KR20090082574A - Light emitting diode package - Google Patents

Light emitting diode package Download PDF

Info

Publication number
KR20090082574A
KR20090082574A KR1020080008404A KR20080008404A KR20090082574A KR 20090082574 A KR20090082574 A KR 20090082574A KR 1020080008404 A KR1020080008404 A KR 1020080008404A KR 20080008404 A KR20080008404 A KR 20080008404A KR 20090082574 A KR20090082574 A KR 20090082574A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
device mounting
housing
light
Prior art date
Application number
KR1020080008404A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100969143B1 (en
Inventor
김선홍
김민식
이지나
Original Assignee
알티전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 알티전자 주식회사 filed Critical 알티전자 주식회사
Priority to KR1020080008404A priority Critical patent/KR100969143B1/en
Publication of KR20090082574A publication Critical patent/KR20090082574A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100969143B1 publication Critical patent/KR100969143B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

A light-emitting diode package for preventing the degradation of adhesion strength of a light emitting diode chip is provided to improve light reflection performance by the lead frame due to the prevention of the surface anomaly of the lead frame. A light-emitting diode package comprises a housing(100), lead frames, a light emitting diode chip, and a device mount unit. The housing comprises the light exit unit of the groove type formed with the side wall. The lead frame is combined in the housing. The lead frame comprises inner leads, and outer leads. The inner lead is exposed in the light exit unit. The outer lead is extended to the outside of the housing. The light emitting diode chip has as to the device mount area.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}Light Emitting Diode Package {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더 상세하게는 제품 신뢰성이 향상된 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly to a light emitting diode package with improved product reliability.

전자 기기에 장착된 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD)는 자체 광원이 없기 때문에 백라이트 장치를 사용하여 화상을 표시한다. 백라이트 장치는 액정 패널의 후방에서 광을 제공하며, 냉음극선 형광램프(Cold Cathode Fluorescent Lamp: CCFL), 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 등이 광원으로 사용된다. 최근에는 중소형 액정 표시 장치의 백라이트 장치에 발광 다이오드를 광원으로 사용한다. 이때, LED는 측면 발광형 제품을 사용하여 액정 패널의 측면에서 광을 제공한다.Liquid crystal displays (LCDs) mounted on electronic devices do not have their own light sources and display images using a backlight device. The backlight device provides light from the rear of the liquid crystal panel, and a cold cathode fluorescent lamp (CCFL), a light emitting diode (LED), or the like is used as a light source. Recently, a light emitting diode is used as a light source in a backlight device of a small and medium liquid crystal display device. At this time, the LED provides light at the side of the liquid crystal panel using a side emitting type product.

발광 다이오드는 리드 프레임에 실장되는 칩 형태로 형성되어 와이어 등을 매개로 리드 프레임에 전기적으로 연결된다. 그리고, 발광 다이오드는 사출물로 형성된 하우징에 리드 프레임과 함께 수용되어 발광 다이오드 패키지로 형성된다. 발광 다이오드는 발광 다이오드 패키지에서 하우징의 측벽에 의해 형성된 홈에 위치하여 광을 방출한다.The light emitting diode is formed in the form of a chip mounted on the lead frame and is electrically connected to the lead frame through a wire or the like. The light emitting diode is accommodated together with a lead frame in a housing formed of an injection molded product to form a light emitting diode package. The light emitting diode is located in a groove formed by the side wall of the housing in the light emitting diode package and emits light.

종래의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드가 실장되는 리드 프레임이 금속으로 형성되어 장시간 사용시 실장 표면에 산화 또는 황화 증상이 발생한다. 이에 따라, 발광 다이오드 패키지는 광 반사 성능과 수명의 신뢰성이 저하된다.In a conventional LED package, a lead frame on which a light emitting diode is mounted is formed of a metal, and thus, an oxidation or sulfide symptom occurs on the surface of the package for a long time. As a result, the light emitting diode package has low light reflection performance and lifetime reliability.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 광 반사 성능과 수명의 신뢰성이 향상된 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package with improved light reflection performance and lifetime reliability.

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 측벽으로 형성된 홈 형태의 광출부를 포함하는 하우징; 상기 하우징에 결합되며, 상기 광출부에서 노출된 내측 리드와, 상기 하우징의 외부로 연장된 외측 리드를 포함하는 리드 프레임; 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결되어 광을 생성하는 발광 다이오드 칩; 및 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 소자 실장부를 포함하되, 상기 소자 실장부는 상기 내측 리드와 중첩되어 형성된다.In order to solve the above problems, the light emitting diode package according to the present invention includes a housing including a light-emitting portion of the groove shape formed by the side wall; A lead frame coupled to the housing and including an inner lead exposed from the light emitting part and an outer lead extending out of the housing; A light emitting diode chip electrically connected to the lead frame to generate light; And a device mounting part in which the LED chip is mounted, wherein the device mounting part overlaps the inner lead.

상기 소자 실장부는 절연 재질의 사출물로 형성될 수 있다. 이때, 상기 소자 실장부는 상기 광출부의 내부에서 마주하는 상기 측벽을 연결하여 형성될 수 있다.The device mounting part may be formed of an injection material of an insulating material. In this case, the device mounting unit may be formed by connecting the sidewalls facing the light exiting unit.

상기 소자 실장부는 상기 광출부에 수납되는 플레이트로 형성될 수 있다. 이때, 상기 소자 실장부는 상기 하우징 및 내측 리드 중 적어도 어느 하나에 부착될 수 있다.The device mounting unit may be formed as a plate accommodated in the light exit unit. In this case, the device mounting unit may be attached to at least one of the housing and the inner lead.

상기 소자 실장부는 상기 하우징의 일부를 이용하여 형성될 수 있다.The device mounting part may be formed using a part of the housing.

상기 하우징은 일측으로 돌출되어 상기 광출부를 확장시키는 지지부를 더 포 함할 수 있다.The housing may further include a support portion protruding to one side to expand the light exit portion.

본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 광출부에 충진되어 상기 내측 리드, 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 소자 실장부를 보호하는 봉지부를 더 포함할 수 있다.The LED package according to the present invention may further include an encapsulation part filled in the light emitting part to protect the inner lead, the LED chip, and the device mounting part.

본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 소자 실장부에 실장되는 정전압 다이오드를 더 포함할 수 있다.The LED package according to the present invention may further include a constant voltage diode mounted on the device mounting unit.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will become apparent from the description with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩이 부착되는 소자 실장부를 형성하여 리드 프레임의 표면 이상을 방지한다. 이에 따라, 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임에 의한 광 반사 성능이 향상된다. 그리고, 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩의 접착력 저하을 방지하여 제품 수명의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The light emitting diode package according to the present invention forms an element mounting portion to which the light emitting diode chip is attached, thereby preventing the surface of the lead frame. Accordingly, the light emitting diode package has improved light reflection performance by the lead frame. In addition, the LED package may prevent degradation of adhesion of the LED chip, thereby improving reliability of product life.

본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에 대한 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 도면에서는 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하 기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고, 명세서 전체에 걸쳐 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다.An embodiment of a light emitting diode package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. In addition, the same code | symbol is attached | subjected about the similar part throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지를 I-I'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이며, 도 3은 도 1의 발광 다이오드 패키지를 II-II'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting diode package of FIG. 1 taken along line II ′, and FIG. 3 is a cross-sectional view of FIG. Sectional drawing which cut | disconnected the LED package along the II-II 'line.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(100), 제1 및 제2 리드 프레임(210,220), 소자 실장부(300), 발광 다이오드 칩(400) 및 봉지부(500)를 포함한다.1 to 3, a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention includes a housing 100, first and second lead frames 210 and 220, a device mounting unit 300, and a light emitting diode chip ( 400 and an encapsulation part 500.

상기 하우징(100)은 절연 재질의 사출물로 형성되어 제1 및 제2 리드 프레임(210,220)을 수용한다. 특히, 하우징(100)은 기계적 강도가 우수하고 반사율이 좋은 플라스틱으로 형성될 수 있다. 하우징(100)은 홈 형태로 형성된 광출부(110)를 포함한다. 광출부(110)는 광 방출을 위해 일측으로 개구되도록 측벽(120)으로 형성된다. 이때, 측벽(120)은 광 반사 효율을 향상시키기 위해 내측면이 경사지게 형성된다.The housing 100 is formed of an injection molded material of insulating material to accommodate the first and second lead frames 210 and 220. In particular, the housing 100 may be formed of a plastic having excellent mechanical strength and good reflectance. The housing 100 includes a light emitting part 110 formed in a groove shape. The light exit portion 110 is formed as a side wall 120 to be opened to one side for light emission. At this time, the side wall 120 is formed to be inclined to the inner surface to improve the light reflection efficiency.

하우징(100)은 지지대 역할을 위해 일측으로 돌출되어 형성된 지지부(150)를 포함한다. 지지부(150)는 제1 및 제2 리드 프레임(210,220)과 동일한 높이로 형성된다. 이때, 지지부(150)는 마주하는 일측의 측벽(120)에 상응하는 두께로 측벽(120)이 형성된다. 이에 따라, 광출부(110)는 지지부(150)에 해당하는 영역만큼 확장된다.The housing 100 includes a support part 150 protruding to one side to serve as a support. The support part 150 is formed at the same height as the first and second lead frames 210 and 220. At this time, the support 150 is formed with a side wall 120 to a thickness corresponding to the side wall 120 of the opposite side. Accordingly, the light emitting part 110 is extended by an area corresponding to the support part 150.

상기 제1 및 제2 리드 프레임(110,120)은 각각 도전성 재질의 판재를 가공하여 형성된다. 예를 들어, 제1 및 제2 리드 프레임(210,220)은 은(Ag)으로 도금된 구리(Cu) 판재로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 리드 프레임(210,220)은 각각 하우징(100)에 커버되어 광출부(110)를 통해 노출되는 제1 및 제2 내측 리드(211,221)와, 외부로부터 전원을 공급받기 위해 하우징(100)의 외부로 연장되는 제1 및 제2 외측 리드(212,222)로 구분된다. 그리고, 제1 및 제2 리드 프레임(210,220)은 각각 음극 및 양극 단자로 적용되며, 경우에 따라 각각 양극 및 음극 단자로 적용될 수도 있다.The first and second lead frames 110 and 120 are formed by processing a plate of conductive material, respectively. For example, the first and second lead frames 210 and 220 may be formed of a copper (Cu) plate plated with silver (Ag). The first and second lead frames 210 and 220 are respectively covered by the housing 100 to expose the first and second inner leads 211 and 221 exposed through the light emitting unit 110, and the housing 100 to receive power from the outside. ) And the first and second outer leads 212 and 222 extending outwardly. In addition, the first and second lead frames 210 and 220 may be applied to the negative electrode and the positive electrode terminal, respectively. In some cases, the first and second lead frames 210 and 220 may be applied to the positive electrode and the negative electrode terminal.

상기 소자 실장부(300)는 광출부(110)의 중앙 부분에 형성된다. 소자 실장부(300)는 제1 내측 리드(211)의 일부와 중첩되어 형성된다. 소자 실장부(300)는 제1 내측 리드(211)를 대신하여 발광 다이오드 칩(400)의 실장 영역을 제공한다.The device mounting unit 300 is formed at the central portion of the light emitting unit 110. The element mounting unit 300 overlaps with a portion of the first inner lead 211. The device mounting unit 300 provides a mounting area of the LED chip 400 in place of the first inner lead 211.

소자 실장부(300)는 발광 다이오드 칩(400)을 실장하기 위한 최소 면적으로 형성될 수 있다. 소자 실장부(300)는 제1 내측 리드(211)와 중첩되는 영역을 최소화하여 제1 내측 리드(211)의 광 반사 면적이 감소되는 것을 방지한다.The device mounting unit 300 may be formed with a minimum area for mounting the LED chip 400. The device mounting unit 300 prevents the light reflection area of the first inner lead 211 from being reduced by minimizing a region overlapping with the first inner lead 211.

소자 실장부(300)는 하우징(100)과 같이 절연 재질의 사출물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 소자 실장부(300)는 광출부(110)의 중앙 부분에서 마주하는 측벽(120)을 연결하도록 하우징(100)의 일부로 형성될 수 있다. 소자 실장부(300)는 광출부(110)에 수납될 수 있도록 절연 플레이트로 형성되어 제1 내측 리드(211) 또는 하우징(100)의 일부에 부착될 수도 있다. 예를 들어, 소자 실장부(300)는 제1 내측 리드(211)의 일부를 덮도록 박막 플레이트로 형성된다. 그리고, 소자 실장부(300)는 접착 수단으로 제1 내측 리드(211) 또는 하우징(100)의 일부에 접착되어 고정된다.The device mounting unit 300 may be formed of an injection-molded material, such as the housing 100. For example, the device mounting unit 300 may be formed as part of the housing 100 to connect the side wall 120 facing the central portion of the light emitting unit 110. The device mounting unit 300 may be formed of an insulating plate to be accommodated in the light emitting unit 110 and attached to the first inner lead 211 or a part of the housing 100. For example, the device mounting unit 300 is formed of a thin film plate to cover a portion of the first inner lead 211. In addition, the device mounting unit 300 is adhered to and fixed to a part of the first inner lead 211 or the housing 100 by an adhesive means.

이러한 소자 실장부(300)는 제1 리드 프레임(210)에 발광 다이오드 칩(400)이 실장될 경우 발생하는 제1 리드 프레임(210)의 표면 이상을 방지한다. 예를 들어, 제1 리드 프레임(210)은 발광 다이오드 칩(400)이 실장된 도전성 재질의 표면이 산화 또는 황화되어 광 반사 성능 및 수명에 대한 신뢰성이 저하되었다. 소자 실장부(300)는 제1 리드 프레임(210) 대신 발광 다이오드 칩(400)을 실장하여 산화 및 황화와 같은 제1 리드 프레임(210)의 표면 이상을 방지한다. 이에 따라, 소자 실장부(300)는 제1 리드 프레임(210)의 광 반사 성능을 향상시킬 수 있다.The device mounting unit 300 prevents an abnormality of the surface of the first lead frame 210 that occurs when the LED chip 400 is mounted on the first lead frame 210. For example, in the first lead frame 210, the surface of the conductive material on which the light emitting diode chip 400 is mounted is oxidized or sulfided, thereby degrading reliability of light reflection performance and lifespan. The device mounting unit 300 mounts the LED chip 400 instead of the first lead frame 210 to prevent abnormalities of the surface of the first lead frame 210 such as oxidation and sulfide. Accordingly, the device mounting unit 300 may improve the light reflection performance of the first lead frame 210.

상기 발광 다이오드 칩(400)은 소자 실장부(300)에 실장된다. 발광 다이오드 칩(130)은 레진(resin) 페이스트(paste) 등의 접착 수단으로 소자 실장부(300)에 부착될 수 있다.The LED chip 400 is mounted on the device mounting unit 300. The light emitting diode chip 130 may be attached to the device mounting unit 300 by an adhesive means such as a resin paste.

발광 다이오드 칩(400)은 일반적인 방식의 발광 다이오드로 형성되며, 실질적으로 사파이어(Al2O3) 기판에 질화 갈륨(GaN) 계열을 소재로 하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 칩(400)은 청색 파장대의 광을 방출하는 질화 갈륨 계열로 형성되며, 황색 파장대의 광을 발산하는 형광체가 상부에 도포되면 이들 광의 혼합으로 백색광을 나타낼 수 있다.The light emitting diode chip 400 may be formed of a light emitting diode of a general type, and may be formed of a gallium nitride (GaN) based material on a sapphire (Al 2 O 3 ) substrate. For example, the light emitting diode chip 400 may be formed of a gallium nitride series emitting light of a blue wavelength band, and when a phosphor that emits light of a yellow wavelength band is coated on the top, the light emitting diode chip 400 may display white light by mixing these lights.

발광 다이오드 칩(400)은 제1 및 제2 와이어(410,420)를 통해 각각 제1 및 제2 리드 프레임(210,220)과 전기적으로 연결된다. 제1 및 제2 와이어(410,420)는 도전율이 높은 금(Au)으로 형성될 수 있다. 제2 와이어(420)는 제2 리드 프레임(220)에 인가된 순방향의 전류를 발광 다이오드 칩(400)에 전달한다.The LED chip 400 is electrically connected to the first and second lead frames 210 and 220 through the first and second wires 410 and 420, respectively. The first and second wires 410 and 420 may be formed of gold (Au) having high conductivity. The second wire 420 transfers a forward current applied to the second lead frame 220 to the light emitting diode chip 400.

상기 봉지부(500)는 광출부(110)에 충진되어 소자 실장부(300), 발광 다이오드 칩(400) 및 제1 및 제2 와이어(410,420)를 봉지하고 이들을 보호한다. 봉지부(500)는 투명 에폭시, 실리콘 등의 수지로 형성될 수 있다. 이때, 봉지부(500)는 발광 다이오드 칩(400)의 발광색에 대응되는 형광체를 혼합하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 봉지부(500)는 백색광을 방출하기 위해 발광 다이오드 칩(400)의 청색 파장대의 광에 대응되는 황색 파장대의 형광체를 혼합하여 형성된다.The encapsulation part 500 is filled in the light emitting part 110 to encapsulate and protect the device mounting part 300, the LED chip 400, and the first and second wires 410 and 420. The encapsulation part 500 may be formed of a resin such as transparent epoxy or silicon. In this case, the encapsulation part 500 may be formed by mixing phosphors corresponding to the emission color of the LED chip 400. For example, the encapsulation part 500 is formed by mixing phosphors of a yellow wavelength band corresponding to light of a blue wavelength band of the LED chip 400 to emit white light.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 역방향 전류에 대하여 정전 내압을 갖는 정전압 다이오드를 더 포함할 수 있다. 정전압 다이오드는 발광 다이오드 칩(400)과 함께 소자 실장부(300)에 실장된다. 이때, 소자 실장부(300)는 발광 다이오드 칩(400)과 정전압 다이오드의 면적에 상응하는 면적으로 형성된다.On the other hand, the LED package according to an embodiment of the present invention may further include a constant voltage diode having an electrostatic withstand voltage with respect to the reverse current. The constant voltage diode is mounted on the device mounting unit 300 together with the light emitting diode chip 400. In this case, the device mounting unit 300 is formed with an area corresponding to the area of the light emitting diode chip 400 and the constant voltage diode.

정전압 다이오드는 정전기 등의 역방향 전류에 의한 발광 다이오드 칩(400)의 손상을 방지한다. 이를 위해, 정전압 다이오드는 대표적으로 제너(zener) 다이오드가 포함되지만, 정전압 효과를 갖는 기타 다이오드도 포함될 수 있다.The constant voltage diode prevents damage to the LED chip 400 due to reverse current such as static electricity. To this end, the constant voltage diode typically includes a zener diode, but may also include other diodes having a constant voltage effect.

이하에서는 도 4를 더 참조하여 하우징과 소자 실장부를 부연 설명한다.Hereinafter, the housing and the element mounting unit will be described further with reference to FIG. 4.

도 4는 도 1의 하우징을 III-III'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the housing of FIG. 1 taken along line III-III '.

도 4에 도시된 바와 같이, 하우징(100)은 제1 및 제2 리드 수용부(160,170), 지지부(150) 및 소자 실장부(300)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the housing 100 includes first and second lead receptacles 160 and 170, a support 150, and a device mounting unit 300.

제1 및 제2 리드 수용부(160,170)는 삽입된 제1 및 제2 리드 프레임의 제1 및 제2 내측 리드를 수용한다. 제1 및 제2 리드 수용부(160,170)는 제1 및 제2 내측 리드를 노출시키기 위해 일부분이 개구되어 형성된다. 그리고, 제1 및 제2 리드 수용부(160,170)는 절연부(180)를 사이에 두고 형성되어 삽입된 제1 및 제2 내측 리드 간의 전기적 연결을 방지한다.The first and second lead receptacles 160 and 170 accommodate the first and second inner leads of the inserted first and second lead frames. The first and second lead receptacles 160 and 170 are formed by opening a portion thereof to expose the first and second inner leads. In addition, the first and second lead receptacles 160 and 170 are formed with the insulating part 180 interposed therebetween to prevent electrical connection between the first and second inner leads inserted therein.

지지부(150)는 하우징(100)에서 지지대 역할을 위해 일측으로 돌출되어 형성된다.The support 150 is formed to protrude to one side for the support role in the housing 100.

소자 실장부(300)는 절연부(180)에 연결되며, 제1 리드 수용부(160)의 개구부와 중첩되도록 형성된다. 이때, 소자 실장부(300)는 제1 내측 리드의 광 반사 성능 저하를 감소시키도록 형성된다. 예를 들어, 소자 실장부(300)는 발광 다이오드 칩이 부착되며, 제1 리드 수용부(160)의 개구부를 최대로 확장시킬 수 있는 면적으로 형성되는 것이 바람직하다.The device mounting unit 300 is connected to the insulating unit 180 and is formed to overlap the opening of the first lead receiving unit 160. In this case, the device mounting unit 300 is formed to reduce the light reflection performance degradation of the first inner lead. For example, the device mounting unit 300 may be formed with an area to which the LED chip is attached and which can extend the opening of the first lead receiving unit 160 to the maximum.

소자 실장부(300)는 하우징(100)과 함께 사출물로 형성될 수 있다. 이때, 소자 실장부(300)는 발광 다이오드 칩이 부착되는 일면을 평평하게 형성하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 소자 실장부(300)는 발광 다이오드 칩의 접착력 저하를 방지하여 제품 수명의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The device mounting unit 300 may be formed of an injection molded product together with the housing 100. In this case, the device mounting unit 300 preferably forms one surface to which the LED chip is attached flat. Accordingly, the device mounting unit 300 may improve the reliability of the product life by preventing the adhesion of the LED chip.

이하에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이고, 도 6은 도 5의 발광 다이오드 패키지를 I-I'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이다.5 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting diode package of FIG. 5 taken along line II ′.

도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지는 하우징(100), 제1 및 제2 리드 프레임(210,220), 소자 실장부(300), 발광 다이오드 칩(400) 및 봉지부(500)를 포함한다. 여기서는 상술된 일 실시 예와의 차이점을 위주로 설명한다.5 and 6, a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention may include a housing 100, first and second lead frames 210 and 220, a device mounting unit 300, and a light emitting diode chip ( 400 and an encapsulation part 500. Here, the differences from the above-described embodiment will be mainly described.

하우징(100)은 광출부(110), 측벽(120), 지지부(150) 및 소자 실장부(300)를 포함하여 형성된다.The housing 100 includes a light emitting part 110, a side wall 120, a support part 150, and an element mounting part 300.

소자 실장부(300)는 광출부(110)의 중앙 부분에 형성되고, 제1 및 제2 내측 리드(211,221) 사이에 위치하여 제1 및 제2 내측 리드(211,221)를 절연시킨다. 그리고, 소자 실장부(300)는 발광 다이오드 칩(400)이 부착될 영역을 제공한다. 이때, 소자 실장부(300)는 제1 및 제2 내측 리드(211,221)의 광 반사 면적이 감소되는 것을 방지하기 위해서 발광 다이오드 칩(400)이 부착될 수 있는 최소 면적으로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한, 소자 실장부(300)는 하우징(100)의 일부분을 사용하여 형성됨으로써, 비용 절감과 제조가 간편한 장점을 가진다.The device mounting unit 300 is formed in the central portion of the light emitting unit 110 and is positioned between the first and second inner leads 211 and 221 to insulate the first and second inner leads 211 and 221. The device mounting unit 300 provides a region to which the LED chip 400 is attached. In this case, the device mounting unit 300 may be formed to have a minimum area to which the LED chip 400 may be attached in order to prevent the light reflection areas of the first and second inner leads 211 and 221 from being reduced. Such, the device mounting portion 300 is formed by using a portion of the housing 100, has the advantage of cost reduction and easy manufacturing.

제1 및 제2 리드 프레임(210,220)은 제1 및 제2 내측 리드(211,221)가 소자 실장부(300)를 사이에 두고 하우징(100)에 수용된다. 이때, 제1 내측 리드(211)는 도 2에 도시된 일 실시 예와 비교하면 상대적으로 짧게 형성된다.In the first and second lead frames 210 and 220, the first and second inner leads 211 and 221 are accommodated in the housing 100 with the device mounting unit 300 interposed therebetween. At this time, the first inner lead 211 is formed relatively short compared to the embodiment shown in FIG.

이상에서 상술한 본 발명은 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이다.Although the above-described present invention has been described with reference to the embodiments, those skilled in the art or those skilled in the art should not depart from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. Various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 발광 다이오드 패키지를 I-I'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the LED package of FIG. 1 taken along line II ′. FIG.

도 3은 도 1의 발광 다이오드 패키지를 II-II'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the LED package of FIG. 1 taken along line II-II '.

도 4는 도 1의 하우징을 III-III'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the housing of FIG. 1 taken along line III-III '.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.5 is a perspective view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 발광 다이오드 패키지를 I-I'선에 따라 절단하여 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view of the LED package of FIG. 5 taken along line II ′. FIG.

<도면 부호의 간단한 설명><Short description of drawing symbols>

100: 하우징 110: 광출부100: housing 110: light exit

120: 측벽 150: 지지부120: side wall 150: support

160,170: 리드 수용부 180: 절연부160, 170: lead accommodating part 180: insulating part

210,220: 리드 프레임 300: 소자 실장부210,220: lead frame 300: element mounting portion

400: 발광 다이오드 칩 500: 봉지부400: light emitting diode chip 500: encapsulation

Claims (9)

측벽으로 형성된 홈 형태의 광출부를 포함하는 하우징;A housing including a light-emitting portion in the form of a groove formed by sidewalls; 상기 하우징에 결합되며, 상기 광출부에서 노출된 내측 리드와, 상기 하우징의 외부로 연장된 외측 리드를 포함하는 리드 프레임;A lead frame coupled to the housing and including an inner lead exposed from the light emitting part and an outer lead extending out of the housing; 상기 리드 프레임과 전기적으로 연결되어 광을 생성하는 발광 다이오드 칩; 및A light emitting diode chip electrically connected to the lead frame to generate light; And 상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 소자 실장부를 포함하되,Including a device mounting portion on which the light emitting diode chip is mounted, 상기 소자 실장부는 상기 내측 리드와 중첩되어 형성된 발광 다이오드 패키지.The device mounting portion is a light emitting diode package formed to overlap with the inner lead. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소자 실장부는 절연 재질의 사출물로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The device mounting portion is a light emitting diode package, characterized in that formed of an injection molded material. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 소자 실장부는 상기 광출부의 내부에서 마주하는 상기 측벽을 연결하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The device mounting unit is a light emitting diode package, characterized in that formed by connecting the side walls facing in the light exit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소자 실장부는 상기 광출부에 수납되는 플레이트로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The device mounting portion is a light emitting diode package, characterized in that formed of a plate accommodated in the light emitting portion. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 소자 실장부는 상기 하우징 및 내측 리드 중 적어도 어느 하나에 부착된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The device mounting portion is a light emitting diode package, characterized in that attached to at least one of the housing and the inner lead. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소자 실장부는 상기 하우징의 일부를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The device mounting portion is a light emitting diode package, characterized in that formed using a portion of the housing. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하우징은 일측으로 돌출되어 상기 광출부를 확장시키는 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The housing further comprises a support portion protruding to one side to extend the light exit portion. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광출부에 충진되어 상기 내측 리드, 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 소자 실장부를 보호하는 봉지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.And a sealing part filled in the light emitting part to protect the inner lead, the LED chip, and the device mounting part. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소자 실장부에 실장되는 정전압 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package further comprises a constant voltage diode mounted on the device mounting portion.
KR1020080008404A 2008-01-28 2008-01-28 Light emitting diode package KR100969143B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008404A KR100969143B1 (en) 2008-01-28 2008-01-28 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080008404A KR100969143B1 (en) 2008-01-28 2008-01-28 Light emitting diode package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090082574A true KR20090082574A (en) 2009-07-31
KR100969143B1 KR100969143B1 (en) 2010-07-08

Family

ID=41293856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080008404A KR100969143B1 (en) 2008-01-28 2008-01-28 Light emitting diode package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100969143B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012169717A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2021022612A (en) * 2019-07-25 2021-02-18 日亜化学工業株式会社 Light-emitting module

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100591688B1 (en) * 2003-11-19 2006-06-22 럭스피아 주식회사 Leadframe and Side Light Emitting Diode Package Using the Same
KR100730512B1 (en) 2006-02-06 2007-06-20 알티전자 주식회사 Led package of side view type and the method of manufacturing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012169717A1 (en) * 2011-06-08 2012-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
US9287477B2 (en) 2011-06-08 2016-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2021022612A (en) * 2019-07-25 2021-02-18 日亜化学工業株式会社 Light-emitting module

Also Published As

Publication number Publication date
KR100969143B1 (en) 2010-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7422338B2 (en) Light emitting device
US7964892B2 (en) Light emitting device
CN108878623B (en) Light emitting device
US7655958B2 (en) Semiconductor light-emitting device and surface light source using the same
JP4711715B2 (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
AU2006254610B2 (en) Package structure of semiconductor light-emitting device
US8455889B2 (en) Lead frame for chip package, chip package, package module, and illumination apparatus including chip package module
TWI484666B (en) Light emitting device
US8362500B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting system
JP5778999B2 (en) Light emitting device and image display unit
KR100851183B1 (en) Semiconductor light emitting device package
JP4961978B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
KR20080027355A (en) Light emitting device
US9246074B2 (en) Light emitting device
KR101669281B1 (en) Light-emitting device
US20110175511A1 (en) Light emitting diode and light source module having same
JP4013287B2 (en) Planar light emitting device
JP2007280983A (en) Light-emitting device
KR100969143B1 (en) Light emitting diode package
JP5071069B2 (en) Light emitting device
JP5405602B2 (en) LED package and frame for LED package
KR100969141B1 (en) Light emitting diode package
JP6135199B2 (en) Light emitting device
KR100795178B1 (en) Led package for back light unit
KR102119817B1 (en) Light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130701

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee