KR20090059792A - Micro heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a micro heating device, a micro heating device manufacturing method and an environmental sensor using the same.
특히 본 발명은 전력소모가 적고 열효율이 우수한 마이크로 가열 장치 및 그를 이용한 환경 센서에 관한 것이다.In particular, the present invention relates to a micro heating device with low power consumption and excellent thermal efficiency, and an environmental sensor using the same.
본 발명은 정보통신부의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-006-02, 과제명: 유비쿼터스 단말용 부품/모듈]The present invention is derived from a study performed as part of the IT source technology development project of the Ministry of Information and Communication [Task management number: 2006-S-006-02, Task name: ubiquitous terminal components / modules]
센서 기술이 발달함에 따라 가스 센서 등의 환경 센서에 사용되는 마이크로 가열 장치에 대한 연구도 발전되어 왔다. 특히 마이크로 가열 장치는 저전력으로 열효율이 좋으며, 가열 장치 전체에서 균일하게 가열되는 등온 특성이 좋을 것을 요구하는데, 기존의 마이크로 가열 장치의 확산판은 넓은 판구조로 형성되거나, 가열부와 다른 층에 확산판을 형성하는 방법이 사용되어 왔다.As sensor technology develops, research on micro heating devices used in environmental sensors such as gas sensors has also been developed. In particular, the micro heating device is required to have good thermal efficiency at low power and good isothermal property that is uniformly heated throughout the heating device. The diffusion plate of the conventional micro heating device is formed in a wide plate structure, or is diffused in a different layer from the heating part. A method of forming a plate has been used.
그러나 넓은 판구조의 확산판은 열 손실이 크고 유연성이 떨어지는 단점이 있었으며, 확산판과 가열부가 다른 층에 존재하는 경우 공정이 복잡해지고, 열효율이 떨어지는 단점이 존재하였다.However, the diffuser plate having a wide plate structure has a disadvantage of large heat loss and inferior flexibility, and when the diffuser plate and the heating unit exist in different layers, the process becomes complicated and the thermal efficiency is inferior.
따라서 효율적인 환경센서를 위한 열효율 및 저전력으로 구현 가능한 마이크로 가열 장치 및 그를 이용한 환경 센서가 요구되었다.Therefore, there is a need for a micro heating device capable of realizing low thermal power and an environmental sensor using the same for an efficient environmental sensor.
본 발명은 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a micro heating device, a micro heating device manufacturing method, and an environmental sensor using the same.
또한 본 발명은 공정이 비교적 간단하며, 열효율 및 등온 특성이 우수한 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a micro heating device, a method of manufacturing a micro heating device, and an environmental sensor using the same, which are relatively simple in process and are excellent in thermal efficiency and isothermal characteristics.
상술한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 산화규소막, 질화규소막 및 제2 산화규소막이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막, 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되는 가열부, 확산판 및 가열부 전극, 상기 가열부, 확산판 및 가열부 전극의 상단에 형성되는 절연층을 포함하되, 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결된 접합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치를 제공할 수 있다.In order to achieve the above objects, according to an aspect of the present invention, an elastic thin film in which a first silicon oxide film, a silicon nitride film and a second silicon oxide film are sequentially deposited, a heating part patterned on the elastic thin film, diffusion And an insulating layer formed on top of the plate and the heating electrode, the heating part, the diffusion plate, and the heating electrode, wherein the diffusion plate includes a joint connected to the heating part. Can provide.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 가열부, 확산판 및 가열부 전극은 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금중 어느한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 가열부는 상기 확산판을 감싸는 패턴으로 형성된 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 확산판은 상기 가열부에서 전류를 인가하더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 확산판과 상기 가열부의 결합은 휘트스톤 브리지 형태의 회로 결합 특성을 가지는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 확산판은 복수의 동심원을 포함하며, 상기 복수의 동심원들은 접합부에 의하여 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 확산판은 원형 디스크 형태의 판으로 구성되는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 가열부는 톱니바퀴 형태의 패턴으로 상기 확산판을 감싸고 상기 확산판과 상기 접합부에 의하여 수직으로 연결되는 것을 특징으로 할 수 있다. 또한, 상기 가열부의 패턴 형태는 상기 가열부 자체의 내부 저항을 증가시키는 형태로 변형될 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치.In a preferred embodiment, the heating unit, the diffusion plate and the heating electrode may be made of any one of polysilicon, tungsten, aluminum, nickel and platinum. In addition, the heating unit may be formed in a pattern surrounding the diffusion plate. In addition, the diffusion plate may be characterized in that the current does not flow even if the current is applied from the heating unit. In addition, the coupling between the diffusion plate and the heating unit may be characterized in that it has a circuit coupling characteristic of the Wheatstone bridge form. The diffusion plate may include a plurality of concentric circles, and the plurality of concentric circles may be connected by a junction. In addition, the diffusion plate may be characterized by consisting of a plate in the form of a circular disk. In addition, the heating unit may surround the diffusion plate in a gear-shaped pattern and may be vertically connected by the diffusion plate and the junction. In addition, the heating pattern of the heating unit is a micro heating device, characterized in that it can be modified to increase the internal resistance of the heating unit itself.
본 발명의 다른 일 측면을 참조하면, 규소 기판 위에 산화규소막, 질화규소막 및 산화규소막을 차례대로 증착하여 탄성 박막을 형성하는 단계, 상기 탄성 박막의 상단에 전도 재질의 가열부, 확산판 및 가열부 전극을 패턴 형성하는 단계, 상기 패턴 형성된 가열부, 확산판 및 가열부 전극의 상단에 절연층을 형성하는 단계 및 상기 탄성 박막 하단의 규소 기판을 식각하는 단계를 포함하되 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결된 접합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치 제조 방법을 제공할 수 있다.Referring to another aspect of the present invention, the step of depositing a silicon oxide film, a silicon nitride film and a silicon oxide film on the silicon substrate in order to form an elastic thin film, the heating portion, the diffusion plate and the heating of the conductive material on top of the elastic thin film Forming a sub-electrode, forming an insulating layer on top of the patterned heating part, the diffusion plate, and the heating part electrode, and etching the silicon substrate under the elastic thin film, wherein the diffusion plate is heated. It is possible to provide a method for manufacturing a micro heating device comprising a joint connected vertically to the part.
바람직한 실시예에 있어서, 상기 탄성 박막 하단의 규소 기판을 식각할 때, 상기 탄성 박막의 상단에 형성된 가열부, 확산판 및 가열부 전극의 위치를 제외하고는 상기 절연층까지 모두 식각하는 것을 특징으로 할 수 있다.In a preferred embodiment, when etching the silicon substrate of the lower end of the elastic thin film, all of the insulating layer except for the position of the heating portion, the diffusion plate and the heating electrode formed on the upper end of the elastic thin film, characterized in that the etching can do.
본 발명의 또 다른 일 측면을 참조하면, 산화규소막, 질화규소막 및 산화규소막이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막, 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되는 가열부, 확산판 및 가열부 전극, 상기 가열부, 확산판 및 가열부 전극의 상단에 형성되는 절연층 및 상기 절연층의 상단에 형성되는 환경 센서 전극 및 환경 감지 물질을 포함하되, 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결된 접합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 환경 센서를 제공할 수 있다.Referring to another aspect of the present invention, a silicon oxide film, a silicon nitride film and a silicon oxide film are deposited in sequence, an elastic thin film, a heating portion, a diffusion plate and a heating electrode electrode formed in a pattern on the elastic thin film, the heating portion And an insulating layer formed on top of the diffusion plate and the heating part electrode, and an environmental sensor electrode and an environmental sensing material formed on the top of the insulating layer, wherein the diffusion plate includes a junction vertically connected to the heating part. An environmental sensor can be provided.
본 발명은 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공할 수 있다.The present invention can provide a micro heating device, a micro heating device manufacturing method, and an environmental sensor using the same.
또한 본 발명은 공정이 비교적 간단하며, 열효율 및 등온 특성이 우수한 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a micro heating device, a micro heating device manufacturing method, and an environmental sensor using the same, the process is relatively simple, and excellent in thermal efficiency and isothermal characteristics.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a micro heating apparatus, a micro heating apparatus manufacturing method, and an environmental sensor using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 단면을 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the cross section of 1st Example of the micro heating apparatus applied to this invention.
도 1을 참조하면 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치(400)는 실리콘 기 판(100), 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310), 상부 산화 실리콘 박막(320), 가열부 전극(210), 가열부(200), 확산판(250) 및 절연층(350)으로 구성된다.Referring to FIG. 1, the
이러한 마이크로 가열 장치는 반도체 공정을 통하여 형성되는 가열 장치로서 가열부 전극(210)에서 전달되는 전기 신호를 상기 가열부(200)에서 열에너지로 변경하는 역할을 한다. 상기 가열부(200)와 연결된 확산판(250)은 가열부(200)에서 생성된 열을 모아줌으로써 온도 분포를 고르게 하는 역할을 한다. 이러한 마이크로 가열 장치는 소형으로 제작이 가능하여 여러 센서나 다른 가열 장치에 사용된다.The micro heating device is a heating device formed through a semiconductor process and serves to change an electrical signal transmitted from the
실리콘 기판(100)은 본 발명의 마이크로 가열 장치를 형성하기 위한 기판으로 일반적으로 반도체 공정에서 자주 사용되는 실리콘 기판과 동일하다. 다만 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는 박막 형태로 구성되므로, 상기 실리콘 기판의 상단에 마이크로 가열 장치가 모두 형성된 후에는 상기 마이크로 가열 장치가 형성된 부분의 실리콘 기판은 후면에서부터 식각(150)하여 제거한다.The
하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310), 상부 산화 실리콘 박막(320)은 본 발명의 마이크로 가열 장치의 하부 박막으로 형성된다. 이렇게 하부 박막을 하나의 층이 아니라 3개의 층으로 구성하는 이유는 마이크로 가열장치에서 발열이 시작되면, 발열에 의하여 휨 현상이 일어나게 되므로, 마이크로 가열 장치의 하부 박막이 깨지거나 변성될 수 있다. 이러한 변성이나 깨짐을 최소화하기 위하여 압축 응력을 가지는 산화규소막과 신장 응력을 가지는 질화규소막을 겹쳐서 박막을 형성한다.The lower silicon oxide
가열부 전극(210)은 본 발명에 따른 마이크로 히터에 전력을 공급해주는 역할을 담당하는 부분으로, 외부로부터 인가되는 전력을 가열부(200)로 전달시키는 도선이다.The
가열부(200)는 확산판(250)을 둘러싼 원 형태의 도선으로 가열부 전극(210)에 비해서 작은 저항 값을 갖기 때문에 주울열(Jule's heat)에 의해서 열이 발생한다. 확산판(250)은 가열부(200)와는 회로적으로 휘트스톤 브리지의 평행 상태에 있기 때문에 확산판(250)으로의 전류의 흐름은 없다.Since the
확산판(250)은 가열부(200)에서 전달되는 열에너지를 모아주는 역할을 담당하며, 여러 개의 동심원을 겹친 구조로 구성되어있다. 특히 가열부(200)와 결합하는 접합부는 가열부(200)와 수직으로 접합하게 되어, 회로적인 관점에서 휘트스톤 브리지의 평행 상태와 동일하게 구성된다. 따라서 확산판(250)으로 흐르는 전류는 없어지며 확산판(250) 전류의 흐름 없이 열만을 모아주는 역할을 하게 된다.The
특히, 상기 가열부(200), 확산판(250) 및 가열부 전극(210)은 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 등으로 구성될 수 있는데 이들은 열 전도도와 전기 전도도가 좋으며 용도에 적합한 물질이면 금속이 아니더라도 크게 관계없다.In particular, the
절연층(350)은 상기 가열부(200), 확산판(250) 및 가열부 전극(210)을 모두 감싸서 외부와 절연하도록 하는 보호막의 역할을 담당한다.The
도 2는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 평면을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a plane of a first embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied.
도 2를 참조하면 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는 도 1에서 설명된 실리콘 기판을 본 발명의 마이크로 가열 장치(400)를 중심으로 후면에서 원형으로 식각(150)하여 형성됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the micro heating apparatus according to the present invention is formed by etching the silicon substrate described with reference to FIG. 1 in a circular shape at the rear of the
가열부 전극(210)은 상기 마이크로 가열 장치(400)의 외부로부터 연결되는 도선임을 알 수 있으며, 가열부(200)는 확산판(250)을 외부에서 둘러싸는 원형으로 형성된 도선임을 알 수 있다. 확산판(250)은 복수의 동심원으로 구성되며, 가열부(200)와 접합되는 지점에서 가열부와 수직으로 접합됨을 알 수 있다.It can be seen that the
상기와 같은 구성 형태에 의하여 확산판(250)은 가열부(200)에서 전달되는 열에너지를 모아주는 역할을 하지만 가열부(200)에서 전달되는 전류는 확산판(250)으로는 전혀 전달되지 아니한다.By the configuration described above, the
도 3은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 단면을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a cross section of a second embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied.
도 3을 참조하면 본 발명의 제2 실시예에 따른 마이크로 가열 장치(400)는 실리콘 기판(100), 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310), 상부 산화 실리콘 박막(320), 가열부 전극(210), 가열부(200), 확산판(250), 절연층(350) 및 하부 동혈(500)로 구성된다.Referring to FIG. 3, the
이러한 마이크로 가열 장치는 상기 도1에서 설명한 마이크로 가열 장치와 동일한 역할을 할 수 있다. The micro heating device may play the same role as the micro heating device described with reference to FIG. 1.
실리콘 기판(100)은 본 발명의 마이크로 가열 장치를 형성하기 위한 기판으 로 일반적으로 반도체 공정에서 자주 사용되는 실리콘 기판과 동일하다. 다만 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는 박막 형태로 구성되므로, 상기 실리콘 기판의 상단에 마이크로 가열 장치가 모두 형성된 후에는 도면 1에서 설명된 방식과 달리 미세 가공 기술을 이용하여 전면부에서 마이크로 가열 장치(400)의 부분을 제외한 외부의 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310), 상부 산화 실리콘 박막(320) 및 실리콘 기판(100)을 식각하여 하부 동혈(500)을 구성한다.The
이러한 하부 동혈(500)이 구성되면 실제로 마이크로 가열 장치(400)는 도면 1에서와는 달리 가열부 전극(210),가열부(200) 및 확산판(250)이 형성된 부분을 제외하고는 모두 식각되어 하부 동혈(500)과 연결되어 마이크로 가열 장치는 가열부(200) 및 확산판(250)주위가 비어있는 형태로 형성된다.When the
도 4는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 평면을 나타내는 도면이다.4 is a view showing a plane of a second embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied.
도 4를 참조하면 본 발명에 제2 실시예에 따른 마이크로 가열 장치는 도 3에서 설명된 실리콘 기판을 본 발명의 마이크로 가열 장치(400)의 부분을 제외하고 모두 식각된 형태를 나타낸다.Referring to FIG. 4, the micro heating apparatus according to the second exemplary embodiment of the present invention is etched in the silicon substrate described in FIG. 3 except for the part of the
상기 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이 마이크로 가열 장치(400) 부분을 제외하고는 주위를 모두 식각하여 하부 동혈(500)이 형성된다. 이러한 식각은 미세 가공기술을 이용하여 식각될 수 있다. 이러한 방식으로 마이크로 가열 장치(400)를 제조하는 경우에는 후면에서부터 실리콘을 식각할 필요 없이 전면에서 미세 가공 기술을 사용하여 필요 없는 부분을 식각하여 하부 동혈(500)을 생성하기 때문에 제조 공정상의 이익이 존재할 수 있다.As can be seen in the figure, except for the portion of the
도 5는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 예측을 시물레이션한 결과를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram showing the results of simulation of prediction of a micro heating device applied to the present invention. FIG.
도 5a는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 온도 변화 분포를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the temperature change distribution of the micro heating apparatus applied to this invention.
도 5a는 유한 요소 해석 방법을 시용하여 시물레이션하였으며, 인가되는 전력은 25mW를 이용하였고, 확산판은 백금(Pt)을 사용하였다. 이러한 경우 가열부(200)의 최대 온도는 상기 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이 713.01K 로서 예측되었다. 이는 섭씨로는 440도를 나타내므로 마이크로 가열 장치로서의 성능을 충분히 발휘함을 알 수 있다. 또한 본 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이 확산판 전체에 대한 등온 특성도 충분히 만족함을 알 수 있다. 5a simulated using a finite element analysis method, the applied power was used 25mW, the diffusion plate was used platinum (Pt). In this case, the maximum temperature of the
도 5b는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 전류 흐름을 나타내는 도면이다.5B is a diagram showing the current flow in the micro heating device applied to the present invention.
본 발명의 확산판은 회로적인 측면에서 휘트스톤 브리지의 역할을 하므로 외부로부터 유입되는 전류는 전혀 흐르지 않음을 선행하는 도면에서 설명하였으며, 그 결과를 시물레이션한 값을 본 도5b에서 나타내고 있다.Since the diffusion plate of the present invention serves as a Wheatstone bridge in terms of circuits, the current flowing from the outside does not flow at all, and it is described in the preceding drawings, and the result of the simulation is shown in FIG. 5B.
본 5b 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이, 가열부 전극 및 가열부에 흐르는 전류가 확산판으로는 전혀 흐르지 않음을 확인할 수 있다.As can be seen in the drawing of FIG. 5B, it can be seen that the current flowing through the heating unit electrode and the heating unit does not flow to the diffusion plate at all.
도 6은 본 발명에 따른 환경 센서의 일 실시예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing an embodiment of an environmental sensor according to the present invention.
도 6a는 본 발명의 도 1에서 설명한 제1 실시예에 따른 마이크로 가열 장치의 상단에 가스 감지 전극(270) 및 가스 감지 물질(600)을 추가하여 구성된 가스 감지 장치의 단면을 나타내고 있다. 또한 도 6b는 도 3에서 설명한 제2 실시예에 따른 마이크로 가열 장치의 상단에 가스 감지 전극(270) 및 가스 감지 물질(600)을 추가하여 구성된 가스 감지 장치의 단면을 나타내고 있다.FIG. 6A is a cross-sectional view of a gas sensing device configured by adding a
도 7은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치에 있어서 가열부와 확산판에 대한 일 실시예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing an embodiment of the heating unit and the diffusion plate in the micro heating apparatus applied to the present invention.
도 7a는 본 발명의 도 2 및 도 4에서 설명한 제 1실시예와 제 2실시예에 대한 가열부(200) 및 확산판(250)의 도면이다. 가열부(200)은 동심원 구조이며, 확산판(250)은 가열부(200)와는 휘스톤 브리지로 연결된 형태이다. 상기의 확산판(250)은 복수의 동심원이 연결된 형태이다. 가열부(200)에서 발생된 열에너지는 확산판(250)에 의해서 열이 모아지면서 균일한 열 분포가 형성된다.FIG. 7A is a view of the
도 7b는 또 다른 형태의 확산판(250)에 대한 도면이다. 상기의 확산판(250)은 복수의 동심원 구조가 아닌 원형의 디스크 형태이다. 이러한 구조의 확산판(250)을 이용하는 경우에는 확산판에 다른 패턴을 식각할 필요가 없어 제조 공정이 간단해지는 장점이 있다.FIG. 7B is a view of another type of
도 7c는 또 다른 형태의 가열부(200)에 대한 도면이다. 상기의 가열부(200) 는 동심원 구조가 아닌 굴곡이 있는 형태이다. 이러한 굴곡이 있는 형태는 동심원 구조 보다 전기적인 저항 성분을 높일 수 있다. 이는 가열부의 형태에 따라 저항 특성이 달라지는 것으로, 굴곡 패턴은 본 도면에서 예시된 형태일 필요는 없으며, 저항 성분이 커지는 형태로 얼마든지 변형하여 구성할 수 있다. 즉 길이가 길어지거나 단면적이 줄어드는 형태로 저항 성분을 크게 만들 수 있다.FIG. 7C is a view illustrating another type of
이렇게 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치를 이용하여 가스 감지 장치를 구성하는 경우 기존의 마이크로 가열 장치를 이용하는 것 보다 열 손실이 적고, 하부 박막에 산화규소 층 및 질화규소 층을 이용하여 열에 의한 변성 및 기계적인 변성에도 현저히 강할 수 있다.Thus, when the gas sensing device is configured using the micro heating device according to the present invention, heat loss is less than that of the conventional micro heating device. Degeneration can be significantly stronger.
상기의 도면에서 설명한 가스 감지 장치뿐만 아니라 마이크로 가열 장치가 적용되는 환경 센서의 많은 부분에서 본 발명의 마이크로 가열 장치를 적용할 경우 좀더 효율적인 환경 센서를 구성할 수 있음은 물론이다.In addition to the gas detection device described in the above drawings, when the micro heating device of the present invention is applied to many parts of the environmental sensor to which the micro heating device is applied, a more efficient environmental sensor can be configured.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다. The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.
도 1은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 단면을 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows the cross section of the 1st Example of the micro heating apparatus applied to this invention.
도 2는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 평면을 나타내는 도면.2 is a view showing a plane of a first embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied;
도 3은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 단면을 나타내는 도면.3 is a cross-sectional view of a second embodiment of a micro heating device applied to the present invention.
도 4는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 평면을 나타내는 도면.4 is a view showing a plane of a second embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied;
도 5는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 예측을 시물레이션한 결과를 나타내는 도면.5 is a diagram showing the results of simulation of prediction of a micro heating device applied to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 환경 센서의 일 실시예를 나타내는 도면.6 shows an embodiment of an environmental sensor according to the invention;
도 7은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치에 있어서 가열부와 확산판에 대한 일 실시예를 나타내는 도면.7 is a view showing an embodiment of a heating unit and a diffusion plate in the micro heating apparatus applied to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
400 : 마이크로 가열 장치 100 : 실리콘 기판400: micro heating device 100: silicon substrate
300 : 하부 산화 실리콘 박막 310 : 질화 실리콘 박막300: lower silicon oxide thin film 310: silicon nitride thin film
320 : 상부 산화 실리콘 박막 210 : 가열부 전극 320: upper silicon oxide thin film 210: heating part electrode
200 : 가열부 250 : 확산판200: heating part 250: diffusion plate
350 : 절연층350: insulation layer
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070126836A KR100914938B1 (en) | 2007-12-07 | 2007-12-07 | Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070126836A KR100914938B1 (en) | 2007-12-07 | 2007-12-07 | Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090059792A true KR20090059792A (en) | 2009-06-11 |
KR100914938B1 KR100914938B1 (en) | 2009-08-31 |
Family
ID=40989845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070126836A KR100914938B1 (en) | 2007-12-07 | 2007-12-07 | Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100914938B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101135400B1 (en) * | 2010-03-19 | 2012-04-17 | 전자부품연구원 | Micro gas sensor array |
US8912613B2 (en) | 2012-12-24 | 2014-12-16 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Dual-side micro gas sensor and method of fabricating the same |
CN113543385A (en) * | 2021-06-21 | 2021-10-22 | 浙江福烯农业科技有限公司 | Pressure-sensitive type graphite alkene electric heat membrane |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2007
- 2007-12-07 KR KR1020070126836A patent/KR100914938B1/en not_active IP Right Cessation
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CN113543385A (en) * | 2021-06-21 | 2021-10-22 | 浙江福烯农业科技有限公司 | Pressure-sensitive type graphite alkene electric heat membrane |
CN113543385B (en) * | 2021-06-21 | 2024-02-02 | 浙江福烯农业科技有限公司 | Pressure-sensitive graphene electrothermal film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100914938B1 (en) | 2009-08-31 |
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