KR20090080861A - 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 플라즈마 처리 장치는 실린더형 유전체 윈도우를 구비한 중공의 플라즈마 반응기, 상기 플라즈마 반응기의 외부에서 상기 유전체 윈도우의 측벽을 따라 근접하여 설치되는 무선 주파수 안테나 및, 상기 무선 주파수 안테나를 사이에 두고 상기 유전체 윈도우 측벽으로 근접하여 설치되는 복수개의 마그네틱 코어 유닛, 상기 유전체 윈도우와 상기 복수개의 마그네틱 코어 유닛의 간격을 가변적으로 조절할 수 있는 자기 조절 메커니즘을 포함한다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 자기 조절 메커니즘을 이용하여 플라즈마 반응기 내부의 플라즈마 발생 밀도를 유연하게 제어할 수 있어서 대면적의 플라즈마를 균일하게 발생하여 플라즈마 처리 효율을 향상 시킬 수 있다.
플라즈마, 마그네틱 코어, 자기 조절, 기판 처리

Description

자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING MAGNETISM CONTROL MECHANISM}
본 발명은 무선 주파수 안테나에 의한 유도 결합 플라즈마를 발생하여 피처리 기판에 대한 플라즈마 처리를 수행하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 발생 밀도를 유연하게 제어할 수 있어서 대면적의 플라즈마를 균일하게 발생할 수 있어서 플라즈마 처리 효율을 향상 시킬 수 있는 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 플라즈마 방전은 이온, 자유 래디컬, 원자, 분자를 포함하는 활성 가스를 발생하기 위한 가스 여기에 사용되고 있다. 활성 가스는 다양한 분야에서 널리 사용되고 있으며 대표적으로 반도체 제조 공정 예들 들어, 식각(etching), 증착(deposition), 세정(cleaning), 에싱(ashing) 등에 다양하게 사용된다.
플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 소스는 여러 가지가 있는데 무선 주파수(radio frequency)를 사용한 용량 결합 플라즈마(capacitive coupled plasma)와 유도 결합 플라즈마(inductive coupled plasma)가 그 대표적인 예이다.
용량 결합 플라즈마 소스는 정확한 용량 결합 조절과 이온 조절 능력이 높아서 타 플라즈마 소스에 비하여 공정 생산력이 높다는 장점을 갖는다. 반면, 무선 주파수 전원의 에너지가 거의 배타적으로 용량 결합을 통하여 플라즈마에 연결되기 때문에 플라즈마 이온 밀도는 용량 결합된 무선 주파수 전력의 증가 또는 감소에 의해서만 증가 또는 감소될 수 있다. 그러나 무선 주파수 전력의 증가는 이온 충격 에너지를 증가시킨다. 결과적으로 이온 충격에 의한 손상을 방지하기 위해서는 공급되는 무선 주파수 전력의 한계성을 갖게 된다.
한편, 유도 결합 플라즈마 소스는 무선 주파수 전원의 증가에 따라 이온 밀도를 쉽게 증가시킬 수 있으며 이에 따른 이온 충격은 상대적으로 낮아서 고밀도 플라즈마를 얻기에 적합한 것으로 알려져 있다. 그럼으로 유도 결합 플라즈마 소스는 고밀도의 플라즈마를 얻기 위하여 일반적으로 사용되고 있다. 유도 결합 플라즈마 소스는 대표적으로 무선 주파수 안테나(RF antenna)를 이용하는 방식과 변압기를 이용한 방식(변압기 결합 플라즈마(transformer coupled plasma)라고도 함)으로 기술 개발이 이루어지고 있다. 여기에 전자석이나 영구 자석을 추가하거나, 용량 결합 전극을 추가하여 플라즈마의 특성을 향상 시키고 재현성과 제어 능력을 높이기 위하여 기술 개발이 이루어지고 있다.
무선 주파수 안테나는 나선 타입 안테나(spiral type antenna) 또는 실린더 타입 안테나(cylinder type antenna)가 일반적으로 사용된다. 무선 주파수 안테나는 플라즈마 반응기(plasma reactor)의 외부에 배치되며, 유전체 윈도 우(dielectric window)를 통하여 플라즈마 반응기의 내부로 유도 기전력을 전달한다. 무선 주파수 안테나를 이용한 유도 결합 플라즈마는 고밀도의 플라즈마를 비교적 손쉽게 얻을 수 있으나, 안테나의 구조적 특징에 따라서 플라즈마 균일도가 영향을 받는다. 그럼으로 무선 주파수 안테나의 구조를 개선하여 균일한 고밀도의 플라즈마를 얻기 위해 노력하고 있다.
그러나 대면적의 플라즈마를 얻기 위하여 안테나의 구조를 넓게 하거나 안테나에 공급되는 전력을 단순히 높이는 것은 한계성을 갖는다. 예를 들어, 정상파 효과(standing wave effect)에 의해 방사선상으로 비균일한 플라즈마가 발생되는 것으로 알려져 있다. 또한, 안테나에 높은 전력이 인가되는 경우 무선 주파수 안테나의 용량성 결합(capacitive coupling)이 증가하게 됨으로 유전체 윈도우를 두껍게 해야 하며, 이로 인하여 무선 주파수 안테나와 플라즈마 사이의 거리가 증가함으로 전력 전달 효율이 낮아지는 문제점이 발생된다.
최근 반도체 제조 산업에서는 반도체 소자의 초미세화, 반도체 회로를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼 기판의 대형화, 액정 디스플레이를 제조하기 위한 유리 기판의 대형화 그리고 새로운 처리 대상 물질 등장 등과 같은 여러 요인으로 인하여 더욱 향상된 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 대면적의 피처리물에 대한 우수한 처리 능력을 갖는 향상된 플라즈마 소스 및 플라즈마 처리 기술이 요구되고 있다.
따라서 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 플라즈마 발생 밀도를 유연하게 제어할 수 있어서 대면적의 플라즈마를 균일하게 발생하여 플라즈마 처리 효율을 향상 시킬 수 있는 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 유도 결합 플라즈마에 의한 기판 처리를 수행하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 처리 장치는: 실린더형 유전체 윈도우를 구비한 중공의 플라즈마 반응기; 상기 플라즈마 반응기의 외부에서 상기 유전체 윈도우의 측벽을 따라 근접하여 설치되는 무선 주파수 안테나; 상기 무선 주파수 안테나를 사이에 두고 상기 유전체 윈도우 측벽으로 근접하여 설치되는 복수개의 마그네틱 코어 유닛; 및 상기 유전체 윈도우와 상기 복수개의 마그네틱 코어 유닛의 간격을 가변적으로 조절할 수 있는 자기 조절 메커니즘을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 자기 조절 메커니즘은 간격 조절을 위하여 상기 복수개의 마그네틱 코어를 움직이는 복수개의 작동체를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 작동체는 상기 복수개의 마그네틱 코어가 상기 유전체 윈도우와 전체적으로 동일 간격을 갖도록 하거나 또는 부분 적으로 서로 다른 간격을 갖도록 간격 조절이 가능하다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 마그네틱 코어 유닛은 상기 유전체 윈도우의 측벽을 따라 방사형으로 배치된다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수개의 마그네틱 코어는 상기 유전체 윈도우의 측벽을 따라 방사형으로 배치된 제1 마그네틱 코어 그룹과 상기 제1 마그네틱 코어 그룹 보다 낮은 위치에서 방사형으로 배치된 제2 마그네틱 코어 그룹을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 유전체 윈도우의 천정 외부에 설치되는 다른 무선 주파수 안테나를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 반응기의 내부에 발생되는 플라즈마의 특성에 따라서 상기 복수개의 작동체를 동작 시켜 상기 유전체 윈도우와 상기 복수개의 마그네틱 코어 유닛의 간격을 가변적으로 조절하는 제어부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 반응기는 내부에 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 구비하고, 상기 기판 지지대는 하나 이상의 바이어스 전원에 의해 바이어스 된다.
일 실시예에 있어서, 상기 자기 조절 메커니즘은 상기 복수개의 마그네틱 코어 및 무선 주파수 안테나의 수직 높이를 가변적으로 조절할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 무선 주파수 안테나는 분리된 둘 이상의 무선 주파수 안테나로 구성되고, 상기 두 개 이상의 무선 주파수 안테나는 각기 서로 다른 무선 주파수에 의해 구동된다.
본 발명의 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치에 의하면, 자기 조절 메커니즘을 이용하여 플라즈마 반응기 내부의 플라즈마 발생 밀도를 유연하게 제어할 수 있어서 대면적의 플라즈마를 균일하게 발생하여 플라즈마 처리 효율을 향상 시킬 수 있다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 반응기의 단면도이다. 그리고 도 3 및 도 4는 자기 조절 메커니즘에 의해 간격이 조절되는 마그네틱 코어의 동작 상태도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 실린더형 유전체 윈도우(11)를 구비한 중공의 플라즈마 반응기(10)를 구비한다. 실린더형 유전체 윈도우(11)는 반응기 몸체(12)의 상부에 구비되며, 플라즈마 반응기(10)의 외부에서 유전체 윈도우(11)의 측벽을 따라 근접하여 무선 주파수 안테나(21)가 수회 권선된다. 무선 주파수 안테나(21)는 메인 전원 공급원(30)에 임피던스 정합기(31)를 통하여 연결된다. 복수개의 마그네틱 코어 유닛(22)은 무 선 주파수 안테나(21)를 사이에 두고 유전체 윈도우(11)의 측벽으로 근접하여 설치된다. 플라즈마 처리 장치는 유전체 윈도우(11)와 복수개의 마그네틱 코어 유닛(22)의 간격을 가변적으로 조절할 수 있는 자기 조절 메커니즘(20)을 구비한다. 플라즈마 반응기(10)는 가스 입구(14)를 통해서 공정 가스를 입력 받고, 진공 펌프(29)에 의해 배기된다. 가스 입구(14)는 유전체 윈도우(11)의 천정에 설치될 수 있는데, 둘 이상의 분기된 가스 분사 구조를 가질 수 있다. 또는 도면에는 별도로 예시하지 않았으나 가스 샤워 헤드와 같은 가스 공급 구조를 가질 수도 있다.
복수개의 마그네틱 코어 유닛(22)은 유전체 윈도우(11)의 측벽을 따라서 방사형으로 배열되며, 그 외곽으로 링 형상의 고정대(24)가 설치된다. 자기 조절 메커니즘(20)은 간격 조절을 위하여 복수개의 마그네틱 코어 유닛(22)을 움직이는 복수개의 작동체(23)를 구비한다. 복수개의 작동체(23)는 각기 일단이 하나의 마그네틱 코어 유닛(22)에 대응되어 연결되며, 타단은 고정대(24)에 연결된다. 복수개의 작동체(23)는 유전체 윈도우(11)의 중심을 향하여 선형으로 이동 가능하게 고정대(24)에 장착된다. 복수개의 작동체(23)는 복수개의 마그네틱 코어 유닛(22)이 유전체 윈도우(11)와 전체적으로 동일 간격을 갖도록 하거나 또는 부분 적으로 서로 다른 간격을 갖도록 간격 조절이 가능하다.
고정대(24)에 이동 가능하게 장착된 복수개의 작동체(23)는 구동부(25)로부터 제공되는 동력에 의해서 작동된다. 구동부(25)는 전기 모터나 유압 밸브와 같은 동력원과 이에 의해 동작되는 기어 어셈블리를 포함하여 구성될 수 있다. 구동부(25)는 제어부(26)에 의해서 전자적으로 제어된다. 제어부(26)는 마이크로 프로 세스와 메모리를 포함하는 전자적 제어 회로를 포함한다. 제어부(26)는 플라즈마 반응기(10)의 내부에서 발생되는 플라즈마 상태를 모니터링하기 위한 센서들(예를 들어, 하나 이상의 전기 프로브나 플라즈마 광 검출 센서 등)로부터 제공되는 플라즈마 상태 모니터링 신호(28)를 입력 받아서 플라즈마 상태를 판단하고, 이에 기초하여 간격 조절을 위한 제어 신호를 포함하는 다수의 제어 신호(27)를 발생한다.
제어부(26)는 플라즈마 반응기(10)의 내부에서 발생되는 플라즈마 특성에 따라서 구동부(25)를 통해서 복수개의 작동체(23)를 작동시켜, 도 3에 도시된 바와 같이, 유전체 윈도우(11)와 복수개의 마그네틱 코어 유닛(22)의 간격을 가변적으로 조절한다. 간격이 조절되면서 플라즈마 반응기(10)의 내부로 전달되는 유도 기전력의 특성이 가변되어 플라즈마 반응기(10) 내부의 플라즈마 밀도가 분포가 변화된다. 제어부(26)는 궁극적으로 플라즈마 반응기(10)의 내부에서 플라즈마 밀도 분포가 균일하게 이루어지도록 간격 조절을 수행한다. 이와 더불어 그리고 고정대(24)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 수직으로 승강 및 하강이 가능하도록 구성될 수도 있다.
이와 같은 자기 조절 메커니즘(20)은 과열을 방지하기 위하여 냉각수 공급 채널을 구비할 수 있다. 냉각수 공급 채널은 무선 주파수 안테나(21)를 튜브 구조로 구성하여 냉각 채널을 구성할 수 있으며, 또는 별도의 냉각 채널을 구성할 수도 있을 것이다.
다시 도 2를 참조하여, 플라즈마 반응기(10)는 내부에 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대(13)를 구비한다. 기판 지지대(13)는 바이어스를 위한 무선 주파수 를 공급하는 하나 이상의 바이어스 전원 공급원(32, 34)에 의해서 바이어스 될 수 있다. 하나 이상의 바이어스 전원 공급원(32, 34)은 임피던스 정합기(33)를 통하여 기판 지지대(13)에 연결된다. 기판 지지대(13)의 이중 바이어스 구조는 피처리 기판의 표면에서 플라즈마 이온 에너지 조절 능력을 더욱 개선시켜 공정 생산력을 더욱 향상 시킬 수 있다. 기판 지지대(13)는 단일 바이어스 구조를 가질 수도 있다. 또는 지지대(20)는 바이어스 전원의 공급 없이 제로 퍼텐셜(zero potential)을 갖는 구조로 변형 실시될 수도 있다. 그리고 지지대(13)는 정전척을 포함할 수 있다. 그리고 지지대(13)는 히터를 포함할 수 있다.
도 5는 마그네틱 코어의 다양한 구조를 보여주는 도면이다.
도 5의 (a) 내지 (d)예 도시된 바와 같이, 마그네틱 코어 유닛(22)은 기본적으로 도 5의 (a)와 같이 'ㄷ'형 구조를 갖는다. 그러나 도 5의 (b)와 같이 'ㅌ'형 구조를 가질 수도 있다. 'ㅌ'형 구조에서는 각 홈에 무선 주파수 안테나(21)가 삽입된 구조를 가질 수 있다. 또는 도 5의 (c)와 같이 수직 막대형 구조를 가질 수도 있으며 도 5의 (d)와 같이 수평 막대형 구조를 가질 수 있다. 수평 막대형 구조에서 각각의 마그네틱 코어는 무선 주파수 안테나(21) 사이에 삽입된 구조를 가질 수 있다. 이와 같이, 마그네틱 코어 유닛(22)의 구조는 다양한 변형이 가능하다.
마그네틱 코어 유닛(22)은 수직 단면 구조가 말편자 형상을 갖고, 자속 출입구가 유전체 윈도우(11)를 향하도록 설치된다. 마그네틱 코어 유닛(22)은 페라이트 재질로 제작되지만 다른 대안의 재료로 제작될 수 도 있으며, 여러 개의 조각을 사용하여 구성하는 경우에는 각 조각의 조립면에 절연 물질과 같은 비자성 물질층을 삽입하여 구성할 수 있다. 도면에는 도시하지 않았으나 유전체 윈도우(11)와 무선 주파수 안테나(21) 사이에 페러데이 실드를 선택적으로 구성할 수 있다.
도 6은 일 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 6을 참조하여, 본 발명의 일 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치는 상술한 실시예와 기본적으로 동일한 구성을 갖는다. 다만, 복수개의 마그네틱 코어 유닛(22-1, 22-2)은 유전체 윈도우(11)의 측벽을 따라 방사형으로 배치된 제1 마그네틱 코어 그룹(22-1)과 상기 제1 마그네틱 코어 그룹(22-1) 보다 낮은 위치에서 방사형으로 배치된 제2 마그네틱 코어 그룹(22-2)을 포함한다. 이와 같은 다단 구조는 2단 이상의 분할된 적층 구조로 변형될 수 있다. 이와 더불어 자기 조절 메커니즘(20a)도 복수개의 작동체(23-1, 23-2)도 다단 구조를 갖는다.
그리고 무선 주파수 안테나(23-1, 23-2)는 둘 이상으로 분리되고, 각기 서로 다른 무선 주파수에 의해 구동되도록 할 수 있다. 예를 들어, 상단에 하나의 무선 주파수 안테나(23-1)를 하단에 다른 하나의 무선 주파수 안테나(23-2)를 구성할 수 있다. 이때, 상단의 무선 주파수 안테나(23-1)는 임피던스 정합기(31)를 통하여 메인 전원 공급원(30)에 연결되고, 하단의 무선 주파수 안테나(23-2)는 다른 임피던스 정합기(36)를 통해서 다른 메인 전원 공급원(35)에 연결된다. 두 개의 메인 전원 공급원(30, 35)은 서로 다른 무선 주파수를 공급한다.
도 7은 또 다른 변형의 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 7을 참조하여, 또 다른 변형의 플라즈마 처리 장치는 도 2를 참조하여 설 명한 실시예와 동일한 구조를 갖는다. 다만, 유전체 윈도우(11)의 천정 외부에 설치되는 다른 무선 주파수 안테나(39)를 구비한다. 무선 주파수 안테나(39)는 다른 임피던스 정합기(38)를 통하여 다른 메인 전원 공급원(37)에 연결된다. 이때, 두 개의 메인 전원 공급원(30, 37)은 서로 다른 무선 주파수를 공급하거나 또는 동일한 무선 주파수를 공급할 수도 있다. 유전체 윈도우(11)의 상부에 무선 주파수 안테나(39)를 구성하는 특징과 도 6에 도시된 다단의 마그네틱 코어를 사용하는 특징은 혼합적으로 실시될 수도 있다. 그리고 도 8에 도시된 바와 같이, 돔형의 유전체 윈도우(11a)를 플라즈마 반응기(10)에 구성할 수도 있다.
이상과 같은 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 복수개의 무선 주파수 안테나를 사용할 수 있는데 이때 각각의 무선 주파수 안테나는 서로 다른 무선 주파수에 의해 구동될 수 있다. 또는 적어도 두 개가 동일한 무선 주파수로 구동될 수도 있다. 동일한 무선 주파수로 구동되는 경우에는 각기 별도의 무선 주파수 공급원을 사용할 수도 있으나 하나의 무선 주파수 공급원을 사용하여 구성할 수도 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 자기 조절 메커니즘을 구비한 플라즈마 처리 장치는 반도체 집적 회로의 제조, 평판 디스플레이 제조, 태양전지의 제조와 같은 다양한 박막 형성을 위한 플라즈마 처리 공정에 매우 유용하게 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 반응기의 단면도이다.
도 3 및 도 4는 자기 조절 메커니즘에 의해 간격이 조절되는 마그네틱 코어의 동작 상태도이다.
도 5는 마그네틱 코어의 다양한 구조를 보여주는 도면이다.
도 6은 일 변형예에 따른 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 7은 또 다른 변형의 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 8은 돔형 구조를 갖는 유전체 윈도우 천정을 부분적으로 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 플라즈마 반응기 11: 유전체 윈도우
12: 반응기 몸체 13: 기판 지지대
14: 가스 입구 20: 자기 조절 메커니즘
21: 무선 주파수 안테나 22: 마그네틱 코어 유닛
23: 작동체 24: 고정대
25: 구동부 26: 제어부
27: 플라즈마 상태 제어 신호 28: 플라즈마 상태 검출 신호
29: 진공 펌프 30: 메인 전원 공급원
31: 임피던스 정합기 32, 34: 바이어스 전원 공급원
33: 임피던스 정합기 35: 메인 전원 공급원
36: 임피던스 정합기 37: 메인 전원 공급원
38: 임피던스 정합기 39: 무선 주파수 안테나

Claims (10)

  1. 실린더형 유전체 윈도우를 구비한 중공의 플라즈마 반응기;
    상기 플라즈마 반응기의 외부에서 상기 유전체 윈도우의 측벽을 따라 근접하여 설치되는 무선 주파수 안테나;
    상기 무선 주파수 안테나를 사이에 두고 상기 유전체 윈도우 측벽으로 근접하여 설치되는 복수개의 마그네틱 코어 유닛; 및
    상기 유전체 윈도우와 상기 복수개의 마그네틱 코어 유닛의 간격을 가변적으로 조절할 수 있는 자기 조절 메커니즘을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 자기 조절 메커니즘은
    간격 조절을 위하여 상기 복수개의 마그네틱 코어를 움직이는 복수개의 작동체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복수개의 작동체는
    상기 복수개의 마그네틱 코어가 상기 유전체 윈도우와 전체적으로 동일 간격을 갖도록 하거나 또는 부분 적으로 서로 다른 간격을 갖도록 간격 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수개의 마그네틱 코어 유닛은 상기 유전체 윈도우의 측벽을 따라 방사형으로 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 복수개의 마그네틱 코어는
    상기 유전체 윈도우의 측벽을 따라 방사형으로 배치된 제1 마그네틱 코어 그룹과 상기 제1 마그네틱 코어 그룹 보다 낮은 위치에서 방사형으로 배치된 제2 마그네틱 코어 그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유전체 윈도우의 천정 외부에 설치되는 다른 무선 주파수 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 반응기의 내부에 발생되는 플라즈마의 특성에 따라서 상기 복수개의 작동체를 동작 시켜 상기 유전체 윈도우와 상기 복수개의 마그네틱 코어 유닛의 간격을 가변적으로 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 반응기는 내부에 피처리 기판이 놓이는 기판 지지대를 구비하고,
    상기 기판 지지대는 하나 이상의 바이어스 전원에 의해 바이어스 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 자기 조절 메커니즘은
    상기 복수개의 마그네틱 코어 및 무선 주파수 안테나의 수직 높이를 가변적으로 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 무선 주파수 안테나는 분리된 둘 이상의 무선 주파수 안테나로 구성되고, 상기 두 개 이상의 무선 주파수 안테나는 각기 서로 다른 무선 주파수에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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