KR20090086295A - 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법 및 플라스마 디스플레이 장치 - Google Patents

플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법 및 플라스마 디스플레이 장치 Download PDF

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KR20090086295A
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야스노부 하시모토
도모카츠 기시
가츠미 이토
다카유키 고바야시
신스케 다나카
마코토 이시이
준이치 구마가이
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가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명은 표시 데이터에 의거하여 점등시켜야 할 셀을 확실히 점등시킬 수 있는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
온셀 리셋시에, 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 전체 셀 리셋시에 Y전극에 인가되는 플러스 극성의 둔파(鈍波)의 도달 전압보다 작은 도달 전압의 플러스 극성의 둔파를 Y전극에 인가하도록 하여, 이전의 서브필드에서 비점등이고, 인접 셀로부터의 영향에 의해 벽전하가 감소한 셀에서 미약 방전을 발생시켜서 벽전하 상태를 정상 상태로 되돌릴 수 있게 한다.
Figure P1020080103103
플라스마 디스플레이 패널, 어드레스 전극, 서스테인 회로, 서브필드

Description

플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법 및 플라스마 디스플레이 장치{DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY APPARATUS AND PLASMA DISPLAY APPARATUS}
본 발명은, 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법 및 플라스마 디스플레이 장치에 관한 것이다.
플라스마 디스플레이 패널(PDP: Plasma Display Panel)의 구동에서, 1개의 필드는 복수의 서브필드로 구성되며, 어느 서브필드에서 셀을 점등시킬지를 선택함으로써 계조(階調) 표현이 실현되고 있다. 또한, 각 서브필드는, 전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 기간, 표시 데이터에 의거하여 벽전하 상태를 조정하여 점등시키고자 하는 셀의 선택을 행하는 어드레스 기간, 및 표시 데이터에 대응한 셀을 점등시키는(표시 데이터에 따라 선택된 셀을 방전 발광시키는) 서스테인 기간으로 구성된다.
또한, 일본 특허공개 2006-258924호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, 리셋 기간에 행하는 리셋 방전에는, 전체 셀 리셋(전체 셀 동시 리셋)과 온셀 리셋이 있다. 전체 셀 리셋은, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 점등시킨 셀 및 비점등의 셀의 양쪽의 셀, 즉 서스테인 방전의 유무에 상관없이 모든 셀에서 리셋 방전 이 행해진다. 온셀 리셋은, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 점등시킨 셀, 즉 서스테인 방전이 있던 셀에서만 리셋 방전이 행해진다.
종래의 플라스마 디스플레이 패널의 구동에서, 온셀 리셋은, 직전의 서브필드에서의 서스테인 방전에 의해 축적된 벽전하를, 어드레스 방전이 발생하기 쉬운 상태로 저감시키는(삭감하는) 리셋 방식이다. 종래의 온셀 리셋은, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 비점등의 셀에서의 벽전하 소실시에 대한 것은 고려되지 않았다.
예를 들면, 어느 서브필드에서, 제 1 셀이 비점등 셀이고 그 양쪽 인접한 제 2 셀 및 제 3 셀이 점등 셀인 경우, 어드레스 기간에서 제 2 셀 및 제 3 셀에 관한 전기력선에 의해 제 1 셀도 반분(半分) 전압이 걸려, 점등한 것 같은 상태가 된다. 그 때문에, 제 1 셀에서는 어드레스 방전을 발생시키기 위한 벽전하가 감소되어 버려, 다음 서브필드에서 제 1 셀을 점등시키려고 해도, 어드레스 방전을 발생할 수 없어 점등시킬 수 없게 되어버린다.
본 발명은, 표시 데이터에 의거하여 점등시켜야 할 셀을 확실히 점등시킬 수 있는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법은, 1필드가 복수의 서브필드로 이루어지며, 상기 서브필드가, 표시 데이터에 의거하여 점등시키려고 하는 셀을 선택하는 어드레스 기간과, 상기 어드레스 기간에 의해 선택된 셀을 방전 발광시키는 서스테인 기간을 갖는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법으로서, 상기 서브필드는, 전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 방전이 행해지는 기간이며, 상기 리셋 방전이 모든 셀에서 행해지는 제 1 리셋, 또는 상기 리셋 방전이 이전의 서브필드에서의 점등 셀을 포함하는 일부의 셀에서 행해지는 제 2 리셋을 행하는 리셋 기간을 더 포함하고, 상기 제 2 리셋을 행하는 경우에, 상기 서스테인 기간에서 표시 전극에 인가되는 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 상기 제 1 리셋에서 표시 전극에 인가되는 플러스 극성의 제 1 둔파(鈍波)의 도달 전압보다 작은 도달 전압의 플러스 극성의 제 2 둔파를 당해 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법은, 1필드가 복수의 서브필드로 이루어지며, 상기 서브필드가, 표시 데이터에 의거하여 점등시키려고 하는 셀을 선택하는 어드레스 기간과, 상기 어드레스 기간에 의해 선택된 셀을 방전 발광시키는 서스테인 기간을 갖는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법으로서, 상기 서브필드는, 전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 방전이 행해지는 기간이며, 상기 리셋 방전이 모든 셀에서 행해지는 제 1 리셋, 또는 상기 리셋 방전이 이전의 서브필드에서의 점등 셀을 포함하는 일부의 셀에서 행해지는 제 2 리셋을 행하는 리셋 기간을 더 포함하고, 상기 제 2 리셋을 행하는 경우에, 상기 서스테인 기간에서 표시 전극에 인가되는 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 축적되어 있는 벽전하를 제 2 둔파의 전압에 추가한 전압이 표시 전극간의 방전 개시 전압을 초과하지 않는 도달 전압의 플러스 극성의 제 2 둔파를 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 플라스마 디스플레이 장치는, 1필드가 복수의 서브필드로 이루어지며, 상기 서브필드가, 표시 데이터에 의거하여 점등시키려고 하는 셀을 선택하는 어드레스 기간과, 상기 어드레스 기간에 의해 선택된 셀을 방전 발광시키는 서스테인 기간을 갖는 플라스마 디스플레이 장치로서, 상기 서브필드는 전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 방전이 행해지는 리셋 기간을 더 포함하며, 당해 리셋 기간에, 상기 리셋 방전이 모든 셀에서 행해지는 제 1 리셋, 또는 상기 리셋 방전이 이전의 서브필드에서의 점등 셀을 포함하는 일부의 셀에서 행해지는 제 2 리셋을 선택하여 실행하는 리셋 수단을 구비하고, 상기 리셋 수단은, 상기 제 2 리셋을 행하는 경우에, 상기 서스테인 기간에서 표시 전극에 인가되는 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 상기 제 1 리셋에서 표시 전극에 인가되는 플러스 극성의 제 1 둔파의 도달 전압보다 작은 도달 전압의 플러스 극성의 제 2 둔파를 당해 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 한다.
전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 방전이, 이전의 서브필드에서의 점등 셀을 포함하는 일부의 셀에서 행해지는 제 2 리셋을 행하는 경우에는, 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 리셋 방전이 모든 셀에서 행해지는 제 1 리셋에서의 제 1 둔파의 도달 전압보다 작은 도달 전압의 플러스 극성의 제 2 둔파를 인가함으로써, 이전의 서브필드에서 비점등이고, 인접 셀로부터의 영향에 의해 벽전하가 감소한 셀의 벽전하 상태를 정상인 상태로 되돌릴 수 있다. 따라서, 이전의 서브필드에서의 표시 상태에 관계없이, 다음 서브필드에서, 표시 데이터에 의거하여 점등시켜야 할 셀에서 어드레스 방전을 확실히 발생시켜서, 점등시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 의거하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 장치의 구성예를 나타낸 블록도이다. 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 장치는, 플라스마 디스플레이 패널(10), Y전극 드라이버(20), X전극 드라이버(30), 어드레스 드라이버(40), 중간조(中間調) 생성 회로(51), 서브필드 변환 회로(52), 표시 부하율 검출 회로(53), 리셋 설정 회로(54), 서스테인 펄스 수 설정 회로(55), 및 구동 신호 생성 회로(56)를 갖는다.
Y전극 드라이버(20)는, 표시 전극 중 Y전극(스캔 전극, 주사 전극)(Y1, Y2, …)을 구동하는 회로이며, 스캔 회로(21), 서스테인 회로(22), 및 리셋 회로(23)를 갖는다. 이하, Y전극(Y1, Y2, …)의 각각을 또는 그들의 총칭을 Y전극(Yi)이라고도 하며, i는 첨자를 의미한다.
스캔 회로(21)는 선(線) 순차 주사하여 표시해야 할 행을 선택하는 회로로 이루어지며, 서스테인 회로(22)는 서스테인 방전(유지 방전)을 반복하는 회로로 이루어지며, 리셋 회로(23)는 벽전하 상태를 초기화하는 회로로 이루어진다. 스캔 회로(21), 서스테인 회로(22), 및 리셋 회로(23)에 의해, 복수의 Y전극(Yi)에 소정의 전압이 공급된다.
스캔 회로(21)는 Y전극(Y1, Y2, …)에 각각 대응하는 복수의 스위치가 설치되어 있다. 스캔 회로(21)는 리셋 기간에서 리셋 회로(23)로부터의 리셋 전압이 전체 Y전극(Y1, Y2, …)에 동시에 인가되고, 어드레스 기간에서 Y전극(Y1, Y2, …) 에 스캔 펄스가 순차적으로 인가되고, 서스테인 기간에서 서스테인 회로(22)로부터의 서스테인 펄스(유지 방전 펄스)가 전체 Y전극(Y1, Y2, …)에 동시에 인가되도록 동작한다.
X전극 드라이버(30)는 표시 전극 중 X전극(유지 전극)(X1, X2, …)을 구동하는 회로로, 서스테인 회로(31)를 갖는다. 이하, X전극(X1, X2, …)의 각각을 또는 그들의 총칭을 X전극(Xi)이라고도 하며, i는 첨자를 의미한다. 서스테인 회로(31)는 서스테인 방전(유지 방전)을 반복하는 회로로 이루어지며, X전극(Xi)에 소정의 전압을 공급한다. X전극(Xi)은 일단이 X전극 드라이버(30)에 공통 접속되어 있다.
어드레스 드라이버(40)는, 표시해야 할 열을 선택하는 회로로 이루어지며, 복수의 어드레스 전극(A1, A2, …)에 소정의 전압을 공급한다. 이하, 어드레스 전극(A1, A2, …)의 각각을 또는 그들의 총칭을 어드레스 전극(Aj)이라고도 하며, j는 첨자를 의미한다.
중간조 생성 회로(51)는 디지털 형식의 영상 신호(S1)가 입력되고, 영상 신호(S1)를 한정된 점등 패턴으로 표시시키기 위해서, 오차 확산 처리나 디더 처리 등을 행하여 중간조를 생성한다. 서브필드 변환 회로(52)는 중간조 생성 회로(51)로부터 출력된 영상 신호에 의거하여 서브필드의 점등 패턴을 선택하고, 영상 신호를 그것에 따른 점등 패턴으로 변환한다. 서브필드 변환 회로(52)로부터 출력된 점등 패턴에 따라, 어드레스 드라이버(40)는, 각 화소에 대해서 점등시키는 서브필드를 선택하기 위한 어드레스 전극(Aj)에 인가하는 전압을 생성한다.
표시 부하율 검출 회로(53)는 서브필드 변환 회로(52)로부터 출력된 점등 패 턴을 기초로, 필드 마다의 표시 부하율을 연산한다. 표시 부하율은, 발광하는 화소수 및 그 발광하는 화소의 계조값에 의거하여 검출된다. 예를 들면, 화상의 전체 화소가 최대 계조값으로 표시되어 있는 경우에는 표시 부하율이 100%이다. 또한, 화상의 전체 화소가 최대 계조값의 1/2로 표시되어 있는 경우에는 표시 부하율이 50%이다. 또한, 화상의 반분(50%)의 화소만이 최대 계조값으로 표시되어 있는 경우에도 표시 부하율이 50%이다.
리셋 설정 회로(54)는, 다른 회로 등으로부터 공급되는 리셋 전압 제어 정보에 의거하여 리셋 기간에서 온셀 리셋의 실행시에 인가되는 저전압 리셋 펄스(저전압 둔파)의 도달 전위를 설정한다. 리셋 전압 제어 정보로서는, 예를 들면, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 인가된 서스테인 펄스 수, 어드레스 기간에서의 어드레스 폭(인가되는 스캔 펄스의 폭), 환경 온도, 누적 동작 시간 등이 있다.
서스테인 펄스 수 설정 회로(55)는 표시 부하율 검출 회로(53)에서 검출된 표시 부하율에 따라 전력 일정 제어에 의한 1필드의 총 서스테인 펄스 수를 연산한다. 또한, 서스테인 펄스 수 설정 회로(55)는 그 총 서스테인 펄스 수를 각 서브필드의 중량비가 되도록 분할하고, 필드 내의 각 서브필드에서 각 표시 라인에 대해서 인가하는 서스테인 펄스 수를 설정한다.
여기서, 전력 일정 제어는, 1필드의 표시 부하율에 따라 1필드의 총 서스테인 펄스 수가 제어된다. 표시 부하율에 관계없이, 1필드의 총 서스테인 펄스 수를 일정하게 하면, 표시 부하율이 클수록 전력이 커져버려, 열량이 증가하게 된다. 그 때문에, 1필드의 표시 부하율이 클 때에는, 1필드의 총 서스테인 펄스 수를 적 게 하도록 연산하여, 전력 일정 제어를 행한다.
구동 신호 생성 회로(56)는 리셋 설정 회로(54) 및 서스테인 펄스 수 설정 회로(55)의 출력에 따라, Y전극 드라이버(20) 및 X전극 드라이버(30)에 걸리는 구동 신호를 생성한다.
플라스마 디스플레이 패널(10)에서는, 표시 전극쌍을 구성하는 Y전극(Yi) 및 X전극(Xi)이 수평 방향으로 병렬로 연장되는 행을 형성하고, 어드레스 전극(Aj)이 수직 방향으로 연장되는 열을 형성한다. Y전극(Yi) 및 X전극(Xi)은 수직 방향으로 교대로 배치된다. 즉, Y전극(Yi) 및 X전극(Xi)은 서로 평행하게 배치되고, 어드레스 전극(Aj)은 Y전극(Yi) 및 X전극(Xi)에 대략 수직인 방향으로 배치된다. Y전극(Yi) 및 어드레스 전극(Aj)은 i행 j열의 2차원 행렬을 형성한다.
셀(Cij)은 Y전극(Yi) 및 어드레스 전극(Aj)의 교점 및 그것에 대응하여 인접하는 X전극(Xi)에 의해 형성된다. 또한, Y전극(Yi) 및 어드레스 전극(Aj)의 교점 및 그것에 대응하여 인접하는 X전극(Xi)에 의해 셀이 형성되는 동시에, Y전극(Yi) 및 어드레스 전극(Aj)의 교점 및 그것에 대응하여 인접하는 X전극 X(i+1)에 의해 셀이 형성되는 경우도 있다.
이 셀(Cij)이, 예를 들면, 적색, 녹색, 청색의 서브 픽셀에 대응하고, 이들 3색의 서브 픽셀로 1화소가 구성된다. 패널(10)은 2차원 배열된 복수의 화소의 점등에 의해 화상을 표시한다. Y전극 드라이버(20) 내의 스캔 회로(21)와 어드레스 드라이버(40)에 의해 어느 쪽의 셀을 점등시킬지를 결정하고, Y전극 드라이버(20) 내의 서스테인 회로(22)와 X전극 드라이버(30) 내의 서스테인 회로(31)에 의해 반 복하여 방전을 행함으로써 표시 동작이 행해진다.
도 2는 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 패널(10)의 구성예를 나타낸 분해 사시도이다.
전면(前面) 유리 기판(11) 위에, 버스 전극(금속 전극)(12)과 투명 전극(13)으로 이루어지는 표시 전극(서스테인 전극이라고도 함.)이 형성되어 있다. 표시 전극(12, 13)은, 도 1에 나타낸 Y전극(Yi) 및 X전극(Xi)에 대응한다. 표시 전극(12, 13) 위에는, 유전체층(14)이 설치되고, 또한 그 위에는, MgO(산화마그네슘) 보호막(15)이 설치되어 있다. 즉, 전면 유리 기판(11)에 배치된 표시 전극(12, 13)은, 유전체층(14)으로 덮여져 있고, 또한 그 표면이 MgO 보호막(15)으로 덮여져 있다.
전면 유리 기판(11)과 대향하여 배치된 배면 유리 기판(16) 위에, 표시 전극(12, 13)과 직교하는 방향으로(교차하도록) 어드레스 전극(17R, 17G, 17B)이 형성되어 있다. 어드레스 전극(17R, 17G, 17B)은, 도 1에 나타낸 어드레스 전극(Aj)에 대응한다. 어드레스 전극(17R, 17G, 17B) 위에는, 유전체층(18)이 설치된다.
또한, 유전체층(18) 위에는, 격자 형상으로 배치된, 즉 방전 공간을 셀마다 구획하는 폐쇄형의 격벽(리브)(19), 및 컬러 표시를 위한 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 가시광을 발광하는 형광체층(PR, PG, PB)이 형성되어 있다. 쌍을 이루는 표시 전극(12, 13)간의 면 방전으로 생기는 자외선에 의해 형광체층(PR, PG, PB)을 여기(勵起)하여 각 색이 발광한다.
격벽(19)은, 어드레스 전극(17R, 17G, 17B)이 연장되는 방향으로 형성된 종 격벽(세로 리브)과, 표시 전극(12, 13)이 연장되는 방향으로 형성된 횡격벽(가로 리브)으로 이루어진다. 즉, 본 실시예에 의한 플라스마 디스플레이 패널(10)은, 폐쇄형 격벽 구조를 갖는다.
형광체층(PR, PG, PB)은, 어드레스 전극(17R)의 상방에 적색으로 발광하는 형광체층(PR)이 형성되고, 어드레스 전극(17G)의 상방에 녹색으로 발광하는 형광체층(PG)이 형성되고, 어드레스 전극(17B)의 상방에 청색으로 발광하는 형광체층(PB)이 형성되어 있다. 환언하면, 셀 대응의 격벽(19) 내면에 도포되어 있는 적색, 녹색, 청색의 형광체층(PR, PG, PB)에 대응하도록 하여 어드레스 전극(17R, 17G, 17B)이 배치되어 있다.
플라스마 디스플레이 패널(10)은, 전면 유리 기판(11)과 배면 유리 기판(16)을, 보호막(15)과 격벽(19)이 접하도록 봉하고, 그 내부(전면 유리 기판(11)과 배면 유리 기판(16) 사이의 방전 공간)에 Ne-Xe 등의 방전 가스를 봉입하여 구성된다.
도 3은, 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 1개의 필드는, 복수의 서브필드(SF)로 구성된다. 도 3에서는 도면 작성의 편의상, 1개의 필드가 6개의 서브필드(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6)로 이루어지는 구성을 도시하고 있지만, 통상은 10개∼12개의 서브필드로 이루어지는 구성이 일반적이다.
각 서브필드(SF1∼SF6)는, 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 구성된다. 리셋 기간에서 전극상의 벽전하 상태를 초기화하고, 어드레스 기간에서 표시 데이터에 의거하여 벽전하 상태를 조정해서 점등시키려고 하는 셀을 선택하고, 서스테인 기간에서 표시 데이터에 대응한 셀을 점등시킨다(표시 데이터에 따라서 선택된 셀을 방전 발광시킴). 서브필드(SF1∼SF6)는, 휘도의 상대 비율에 따른 가중치가 부여되어, 어느 서브필드(SF1∼SF6)에서 점등시킬지를 선택함으로써, 계조 표현이 실현된다.
또한, 리셋 기간에서는, 표시 라인의 모든 셀에서 리셋 방전이 행해지는 전체 셀 리셋(RALL), 또는 이전의 서브필드의 서스테인 기간에서 점등시킨 셀, 즉 서스테인 방전이 있었던 셀에서만 리셋 방전이 행해지도록 하는 온 셀 리셋(R0N)을 행한다. 도 3에는, 선두의 서브필드에서 전체 셀 리셋(RALL)을 행하고, 선두의 서브필드 이외의 서브필드에서 온셀 리셋(R0N)을 행하는 경우를 일례로서 나타내고 있다.
또한, 도 3에 나타낸 구동 방법은 일례이며, 이것에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 변형이 가능하다. 예를 들면, 본 실시예에서는 전체 셀 리셋(RALL)을 1필드에 1회 행하도록 하고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
도 4a 및 도 4b는, 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 장치의 구동 파형의 일례를 나타낸 도면이다. 도 4a에는, 1필드 중 1번째의 서브필드(선두의 서브필드)(SF1) 및 2번째의 서브필드(SF2)에서의 구동 파형을 나타내고, 도 4b에는, 도 4a에 이어지는, 3번째의 서브필드(SF3) 이후에서의 구동 파형을 나타내고 있다. 또한, 도 4a 및 도 4b에서, ADD는 어드레스 전극(Aj)에 관계되는 전압 파형, Y는 Y전극(Yi)에 관계되는 전압 파형, X는 X전극(Xi)에 관계되는 전압 파형을 나타내고 있다.
리셋 기간에서는, 셀(Cij)의 초기화를 행한다. 리셋 기간에서는, 표시 라인의 Y전극(Yi)에 플러스 극성의 둔파를 일제히 인가하여 형성하고, 계속해서 마이너스 극성의 둔파를 일제히 인가하여 셀(Cij)의 벽전하량을 조정한다. 상세하게는, 리셋 기간에서 인가하는 플러스 극성의 둔파로서, 선두의 서브필드(SF1)의 리셋 기간에서는, 표시 라인의 Y전극(Yi)에 도달 전압(Vs+Vw)의 리셋 펄스가 인가됨으로써, 각 표시 라인에 대해서 전체 셀 리셋(RALL)이 행해진다. 또한, 2번째의 서브필드(SF2) 이후의 각 리셋 기간에서는, 표시 라인의 Y전극(Yi)에 도달 전압(Vs+Vu)의 리셋 펄스(Vw>Vu로 함)가 인가됨으로써, 각 표시 라인에 대해서 온셀 리셋(RON)이 행해진다.
또한, 플러스 극성의 둔파란, 플러스의 경사를 갖는 파형이며, 인가 전압이 시간 경과와 함께 플러스 방향으로 연속적으로 변화하는 것이다. 또한, 마이너스 극성의 둔파란, 마이너스의 경사를 갖는 파형이며, 인가 전압이 시간 경과와 함께 마이너스 방향으로 연속적으로 변화하는 것이다. 둔파에서의 인가 전압의 변화율은, 일정해도 좋고, 경과 시간에 따라 변화해도 좋다.
어드레스 기간에서는, 표시 데이터에 의거하는 어드레스 지정에 의해 표시 라인의 각 셀(Cij)의 발광(점등) 또는 비발광(비점등)을 선택하는 스캔 동작을 행 한다. 어드레스 기간에서는, 표시 라인의 Y전극(Yi)에 순차적으로 스캔 펄스를 인가하고, 그 스캔 펄스에 대응해서 어드레스 전극(Aj)에 어드레스 펄스를 인가한다. 이에 따라, 어드레스 전극(Aj) 및 Y전극(Yi) 사이에 방전이 생기고, 이 방전에 의해 X전극(Xi) 및 Y전극(Yi)에 벽전하가 형성되어, 셀(Cij)의 발광 또는 비발광을 선택한다.
Y전극(Yi)의 스캔 펄스에 대응하여 어드레스 전극(Aj)의 어드레스 펄스가 생성되면, 그 Y전극(Yi) 및 X전극(Xi)과 어드레스 전극(Aj)에 의해 형성되는 셀(Cij) 의 발광이 선택된다. Y전극(Yi)의 스캔 펄스에 대응하여 어드레스 전극(Aj)의 어드레스 펄스가 생성되지 않으면, 그 Y전극(Yi) 및 X전극(Xi)과 어드레스 전극(Aj) 에 의해 형성되는 셀(Cij)의 발광이 선택되지 않고, 비발광이 선택된다.
서스테인 기간에서는, X전극(Xi) 및 Y전극(Yi)에 교대로 서스테인 펄스가 인가되고, 어드레스 기간에서 선택된 셀의 X전극(Xi) 및 Y전극(Yi) 사이에서 서스테인 방전을 행하고, 발광을 행한다.
여기서, 온셀 리셋(RON)에서 인가되는 플러스 극성의 둔파(리셋 펄스)의 도달 전압(Vs+Vu)은, 상술한 바와 같이 전체 셀 리셋(RALL)에서 인가되는 플러스 극성의 둔파(리셋 펄스)의 도달 전압(Vs+Vw)보다 작고, 또한 서스테인 펄스의 최대 전압(Vs)보다도 큰 전압으로 한다. 예를 들면, 본 실시예에서는 Vw를 180V로 하고, Vu는 그 반분 이하인 4OV로 한다.
더 상세하게는, 전압(Vs+Vu)은, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 비점 등의 셀 중, 인접하는 셀이 점등 셀이었기 때문에 벽전하가 감소하고, 종래라면 어드레스 방전이 발생할 수 없는(에러를 일으킴) 셀에서 미약 방전을 발생시키고, 벽전하가 감소하지 않은 비점등의 셀(정상인 비점등 셀)에서는 방전을 발생시키지 않는 전압으로 한다. 환언하면, 전압(Vs+Vu)은, X전극(Xi)과 Y전극(Yi) 사이의 전위차(축적되어 있는 벽전하를 고려한 후의 절대적인 전위차)가, 서스테인 펄스의 최대 전압(Vs)보다 크고, 방전 개시 전압(전체 셀이 흑색 표시인 경우의 방전 개시 전압)을 초과하지 않는 전압으로 한다.
이와 같이 본 실시예에서는, 온셀 리셋(RON)시에 도달 전압(Vs+Vu)의 플러스 극성의 둔파(리셋 펄스)를 인가한다. 이에 따라, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 비점등이고, 인접하는 셀로부터의 영향에 의해 벽전하가 감소한 셀에서는, 미약 방전을 발생시켜서 벽전하를 축적하여 정상인 상태로 되돌릴 수 있다. 또한, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 점등시킨 셀에서도, 미약 방전을 발생시키고, 어드레스 기간에서 반전한 벽전하를 재차 축적하여 어드레스 방전이 발생하기 쉬운 상태로 할 수 있다.
구체적으로는, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 비점등의 셀은, 정상인 경우(예를 들면, 흑색 표시)에서는 Y전극(Yi) 위에 마이너스의 벽전하를 갖는다. 이 때문에, Y전극(Yi)에 플러스 극성의 둔파(리셋 펄스)를 인가해도, 그 인가 전압에 마이너스의 벽전하를 추가한 벽전압으로 X전극(Xi)과 Y전극(Yi) 사이의 방전 개시 전압을 초과하지 않으면 방전되지 않는다. 직전의 서브필드의 서스테인 기간에 서, 비점등이고 또한 인접 셀이 점등한 셀에서는, 어드레스 전극(Aj) 위의 플러스 전하와 Y전극(Yi) 위의 마이너스 전하가 중화 소거되기 때문에, 플러스 극성의 둔파에서 방전을 개시하는 인가 전압이 하강한다. 따라서, 정상인 경우에는 방전되지 않는 도달 전압(Vs+Vu)의 플러스 극성의 둔파를 인가하면, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 비점등의 셀 중, 인접하는 셀의 영향 등에 의해 전하가 감소한 셀에서만 미약 방전이 발생하여, 벽전하를 정상인 상태로 되돌릴 수 있다.
따라서, 다음 서브필드에서, 표시 데이터에 의거하여 점등시켜야 할 셀에서 어드레스 방전을 확실히 발생시켜서, 점등시킬 수 있고, 오류 표시를 방지할 수 있다. 또한, 온셀 리셋(RON)시에 인가되는 도달 전압(Vs+Vu)의 둔파에서는, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 비점등의 셀 중, 정상인 비점등 셀에서는 방전이 발생하지 않기 때문에, 배경 휘도가 상승하지 않고 표시 품질이 저하하는 경우도 없다.
또한, 온셀 리셋(RON)시에 인가되는 플러스 극성의 둔파(리셋 펄스)의 도달 전압(Vs+Vu)을, 리셋 전압 제어 정보(예를 들면, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에서 인가된 서스테인 펄스 수, 어드레스 기간에서의 어드레스 폭(스캔 펄스의 폭), 환경 온도, 누적 동작 시간 등)에 의해 변화시킴으로써 표시 품질을 보다 개선할 수 있다.
예를 들면, 직전의 서브필드에서의 서스테인 펄스 수에 따라 도달 전압(Vs+Vu)을 변화시키는 경우에는, 서스테인 펄스에 의해 벽전하(벽전위)가 감소했 을 때, 플러스 극성 둔파의 도달 전압(Vs+Vu)을 상승시키고, 벽전하를 많이 축적함으로써, 방전을 발생하기 쉽게 하여, 소등 오류의 발생을 방지할 수 있다. 일례로서는, 인가되는 서스테인 펄스 수가 적은 서브필드의 다음의 서브필드에서의 리셋 기간에서는, 직전의 서브필드의 서스테인 기간에 축적된 벽전하가 적어 방전이 발생하기 어려워지는 경우가 고려되기 때문에, 도달 전압(Vs+Vu)을 상승시키도록 하면 좋다.
또한, 어드레스 기간에서의 어드레스 폭에 따라 도달 전압(Vs+Vu)을 변화시키는 경우에는, 어드레스 폭이 좁으면 어드레스 방전이 발생하기 어려워지기 때문에, 플러스 극성 둔파의 도달 전압(Vs+Vu)을 상승시키고, 벽전하를 많이 축적함으로써, 방전을 발생하기 쉽게 하여, 소등 오류의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 환경 온도에 따라 도달 전압(Vs+Vu)을 변화시키는 경우에는, 플라스마 디스플레이 모듈의 온도(패널 관면 온도)에 따라, 로직 기판 등으로 온도 검출을 행하여 도달 전압(Vs+Vu)을 변경한다. 예를 들면, 모듈 온도가 낮은 경우에는, 벽전하의 감소가 적어지기 때문에, 플러스 극성 둔파의 도달 전압(Vs+Vu)을 하강시킨다. 한편, 모듈 온도가 높은 경우에는, 벽전하의 감소가 많아지기 때문에, 플러스 극성 둔파의 도달 전압(Vs+Vu)을 상승시킨다.
또한, 플라스마 디스플레이 장치의 누적 동작 시간에 따라서 도달 전압(Vs+Vu)을 변화시키는 경우에는, 누적 동작 시간을 로직 기판에 의해 계측하고, 일정 시간이 경과하면 플러스 극성 둔파의 도달 전압(Vs+Vu)을 상승시킨다. 이것은, 패널을 계속 발광시킴으로써, 패널에 사용하고 있는 Mg0 보호막이 열화하여, 방전이 발생하기 어려워지기(벽전하의 감소가 우려되기) 때문이다.
이하, 온셀 리셋(R0N)시에 인가되는 플러스 극성 둔파(리셋 펄스)의 제어 방법에 관하여 설명한다.
도 5a는 리셋 회로(23)의 구성예를 나타낸 도면이다. 도 5a에서, 스위치(SWA)의 일단은, 전체 셀 리셋(RALL)시에 인가되는 플러스 극성 둔파의 리셋 전압(Vw')에 대해서 접속되고, 타단은 스캔 회로(21)를 통하여 플라스마 디스플레이 패널(10)에 접속된다.
도 5a에 나타낸 바와 같이 리셋 회로(31)를 구성함으로써, 도 5b에 나타낸 바와 같이 플러스 극성 둔파의 기울기를 변경하지 않고, 스위치(SWA)를 온 상태(도통 상태)로 하는 시간을 제어함으로써, 도달 전압(Vs+Vu)을 변경할 수 있다. 예를 들면, 도 5b에 나타낸 바와 같이, 스위치(SWA)를 온 상태로 하는 시간을 t1에서 t2로 연장함으로써 도달 전압(Vs+Vu)을 Vu1로부터 Vu2로 상승시킬 수 있다. 또한, 회로나 비용을 증대시키지 않고, 전체 셀 리셋(RALL)시에 플러스 극성 둔파를 인가시키기 위한 회로와 동일한 회로에서, 온셀 리셋(R0N)시의 플러스 극성 둔파를 인가시킬 수 있다.
또한, 도 6에 나타낸 바와 같이, 플러스 극성 둔파에 의해 인가되는 각 리셋 전압에 접속하도록 하여 리셋 회로(23)를 구성해도 좋다. 도 6에서, 스위치(SWB1)의 일단은, 전체 셀 리셋(RALL)시에 인가되는 플러스 극성 둔파의 리셋 전압(Vw')에 대해서 접속되고, 스위치(SWB2)의 일단은, 온셀 리셋(RON)시에 인가되는 플러스 극성 둔파의 리셋 전압(Vu1)에 대해서 접속되고, 스위치(SWB3)의 일단은, 온셀 리셋(RON)시에 인가되는 플러스 극성 둔파의 리셋 전압 Vu2(Vu2≠Vu1)에 대해서 접속된다. 또한, 스위치(SWB1, SWB2, SWB3)의 타단은, 스캔 회로(21)를 통해서 플라스마 디스플레이 패널(10)에 접속된다. 리셋 기간에서, 온 상태로 하는 스위치를 변화시킴으로써, 플러스 극성 둔파에 의해 인가되는 전압을 변경할 수 있다.
또한, 상술한 설명에서는, 리셋 회로의 스위치를 온 상태로 하는 시간을 제어함으로써 플러스 극성 둔파(리셋 펄스)의 도달 전압을 제어하도록 하고 있지만, 플러스 극성 둔파에 의해 인가되는 전압을 검출하고, 검출된 전압에 따라 리셋 회로의 스위치를 온/오프 제어하도록 해도 좋다. 전압을 검출하여 리셋 회로의 스위치를 온/오프 제어하도록 한 경우에는, 플라스마 디스플레이 패널의 패널 용량의 편차 등의 영향을 받지 않고, 플러스 극성 둔파(리셋 펄스)의 도달 전압의 확실한 제어를 실현할 수 있다.
또한, 온셀 리셋(RON)에서는, 표시 라인의 Y전극(Yi)에 도달 전압(Vs+Vu)의 플러스 극성의 둔파를 일제히 인가한 후, 도달 전압(-Vy+Vα)의 마이너스 극성의 둔파를 일제히 인가하도록 하고 있지만, 도 7에 나타낸 바와 같이, 도달 전압(Vs+Vu)의 플러스 극성의 둔파를 인가한 후, 도달 전압(-Vy+Vα)의 마이너스 극성의 둔파를 인가하기 전에, 옵션 펄스(POP)를 추가하여 인가하도록 해도 좋다. 이와 같이 한 경우에는, 도달 전압(Vs+Vu)의 플러스 극성의 둔파를 인가함으로써 벽 전하의 축적 상태에 따라 미약 방전이 아니라 강방전이 발생해도, 옵션 펄스(POP)에 의한 방전에 의해 벽전하를 정상인 상태로 하여, 점등 오류 등의 오류 표시가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 실시예는, 모두 본 발명을 실시하는 데 있어서의 구체화의 단지 일례를 나타낸 것에 불과하며, 이들에 의해서 본 발명의 기술적 범위가 한정적으로 해석되어서는 안되는 것이다. 즉, 본 발명은 그 기술 사상 또는 그 주요한 특징으로부터 일탈하지 않고, 다양한 형태로 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라스마 디스플레이 장치의 구성예를 나타낸 도면.
도 2는 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 패널의 구성예를 나타낸 도면.
도 3은 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법의 일례를 설명하기 위한 도면.
도 4a는 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 장치의 구동 파형의 일례를 나타낸 도면, 도 4b는 본 실시예에서의 플라스마 디스플레이 장치의 구동 파형의 일례를 나타낸 도면.
도 5는 본 실시예에서의 리셋 회로의 구성예를 나타낸 도면.
도 6은 본 실시예에서의 리셋 회로의 다른 구성예를 나타낸 도면.
도 7은 본 실시예에서의 리셋 기간의 구동 파형의 다른 예를 나타낸 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 플라스마 디스플레이 패널 11 : 전면 유리 기판
17R, 17G, 17B : 어드레스 전극 20 : Y전극 드라이버
21 : 스캔 회로 22 : 서스테인 회로
23 : 리셋 회로 30 : X전극 드라이버
40 : 어드레스 드라이버 51 : 중간조 생성 회로
52 : 서브필드 변환 회로 53 : 표시 부하율 검출 회로
54 : 리셋 설정 회로
55 : 서스테인 펄스 수 설정 회로 PR, PG, PB : 형광체층
56 : 구동 신호 생성 회로 SF1~SF6 : 서브필드

Claims (13)

1필드가 복수의 서브필드로 이루어지며, 상기 서브필드가, 표시 데이터에 의거하여 점등시키려고 하는 셀을 선택하는 어드레스 기간과, 상기 어드레스 기간에 의해 선택된 셀을 방전 발광시키는 서스테인 기간을 갖는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법으로서,
상기 서브필드는, 전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 방전이 행해지는 기간이며, 상기 리셋 방전이 모든 셀에서 행해지는 제 1 리셋, 또는 상기 리셋 방전이 이전의 서브필드에서의 점등 셀을 포함하는 일부의 셀에서 행해지는 제 2 리셋을 행하는 리셋 기간을 더 포함하고,
상기 제 2 리셋을 행하는 경우에, 상기 서스테인 기간에서 표시 전극에 인가되는 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 상기 제 1 리셋에서 표시 전극에 인가되는 플러스 극성의 제 1 둔파(鈍波)의 도달 전압보다 작은 도달 전압의 플러스 극성의 제 2 둔파를 당해 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 둔파의 도달 전압이 (Vs+Vu), 상기 서스테인 펄스의 최대 전압이 Vs, 상기 제 1 둔파의 도달 전압이 (Vs+Vw)이며, 0 <Vu<(Vw/2)인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법.
1필드가 복수의 서브필드로 이루어지며, 상기 서브필드가, 표시 데이터에 의 거하여 점등시키려고 하는 셀을 선택하는 어드레스 기간과, 상기 어드레스 기간에 의해 선택된 셀을 방전 발광시키는 서스테인 기간을 갖는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법으로서,
상기 서브필드는, 전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 방전이 행해지는 기간이며, 상기 리셋 방전이 모든 셀에서 행해지는 제 1 리셋, 또는 상기 리셋 방전이 이전의 서브필드에서의 점등 셀을 포함하는 일부의 셀에서 행해지는 제 2 리셋을 행하는 리셋 기간을 더 포함하고,
상기 제 2 리셋을 행하는 경우에, 상기 서스테인 기간에서 표시 전극에 인가되는 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 축적되어 있는 벽전하를 제 2 둔파의 전압에 추가한 전압이 표시 전극간의 방전 개시 전압을 초과하지 않는 도달 전압의 플러스 극성의 제 2 둔파를 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 둔파의 도달 전압이 가변인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법.
제 3 항에 있어서,
상기 제 2 둔파의 도달 전압이 가변인 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법.
제 4 항에 있어서,
이전의 서브필드에서 인가된 서스테인 펄스 수, 어드레스 기간에서 인가되는 스캔 펄스의 폭, 환경 온도 및 누적 동작 시간 중 적어도 1개의 정보에 따라서, 상기 제 2 둔파의 도달 전압을 변화시키는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법.
제 5 항에 있어서,
이전의 서브필드에서 인가된 서스테인 펄스 수, 어드레스 기간에서 인가되는 스캔 펄스의 폭, 환경 온도 및 누적 동작 시간 중 적어도 1개의 정보에 따라서, 상기 제 2 둔파의 도달 전압을 변화시키는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치의 구동 방법.
1필드가 복수의 서브필드로 이루어지며, 상기 서브필드가, 표시 데이터에 의거하여 점등시키려고 하는 셀을 선택하는 어드레스 기간과, 상기 어드레스 기간에 의해 선택된 셀을 방전 발광시키는 서스테인 기간을 갖는 플라스마 디스플레이 장치로서,
상기 서브필드는 전극상의 벽전하 상태를 초기화하는 리셋 방전이 행해지는 리셋 기간을 더 포함하며, 당해 리셋 기간에, 상기 리셋 방전이 모든 셀에서 행해지는 제 1 리셋, 또는 상기 리셋 방전이 이전의 서브필드에서의 점등 셀을 포함하 는 일부의 셀에서 행해지는 제 2 리셋을 선택하여 실행하는 리셋 수단을 구비하고,
상기 리셋 수단은, 상기 제 2 리셋을 행하는 경우에, 상기 서스테인 기간에서 표시 전극에 인가되는 서스테인 펄스의 최대 전압보다 크고, 또한 상기 제 1 리셋에서 표시 전극에 인가되는 플러스 극성의 제 1 둔파의 도달 전압보다 작은 도달 전압의 플러스 극성의 제 2 둔파를 당해 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치.
제 8 항에 있어서,
상기 리셋 수단은, 일단이 상기 제 1 리셋에서 인가되는 제 1 둔파의 전압에 대해서 접속되고, 타단이 표시 전극에 대해서 접속된 스위치를 가지며,
당해 스위치를 온 상태로 하는 시간을 제어함으로써, 상기 제 1 둔파 및 상기 제 2 둔파를 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치.
제 8 항에 있어서,
상기 리셋 수단은, 일단이 상기 제 1 전압에 대해서 접속되고, 타단이 표시 전극에 대해서 접속된 제 1 스위치와,
일단이 상기 제 1 전압과는 다른 제 2 전압에 대해서 접속되고, 타단이 표시 전극에 대해서 접속된 제 2 스위치를 가지며,
상기 제 1 스위치를 온 상태로 함으로써 상기 제 1 둔파를 표시 전극에 인가 하고, 상기 제 2 스위치를 온 상태로 함으로써 상기 제 2 둔파를 표시 전극에 인가하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치.
제 8 항에 있어서,
이전의 서브필드에서 인가된 서스테인 펄스 수, 어드레스 기간에서 인가되는 스캔 펄스의 폭, 환경 온도 및 누적 동작 시간 중 적어도 1개의 정보에 따라서, 상기 제 2 둔파의 도달 전압을 설정하는 리셋 설정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치.
제 9 항에 있어서,
이전의 서브필드에서 인가된 서스테인 펄스 수, 어드레스 기간에서 인가되는 스캔 펄스의 폭, 환경 온도 및 누적 동작 시간 중 적어도 1개의 정보에 따라서, 상기 제 2 둔파의 도달 전압을 설정하는 리셋 설정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치.
제 10 항에 있어서,
이전의 서브필드에서 인가된 서스테인 펄스 수, 어드레스 기간에서 인가되는 스캔 펄스의 폭, 환경 온도 및 누적 동작 시간 중 적어도 1개의 정보에 따라서, 상기 제 2 둔파의 도달 전압을 설정하는 리셋 설정 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라스마 디스플레이 장치.
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