KR20090081731A - LTCC module - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 엘티씨씨 모듈에 관한 것으로서, 특히 엘티씨씨 모듈의 신호 및 방사 손실을 줄임에 따라 집적도가 높은 모듈을 보다 용이하게 구현할 수 있고, 모듈의 크기를 소형화할 수 있는 엘티씨씨 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to an LTC module, and more particularly, to reduce the signal and radiation loss of the LTC module, and more easily to implement a module with high integration, and relates to an LTC module capable of miniaturizing the size of the module.
엘티씨씨(LTCC, Low Temperature Cofired Ceramics) 기술은 처음에 군사용으로 일부 응용되어 왔으나 고주파 통신용 수동소자에 주로 적용되기 시작하면서 의료, 가전기기, 무선통신부품 등과 위성 디지털 멀티미디어 방송용 튜너에도 응용되면서 응용범위를 급속히 확대해 가고 있다. Low Temperature Cofired Ceramics (LTCC) technology has been partially applied for military use in the first place, but it is mainly applied to passive devices for high frequency communication and applied to medical, home appliances, wireless communication parts and satellite digital multimedia broadcasting tuners. It is expanding rapidly.
엘티씨씨란 주로 유리와 세라믹을 혼합한 재료를 그린시트라고 하는 종이보다 얇은 형태로 만들어 이를 여러 개로 잘라서 각각의 시트 위에 단순 전극이나 소자의 역할에 맞도록 금이나 은, 구리 등과 같은 금속을 입힌다. 그리고 이것들을 여러 층으로 쌓아 동시에 소성(세라믹과 금속을 동시에 구워야 하기 때문에 소성 온도를 녹는점이 낮은 금속에 맞춰 세라믹만을 소성하는 온도보다 낮은 온도인 1,000℃ 이하에서 소결)하여 하나의 모듈을 만드는 기술을 말한다. LTC is mainly made of a glass and ceramic material that is thinner than a paper called green sheet, cut into several pieces and coated with metal such as gold, silver and copper on each sheet to match the role of a simple electrode or device. And the technology to make a module by stacking them in several layers and firing at the same time (because the ceramic and metal must be baked at the same time, sintering at 1,000 ℃ or lower, which is lower than the temperature of firing only ceramics for metals with low melting point) Say.
엘티씨씨의 제조 공정은 슬리팅(Slitting), 프리컨디셔닝(Preconditioning), 블랭크(Blank), 펀치(Punch), 필(Fill), 프린트(Print), 인스펙트(Inspect), 라미네이트(Laminate), 코파이어링(Cofiring), 포스트 파이어 프로세싱(Post fire processing), 일렉트릭컬 테스팅(Electrical Testing), 시그너레이션(Singulation), 파이널 인스펙션(Final inspection) 단계로 이루어진다. LTC's manufacturing processes include Slitting, Preconditioning, Blank, Punch, Fill, Print, Inspect, Laminate, Copa It consists of earing (Cofiring), post fire processing, electrical testing, signing, and final inspection.
도 1 내지 도 3은 종래의 엘티씨씨 모듈의 구성을 나타내는 도면으로서, 종래의 엘티씨씨 모듈은, 양극슬릿(10h)이 형성된 파워플랜(10), 상기 파워플랜(10)의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿(20h)이 형성된 상측그라운드(20), 상기 파워플랜(10)의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿(30h)이 형성된 하측그라운드(30), 상단이 상측슬릿(20h)을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿(30h)을 통과하여 연장된 시그널비아(40), 상기 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인(50), 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인(60)으로 구성된다. 1 to 3 is a view showing the configuration of the conventional MT module, the conventional LT module, the
상술한 바와 같이 도 1 내지 도 3에 개시된 종래의 엘티씨씨 모듈은, 시그널비아(40) 주위에 접지를 위한 부분이 없어 방사 손실이 많아 질 수 있다는 단점이 있다. As described above, the conventional LTC module disclosed in FIGS. 1 to 3 has a disadvantage in that radiation loss may increase because there is no part for grounding around the signal via 40.
도 4 내지 도 6은 상술한 문제점을 해결하기 위한 종래의 다른 엘티씨씨 모듈의 구성을 나타내는 도면으로서, 종래의 다른 엘티씨씨 모듈은, 도 1 내지 도 3에 개시된 종래의 엘티씨씨 모듈과 비교할 때 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(V)가 추가되어 구성된다. 4 to 6 is a view showing the configuration of another conventional LTC module for solving the above-described problems, the other conventional LTC module, the upper side when compared with the conventional LTC module disclosed in FIGS. The ground via V connecting the
상술한 바와 같이 도 4 내지 도 6에 개시된 종래의 다른 엘티씨씨 모듈은, 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(V)만으로 시그널비아(40) 주위에 접지를 충분하게 제공해 주지 못하기 때문에 그만큼의 신호 손실이 발생하는 문제점이 있다. As described above, another conventional LTCC module disclosed in FIGS. 4 to 6 has sufficient grounding around the signal via 40 only by the ground via V connecting the
또한, 상측 마이크로스트립 라인(50)과 상측그라운드(20)의 사이, 하측 마이크로스트립 라인(60)과 하측그라운드(30)의 사이의 두께가 다르거나 너무 두껍게 구성될 경우 신호 손실을 줄이는데 한계가 있고 외부로 방사가 일어나거나 표면파가 발생하여 신호 간섭 문제 등이 발생할 수 있다.In addition, when the thickness between the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 엘티씨씨 모듈의 신호 및 방사 손실을 줄임에 따라 집적도가 높은 모듈을 보다 용이하게 구현할 수 있고, 모듈의 크기를 소형화할 수 있는 엘티씨씨 모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been made in view of the above problems, it is possible to more easily implement a module with a high degree of integration as the signal and radiation loss of the LTC module can be more easily implemented, and to reduce the size of the module module Its purpose is to provide.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 엘티씨씨 모듈은, 양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 상기 상측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 상측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인; 상기 하측 마이크로스트립 라인이 형성된 평면상에 상기 하측 마이크로스트립 라인과 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인; 및 적어도 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인과 선택적으로 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve this technical problem, the MT module of the present invention, the power plan is formed a positive electrode slit; An upper ground formed on a parallel surface having a predetermined distance from an upper surface of the power plan and having an upper slit formed thereon; A lower ground formed on a parallel surface having a predetermined distance from a lower surface of the power plan and having a lower slit formed thereon; A signal via an upper end extending through the upper slit and a lower end extending through the lower slit; An upper microstrip line extending horizontally in one direction from an upper end of the signal via; A lower microstrip line extending horizontally from the lower end of the signal via in the other direction; An upper ground via connection line spaced apart from the upper microstrip line on a plane on which the upper microstrip line is formed; A lower ground via connection line spaced apart from the lower microstrip line on a plane on which the lower microstrip line is formed; And a plurality of ground vias connected to at least the upper ground and the lower ground and selectively connected to the upper ground via connection line or the lower ground via connection line.
바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 한다. Preferably, the plurality of ground vias are circularly arranged at the same angle with respect to the signal via.
바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되고, 상기 다수의 그라운드 비아 중 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 한다. Preferably, a ground via at a position corresponding to an upper microstrip line among the plurality of ground vias is connected to the upper ground, lower ground, and lower ground via connection lines, and corresponds to a lower microstrip line among the plurality of ground vias. The ground via of the position is characterized in that connected to the upper ground, lower ground, upper ground via connection line.
더욱 바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아 중 상측 마이크로스트립 라인 또는 하측 마이크로스트립 라인에 대응하는 위치의 그라운드 비아를 제외한 나머지 그라운드 비아는 상기 상측그라운드, 하측그라운드, 상측그라운드 비아 연결 라인, 하측그라운드 비아 연결 라인과 연결되는 것을 특징으로 한다. More preferably, the remaining ground vias except for the ground vias of positions corresponding to upper microstrip lines or lower microstrip lines among the plurality of ground vias may include the upper ground, lower ground, upper ground via connection lines, and lower ground via connection lines. It is characterized in that connected with.
바람직하게, 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다. Preferably, when the width of the upper microstrip line is formed wider than the width of the lower microstrip line, the diameter of the upper slit is characterized in that formed larger than the diameter of the lower slit.
바람직하게, 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다. Preferably, when the width of the lower microstrip line is formed wider than the width of the upper microstrip line, the diameter of the lower slit is characterized in that formed larger than the diameter of the upper slit.
바람직하게, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 한다. Preferably, the upper ground via connection line and the lower ground via connection line may be formed in a semicircular ring shape facing each other with respect to the signal via.
다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 엘티씨씨 모듈은, 양극슬릿이 형성된 파워플랜; 상기 파워플랜의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 상측슬릿이 형성된 상측그라운드; 상기 파워플랜의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되어 하측슬릿이 형성된 하측그라운드; 상단이 상측슬릿을 통과하여 연장되고, 하단이 하측슬릿을 통과하여 연장된 시그널비아; 상기 시그널비아의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장된 상측 마이크로스트립 라인; 상기 시그널비아의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장된 하측 마이크로스트립 라인; 및 상기 상측그라운드, 하측그라운드와 연결되는 다수의 그라운드 비아;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve another technical problem, the MT module of the present invention, the power plan is formed a positive electrode slit; An upper ground formed on a parallel surface having a predetermined distance from an upper surface of the power plan and having an upper slit formed thereon; A lower ground formed on a parallel surface having a predetermined distance from a lower surface of the power plan and having a lower slit formed thereon; A signal via an upper end extending through the upper slit and a lower end extending through the lower slit; An upper microstrip line extending horizontally in one direction from an upper end of the signal via; A lower microstrip line extending horizontally from the lower end of the signal via in the other direction; And a plurality of ground vias connected to the upper ground and the lower ground.
바람직하게, 상기 다수의 그라운드 비아는, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열되는 것을 특징으로 한다. Preferably, the plurality of ground vias are circularly arranged at the same angle with respect to the signal via.
바람직하게, 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 상측슬릿의 직경이 상기 하측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다. Preferably, when the width of the upper microstrip line is formed wider than the width of the lower microstrip line, the diameter of the upper slit is characterized in that formed larger than the diameter of the lower slit.
바람직하게, 상기 하측 마이크로스트립 라인의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인의 넓이보다 넓게 형성된 경우에, 상기 하측슬릿의 직경이 상기 상측슬릿의 직경보다 크게 형성된 것을 특징으로 한다. Preferably, when the width of the lower microstrip line is formed wider than the width of the upper microstrip line, the diameter of the lower slit is characterized in that formed larger than the diameter of the upper slit.
바람직하게, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인은, 상기 시그널비아를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상인 것을 특징으로 한다. Preferably, the upper ground via connection line and the lower ground via connection line may be formed in a semicircular ring shape facing each other with respect to the signal via.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 엘티씨씨 모듈의 신호 및 방사 손실을 줄일 수 있다. According to the present invention as described above, it is possible to reduce the signal and radiation loss of the MT module.
또한, 신호의 손실을 줄임에 따라 집적도가 높은 모듈을 보다 용이하게 구현할 수 있고, 모듈의 크기를 소형화할 수 있다. In addition, as the signal loss is reduced, a module having a high degree of integration can be more easily implemented, and the size of the module can be reduced.
[제1실시예][First Embodiment]
제1실시예의 엘티씨씨 모듈은, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 파워플랜(10), 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 시그널비아(40), 상측 마이크로스트립 라인(50), 하측 마이크로스트립 라인(60), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80), 그라운드 비아(90)를 포함하여 구성된다. As shown in FIGS. 7 to 9, the LTC module of the first embodiment includes a
파워플랜(10)의 중앙부분에는 양극슬릿(10h)이 형성되며, 상세하게는, 하나의 그린시트(s1) 윗면에 파워플랜(10)을 형성한 후 다른 하나의 그린시트(s2)를 파워플랜(10)의 윗면에 덮어서 파워플랜(10)의 중앙부분에 양극슬릿(10h)을 형성하게 된다. The
상측그라운드(20)는 상기 파워플랜(10)의 상측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되고, 이때, 상측그라운드(20)의 중앙부분에는 상기 양극슬릿(10h)과 대응되는 상측슬릿(20h)이 형성된다. 상세하게는, 파워플랜(10)의 상측면에 덮인 그린시트(s2)의 상면에 상측그라운드(20)를 형성한 후 다른 하나의 그린시트(s3)를 상측그라운드(20)의 윗면에 덮어서 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)을 형성하게 된다. The
하측그라운드(30)는 상기 파워플랜(10)의 하측면과 소정의 간격을 갖는 평행한 면에 형성되고, 이때, 하측그라운드(30)의 중앙부분에는 상기 양극슬릿(10h)과 대응되는 하측슬릿(30h)이 형성된다. 상세하게는, 파워플랜(10)의 하측면에 위치한 그린시트(s1)의 하면에 하측그라운드(30)를 형성한 후 다른 하나의 그린시트(s4)를 하측그라운드(30)의 하면에 덮어서 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)을 형성하게 된다. The
시그널비아(40)는 그 상단이 상측슬릿(20h)을 통과하여 연장되고, 그 하단이 하측슬릿(30h)을 통과하여 연장된다. The signal via 40 has an upper end extending through the
상세하게, 상기 시그널비아(40)는 그린시트(s1~s4)를 전체적으로 관통하되, 시그널비아(40)의 상단은 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면까지 관통하도록 형성되고, 상기 시그널비아(40)의 하단은 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면까지 관통하도록 형성된다. In detail, the signal via 40 penetrates the green sheets s1 to s4 as a whole, and an upper end of the
상측 마이크로스트립 라인(50)은 상기 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장되되, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 수평하게 연장형성되고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 상기 시그널비아(40)의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장되되, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 수평하게 연장형성된다. The
상측그라운드 비아 연결 라인(70)은 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면, 즉, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)과 이격되어 형성되고, 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면, 즉, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)과 이격되어 형성된다. The upper ground via
이때, 상술한 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상으로 형성된다. In this case, the above-described upper ground via
다수의 그라운드 비아(90)는 적어도 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 선택적으로 연결된다. 즉, 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 동시에 연결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 동시에 연결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 모두 동시에 연결하도록 구성될 수 있다. A plurality of
이때, 상기 다수의 그라운드 비아(90)는, 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열된다. In this case, the plurality of
한편, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 연결되고, 상기 다 수의 그라운드 비아(90) 중 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)과 연결되는 것이 바람직하다. Meanwhile, as shown in FIG. 10, the ground via 90 at a position corresponding to the
그리고 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50) 또는 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)를 제외한 나머지 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 연결되는 것이 바람직하다. The
상술한 바와 같이 구성된 제1실시예의 엘티씨씨 모듈은, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)만을 연결하는 것이 아닌, 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인(70)이나 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인(80)에 선택적으로 연결됨에 따라 접지를 할 수 있는 부분이 늘어나게 되고, 이에 따라 신호의 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다. The LC module of the first embodiment configured as described above has a plurality of
[제2실시예]Second Embodiment
제2실시예의 엘티씨씨 모듈은, 도 11 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 파워플랜(10), 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 시그널비아(40), 상측 마이크로스트립 라인(50), 하측 마이크로스트립 라인(60), 그라운드 비아(90)를 포함하여 구성된다. As shown in FIGS. 11 to 13, the LTC module of the second embodiment includes a
한편, 제2실시예의 엘티씨씨 모듈에 있어서, 제1실시예와 동일한 부분에 대 해서는 상세한 설명을 생략하도록 하고, 동일한 명칭에 대해서는 동일한 도면부호를 적용하도록 한다. On the other hand, in the LT module of the second embodiment, detailed description of the same parts as in the first embodiment is omitted, and the same reference numerals are applied to the same name.
상측 마이크로스트립 라인(50)은 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장되되, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 수평하게 연장형성되고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 시그널비아(40)의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장되되, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 수평하게 연장형성된다. The
이때, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이(a1)가 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이(a2)보다 넓게 형성되면, 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경이 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경보다 크게 형성되도록 하고, 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이보다 넓게 형성되면, 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경이 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경보다 크게 형성되도록 한다. 14, when the width a1 of the
다수의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)와 연결된다. 이때, 상기 다수의 그라운드 비아(90)는, 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열된다. A plurality of ground vias 90 are connected to the
상술한 바와 같이 구성된 제2실시예의 엘티씨씨 모듈은, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하되, 상측슬릿(20h)의 직경과 하측슬릿(30h)의 직경의 크기 비율에 따라 상측 마이크로스트립 라인(50)과 하 측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이의 비율을 조절함에 따라 신호의 방사와 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다. In the MT module of the second embodiment configured as described above, a plurality of ground vias 90 connect the
일예로, 안테나를 이루는 면의 경우 유전체가 두꺼워야 하고, 기타 RF 회로의 경우 유전체 두께가 얇아야 신호 손실을 줄일 수 있는데, 상측 마이크로스트립 라인(50)은 두껍고 넓게하여 안테나로 구성하고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 상측 마이크로스트립 라인(50)보다 얇고 넓이가 좁게하여 RF 회로를 구성하면, RF 전단 회로를 콤팩트하게 할 수 있고, 비대칭 구조로 구성할 수 있다. For example, the surface of the antenna should have a thick dielectric material, and for other RF circuits, the dielectric thickness should be thin to reduce signal loss. The
[제3실시예]Third Embodiment
제3실시예의 엘티씨씨 모듈은, 도 15 내지 도 17에 도시된 바와 같이, 파워플랜(10), 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 시그널비아(40), 상측 마이크로스트립 라인(50), 하측 마이크로스트립 라인(60), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80), 그라운드 비아(90)를 포함하여 구성된다. As shown in FIGS. 15 to 17, the LTC module of the third embodiment includes a
한편, 제3실시예의 엘티씨씨 모듈에 있어서, 제1실시예와 동일한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하도록 하고, 동일한 명칭에 대해서는 동일한 도면부호를 적용하도록 한다. On the other hand, in the LT module of the third embodiment, detailed descriptions of the same parts as in the first embodiment are omitted, and the same reference numerals are applied to the same names.
상측 마이크로스트립 라인(50)은 시그널비아(40)의 상단부로부터 일측방향으로 수평하게 연장되되, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 수평하게 연장형성되고, 하측 마이크로스트립 라인(60)은 시그널비아(40)의 하단부로부터 타측방향으로 수평하게 연장되되, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 수평하게 연장형성된다. The
이때, 도 18에 도시된 바와 같이, 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이(a1)가 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이(a2)보다 넓게 형성되면, 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경이 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경보다 크게 형성되도록 하고, 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이가 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)의 넓이보다 넓게 형성되면, 하측그라운드(30)의 하측슬릿(30h)의 직경이 상측그라운드(20)의 상측슬릿(20h)의 직경보다 크게 형성되도록 한다. 18, when the width a1 of the
상측그라운드 비아 연결 라인(70)은 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면, 즉, 상측그라운드(20)의 윗면을 덮는 그린시트(s3)의 상면 상에 상기 상측 마이크로스트립 라인(50)과 이격되어 형성되고, 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면, 즉, 하측그라운드(30)의 하면을 덮는 그린시트(s4)의 하면 상에 상기 하측 마이크로스트립 라인(60)과 이격되어 형성된다. The upper ground via
이때, 상술한 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 및 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)은 상기 시그널비아(40)를 중심으로 하여 서로 대향되는 반원링 형상으로 형성된다. In this case, the upper ground via
다수의 그라운드 비아(90)는 적어도 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)와 연결되고, 상기 상측그라운드 비아 연결 라인(70) 또는 상기 하측그라운드 비아 연결 라인(80)과 선택적으로 연결된다. 즉, 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 동시에 연 결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 동시에 연결하거나 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70), 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 모두 동시에 연결하도록 구성될 수 있다. A plurality of ground vias 90 are connected to at least the
이때, 상기 그라운드 비아(90)는 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 상부와 하부가 나누어져 하측그라운드(30)를 통해 전기적으로 연결되는 구조로 구성될 수 있고, 각각의 그라운드 비아(90)는 시그널비아(40)를 중심으로 하여 동일한 각도로 원형 배열된다. In this case, as shown in FIGS. 16 and 17, the ground via 90 may have a structure in which an upper portion and a lower portion are divided and electrically connected to each other via a
한편, 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(90)와, 하측그라운드(30)와 하측그라운드 비아 연결 라인(80)을 연결하는 그라운드 비아(90)로 구성되고, 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30)를 연결하는 그라운드 비아(90)와, 상측그라운드(20)와 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 연결하는 그라운드 비아(90)로 구성된다. Meanwhile, the ground via 90 at a position corresponding to the
그리고 상기 다수의 그라운드 비아(90) 중 상측 마이크로스트립 라인(50) 또는 하측 마이크로스트립 라인(60)에 대응하는 위치의 그라운드 비아(90)를 제외한 나머지 그라운드 비아(90)는 상기 상측그라운드(20), 하측그라운드(30), 상측그라운드 비아 연결 라인(70)을 연결하는 그라운드 비아(90)와, 하측그라운드(30)와 하 측그라운드 비아 연결 라인(80)과 연결하는 그라운드 비아(90)로 구성된다. The ground vias 90 except for the ground vias 90 at positions corresponding to the
상술한 바와 같이 구성된 제3실시예의 엘티씨씨 모듈은, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)만을 연결하는 것이 아닌, 상측 마이크로스트립 라인(50)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 상측그라운드 비아 연결 라인(70)이나 하측 마이크로스트립 라인(60)이 형성된 평면상에 이격되어 형성된 하측그라운드 비아 연결 라인(80)에 선택적으로 연결됨에 따라 접지를 할 수 있는 부분이 늘어나게 되고, 이에 따라 신호의 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다. The LTC module of the third embodiment configured as described above has a plurality of ground vias 90 not only connecting the
또한, 다수의 그라운드 비아(90)가 상측그라운드(20)와 하측그라운드(30)를 연결하되, 상측슬릿(20h)의 직경과 하측슬릿(30h)의 직경의 크기 비율에 따라 상측 마이크로스트립 라인(50)과 하측 마이크로스트립 라인(60)의 넓이의 비율을 조절함에 따라 신호의 방사와 손실을 줄일 수 있다는 이점이 있다. In addition, a plurality of ground vias 90 connect the
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
도 1은 종래의 엘티씨씨 모듈을 나타내는 평면도. 1 is a plan view showing a conventional MT module.
도 2는 종래의 엘티씨씨 모듈을 나타내는 A-A 단면도. Figure 2 is a cross-sectional view A-A showing a conventional MT module.
도 3은 종래의 엘티씨씨 모듈을 나타내는 B-B 단면도. Figure 3 is a B-B cross-sectional view showing a conventional MT module.
도 4는 종래의 다른 엘티씨씨 모듈을 나타내는 평면도. Figure 4 is a plan view showing another conventional MT module.
도 5는 종래의 다른 엘티씨씨 모듈을 나타내는 A-A 단면도. Figure 5 is a cross-sectional view A-A showing another conventional LC module.
도 6은 종래의 다른 엘티씨씨 모듈을 나타내는 B-B 단면도. Figure 6 is a B-B cross-sectional view showing another conventional MT module.
도 7은 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 평면도. 7 is a plan view of the MT module of the first embodiment according to the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 A-A 단면도. 8 is a cross-sectional view A-A of the MT module of the first embodiment according to the present invention;
도 9는 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 B-B 단면도. 9 is a sectional view taken along the line B-B of the MT module of the first embodiment according to the present invention;
도 10은 본 발명에 따른 제1실시예의 엘티씨씨 모듈의 개략적인 사시도. 10 is a schematic perspective view of the MT module of the first embodiment according to the present invention;
도 11은 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 평면도. Figure 11 is a plan view of the MT module of the second embodiment according to the present invention.
도 12는 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 A-A 단면도. 12 is a sectional view taken along the line A-A of the MT module of the second embodiment according to the present invention;
도 13은 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 B-B 단면도. Fig. 13 is a sectional view taken along line B-B of the MT module of the second embodiment of the present invention.
도 14는 본 발명에 따른 제2실시예의 엘티씨씨 모듈의 개략적인 사시도. 14 is a schematic perspective view of the MT module of the second embodiment according to the present invention;
도 15는 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 평면도. 15 is a plan view of the MT module of the third embodiment according to the present invention;
도 16은 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 A-A 단면도. 16 is a sectional view taken along the line A-A of the MT module of the third embodiment of the present invention;
도 17은 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 B-B 단면도. Fig. 17 is a sectional view taken along line B-B of the LTCC module of the third embodiment according to the present invention.
도 18은 본 발명에 따른 제3실시예의 엘티씨씨 모듈의 개략적인 사시도. 18 is a schematic perspective view of an LTC module of a third embodiment according to the present invention;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10:파워플랜10: power plan
10h:양극슬릿10h: anode slit
20:상측그라운드20: upper ground
20h:상측슬릿20h: Upper slit
30:하측그라운드30: Lower ground
30h:하측슬릿30h: Lower slit
40:시그널비아40: Signal Via
50:상측 마이크로스트립 라인50: upper microstrip line
60:하측 마이크로스트립 라인60: lower microstrip line
70:상측그라운드 비아 연결 라인70: upper ground via connection line
80:하측그라운드 비아 연결 라인80: lower ground via connection line
90:그라운드 비아90: ground via
Claims (12)
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WO2022145783A1 (en) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 주식회사 아모센스 | Antenna module |
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-
2008
- 2008-01-25 KR KR1020080007772A patent/KR100923446B1/en not_active IP Right Cessation
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WO2022145783A1 (en) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 주식회사 아모센스 | Antenna module |
WO2022145785A1 (en) * | 2020-12-28 | 2022-07-07 | 주식회사 아모센스 | Antenna module |
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