KR20090086790A - 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents

배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 챔버 내에 배치되는 다수의 기판척 및 고주판 전력이 공급되는 공간분할 플레이트를 각각 교번하여 적층시키고, 인접되는 공간분할 플레이트에 공급되는 고주파 전력의 주파수를 서로 다르게 하여 고주파 전력 간의 상쇄 및 보강과 같은 주파수 간섭을 최소화할 수 있는 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버와; 상기 챔버 내에 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척이 구비되는 기판척 조립체와; 상기 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트가 구비되는 공간분할 플레이트 조립체와; 상기 공간분할 플레이트 조립체에 구비되어 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인과; 상기 챔버에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 챔버의 외부에 구비되어 서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
기판, 박막 증착, 식각, 배치식, 플라즈마, 고주파, 주파수, RF

Description

배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{APPARATUS FOR SUPPORTING SUBSTRATE AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE HAVING THE SAME}
본 발명은 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버 내에 배치되는 다수의 기판척 및 고주판 전력이 공급되는 공간분할 플레이트를 각각 교번하여 적층시키고, 인접되는 공간분할 플레이트에 공급되는 고주파 전력의 주파수를 서로 다르게 하여 고주파 전력 간의 상쇄 및 보강과 같은 주파수 간섭을 최소화할 수 있는 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 및 평판 표시 장치는 기판 상에 다수의 박막 증착과 식각을 통해 형성된다. 즉, 기판의 소정 영역, 주로 중심부에 박막을 증착하고, 식각 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 기판 중심부의 박막의 일부를 제거하여 소정의 박막 패턴을 갖는 소자를 제조하게 된다.
이러한 박막 증착 공정 및 식각 공정을 진행하는 기판 처리 장치는 기판을 낱장 단위로 처리하는 매엽식 기판 처리 장치와, 다수의 반도체 기판을 동시에 처리하는 배치식 기판 처리 장치로 구분된다. 매엽식 기판 처리 장치는 제품을 소량 으로 생산하면서 제품의 정밀도를 높이는 목적으로 사용되고, 배치식 기판 처리 장치는 제품의 대량생산을 목적으로 사용된다.
통상적인 배치식 기판 처리 장치는 매엽식의 수배 내지 수십배의 체적을 갖는 챔버를 마련하고, 챔버 내에 다수매의 기판이 층상으로 적재되는 보트가 마련되며, 챔버 측벽의 내측 또는 외측에 가열수단이 마련되고, 챔버의 상부 또는 측벽에 반응가스를 공급하는 가스공급수단이 마련된다.
상기와 같이 구성되는 통상적인 배치식 기판 처리 장치는 다수매의 기판을 보트에 적재한 다음 가열수단을 이용하여 챔버를 반응온도까지 상승시킨 다음, 가스공급수단을 이용하여 챔버 내에 반응가스를 공급하여 박막의 증착 또는 식각 공정을 진행하게 된다.
하지만, 챔버의 체적이 상당히 크기 때문에 가열수단을 이용하여 챔버 내부를 반응온도까지 상승시키는데 상당한 시간이 소요되고, 챔버 내의 온도구배를 균일하게 유지하기가 힘들었다.
그래서, 기판이 적재되는 보트에 가열수단 및 전극을 내장하는 방법들이 제안되고 있지만, 세라믹 제품인 보트에 가열수단 및 전극을 내장하고 이와 연결되는 연결선을 구성하기가 쉽지 않은 문제점이 있었다. 또한, 다수개 구비되는 전극에 동일한 주파수의 고주파 전력을 인가하면 인접되는 전극에서 발생되는 고주파 전력 간에 주파수 상쇄 및 보강과 같은 간섭이 발생되어 플라즈마의 생성이 균일하지 못한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 배치식 기판 처리 장치에서 가열부재가 내장되어 기판이 안착되는 다수의 기판척을 층상으로 조립하고, 전극이 내장되어 상기 다수의 기판척과 대향되는 공간분할 플레이트를 층상으로 구비하여 다수의 기판을 동시에 처리할 수 있고, 다수의 공간분할 플레이트에 인가되는 고주파 전력의 주파수를 다르게 하여 인접되는 전극 간의 주파수 간섭을 최소화할 수 있는 배치식 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 배치식 기판 지지 장치는 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척과; 상기 각각의 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트를 포함하고, 서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 인가되는 고주파 전력은 서로 다른 주파수를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되어 인가되는 것을 특징으로 하거나, 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 공간분할 플레이트 가장자리에 각각 연장 형성되는 플레이트 연 장부와; 상기 다수의 플레이트 연장부를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재와; 상기 플레이트 지지부재에 연결되어 상기 공간분할 플레이트와 플레이트 지지부재를 일체로 지지하면서 승하강시키는 플레이트 승강봉을 더 포함하고, 상기 플레이트 연장부, 지지부재 및 승강봉에는 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인이 내장되고, 상기 전기연결 라인들은 고주파 발생장치에 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 기판척은 접지 연결되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 챔버와; 상기 챔버 내에 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척이 구비되는 기판척 조립체와; 상기 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트가 구비되는 공간분할 플레이트 조립체와; 상기 공간분할 플레이트 조립체에 구비되어 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인과; 상기 챔버에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 챔버의 외부에 구비되어 서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때 상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되도록 공급되는 것을 특징으로 하거나, 상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 한다.
상기 기판척 조립체는, 상기 다수의 기판척 가장자리를 일체로 지지하는 다 수의 척 지지부재와; 일측이 상기 척 지지부재에 연결되고, 타측이 상기 챔버의 외부로 연장되는 척 승강봉을 더 포함하고, 상기 기판척의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 척 연장부가 형성되어 상기 척 지지부재와 척 연장부가 교번되어 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 공간분할 플레이트 조립체는, 상기 다수의 공간분할 플레이트 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재와; 일측이 상기 플레이트 지지부재에 연결되고, 타측이 상기 챔버의 외부로 연장되는 플레이트 승강봉을 더 포함하고, 상기 공간분할 플레이트의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 플레이트 연장부가 형성되어 상기 플레이트 지지부재와 플레이트 연장부가 교번되어 조립되고, 상기 다수의 전기연결 라인은 상기 플레이트 연장부, 플레이트 지지부재 및 플레이트 승강봉에 내장되는 것을 특징으로 한다.
상기 플레이트 지지부재에 구비되어 상기 플레이트 지지부재에 대응되는 공간분할 플레이트에 구비되는 전극에 연결되는 다수의 플레이트 소켓과; 상기 플레이트 지지부재 중 상기 플레이트 승강봉과 대면되는 부위에 구비되어 상기 다수의 플레이트 소켓과 다수의 보조 연결선을 통해 연결되는 제4커넥터와; 상기 플레이트 승강봉의 일단에 구비되어 상기 제4커넥터와 접속되는 제5커넥터와; 상기 플레이트 승강봉의 타단에 구비되어 상기 제5커넥터와 다수의 연장 연결선을 통해 연결되고, 상기 고주파 발생장치와 전기적으로 접속하기 위한 제6커넥터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 고주파 발생장치는 각각 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 발생 시키거나, 사용되는 고주파 종류의 개수에 대응되는 만큼 구비되어 각각 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 발생시키는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버의 외부에는 상기 기판척 조립체 및 공간분할 플레이트 조립체에 각각 연결되어 승하강시키는 구동수단이 연결되는 것을 특징으로 한다.
상기 가스공급수단은, 상기 챔버 측벽으로 반응가스를 공급하도록 연결되는 가스공급관과; 상기 가스공급관에서 분기되어 상기 챔버의 측벽 내측으로 형성되는 다수의 가스 분사공을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 다수의 기판척에 각각 가열부재가 내장되고, 다수의 공간분할 플레이트에 각각 고주파 전력이 인가되는 전극이 내장됨에 따라 기판 각각의 반응공간이 기판척 및 공간분할 플레이트로 구획되어 매엽식과 같은 정밀한 공정 결과를 얻을 수 있기 때문에, 기판을 다량으로 정밀하게 생산할 수 있는 효과가 있다.
또한, 인접된 공간분할 플레이트에 인가되는 고주파 전력의 주파수를 서로 다르게 하여 고주파 전력 간 주파수의 상쇄 및 보강과 같은 간섭을 최소화하여 플라즈마의 균일한 생성을 유도함에 따라 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 다양한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한 정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 지지 장치의 요부를 나타내는 사시도이며, 도 3a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 분해 사시도이고, 도 3b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 분해 사시도이며, 도 4a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 단면도이고, 도 4b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치는 챔버(10)와, 상기 챔버(10) 내에 상하 적층되어 기판(1)이 안착되는 다수의 기판척(20)이 조립 가능하게 구비되는 기판척 조립체(100)와, 상기 기판척(20)과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트(50)가 조립 가능하게 구비되는 공간분할 플레이트 조립체(300)와, 상기 기판척 조립체(100) 및 공간분할 플레이트 조립체(300)에 각각 구비되어 상기 기판척 조립체(100) 및 공간분할 플레이트 조립체(300)의 탈착과 일체로 탈착 가능하게 구비되는 제1전기연결 라인(200) 및 제2전기연결 라인(400)과, 상기 챔버(10)에 반응가스를 공급하는 가스공급수단(17)과, 상기 챔버(10)의 외부에 구비되어 상기 전극에 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생장치(90)를 포함한다.
챔버(10)는 적어도 하나 이상의 게이트 밸브(11) 등과 같은 개폐수단을 통하여 외부와 연결되며, 클러스터 시스템 또는 인라인 시스템과 같은 다수의 챔버로 구성되는 시스템에 적용되는 챔버일 수도 있다. 또한, 챔버(10)에는 별도의 진공 배기계(미도시)가 연결되어 그 내부를 진공 상태로 조성할 수 있다. 그리고, 챔버(10)는 접지 연결되어 챔버(10)를 통하여 전류가 흐르지 않도록 구성된다.
챔버(10)는 그 측벽으로부터 중심 방향으로 반응가스를 분사하도록 가스공급수단(17)이 구성된다. 예를 들어 챔버(10)의 측벽 내부에는 반응가스가 공급되는 가스공급관(13)이 연결되고, 가스공급관(13)에서 분기되는 다수의 가스 분사공(15)이 챔버(10)의 측벽 내측으로 형성되어 가스 분사공(15)에서 분사되는 반응가스가 챔버(10)의 중심을 향하도록 구성된다. 물론 이에 한정되지 않고, 챔버(10) 측벽의 내주연으로 가스공급관이 구비되고, 상기 가스공급관에 연결된 적어도 하나 이상의 분사기가 구비되며, 분사기의 분사방향이 챔버(10)의 측벽에서 챔버(10)의 중심을 향하도록 구성할 수 있다.
챔버(10)의 내부에는 다수의 기판척(20)이 탈착 가능하도록 층상으로 조립된 기판척 조립체(100)와, 다수의 공간분할 플레이트(50)가 탈착 가능하도록 층상으로 조립된 공간분할 플레이트 조립체(300)가 구비되고, 서로 대응되는 기판척(20) 및 공간분할 플레이트(50)가 대향하도록 배치된다.
도면에 도시된 바와 같이, 기판척 조립체(100)는 다수의 상하 층상으로 구비되는 다수의 기판척(20)과, 상기 다수의 기판척(20) 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 척 지지부재(30)와, 일측이 상기 척 지지부재(30)에 연결되고, 타측이 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 척 승강봉(40)을 더 포함하여 구성된다. 이때 다수의 기판척(20)은 일정한 간격으로 이격되어 서로 평행하게 배치된다.
상기 기판척(20)은 기판(1)과 대응되는 형상으로 제조되는 것이 바람직하지만, 이에 한정되지는 않는다. 그리고, 상기 기판척(20)에는 다수의 리프트핀(21)이 상하로 관통되어 구비된다. 이때 상기 리프트핀(21)의 상단은 다른 지점보다 외경을 크게 하여 기판척(20)에 형성되는 안착공(23)을 통과하지 못하도록 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 안착공(23)은 상기 리프트핀(21)의 상단 형상과 대응되도록 형성되어 상기 리프트핀(21)의 상단이 안착공(23)에서 지지될 때 리프트핀(21)의 상단이 기판척(20)의 상면보다 상부로 돌출되어 단차지지 않도록 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 본 실시예에서는 리프트핀(21)의 상단 및 안착공(23)의 형상을 뒤집힌 원추형으로 형성하였다.
그리고, 상기 기판척(20)에는 가열부재(미도시)가 내장되고, 상기 가열부재를 전기적으로 연결시키는 연결선(미도시)이 내장된다. 또한, 상기 기판척(20)은 챔버(10) 외부로 접지를 시키는 것이 바람직하다. 상기 가열부재는 상기 기판척(20)을 가열할 수 있으면 어떠한 방식이 채택되어도 무방하다. 예를 들어 코일타입 또는 봉타입의 전열선이 내장되고, 상기 연결선과 연결된다.
또한, 상기 기판척(20)의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 지점에서 기판척(20)을 평행하게 연장하는 척 연장부(25)가 형성된다. 그래서, 상기 연결선은 상기 척 연장부(25) 쪽으로 배선되도록 연장되어 후술되는 척 소켓(31)과 연결되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 바람직한 실시예로 상기 척 연장부(25)를 한 지 점에서 형성하여 상기 기판척(20)의 가장자리를 한 지점에서 지지하도록 하였다.
척 지지부재(30)는 상기 기판척(20)의 가장자리를 지지하는 수단으로서, 바람직하게는 세라믹 재질로 제작되어 상기 척 연장부(25)의 상면 및 하단에 맞대어져서 조립 또는 접합 되도록 다수개 구비된다.
본 실시예에서는 최상부에 척 지지부재(30)를 마련하고, 그 하면에 기판척(20)과 척 지지부재(30)를 교번하여 적층되도록 배치하였다. 바람직하게는 상기 척 연장부(25)와 척 지지부재(30)가 교번되어 적층된다. 그리고, 상부에 배치되는 척 지지부재(30)와 하부에 배치되는 기판척(20)은 링타입의 커플러(37)를 이용하여 조립하고, 조립 부위에는 조립 부위의 내부와 외부의 실링을 위하여 패킹부재(80)가 삽입된다. 도면의 미설명 부호인 "81"은 패킹부재가 안착되는 패킹홈으로서, 상기 척 연장부(25)에 형성된다.
그리고 본 실시예에서는 상부에 배치되는 기판척(20)과 하부에 배치되는 척 지지부재(30)는 이종 접합 및 세라믹 접합에 사용되는 브레이징(brazing) 용접으로 접합하였지만, 브레이징 용접되는 지점도 전술된 바와 같이 링타입의 커플러를 이용하여 조립하고, 조립 부위에는 패킹부재(80)를 삽입하여 실링할 수 있다.
척 승강봉(40)은 상기 기판척(20)과 척 지지부재(30)를 일체로 지지하면서 승하강시키고, 상기 기판척(20)에 내장된 연결선을 챔버(10) 외부로 연장하는 통로 역할을 하는 수단으로서, 일측이 상기 척 지지부재(30) 중 최하부에 배치되는 척 지지부재(30)에 조립된다. 이때 상기 척 지지부재(30)와 척 승강봉(40)의 조립 부위에도 상기 패킹부재(80)가 구비되어 조립 부위를 실링시킨다. 그리고, 타측이 챔 버(10)의 외측으로 연장된다. 그래서, 상기 척 승강봉(40)의 타측에는 승하강을 위한 구동수단(미도시)과 연결되는 구동연결 플랜지(47)가 더 구비된다. 그래서 상기 구동연결 플랜지(47)가 구동수단에 의해 승하강 되면서 일체로 상기 척 승강봉(40), 척 지지부재(30) 및 기판척(20)을 승하강시킨다.
상기 구동수단은 상기 척 승강봉(40)을 승하강시킬 수 있다면 어떠한 방식이 사용되어도 무방하고, 예를 들어 LM가이드식, 실린더식, 래크앤피니언식 등이 사용될 수 있을 것이다.
또한, 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 척 승강봉(40)과 챔버(10) 사이에서 진공 기밀을 유지하기 위하여 상기 챔버(10)와 상기 구동연결 플랜지(47) 사이에는 신축가능한 벨로우즈(bellows)(48)가 구비된다.
그리고, 상기 기판척 조립체(100)의 조립 또는 분리를 위한 기계적인 탈착시 전기적인 연결의 탈착이 일체로 이루어질 수 있도록 다수의 전기연결 라인(200)이 구비된다.
상기 전기연결 라인(200)은 상기 다수의 척 지지부재(30)에 구비되는 다수의 척 소켓(31)과, 상기 척 지지부재(30) 중 어느 하나에 구비되어 다수의 척 소켓(31)과 보조 연결선(35)을 통해 연결되는 제1커넥터(33)와, 상기 척 승강봉(40)에 구비되어 다수의 연장 연결선(45)을 통해 연결되는 제2커넥터(41) 및 제3커넥터(43)를 포함하여 구성된다.
상기 척 소켓(31)은 상기 기판척(20)에 구비되는 연결선을 전기적으로 연결시키기 위한 수단으로서, 상기 척 소켓(31)은 상기 가열부재에 연결되는 연결선과 전기적으로 연결된다면 어떠한 형식으로 구비되어도 무방하다. 예를 들어 본 실시예에서는 상기 보조 연결선(35)의 일단이 척 소켓(31)의 내부로 인입되어 연결되는 구조를 채택하였다.
그리고, 상기 척 지지부재(30) 중 최하부에 배치되는 척 지지부재(30)의 하부에는 상기 제1커넥터(33)가 구비된다. 이때 상기 보조 연결선(35)은 상기 척 연장부(25) 및 척 지지부재(30)를 관통하여 내장되고, 일단이 각각의 척 소켓(31)에 인입되어 연결되며, 타단이 상기 제1커넥터(33)에 인입되어 연결된다. 따라서, 척 연장부(25) 및 척 지지부재(30)에서는 상기 보조 연결선(35)이 관통되는 관통공(30a)이 상기 척 연장부(25) 및 척 지지부재(30)의 형상 및 개수에 대응하여 형성되는 것이 바람직하다. 상기 가열부재, 연결선, 척 소켓(31), 보조 연결선(35) 및 제1커넥터(33)는 절연체로 보호되는 것이 바람직하지만, 본 실시예에서는 기판척(20) 및 척 지지부재(30)를 절연체인 세라믹으로 제조함에 따라 절연체의 추가 구성을 생략할 수 있다.
그리고, 상기 척 승강봉(40)의 일단에는 상기 제1커넥터(33)와 접속되는 제2커넥터(41)가 구비되고, 타단에는 상기 제2커넥터(41)와 연결되어 외부와 전기적으로 접속하기 위한 제3커넥터(43)가 구비된다. 상기 제2커넥터(41)와 제3커넥터(43)는 연장 연결선(45)을 통해 연결되고, 상기 연장 연결선(45)은 척 승강봉(40)에 내장된다. 또한, 상기 연장 연결선(45)는 절연체(49)로 둘러싸여서 보호되는 것이 바람직하다.
따라서, 기판척 조립체(100)의 전기적인 연결은 기판척(20)에 내장된 가열부 재, 연결선, 척 소켓(31), 보조 연결선(35), 제1커넥터(33), 제2커넥터(41), 연장 연결선(45), 제3커넥터(43)가 순차적으로 연결되어 외부의 전원 공급수단(미도시)과 연결된다.
또한, 상기 기판척(20)과 척 지지부재(30)의 조립 또는 분리시에는 척 소켓(31)에서 보조 연결선(35)이 인입 또는 분리되거나, 보조 연결선(35)이 제1커넥터(33)에 인입 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하고, 척 지지부재(30)와 척 승강봉(40)의 조립 또는 분리시에는 제1커넥터(33)와 제2커넥터(41)가 조립 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하다.
공간분할 플레이트 조립체(300)는 상기 다수의 상하 층상으로 구비되는 다수의 공간분할 플레이트(50)와, 상기 다수의 공간분할 플레이트(50) 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재(60)와, 일측이 상기 플레이트 지지부재(60)에 연결되고, 타측이 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 플레이트 승강봉(70)을 더 포함하여 구성된다. 이때 다수의 공간분할 플레이트(50)는 일정한 간격으로 이격되어 서로 평행하게 배치된다.
공간분할 플레이트(50)는 다수의 기판(1)에 대하여 각각의 반응공간을 제공할 수 있도록 층상으로 배치되는 기판척(20) 사이에 배치되어 인접되는 기판척(20)의 반응공간을 구획하는 수단으로서, 상기 기판척(20)과 대응되는 형상으로 제조되는 것이 바람직하지만 이에 한정되지는 않는다.
상기 공간분할 플레이트(50)는 구획되는 반응공간에 플라즈마를 형성시키기 위하여 고주파 전력이 인가되는 전극(미도시)이 각각 내장되고, 상기 전극과 연결되는 연결선(미도시)이 내장된다. 이때 상기 전극과 연결되는 연결선은 후술되는 전기연결 라인(400a,400b,400c)을 통해 고주파 발생장치(90)와 각각 연결된다. 그래서, 서로 인접되는 위치에 배치되는 공간분할 플레이트(50)에 인가되는 고주파 전력의 주파수를 다르게 하여 상호 간에 주파수 간섭이 발생되지 않도록 한다.
이때 상기 다수의 공간분할 플레이트(50)에는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되도록 공급될 수 있다. 예를 들어 도면에 도시된 바와 같이 세 개의 공간분할 플레이트(50)가 적층되어 구비되었다면, 상부에서 하부 방향으로 각각 13.56MHz, 12.56MHz, 13.56MHz의 고주파 전력을 공간분할 플레이트(50)에 인가시킬 수 있다.
또한, 상기 공간분할 플레이트(50)는 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급될 수 있다. 예를 들어 상부에서 하부 방향으로 각각 12.56MHz, 13.56MHz, 14.56MHz 또는 그 역순의 고주파 전력을 공간분할 플레이트(50)에 인가시킬 수 있다.
고주파 전력의 주파수는 상기에서 제시한 실시예와 같이 교번되거나 순차적으로 증가 또는 감소하는 것에 제한되는 것은 아니고, 서로 다른 주파수의 적어도 두 가지 이상의 고주파 전력을 인가한다면 어떠하여도 무방하다.
또한, 상기 기판척(20)에 마련되는 척 연장부(25)와 마찬가지로 상기 공간분할 플레이트(50)의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 지점에서 공간분할 플레이트(50)를 평행하게 연장하는 플레이트 연장부(51)가 형성된다. 그래서, 상기 연결 선은 상기 플레이트 연장부(51) 쪽으로 배선되도록 연장되어 후술되는 플레이트 소켓(61)과 연결되는 것이 바람직하다. 상기 플레이트 연장부(51)는 상기 척 연장부(25)와 마찬가지로 한 위치에 형성하여 상기 공간분할 플레이트(50)의 가장자리를 한 지점에서 지지하도록 하였다.
플레이트 지지부재(60)는 상기 공간분할 플레이트(50)의 가장자리를 지지하는 수단으로서, 상기 척 지지부재(30)와 마찬가지로 세라믹 재질로 제작되어 상기 플레이트 연장부(51)의 상면 및 하단에 맞대어져서 조립 또는 접합 되도록 다수개 구비된다. 이때 상기 플레이트 지지부재(60)에는 상기 공간분할 플레이트(50)에 구비되는 연결선에 접속되는 플레이트 소켓(61)이 구비된다.
상기 플레이트 지지부재(60)의 형상, 배치, 조립방법 및 접합방법 등은 상기 척 지지부재(30)와 동일하게 적용되는바 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
다만, 상기 플레이트 지지부재(60) 중 최하부에 배치되는 플레이트 지지부재(60)에는 상기 공간분할 플레이트(50)와 대응되는 형상으로 그 상부에 배치되는 기판척(20)과 이격되어 대향 배치되는 보조 공간분할 플레이트(53)가 더 구비된다. 그래서 기판(1)의 로딩을 위하여 기판척(20)이 하강될 때 보조 공간분할 플레이트(53)의 상부에 위치하는 기판척(20)에 구비되는 리프트핀(21)의 하단이 보조 공간분할 플레이트(53)의 상면에 지지되도록 한다.
플레이트 승강봉(70)은 상기 공간분할 플레이트(50)와 플레이트 지지부재(60)를 일체로 지지하면서 승하강시키고, 상기 공간분할 플레이트(50)에 내장된 연결선을 챔버(10) 외부로 연장하는 통로 역할을 하는 수단으로서, 상기 척 승강 봉(40)과 마찬가지로 일측이 상기 플레이트 지지부재(60) 중 최하부에 배치되는 플레이트 지지부재(60)에 조립되고, 타측이 챔버(10)의 외측으로 연장된다. 그리고, 상기 플레이트 승강봉(70)의 타측에는 상기 척 승강봉(40)과 마찬가지로 승하강을 위한 구동연결 플랜지(77) 및 구동수단(미도시)이 더 구비된다. 그래서 상기 구동연결 플랜지(77)가 구동수단에 의해 승하강 되면서 일체로 상기 플레이트 승강봉(70), 플레이트 지지부재(60) 및 공간분할 플레이트(50)를 승하강시킨다.
또한, 상기 챔버(10)의 외부로 연장되는 플레이트 승강봉(70)과 챔버(10) 사이에서 진공 기밀을 유지하기 위하여 상기 챔버(10)와 상기 구동연결 플랜지(77) 사이에는 신축가능한 벨로우즈(bellows)(78)가 구비된다.
그리고, 상기 공간분할 플레이트 조립체(300)의 조립 또는 분리를 위한 기계적인 탈착시 전기적인 연결의 탈착이 일체로 이루어질 수 있도록 다수의 전기연결 라인(400a,400b,400c)이 구비된다.
상기 전기연결 라인(400a,400b,400c)은 상기 다수의 플레이트 지지부재(60)에 구비되는 다수의 플레이트 소켓(61)과, 상기 플레이트 지지부재(60) 중 어느 하나에 구비되어 다수의 플레이트 소켓(61)과 다수의 보조 연결선(65a,65b,65c)을 통해 연결되는 제4커넥터(63)와, 상기 플레이트 승강봉(70)에 구비되어 다수의 연장 연결선(75a,75b,75c)을 통해 연결되는 제5커넥터(71) 및 제6커넥터(73)를 포함하여 구성된다.
상기 플레이트 소켓(61)은 상기 공간분할 플레이트(50)에 내장되는 전극과 연결되는 연결선을 전기적으로 연결시키기 위한 수단으로서, 상기 플레이트 소 켓(61)은 상기 전극에 연결되는 연결선과 전기적으로 연결된다면 어떠한 형식으로 구비되어도 무방하다.
그리고, 상기 플레이트 지지부재(60) 중 최하부에 배치되는 플레이트 지지부재(60)의 하부에는 상기 다수의 플레이트 소켓(61)과 각각 보조 연결선(65a,65b,65c)으로 연결되는 제4커넥터(63)가 구비된다. 이때 상기 보조 연결선(65a,65b,65c)은 상기 플레이트 연장부(51) 및 척 지지부재(30)를 관통하여 내장되고, 일단이 상기 플레이트 소켓(61)에 인입되어 연결되며, 타단이 상기 제4커넥터(63)에 인입되어 연결된다. 따라서, 상기 플레이트 연장부(51) 및 플레이트 지지부재(60)에서는 상기 보조 연결선(65a,65b,65c)이 관통되는 관통공이 상기 플레이트 연장부(51) 및 플레이트 지지부재(60)의 형상 및 개수에 대응하여 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 플레이트 승강봉(70)의 일단에는 상기 제4커넥터(63)와 접속되는 제5커넥터(71)가 구비되고, 타단에는 상기 제5커넥터(71)와 연결되어 외부와 전기적으로 접속하기 위한 제6커넥터(73)가 구비된다. 상기 제5커넥터(71)와 제6커넥터(73)는 연장 연결선(75a,75b,75c)으로 연결되고, 상기 연장 연결선(75a,75b,75c)은 플레이트 승강봉(70)에 내장된다. 그리고 상기 연장 연결선(75a,75b,75c)도 절연체(79)로 보호되는 것이 바람직하다.
따라서, 공간분할 플레이트 조립체(300)의 전기적인 연결은 공간분할 플레이트(50)에 내장된 전극, 연결선, 플레이트 소켓(61), 보조 연결선(65a,65b,65c), 제4커넥터(63), 제5커넥터(71), 연장 연결선(75a,75b,75c), 제6커넥터(73)가 순차적 으로 연결되어 상기 고주파 발생장치(90)와 각각 연결된다.
또한, 상기 공간분할 플레이트(50)와 플레이트 지지부재(60)의 조립 또는 분리시에는 플레이트 소켓(61)에서 보조 연결선(65a,65b,65c)이 인입 또는 분리되거나 보조 연결선(65a,65b,65c)이 제4커넥터(63)에 인입 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하고, 플레이트 지지부재(60)와 플레이트 승강봉(70)의 조립 또는 분리시에는 제4커넥터(63)와 제5커넥터(71)가 조립 또는 분리되면서 기계적인 조립 및 분리와 일체로 전기적인 조립 및 분리가 가능하다.
상기 고주파 발생장치(90)는 상기 공간분할 플레이트(50)에 구비되는 전기연결 라인(400a,400b,400c)과 연결되어 상기 전극에 고주파 전력을 인가시키는 수단으로서, 상기 전기연결 라인(400a,400b,400c)에 고주파 전원(93)이 접속되고, 상기 고주파 전원(93)과 전극 사이에 정합기(91)가 설치된다.
상기 고주파 발생장치(90)는 하나가 구비되어 각각 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 발생시키거나, 사용되는 고주파 종류의 개수에 대응되는 만큼 구비되어 각각 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 발생시킬 수 있다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 공간분할 플레이트(50)에 원하는 주파수의 고주파 전력을 인가시킬 수 있다면 그 개수 및 방법은 어떠하여도 무방하다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 사용 상태를 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 사용상태를 나타내는 사용상태도이다.
도 5a에 도시된 바와 같이 먼저, 기판(1)의 로딩을 위하여 척 승강봉(40) 및 플레이트 승강봉(70)을 하강시켜 최상부에 배치되는 기판척(20)에 기판(1)을 로딩할 수 있는 지점에 위치시킨 상태에서 척 승강봉(40)을 더 하강시켜 리프트핀(21)이 공간분할 플레이트(50)의 상면에 지지되어 기판척(20) 상면으로 돌출되도록 한다. 이 상태에서 기판(1)을 로딩시켜 최상부에 배치되는 기판척(20)의 리프트핀(21) 상단에 안착시킨다. 그리고, 척 승강봉(40) 및 플레이트 승강봉(70)을 상승시켜 두번째 기판척(20)에 기판(1)을 로딩할 수 있는 지점에 위치시킨 상태에서 기판(1)을 로딩시켜 두번째 기판척(20)의 리프트핀(21) 상단에 안착시킨다. 이러한 과정을 반복하여 준비된 리프트핀(21)의 상단에 기판(1)을 모두 안착시킨다.
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이 플레이트 승강봉(70)은 고정시킨 상태에서 척 승강봉(40)을 상승시켜 기판척(20)에 기판(1)이 안착되도록 한 다음 척 승강봉(40)의 상승을 계속하여 공간분할 플레이트(50)와 기판(1)이 근접되도록 한다. 이때 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면 간의 간격은 플라즈마가 바람직하게 형성될 수 있는 간격을 유지하는 것이 바람직하다.
이렇게 기판척과 공간분할 플레이트(50)의 간격이 결정되었다면 도 5c에 도시된 바와 같이 척 승강봉(40)과 플레이트 승강봉(70)을 동시에 상승시켜 챔버(10)의 측벽에 구비되어 반응가스가 분사되는 분사공(15)이 구비된 지점까지 기판척(20) 및 공간분할 플레이트(50)를 상승시킨다.
이렇게 기판(1)이 반응위치에 위치되었다면, 챔버(10)를 밀폐시키고, 내부 분위기를 진공상태로 만든다. 이때 기판척(20)에 내장된 가열부재에 전원을 공급하여 기판척(20)을 가열한다.
이후, 도 5c에 도시된 바와 같이 챔버(10)의 측벽을 통하여 기판(1) 방향으로 반응가스를 분사하여 반응가스가 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면 사이에 분포하도록 한다.
이렇게 반응가스가 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면에 분포되면, 고주파 발생장치(90)를 작동시켜 공간분할 플레이트(50)에 내장된 전극에 고주파 전원을 인가한다. 이때 서로 인접되는 공간분할 플레이트에는 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 인가시킨다. 그러면 접지된 기판척(20)과 고주파 전원이 인가된 공간분할 플레이트(50)의 구성으로 인하여, 공간분할 플레이트(50)는 캐소드의 역할을 하게 되고, 기판척(20)은 애노드의 역할을 하게 되며, 캐소드 및 애노드 사이의 반응가스에 예를 들어 12.56 ㎒, 13.56 ㎒, 14.56 ㎒ 등의 서로 다른 주파수의 고주파가 인가되어 플라즈마가 생성된다. 그래서 기판(1)의 상면과 공간분할 플레이트(50)의 하면 사이에 플라즈마가 생성된다. 이렇게 생성된 플라즈마를 이용하여 박막의 증착 또는 식각 공정을 수행하게된다.
이렇게 서로 인접되는 공간분할 플레이트에 내장된 전극에 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 인가시킴에 따라 주파수의 상쇄 또는 보강과 같은 간섭작용이 최소화되어 균일한 고주파 전력의 인가가 가능한고 이에 따라 균일한 플라즈사의 생성을 보장할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이고,
도 2는 본 발명에 따른 기판 지지 장치의 요부를 나타내는 사시도이며,
도 3a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 분해 사시도이고,
도 3b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 분해 사시도이며,
도 4a는 본 발명에 따른 기판척 조립체를 나타내는 단면도이고,
도 4b는 본 발명에 따른 공간분할 플레이트 조립체를 나타내는 단면도이며,
도 5a 내지 5c는 본 발명에 따른 배치식 기판 처리 장치의 사용상태를 나타내는 사용상태도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 10: 챔버
20: 기판척 21: 리프트핀
25: 척 연장부 30: 척 지지부재
31: 척 소켓 40: 척 승강봉
50: 공간분할 플레이트 60: 플레이트 지지부재
61: 플레이트 소켓 67: 커플러
70 : 플레이트 승강봉 80: 패킹부재
81: 패킹홈 90: 고주파 발생장치
91: 정합기 93: 고주파 전원
33,41,43,63,71,73: 커넥터
35,65a,65b,65c: 보조 연결선 45,75a,75b,75c: 연장 연결선
47,77: 구동연결 플랜지 48,79: 벨로우즈
49,79: 절연체 100: 기판척 조립체
300: 공간분할 플레이트 조립체
200,400a,400b,400c: 전기연결 라인

Claims (14)

  1. 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척과;
    상기 각각의 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트를 포함하고,
    서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 인가되는 고주파 전력은 서로 다른 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 지지 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되어 인가되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 지지 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 지지 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 공간분할 플레이트 가장자리에 각각 연장 형성되는 플레이트 연 장부와;
    상기 다수의 플레이트 연장부를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재와;
    상기 플레이트 지지부재에 연결되어 상기 공간분할 플레이트와 플레이트 지지부재를 일체로 지지하면서 승하강시키는 플레이트 승강봉을 더 포함하고,
    상기 플레이트 연장부, 지지부재 및 승강봉에는 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인이 내장되고, 상기 전기연결 라인들은 고주파 발생장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 지지 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 기판척은 접지 연결되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 지지 장치.
  6. 챔버와;
    상기 챔버 내에 상하 적층되어 기판이 안착되는 다수의 기판척이 구비되는 기판척 조립체와;
    상기 기판척과 이격되어 대향 배치되고, 고주파 전력이 인가되는 전극이 각각 내장되는 다수의 공간분할 플레이트가 구비되는 공간분할 플레이트 조립체와;
    상기 공간분할 플레이트 조립체에 구비되어 상기 다수의 전극에 각각 연결되는 다수의 전기연결 라인과;
    상기 챔버에 반응가스를 공급하는 가스공급수단과;
    상기 챔버의 외부에 구비되어 서로 인접되는 공간분할 플레이트의 전극에 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력이 교번되도록 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 다수의 공간분할 플레이트는 적층되는 순서에 따라 순차적으로 증가 또는 감소되는 주파수를 갖는 고주파 전력이 공급되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 기판척 조립체는,
    상기 다수의 기판척 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 척 지지부재와;
    일측이 상기 척 지지부재에 연결되고, 타측이 상기 챔버의 외부로 연장되는 척 승강봉을 더 포함하고,
    상기 기판척의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 척 연장부가 형성되어 상기 척 지지부재와 척 연장부가 교번되어 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 공간분할 플레이트 조립체는,
    상기 다수의 공간분할 플레이트 가장자리를 일체로 지지하는 다수의 플레이트 지지부재와;
    일측이 상기 플레이트 지지부재에 연결되고, 타측이 상기 챔버의 외부로 연장되는 플레이트 승강봉을 더 포함하고,
    상기 공간분할 플레이트의 가장자리에는 적어도 하나 이상의 플레이트 연장부가 형성되어 상기 플레이트 지지부재와 플레이트 연장부가 교번되어 조립되고, 상기 다수의 전기연결 라인은 상기 플레이트 연장부, 플레이트 지지부재 및 플레이트 승강봉에 내장되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 전기연결 라인은,
    상기 플레이트 지지부재에 구비되어 상기 플레이트 지지부재에 대응되는 공간분할 플레이트에 구비되는 전극에 연결되는 다수의 플레이트 소켓과;
    상기 플레이트 지지부재 중 상기 플레이트 승강봉과 대면되는 부위에 구비되어 상기 다수의 플레이트 소켓과 다수의 보조 연결선을 통해 연결되는 제4커넥터와;
    상기 플레이트 승강봉의 일단에 구비되어 상기 제4커넥터와 접속되는 제5커넥터와;
    상기 플레이트 승강봉의 타단에 구비되어 상기 제5커넥터와 다수의 연장 연결선을 통해 연결되고, 상기 고주파 발생장치와 전기적으로 접속하기 위한 제6커넥터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제 6항에 있어서,
    상기 고주파 발생장치는 각각 서로 다른 주파수를 갖는 고주파 전력을 발생시키거나, 사용되는 고주파 종류의 개수에 대응되는 만큼 구비되어 각각 서로 다른 주파수의 고주파 전력을 발생시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제 6항에 있어서
    상기 챔버의 외부에는 상기 기판척 조립체 및 공간분할 플레이트 조립체에 각각 연결되어 승하강시키는 구동수단이 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제 6항에 있어서, 상기 가스공급수단은,
    상기 챔버 측벽으로 반응가스를 공급하도록 연결되는 가스공급관과;
    상기 가스공급관에서 분기되어 상기 챔버의 측벽 내측으로 형성되는 다수의 가스 분사공을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Cited By (260)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160012481A (ko) * 2014-07-24 2016-02-03 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치
US10720331B2 (en) 2016-11-01 2020-07-21 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10784102B2 (en) 2016-12-22 2020-09-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10787741B2 (en) 2014-08-21 2020-09-29 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US10804098B2 (en) 2009-08-14 2020-10-13 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10832903B2 (en) 2011-10-28 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10847371B2 (en) 2018-03-27 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US10844486B2 (en) 2009-04-06 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing reactor and components thereof
US10851456B2 (en) 2016-04-21 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10867786B2 (en) 2018-03-30 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112088428A (zh) * 2018-05-02 2020-12-15 应用材料公司 具有翘曲基板功能的批量基板支撑件
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US10914004B2 (en) 2018-06-29 2021-02-09 Asm Ip Holding B.V. Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10928731B2 (en) 2017-09-21 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same
US10934619B2 (en) 2016-11-15 2021-03-02 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10943771B2 (en) 2016-10-26 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US10950432B2 (en) 2017-04-25 2021-03-16 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device
USD913980S1 (en) 2018-02-01 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11001925B2 (en) 2016-12-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11004977B2 (en) 2017-07-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11056567B2 (en) 2018-05-11 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures
US11069510B2 (en) 2017-08-30 2021-07-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11094546B2 (en) 2017-10-05 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11094582B2 (en) 2016-07-08 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11101370B2 (en) 2016-05-02 2021-08-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11107676B2 (en) 2016-07-28 2021-08-31 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US11114294B2 (en) 2019-03-08 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOC layer and method of forming same
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11127589B2 (en) 2019-02-01 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11164955B2 (en) 2017-07-18 2021-11-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US11168395B2 (en) 2018-06-29 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
US11171025B2 (en) 2019-01-22 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11205585B2 (en) 2016-07-28 2021-12-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method of operating the same
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US11222772B2 (en) 2016-12-14 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11227789B2 (en) 2019-02-20 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11233133B2 (en) 2015-10-21 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11242598B2 (en) 2015-06-26 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11251040B2 (en) 2019-02-20 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same
US11251068B2 (en) 2018-10-19 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11282698B2 (en) 2019-07-19 2022-03-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11469098B2 (en) 2018-05-08 2022-10-11 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11476109B2 (en) 2019-06-11 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
US11482418B2 (en) 2018-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and apparatus
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11488854B2 (en) 2020-03-11 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11488819B2 (en) 2018-12-04 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning substrate processing apparatus
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11495459B2 (en) 2019-09-04 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11501956B2 (en) 2012-10-12 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11499226B2 (en) 2018-11-02 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
US11515187B2 (en) 2020-05-01 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US11515188B2 (en) 2019-05-16 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11521851B2 (en) 2020-02-03 2022-12-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures including a vanadium or indium layer
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11527400B2 (en) 2019-08-23 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane
US11530483B2 (en) 2018-06-21 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US11530876B2 (en) 2020-04-24 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US11551925B2 (en) 2019-04-01 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method for manufacturing a semiconductor device
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587821B2 (en) 2017-08-08 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
US11605528B2 (en) 2019-07-09 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method
US11610775B2 (en) 2016-07-28 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11610774B2 (en) 2019-10-02 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
US11615970B2 (en) 2019-07-17 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Radical assist ignition plasma system and method
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
US11626316B2 (en) 2019-11-20 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure
US11626308B2 (en) 2020-05-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Laser alignment fixture for a reactor system
US11629407B2 (en) 2019-02-22 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
US11637011B2 (en) 2019-10-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11646197B2 (en) 2018-07-03 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US11646184B2 (en) 2019-11-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11644758B2 (en) 2020-07-17 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US11646204B2 (en) 2020-06-24 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a layer provided with silicon
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11649546B2 (en) 2016-07-08 2023-05-16 Asm Ip Holding B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US11658030B2 (en) 2017-03-29 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11658035B2 (en) 2020-06-30 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11658029B2 (en) 2018-12-14 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same
US11664267B2 (en) 2019-07-10 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US11664199B2 (en) 2018-10-19 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11664245B2 (en) 2019-07-16 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11674220B2 (en) 2020-07-20 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing molybdenum layers using an underlayer
US11676812B2 (en) 2016-02-19 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions
US11680839B2 (en) 2019-08-05 2023-06-20 Asm Ip Holding B.V. Liquid level sensor for a chemical source vessel
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US11688603B2 (en) 2019-07-17 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium structures
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11705333B2 (en) 2020-05-21 2023-07-18 Asm Ip Holding B.V. Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
US11725277B2 (en) 2011-07-20 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US11735422B2 (en) 2019-10-10 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US11742189B2 (en) 2015-03-12 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11767589B2 (en) 2020-05-29 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11781221B2 (en) 2019-05-07 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Chemical source vessel with dip tube
US11802338B2 (en) 2017-07-26 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US11804364B2 (en) 2020-05-19 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11810788B2 (en) 2016-11-01 2023-11-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US11814747B2 (en) 2019-04-24 2023-11-14 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly
US11823876B2 (en) 2019-09-05 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11823866B2 (en) 2020-04-02 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11830738B2 (en) 2020-04-03 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device
US11828707B2 (en) 2020-02-04 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for transmittance measurements of large articles
US11827981B2 (en) 2020-10-14 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material on stepped structure
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11840761B2 (en) 2019-12-04 2023-12-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
US11873557B2 (en) 2020-10-22 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing vanadium metal
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US11885023B2 (en) 2018-10-01 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same
US11885020B2 (en) 2020-12-22 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Transition metal deposition method
US11887857B2 (en) 2020-04-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element
US11891696B2 (en) 2020-11-30 2024-02-06 Asm Ip Holding B.V. Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
US11901179B2 (en) 2020-10-28 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and device for depositing silicon onto substrates
US11915929B2 (en) 2019-11-26 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
US11923181B2 (en) 2019-11-29 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing
US11923190B2 (en) 2018-07-03 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11929251B2 (en) 2019-12-02 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
US11961741B2 (en) 2020-03-12 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Method for fabricating layer structure having target topological profile
US11959168B2 (en) 2020-04-29 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Solid source precursor vessel
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
US11976359B2 (en) 2020-01-06 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same
US11986868B2 (en) 2020-02-28 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. System dedicated for parts cleaning
US11987881B2 (en) 2020-05-22 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11993843B2 (en) 2017-08-31 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11996309B2 (en) 2019-05-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
US12006572B2 (en) 2019-10-08 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
US12020934B2 (en) 2020-07-08 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12027365B2 (en) 2020-11-24 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap and related systems and devices
US12033885B2 (en) 2020-01-06 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Channeled lift pin
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US12051567B2 (en) 2020-10-07 2024-07-30 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit
US12057314B2 (en) 2020-05-15 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors
US12074022B2 (en) 2020-08-27 2024-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
US12087586B2 (en) 2020-04-15 2024-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer
US12106944B2 (en) 2020-06-02 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Rotating substrate support
US12107005B2 (en) 2020-10-06 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Deposition method and an apparatus for depositing a silicon-containing material
US12112940B2 (en) 2019-07-19 2024-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US12125700B2 (en) 2020-01-16 2024-10-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming high aspect ratio features
US12129545B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Precursor capsule, a vessel and a method
US12131885B2 (en) 2020-12-22 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Plasma treatment device having matching box

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0644554B2 (ja) * 1984-03-28 1994-06-08 株式会社富士電機総合研究所 プラズマｃｖｄ装置
KR100433032B1 (ko) 2000-08-04 2004-05-24 주식회사 선익시스템 포토레지스터 애싱 장치
JP2006269591A (ja) 2005-03-23 2006-10-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置

Cited By (316)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10844486B2 (en) 2009-04-06 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing reactor and components thereof
US10804098B2 (en) 2009-08-14 2020-10-13 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US11725277B2 (en) 2011-07-20 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10832903B2 (en) 2011-10-28 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Process feed management for semiconductor substrate processing
US11501956B2 (en) 2012-10-12 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US11967488B2 (en) 2013-02-01 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR20160012481A (ko) * 2014-07-24 2016-02-03 주식회사 테라세미콘 배치식 기판처리 장치
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10787741B2 (en) 2014-08-21 2020-09-29 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US11795545B2 (en) 2014-10-07 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US11742189B2 (en) 2015-03-12 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11242598B2 (en) 2015-06-26 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US11233133B2 (en) 2015-10-21 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11956977B2 (en) 2015-12-29 2024-04-09 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US11676812B2 (en) 2016-02-19 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10851456B2 (en) 2016-04-21 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US11101370B2 (en) 2016-05-02 2021-08-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US11749562B2 (en) 2016-07-08 2023-09-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11094582B2 (en) 2016-07-08 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition method to form air gaps
US11649546B2 (en) 2016-07-08 2023-05-16 Asm Ip Holding B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US11610775B2 (en) 2016-07-28 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11205585B2 (en) 2016-07-28 2021-12-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method of operating the same
US11107676B2 (en) 2016-07-28 2021-08-31 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11694892B2 (en) 2016-07-28 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10943771B2 (en) 2016-10-26 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10720331B2 (en) 2016-11-01 2020-07-21 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US11810788B2 (en) 2016-11-01 2023-11-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10934619B2 (en) 2016-11-15 2021-03-02 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11396702B2 (en) 2016-11-15 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit
US11222772B2 (en) 2016-12-14 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11970766B2 (en) 2016-12-15 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US12000042B2 (en) 2016-12-15 2024-06-04 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11851755B2 (en) 2016-12-15 2023-12-26 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11001925B2 (en) 2016-12-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11251035B2 (en) 2016-12-22 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10784102B2 (en) 2016-12-22 2020-09-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US12043899B2 (en) 2017-01-10 2024-07-23 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US12106965B2 (en) 2017-02-15 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11410851B2 (en) 2017-02-15 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US11658030B2 (en) 2017-03-29 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10950432B2 (en) 2017-04-25 2021-03-16 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11976361B2 (en) 2017-06-28 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US11695054B2 (en) 2017-07-18 2023-07-04 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US11164955B2 (en) 2017-07-18 2021-11-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures
US11004977B2 (en) 2017-07-19 2021-05-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11802338B2 (en) 2017-07-26 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US11587821B2 (en) 2017-08-08 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11417545B2 (en) 2017-08-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11581220B2 (en) 2017-08-30 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11069510B2 (en) 2017-08-30 2021-07-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11993843B2 (en) 2017-08-31 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US10928731B2 (en) 2017-09-21 2021-02-23 Asm Ip Holding B.V. Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11387120B2 (en) 2017-09-28 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US12033861B2 (en) 2017-10-05 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11094546B2 (en) 2017-10-05 2021-08-17 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US12040184B2 (en) 2017-10-30 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11682572B2 (en) 2017-11-27 2023-06-20 Asm Ip Holdings B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11501973B2 (en) 2018-01-16 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11393690B2 (en) 2018-01-19 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US12119228B2 (en) 2018-01-19 2024-10-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition method
US11972944B2 (en) 2018-01-19 2024-04-30 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD913980S1 (en) 2018-02-01 2021-03-23 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11735414B2 (en) 2018-02-06 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11387106B2 (en) 2018-02-14 2022-07-12 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11482418B2 (en) 2018-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and apparatus
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11939673B2 (en) 2018-02-23 2024-03-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US12020938B2 (en) 2018-03-27 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US10847371B2 (en) 2018-03-27 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11398382B2 (en) 2018-03-27 2022-07-26 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10867786B2 (en) 2018-03-30 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112088428A (zh) * 2018-05-02 2020-12-15 应用材料公司 具有翘曲基板功能的批量基板支撑件
US11469098B2 (en) 2018-05-08 2022-10-11 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US11056567B2 (en) 2018-05-11 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures
US11908733B2 (en) 2018-05-28 2024-02-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11361990B2 (en) 2018-05-28 2022-06-14 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by using the same
US11837483B2 (en) 2018-06-04 2023-12-05 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11296189B2 (en) 2018-06-21 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11530483B2 (en) 2018-06-21 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing system
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11952658B2 (en) 2018-06-27 2024-04-09 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US11814715B2 (en) 2018-06-27 2023-11-14 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10914004B2 (en) 2018-06-29 2021-02-09 Asm Ip Holding B.V. Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device
US11168395B2 (en) 2018-06-29 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US11923190B2 (en) 2018-07-03 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11646197B2 (en) 2018-07-03 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11274369B2 (en) 2018-09-11 2022-03-15 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition method
US11804388B2 (en) 2018-09-11 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11885023B2 (en) 2018-10-01 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11414760B2 (en) 2018-10-08 2022-08-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same
US11664199B2 (en) 2018-10-19 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11251068B2 (en) 2018-10-19 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and substrate processing method
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11735445B2 (en) 2018-10-31 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11499226B2 (en) 2018-11-02 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11866823B2 (en) 2018-11-02 2024-01-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US11798999B2 (en) 2018-11-16 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11411088B2 (en) 2018-11-16 2022-08-09 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11244825B2 (en) 2018-11-16 2022-02-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
US11488819B2 (en) 2018-12-04 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Method of cleaning substrate processing apparatus
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11769670B2 (en) 2018-12-13 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11658029B2 (en) 2018-12-14 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same
US11959171B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11390946B2 (en) 2019-01-17 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11171025B2 (en) 2019-01-22 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11127589B2 (en) 2019-02-01 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11615980B2 (en) 2019-02-20 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11798834B2 (en) 2019-02-20 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
US11251040B2 (en) 2019-02-20 2022-02-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same
US11227789B2 (en) 2019-02-20 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
US11629407B2 (en) 2019-02-22 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method for processing substrates
US11901175B2 (en) 2019-03-08 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11114294B2 (en) 2019-03-08 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOC layer and method of forming same
US11424119B2 (en) 2019-03-08 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
US11378337B2 (en) 2019-03-28 2022-07-05 Asm Ip Holding B.V. Door opener and substrate processing apparatus provided therewith
US11551925B2 (en) 2019-04-01 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method for manufacturing a semiconductor device
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11814747B2 (en) 2019-04-24 2023-11-14 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly
US11781221B2 (en) 2019-05-07 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Chemical source vessel with dip tube
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
US11355338B2 (en) 2019-05-10 2022-06-07 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method
US11996309B2 (en) 2019-05-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
US11515188B2 (en) 2019-05-16 2022-11-29 Asm Ip Holding B.V. Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
US11345999B2 (en) 2019-06-06 2022-05-31 Asm Ip Holding B.V. Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas
US11476109B2 (en) 2019-06-11 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
US11908684B2 (en) 2019-06-11 2024-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
US11746414B2 (en) 2019-07-03 2023-09-05 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11390945B2 (en) 2019-07-03 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same
US11605528B2 (en) 2019-07-09 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method
US11664267B2 (en) 2019-07-10 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US12107000B2 (en) 2019-07-10 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate support assembly and substrate processing device including the same
US11996304B2 (en) 2019-07-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11664245B2 (en) 2019-07-16 2023-05-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US11688603B2 (en) 2019-07-17 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium structures
US11615970B2 (en) 2019-07-17 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Radical assist ignition plasma system and method
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US12129548B2 (en) 2019-07-18 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
US12112940B2 (en) 2019-07-19 2024-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11282698B2 (en) 2019-07-19 2022-03-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
US11430640B2 (en) 2019-07-30 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11443926B2 (en) 2019-07-30 2022-09-13 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11876008B2 (en) 2019-07-31 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11680839B2 (en) 2019-08-05 2023-06-20 Asm Ip Holding B.V. Liquid level sensor for a chemical source vessel
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
US11639548B2 (en) 2019-08-21 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US12040229B2 (en) 2019-08-22 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11898242B2 (en) 2019-08-23 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film
US11827978B2 (en) 2019-08-23 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
US11527400B2 (en) 2019-08-23 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane
US12033849B2 (en) 2019-08-23 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane
US11495459B2 (en) 2019-09-04 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer
US11823876B2 (en) 2019-09-05 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US11610774B2 (en) 2019-10-02 2023-03-21 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process
US11339476B2 (en) 2019-10-08 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device having connection plates, substrate processing method
US12006572B2 (en) 2019-10-08 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same
US11735422B2 (en) 2019-10-10 2023-08-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a photoresist underlayer and structure including same
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
US11637011B2 (en) 2019-10-16 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Method of topology-selective film formation of silicon oxide
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
US11315794B2 (en) 2019-10-21 2022-04-26 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching films
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
US11626316B2 (en) 2019-11-20 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure
US11915929B2 (en) 2019-11-26 2024-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
US11401605B2 (en) 2019-11-26 2022-08-02 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11646184B2 (en) 2019-11-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11923181B2 (en) 2019-11-29 2024-03-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing
US11929251B2 (en) 2019-12-02 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method
US11840761B2 (en) 2019-12-04 2023-12-12 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
US12119220B2 (en) 2019-12-19 2024-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11976359B2 (en) 2020-01-06 2024-05-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same
US12033885B2 (en) 2020-01-06 2024-07-09 Asm Ip Holding B.V. Channeled lift pin
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US12125700B2 (en) 2020-01-16 2024-10-22 Asm Ip Holding B.V. Method of forming high aspect ratio features
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
US11521851B2 (en) 2020-02-03 2022-12-06 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures including a vanadium or indium layer
US11828707B2 (en) 2020-02-04 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for transmittance measurements of large articles
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11986868B2 (en) 2020-02-28 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. System dedicated for parts cleaning
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
US11488854B2 (en) 2020-03-11 2022-11-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11837494B2 (en) 2020-03-11 2023-12-05 Asm Ip Holding B.V. Substrate handling device with adjustable joints
US11961741B2 (en) 2020-03-12 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Method for fabricating layer structure having target topological profile
US11823866B2 (en) 2020-04-02 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US11830738B2 (en) 2020-04-03 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device
US11437241B2 (en) 2020-04-08 2022-09-06 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US12087586B2 (en) 2020-04-15 2024-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
US11530876B2 (en) 2020-04-24 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US11887857B2 (en) 2020-04-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element
US12130084B2 (en) 2020-04-24 2024-10-29 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply
US11959168B2 (en) 2020-04-29 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Solid source precursor vessel
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US11798830B2 (en) 2020-05-01 2023-10-24 Asm Ip Holding B.V. Fast FOUP swapping with a FOUP handler
US11626308B2 (en) 2020-05-13 2023-04-11 Asm Ip Holding B.V. Laser alignment fixture for a reactor system
US12057314B2 (en) 2020-05-15 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for silicon germanium uniformity control using multiple precursors
US11804364B2 (en) 2020-05-19 2023-10-31 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus
US11705333B2 (en) 2020-05-21 2023-07-18 Asm Ip Holding B.V. Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same
US11987881B2 (en) 2020-05-22 2024-05-21 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide
US11767589B2 (en) 2020-05-29 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing device
US12106944B2 (en) 2020-06-02 2024-10-01 Asm Ip Holding B.V. Rotating substrate support
US11646204B2 (en) 2020-06-24 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a layer provided with silicon
US11658035B2 (en) 2020-06-30 2023-05-23 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12020934B2 (en) 2020-07-08 2024-06-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
US12055863B2 (en) 2020-07-17 2024-08-06 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US11644758B2 (en) 2020-07-17 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Structures and methods for use in photolithography
US11674220B2 (en) 2020-07-20 2023-06-13 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing molybdenum layers using an underlayer
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
US12074022B2 (en) 2020-08-27 2024-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming patterned structures using multiple patterning process
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
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US12027365B2 (en) 2020-11-24 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap and related systems and devices
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