KR20090082744A - A opening and closing device of furnace for hitting chamber - Google Patents

A opening and closing device of furnace for hitting chamber Download PDF

Info

Publication number
KR20090082744A
KR20090082744A KR1020080008675A KR20080008675A KR20090082744A KR 20090082744 A KR20090082744 A KR 20090082744A KR 1020080008675 A KR1020080008675 A KR 1020080008675A KR 20080008675 A KR20080008675 A KR 20080008675A KR 20090082744 A KR20090082744 A KR 20090082744A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bellows
opening
heating chamber
bundle
closing device
Prior art date
Application number
KR1020080008675A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100959260B1 (en
Inventor
윤훈만
Original Assignee
(주) 예스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 예스티 filed Critical (주) 예스티
Priority to KR1020080008675A priority Critical patent/KR100959260B1/en
Publication of KR20090082744A publication Critical patent/KR20090082744A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100959260B1 publication Critical patent/KR100959260B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B45/00Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids
    • F04B45/02Pumps or pumping installations having flexible working members and specially adapted for elastic fluids having bellows
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

Abstract

An exhaust port opening and shutting apparatus of a heating chamber for manufacturing a semiconductor is provided to improve the productivity and precision by conveniently welding the home position of the separately equipped ring. A double bellows device(30-1) is mounted on the upper side of the heating chamber housing. An in-bellow is formed by fixing an upper fixing body and a bottom fixing body. An out-bellow is formed by fixing the upper fixing body and the bottom fixing body. Each top portion placement of the phosphorus bellows bundle and out bellows bundle is abutted. It fixes with the fixing unit into one body and forms into the double bellows apparatus.

Description

반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치{A OPENING AND CLOSING DEVICE OF FURNACE FOR HITTING CHAMBER}A venting and closing device for heating chamber for semiconductor manufacturing {A OPENING AND CLOSING DEVICE OF FURNACE FOR HITTING CHAMBER}

본 발명은 반도체를 제조하는 공정 중에서 화학기상 증착공정 및 확산공정 등과 같은 공정에서 사용되는 히팅챔버의 배기구에 설치되어 히팅챔버의 내부 공기층(히팅 온도)을 신속히 냉각시킬 때에 배기구를 신속하게 개폐시키기 위한 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치에 관한 것으로서, 특히 배기구 개폐장치의 내부에 설치되는 이중벨로우즈장치를 개선한 것이다.The present invention is installed in the exhaust port of the heating chamber used in the process such as chemical vapor deposition process and diffusion process in the process of manufacturing a semiconductor for quickly opening and closing the exhaust port when the internal air layer (heating temperature) of the heating chamber is rapidly cooled The present invention relates to an exhaust opening and closing device of a heating chamber for semiconductor manufacturing, and more particularly, to a double bellows device installed inside an exhaust opening and closing device.

이를 좀 더 상세히 설명하면, 반도체제조용 히팅챔버의 배기구에 설치되는 배기구 개폐장치에서, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈에 의해 이중 벨로우즈 구조로 형성하여 배기구를 밀폐시에는 공기를 주입 충진시키고 개방시에는 주입 충진된 공기를 배출시키면서 배기구를 개폐시키도록 하되, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 형성한 이중벨로우즈장치를 장착하여서 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는 것이다.In more detail, in the exhaust opening and closing device installed in the exhaust port of the semiconductor manufacturing heating chamber, the bellows structure is formed by the bellows and the out bellows to inject and fill air when the exhaust port is closed, and when the opening is filled Opening and closing the exhaust port while discharging the air, but separate rings are fixed to the top and bottom of the bellows and the bellows, respectively, and the bellows ring and the bellows fixed to the top and bottom of the bellows and the bellows, respectively. It is an object of the present invention to provide an exhaust opening / closing device for a heating chamber for semiconductor manufacturing by mounting a double bellows device formed by fixing a ring integrally.

반도체를 제조하는 공정에서 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION) 공정은, 웨이퍼(WAFER)의 표면에 산화막과 금속막 및 질화막 등 다양한 재질의 박막(薄膜)을 순차적으로 적층시키는 성막(成膜) 공정을 필수적으로 실시하게 된다.In the semiconductor manufacturing process, the chemical vapor deposition process is a deposition process in which thin films of various materials such as oxide films, metal films, and nitride films are sequentially stacked on the surface of a wafer. It is essential.

일반적으로 성막(成膜) 공정은 열(熱)과 플라즈마(PLASMA)를 이용하여 반응가스를 분해하고, 분해된 반응가스가 웨이퍼의 표면(상)에 증착되어 박막을 형성하는 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)장치에 의해 실시된다.In general, a film forming process uses thermal and plasma (PLASMA) to decompose a reaction gas, and the decomposed reaction gas is deposited on the surface of the wafer to form a thin film. VAPER DEPOSITION).

상기 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)장치를 이용하는 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정은 온도의 제어 상태에 따라 막의 형성과 품질이 결정된다. In the chemical vapor deposition process using the chemical vapor deposition device, the formation and quality of the film is determined according to the temperature control state.

또 확산공정에서는 표면의 농도를 낮추고 접합 깊이(JUNCTION DEPTH)를 깊게 유지시키기 위해, 온도를 제어하여 웨이퍼의 표면에 부착되는 불순물을 제거하고 고온을 일정하게 유지시킨 상태에서 실시하여야 한다.In addition, in the diffusion process, in order to lower the concentration of the surface and maintain the depth of junction (JUNCTION DEPTH), the temperature must be controlled to remove impurities adhering to the surface of the wafer and to keep the high temperature constant.

화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정과 확산공정을 실시하기 위해서는 히팅챔버(HEATING CHAMBER)가 구비된다. In order to perform the chemical vapor deposition process and the diffusion process, a heating chamber is provided.

도 1은 라이트 타입의 반도체공정 챔버 가열용 히팅챔버(1)를 보인 예시도이다.1 is an exemplary view showing a heating chamber 1 for heating a semiconductor process chamber of a light type.

내면에 적층된 히팅블럭(2-1)을 포함하는 히팅챔버하우징(2)의 내부에는 히팅블럭(2-1)에 근접하여 필요한 열량을 발생시키기 위한 히터(5)가 설치되어 있고, 히팅챔버하우징(2)에는 각 히터(5)에 전원을 공급하는 전원공급부(6)가 설치되어 있다.In the inside of the heating chamber housing 2 including the heating blocks 2-1 stacked on the inner surface, a heater 5 for generating a required amount of heat in proximity to the heating block 2-1 is installed, and a heating chamber is provided. The housing 2 is provided with a power supply unit 6 for supplying power to each heater 5.

히팅챔버하우징(2)의 내부 온도를 감지하여 히팅챔벙하우징(2)의 내부 온도가 웨이퍼(12)의 열공정을 수행하기 위한 적정온도로 유지되고 있는지의 여부를 감지하여 히터(5)의 가동을 컨트롤하기 위한 온도감지기(7)가 설치되어 있다.The internal temperature of the heating chamber housing 2 is sensed to detect whether the internal temperature of the heating chamber housing 2 is maintained at an appropriate temperature for performing the thermal process of the wafer 12 and the heater 5 is operated. Temperature sensor 7 is installed to control the temperature.

히팅챔버하우징(2)의 측면 하단에는 히터(5)의 열량에 대한 차감을 필요로 할 때에 외부 공기를 히팅챔버하우징(2)의 내부로 공급시키기 위한 블로우어(3)가 설치되어 있고, 히팅챔버하우징(2)의 상면 중앙에 뚫어진 배기공(6)의 외측에는 사용된 공기층을 냉각시키기 위하여 냉각시스템(SYSTEM)으로 유도(배출)하기 위한 배기구(22)가 설치되어 있으며, 배기구(22)의 선단에는 배기공(6)을 개폐시키기 위한 배기구개폐장치(20)가 설치되어 있다.The lower side of the side of the heating chamber housing 2 is provided with a blower 3 for supplying outside air to the inside of the heating chamber housing 2 when a heat reduction of the heater 5 is required. On the outside of the exhaust hole 6 drilled in the center of the upper surface of the chamber housing 2, an exhaust port 22 is provided to guide (exhaust) the cooling air system to the cooling system SYSTEM. The exhaust opening and closing device 20 for opening and closing the exhaust hole 6 is provided at the front end of the.

히팅챔버하우징(2)의 내면에 근접하여 설치된 히터(5)의 내측에는 반응튜브(10)가 설치되어 있고, 반응튜브(10)의 내부에는 웨이퍼(12)가 탑재된 보드(11)를 로팅 및 언로딩장치(구체적으로 도시하지 아니함)에 의해 로딩 및 언로딩시키게 된다.The reaction tube 10 is installed inside the heater 5 provided near the inner surface of the heating chamber housing 2, and the board 11 on which the wafer 12 is mounted is loaded inside the reaction tube 10. And an unloading device (not specifically shown).

상기와 같이 히팅챔버(1)에서 배기구(22)의 선단에 설치되어 배기공(6)을 개폐시키는 배기구개폐장치(20)는 도 2에 예시된 바와 같이 형성되어 있다.As described above, the exhaust opening / closing device 20 installed at the front end of the exhaust port 22 in the heating chamber 1 to open and close the exhaust hole 6 is formed as illustrated in FIG. 2.

개폐장치하우징(21)의 밑판 중앙에는 배기공(23)이 상기 히팅챔버하우징(2)의 배기공(6)과 연통되게 뚫어져 있고, 개폐장치하우징(21)의 내부 중앙에는 개폐변(26)을 갖은 개폐부재(25)가 설치되어 그 상측과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에 장착된 탄성부재(28)인 복수 개의 코일스프링에 의해 상측으로 탄발되도록 설치되어 있다.In the center of the bottom plate of the switchgear housing 21, an exhaust hole 23 is formed in communication with the exhaust hole 6 of the heating chamber housing 2, and in the inner center of the switchgear housing 21, an opening and closing edge 26 is formed. The opening and closing member 25 having the upper side and the upper plate of the opening and closing device housing 21 is installed to be shot upwards by a plurality of coil springs, which are elastic members 28 mounted between the upper side and the upper plate of the opening and closing device housing 21.

탄성부재(28)의 외측에서 개폐부재(25)의 상면과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에는 기체공급배출장치(29)를 갖는 이중벨로우즈장치(30)가 설치되어 개폐부재(25)를 상하로 작동시켜 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우징(2)의 배기공(23)(6)을 동시에 개폐시킬 수 있도록 되어 있다. A double bellows device 30 having a gas supply and discharge device 29 is installed between the upper surface of the opening and closing member 25 and the upper plate of the opening and closing device housing 21 on the outside of the elastic member 28 to open and close the member 25. ) Up and down to open and close the opening and closing device housing 21 and the exhaust chamber (23) (6) of the heating chamber housing (2) at the same time.

개폐부재(25)의 상측에는 복수 개의 개폐감지센서(27)가 설치되어 개폐부재(25)의 ON/OFF를 감지하도록 되어 있고, 개폐부재(25)와 이중벨로우즈(30)의 외측에는 히팅챔버하우징(2)에서 배출되는 기체 및 이중벨로우즈(30)를 냉각시키기 위한 냉각수단(24)으로서 냉각코일이 설치되어 있다.A plurality of opening and closing detection sensors 27 are installed on the upper side of the opening and closing member 25 to detect ON / OFF of the opening and closing member 25, and a heating chamber outside the opening and closing member 25 and the double bellows 30. Cooling coils are provided as cooling means 24 for cooling the gas discharged from the housing 2 and the double bellows 30.

상기와 같이 구성되는 배기구개폐장치(20)에서 종래의 이중벨로우즈장치(30)는, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단이 상측과 하측에 하나씩 구비되는 상단링(33)과 하단링(34)에 의해 일체로 고정(용접)되어 있으므로, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단을 상/하측에 단독으로 구비되는 상단링(33)과 하단링(34)에 용이하게 용접시킬 수 없는 문제가 있고, 생산성이 떨어지는 문제가 있다.The conventional double bellows device 30 in the exhaust opening and closing device 20 is configured as described above, the upper ring 33 and the upper and lower ends of the bellows 31 and the outer bellows 32 are provided one by one on the upper side and the lower side. Since it is fixed (welded) integrally by the lower ring 34 and the upper and lower ends of the bellows 31 and the outer bellows 32, the upper ring 33 and the lower ring ( There is a problem that cannot be easily welded to 34, and there is a problem of low productivity.

또, 상단링(33)과 하단링(34)의 밑면과 상면에 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단을 정 위치에 정확하게 용접시키지 못하게 되면 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격이 달라지고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격이 달라지게 되면 기체공급배출장치(29)에 의해 공기를 주입시킬 때에 위치에 따라 인벨로우 즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 팽창상태가 달라진다.In addition, if the upper and lower ends of the bellows 31 and the outer bellows 32 cannot be accurately welded to the bottom and upper surfaces of the upper ring 33 and the lower ring 34, the bellows 31 and the outer bellows cannot be welded correctly. When the interval of the internal space formed between the 32 and the space, and the interval of the internal space formed between the bellows 31 and the outer bellows 32 is changed by the gas supply discharge device 29 When the injection is performed, the expanded state of the envelope 31 and the outer bellows 32 varies.

따라서 개폐부재(25)의 상하 작동상태가 일정(균일)하지 못하여 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우징(2)의 배기공(23)(6)을 정확(정밀)하게 개폐시키지 못하게 되어 히팅챔버하우징(2)의 가스가 배기구(22)로 누출될 염려가 있으며, 히팅챔버하우징(2)의 가스가 배기구(22)로 누출되면 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정과 확산공정이 정밀하게 이루어지지 못하여 웨이퍼(12)의 품질을 떨어뜨리게 되는 문제가 있다.Therefore, the vertical operation state of the opening and closing member 25 is not constant (uniform), so that the opening and closing of the opening and closing device housing 21 and the heating chamber housing (2) 23 (6) can not be opened (exactly) accurately (heating) If gas from the chamber housing 2 is leaked to the exhaust port 22, and if gas from the heating chamber housing 2 leaks to the exhaust port 22, the chemical vapor deposition process and the diffusion process are precisely performed. There is a problem that the quality of the wafer 12 is degraded because it is not made.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해소할 수 있도록 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치, 특히 배기구 개폐장치의 내부에 설치되는 개선된 이중벨로우즈장치를 제공하려는 것이다.The present invention is to provide an improved double bellows device installed in the exhaust opening and closing device of the heating chamber for semiconductor manufacturing, in particular the exhaust opening and closing device to solve the above problems.

본 발명은, 반도체제조용 히팅챔버의 배기구에 설치되는 배기구 개폐장치에서, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈에 의해 이중 벨로우즈 구조로 형성하여 배기구를 밀폐시에는 공기를 주입 충진시키고 개방시에는 주입 충진된 공기를 배출시키면서 배기구를 개폐시키도록 하되, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 형성한 이중벨로우즈장치를 장착하여서 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.The present invention, in the exhaust opening and closing device installed in the exhaust port of the heating chamber for semiconductor manufacturing, formed by a double bellows structure by the bellows and the outer bellows to inject and fill the air when the exhaust port is sealed and discharge the injection filled air when opening While opening and closing the exhaust port, separate rings are fixed to the top and bottom of the bellows and the bellows, respectively, and the bellows ring and the bellows ring are fixed to the top and bottom of the bellows and the bellows, respectively. It is an object of the present invention to provide an exhaust opening and closing device of a heating chamber for manufacturing a semiconductor, which is equipped with a double bellows device formed by fixing it.

본 발명의 다른 목적은, 개폐장치의 내부에 장착되는 이중벨로우즈장치를 형성함에 있어, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 줌으로서, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단을 각각 별도로 구비되는 링의 정 위치에 정확하고 용이하게 용접할 수 있도록 하여 생산성과 정밀도를 크게 향상시킬 수 있도록 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는데 있다.Another object of the present invention, in forming a double bellows device to be mounted in the opening and closing device, the upper and lower ends of the bellows and the outer bellows are integrally fixed to the separate ring, respectively, the upper and lower ends of the bellows and the outer bellows By fixing the bellows ring and the bellows ring fixed to the lower part integrally, the upper and lower parts of the bellows and the outer bellows can be welded precisely and easily to the correct position of the ring provided separately. An object of the present invention is to provide an exhaust opening and closing device of a heating chamber for semiconductor manufacturing, which can greatly improve the precision.

본 발명의 또 다른 목적은, 상단과 하단에 각각 별도로 구비되는 링에 의해 인벨로우즈와 아웃벨로우즈와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격을 일정(균일)하게 유지시켜 줌으로서, 공기를 주입시킬 때에 인벨로우즈와 아웃벨로우즈가 균일하게 팽창되도록 하고, 개폐부재가 균일한 상태를 유지하면서 상하로 작동하여 개폐장치하우징과 히팅챔버하우징의 배기공을 정확(정밀)하게 개폐시켜 히팅챔버하우징의 가스가 배기구로 누출되는 현상을 방지할 수 있도록 하며, 더불어 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정 또는 확산공정이 정밀하여 실시되어 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있도록 된 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 제공하려는데 있다.Still another object of the present invention is to maintain a constant (uniform) spacing of the inner space formed between the bellows and the out bellows by a ring provided at the upper and lower ends, respectively, to inject air. The bellows and the out bellows are inflated uniformly, and the opening and closing member is operated up and down while maintaining a uniform state, so that the exhaust hole of the opening and closing device housing and the heating chamber housing can be opened and closed accurately and precisely. It is to provide an exhaust opening / closing device for a heating chamber for semiconductor manufacturing that can prevent the leakage phenomenon and improve the quality of wafers by precisely performing chemical vapor deposition process or diffusion process. .

본 발명의 상기 및 기타 목적은, The above and other objects of the present invention,

히팅챔버하우징의 상면에 설치되는 배기구개폐장치의 내부에 장착되고 벨로우즈가 이중으로 장착되는 이중벨로우즈장치에 있어서;A double bellows device mounted in an exhaust opening and closing device installed on an upper surface of a heating chamber housing, and having bellows mounted in a double manner;

인벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 인벨로우즈뭉치를 형성한 것과;The upper and lower ends of the bellows are integrally fixed to the upper fixing body and the lower fixing body to form a bundle of bellows;

아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 아웃벨로우즈뭉치를 형성한 것과;An upper and lower ends of the outer bellows, the upper and lower fixing bodies are separately provided to integrally fix the integrated bellows to form an outer bellows bundle;

인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체와, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 하단고정체를 당접시켜 고정수단에 의해 각각 일체로 고정시켜 이중벨로우즈장치로 형성한 것;을 포함하여 형성한 것을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.Forming a double bellows device by affixing the upper fixing body of each of the bellows bundle and the outer bellows bundle, and the lower fixtures of the bellows bundle and the outer bellows bundle by being fixed integrally by the fixing means, respectively; It is achieved by the exhaust opening and closing device of the heating chamber for manufacturing a semiconductor, characterized in that.

상기에서, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치를 형성하도록 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 각 상단과 하단에 각각 고정되는 상단고정체와 하단고정체는; 원형 띠 형상 모양의 상단링과 하단링인 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.In the above, the top fixing body and the bottom fixing body is fixed to each of the top and bottom of the bellows and the bellows to form the bellows bundle and the bellows bundle; It is achieved by the exhaust opening and closing device of the heating chamber for semiconductor manufacturing, characterized in that the upper ring and the lower ring of the circular band shape.

상기에서, 인벨로우즈뭉치 또는 아웃벨로우즈뭉치를 형성하도록 인벨로우즈 또는 아웃벨로우즈의 상단에 고정되는 상단고정체 중에서 어느 일측 상단고정체에는 유체공급공을 더 형성한 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.In the above, any one of the upper fixing body fixed to the upper end of the bellows or the outer bellows to form the bellows bundle or the bellows bundle further formed with a fluid supply hole; semiconductor manufacturing heating chamber characterized in that It is achieved by the exhaust opening and closing device of.

상기에서, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체와, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 하단고정체를 각각 일체로 고정시키는 고정수단은; 용접에 의해 일체로 고정시킨 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치에 의해 달성된다.In the above, the fixing means for integrally fixing the upper end of each of the bellows and the bellows bundle, and the lower end of the bellows and the outer bellows bundle, respectively; It is achieved by the exhaust opening and closing device of the heating chamber for manufacturing a semiconductor, characterized in that fixed integrally by welding.

본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치, 특히 배기구 개폐장치의 내부에 설치되는 개선된 이중벨로우즈장치는, An improved double bellows device installed in the exhaust opening and closing device of the heating chamber for semiconductor manufacturing according to the invention, in particular the exhaust opening and closing device,

인벨로우즈와 아웃벨로우즈에 의해 이중 벨로우즈 구조로 형성하여 배기구를 밀폐시에는 공기를 주입 충진시키고 개방시에는 주입 충진된 공기를 배출시키면서 배기구를 개폐시키도록 하되, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 별도의 링을 각각 일체로 고정시키고, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단에 각각 고정된 인벨로우즈링과 아웃벨로우즈링을 일체로 고정시켜 서 된 것으로서, It is formed by double bellows structure by the bellows and out bellows to open and close the exhaust port while injecting and filling the exhaust port when it is closed, and discharging the injected filling air when opening. As the separate ring is fixed to each one, and the bellows ring and the bellows ring fixed to the top and bottom of the bellows and the bellows, respectively,

인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 상단과 하단을 각각 별도로 구비되는 링의 정 위치에 정확하고 용이하게 용접할 수 있도록 하여 생산성과 정밀도를 크게 향상시킬 수 있고, 상단과 하단에 각각 별도로 구비되는 링에 의해 인벨로우즈와 아웃벨로우즈와의 사이에 형성되는 내부공간의 간격을 일정(균일)하게 유지시켜 줌으로서 공기를 주입시킬 때에 인벨로우즈와 아웃벨로우즈가 균일하게 팽창 및 수축되도록 하여 개폐부재가 균일한 상태를 유지하면서 상하로 작동하여 개폐장치하우징과 히팅챔버하우징의 배기공을 정확(정밀)하게 개폐시켜 히팅챔버하우징의 가스가 배기구로 누출되는 현상을 방지할 수 있으며, 더불어 화학기상증착(CHEMICAL VAPER DEPOSITION)공정 또는 확산공정이 정밀하여 실시되도록 하여 웨이퍼의 품질을 향상 시킬 수 있는 것이다.The upper and lower ends of the bellows and the outer bellows can be welded precisely and easily to the correct position of the ring, which is provided separately, so that the productivity and precision can be greatly improved. Maintains a uniform (uniform) spacing of the internal space formed between the bellows and the out bellows so that the bellows and the outbellows are expanded and contracted uniformly when injecting air to maintain a uniform opening and closing member. It operates up and down while opening and closing the exhaust hole of the switchgear housing and the heating chamber housing accurately (precision) to prevent the leakage of gas from the heating chamber housing to the exhaust port, and also the chemical vapor deposition process Alternatively, the diffusion process can be performed precisely to improve the wafer quality.

본 발명의 상기 및 기타 목적과 특징은 첨부된 도면에 의거한 다음의 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해할 수 있을 것이다The above and other objects and features of the present invention will be more clearly understood by the following detailed description based on the accompanying drawings.

첨부된 도면 도 1과 도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구개폐장치(20)의 구체적인 실현 예를 보인 것이다.1 and 3 to 5 show an exemplary embodiment of the exhaust opening and closing device 20 of the heating chamber for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)를 반도체제조용 히팅챔버(1)에 설치한 상태를 보인 예시 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)에 설치되는 이중벨로우즈장치(30)를 발췌하여 보인 부분 단면 사시도이며, 도 4a 및 도 4b와 도 5는 상기 이중벨로우즈장치(30)를 분해 및 결합하여 보인 단면도이다.1 is an exemplary cross-sectional view showing a state in which the exhaust opening and closing device 20 according to the present invention is installed in the semiconductor manufacturing heating chamber 1, Figure 3 is a double bellows device installed in the exhaust opening and closing device 20 according to the present invention 30 is a partial cross-sectional perspective view showing an excerpt 30, and FIGS. 4A, 4B and 5 are cross-sectional views illustrating the disassembly and coupling of the double bellows device 30.

도 1은 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)가 설치되는 반도체제조용 히팅챔버(1)를 보인 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a heating chamber 1 for manufacturing a semiconductor in which an exhaust opening and closing device 20 according to the present invention is installed.

내면에 적층된 히팅블럭(2-1)을 포함하는 히팅챔버하우징(2)의 내부에는 히팅블럭(2-1)에 근접하여 히터(5)를 설치하였고, 히팅챔버하우징(2)에는 각 히터(5)에 전원을 공급하는 전원공급부(6)와 히팅챔버하우징(2)의 내부 온도를 감지하여 히터(5)의 가동을 컨트롤하기 위한 온도감지기(7)를 설치하였으며, 히팅챔버하우징(2)의 측면 하단에는 히터(5)의 열량에 대한 차감을 필요로 할 때에 외부 공기를 히팅챔버하우징(2)의 내부로 공급시키기 위한 블로우어(3)를 설치하였다.Inside the heating chamber housing 2 including the heating blocks 2-1 stacked on the inner surface, a heater 5 is installed in close proximity to the heating block 2-1, and each heater is installed in the heating chamber housing 2. (5) installed a temperature sensor (7) for controlling the operation of the heater (5) by sensing the internal temperature of the power supply unit (6) and the heating chamber housing (2) that supplies power to the heating chamber housing (2) At the lower side of the side), a blower 3 for supplying outside air to the inside of the heating chamber housing 2 is installed when a subtraction of the heat amount of the heater 5 is required.

히팅챔버하우징(2)의 내면에 근접하여 설치된 히터(5)의 내측에는 반응튜브(10)를 설치하였고, 반응튜브(10)의 내부에는 웨이퍼(12)가 탑재된 보드(11)를 로팅 및 언로딩장치(구체적으로 도시하지 아니함)에 의해 로딩 및 언로딩시킬 수 있도록 하였다.The reaction tube 10 is installed inside the heater 5 installed near the inner surface of the heating chamber housing 2, and the board 11 on which the wafer 12 is mounted is loaded inside the reaction tube 10. Loading and unloading were made possible by an unloading device (not specifically shown).

상기와 같이 구성되는 반도체제조용 히팅챔버(1)는 통상적으로 공지 공용되는 기술사상이므로 보다 구체적인 구성과 작동관계의 설명은 생략한다.Since the semiconductor manufacturing heating chamber 1 configured as described above is commonly known in the art, descriptions of more specific configurations and operating relationships will be omitted.

상기 히팅챔버하우징(2)의 상면 중앙에 뚫어진 배기공(6)의 외측에는 사용된 공기층을 냉각시키기 위하여 냉각시스템(SYSTEM)으로 유도(배출)하기 위한 배기구(22)를 설치하였으며, 배기구(22)의 선단에는 배기공(6)을 개폐시키기 위한 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)를 설치하였다.In the outer side of the exhaust hole 6 drilled in the center of the upper surface of the heating chamber housing 2, an exhaust port 22 is installed to guide (exhaust) the exhaust air layer to the cooling system SYSTEM. The exhaust opening and closing device 20 according to the present invention for opening and closing the exhaust hole (6) was installed at the front end.

히팅챔버(1)에서 배기구(22)의 선단에 설치되어 배기공(6)을 개폐시키는 배기구개폐장치(20)는 도 1과 도 3 내지 도 5에 예시된 바와 같이 형성하였다.An exhaust opening / closing device 20 installed at the tip of the exhaust port 22 in the heating chamber 1 to open and close the exhaust hole 6 is formed as illustrated in FIGS. 1 and 3 to 5.

개폐장치하우징(21)의 밑판 중앙에는 배기공(23)을 히팅챔버하우징(2)의 배기공(6)과 연통되게 뚫어 주었고, 개폐장치하우징(21)의 내부 중앙에는 개폐변(26)이 구비된 개폐부재(25)를 설치하였으며, 개폐부재(25)의 상측과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에는 탄성부재(28)로서 복수 개의 코일스프링을 장착하여 개폐부재(25)가 상측으로 탄발되도록 하였다.An exhaust hole 23 was drilled in the center of the bottom plate of the switchgear housing 21 so as to communicate with the exhaust hole 6 of the heating chamber housing 2, and an opening and closing valve 26 was formed at the inner center of the switchgear housing 21. The opening / closing member 25 is provided, and a plurality of coil springs are installed as the elastic member 28 between the upper side of the opening / closing member 25 and the upper plate of the opening / closing housing 21 to open and close the member 25. It was to be shot upward.

탄성부재(28)의 외측에서 개폐부재(25)의 상면과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에는 기체공급배출장치(29)가 구비된 이중벨로우즈장치(30-1)를 설치하여 개폐부재(25)를 상하로 작동시켜 줌으로서 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우 징(2)의 배기공(23)(6)을 동시에 개폐시킬 수 있도록 하였다. Opening and closing a double bellows device 30-1 provided with a gas supply discharge device 29 between an upper surface of the opening and closing member 25 and an upper plate of the opening and closing device housing 21 on the outside of the elastic member 28. By operating the member 25 up and down, it is possible to simultaneously open and close the opening and closing device housing 21 and the exhaust hole (23) (6) of the heating chamber housing (2).

개폐부재(25)의 상측에는 복수 개의 개폐감지센서(27)를 설치하여 개폐부재(25)의 ON/OFF를 감지하도록 하였고, 개폐부재(25)와 이중벨로우즈(30-1)의 외측에는 냉각수단(24)으로서 냉각코일을 설치하여 히팅챔버하우징(2)에서 배출되는 기체 및 이중벨로우즈(30-1)를 냉각시킬 수 있도록 하였다.A plurality of opening and closing detection sensors 27 are installed on the upper side of the opening and closing member 25 to detect ON / OFF of the opening and closing member 25, and cooling is performed outside the opening and closing member 25 and the double bellows 30-1. A cooling coil was installed as the means 24 to cool the gas discharged from the heating chamber housing 2 and the double bellows 30-1.

상기 이중벨로우즈장치(30-1)는 도 3 내지 도 5에 예시된 바와 같이 형성하였다.The double bellows device 30-1 was formed as illustrated in FIGS. 3 to 5.

인벨로우즈(31)의 각 상단과 하단에는 벨로우즈링(35)으로서 상단고정체와 하단고정체인 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)을 용접에 의해 일체로 고정시켜 인벨로우즈뭉치를 형성하였다.Each upper and lower end of the bellows 31 is integrally fixed by welding the upper and lower end of the bellows upper ring 35-1 and the lower bellows 35-2, which are the bellows ring 35, by welding. To form a bundle of envelopes.

특히, 인벨로우즈상단링(35-1)에는 유체공급공(37)을 형성(뚫어)하여 공기(유체)를 공급 및 배출시킬 수 있도록 하였다.In particular, the bellows upper ring (35-1) is formed (through) a fluid supply hole 37 to supply and discharge air (fluid).

아웃벨로우즈(32)의 상단과 하단에는 벨로우즈링(36)으로서 상단고정수단과 하단고정체인 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)을 용접에 의해 일체로 고정시켜 아웃벨로우즈뭉치를 형성하였다.The upper and lower ends of the outer bellows 32 are integrally fixed by welding the upper fixing means, the lower bellows upper ring 36-1 and the lower bellows lower ring 36-2 as welding bellows 36. An out-of-belt bundle was formed.

상기 인벨로우즈뭉치를 형성하는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2) 및 아웃벨로우즈뭉치를 형성하는 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)은 원형 띠의 형상과 모양으로 된 링형상으로 형성하되, 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주 보다 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주를 미세하게 크게 형성하여 인벨로우즈상단링(35- 1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주에 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주가 밀접하게 당접되도록 하였다.The upper bellows ring 35-1 and the lower bellows 35-2 forming the bellows bundle and the upper bellows ring 36-1 and the lower bellows 36-1 forming the outer bellows bundle 36-. 2) is formed in the shape of a ring in the shape and shape of a circular band, but outgoing upper ring (36-1) and out than the outer periphery of the upper bellows ring (35-1) and the lower bellows (35-2) The inner periphery of the bellows lower ring 36-2 is made finer and the outer bellows upper ring 36-1 and the outer bellows are formed on the outer periphery of the upper bellows ring 35-1 and the lower bellows 35-2. The inner circumference of the lower ring 36-2 was brought into close contact.

상기와 같이 형성된 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치에서 아웃벨로우즈뭉치의 내부에 인벨로우즈뭉치를 삽입시키되, 인벨로우즈뭉치를 형성하는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주와 아웃벨로우즈뭉치를 형성하는 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주를 밀접하게 당접시킨 상태에서 이들 당접면을 통상의 용접방법으로 용접시켜 용접부(38-1)(38-2)에 의해 일체로 형성하여 줌으로서 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하도록 하였다. The bellows upper ring (35-1) and the bellows lower ring (35-2) inserting the bellows bundle into the inside of the bellows bundle in the bellows bundle and the out bellows bundle formed as described above. In the state in which the outer periphery of the upper end ring (36-1) and the outer bellows end ring (36-2) forming the outer periphery of the outer periphery and the outer bellows is in close contact with each other, these contact surfaces are welded by a conventional welding method. The double bellows device 30-1 was formed by being integrally formed by 38-1) and 38-2.

상기와 같이 형성되는 이중벨로우즈장치(30-1)는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2)의 외주와 아웃벨로우즈뭉치를 형성하는 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)의 내주이 밀접하게 당접되어 용접되므로 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32) 사이의 간격을 일정(동일)하게 유지시킬 수 있게 된다.The double bellows device 30-1 formed as described above has an outer bellows upper ring 36-1 forming the outer circumference and the outer bellows of the upper bellows ring 35-1 and the lower bellows ring 35-2. ) And the inner circumference of the outer bellows lower ring 36-2 are abutted and welded closely to maintain a constant (same) spacing between the envelope 31 and the outer bellows 32.

상기 이중벨로우즈장치(30-1)는 도 1에 예시된 바와 같이 탄성부재(28)의 외측에서 개폐부재(25)의 상면과 개폐장치하우징(21)의 상판과의 사이에 장착하였고, 인벨로우즈상단링(35-1)에 형성된 유체공급공(37)에는 기체공급배출장치(29)를 장착하여 포트(PORT)에 충진된 공기(기체)를 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이에 공급하거나 공급된 기체(공기)를 포트(PORT)에 복귀시킬 수 있도록 하였다.The double bellows device 30-1 is mounted between the upper surface of the opening and closing member 25 and the upper plate of the opening and closing device housing 21 at the outside of the elastic member 28, as shown in FIG. The gas supply and discharge device 29 is mounted in the fluid supply hole 37 formed in the upper ring 35-1 so that the air (gas) filled in the port is discharged from the bellows 31 and the outer bellows 32. The gas (air) supplied or supplied in between can be returned to the PORT.

이하, 상기와 같이 이중벨로우즈장치(30-1)가 장착된 배기구개폐장치(20)의 작동관계를 설명한다.Hereinafter, the operation relationship of the exhaust opening and closing device 20 equipped with the double bellows device 30-1 will be described.

배기구개폐장치(20)에 의해 배기구(22)를 폐쇄시키고자 할 때에는 다음과 같이 실시한다.When the exhaust port 22 is to be closed by the exhaust opening / closing device 20, the following is performed.

기체공급배출장치(29)를 가동시켜 포트(PORT)에 충진되어 있는 기체(공기)를 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하는 인벨로우즈상단링(35-1)에 형성된 유체공급공(37)을 통해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급(충진)시킨다.The fluid supply hole 37 formed in the upper bellows ring 35-1 forming the double bellows device 30-1 by operating the gas supply discharge device 29 to form the gas (air) filled in the port. Through () is supplied (filled) between the envelope (31) and the outer bellows (32).

기체(공기)가 공급(충진)되는 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)는 탄성부재(28)인 코일스프링의 인발력을 이기고 신장(팽창)하게 되고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 신장(팽창)하면서 개폐변(26)을 포함하는 개폐부재(25)를 하측으로 밀어(이동시켜)주게 되며, 하측으로 이동하는 개폐부재(25)의 개폐변(26)이 개폐장치하우징(21)을 형성하는 밑판에 밀접하게 접속되면서 배기공(23)(6)을 폐쇄시키게 된다.The envelope 31 and the out bellows 32 to which gas (air) is supplied (filled) are stretched (expanded) to overcome the pulling force of the coil spring which is the elastic member 28, and the bellows 31 and the out bellows ( While the 32 is extended (expanded), the opening / closing member 25 including the opening / closing edge 26 is pushed (moved) downward, and the opening / closing edge 26 of the opening / closing member 25 moving downward is opened and closed. The exhaust holes 23 and 6 are closed while being closely connected to the bottom plate forming the housing 21.

특히, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 기체(공기)가 공급되어 신장(팽창)할 때에 히팅챔버하우징(2)내의 열기가 개폐부재(25)를 통해 이중벨로우즈장치(30-1)로 전열되면서 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 충진된 기체(공기)는 팽창하게 되고, 팽창하는 기체(공기)에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 더욱 신장(팽창)하여 개폐부재(25)를 하측으로 밀어 주게 된다.In particular, when the gas (air) is supplied and expanded (expanded) between the envelope (31) and the out bellows (32), the heat in the heating chamber housing (2) is opened through the opening and closing member (25). Gas (air) filled between the envelope (31) and the outer bellows 32 while being heated to 1) expands, and the envelope (31) and the bellows (32) are further expanded by the expanding gas (air). It expands (expands) and pushes the opening / closing member 25 downward.

따라서, 개폐변(26)이 개폐장치하우징(21)을 형성하는 밑판에 견고하게 밀착되면서 배기공(23)을 견실하게 폐쇄시켜 밀폐효과를 높게 더욱 높일 수 있게 된다.Therefore, the opening and closing side 26 is firmly in close contact with the bottom plate forming the opening and closing device housing 21, it is possible to tightly close the exhaust hole 23 to further increase the sealing effect.

또 상기 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하는 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우 즈(32)의 하단에는 인벨로우즈하단링(35-2)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)이 구비되어 있으므로, 열교환면적이 종래 이중벨로우즈장치(30)보다 넓게 된다.In addition, a lower bellows ring 35-2 and an outer bellows ring 36-2 are provided at the lower end of the bellows 31 and the outer bellows 32 forming the double bellows device 30-1. Therefore, the heat exchange area is wider than that of the conventional double bellows device 30.

따라서, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급된 기체의 온도가 신속하게 상승하여 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)를 더욱 신속하게 신장(팽창)시켜 밀폐작동이 신속하게 이루어지고, 폐쇄상태에서도 전열되는 열기에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 팽창상태가 지속적으로 유지되어 높은 밀폐효과를 유지하게 된다.As a result, the temperature of the gas supplied between the envelope 31 and the outer bellows 32 rises rapidly, and the envelope 31 and the bellows 32 can be expanded (expanded) more quickly, so that the sealing operation can be performed quickly. In addition, the expanded state of the bellows 31 and the outer bellows 32 is continuously maintained by heat that is transferred even in a closed state to maintain a high sealing effect.

또한, 이중벨로우즈장치(30-1)의 외측에 설치된 냉각수단(24)인 냉각코일에는 냉매 또는 냉각수가 통과하여 개폐장치하우징(21)의 내부를 냉각시키고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 과도하게 과열되는 것을 견제하고 방지하며, 뿐만 아니라 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 변형을 방지하게 된다.In addition, the cooling coil 24, which is the cooling means 24 provided outside the double bellows device 30-1, cools the inside of the switchgear housing 21 by passing through a refrigerant or cooling water, and allows the bellows 31 and the outer bellows ( 32 to prevent and prevent excessive overheating, as well as to prevent deformation of the envelope 31 and the out bellows 32.

반면에, 배기구개폐장치(20)에 의해 배기구(22)를 개방시켜 히팅챔버하우징(2)내의 가스를 배출시킬 때에는 다음과 같이 실시한다.On the other hand, when the gas in the heating chamber housing 2 is discharged by opening the exhaust port 22 by the exhaust opening / closing device 20, it is performed as follows.

전술한 바와 같이 이중벨로우즈장치(30-1)를 형성하는 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 기체가 공급되어 개폐부재(25)가 하향하여 배기공(23)(6)을 폐쇄시키고 이는 상태에서 개방이 실시된다.As described above, gas is supplied between the bellows 31 and the outer bellows 32 forming the double bellows device 30-1 so that the opening / closing member 25 moves downward to close the exhaust holes 23 and 6. Which is then opened in this state.

기체공급배출장치(29)가 역으로 작동하여 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이에 충진되어 있는 기체를 흡입하여 포트(PORT)에 복귀시키고, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이에 충진된 기체가 포트(PORT)로 복귀하면 신장(팽창)되어 있던 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)는 수축된다.The gas supply discharge device 29 operates inversely to suck the gas filled between the envelope 31 and the outer bellows 32 to return to the port PORT, and the envelope 31 and the bellows ( When the gas filled between 32 returns to the port, the envelope 31 and the bellows 32 that have been expanded (expanded) are contracted.

인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)이 수축될 때에, 신장되어 있던 탄성부재(28)가 압축되면서 개폐부재(25)를 상측으로 당기게 되고, 이중벨로우즈장치(30-1)의 외측에 설치된 냉각수단(24)인 냉각코일을 통과하는 냉매 또는 냉각수에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 냉각되므로, 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)는 더욱 신속하게 수축된다.When the envelope 31 and the outer bellows 32 are contracted, the elastic member 28 that has been stretched is pulled upward and the opening and closing member 25 is pulled upward, and is installed outside the double bellows device 30-1. Since the envelope 31 and the outer bellows 32 are cooled by the refrigerant or cooling water passing through the cooling coil 24 that is the cooling means 24, the envelope 31 and the bellows 32 shrink more quickly.

인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 수축되고 탄성부재(28)가 압축되어 개폐부재(25)가 상측으로 이동하게 되면 배기공(23)(6)은 개방되며, 개방된 배기공(23)(6)을 통해 개폐장치하우징(21)으로 유입되는 히팅챔버하우징(2)내의 가스는 배기구(22)를 통해 배출된다.When the envelope 31 and the outer bellows 32 are contracted and the elastic member 28 is compressed to move the opening / closing member 25 upward, the exhaust holes 23 and 6 are opened, and the opened exhaust hole ( The gas in the heating chamber housing 2 introduced into the switchgear housing 21 through the 23 and 6 is discharged through the exhaust port 22.

개폐부재(25)가 상승하여 배기공(23)(6)을 개방시킬 때에 상승한 개폐부재(25)가 개폐감지센서(27)를 터치하여 배기공(23)(6)이 개방된 정보를 메인컨트롤부(구체적으로 도시하지 아니함)에 제공하게 된다.When the opening / closing member 25 rises to open the exhaust holes 23 and 6, the opened opening / closing member 25 touches the opening / closing sensor 27 so that the exhaust holes 23 and 6 are opened. It is provided to the control unit (not specifically shown).

상기와 같이 본 발명에 따른 배기구개폐장치(20)는, 기체공급배출장치(29)를 작동시켜 기체를 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급(충진)시켜 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)를 신장(팽창)시켜 줌으로서 배기공(23)(6)을 폐쇄시키고, 기체공급배출장치(29)를 역 작동시켜 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)의 사이로 공급(충진)되어 있는 기체를 포트(PORT)로 복귀시켜 신장(팽창)되어 있던 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)를 수축시켜 줌으로서 배기공(23)(6)을 개방시켜 주게 된다.As described above, the exhaust opening and closing device 20 according to the present invention operates the gas supply and discharge device 29 to supply (fill) the gas between the envelope 31 and the outer bellows 32 to form the envelope 31. And the exhaust bells (23) and (6) are closed by extending (expanding) the bellows (32), and the gas supply and discharge device (29) is reversed to operate between the bellows (31) and the bellows (32). The gas supplied (filled) is returned to the port, and the exhaust bells 23 and 6 are opened by contracting the expanded bellows 31 and the out bellows 32. .

특히, 배기구개폐장치(20)의 이중벨로우즈장치(30-1)는, 상단과 하단에 각각 별도로 구비되는 인벨로우즈상단링(35-1)과 인벨로우즈하단링(35-2) 및 아웃벨로우즈상단링(36-1)과 아웃벨로우즈하단링(36-2)에 의해 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32) 사이에 형성되는 내부공간의 간격이 일정(균일)하게 유지되므로, 기체를 주입시키거나 방출시킬 때에 인벨로우즈(31)와 아웃벨로우즈(32)가 균일하게 팽창 및 수축되면서 개폐부재(25)를 균일한 상태로 유지시키면서 상하 작동시켜 개폐장치하우징(21)과 히팅챔버하우징(2)의 배기공(23)(6)을 정확(정밀)하게 개폐시켜 주게 된다.In particular, the double bellows device 30-1 of the exhaust opening / closing device 20 includes an upper bellows upper ring 35-1, an lower bellows 35-2 and an upper bellows upper ring 35-1 and an outer bellows upper ring. Since the space between the inner space formed between the bellows 31 and the outer bellows 32 by the ring 36-1 and the lower bellows lower ring 36-2 is kept constant (uniformly), gas is injected. Or the bellows 31 and the outer bellows 32 are uniformly inflated and shrunk when being discharged or discharged while the opening and closing member 25 is maintained in a uniform state while the opening and closing device housing 21 and the heating chamber housing 2 are operated. The exhaust holes 23, 6 are opened and closed accurately (precision).

상기에서 본 발명의 특정한 실시 예에 대하여만 설명 및 도시되었지만, 보 발명의 기술사상범위 내에서 다양한 변형 및 수정할 수 있음은 당업자에 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although described and illustrated only with respect to specific embodiments of the invention above, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made within the technical spirit of the invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims. It is natural.

도 1은 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치를 반도체제조용 히팅챔버에 설치한 상태를 보인 예시 단면도.1 is an exemplary cross-sectional view showing a state in which the exhaust opening and closing device of the semiconductor manufacturing heating chamber according to the present invention is installed in the semiconductor manufacturing heating chamber.

도 2는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구에 설치되는 종래의 배기구 개폐장치를 보인 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing a conventional exhaust opening and closing device installed in the exhaust port of the heating chamber for semiconductor manufacturing.

도 3은 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치에 설치되는 이중벨로우즈장치를 발췌하여 보인 부분 단면 사시도.Figure 3 is a partial cross-sectional perspective view showing a double bellows device is installed in the exhaust opening and closing device of the heating chamber for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

도 4a 및 도 4b와 도 5는 본 발명에 따른 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치에 설치되는 이중벨로우즈장치의 분해 및 결합 상태를 보인 단면도.4A and 4B and 5 are cross-sectional views illustrating a disassembled and coupled state of a double bellows device installed in an exhaust opening and closing device of a heating chamber for manufacturing a semiconductor according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1: 히팅챔버 2: 히팅챔버하우징 3: 블로우어1: heating chamber 2: heating chamber housing 3: blower

5: 히터 6: 전원공급부 7: 온도감지기5: heater 6: power supply 7: temperature sensor

10: 반응튜브 11: 보드 12: 웨이퍼10: reaction tube 11: board 12: wafer

20: 배기구개폐장치 21: 개폐장치하우징 22: 배기구20: exhaust opening and closing device 21: switchgear housing 22: exhaust vent

24: 냉각수단 25: 개폐부재 28: 탄성부재24: cooling means 25: opening and closing member 28: elastic member

30.30-1: 이중벨로우즈장치 31: 인벨로우즈30.30-1: double bellows device 31: envelope

32: 아웃벨로우즈 35: 인벨로우즈링 36: 아웃벨로우즈링32: Bellows ring 35: Bellows ring 36: Bellows ring

37: 유체공급공 38-1. 38-2: 용접부37: Fluid supply hole 38-1. 38-2: weld

Claims (4)

히팅챔버하우징의 상면에 설치되는 배기구개폐장치의 내부에 장착되고 벨로우즈가 이중으로 장착되는 이중벨로우즈장치에 있어서;A double bellows device mounted in an exhaust opening and closing device installed on an upper surface of a heating chamber housing, and having bellows mounted in a double manner; 인벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 인벨로우즈뭉치를 형성한 것과;The upper and lower ends of the bellows are integrally fixed to the upper fixing body and the lower fixing body to form a bundle of bellows; 아웃벨로우즈의 상단과 하단에는 각각 별도로 구비된 상단고정체와 하단고정체를 일체로 고정시켜 아웃벨로우즈뭉치를 형성한 것과;An upper and lower ends of the outer bellows, the upper and lower fixing bodies are separately provided to integrally fix the integrated bellows to form an outer bellows bundle; 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체와, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 하단고정체를 당접시켜 고정수단에 의해 각각 일체로 고정시켜 이중벨로우즈장치로 형성한 것;을 포함하여 형성한 것을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치.Forming a double bellows device by affixing the upper fixing body of each of the bellows bundle and the outer bellows bundle, and the lower fixtures of the bellows bundle and the outer bellows bundle by being fixed integrally by the fixing means, respectively; An exhaust opening and closing device of a heating chamber for manufacturing a semiconductor, characterized in that. 청구항 1에 있어서, 인벨로우즈와 아웃벨로우즈의 각 상단과 하단에 각각 고정되는 상단고정체와 하단고정체는; The method according to claim 1, wherein the upper and lower fixed bodies respectively fixed to the upper and lower ends of the bellows and the outer bellows; 원형 띠 형상 모양의 상단링과 하단링인 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치.The upper ring and the lower ring of the circular band shape; the exhaust opening and closing device of the heating chamber for semiconductor manufacturing. 청구항 1에 있어서, 인벨로우즈뭉치 또는 아웃벨로우즈뭉치를 형성하도록 인벨로우즈 또는 아웃벨로우즈의 상단에 고정되는 상단고정체 중에서 어느 일측 상단 고정체에는, 유체공급공을 더 형성한 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치.The semiconductor device according to claim 1, further comprising a fluid supply hole in any one of the upper end fixing bodies fixed to the upper end of the inner bellows or the outer bellows to form the inner bellows or the outer bellows. Exhaust port opening and closing device of manufacturing heating chamber. 청구항 1에 있어서, 인벨로우즈뭉치와 아웃벨로우즈뭉치의 각 상단고정체 및 하단고정체를 각각 일체로 고정시키는 고정수단은; The method of claim 1, wherein the fixing means for fixing the upper and lower fixed body of each of the bellows bundle and the bellows bundle, respectively; 용접에 의해 일체로 고정시킨 것;을 특징으로 하는 반도체제조용 히팅챔버의 배기구 개폐장치.An exhaust port opening and closing device of a heating chamber for manufacturing a semiconductor, characterized in that fixed integrally by welding.
KR1020080008675A 2008-01-28 2008-01-28 A opening and closing device of furnace for hitting chamber KR100959260B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008675A KR100959260B1 (en) 2008-01-28 2008-01-28 A opening and closing device of furnace for hitting chamber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008675A KR100959260B1 (en) 2008-01-28 2008-01-28 A opening and closing device of furnace for hitting chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090082744A true KR20090082744A (en) 2009-07-31
KR100959260B1 KR100959260B1 (en) 2010-05-26

Family

ID=41294000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080008675A KR100959260B1 (en) 2008-01-28 2008-01-28 A opening and closing device of furnace for hitting chamber

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100959260B1 (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3032708B2 (en) * 1995-09-25 2000-04-17 シーケーディ株式会社 On-off valve for vacuum
KR19990086797A (en) * 1998-05-29 1999-12-15 윤종용 Double bellows device of semiconductor vacuum equipment
KR20040013294A (en) * 2002-08-05 2004-02-14 삼성전자주식회사 Dry etching apparatus for manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR100959260B1 (en) 2010-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8021488B2 (en) Sealing structure of vacuum device
CN101680090B (en) Vacuum processing apparatus
US8354623B2 (en) Treatment apparatus, treatment method, and storage medium
KR101117188B1 (en) Apparatus for processing a substrate
KR20150023330A (en) Substrate placing table and substrate processing apparatus
KR20150125837A (en) Apparatus and Method for treating substrate
CN110739244A (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
US6902648B2 (en) Plasma etching device
KR100959260B1 (en) A opening and closing device of furnace for hitting chamber
KR101408008B1 (en) Air valve
KR20100058210A (en) Substrate processing apparatus
KR100737749B1 (en) Remote plasma ashing apparatus and method
KR101509632B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20080086631A (en) Substrate processing system and method for controlling the same
KR102310460B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101088679B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR101099604B1 (en) Bellows unit, substrates treating apparatus including the unit, and method for checking leak of the unit
KR101111376B1 (en) Substrate processing apparatus
TW202021010A (en) Substrate heating device and substrate heating method
KR102470479B1 (en) Valve apparatus and operating method thereof
KR20040039792A (en) Process chamber for using semiconductor fabricating equipment
KR101517488B1 (en) cylinder unit and lift pin assembly having the same
KR100749632B1 (en) Device for manufacturing wafer slide
US20230417488A1 (en) Heat treatment apparatus and temperature regulation method of heat treatment apparatus
KR200458798Y1 (en) Apparatus for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130816

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140703

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150616

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160715

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170802

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181115

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190712

Year of fee payment: 10