KR20090095837A - Apparatus for inspecting edge area of wafer, method using the same, and method for aligning wafer - Google Patents

Apparatus for inspecting edge area of wafer, method using the same, and method for aligning wafer Download PDF

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Abstract

An apparatus for inspecting edge area of a wafer, method using the same, and method for aligning the wafer are provided to improve the accuracy and repetition of rotation center by obtaining an image of a wafer and aligning rotation center. In an apparatus for inspecting edge area of a wafer, method using the same, and method for aligning the wafer, a wafer chuck is mounted on an upper side and is rotatable around a central axis. A wafer alignment unit turns the wafer mounted on the wafer chuck around the central axis of the wafer. A first image pickup unit is arranged on an upper part of the wafer and obtains an edge image of the wafer. A controller determines a defect of the wafer to be tested, and the wafer alignment unit is composed of a first image pickup unit(131), a lighting unit(154), and a wafer chuck driving part.

Description

웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역 검사방법 및 웨이퍼 정렬방법 {Apparatus for inspecting edge area of wafer, method using the same, and method for aligning wafer}Wafer edge area inspection apparatus, wafer edge area inspection method and wafer alignment method using the same {Apparatus for inspecting edge area of wafer, method using the same, and method for aligning wafer}

본 발명은 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역 검사방법 및 웨이퍼 정렬방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 에지영역 둘레에 걸쳐 잔류박막이 정상적으로 식각되었는지를 검사할 수 있는 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역 검사방법 및 웨이퍼 정렬방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer edge region inspection apparatus, a wafer edge region inspection method and a wafer alignment method using the same, and more particularly, a wafer edge region inspection capable of inspecting whether the residual thin film is normally etched around the edge region of the wafer. An apparatus, a wafer edge region inspection method, and a wafer alignment method using the same.

반도체 소자의 제조 과정은 웨이퍼 상의 전면에 도전층 및 절연층을 다층으로 증착해 나가면서 각 층을 구성하는 물질층을 패턴화하여 설계된, 반도체 집적회로를 구현해 나가는 과정이라 할 수 있다. 이때, 통상적으로 반도체 집적회로는 반도체칩의 단위로 구성되며, 웨이퍼 전체에 걸쳐 복수개의 반도체칩들이 동일한 단계에서 동일한 과정을 거쳐 완성되어 나간다. 따라서 각 반도체칩의 최상층의 물질층이 형성된 후에는 반도체 웨이퍼는 칩 단위로 다이싱되며 웨이퍼의 에지영역은 불필요한 부분으로 폐기된다.The process of manufacturing a semiconductor device may be a process of implementing a semiconductor integrated circuit, which is designed by patterning a material layer constituting each layer while depositing a conductive layer and an insulating layer on the entire surface of a wafer. In this case, a semiconductor integrated circuit is generally configured in units of semiconductor chips, and a plurality of semiconductor chips are completed through the same process in the same step throughout the wafer. Therefore, after the uppermost material layer of each semiconductor chip is formed, the semiconductor wafer is diced in chip units, and the edge region of the wafer is discarded into unnecessary portions.

반도체칩을 생산하기 위한 반도체 제조공정을 거치는 동안, 웨이퍼의 베벨(bevel)영역에는 잔류박막이 형성된다. 웨이퍼의 베벨(bevel)영역이란, 반도체칩을 생산할 수 없는 웨이퍼의 최외곽 에지영역을 말하며, 웨이퍼 베벨영역에 형성된 잔류박막은 반도체칩 상의 회로 패턴에 손상을 주는 파티클의 발생원으로 지적되었고, 반도체칩 영역으로 침투된 파티클은 반도체 집적회로의 불량요인이 된다.During the semiconductor manufacturing process for producing a semiconductor chip, a residual thin film is formed in the bevel region of the wafer. The bevel region of the wafer refers to the outermost edge region of the wafer where the semiconductor chip cannot be produced. The remaining thin film formed in the wafer bevel region has been pointed out as a source of particle damage to the circuit pattern on the semiconductor chip. Particles penetrated into the area become a defect of the semiconductor integrated circuit.

따라서, 이러한 웨이퍼의 에지영역에 누적되는 잔류박막을 반도체 집적회로의 제조과정에서 주기적으로 제거할 필요가 있고, 웨이퍼의 에지영역에 형성된 잔류박막, 파티클 등을 제거하기 위하여 웨이퍼의 에지영역에 국부적으로 플라즈마를 발생시켜 잔류박막 또는 파티클을 제거할 수 있는 베벨에칭장치가 존재한다.Therefore, it is necessary to periodically remove the remaining thin film accumulated in the edge region of the wafer in the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit, and locally remove the remaining thin film, particles, etc. formed in the edge region of the wafer. There is a bevel etching apparatus capable of generating plasma to remove residual thin films or particles.

웨이퍼 에지영역의 잔류박막이 제거되는 과정에서 웨이퍼 에지영역에 형성된 잔류박막의 제거된 폭이 너무 작으면 웨이퍼의 에지영역에 잔존하는 잔류박막이 반도체칩의 오염원으로 작용하는 문제점이 있다. 또한, 그 제거된 폭이 너무 커지면 반도체칩 영역에 형성된 반도체칩 패턴을 식각하는 경우가 발생하고, 반도체칩 영역에 기형성된 물질층들이 파손되어, 종국에는 제품불량을 야기시키고 제품수율을 저하시키는 문제점이 있다.In the process of removing the remaining thin film in the wafer edge region, if the removed width of the remaining thin film formed in the wafer edge region is too small, there is a problem that the remaining thin film remaining in the edge region of the wafer serves as a contamination source of the semiconductor chip. In addition, if the removed width is too large, the semiconductor chip pattern formed in the semiconductor chip region may be etched, and the material layers previously formed in the semiconductor chip region may be damaged, resulting in product defects and product yield. There is this.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼의 영상을 획득하여 그 웨이퍼를 정렬하고, 에지영역의 잔류박막이 제거된 웨이퍼의 영상을 획득한 후 웨이퍼의 에지영역의 잔류박막이 원하는 폭만큼 제거되었는지를 검사하여 이후의 베벨에칭공정을 제어하는데 적합한 웨이퍼 에지영역 검사장치, 이를 이용하는 웨이퍼 에지영역 검사방법 및 웨이퍼 정렬방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve such a conventional problem, by acquiring an image of the wafer, aligning the wafer, and acquiring an image of the wafer from which the residual thin film of the edge area is removed. The present invention provides a wafer edge region inspection apparatus, a wafer edge region inspection method, and a wafer alignment method suitable for controlling a subsequent bevel etching process by inspecting whether a residual thin film is removed to a desired width.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 에지영역 검사장치는, 상면에 웨이퍼가 안착되며 그 중심축선을 중심으로 회전 가능한 웨이퍼척; 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼를 웨이퍼의 중심축선을 중심으로 회전시키기 위하여, 상기 웨이퍼의 영상을 획득하여 상기 웨이퍼의 중심축선과 상기 웨이퍼척의 중심축선을 실질적으로 일치시키기 위한 웨이퍼 정렬부; 상기 웨이퍼의 상측에 배치되며, 상기 웨이퍼의 에지영역의 영상을 획득하기 위한 제1영상획득부; 및 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상과 상기 제1영상획득부에 의해 획득되는 웨이퍼의 영상을 비교하여, 검사되는 웨이퍼의 불량 여부를 판별하기 위한 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the wafer edge region inspection apparatus of the present invention, the wafer is mounted on the upper surface and the wafer chuck rotatable about its central axis; A wafer alignment unit for acquiring an image of the wafer and substantially matching the center axis of the wafer with the center axis of the wafer chuck to rotate the wafer seated on the wafer chuck about a center axis of the wafer; A first image acquisition unit disposed above the wafer and configured to acquire an image of an edge region of the wafer; And a controller for comparing an image of a pre-stored good wafer with an image of a wafer acquired by the first image acquisition unit to determine whether the wafer to be inspected is defective.

본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역 검사장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 웨이퍼 정렬부는, 상기 웨이퍼를 지지하며, 상하방향으로 이동 가능한 승강 지지부; 상기 승강 지지부에 의해 지지된 웨이퍼의 하측에 배치되며, 조사되는 광의 일부는 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되고 다른 일부는 상기 웨이퍼의 상측으로 향하도록 광을 조사하는 조명부; 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되지 않은 광을 수광하여 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하기 위한 제2영상획득부; 및 상기 웨이퍼척을 일 평면상의 서로 다른 두 방향으로 이동시키거나, 상기 웨이퍼척을 그 중심축선을 중심으로 회전시키는 웨이퍼척 구동부;를 포함한다.In the wafer edge region inspection apparatus according to the present invention, Preferably, the wafer alignment unit, the lifting support for supporting the wafer, movable up and down; An illumination unit disposed below the wafer supported by the elevating supporter and configured to irradiate light such that a part of the irradiated light is blocked by an edge region of the wafer and the other part is directed toward the upper side of the wafer; A second image acquisition unit for receiving an image of the upper surface of the wafer by receiving light that is not blocked by the edge region of the wafer; And a wafer chuck driving unit which moves the wafer chuck in two different directions on one plane or rotates the wafer chuck about its central axis.

본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역 검사장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 조명부는 복수 개가 구비되며, 상기 복수의 조명부는 상기 웨이퍼척 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 두 곳 이상에 각각 배치된다.In the wafer edge region inspection apparatus according to the present invention, preferably, a plurality of illumination units are provided, and the plurality of illumination units are respectively disposed at two or more locations spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck.

본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역 검사장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 승강 지지부는, 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하여 상기 웨이퍼를 지지하는 상승위치 및 상기 웨이퍼의 하면으로부터 이격되는 하강위치 사이에서 이동 가능한 지지부재; 및 상기 지지부재를 상기 상승위치 및 상기 하강위치 사이에서 이동시키는 지지부재 구동부;를 포함한다.In the wafer edge region inspection apparatus according to the present invention, preferably, the lifting support portion is movable between a rising position for contacting the lower surface of the wafer and supporting the wafer and a lowering position spaced apart from the lower surface of the wafer. absence; And a support member driving unit for moving the support member between the raised position and the lowered position.

본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역 검사장치에 있어서, 바람직하게는, 상기 지지부재는 복수 개가 구비되며, 상기 복수의 지지부재는 상기 웨이퍼척 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 세 곳 이상에 각각 배치된다.In the wafer edge region inspection apparatus according to the present invention, preferably, a plurality of supporting members is provided, and the plurality of supporting members are disposed at three or more spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck.

또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 정렬방법은, 상면에 웨이퍼가 안착되며 그 중심축선을 중심으로 회전 가능한 웨이퍼척이 마련되고, 상기 웨이퍼척의 상측에서 상기 웨이퍼를 지지하는 단계; 조사되는 광의 일부 는 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되고 다른 일부는 상기 웨이퍼의 상측으로 향하도록 상기 웨이퍼의 하측으로부터 광을 조사하는 단계; 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되지 않은 광을 수광하여 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하는 단계; 획득된 영상을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계; 상기 웨이퍼의 중심축선과 상기 웨이퍼척의 중심축선이 실질적으로 일치하도록 상기 웨이퍼척을 이동시키는 단계; 및 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼척의 상면에 안착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, to achieve the above object, the wafer alignment method of the present invention, the wafer is mounted on the upper surface is provided with a wafer chuck rotatable about its central axis, the step of supporting the wafer on the upper side of the wafer chuck; Irradiating light from the bottom side of the wafer such that a portion of the irradiated light is blocked by an edge region of the wafer and the other portion is directed above the wafer; Receiving an image not blocked by an edge region of the wafer to obtain an image of an upper surface of the wafer; Calculating a position of the center axis of the wafer using the acquired image; Moving the wafer chuck so that the center axis of the wafer and the center axis of the wafer chuck substantially coincide; And mounting the wafer on an upper surface of the wafer chuck.

본 발명에 따른 웨이퍼 정렬방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 광을 조사하는 단계는 상기 웨이퍼척 둘레의 원주방향으로 상호 이격되게 두 곳 이상에서 광을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하는 단계는 상기 웨이퍼의 상면 전체의 영상을 획득하는 단계를 포함하며, 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계는 상기 웨이퍼의 에지영역 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 두 영역 이상에서 각각 상기 웨이퍼의 원호형상을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계를 포함한다.In the wafer alignment method according to the invention, preferably, the step of irradiating the light comprises irradiating light at two or more places to be spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck, Acquiring an image may include acquiring an image of the entire upper surface of the wafer, and calculating a position of the center axis of the wafer may be performed in at least two regions spaced apart from each other in a circumferential direction around an edge region of the wafer. Calculating the position of the center axis of the wafer using the arc shape of the wafer, respectively.

본 발명에 따른 웨이퍼 정렬방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 광을 조사하는 단계는 상기 웨이퍼척 둘레의 어느 한 곳에서 광을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하는 단계는 상기 웨이퍼의 에지영역 중 어느 한 영역의 영상을 획득하는 단계를 포함하며, 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계는 상기 한 영역의 웨이퍼의 원호형상을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계를 포함한다.In the wafer alignment method according to the present invention, preferably, the irradiating the light includes irradiating light around the wafer chuck, and acquiring an image of the upper surface of the wafer. Acquiring an image of any one of the edge region of the wafer, Computing the position of the center axis of the wafer using the arc shape of the wafer of the region to determine the position of the center axis of the wafer Calculating.

또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼 에지영역 검사방법은, 상면에 웨이퍼가 안착되며 그 중심축선을 중심으로 회전 가능한 웨이퍼척이 마련되며, 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼를 그 중심축선을 중심으로 회전시키기 위하여, 상기 웨이퍼의 영상을 획득하여 상기 웨이퍼의 중심축선과 상기 웨이퍼척의 중심축선이 실질적으로 일치하도록 상기 웨이퍼를 정렬하는 단계; 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼를 회전시키면서 상기 웨이퍼의 에지영역의 영상을 획득하는 단계; 및 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상과 상기 영상을 획득하는 단계에서 획득되는 웨이퍼의 영상을 비교하여, 검사되는 웨이퍼의 불량 여부를 판별하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, the wafer edge region inspection method of the present invention is provided with a wafer chuck rotatable about the center axis line of the wafer is seated on the upper surface, the center axis of the wafer seated on the wafer chuck Acquiring an image of the wafer to align the wafer such that the center axis of the wafer and the center axis of the wafer chuck substantially coincide with each other; Acquiring an image of an edge region of the wafer while rotating the wafer seated on the wafer chuck; And comparing the image of the pre-stored good wafer with the image of the wafer obtained in the acquiring step, and determining whether the wafer to be inspected is defective.

본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역 검사방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 웨이퍼를 정렬하는 단계는, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 정렬방법을 이용한다.In the wafer edge region inspection method according to the present invention, preferably, the step of aligning the wafer uses the wafer alignment method according to any one of claims 6 to 8.

본 발명에 따르면, 웨이퍼의 영상을 획득하여 웨이퍼의 회전중심 정렬을 수행함으로써 회전중심 정렬의 정확성이 향상되고 회전중심 정렬에 소요되는 시간을 현저히 절감할 수 있는 웨이퍼 에지영역 검사장치 및 웨이퍼 정렬방법이 제공된다.According to the present invention, a wafer edge area inspection apparatus and a wafer alignment method for acquiring an image of a wafer and performing a rotation center alignment of the wafer may improve the accuracy of the rotation center alignment and significantly reduce the time required for the rotation center alignment. Is provided.

또한, 육안에 의한 검사보다 그 정확성 및 반복성을 향상시킬 수 있고, 고해상도의 CCD 카메라를 이용하여 검사작업의 정확도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼 에지영역 검사장치 및 웨이퍼 에지영역 검사방법이 제공된다.In addition, a wafer edge region inspection apparatus and a wafer edge region inspection method which can improve the accuracy and repeatability of the inspection by the naked eye and improve the accuracy of the inspection operation by using a high resolution CCD camera are provided.

또한, 웨이퍼 에지영역의 영상을 획득하고 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상 과 비교하여 검사되는 웨이퍼의 불량 여부를 판별함으로써, 불량을 발생시키는 베벨에칭장치의 수정조치하여 제품의 불량을 방지할 수 있는 웨이퍼 에지영역 검사장치 및 웨이퍼 에지영역 검사방법이 제공된다.In addition, by acquiring an image of the wafer edge region and comparing the image of a pre-stored good wafer to determine whether the wafer to be inspected is defective, the wafer edge which can prevent product defects by correcting the bevel etching apparatus that generates the defect. An area inspection apparatus and a wafer edge region inspection method are provided.

이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역 검사장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of a wafer edge region inspection apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지면 검사장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 에지면 검사장치의 정면도이고, 도 3은 도 1의 웨이퍼 에지면 검사장치의 평면도이다.1 is a perspective view of a wafer edge inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a front view of the wafer edge inspection apparatus of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view of the wafer edge inspection apparatus of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 웨이퍼 에지영역 검사장치(100)는 웨이퍼의 영상을 획득하여 웨이퍼를 정렬하고 웨이퍼의 에지영역을 검사하기 위한 장치로서, 웨이퍼척(110)과, 웨이퍼 정렬부와, 제1영상획득부(131)와, 제어부(미도시)를 포함한다.1 to 3, the wafer edge region inspecting apparatus 100 is an apparatus for aligning wafers by inspecting an image of a wafer and inspecting an edge region of the wafer. The wafer chuck 110 and a wafer aligning unit are provided. And a first image acquisition unit 131 and a controller (not shown).

상기 웨이퍼척(110)은 상면에 웨이퍼(1)가 안착되며, 그 중심축선(c1)을 중심으로 회전 가능하다. 웨이퍼척(110)의 하측에는 후술할 웨이퍼척 구동부(112)가 연결되며, 웨이퍼척(110)은 웨이퍼척 구동부(112)에 의해 구동되어 평면상의 서로 다른 두 방향(본 실시예에서는 평면상에서 x축 방향 및 이와 직교하는 y축 방향)으로 이동 가능하며, 웨이퍼척의 중심축선(c1)을 중심으로 회전 가능하다.The wafer chuck 110 has a wafer 1 seated on an upper surface thereof, and is rotatable about its central axis c1. The wafer chuck driver 112 to be described later is connected to the lower side of the wafer chuck 110, and the wafer chuck 110 is driven by the wafer chuck driver 112 so that two different directions on the plane (in this embodiment, x on the plane) Axial direction and the y-axis direction orthogonal thereto), and the rotation is possible about the central axis c1 of the wafer chuck.

상기 웨이퍼 정렬부는 웨이퍼(1)의 영상을 획득하여 웨이퍼의 중심축선(c2)과 웨이퍼척의 중심축선(c1)을 실질적으로 일치시키기 위한 것으로서, 승강 지지부 와, 조명부(154)와, 제2영상획득부(141)와, 웨이퍼척 구동부(112)를 포함한다.The wafer alignment unit acquires an image of the wafer 1 and substantially coincides the center axis c2 of the wafer with the center axis c1 of the wafer chuck. The lifting support unit, the lighting unit 154, and the second image acquisition are acquired. The part 141 and the wafer chuck drive part 112 are included.

상기 승강 지지부는 웨이퍼(1)를 지지하며 상하방향으로 이동 가능한 것으로서, 지지부재(121)와, 지지판(123)과, 지지부재 구동부(122)를 포함한다.The lifting support part supports the wafer 1 and is movable up and down, and includes a support member 121, a support plate 123, and a support member driver 122.

상기 지지부재(121)는 웨이퍼(1)의 하면과 접촉하여 웨이퍼(1)를 지지하는 상승위치 및 웨이퍼(1)의 하면으로부터 이격되는 하강위치 사이에서 이동 가능하다. 본 실시예에서 지지부재(121)는 복수 개가 마련되며, 웨이퍼척(110) 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 세 곳에 각각 배치된다. 웨이퍼(1)를 지지하는 상승위치에 위치할 때 웨이퍼(1)를 안정적으로 지지하기 위하여 3개의 지지부재(121)는 120도 간격으로 배치된다. 웨이퍼(1)의 하면과 접촉하는 지지부재(121)의 상면은 엔지니어링 플라스틱 재질, 예컨대 PEEK(Polyetheretherketone) 재질 또는 PTFE(Polyterafluoroethylene) 재질 등으로 제작된다. 지지부재(121)는 4개 마련되어 웨이퍼척(110) 둘레의 원주방향으로 90도 간격으로 배치될 수도 있고, 5개 이상 마련될 수도 있다.The support member 121 is movable between a rising position for contacting the lower surface of the wafer 1 to support the wafer 1 and a lowering position spaced apart from the lower surface of the wafer 1. In the present embodiment, a plurality of support members 121 are provided, and each of the support members 121 is disposed at three locations spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck 110. The three support members 121 are disposed at 120 degree intervals to stably support the wafer 1 when the wafer 1 is positioned at an elevated position for supporting the wafer 1. The upper surface of the support member 121 in contact with the lower surface of the wafer 1 is made of an engineering plastic material, such as polyetheretherketone (PEEK) or polyterafluoroethylene (PTFE). Four support members 121 may be provided at intervals of 90 degrees in the circumferential direction around the wafer chuck 110, or five or more support members 121 may be provided.

상기 지지판(123)은 그 상면에 3개의 지지부재(121)를 지지하는 판부재이다. 지지판의 중앙부에는 관통공이 형성되며, 웨이퍼척은 그 관통공을 관통하여 배치된다.The support plate 123 is a plate member for supporting three support members 121 on the upper surface. A through hole is formed in the central portion of the support plate, and the wafer chuck is disposed through the through hole.

상기 지지부재 구동부(122)는 지지부재(121)를 상승위치 및 하강위치 사이에서 이동시킨다. 본 실시예의 지지부재 구동부(122)는 공기압에 의해 로드의 전진, 후퇴가 제어되는 공압 실린더를 포함하며, 공압 실린더의 로드는 지지판(123) 하면의 일측과 연결되어 설치된다.The support member driving unit 122 moves the support member 121 between a raised position and a lowered position. The support member drive unit 122 of the present embodiment includes a pneumatic cylinder in which the forward and backward movement of the rod is controlled by pneumatic pressure, and the rod of the pneumatic cylinder is connected to one side of the bottom surface of the support plate 123.

상기 조명부(154)는 승강 지지부에 의해 지지된 웨이퍼(1)의 하측에 배치되며, 조사되는 광의 일부는 웨이퍼(1)의 에지영역에 의해 차단되고 다른 일부는 웨이퍼(1)의 상측으로 향하도록 광을 조사한다. 본 실시예에서 조명부(154)는 복수 개가 구비되며, 복수의 조명부(154)는 웨이퍼척(110) 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 세 곳에 각각 배치된다. 광의 조사를 받는 영역에서는 웨이퍼(1)의 에지영역과 웨이퍼(1) 에지영역의 외곽부의 명암 차이가 발생하여 후술할 제2영상획득부(141)에 의해 세 곳의 웨이퍼의 에지영역에서 웨이퍼(1)의 원호형상의 영상을 획득할 수 있다. 본 실시예의 조명부(154)는 LED를 포함한다.The illumination unit 154 is disposed below the wafer 1 supported by the elevating supporter, so that part of the irradiated light is blocked by the edge region of the wafer 1 and the other part is directed upward of the wafer 1. Irradiate light. In the present embodiment, a plurality of lighting units 154 are provided, and the plurality of lighting units 154 are disposed at three locations spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck 110. In the region to which light is irradiated, the contrast between the edge region of the wafer 1 and the outer portion of the edge region of the wafer 1 is generated, and the second image acquisition unit 141 to be described later allows the wafer ( An arc-shaped image of 1) can be obtained. The lighting unit 154 of the present embodiment includes an LED.

상기 제2영상획득부(141)는 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되지 않은 광을 수광하여 웨이퍼(1)의 상면의 영상을 획득한다. 본 실시예의 제2영상획득부(141)는 측정하고자 하는 영역에 적합한 화소 개수를 가지는 CCD(charge coupled device) 카메라를 포함한다. 제2영상획득부(141)는 지지브라켓(144)에 의해 웨이퍼(1)의 상측에 이격되게 설치되며, 제2영상획득부(141)의 하부에는 렌즈를 포함하는 렌즈경통(143)이 연결된다.The second image acquisition unit 141 receives the light that is not blocked by the edge region of the wafer to obtain an image of the upper surface of the wafer 1. The second image acquisition unit 141 of the present embodiment includes a charge coupled device (CCD) camera having a pixel number suitable for a region to be measured. The second image acquisition unit 141 is installed on the upper side of the wafer 1 by the support bracket 144, and the lens barrel 143 including the lens is connected to the lower portion of the second image acquisition unit 141. do.

상기 웨이퍼척 구동부(112)는 웨이퍼척(110)을 평면상의 서로 다른 두 방향으로 이동시키거나, 웨이퍼척(110)을 웨이퍼척의 중심축선(c1)을 중심으로 회전시키는 것으로서, 하우징(101) 내부에 설치된다. 본 실시예의 웨이퍼척 구동부(112)는 평면상에서 웨이퍼척(110)의 x축 방향 이송을 담당하는 직선구동유닛과, x축 방향과 직교하는 y축 방향 이송을 담당하는 직선구동유닛과, 웨이퍼척(110)을 웨이퍼척의 중심축선(c1)을 중심으로 회전시키는 회전구동유닛을 포함한다.The wafer chuck driver 112 moves the wafer chuck 110 in two different directions on a plane, or rotates the wafer chuck 110 about the center axis c1 of the wafer chuck, and inside the housing 101. Is installed on. The wafer chuck drive unit 112 of the present embodiment includes a linear drive unit that is responsible for the x axis direction transfer of the wafer chuck 110 on a plane, a linear drive unit that is responsible for the y axis direction transfer orthogonal to the x axis direction, and a wafer chuck. And a rotation driving unit for rotating the 110 around the center axis c1 of the wafer chuck.

상기 제1영상획득부(131)는 웨이퍼(1)의 상측에 배치되며 웨이퍼의 에지영역의 영상을 획득한다. 본 실시예의 제1영상획득부(131)도 제2영상획득부(141)와 마찬가지로, 측정하고자 하는 영역에 적합한 화소 개수를 가지는 CCD(charge coupled device) 카메라를 포함한다. 제1영상획득부(131)는 지지브라켓(134)에 의해 웨이퍼(1)의 상측에 이격되게 설치되며, 제1영상획득부(131)의 하부에는 렌즈를 포함하는 렌즈경통(133)이 연결된다. 렌즈경통(133)의 하부에는 제1영상획득부(131)가 웨이퍼 에지영역의 영상을 획득할 수 있도록 웨이퍼 에지영역으로 광을 조사하는 조명부(152)가 연결된다.The first image acquisition unit 131 is disposed above the wafer 1 and acquires an image of an edge region of the wafer. Like the second image acquisition unit 141, the first image acquisition unit 131 of the present exemplary embodiment includes a charge coupled device (CCD) camera having a pixel number suitable for an area to be measured. The first image acquisition unit 131 is spaced apart from the upper side of the wafer 1 by the support bracket 134, and a lens barrel 133 including a lens is connected to the lower portion of the first image acquisition unit 131. do. The lower portion of the lens barrel 133 is connected to the illumination unit 152 for irradiating light to the wafer edge region so that the first image acquisition unit 131 acquires an image of the wafer edge region.

상기 제어부(미도시)는 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상과 제1영상획득부(131)에 의해 획득되는 웨이퍼(1)의 영상을 비교하여, 검사되는 웨이퍼(1)의 불량 여부를 판별한다. 또한 제어부는 웨이퍼척 구동부(112)의 동작을 제어하고, 조명부(152,154)의 조명 밝기 등도 제어한다.The controller (not shown) compares an image of a good wafer stored in advance with an image of the wafer 1 acquired by the first image acquisition unit 131 to determine whether the wafer 1 being inspected is defective. The controller also controls the operation of the wafer chuck driver 112, and also controls the illumination brightness of the lighting units 152 and 154.

이하, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 웨이퍼 에지영역 검사장치(100)를 이용하여 웨이퍼를 정렬하는 방법 및 웨이퍼 에지영역을 검사하는 방법에 대하여, 도 4 내지 도 7을 참조하면서 개략적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of aligning a wafer and a method of inspecting a wafer edge region by using the wafer edge region inspecting apparatus 100 according to the present invention configured as described above will be described schematically with reference to FIGS. 4 to 7. Shall be.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 정렬방법에 있어서, 웨이퍼척의 상측에서 웨이퍼를 지지하는 상태를 도시한 도면이고, 도 5는 웨이퍼의 하측의 이격된 세 곳으로부터 광을 조사하는 상태를 도시한 도면이고, 도 6은 웨이퍼의 영상을 획득하여 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하고, 웨이퍼척을 이동하는 상태를 도시한 도면이고, 도 7은 웨이퍼를 웨이퍼척의 상면에 안착시키는 상태를 도시한 도면이다.4 is a view showing a state in which a wafer is supported on an upper side of a wafer chuck in a wafer alignment method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a state in which light is irradiated from three spaced spaces below the wafer. 6 is a view showing a state in which the image of the wafer is acquired to calculate the position of the center axis of the wafer and the wafer chuck is moved, and FIG. 7 is a state in which the wafer is seated on the upper surface of the wafer chuck. One drawing.

우선, 웨이퍼척(110)에 안착된 웨이퍼(1)를 웨이퍼의 중심축선(c2)을 중심으로 회전시키기 위하여, 웨이퍼(1)의 영상을 획득하여 웨이퍼의 중심축선(c2)과 웨이퍼척의 중심축선(c1)이 실질적으로 일치하도록 웨이퍼(1)를 정렬한다.First, in order to rotate the wafer 1 seated on the wafer chuck 110 about the center axis c2 of the wafer, an image of the wafer 1 is acquired and the center axis c2 of the wafer and the center axis of the wafer chuck. The wafer 1 is aligned so that (c1) substantially coincides.

웨이퍼를 정렬하기 위한 첫번째 단계로서, 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼척(110)의 상측에서 웨이퍼(1)를 지지한다. 지지부재(121)는 웨이퍼(1)의 하면과 접촉하여 웨이퍼(1)를 지지할 수 있는 상승위치에 있고 웨이퍼척(110)은 웨이퍼(1)의 하면으로부터 이격되게 위치하여, 지지부재(121)에 의해 웨이퍼(1)가 지지된다.As a first step for aligning the wafer, the wafer 1 is supported above the wafer chuck 110 as shown in FIG. The support member 121 is in an elevated position in contact with the lower surface of the wafer 1 to support the wafer 1, and the wafer chuck 110 is located apart from the lower surface of the wafer 1, thereby supporting the support member 121. ), The wafer 1 is supported.

이후, 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼(1)의 하측으로부터 광을 조사한다. 이때 본 실시예의 웨이퍼 정렬방법에서는 웨이퍼척(110) 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 세 곳에 조명부(154)가 설치되어 각각의 조명부(154)에서 광을 조사한다. 조명부(154)에 의해 조사되는 광의 일부는 웨이퍼(1)의 에지영역에 의해 차단되고, 다른 일부는 웨이퍼(1)의 상측으로 향하여 제2영상획득부(141)로 입사된다.Thereafter, light is irradiated from the lower side of the wafer 1 as shown in FIG. 5. At this time, in the wafer alignment method of the present embodiment, the lighting units 154 are installed at three locations spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck 110 to irradiate light from each of the lighting units 154. A part of the light irradiated by the illumination unit 154 is blocked by the edge region of the wafer 1, and the other part is incident to the second image acquisition unit 141 toward the upper side of the wafer 1.

이후, 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되지 않은 광을 수광하여 웨이퍼(1)의 상면의 영상을 획득한다. 이때, 제2영상획득부(141)는 웨이퍼(1)의 상면 전체의 영상을 획득할 수 있도록 웨이퍼(1)의 상측에 웨이퍼(1)로부터 소정의 거리만큼 이격되게 설치된다. 웨이퍼의 에지영역 부근이 조명부(154)의 광의 조사를 받게 되면 웨이퍼의 에지영역과 웨이퍼의 에지영역 외곽부의 명암 차이가 발생하므로, 제2영상획득부(141)에 의해 세 곳의 웨이퍼의 에지영역에서 웨이퍼(1)의 원호형상의 영상을 획득할 수 있게 된다. 세 곳의 웨이퍼의 에지영역은 웨이퍼의 에지영역 둘 레의 원주방향으로 일정 간격으로 상호 이격된다.Thereafter, light not blocked by the edge region of the wafer is received to obtain an image of the upper surface of the wafer 1. In this case, the second image acquisition unit 141 is installed on the upper side of the wafer 1 so as to be spaced apart from the wafer 1 by a predetermined distance so as to acquire an image of the entire upper surface of the wafer 1. When the area around the edge of the wafer is irradiated with light from the illumination unit 154, a difference in contrast between the edge of the wafer and the edge of the edge of the wafer is generated. The arc-shaped image of the wafer 1 can be obtained. The edge regions of the three wafers are spaced apart from each other at regular intervals in the circumferential direction of both edge regions of the wafer.

이후, 도 6에 도시된 바와 같이 세 곳의 웨이퍼의 에지영역에서 획득된 웨이퍼(1)의 원호형상(1')의 영상을 이용하여 웨이퍼의 중심축선(c2)의 위치를 계산한다. 각각의 원호형상(1')의 곡률반경을 계산하고, 계산된 곡률반경을 토대로 곡률반경의 중심점의 위치를 추적하고 이를 보정하게 되면 제2영상획득부(141)에 의해 획득된 영상 프레임 상에서 웨이퍼의 중심축선(c2)의 위치를 계산할 수 있다.Thereafter, as illustrated in FIG. 6, the position of the central axis c2 of the wafer is calculated by using an image of the arc shape 1 ′ of the wafer 1 obtained in the edge regions of the three wafers. Calculating the radius of curvature of each arc shape 1 ', and tracking and correcting the position of the center point of the radius of curvature based on the calculated radius of curvature, the wafer is placed on the image frame obtained by the second image acquisition unit 141. The position of the central axis c2 of can be calculated.

이후, 웨이퍼의 중심축선(c2)과 웨이퍼척의 중심축선(c1)이 실질적으로 일치하도록 웨이퍼척(110)을 이동시킨다. 제어부는 웨이퍼척(110)이 웨이퍼척 구동부(112)에 의해 초기위치(구동유닛의 홈위치)에 있을 때, 제2영상획득부(141)에 의해 획득된 영상 프레임 상에서 웨이퍼척의 중심축선(c1)의 위치를 계산하고 그 위치정보를 미리 가진다. 웨이퍼의 중심축선(c2)의 위치가 결정되면 웨이퍼척의 중심축선(c1) 간의 위치차이가 계산되고, 계산된 위치차이정보를 바탕으로 웨이퍼척 구동부(112)를 이용하여 웨이퍼의 중심축선(c2)과 웨이퍼척의 중심축선(c1)이 실질적으로 일치하도록 웨이퍼척(110)을 이동시킨다.Thereafter, the wafer chuck 110 is moved to substantially coincide with the center axis c2 of the wafer and the center axis c1 of the wafer chuck. The control unit controls the center axis c1 of the wafer chuck on the image frame obtained by the second image acquisition unit 141 when the wafer chuck 110 is at an initial position (home position of the driving unit) by the wafer chuck driver 112. Calculate the position of) and have the position information in advance. When the position of the center axis line c2 of the wafer is determined, the position difference between the center axis lines c1 of the wafer chuck is calculated, and the center axis line c2 of the wafer using the wafer chuck driver 112 based on the calculated position difference information. The wafer chuck 110 is moved to substantially coincide with the central axis c1 of the wafer chuck.

이후, 웨이퍼(1)를 웨이퍼척(110)의 상면에 안착시킨다. 지지부재 구동부(122)에 의해 지지부재(121)의 상면이 웨이퍼척(110)의 상면 하측에 위치하도록 지지부재(121)가 하강하고, 웨이퍼척(110)의 상면에 안착된 웨이퍼(1)는 진공압에 의해 웨이퍼척(110)의 상면에 흡착, 고정된다. 검사 완료 후, 웨이퍼(1)를 언로딩할 때는 진공압이 해제된다. 웨이퍼(1)의 회전시 어느 각도에서든 웨이퍼의 에지영역이 제1영상획득부(131)의 시야범위(field of view)에 들어올 수 있도록 웨이 퍼(1)가 흡착된 웨이퍼척(110)을 다시 회전중심으로 이동시킨다.Thereafter, the wafer 1 is seated on the upper surface of the wafer chuck 110. The support member 121 is lowered by the support member driver 122 so that the upper surface of the support member 121 is positioned below the upper surface of the wafer chuck 110, and the wafer 1 seated on the upper surface of the wafer chuck 110. Is sucked and fixed to the upper surface of the wafer chuck 110 by vacuum pressure. After the inspection is completed, the vacuum pressure is released when the wafer 1 is unloaded. When the wafer 1 is rotated, the wafer chuck 110 on which the wafer 1 is adsorbed is returned again so that the edge region of the wafer may enter the field of view of the first image acquisition unit 131 at any angle. Move to the center of rotation.

이후, 웨이퍼척(110)에 안착된 웨이퍼(1)를 회전시키면서 웨이퍼의 에지영역의 영상을 획득한다. 제1영상획득부(131)의 하측에 설치된 조명부(152)에 의해 조사된 광은 웨이퍼의 에지영역에 의해 웨이퍼(1) 상측으로 반사되고, 이 반사된 광은 제1영상획득부(131)의 하부에 설치된 렌즈경통(133)을 통과하여 제1영상획득부(131)로 입사된다.Thereafter, while rotating the wafer 1 seated on the wafer chuck 110, an image of an edge region of the wafer is obtained. The light irradiated by the illumination unit 152 provided below the first image acquisition unit 131 is reflected toward the upper side of the wafer 1 by the edge region of the wafer, and the reflected light is reflected by the first image acquisition unit 131. Passes through the lens barrel 133 installed in the lower portion of the first image acquisition unit 131.

이후, 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상과 현재 획득되는 웨이퍼(1)의 영상을 비교하여, 검사되는 웨이퍼(1)의 불량 여부를 판별한다. 상기와 같은 단계를 통해 웨이퍼의 에지영역을 검사하여 웨이퍼 에지영역의 잔류박막이 너무 조금 제거되었을 경우 베벨에칭장치의 플라즈마 인가 전압을 높이고, 웨이퍼 에지영역의 잔류박막이 너무 많이 제거되었을 경우 베벨에칭장치의 플라즈마 인가 전압을 낮추는 등의 교정작업을 수행할 수 있다. 또한 웨이퍼 둘레의 원주방향으로 제거된 잔류박막의 폭이 비대칭적일 경우 웨이퍼의 상,하면에 대향하는 플라즈마 전극들의 간격 등을 조정할 수도 있다.Thereafter, the image of the pre-stored good wafer and the image of the currently acquired wafer 1 are compared to determine whether the wafer 1 to be inspected is defective. If the residual thin film of the wafer edge region is removed by inspecting the edge region of the wafer through the above steps, the plasma application voltage of the bevel etching apparatus is increased, and the bevel etching apparatus is removed if the residual thin film of the wafer edge region is removed too much. The calibration operation such as lowering the plasma applied voltage can be performed. In addition, when the width of the residual thin film removed in the circumferential direction around the wafer is asymmetric, the distance between the plasma electrodes facing the upper and lower surfaces of the wafer may be adjusted.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 웨이퍼 에지영역 검사장치 및 웨이퍼 정렬방법은 웨이퍼의 영상을 획득하여 웨이퍼의 회전중심 정렬을 수행함으로써, 종래의 센서를 이용하여 웨이퍼의 노치부나 플랫부를 감지하여 정렬하는 방법과 비교하여 회전중심 정렬의 정확성이 향상되고 회전중심 정렬에 소요되는 시간을 현저히 절감할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In the wafer edge area inspection apparatus and the wafer alignment method according to the present embodiment configured as described above, the image of the wafer is acquired to perform the center of rotation of the wafer, and the notch or flat portion of the wafer is sensed and aligned using a conventional sensor. Compared to the method, the accuracy of rotation center alignment is improved and the time required for rotation center alignment can be significantly reduced.

또한, 본 발명의 웨이퍼 에지영역 검사장치 및 웨이퍼 에지영역 검사방법은 영상획득부를 이용하여 웨이퍼 에지영역의 영상을 획득함으로써 육안에 의한 검사보다 그 정확성 및 반복성을 향상시킬 수 있고, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼의 에지영역 중 일 영역을 검사하여 고해상도의 CCD 카메라를 이용할 수 있으므로 검사작업의 정확도를 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the wafer edge region inspection apparatus and the wafer edge region inspection method of the present invention can improve the accuracy and repeatability than the inspection by the naked eye by acquiring the image of the wafer edge region using the image acquisition unit, the wafer while rotating the wafer Since one area of the edge area of the high resolution CCD camera can be used, the accuracy of the inspection work can be improved.

또한, 본 발명의 웨이퍼 에지영역 검사장치 및 웨이퍼 에지영역 검사방법은 웨이퍼 에지영역의 영상을 획득하고 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상과 비교하여 검사되는 웨이퍼의 불량 여부를 판별함으로써, 불량을 발생시키는 베벨에칭장치의 수정조치하여 제품의 불량을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the wafer edge region inspection apparatus and the wafer edge region inspection method of the present invention obtains an image of the wafer edge region and compares the image of the pre-stored good wafer to determine whether the wafer being inspected is defective, bevel etching to generate a defect By correcting the device, it is possible to obtain the effect of preventing product defects.

한편, 도 8에 도시된 바와 같이 단일의 조명부(156)가 설치되어 웨이퍼척(110) 둘레의 어느 한 곳에서 광을 조사할 수도 있다. 이때 웨이퍼(1)의 상면의 영상을 획득하는 단계에서는 웨이퍼의 에지영역 중 어느 한 영역의 영상을 획득하게 되며, 웨이퍼의 중심축선(c2)의 위치를 계산하는 단계에서도 상기 한 영역에서의 웨이퍼의 원호형상(1")을 이용하여 웨이퍼의 중심축선(c2)의 위치를 계산할 수 있게 된다.Meanwhile, as shown in FIG. 8, a single lighting unit 156 may be installed to irradiate light from one place around the wafer chuck 110. At this time, in the step of acquiring an image of the upper surface of the wafer 1, an image of any one of the edge regions of the wafer is acquired, and in the step of calculating the position of the center axis c2 of the wafer, Using the circular arc shape 1 ", the position of the center axis c2 of the wafer can be calculated.

상기와 같이 웨이퍼 에지영역 중 어느 한 영역의 영상을 획득하여 웨이퍼의 회전중심을 정렬하고 웨이퍼의 에지영역을 검사함으로써, 웨이퍼의 전체 영역의 영상을 획득하는 방법에 비해 고해상도의 CCD 카메라를 이용할 수 있고 웨이퍼의 중심축선과 웨이퍼척의 중심축선을 보다 정밀하게 정렬할 수 있다.By acquiring an image of any one of the wafer edge regions as described above, the center of rotation of the wafer is aligned and inspecting the edge region of the wafer, a higher resolution CCD camera can be used than the method of obtaining an image of the entire region of the wafer. The center axis of the wafer and the center axis of the wafer chuck can be more precisely aligned.

도 1에 도시된 실시예에 있어서, 복수의 조명부는 웨이퍼척 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 세 곳에 각각 배치되나, 2개의 조명부가 웨이퍼척 둘레의 원주방 향으로 상호 이격된 두 곳에 각각 배치될 수도 있다.In the embodiment shown in FIG. 1, the plurality of illumination portions are respectively arranged in three spaced apart circumferential directions around the wafer chuck, but the two illumination portions are respectively arranged in two spaced apart circumferential directions around the wafer chuck. It may be.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described in the present invention to various extents which can be modified.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 에지면 검사장치의 사시도이고,1 is a perspective view of a wafer edge inspection apparatus according to an embodiment of the present invention,

도 2는 도 1의 웨이퍼 에지면 검사장치의 정면도이고,FIG. 2 is a front view of the wafer edge inspection apparatus of FIG. 1;

도 3은 도 1의 웨이퍼 에지면 검사장치의 평면도이고,3 is a plan view of the wafer edge inspection apparatus of FIG.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 정렬방법에 있어서, 웨이퍼척 상측에서 웨이퍼를 지지하는 상태를 도시한 도면이고,4 is a diagram illustrating a state in which a wafer is supported on a wafer chuck in a wafer alignment method according to an embodiment of the present invention.

도 5는 웨이퍼의 하측의 이격된 세 곳으로부터 광을 조사하는 상태를 도시한 도면이고,FIG. 5 is a view showing a state in which light is irradiated from three spaced spaces below the wafer;

도 6은 웨이퍼의 영상을 획득하여 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하고, 웨이퍼척을 이동하는 상태를 도시한 도면이고,6 is a view showing a state in which an image of a wafer is acquired to calculate the position of the center axis of the wafer and the wafer chuck is moved;

도 7은 웨이퍼를 웨이퍼척의 상면에 안착시키는 상태를 도시한 도면이고,7 is a view showing a state in which the wafer is seated on the upper surface of the wafer chuck,

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 정렬방법에 있어서, 웨이퍼의 하측의 한 곳으로부터 광을 조사하고, 웨이퍼의 영상을 획득하여 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 상태를 도시한 도면이다.8 is a view illustrating a state in which a position of a center axis of a wafer is calculated by irradiating light from one side of the wafer, obtaining an image of the wafer, and the wafer alignment method according to another embodiment of the present invention. .

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 웨이퍼 100: 웨이퍼 에지영역 검사장치1: wafer 100: wafer edge area inspection device

110: 웨이퍼척 112: 웨이퍼척 구동부110: wafer chuck 112: wafer chuck drive unit

121: 지지부재 122: 지지부재 구동부121: support member 122: support member drive unit

131: 제1영상획득부 141: 제2영상획득부131: first image acquisition unit 141: second image acquisition unit

c1: 웨이퍼척의 중심축선 c2: 웨이퍼의 중심축선c1: center axis of wafer chuck c2: center axis of wafer

Claims (10)

상면에 웨이퍼가 안착되며 그 중심축선을 중심으로 회전 가능한 웨이퍼척;A wafer chuck mounted on an upper surface thereof and rotatable about a central axis thereof; 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼를 웨이퍼의 중심축선을 중심으로 회전시키기 위하여, 상기 웨이퍼의 영상을 획득하여 상기 웨이퍼의 중심축선과 상기 웨이퍼척의 중심축선을 실질적으로 일치시키기 위한 웨이퍼 정렬부;A wafer alignment unit for acquiring an image of the wafer and substantially matching the center axis of the wafer with the center axis of the wafer chuck to rotate the wafer seated on the wafer chuck about a center axis of the wafer; 상기 웨이퍼의 상측에 배치되며, 상기 웨이퍼의 에지영역의 영상을 획득하기 위한 제1영상획득부; 및A first image acquisition unit disposed above the wafer and configured to acquire an image of an edge region of the wafer; And 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상과 상기 제1영상획득부에 의해 획득되는 웨이퍼의 영상을 비교하여, 검사되는 웨이퍼의 불량 여부를 판별하기 위한 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역 검사장치.And a controller for comparing an image of a pre-stored good wafer with an image of a wafer acquired by the first image acquisition unit to determine whether the wafer to be inspected is defective. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼 정렬부는,The wafer alignment unit, 상기 웨이퍼를 지지하며, 상하방향으로 이동 가능한 승강 지지부;A lifting support part supporting the wafer and movable in an up and down direction; 상기 승강 지지부에 의해 지지된 웨이퍼의 하측에 배치되며, 조사되는 광의 일부는 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되고 다른 일부는 상기 웨이퍼의 상측으로 향하도록 광을 조사하는 조명부;An illumination unit disposed below the wafer supported by the elevating supporter and configured to irradiate light such that a part of the irradiated light is blocked by an edge region of the wafer and the other part is directed toward the upper side of the wafer; 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되지 않은 광을 수광하여 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하기 위한 제2영상획득부; 및A second image acquisition unit for receiving an image of the upper surface of the wafer by receiving light that is not blocked by the edge region of the wafer; And 상기 웨이퍼척을 일 평면상의 서로 다른 두 방향으로 이동시키거나, 상기 웨이퍼척을 그 중심축선을 중심으로 회전시키는 웨이퍼척 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역 검사장치.And a wafer chuck driver which moves the wafer chuck in two different directions on one plane or rotates the wafer chuck about its central axis. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 조명부는 복수 개가 구비되며,The lighting unit is provided with a plurality, 상기 복수의 조명부는 상기 웨이퍼척 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 두 곳 이상에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역 검사장치.And the plurality of lighting units are disposed at two or more locations spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 승강 지지부는,The lifting support portion, 상기 웨이퍼의 하면과 접촉하여 상기 웨이퍼를 지지하는 상승위치 및 상기 웨이퍼의 하면으로부터 이격되는 하강위치 사이에서 이동 가능한 지지부재; 및A support member movable between a raised position for contacting the lower surface of the wafer and supporting the wafer and a lowered position spaced apart from the lower surface of the wafer; And 상기 지지부재를 상기 상승위치 및 상기 하강위치 사이에서 이동시키는 지지부재 구동부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역 검사장치.And a support member driver for moving the support member between the raised position and the lowered position. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 지지부재는 복수 개가 구비되며,The support member is provided with a plurality, 상기 복수의 지지부재는 상기 웨이퍼척 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 세 곳 이상에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역 검사장치.And the plurality of supporting members are respectively disposed at three or more locations spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck. 상면에 웨이퍼가 안착되며 그 중심축선을 중심으로 회전 가능한 웨이퍼척이 마련되고, 상기 웨이퍼척의 상측에서 상기 웨이퍼를 지지하는 단계;Mounting a wafer on an upper surface thereof and having a wafer chuck rotatable about a central axis thereof, supporting the wafer on an upper side of the wafer chuck; 조사되는 광의 일부는 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되고 다른 일부는 상기 웨이퍼의 상측으로 향하도록 상기 웨이퍼의 하측으로부터 광을 조사하는 단계;Irradiating light from a lower side of the wafer such that a portion of the irradiated light is blocked by an edge region of the wafer and the other portion is directed upward of the wafer; 상기 웨이퍼의 에지영역에 의해 차단되지 않은 광을 수광하여 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하는 단계;Receiving an image not blocked by an edge region of the wafer to obtain an image of an upper surface of the wafer; 획득된 영상을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계;Calculating a position of the center axis of the wafer using the acquired image; 상기 웨이퍼의 중심축선과 상기 웨이퍼척의 중심축선이 실질적으로 일치하도록 상기 웨이퍼척을 이동시키는 단계;Moving the wafer chuck so that the center axis of the wafer and the center axis of the wafer chuck substantially coincide; 상기 웨이퍼를 상기 웨이퍼척의 상면에 안착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 정렬방법.And placing the wafer on an upper surface of the wafer chuck. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 광을 조사하는 단계는 상기 웨이퍼척 둘레의 원주방향으로 상호 이격되게 두 곳 이상에서 광을 조사하는 단계를 포함하며,The irradiating the light includes irradiating light at two or more places to be spaced apart from each other in the circumferential direction around the wafer chuck, 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하는 단계는 상기 웨이퍼의 상면 전체의 영상을 획득하는 단계를 포함하며,Acquiring an image of the upper surface of the wafer includes acquiring an image of the entire upper surface of the wafer, 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계는 상기 웨이퍼의 에지영역 둘레의 원주방향으로 상호 이격된 두 영역 이상에서 각각 상기 웨이퍼의 원호형상을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 정렬방법.The calculating of the position of the center axis of the wafer may include calculating the position of the center axis of the wafer by using an arc shape of the wafer in two or more regions spaced apart from each other in the circumferential direction around the edge region of the wafer. Wafer alignment method comprising a. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 광을 조사하는 단계는 상기 웨이퍼척 둘레의 어느 한 곳에서 광을 조사하는 단계를 포함하며,Irradiating the light includes irradiating light around one of the wafer chucks; 상기 웨이퍼의 상면의 영상을 획득하는 단계는 상기 웨이퍼의 에지영역 중 어느 한 영역의 영상을 획득하는 단계를 포함하며,Acquiring an image of the upper surface of the wafer includes acquiring an image of any one of the edge region of the wafer, 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계는 상기 한 영역의 웨이퍼의 원호형상을 이용하여 상기 웨이퍼의 중심축선의 위치를 계산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 정렬방법.And calculating the position of the center axis of the wafer comprises calculating the position of the center axis of the wafer using the arc shape of the wafer in the region. 상면에 웨이퍼가 안착되며 그 중심축선을 중심으로 회전 가능한 웨이퍼척이 마련되며, 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼를 그 중심축선을 중심으로 회전시키기 위하여, 상기 웨이퍼의 영상을 획득하여 상기 웨이퍼의 중심축선과 상기 웨이퍼척의 중심축선이 실질적으로 일치하도록 상기 웨이퍼를 정렬하는 단계;The wafer is seated on an upper surface and a wafer chuck rotatable about a central axis thereof is provided. In order to rotate the wafer seated on the wafer chuck about its central axis, an image of the wafer is obtained to obtain an image of the wafer. Aligning the wafer such that and the central axis of the wafer chuck substantially coincide; 상기 웨이퍼척에 안착된 웨이퍼를 회전시키면서 상기 웨이퍼의 에지영역의 영상을 획득하는 단계; 및Acquiring an image of an edge region of the wafer while rotating the wafer seated on the wafer chuck; And 미리 저장된 양품 웨이퍼의 영상과 상기 영상을 획득하는 단계에서 획득되는 웨이퍼의 영상을 비교하여, 검사되는 웨이퍼의 불량 여부를 판별하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역 검사방법.And comparing the image of a wafer stored in advance with an image of a good wafer, and determining whether the wafer to be inspected is defective. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 웨이퍼를 정렬하는 단계는,Aligning the wafer, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 웨이퍼 정렬방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 에지영역 검사방법.A wafer edge region inspection method using the wafer alignment method according to any one of claims 6 to 8.
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