KR20090074416A - 석영 도가니의 변형을 방지하는 구조를 가진 단결정성장장치 및 이를 이용한 단결정 성장방법 - Google Patents
석영 도가니의 변형을 방지하는 구조를 가진 단결정성장장치 및 이를 이용한 단결정 성장방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (6)
- 실리콘 멜트(Melt)가 수용될 수 있는 내부공간이 마련된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 둘러싸도록 설치된 히터(Heater)와, 상기 석영 도가니와 히터가 수용되는 챔버를 포함하고, 상기 실리콘 멜트에 시드(Seed)를 담근 후 상기 시드를 회전시키면서 상부로 인상시켜 고액계면을 통해 단결정 잉곳을 성장시키는 쵸크랄스키(Cz)법을 수행하는 단결정 잉곳 성장장치에 있어서,상기 석영 도가니의 가열을 위해 상기 히터의 파워(Power)가 85~120kw로 설정된 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장장치.
- 제1항에 있어서,상기 석영 도가니는 상기 히터의 최대 발열지점으로부터 멜트 프리 표면(Melt free surface)이 150~250㎜ 떨어지도록 배치된 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장장치.
- 실리콘 멜트(Melt)가 수용될 수 있는 내부공간이 마련된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 둘러싸도록 설치된 히터(Heater)와, 상기 석영 도가니와 히터가 수용되는 챔버를 포함하고, 상기 실리콘 멜트에 시드(Seed)를 담근 후 상기 시드를 회전시키면서 상부로 인상시켜 고액계면을 통해 단결정 잉곳을 성장시키는 쵸크랄스키(Cz)법을 수행하는 단결정 잉곳 성장장치에 있어서,상기 석영 도가니는 상기 히터의 최대 발열지점으로부터 멜트 프리 표면(Melt free surface)이 150~250㎜ 떨어지도록 배치된 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장장치.
- 실리콘 멜트(Melt)가 수용될 수 있는 내부공간이 마련된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 둘러싸도록 설치된 히터(Heater)와, 상기 석영 도가니와 히터가 수용되는 챔버를 포함하는 단결정 성장장치를 이용하고, 실리콘 멜트에 시드(Seed)를 담근 후 상기 시드를 회전시키면서 상부로 인상시켜 고액계면을 통해 단결정 잉곳을 성장시키는 쵸크랄스키(Cz)법의 단결정 잉곳 성장방법에 있어서,상기 히터의 파워(Power)를 85~120kw로 설정하여 상기 석영 도가니를 가열하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장방법.
- 제4항에 있어서,상기 히터의 최대 발열지점으로부터 멜트 프리 표면(Melt free surface)까지의 거리를 150~250㎜로 유지하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장방법.
- 실리콘 멜트(Melt)가 수용될 수 있는 내부공간이 마련된 석영 도가니와, 상기 석영 도가니를 둘러싸도록 설치된 히터(Heater)와, 상기 석영 도가니와 히터가 수용되는 챔버를 포함하는 단결정 성장장치를 이용하고, 실리콘 멜트에 시드(Seed)를 담근 후 상기 시드를 회전시키면서 상부로 인상시켜 고액계면을 통해 단결정 잉 곳을 성장시키는 쵸크랄스키(Cz)법의 단결정 잉곳 성장방법에 있어서,상기 히터의 최대 발열지점으로부터 멜트 프리 표면(Melt free surface)까지의 거리를 150~250㎜로 유지하는 것을 특징으로 하는 단결정 잉곳 성장방법.
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