown in FIG. 3. In the illustrated light emitting diode package, only the package body is shown, and FIG. 6 is a side view showing the structure of the light emitting diode package according to the second embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 패키지 본체(110), 전극(120), 발광 다이오드 칩(140), 본딩 수단(150), 몰딩부(160) 및 형광층(170)을 포함한다.3 and 4B, the light emitting diode package according to the first embodiment of the present invention includes a package body 110, an electrode 120, a light emitting diode chip 140, a bonding means 150, and a molding part 160. ) And the fluorescent layer 170.

이때, 전극(120)은 외부 전원과 연결될 수 있도록 패키지 본체(110)를 관통하여 형성된다. 또한, 발광 다이오드 칩(140)은 패키지 본체(110)에 형성된 캐비티(130)의 저면(底面)에 실장되며, 본딩 수단(150)을 통해 전극(120)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 발광 다이오드 칩(140)은 본딩 수단(150) 및 전극(120)을 통하여 외부 전원으로부터 전달되는 전기적 신호에 상응하는 발광 동작을 수행한다. 몰딩부(160)는 발광 다이오드 칩(140) 및 본딩 수단(150)을 고정, 밀봉시킨다. 형광층(170)은 발광 다이오드 패키지의 발광면에 도포되어, 발광 다이오드 칩(140)에서 발생하는 빛이 패키지 외부로 출력될 때의 발광 특성 또는 발광 효율을 증가시키는 역할을 수행한다. In this case, the electrode 120 is formed through the package body 110 to be connected to an external power source. In addition, the LED chip 140 is mounted on the bottom surface of the cavity 130 formed in the package body 110 and electrically connected to the electrode 120 through the bonding means 150. Therefore, the LED chip 140 performs a light emission operation corresponding to an electrical signal transmitted from an external power source through the bonding means 150 and the electrode 120. The molding part 160 fixes and seals the LED chip 140 and the bonding means 150. The fluorescent layer 170 is applied to the light emitting surface of the LED package, and serves to increase light emission characteristics or light emission efficiency when light generated from the LED chip 140 is output to the outside of the package.

본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 패키지 본체(110)에 주요한 특징이 존재하는 바, 이하에서는 패키지 본체(110)가 갖는 재질, 형태 그리고 패키지 본체(110)의 성형 방법 등을 중심으로 설명하도록 한다. 또한, 전술한 구성요소들에 대한 보다 구체적인 설명은 이후 도 8a 내지 도 9d를 참조하여 후술하도록 한다.The light emitting diode package according to the embodiment of the present invention has a main feature on the package main body 110, and will be described below with reference to a material, a shape, and a molding method of the package main body 110. Do it. In addition, a more detailed description of the aforementioned components will be described later with reference to FIGS. 8A to 9D.

본 발명의 제1 실시예에서 패키지 본체(110)는 도 4b를 통해 도시된 바와 같이 복수개의 캐비티(130)가 일면에 열지어 형성되어 있는, 바 형태(bar type)로 제작될 수 있다. 본 명세서를 통해 제시된 모든 도면에서는 도면 도시의 편의상 패키지 본체에 3개의 캐비티가 형성되어 있는 경우만을 예시하고 있으나, 보다 많은 수의 캐비티가 패키지 본체 일면에 열지어 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 패키지 본체는 바 형태 이외의 다양한 형태로 제작될 수 있음은 이하의 설명으로부터 쉽게 이해할 수 있을 것이다.In the first embodiment of the present invention, the package body 110 may be manufactured in a bar type, in which a plurality of cavities 130 are formed on one surface in a row, as shown in FIG. 4B. In the drawings presented throughout this specification, only three cavities are formed in the package body for convenience of drawing, but a larger number of cavities may be formed in one side of the package body. In addition, it will be readily understood from the following description that the package body may be manufactured in various forms other than the bar shape.

이때, 패키지 본체(110)에 형성된 캐비티(130)의 저면에는 발광 다이오드 칩(140)이 각각 실장되므로, 패키지 본체(110)를 바 형태로 제작하게 되면 하기와 같은 이점이 있다. 한번에 복수개의 캐비티에 발광 다이오드 칩을 실장하므로, 발광 다이오드 칩마다 별도 패키징하여 사용해오던 종래와 비교하여, 제작 시간 및 제작 비용의 절감 등의 생산성 향상을 기대할 수 있다. 또한, 하나의 패키지 내에 보다 많은 수의 발광 다이오드 칩이 탑재 가능하므로, 발광 다이오드 패키지가 갖는 발광 세기 및 발광 효율이 보다 향상되는 이점이 있다. 하지만, 종래 기술의 경우에는 발광 다이오드 패키지를 긴 바 타입으로 제작하는데 어려움이 있었다. 전술한 바와 같이, 세라믹 재질의 기판은 얇고 길게 제작하는 경우, 쪼개지거나 갈라지는 크랙(crack)이 발생할 위험이 높았기 때문이다.In this case, since the light emitting diode chip 140 is mounted on the bottom surface of the cavity 130 formed in the package body 110, the package body 110 may be manufactured in a bar shape. Since the light emitting diode chips are mounted in a plurality of cavities at one time, productivity improvement such as reduction in manufacturing time and manufacturing cost can be expected, as compared with the conventional packaging and used separately for each light emitting diode chip. In addition, since more LED chips can be mounted in one package, there is an advantage in that the light emission intensity and light emission efficiency of the LED package are further improved. However, in the prior art, it is difficult to manufacture a light emitting diode package in a long bar type. As described above, when the substrate made of a ceramic material is thin and long, there is a high risk of cracking or cracking.

본 발명의 제1 실시예에서는 패키지 본체(110)의 재질에는 열전도성 필러와 함께 열가소성 고분자 물질이 포함된다. 먼저, 열가소성 고분자 물질에 대하여 살펴보면, 열가소성 고분자 물질을 이용하여 패키지 본체(110)를 제작하게 되면, 패키지 본체(110)를 얇고 길게 제작하는 것이 가능하다. 이때, 패키지 본체(110)는 발광 다이오드 패키지의 기저면(基底面)을 이루어 실장된 발광 다이오드 칩이 안정적으로 위치할 수 있도록 지지하는 지지체로서 기능하고, 발광 다이오드 칩이 구동함에 따라 발생하는 발열에도 견딜 수 있어야 한다. 따라서, 패키지 본체(110)를 제작하는데 사용될 열가소성 고분자 물질은 고온에서의 내열성 및 우수한 기계적 강도를 갖출 필요가 있다.In the first embodiment of the present invention, the material of the package body 110 includes a thermoplastic polymer material together with a thermally conductive filler. First, referring to the thermoplastic polymer material, when the package body 110 is manufactured using the thermoplastic polymer material, it is possible to manufacture the package body 110 thin and long. At this time, the package body 110 serves as a support for forming a base surface of the LED package so that the LED chip mounted thereon can be stably positioned, and withstands heat generated by driving the LED chip. It should be possible. Therefore, the thermoplastic polymer material to be used to fabricate the package body 110 needs to have heat resistance at high temperatures and excellent mechanical strength.

이와 같은 내열성 및 기계적 강도를 갖춘 열가소성 고분자 물질로는 고기능성 엔지니어링 플라스틱으로서 알려진 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에테르설폰(PES, Polyethersulfone), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone), 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene), 액정 고분자(LCP, liquid crystal polymer) 등이 있다. 특히, 액정 고분자(LCP)는 내열성과 강성, 치수 안정성, 성형 가공성 등이 우수한 특징을 갖고 있으며, 가격 면에서도 저렴하여 고기능성 엔지니어링 플라스틱 중에서도 각광받고 있다.Thermoplastic materials having such heat resistance and mechanical strength include polyetherimide (PEI), polyethersulfone (PES, polyethersulfone), polyetheretherketone (PEEK, polyetheretherketone), and polytetrafluoride, which are known as high-performance engineering plastics. Ethylene (PTFE, polytetrafluoroethylene), and liquid crystal polymer (LCP). In particular, the liquid crystal polymer (LCP) has excellent features such as heat resistance, rigidity, dimensional stability, molding processability, etc., and is inexpensive in terms of price and is attracting attention among high-functional engineering plastics.

또한, 패키지 본체(110)는 발광 다이오드 칩이 구동함에 따라 발생하는 열을 쉽게 방열시킬 필요가 있다. 왜냐하면, 방열이 순조롭게 이루어지지 않는 경우, 패키지 내부의 온도가 매우 높아져 출사광의 파장이 변화하거나 그 출력이 흔들리는 등 발광 다이오드 칩이 오동작할 수 있기 때문이다. 따라서, 전술한 바와 같이, 본 발명 제1 실시예에 따른 패키지 본체(110)는 열가소성 고분자 물질에 열전도성 필러(filler)를 첨가시킨 열가소성 고분자-열전도성 필러의 복합체를 재료로 하여 제작될 수 있다. 열전도성 필러는 열전도성이 우수한 필러로, 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 세라믹 필러 일 수 있다. 그러나, 세라믹 필러 이외에도 본 발명의 목적에서 벗어나지 않는 범위에서, 본 발명에 제한 없이 사용될 수 있음은 당업자에게 자명하다. 퓨즈드 실리카(fused SiO2), 알루미나(Al2O3), 보론나이트라이드(BN) 등과 같이 열전도성이 우수하고, 열팽창성이 낮은 세라믹 필러를 열가소성 고분자 물질 내에 분산시킨 복합체를 재료로 하여 패키지 본체(110)를 제작하게 되면, 제작된 발광 다이오드 패키지의 방열 기능의 향상에 큰 도움이 된다.In addition, the package body 110 needs to easily dissipate heat generated as the LED chip is driven. This is because if the heat dissipation is not performed smoothly, the temperature inside the package becomes very high and the light emitting diode chip may malfunction such as the wavelength of the emitted light is changed or its output is shaken. Therefore, as described above, the package body 110 according to the first embodiment of the present invention may be manufactured using a composite of a thermoplastic polymer-thermally conductive filler in which a thermally conductive filler is added to the thermoplastic polymer material. . The thermally conductive filler is a filler having excellent thermal conductivity, and according to the first embodiment of the present invention, may be a ceramic filler. However, it will be apparent to those skilled in the art that in addition to the ceramic filler, the present invention may be used without limitation in the scope without departing from the object of the present invention. Package body 110 using a composite material in which a ceramic filler having excellent thermal conductivity and low thermal expansion such as fused SiO 2, alumina (Al 2 O 3), boron nitride (BN), and the like is dispersed in a thermoplastic polymer material If manufactured, it is greatly helpful in improving the heat radiation function of the manufactured LED package.

이 때, 열전도성 필러의 형태는 구형, 플레이크(flake)형, 휘스커(whisker)형 및 이들의 조합으로 이루어진 형태 중 어느 하나일 수 있다. 다양한 형태의 열전도성 필러가 패키지 본체(110)의 제작에 사용되는 경우, 여러 필러 구조들의 조합을 통하여, 열전도도 구성 요소의 하나인 종횡비(aspect ratio) 차이에 의한 전자의 평균자유이동 행로의 증가로 열전도도를 향상시키는 결과를 가져온다. At this time, the shape of the thermally conductive filler may be any one of a form consisting of a spherical shape, a flake (flake), a whisker type and a combination thereof. When various types of thermally conductive fillers are used in the fabrication of the package body 110, through the combination of various filler structures, an increase in the average free movement path of the electrons due to a difference in aspect ratio, which is one of the thermally conductive components, is achieved. This results in improved thermal conductivity.

본 실시예에 따른, 발광 다이오드 패키지의 패키지 본체(110)의 열전도성 필러의 함량은 40~95wt% 내에서 다양하게 첨가시킬 수 있다. 그러나, 열전도성 필러함량이 70 wt.% 이상일 경우, 고가의 열전도성 필러의 첨가로 인한 가격 상승이 야기될 수 있으며, 높은 첨가량으로 인하여 분산 공정에 어려움이 있어 균일한 성형체를 제작하는데 한계가 있다.According to the present embodiment, the content of the thermally conductive filler in the package body 110 of the LED package may be variously added within 40 to 95wt%. However, when the thermally conductive filler content is 70 wt.% Or more, it may cause an increase in price due to the addition of expensive thermally conductive fillers, and due to the high addition amount, it is difficult to disperse the process, thereby limiting the production of a uniform molded body. .

전술한 바와 같이 열가소성 고분자 물질을 이용하여 패키지 본체(110)를 긴 바 타입으로 제작하기 위하여, 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러를 미리 제작된 금형에 넣고 압축 성형(compression molding) 혹은 사출 성형(injection molding)시킬 수 있다. As described above, in order to manufacture the package body 110 into a long bar type by using the thermoplastic polymer material, the thermoplastic polymer material and the thermally conductive filler are put into a pre-made mold and compression molding or injection molding. You can.

예를 들어, 사출 성형법을 이용하여, 패키지 본체(110)를 제작하는 경우, 먼저 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러를 가열하여 용융 상태로 만든 후, 제작하고자 하는 패키지 본체(110)의 형상과 동일한 형상을 갖도록 미리 제작된 금형에 용융 상태의 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러를 주입시키는 방법으로, 원하는 형상의 패키지 본체(110)를 제작할 수 있다. 다음으로, 압축 성형법을 이용하여, 패키지 본체(110)를 제작하는 경우, 분말 상태의 열가소성 고분자 물질 및 분말 상태의 열전도성 필러를 미리 가열시킨 금형에 넣고 압축기(press)로 압착시킴과 동시에 열을 가하는 방식으로, 원하는 형상을 갖는 패키지 본체(110)를 제작할 수 있다.For example, when fabricating the package body 110 using an injection molding method, first, the thermoplastic polymer and the thermally conductive filler are heated to a molten state, and then the same shape as that of the package body 110 to be manufactured. By injecting a thermoplastic polymer material and a thermally conductive filler in a molten state into a mold prepared in advance, a package body 110 having a desired shape may be manufactured. Next, in the case of manufacturing the package main body 110 using the compression molding method, the thermoplastic polymer material in the powder state and the thermally conductive filler in the powder state are put in a preheated mold and pressed with a press to simultaneously heat. In this way, the package body 110 having a desired shape can be manufactured.

특히, 압축 성형 방식은 사출 성형 방식에 비해 공정 비용이 적게 들고, 그 성형 과정이 압축기를 이용한 고온, 고압 하에서 이루어진다는 점에서, 열가소성 고분자 분말 및 열전도성 필러 분말의 분자 각각을 치밀하게 결합(necking)시켜 보다 우수한 내열성 및 기계적 강도를 갖는 패키지 본체(110)를 제작할 수 있다. In particular, the compression molding method has a lower process cost than the injection molding method, and thus, the molding process is performed under high temperature and high pressure using a compressor, so that each of the molecules of the thermoplastic polymer powder and the thermally conductive filler powder is tightly bound. ), A package body 110 having better heat resistance and mechanical strength can be manufactured.

전술한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에서는 패키지 본체(110)를 열가소성 고분자 물질과 열전도성 필러의 복합체를 이용하여, 압축 성형 혹은 사출 성형시켜 제작하므로, 미리 제작된 금형의 형상에 따라 다양한 형상, 형태를 갖는 패키지 본체(110)를 제작할 수 있다. 즉, 본 발명에서는 금형 디자인을 변경하는 방법으로 제작될 패키지 본체(110)의 디자인을 간단히 변경, 변화시킬 수 있으므로, 본 발명의 제1 실시예에 따라 제작되는 패키지 본체(110)는 어떠한 디자인적 제한도 받지 않게 된다.As described above, in the first embodiment of the present invention, since the package body 110 is manufactured by compression molding or injection molding using a composite of a thermoplastic polymer and a thermally conductive filler, the package body 110 may be manufactured in various shapes according to the shape of a previously manufactured mold. The package body 110 having a shape and a shape can be produced. That is, in the present invention, since the design of the package body 110 to be manufactured may be easily changed and changed by a method of changing the mold design, the package body 110 manufactured according to the first embodiment of the present invention may have any design. There is no restriction.

또한, 펀칭/절삭의 방식으로 캐비티가 형성됨에 따라 지향각의 확대가 어렵던 LTCC를 이용한 종래의 발광 다이오드 패키지의 경우와 달리, 본 발명의 제1 실시예에 따른 제조 방법에 의한 발광 다이오드 패키지는 지향각 확대도 간편히 구현할 수 있다. 이는 금형에 따라 패키지 본체(110)의 형상이 결정되므로, 캐비티 간의 경계에 위치한 측벽에 경사면을 형성시키거나 그 측벽의 높이를 변화시키는 것에 어려움이 없기 때문이다. In addition, unlike the case of the conventional LED package using the LTCC which is difficult to expand the orientation angle as the cavity is formed by the punching / cutting method, the LED package according to the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention is directed Each magnification can also be easily implemented. This is because the shape of the package body 110 is determined according to the mold, and therefore, it is not difficult to form an inclined surface on the sidewalls located at the boundary between the cavities or to change the height of the sidewalls.

도 5에 도시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 경우에는 패키지 본체(110)에서 이웃한 2개의 캐비티 간에 형성된 측벽을 도 3의 경우보다 낮게 형성시켜 지향각의 확대를 구현하고 있음을 쉽게 확인할 수 있다.In the case of the LED package according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 5, the sidewalls formed between two adjacent cavities in the package body 110 are formed lower than in the case of FIG. It can be easily confirmed.

또한, 종래에는 캐비티 형성 시, 펀칭(혹은 절삭) -> 적층 -> 소성시키는 복잡한 과정을 거쳐야 했었으나, 본 발명의 제1 실시예에서는 압축 성형 등의 방법으로 캐비티가 이미 형성되어 있는 상태의 패키지 본체를 한번에 제작하는 것이 가능하므로, 공정 단순화, 생산성 향상을 기대할 수 있게 된다.In addition, in the prior art, when the cavity was formed, it had to go through a complicated process of punching (or cutting)-> lamination-> firing, but in the first embodiment of the present invention, the package body in a state in which the cavity is already formed by compression molding or the like Since it is possible to manufacture the at once, it can be expected to simplify the process, improve the productivity.

이상에서 패키지 본체(110)에 관한 재질, 형태, 성형 방법 등과 관련된 설명은 후술할 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에도 동일 또는 유사하게 적용될 수 있음은 자명한 바 이하, 패키지 본체(110)에 관한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Descriptions relating to materials, shapes, molding methods, etc. of the package body 110 may be applied to the LED package according to another embodiment of the present invention, which will be described later. Duplicate description of) will be omitted.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도이고, 도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 측면도이다.6 is a side view showing the structure of a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention, Figure 7 is a side view showing the structure of a light emitting diode package according to a fourth embodiment of the present invention.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 역시, 패키지 본체(110), 전극(120), 발광 다이오드 칩(140), 본딩 수단(150), 몰딩부(160) 및 형광층(170)을 포함한다.6 and 7, the light emitting diode package according to the third and fourth embodiments of the present invention also includes a package body 110, an electrode 120, a light emitting diode chip 140, a bonding means 150, The molding unit 160 and the fluorescent layer 170 is included.

다만, 도 6 및 도 7에 도시된 발광 다이오드 패키지의 경우에는 도 3 및 도 5에 도시된 발광 다이오드 패키지와 다른 구조를 가지고 있다. 이는 발광 다이오드 패키지가 갖는 발광면의 차이에서 비롯한다. 즉, 도 3 및 도 5의 경우 발광면이 발광 다이오드 칩(140)의 상면(上面)이 지향하는 방향에 형성되는 것과 달리, 도 6 및 도 7의 경우 발광면이 발광 다이오드 칩(140)의 저면(底面)이 지향하는 방향에 형성된다. 따라서, 발광면에 도포되는 형광층(170)은, 도 3 및 도 5의 경우 몰딩부(160) 상에 형성되고 있으나, 도 7 및 도 8의 경우에는 발광 다이오드 칩(140)이 실장되는 캐비티의 기저면(基底面)에 형성되게 된다.However, the light emitting diode package illustrated in FIGS. 6 and 7 has a structure different from that of the light emitting diode package illustrated in FIGS. 3 and 5. This is due to the difference in the light emitting surface of the LED package. That is, in the case of FIGS. 3 and 5, the light emitting surface of the LED chip 140 is different from that of the light emitting surface of the LED chip 140. It is formed in the direction which a bottom face faces. Therefore, the fluorescent layer 170 applied to the light emitting surface is formed on the molding unit 160 in FIGS. 3 and 5, but in the case of FIGS. 7 and 8, the cavity in which the light emitting diode chip 140 is mounted. It is formed on the base surface of the substrate.

도 6 및 도 7의 경우, 발광 다이오드 칩(140)의 저면이 지향하는 방향에 발광면이 형성되어 그 저면으로부터 위쪽 방향으로 발광이 이루어지는 구조를 갖는다는 점에서 이를 바텀업(bottom up) 구조의 발광 다이오드 패키지라 명한다. 이와 같이 바텀업 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지는 캐비티(130) 간의 경계에 위치한 측벽에 의해 지향각(발광각)이 제한되는 경우가 발생하지 않는 장점이 있다. 이하, 발광 다이오드 패키지가 도 6의 형태의 바텀업 구조를 갖는 경우를 예를 들어 그 제조 방법을 설명하기로 한다.In the case of FIGS. 6 and 7, the bottom surface of the LED chip 140 has a structure in which a light emitting surface is formed in a direction that the bottom surface of the light emitting diode chip 140 is directed to emit light upward from the bottom surface thereof. It is called a light emitting diode package. As described above, the LED package having the bottom up structure has an advantage in that a direction in which the light emitting angle is not limited by sidewalls positioned at the boundary between the cavities 130 does not occur. Hereinafter, a manufacturing method will be described, for example, when the light emitting diode package has a bottom up structure of the form shown in FIG. 6.

도 8a 내지 도 8d는 도 6에 도시된 발광 다이오드 패키지에 관한 제조 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이고, 도 9a 내지 도 9d는 도 8a 내지 도 8d에 도시된 순서도의 평면도이다. 여기서, 도 8a 내지 도 8d는 도 9a 내지 도 9d에서 각각 X-X'선을 기준으로 절단한 절단면을 도시한 것이다.8A to 8D are flowcharts schematically illustrating a manufacturing method of the light emitting diode package illustrated in FIG. 6, and FIGS. 9A to 9D are plan views of the flowcharts illustrated in FIGS. 8A to 8D. Here, FIGS. 8A to 8D illustrate cutting planes cut on the basis of X-X 'lines in FIGS. 9A to 9D, respectively.

도 8a 및 도 9a를 참조하면, 복수개의 관통부(130)가 열지어 형성되는 형태의 패키지 본체(110)가 제작된다. 이는 전술한 바와 같이 해당 형태에 상응하여 제작된 금형에 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러를 넣고 압축 성형 혹은 사출 성형시키는 방법으로 제작 가능하다.Referring to FIGS. 8A and 9A, a package body 110 having a plurality of through parts 130 formed in a row is manufactured. As described above, the thermoplastic polymer material and the thermally conductive filler may be put into a mold manufactured according to the shape, and may be manufactured by compression molding or injection molding.

이때, 도 8a 및 도 9a에 도시된 패키지 본체(110)는, 도 3 내지 도 5의 경우 패키지 본체에 캐비티가 복수개 형성된 것과 달리, 상면(上面)과 하면(下面)이 모두 개방된 상태의 관통부(130)가 복수개 형성된다. 이와 같이, 패키지 본체에 캐비티가 아닌 관통부가 형성되는 이유는 도 6에 도시된 발광 다이오드 패키지의 경우에는 도 3 또는 도 5에 도시된 발광 다이오드 패키지와 달리 바텀업 구조를 갖기 때문이다. 다만, 본 단계에서 형성되는 관통부 또한 추후 단계(도 8d 및 도 9d 참조)를 거치면서 어느 한 방향의 면이 폐쇄되어, 최종 제작된 패키지에서는 캐비티 형상을 갖게 될 것인바, 도면에서 관통부와 캐비티는 동일 참조번호로 표시했다.At this time, the package body 110 shown in Figures 8a and 9a, unlike the case where a plurality of cavities are formed in the package body in the case of Figures 3 to 5, both the upper surface and the lower surface (through) in the open state A plurality of portions 130 are formed. As such, the reason why the through-hole is formed in the package body is not the cavity because the LED package illustrated in FIG. 6 has a bottom-up structure unlike the LED package illustrated in FIG. 3 or 5. However, the through part formed in this step is also closed in one direction while going through a later step (see FIGS. 8D and 9D), so that the final manufactured package will have a cavity shape. The cavities are indicated by the same reference numerals.

또한 이때, 도 8a 및 도 9a에 도시된 패키지 본체(110)에는 복수개의 관통부(130) 이외에 관통홀(121)이 더 형성되어 있다. 관통홀(121)은 전극(120) 형성을 위해 제작되는 것으로, 패키지 본체(110)의 제작 과정에서 전극(120)이 형성되는 위치에 상응하여 전극(120)과 동시에 형성 될 수 있다. 물론, 패키지 본체(110)의 제작과는 별도로, 기계적 가공 또는 레이저 가공 등의 드릴링 공정을 통하여 관통홀(121)을 형성시킬 수 있음은 당업자에게 자명하다.At this time, the through hole 121 is further formed in the package body 110 illustrated in FIGS. 8A and 9A in addition to the plurality of through parts 130. The through hole 121 is manufactured to form the electrode 120, and may be simultaneously formed with the electrode 120 corresponding to the position where the electrode 120 is formed in the manufacturing process of the package body 110. Of course, it is apparent to those skilled in the art that the through hole 121 may be formed through a drilling process such as mechanical processing or laser processing, separately from the manufacture of the package body 110.

도 8b 및 도 9b를 참조하면, 패키지 본체(110)에 형성된 관통홀(121)에 전도성 물질을 삽입하여 전극(120)을 형성하게 된다. 이때, 전극(120)을 형성하는 방법으로는 관통홀(121) 내부에 도전성 페이스트를 충전시키거나 혹은 관통홀(121) 내벽을 얇게 도금시키는 등의 일반적인 방법이 사용될 수 있다. 이때, 전극(120)의 일단에는 전극패드가 형성되어야 함은 물론이다.8B and 9B, an electrode 120 is formed by inserting a conductive material into the through hole 121 formed in the package body 110. In this case, as a method of forming the electrode 120, a general method such as filling a conductive paste in the through hole 121 or thinly plating the inner wall of the through hole 121 may be used. At this time, of course, an electrode pad should be formed at one end of the electrode 120.

도 8c 및 도 9c를 참조하면, 먼저, 패키지 본체(110)의 일면에 접착 테이프(예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 UV 테이프 등)를 부착한다. 이와 같이 접착 테이프를 부착하는 이유는, 관통부(130)의 어느 한쪽 개방면을 폐쇄시켜 닫힌면으로 전환시킴으로써 발광 다이오드 칩(140)을 실장할 수 있는 공간 및 실장면을 마련하기 위함이다. 따라서, 발광 다이오드 칩(140)은 접착 테이프에 의해 생성된 실장면에 실장된다.8C and 9C, first, an adhesive tape (for example, UV tape or the like as illustrated in the drawing) is attached to one surface of the package body 110. The reason for attaching the adhesive tape as described above is to provide a space and a mounting surface on which the LED chip 140 can be mounted by closing one open surface of the through part 130 and switching to a closed surface. Therefore, the LED chip 140 is mounted on the mounting surface produced by the adhesive tape.

이후, 발광 다이오드 칩(140)과 전극(120) 간은 본딩 수단(150)을 통해 전기적으로 연결된다. 도면에서는 와이어(wire)를 본딩 수단(150)으로서 사용하여 와이어 본딩하는 경우를 중심으로 도시하고 있으나, 이외에도 플립칩 본딩 등을 포함한 다양한 본딩 방법이 이용될 수 있음은 당업자에게 자명하다.Thereafter, the LED chip 140 and the electrode 120 are electrically connected through the bonding means 150. In the drawings, the wire is bonded using the wire as the bonding means 150, but various bonding methods including flip chip bonding and the like may be used.

도 8d 및 도 9d를 참조하면, 먼저, 몰딩 수지(160)를 이용하여 발광 다이오드 칩(140) 및 본딩 수단(150)을 밀봉한다. 이는 발광 다이오드 칩(140)의 보호 및 본딩 수단(150)의 형태 보존, 이탈/분리 방지를 위함이다. 일반적으로 몰딩 수지(160)로는 투명 실리콘 수지, 에폭시 몰딩 화합물(EMC: Epoxy molding compound) 등을 사용하며, 발광 특성 또는 발광 효율의 개선을 위해 형광 물질을 혼합하여 사용할 수도 있다.8D and 9D, first, the LED chip 140 and the bonding means 150 are sealed using the molding resin 160. This is to protect the light emitting diode chip 140 and to preserve the shape of the bonding means 150 and to prevent separation / separation. In general, as the molding resin 160, a transparent silicone resin, an epoxy molding compound (EMC), or the like may be used, and a fluorescent material may be mixed and used to improve light emission characteristics or light emission efficiency.

전술한 과정을 통해 발광 다이오드 칩(140)과 본딩 수단(150)이 고정 밀봉된 이후에는 부착하였던 접착 테이프를 제거한다. 이때, 발광 다이오드 칩(140) 및 본딩 수단(150)은 몰딩 수지(160)를 통해 고정 밀봉된 상태에 있기 때문에, 접착 테이프를 제거하더라도 원래의 형태를 그대로 유지하게 된다. 이와 같이 접착 테이프를 제거하는 이유는 접착 테이프가 부착되어 있는 면(즉, 발광 다이오드 칩(140)의 저면)이 바텀업 구조의 발광 다이오드 패키지에 있어서 발광면을 구성하기 때문이다. 다만, 접착 테이프 자체가 광투과성 물질로 이루어진 경우에는 굳이 제거하지 않아도 무방할 것이다. 이때, 접착 테이프가 제거된 면에는 형광체(170)가 도포될 수 있고, 형광체(170)는 전술한 바와 같이 발광 다이오드 패키지의 발광 특성, 발광 효율을 증대시키는데 도움을 준다.After the light emitting diode chip 140 and the bonding means 150 are fixedly sealed through the above-described process, the adhesive tape which is attached is removed. At this time, since the light emitting diode chip 140 and the bonding means 150 are fixedly sealed by the molding resin 160, the original shape is maintained even when the adhesive tape is removed. The reason why the adhesive tape is removed in this manner is that the surface on which the adhesive tape is attached (that is, the bottom surface of the light emitting diode chip 140) constitutes the light emitting surface in the light emitting diode package having the bottom up structure. However, when the adhesive tape itself is made of a light transmissive material, it may not need to be removed. In this case, the phosphor 170 may be coated on the surface from which the adhesive tape is removed, and the phosphor 170 may help to increase light emission characteristics and light emission efficiency of the LED package as described above.

상술한 도 8a 내지 도 9d은 도 6의 형태의 바텀업 구조를 갖는 발광 다이오드 패키지의 경우를 상정하여 그 제조 방법을 설명한 것이지만, 이는 도 3 및 도 5에 도시된 발광 다이오드 패키지의 제조 시에도 많은 부분이 유사하게 적용될 수 있음은 물론이다. 다만, 도 3 및 도 5에 도시된 발광 다이오드 패키지는 도 6 및 도 7과 달리 바텀업 구조를 갖는 것이 아니므로, 도 8a 내지 도 9d의 설명들 중 도 3 및 도 5와 일치하지 않는 부분(관통부의 형성, 접착 테이프의 부착, 제거, 형광체의 도포 위치와 관련된 설명)은 도 3 및 도 5에 도시된 발광 다이오드 패키지의 구조에 맞게 재해석되어야 할 것이다. 다만, 이는 도 3 및 도 5에 도시된 패키지 구조를 통해 당업자가 쉽게 유추해낼 수 있는 부분인 바, 이에 대한 별도의 추가 설명은 생략하기로 한다.8A to 9D described the manufacturing method assuming the case of a light emitting diode package having a bottom-up structure of the form of FIG. 6, but this is also a large number in the manufacturing of the light emitting diode package shown in FIGS. Of course, the parts can be similarly applied. However, since the light emitting diode package illustrated in FIGS. 3 and 5 does not have a bottom-up structure unlike FIGS. 6 and 7, portions of the LED package illustrated in FIGS. 8A through 9D that do not correspond to FIGS. 3 and 5 ( The description relating to the formation of the penetrating portion, the attachment and removal of the adhesive tape, and the application position of the phosphor) should be reinterpreted in accordance with the structure of the LED package shown in FIGS. 3 and 5. However, this is a part that can be easily inferred by those skilled in the art through the package structure shown in FIGS. 3 and 5, and a further description thereof will be omitted.

이하, 도 10a 및 도 10b를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 조명용 모듈의 구조에 대하여 살펴보도록 한다. 도 10a 및 도 10b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 조명용 모듈의 구조를 나타낸 구조도 이다. Hereinafter, the structure of the LED lighting module according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10A and 10B. 10A and 10B are structural diagrams showing the structure of a light emitting diode lighting module according to an embodiment of the present invention.

발광 다이오드 조명용 모듈(200a, 200b)은 발광 다이오드 패키지(110(1), 110(2), 110(3), 110(4), 110(5), 이하 110으로 칭함)를 복수개 배열하여 제작할 수 있다. 전술한 과정을 통하여 제작된 발광 다이오드 패키지(110)를 복수개 배열하여 제작된 발광 다이오드 조명용 모듈(200a, 200b)은 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 정사각형 또는 직사각형의 모양으로 제작될 수 있다. 그러나, 다양한 방법으로 발광 다이오드 패키지(110)를 배열하여, 정사각형 또는 직사각형 이외에도 원형, 마름모형 등 다양한 형태의 발광 다이오드 조명용 모듈(200a, 200b)을 제조 할 수 있음은 당업자에게 자명하다. The LED lighting modules 200a and 200b may be manufactured by arranging a plurality of LED packages 110 (1), 110 (2), 110 (3), 110 (4), 110 (5) and hereinafter referred to as 110. have. The LED lighting modules 200a and 200b manufactured by arranging a plurality of LED packages 110 manufactured through the above-described process may be manufactured in a square or rectangular shape as shown in FIGS. 10A and 10B. . However, it will be apparent to those skilled in the art that the LED package 110 may be arranged in various ways to manufacture various types of LED lighting modules 200a and 200b in addition to squares or rectangles.

이와 같은 발광 다이오드 조명용 모듈(200a, 200b)은 복수개의 발광 다이오드 패키지(110)로 구성되어 전술한 바와 같이, 디자인의 변경이 매우 자유롭고, 크랙(crack) 등과 같은 신뢰성 문제를 해결하여, 대형화된 발광 다이오드 조명용 모듈(200a, 200b)의 제작이 가능하다. 또한, 열가소성 수지를 사용함에 따라, 경량화, 소형화가 가능하며, 대량생산에 따른 재료비, 공정비 절감 등의 효과가 있으며 열전도성 필러가 사용되어, 방열효과도 우수하다. The light emitting diode lighting module 200a or 200b is composed of a plurality of light emitting diode packages 110. As described above, the design change is very free and solves reliability problems such as cracks. It is possible to manufacture the diode lighting module (200a, 200b). In addition, as the thermoplastic resin is used, it is possible to reduce the weight and size, and to reduce the material cost and the process cost according to mass production, and a thermally conductive filler is used to provide excellent heat dissipation effect.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below It will be readily understood that modifications and variations are possible.

Claims (21)

미리 제작된 금형에 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러(filler)를 넣고 성형하여, 복수개의 캐비티(cavity)가 일면에 형성되는 패키지 본체를 제작하는 단계;Manufacturing a package body in which a plurality of cavities are formed on one surface by inserting and molding a thermoplastic polymer material and a thermally conductive filler into a previously manufactured mold; 상기 패키지 본체를 관통하는 전극을 형성하는 단계;Forming an electrode penetrating the package body; 상기 패키지 본체에 형성된 상기 캐비티의 저면(底面)에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계;Mounting a light emitting diode chip on a bottom surface of the cavity formed in the package body; 본딩 수단을 이용하여, 상기 발광 다이오드 칩과 상기 전극을 전기적으로 연결하는 단계; 및Electrically connecting the light emitting diode chip and the electrode using a bonding means; And 몰딩 수지를 이용하여, 상기 발광 다이오드 칩과 상기 본딩 수단을 밀봉하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.Sealing the light emitting diode chip and the bonding means using a molding resin. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패키지 본체는 The package body 분말 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 분말 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 넣어 압축 성형시키는 방법에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The thermoplastic polymer material in powder form and the thermally conductive filler in powder form are manufactured by a method of compression molding the mold. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패키지 본체는 용융 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 용융 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 주입하여 사출 성형시키는 방법에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The package body is manufactured by a method of injection molding the thermoplastic polymer material in the molten state and the thermally conductive filler in the molten state by injection molding. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패키지 본체는 이웃한 2개의 상기 캐비티 사이에 위치하는 측벽에 경사면이 형성되도록 성형 제작되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The package body is a manufacturing method of a light emitting diode package, characterized in that the molding is formed so that the inclined surface is formed on the side wall located between two adjacent cavities. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 형성되고, The electrode is formed by inserting a conductive material into the through hole penetrating the package body, 상기 전극을 형성하는 단계 이전에,Prior to forming the electrode, 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 드릴링 공정을 통하여 상기 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting diode package comprising the step of forming the through hole through a drilling process to the position to form the electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 형성되되, The electrode is formed by inserting a conductive material into the through hole penetrating the package body, 상기 관통홀은 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 상응하여 형성되며, 상기 관통홀 형성하는 과정은 상기 패키지 본체를 제작하는 단계와 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The through hole is formed corresponding to a position where the electrode is to be formed, and the forming of the through hole is performed at the same time as manufacturing the package body. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열가소성 고분자 물질은 액정 고분자(LCP, liquid crystal polymer), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에테르설폰(PES, Polyethersulfone), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone) 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The thermoplastic polymer material is liquid crystal polymer (LCP), polyetherimide (PEI, polyetherimide), polyethersulfone (PES, Polyethersulfone), polyether ether ketone (PEEK, Polyetheretherketone) and polytetrafluoroethylene (PTFE, Polytetrafluoroethylene) any one of the manufacturing method of the light emitting diode package. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열전도성 필러는 세라믹 필러인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The thermally conductive filler is a method of manufacturing a light emitting diode package, characterized in that the ceramic filler. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 세라믹 필러는 구형, 플레이크(flake)형, 휘스커(whisker)형 및 이들의 조합으로 이루어진 형태 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법. The ceramic filler is a spherical, flake (flake), whisker (whisker) type, and any one of the form consisting of a combination thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 몰딩 수지의 상면에 형광체를 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting diode package comprising the step of applying a phosphor on the upper surface of the molding resin. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패키지 본체는 바 타입으로 제작되되, 상기 복수개의 캐비티는 상기 패키지 본체의 상기 일면에 일렬로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The package body is manufactured in a bar type, wherein the plurality of cavities are formed in a line on the one surface of the package body, characterized in that the manufacturing method of the LED package. 미리 제작된 금형에 열가소성 고분자 물질 및 열전도성 필러(filler)를 넣고 성형하여, 복수개의 관통부가 형성되는 패키지 본체를 제작하는 단계;Manufacturing a package body in which a plurality of through parts are formed by inserting and molding a thermoplastic polymer material and a thermally conductive filler in a previously manufactured mold; 상기 관통부가 형성된 위치와 다른 위치에, 상기 패키지 본체를 관통하는 전극을 형성하는 단계;Forming an electrode penetrating the package body at a position different from the position at which the through portion is formed; 상기 관통부의 일 방향에 닫힌면이 형성되도록, 상기 패키지 본체의 일면에 접착 테이프를 부착하는 단계;Attaching an adhesive tape to one surface of the package body such that a closed surface is formed in one direction of the through part; 상기 관통부에 형성된 상기 닫힌면에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계;Mounting a light emitting diode chip on the closed surface formed on the penetrating portion; 본딩 수단을 이용하여, 상기 발광 다이오드 칩과 상기 전극을 전기적으로 연결하는 단계; 및Electrically connecting the light emitting diode chip and the electrode using a bonding means; And 상기 발광 다이오드 칩과 상기 본딩 수단을 몰딩 수지를 이용하여 밀봉하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.Sealing the light emitting diode chip and the bonding means using a molding resin. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 패키지 본체는 The package body 분말 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 분말 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 넣어 압축 성형시키는 방법에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The thermoplastic polymer material in powder form and the thermally conductive filler in powder form are manufactured by a method of compression molding the mold. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 패키지 본체는 용융 상태의 상기 열가소성 고분자 물질 및 용융 상태의 상기 열전도성 필러를 상기 금형에 주입하여 사출 성형시키는 방법에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The package body is manufactured by a method of injection molding the thermoplastic polymer material in the molten state and the thermally conductive filler in the molten state by injection molding. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 형성되고, 상기 전극을 형성하는 단계 이전에,The electrode is formed by inserting a conductive material into the through hole penetrating through the package body, and before forming the electrode, 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 드릴링 공정을 통하여 상기 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting diode package comprising the step of forming the through hole through a drilling process to the position to form the electrode. .. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 전극은 상기 패키지 본체를 관통하는 관통홀에 전도성 물질을 삽입하여 의해 형성되되,The electrode is formed by inserting a conductive material into the through hole penetrating the package body, 상기 관통홀은 상기 전극을 형성하고자 하는 위치에 상응하여 형성되며, 상기 관통홀 형성하는 과정은 상기 패키지 본체를 제작하는 단계와 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The through hole is formed corresponding to a position where the electrode is to be formed, and the forming of the through hole is performed at the same time as manufacturing the package body. .. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 열가소성 고분자 물질은 액정 고분자(LCP, liquid crystal polymer), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에테르설폰(PES, Polyethersulfone), 폴리에테르에테르케톤(PEEK, Polyetheretherketone) 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE, polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The thermoplastic polymer material is liquid crystal polymer (LCP), polyetherimide (PEI, polyetherimide), polyethersulfone (PES, Polyethersulfone), polyether ether ketone (PEEK, Polyetheretherketone) and polytetrafluoroethylene (PTFE, Polytetrafluoroethylene) any one of the manufacturing method of the light emitting diode package. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 열전도성 필러는 세라믹 필러인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The thermally conductive filler is a method of manufacturing a light emitting diode package, characterized in that the ceramic filler. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 세라믹 필러는 구형, 플레이크(flake)형, 휘스커(whisker)형 및 이들의 조합으로 이루어진 형태 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법. The ceramic filler is a spherical, flake (flake), whisker (whisker) type, and any one of the form consisting of a combination thereof. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 발광 다이오드와 상기 본딩 수단을 밀봉하는 단계 이후에,After sealing the light emitting diode and the bonding means, 상기 접착 테이프를 제거하는 단계; 및Removing the adhesive tape; And 상기 접착 테이프가 제거된 면에 형광체를 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The method of manufacturing a light emitting diode package, characterized in that it further comprises the step of applying a phosphor on the surface from which the adhesive tape has been removed. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 패키지 본체는 바 타입으로 제작되되, 상기 복수개의 관통부는 상기 패키지 본체에 일렬로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.The package body is manufactured in a bar type, wherein the plurality of through parts are formed in a line in the package body, characterized in that the manufacturing method of the LED package.
KR1020080027518A 2008-03-25 2008-03-25 Method for manufacturing light emitting diode package KR100967965B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080027518A KR100967965B1 (en) 2008-03-25 2008-03-25 Method for manufacturing light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080027518A KR100967965B1 (en) 2008-03-25 2008-03-25 Method for manufacturing light emitting diode package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090102219A true KR20090102219A (en) 2009-09-30
KR100967965B1 KR100967965B1 (en) 2010-07-07

Family

ID=41359719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080027518A KR100967965B1 (en) 2008-03-25 2008-03-25 Method for manufacturing light emitting diode package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100967965B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8952404B2 (en) 2011-01-20 2015-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP4200146B2 (en) 2005-06-06 2008-12-24 慶福 鄒 Method of packaging a matrix type light emitting diode module
JP2007294506A (en) * 2006-04-21 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Heat dissipation substrate and its manufacturing method, and light emitting module using same, and indicating device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8952404B2 (en) 2011-01-20 2015-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package

Also Published As

Publication number Publication date
KR100967965B1 (en) 2010-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100956888B1 (en) Light emitting diode package and manufacturing method thereof
US7288798B2 (en) Light module
US8525213B2 (en) Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
CN101110462B (en) Leadframe-based packages for solid state light emitting devices and methods of forming leadframe-based packages for solid state light emitting devices
KR101251821B1 (en) Light emitting device package
WO2016197901A1 (en) Led filament, led filament assembly and led bulb
US20130193458A1 (en) Semiconductor light-emitting device and manufacturing method
KR101503499B1 (en) Multi-chip light emitting diode package
WO2006078462A2 (en) Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein and methods of packaging same
JP2008071954A (en) Light source device
KR20110094996A (en) Package of light emitting device and method for fabricating the same and lighting system including the same
US20110169020A1 (en) Side mountable semiconductor light emitting device packages, panels and methods of forming the same
CN102610599A (en) Light-emitting device package and method of manufacturing the light-emitting device package
CN100342558C (en) Ceramic package light-emitting diode an dits package method
JP2007088060A (en) Light emitting device
US8476662B2 (en) Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit
CN207500850U (en) LED filament and LEDbulb lamp
KR100967965B1 (en) Method for manufacturing light emitting diode package
US20150014733A1 (en) Led lighting apparatus and method for fabricating wavelength conversion member for use in the same
KR100961770B1 (en) Packaging method for light emitting diode device
KR100609970B1 (en) Substrate for mounting light emitting device, fabricating method thereof and package using the same
KR20180074968A (en) Led lighting not having fluorescence molding layer
CN203826385U (en) Solid state transmitter panel
KR101679758B1 (en) Light emitting device package
US8278677B2 (en) Light emitting diode lamp with low thermal resistance

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130403

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140325

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee