JP6224484B2 - Directional coupler and high frequency module - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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Description
本発明は、複数の絶縁層が積層されてなる積層体と、絶縁層を挟んで互いに対向し合うように絶縁層に設けられている主線路および副線路とを含む方向性結合器、およびこの方向性結合器を含む高周波モジュールに関するものである。 The present invention relates to a directional coupler including a laminate formed by laminating a plurality of insulating layers, and a main line and a sub-line provided in the insulating layer so as to face each other with the insulating layer interposed therebetween, and The present invention relates to a high-frequency module including a directional coupler.
近年、携帯電話機は、2つ以上の送受信系を搭載するいわゆるマルチバンド方式の採用が増えてきている。マルチバンド方式の携帯電話機では各送受信系の構成に必要な回路を搭載する必要があるが、回路が複雑になる。また、個別の専用部品を用いて回路を構成すれば機器(携帯電話機等)の大型化、高コスト化を招くことになる。そのために送受信系のフィルタ素子等の各回路部品を一体化した高周波モジュール化も進んでいる。この高周波モジュールにおいて複数の回路部品間を電気的に接続するための基板または単独の部品として方向性結合器が使用されている。 In recent years, mobile phones have increasingly adopted a so-called multi-band system in which two or more transmission / reception systems are installed. A multiband mobile phone needs to be equipped with a circuit necessary for the configuration of each transmission / reception system, but the circuit becomes complicated. Further, if a circuit is configured using individual dedicated parts, the size of the device (cell phone, etc.) and the cost increase will be caused. For this reason, high frequency modules that integrate circuit components such as transmission / reception filter elements are also being developed. In this high frequency module, a directional coupler is used as a substrate or a single component for electrically connecting a plurality of circuit components.
上記のように、フィルタ素子等の高周波信号が伝送される素子に接続される部品として方向性結合器が多用されている。方向性結合器は、高周波信号が伝送される主線路と、主線路と電磁的に結合された副線路とを有している。主線路および副線路は、複数の絶縁層が積層された積層体に設けられている。例えば、主線路と副線路とが絶縁層を挟んで上下に対向し合うことによって、主線路と副線路とが電磁的に結合されている。 As described above, directional couplers are frequently used as components connected to elements that transmit high-frequency signals such as filter elements. The directional coupler includes a main line through which a high-frequency signal is transmitted, and a sub line that is electromagnetically coupled to the main line. The main line and the sub line are provided in a laminated body in which a plurality of insulating layers are laminated. For example, the main line and the sub line are electromagnetically coupled to each other by vertically opposing the main line and the sub line with an insulating layer interposed therebetween.
このような方向性結合器では、主線路および副線路は、高周波線路において一般的なインピーダンス値(通常は50Ω)に調整されている。副線路は、例えば主線路が接続されている素子に対して電気的な情報を送り返す(フィードバックする)ための信号が伝送される。 In such a directional coupler, the main line and the sub line are adjusted to a general impedance value (usually 50Ω) in the high frequency line. For example, a signal for sending back (feeding back) electrical information to an element to which the main line is connected is transmitted to the sub line.
上記の方向性結合器においては、近年、上記のインピーダンス値と異なる回路(回路部品)に電気的に接続されるケースが生じるようになってきている。例えば、比較的インピーダンス値が低い(20Ω程度)半導体素子に副線路が接続される場合である。この場合には、方向性結合器と半導体素子との間に別途インピーダンス変換回路が設けられる。 In the directional coupler described above, in recent years, there are cases in which the directional coupler is electrically connected to a circuit (circuit component) different from the impedance value. For example, the sub line is connected to a semiconductor element having a relatively low impedance value (about 20Ω). In this case, a separate impedance conversion circuit is provided between the directional coupler and the semiconductor element.
しかしながら、このようなインピーダンス変換回路が設けられると、方向性結合器および回路部品等を含む高周波モジュールとしての小型化が難しくなるという問題点があった。 However, when such an impedance conversion circuit is provided, there is a problem that it is difficult to reduce the size as a high-frequency module including a directional coupler and circuit components.
本発明の一つの態様による方向性結合器は、互いに積層された複数の絶縁層を含んでおり、互いに対向し合う第1主面および第2主面を有する積層体と、該積層体の前記第1主面および前記第2主面に設けられており、前記積層体を挟んで互いに対向し合う一対の接地導体層と、前記一対の接地導体層の間で前記積層体の内部に前記第1主面側から順に設けられているとともに前記複数の絶縁層の一部を間に挟んで互いに対向し合う主線路および
副線路を含んでおり、前記主線路が第1のインピーダンス値を有する回路に電気的に接続される線路部とを含んでいる。また、該線路部のうち前記副線路が、前記第1のインピーダンス値よりも低い第2のインピーダンス値を有する低インピーダンス回路に電気的に接続される低インピーダンス接続部を含んでおり、該低インピーダンス接続部における前記第2主面に設けられた前記接地導体層と前記副線路との間の距離が、前記第1主面に設けられた前記接地導体層と前記主線路との間の距離よりも小さい。
A directional coupler according to an aspect of the present invention includes a plurality of insulating layers stacked on each other, a stacked body having a first main surface and a second main surface facing each other, and the above-described stacked body A pair of ground conductor layers provided on the first main surface and the second main surface and facing each other across the multilayer body; and the first main surface and the second main surface between the pair of ground conductor layers inside the multilayer body. A circuit including a main line and a sub line which are provided in order from one main surface side and face each other with a part of the plurality of insulating layers interposed therebetween, and the main line has a first impedance value And a line portion electrically connected to each other. The sub-line includes a low-impedance connection portion that is electrically connected to a low-impedance circuit having a second impedance value lower than the first impedance value. the distance between the connection part to your Keru said ground conductor layer provided on the second major surface and said sub-line, between said first major surface to the ground conductor layer provided the main line Less than distance.
本発明の一つの態様の高周波モジュールは、上記構成の方向性結合器と、該結合器が電気的に接続された回路とを含んでいる。 The high-frequency module according to one aspect of the present invention includes the directional coupler having the above-described configuration and a circuit to which the coupler is electrically connected.
本発明の一つの態様の方向性結合器によれば、副線路と接地導体層との間の距離が、主線路と接地導体層との間の距離よりも小さい。そのため、副線路の特に低インピーダンス接続部において接地導体層との間により大きな静電容量が生じる。これにより接続部における副線路のインピーダンス値を、主線路を含む信号線路のインピーダンス値よりも低くすることができ、方向性結合器と半導体素子等の低インピーダンス回路を有する素子との間でインピーダンス値が整合される。したがって、インピーダンス整合回路等が不要であり、高周波モジュール等の小型化が容易な方向性結合器を提供することができる。 According to the directional coupler of one aspect of the present invention, the distance between the sub line and the ground conductor layer is smaller than the distance between the main line and the ground conductor layer. Therefore, a larger capacitance is generated between the sub-line and the ground conductor layer, particularly in the low impedance connection portion. As a result, the impedance value of the sub line at the connection portion can be made lower than the impedance value of the signal line including the main line, and the impedance value between the directional coupler and the element having a low impedance circuit such as a semiconductor element. Are aligned. Therefore, it is possible to provide a directional coupler that does not require an impedance matching circuit or the like and can be easily downsized, such as a high-frequency module.
本発明の一つの態様の高周波モジュールは、上記構成の方向性結合器を含むことから、小型化において有利である。 Since the high-frequency module according to one aspect of the present invention includes the directional coupler configured as described above, it is advantageous in downsizing.
本発明の方向性結合器および高周波モジュールを、添付の図面を参照して説明する。図1は本発明の実施形態の方向性結合器における要部を示す断面図である。また、図2は、図1に示す方向性結合器を含む高周波モジュールにおける要部を模式的に示す回路図である。なお、以下の説明におけるインピーダンスは特性インピーダンスである。 The directional coupler and high-frequency module of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part of a directional coupler according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram schematically showing a main part of the high-frequency module including the directional coupler shown in FIG. The impedance in the following description is a characteristic impedance.
図1に示す方向性結合器9において、複数の絶縁層2が積層されて積層体1が形成されている。積層体1は、例えば四角形の板状であり、互いに対向し合う第1主面および第2主面を有している。図1の例では、積層体1の上面が第1主面であり、下面が第2主面である。この積層体1の第1および第2両主面に、積層体1を挟んで互いに対向し合う一対の接地導体層3が設けられている。また、積層体1の内部には、第1主面側から順に主線路4および副線路5が設けられている。主線路4および副線路5は、絶縁層2の一部を間に挟んで互いに対向し合い、互いに電磁的に結合されている。これらの主線路4および副線路5は、外部の回路(電気回路)に電気的に接続されて信号が伝送される線路部6を構成している。
In the directional coupler 9 shown in FIG. 1, a plurality of
積層体1は、主線路4および副線路5を、互いに電気的に絶縁された状態で設けるための絶縁基体として機能している。この絶縁基体は、積層体1以外に、他の絶縁層またはコーティング層等の付加部分(図示せず)を含んでいてもよい。
The laminated
付加部分としての他の絶縁層等としては、例えば絶縁層2とは比誘電率または比透磁率等の電気特性、または熱伝導率等の熱的特性等の特性が異なるものが挙げられる。また、付加部分としての絶縁層等は、接地導体層3を外気から保護して酸化等を抑制するための
、絶縁コート層(図示せず)であってもよい。すなわち、実施形態の方向性結合器は、積層体1と付加部分とを含む絶縁基板(図示せず)に、接地導体層3、主線路4および副線路5が設けられたものであってもよい。
Examples of the other insulating layer as the additional portion include those having different characteristics from the
絶縁層2は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化珪素質焼結体または炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料によって形成されている。
The insulating
積層体1は、例えば各絶縁層1がガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、ホウケイ酸ガラス等のガラス粉末と酸化アルミニウム等のセラミック粉末とからなる原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、このスラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれらを積層する。最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度で焼成することによって積層体1を製作することができる。
For example, when each insulating
積層体1の第1および第2両主面に設けられた一対の接地導体層3は、上記線路部6と外部との間で電磁的なノイズの送受を低減する機能を有している。また、これらの接地導体層3は、線路部6のインピーダンスを所定の値に調整する機能を有している。主線路4および副線路5のそれぞれと接地導体層3との間で静電容量が生じ、この静電容量の大きさに応じて主線路4および副線路5のインピーダンス値が所定の値に調整されている。
The pair of
接地導体層3は、例えば、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料により形成されている。これらの金属材料は、メタライズ層やめっき層の形態で積層体1の両主面に設けられている。
The
接地導体層3は、例えば、銅のメタライズ層からなる場合1であれば、銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した金属ペース1トを、積層体1となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷し、焼成することによって積層体1の第1および第2両主面に被着させることができる。
If the
なお本実施形態では、接地導体層3は、積層体1の第1および第2両主面のほぼ全域を覆うように(いわゆるベタ状に)設けられている。これにより、上記のような電磁的遮蔽用またはインピーダンス値調整用等の機能が効果的に実現されている。
In the present embodiment, the
ただし、接地導体層3は、必ずしも積層体1の第1および第2両主面のほぼ全域を覆うように設けられているものである必要はなく、後述する接続端子等の他の導体の位置、積層体1の焼成時の反り等の変形の低減もしくはその他の設計上の都合、または生産性、経済性等に応じて、適宜非形成部(いわゆるパターンの抜き部分)が設けられたものであっても構わない。
However, the
方向性結合器9は、例えば図2に示すように、線路部6の両端がそれぞれ、接続端子7に電気的に接続され、この接続端子7を経て、スイッチ(SW)、フィルタ素子、アンテナ(AN)または半導体集積回路素子(IC)等の回路部品が有する回路と電気的に接続されている。これらの方向性結合器9と回路部品が有する回路とによって、本発明の実施形態の高周波モジュール10が形成されている。回路部品と方向性結合器とを電気的に接続する接続用の回路は、通常、50Ωに設定されている。
For example, as shown in FIG. 2, the directional coupler 9 has both ends of the line portion 6 electrically connected to the
高周波モジュールについて、方向性越結合器9および回路部品は、例えばプリント回路基板等の基板に搭載されている。また、スイッチ、フィルタ素子、アンテナ等の回路は、基板に直接設けられた電気回路により構成されたものであってもよい。つまり、方向性結合器9が実装される基板について、スイッチまたはフィルタ等として機能する回路と、この基板に搭載される回路部品間を接続する回路とを有するものであっても構わない。方向性結合器9および回路部品と基板との電気的な接続は、例えばそれぞれの接続用の部位同士をはんだ等の導電性接続材で接続することにより行なわれる。 In the high-frequency module, the directional coupler 9 and the circuit components are mounted on a substrate such as a printed circuit board. Further, the circuit such as the switch, the filter element, and the antenna may be constituted by an electric circuit directly provided on the substrate. That is, the board on which the directional coupler 9 is mounted may have a circuit that functions as a switch or a filter and a circuit that connects circuit components mounted on the board. The electrical connection between the directional coupler 9 and the circuit components and the substrate is performed, for example, by connecting the respective connecting portions with a conductive connecting material such as solder.
高周波モジュールは、例えば携帯電話機においてマルチバンド形式の回路を一体的に構成する部分である。このような高周波モジュールが部品として用いられることにより、携帯電話機等の機器の小型化および高機能化がより容易になる。 The high-frequency module is a part that integrally configures a multiband circuit in a mobile phone, for example. By using such a high-frequency module as a component, it becomes easier to reduce the size and increase the functionality of a device such as a mobile phone.
実施形態の方向性結合器9および高周波モジュール10において、副線路5が、第1のインピーダンス値である50Ωよりも低い第2のインピーダンス値を有する低インピーダンス回路に電気的に接続されている。本実施形態における低インピーダンス回路は、副線路5が電気的に接続されているICの回路であり、例えば約20Ω程度の回路である。すなわち、副線路5は、低インピーダンス回路に接続される低インピーダンス接続部(以下、単に接続部ともいう)を含んでいる。
In the directional coupler 9 and the high-
この副線路5の接続部において、第2主面に設けられた接地導体層3と副線路5との間の距離が、第1主面に設けられた接地導体層3と主線路4との間の距離よりも小さい。言い換えれば、複数の絶縁層2の厚みが互いに同じ程度であるときに、第2主面に設けられた接地導体層3と副線路5との間の絶縁層2の層数が、第1主面に設けられた接地導体層3と主線路4との間の絶縁層2の層数よりも小さい。なお、以下の説明においては、第1(2)主面に設けられた接地導体層3と主(副)線路4(5)との間の距離を、単に接地導体層3と主(副)線路4(5)との間の距離という。
In the connection portion of the
上記のような方向性結合器9によれば、副線路5と接地導体層3との間の距離が、主線路4と接地導体層3との間の距離よりも小さいため、副線路5のうち特に接続部において接地導体層3との間により大きな静電容量が生じる。これにより、接続部における副線路5のインピーダンス値を、主線路4を含む線路部6のインピーダンス値よりも低くすることができる。そのため、方向性結合器9とIC等の低インピーダンス回路を有する素子との間でインピーダンス値が整合される。したがって、インピーダンス整合回路等が不要であり、高周波モジュール10の小型化が容易な方向性結合器を提供することができる。
According to the directional coupler 9 as described above, the distance between the
また、高周波モジュールのフィルタ機能等の機能を高めることも容易であるため、高機能化においても有利である。 In addition, since it is easy to enhance functions such as a filter function of the high-frequency module, it is advantageous in enhancing the function.
また、実施形態の高周波モジュール10は、上記のように小型化等に有利な方向性結合器9を含むことから、小型化等において有利である。
Moreover, since the
なお、上記の方向性結合器9および高周波モジュール10における線路部6のより具体的な機能等は、例えば下記の通りである。
In addition, the more specific function of the line part 6 in said directional coupler 9 and the
主線路4は、例えばパワーアンプで増幅された高周波信号を入力し、送受信あるいは通信帯域を切り替えるスイッチ、または高周波信号の高調波等を取り除くフィルタ等へ出力するための信号線路である。方向性結合器から出力された信号は、例えばフィルタで所定の周波数帯域にフィルタリングされ、その後アンテナに伝送されアンテナから外部に送信される。アンテナは、例えば携帯電話機等のアンテナである。
The
この主線路4に対して副線路5が電磁的に接続されている。主線路4と副線路5との電磁的な接続を利用して、主線路を伝送される信号の一部が副線路に伝送される。副線路5に伝送された信号が、副線路5と電気的に接続されたIC等に伝送されて処理され、主線路4を伝送されている信号レベルがモニターされる。つまり、主線路4を伝送される信号レベルが、副線路5を介して、信号レベルを比較するICに送られる。このICで、例えば設定した信号レベルより入力された信号レベルが低い時はパワーアンプへ出力レベルを上げるようにフィードバックが行われ、信号レベルが高いときは逆となる。この場合、ICに含まれている回路が前述したように約20Ωと比較的低い。そのため、副線路5のうち低インピーダンス回路との接続部が、比較的低インピーダンスとされている。
The
主線路4および副線路5は、例えば接地導体層3と同様に、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料により形成されている。これらの金属材料は、メタライズ層やめっき層の形態で積層体1の所定部位に設けられている。
The
主線路4および副線路5は、例えば、銅のメタライズ層からなる場合であれば、銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した金属ペーストを、積層体1となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷し、焼成することによって形成することができる。
If the
なお、実施形態の高周波モジュール10においては、副線路5のうちICと接続されている端部と反対側の端部が終端抵抗に接続されている。終端抵抗によって、副線路5を伝送された信号に対する終端処理が行なわれる。終端抵抗の抵抗値は、例えばICと同じ程度の抵抗値に設定されている。
In the
終端抵抗は、セラミックチップ抵抗部品等の独立した回路部品であってもよく、方向性結合器9が実装される上記の基板に形成された抵抗回路(印刷回路等)からなるものであってもよい。 The termination resistor may be an independent circuit component such as a ceramic chip resistor component, or may be a resistor circuit (printed circuit or the like) formed on the substrate on which the directional coupler 9 is mounted. Good.
方向性結合器9の主線路4と接地導体層3との間の距離、および副線路5と接地導体層3との間の距離は、副線路5が接続される回路のインピーダンス値、絶縁層2の材料(比誘電率)、副線路5を形成している材料および副線路の幅等の条件に応じて、所定のインピーダンス値なるように適宜設定される。
The distance between the
例えば、主線路4および副線路5が銅のメタライズ層からなり、絶縁層2がホウケイ酸ガラスと酸化アルミニウムとを主成分とするガラスセラミック焼結体(比誘電率8.0)か
らなり、主線路4および副線路5の線幅が75μmの場合であれば、主線路4と接地導体層3との間の距離は約340〜360μmに設定される。また、副線路5と接地導体層3との間の距離は約40〜60μm程度に設定される。これにより、主線路4のインピーダンスが約50Ωになり、副線路のインピーダンスが約20Ωになる。
For example, the
図3は、図1に示す方向性結合器の変形例を示す分解斜視図である。図3の例においては、副線路5の全長にわたって、副線路5と接地導体層3との間の距離が、主線路4と接地導体層3との間の距離よりも小さい。また、主線路4および副線路5は、それぞれの両端部がビア導体を介して積層体1の第1主面および第2主面にそれぞれ電気的に導出されている。
FIG. 3 is an exploded perspective view showing a modification of the directional coupler shown in FIG. In the example of FIG. 3, the distance between the
副線路5の全長にわたって、そのインピーダンスが比較的低く抑えられているため、例えばIC等の低インピーダンス回路と副線路5との間のインピーダンスの整合においてより有利である。
Since the impedance of the
なお、ビア導体は、一つまたは複数の絶縁層2を厚み方向に貫通している貫通導体である。図3においては、ビア導体について破線を用いて模式的に示している。ビア導体は、例えば絶縁層2となるセラミックグリーンシートに貫通孔を設けておいて、この貫通孔内に接地導体層3を形成するのと同様の金属ペーストを充填し、セラミックグリーンシートと同時焼成することによって設けることができる。貫通孔は、例えば金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工、またはレーザ光を用いた加工等の孔あけ加工によって形成することができる。金属ペーストの貫通孔への充填の際には、真空吸引等の手段を併用して金属ペーストの充填を容易なものとする。
The via conductor is a through conductor that penetrates one or a plurality of insulating
ビア導体のうち第1主面および第2主面に電気的に導出した部分が、方向性結合器9の接続端子7を構成している。接続端子7は、例えばビア導体の端部のみからなるものでもよく、この端部と端部を被覆するメタライズ層等のカバー導体(図示せず)とからなるものでもよい。また、露出表面にニッケルおよび金等のめっき層が被着されているものでもよい。
Portions of the via conductor that are electrically led to the first main surface and the second main surface constitute the
積層体1の第1および第2主面のそれぞれに、ほぼ全面に設けられている接地導体層3は、ビア導体の端部が位置している部分では、非形成になっている。これにより、ビア導体と接地導体層3とが互いに電気的に短絡する可能性が低減されている。
The
また、接続端子7が、方向性結合器9が搭載される基板に含まれる接続用の回路の所定部位にはんだ等の導電性接続材を介して接続される。方向性結合器9の接続端子7が接続される上記プリント回路基板等の基板の接続用の回路を介して、同じく基板に搭載される回路部品(抵抗部品およびIC等)等と電気的に接続される。
Further, the
主線路4および副線路5と基板の接続用の回路との電気的な接続は、必ずしも接続端子7を介して行なわれるものである必要はなく、主線路4または副線路の端部等を積層体1の外表面に露出させて、この露出部分に回路部品が直接に接続されていても構わない。
The electrical connection between the
上記実施形態およびその変形例の方向性結合器9については、低インピーダンス接続部において、複数の絶縁層2のうち第2主面に設けられた接地導体層3と副線路5との間に位置しているものの誘電率が、第1主面に設けられた接地導体層3と主線路4との間に位置しているものの誘電率よりも大きいものであってもよい。この場合には、副線路5と接地導体層3との間に生じる静電容量が、誘電率が比較的高い絶縁層2の介在によって効果的に高められる。そのため、副線路5のインピーダンスを比較的低く抑えることがより容易な方向性結合器9とすることができる。
About the directional coupler 9 of the said embodiment and its modification, it is located between the
副線路5と接地導体層3との間の絶縁層3の誘電率を、主線路4と接地導体層3との間の絶縁層3の誘電率よりも大きくする場合、副線路5と接地導体層3との間の絶縁層3を、誘電率が比較的大きい絶縁材料で形成する。例えば、複数の絶縁層2がいずれも、ガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、副線路5と接地導体層3との間の絶縁層2に含まれるホウケイ酸ガラス等のガラス成分(比誘電率が約4〜6)の含有率を、主線路4と絶縁層3との間の絶縁層2に含まれるガラス成分の含有率よりも小さくすればよい。言い換えれば、例えば誘電率をより大きくしたい絶縁層2について、誘電率が比較的高い酸化アルミニウム(比誘電率が約8)等の成分がより多く含まれるように設定する。
When the dielectric constant of the insulating
また、この場合でも、副線路5と接地導体層3との間の絶縁層2の全てについて誘電率が比較的大きいものとする必要はなく、所望の静電容量値(インピーダンス値)に応じて、一部の絶縁層2のみについて、その誘電率を大きくしてもよい。
Even in this case, it is not necessary that the dielectric constant of all the insulating
なお、本発明の方向性結合器および高周波モジュールは、上記実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、方向性結合器9は、それぞれ複数の主線路および副線路が互いに対になって(上下対向し合って)一つの積層体設けられたもの(図示せず)であってもよい。 Note that the directional coupler and the high-frequency module of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, the directional coupler 9 may be one (not shown) in which a plurality of main lines and sub-lines are paired with each other (upward and downward facing each other) and provided as a single laminate.
また、主線路4と副線路とについて、いずれか一方の幅を他方の幅よりも広くてもよい。この場合、絶縁層2の積層ずれ等による主線路4と副線路5とのずれの可能性が低減される。
Moreover, about the
また、複数の絶縁層2の厚みが互いに同じである必要はなく、厚みが互いに異なるものが含まれていてもよい。この場合、主線路4および副線路5のそれぞれと接地導体層3との間の距離は、絶縁層2の層数の多少のみによらず、絶縁層2の厚みの大小によっても調整することができる。
Moreover, the thickness of the some insulating
1・・・・積層体
2・・・・絶縁層
3・・・・接地導体層
4・・・・主線路
5・・・・副線路
6・・・・線路部
7・・・・接続端子
9・・・・方向性結合器
10・・・・高周波モジュール
DESCRIPTION OF
10 ... High frequency module
Claims (3)
該積層体の前記第1主面および前記第2主面に設けられており、前記積層体を挟んで互いに対向し合う一対の接地導体層と、
前記一対の接地導体層の間で前記積層体の内部に前記第1主面側から順に設けられているとともに前記複数の絶縁層の一部を間に挟んで互いに対向し合う主線路および副線路を含んでおり、前記主線路が第1のインピーダンス値を有する回路に電気的に接続される線路部とを備えており、
該線路部のうち前記副線路が、前記第1のインピーダンス値よりも低い第2のインピーダンス値を有する低インピーダンス回路に電気的に接続される低インピーダンス接続部を含んでおり、該低インピーダンス接続部における前記第2主面に設けられた前記接地導体層と前記副線路との間の距離が、前記第1主面に設けられた前記接地導体層と前記主線路との間の距離よりも小さいことを特徴とする方向性結合器。 A stacked body including a plurality of insulating layers stacked on each other and having a first main surface and a second main surface facing each other;
A pair of ground conductor layers provided on the first main surface and the second main surface of the multilayer body and facing each other across the multilayer body;
A main line and a sub-line that are provided in order from the first main surface side in the multilayer body between the pair of ground conductor layers and face each other with a part of the plurality of insulating layers interposed therebetween The main line is electrically connected to a circuit having a first impedance value, and
The sub-line includes a low-impedance connection portion that is electrically connected to a low-impedance circuit having a second impedance value lower than the first impedance value. the distance between the contact Keru said second main surface to the ground conductor layer provided between the sub-line, than the distance between the first major surface to the ground conductor layer provided between the main line Is a small directional coupler.
該結合器が電気的に接続された回路とを備えることを特徴とする高周波モジュール。 The directional coupler according to claim 1 or 2,
A high-frequency module comprising: a circuit in which the coupler is electrically connected.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014035515A JP6224484B2 (en) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | Directional coupler and high frequency module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015162729A JP2015162729A (en) | 2015-09-07 |
JP6224484B2 true JP6224484B2 (en) | 2017-11-01 |
Family
ID=54185577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6224484B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7049256B2 (en) | 2016-02-12 | 2022-04-06 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | Piezoelectric transformer manufacturing method and piezoelectric transformer |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6502826B2 (en) * | 2015-10-29 | 2019-04-17 | 京セラ株式会社 | Wiring board and high frequency module |
JP2020178210A (en) | 2019-04-17 | 2020-10-29 | 株式会社村田製作所 | Directional coupler |
WO2021042249A1 (en) * | 2019-09-02 | 2021-03-11 | 深南电路股份有限公司 | Coupler and manufacturing method therefor |
CN115428256B (en) * | 2020-05-09 | 2024-06-11 | 株式会社村田制作所 | Directional coupler |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005018627A (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Tdk Corp | Data transfer circuit board |
JP4356628B2 (en) * | 2005-02-25 | 2009-11-04 | 日本電気株式会社 | Directional coupler |
-
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---|---|---|---|---|
JP7049256B2 (en) | 2016-02-12 | 2022-04-06 | ティーディーケイ・エレクトロニクス・アクチェンゲゼルシャフト | Piezoelectric transformer manufacturing method and piezoelectric transformer |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015162729A (en) | 2015-09-07 |
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