KR100914938B1 - Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof - Google Patents

Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof

Info

Publication number
KR100914938B1
KR100914938B1 KR1020070126836A KR20070126836A KR100914938B1 KR 100914938 B1 KR100914938 B1 KR 100914938B1 KR 1020070126836 A KR1020070126836 A KR 1020070126836A KR 20070126836 A KR20070126836 A KR 20070126836A KR 100914938 B1 KR100914938 B1 KR 100914938B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
heating part
diffusion plate
heating
electrode
Prior art date
Application number
KR1020070126836A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090059792A (en
Inventor
이홍열
문승언
박종혁
곽준혁
박소정
박강호
김종대
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020070126836A priority Critical patent/KR100914938B1/en
Publication of KR20090059792A publication Critical patent/KR20090059792A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100914938B1 publication Critical patent/KR100914938B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/128Microapparatus
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater

Abstract

본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는, 하부 산화 실리콘 박막, 질화 실리콘 박막 및 상부 산화 실리콘 박막이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부에 인가하는 가열부 전극; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판; 및 상기 가열부, 상기 가열부 전극, 상기 확산판의 상단에 형성되는 절연층을 포함하되, 상기 가열부는 상기 확산판을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결되어 상기 가열부로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 한다.The micro heating apparatus according to the present invention includes an elastic thin film in which a lower silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film and an upper silicon oxide thin film are sequentially deposited; A heating part formed on the elastic thin film and generating heat by an applied current; A heating part electrode formed on a pattern of the elastic thin film to apply a current input from the outside to the heating part; A diffusion plate formed on the elastic thin film to collect heat energy generated from the heating unit; And an insulating layer formed on the heating part, the heating part electrode, and an upper end of the diffusion plate, wherein the heating part is formed in a pattern surrounding the diffusion plate, and the diffusion plate is vertically connected to the heating part. Even though a current is applied from the heating unit, the current does not flow.

Description

마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서{Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof}Micro heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using the same

본 발명은 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서에 관한 것이다.The present invention relates to a micro heating device, a micro heating device manufacturing method and an environmental sensor using the same.

특히 본 발명은 전력소모가 적고 열효율이 우수한 마이크로 가열 장치 및 그를 이용한 환경 센서에 관한 것이다.In particular, the present invention relates to a micro heating device with low power consumption and excellent thermal efficiency, and an environmental sensor using the same.

본 발명은 정보통신부의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-006-02, 과제명: 유비쿼터스 단말용 부품/모듈]The present invention is derived from a study performed as part of the IT source technology development project of the Ministry of Information and Communication [Task management number: 2006-S-006-02, Task name: ubiquitous terminal components / modules]

센서 기술이 발달함에 따라 가스 센서 등의 환경 센서에 사용되는 마이크로 가열 장치에 대한 연구도 발전되어 왔다. 특히 마이크로 가열 장치는 저전력으로 열효율이 좋으며, 가열 장치 전체에서 균일하게 가열되는 등온 특성이 좋을 것을 요구하는데, 기존의 마이크로 가열 장치의 확산판은 넓은 판구조로 형성되거나, 가열부와 다른 층에 확산판을 형성하는 방법이 사용되어 왔다.As sensor technology develops, research on micro heating devices used in environmental sensors such as gas sensors has also been developed. In particular, the micro heating device is required to have good thermal efficiency at low power and good isothermal property that is uniformly heated throughout the heating device. The diffusion plate of the conventional micro heating device is formed in a wide plate structure, or is diffused in a different layer from the heating part. A method of forming a plate has been used.

그러나 넓은 판구조의 확산판은 열 손실이 크고 유연성이 떨어지는 단점이 있었으며, 확산판과 가열부가 다른 층에 존재하는 경우 공정이 복잡해지고, 열효율이 떨어지는 단점이 존재하였다.However, the diffuser plate having a wide plate structure has a disadvantage of large heat loss and inferior flexibility, and when the diffuser plate and the heating unit exist in different layers, the process becomes complicated and the thermal efficiency is inferior.

따라서 효율적인 환경센서를 위한 열효율 및 저전력으로 구현 가능한 마이크로 가열 장치 및 그를 이용한 환경 센서가 요구되었다.Therefore, there is a need for a micro heating device capable of realizing low thermal power and an environmental sensor using the same for an efficient environmental sensor.

본 발명은 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a micro heating device, a micro heating device manufacturing method, and an environmental sensor using the same.

또한 본 발명은 공정이 비교적 간단하며, 열효율 및 등온 특성이 우수한 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a micro heating device, a method of manufacturing a micro heating device, and an environmental sensor using the same, which are relatively simple in process and are excellent in thermal efficiency and isothermal characteristics.

상술한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는, 하부 산화 실리콘 박막, 질화 실리콘 박막 및 상부 산화 실리콘 박막이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부에 인가하는 가열부 전극; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판; 및 상기 가열부, 상기 가열부 전극, 상기 확산판의 상단에 형성되는 절연층을 포함하되, 상기 가열부는 상기 확산판을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결되어 상기 가열부로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above objects, a micro heating apparatus according to the present invention, the lower silicon oxide thin film, the silicon nitride thin film and the upper silicon oxide thin film formed by depositing an elastic thin film; A heating part formed on the elastic thin film and generating heat by an applied current; A heating part electrode formed on a pattern of the elastic thin film to apply a current input from the outside to the heating part; A diffusion plate formed on the elastic thin film to collect heat energy generated from the heating unit; And an insulating layer formed on the heating part, the heating part electrode, and an upper end of the diffusion plate, wherein the heating part is formed in a pattern surrounding the diffusion plate, and the diffusion plate is vertically connected to the heating part. Even though a current is applied from the heating unit, the current does not flow.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 가열부, 상기 가열부 전극, 상기 확산판은 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 중 어느 한 물질로 각각 이루어지며, 상기 확산판과 상기 가열부의 결합은 휘트스톤 브리지 형태의 회로 결합 특성을 갖는다. 또한, 상기 확산판은 복수의 동심원을 포함하며, 상기 복수의 동심원들은 이웃하는 동심원과 서로 연결된다. 또한, 상기 확산판은 원형 디스크 형태의 판으로 구성되며, 상기 가열부는 톱니바퀴 형태의 패턴으로 상기 확산판을 감싸고 상기 확산판과 수직으로 연결된다. 또한, 상기 가열부의 패턴 형태는 상기 가열부 자체의 내부 저항을 증가시키는 형태로 변형 가능하다. In a preferred embodiment, the heating unit, the heating electrode, and the diffusion plate are each made of one of polysilicon, tungsten, aluminum, nickel and platinum, and the combination of the diffusion plate and the heating unit is a Wheatstone bridge. Form of circuit coupling characteristics. In addition, the diffusion plate includes a plurality of concentric circles, and the plurality of concentric circles are connected to each other with neighboring concentric circles. In addition, the diffusion plate is composed of a circular disk-shaped plate, the heating portion surrounds the diffusion plate in a gear-shaped pattern and is connected vertically to the diffusion plate. In addition, the pattern of the heating unit may be modified to increase the internal resistance of the heating unit itself.

본 발명에 따른 마이크로 가열 장치 제조 방법은, 실리콘 기판 위에 하부 산화 실리콘 박막, 질화 실리콘 박막 및 상부 산화 실리콘 박막을 차례대로 증착하여 탄성 박막을 형성하는 단계; 상기 탄성 박막의 상단에 전도 재질의 가열부 전극, 상기 가열부 전극으로부터 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부, 상기 가열부에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판을 형성하되, 상기 가열부는 상기 확산판을 감싸는 패턴으로 형성하고, 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결되도록 형성하는 단계; 상기 가열부 전극, 상기 가열부 및 상기 확산판의 상단에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 가열부 전극, 상기 가열부 및 상기 확산판이 미형성된 영역의 하단에 위치한 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Micro-heating apparatus manufacturing method according to the present invention comprises the steps of depositing a lower silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film and an upper silicon oxide thin film on a silicon substrate in order to form an elastic thin film; A heating part electrode of a conductive material, a heating part for generating heat by a current applied from the heating part electrode, and a diffusion plate for collecting thermal energy generated in the heating part are formed on an upper end of the elastic thin film, wherein the heating part is Forming a diffusion plate surrounding the diffusion plate, wherein the diffusion plate is vertically connected to the heating unit; Forming an insulating layer on top of the heating part electrode, the heating part, and the diffusion plate; And etching the silicon substrate positioned at a lower end of the region in which the heating part electrode, the heating part, and the diffusion plate are not formed.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계에서, 기판 하부 공정을 이용하여 상기 가열부 전극, 상기 가열부 및 상기 확산판이 미형성된 영역의 하단에 위치한 상기 실리콘 기판을 식각하거나, 기판 상부 공정을 이용하여 상기 가열부 전극, 상기 가열부 및 상기 확산판이 미형성된 영역의 상단에 위치한 상기 절연층에서부터 그 하단에 위치한 상기 탄성 박막과 상기 실리콘 기판의 소정 두께까지 식각하는 단계를 더 포함한다.In an exemplary embodiment, in the etching of the silicon substrate, the silicon substrate, which is located at the bottom of the region in which the heating part electrode, the heating part and the diffusion plate are not formed, is etched using a substrate lower process, or the substrate upper process. Etching to the predetermined thicknesses of the elastic thin film and the silicon substrate positioned at the lower end of the insulating layer located on the upper end of the region in which the heating part electrode, the heating part and the diffusion plate are not formed.

본 발명에 따른 환경 센서는, 하부 산화 실리콘 박막, 질화 실리콘 박막 및 상부 산화 실리콘 박막이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부에 인가하는 가열부 전극; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판; 상기 가열부, 상기 가열부 전극, 상기 확산판의 상단에 형성되는 절연층; 및 상기 절연층의 상단에 형성되는 환경 센서 전극 및 환경 감지 물질을 포함하되, 상기 가열부는 상기 확산판을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판은 상기 가열부와 수직으로 연결되어 상기 가열부로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 한다.An environmental sensor according to the present invention comprises: an elastic thin film in which a lower silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film and an upper silicon oxide thin film are sequentially deposited; A heating part formed on the elastic thin film and generating heat by an applied current; A heating part electrode formed on a pattern of the elastic thin film to apply a current input from the outside to the heating part; A diffusion plate formed on the elastic thin film to collect heat energy generated from the heating unit; An insulating layer formed on an upper end of the heating part, the heating part electrode, and the diffusion plate; And an environmental sensor electrode and an environmental sensing material formed on an upper end of the insulating layer, wherein the heating part is formed in a pattern surrounding the diffusion plate, and the diffusion plate is connected to the heating part vertically to provide a current from the heating part. Even if is applied, it is characterized in that no current flows.

본 발명은 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공할 수 있다.The present invention can provide a micro heating device, a micro heating device manufacturing method, and an environmental sensor using the same.

또한 본 발명은 공정이 비교적 간단하며, 열효율 및 등온 특성이 우수한 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a micro heating device, a micro heating device manufacturing method, and an environmental sensor using the same, the process is relatively simple, and excellent in thermal efficiency and isothermal characteristics.

도 1은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 단면을 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows the cross section of the 1st Example of the micro heating apparatus applied to this invention.

도 2는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 평면을 나타내는 도면.2 is a view showing a plane of a first embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied;

도 3은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 단면을 나타내는 도면.3 is a cross-sectional view of a second embodiment of a micro heating device applied to the present invention.

도 4는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 평면을 나타내는 도면.4 is a view showing a plane of a second embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied;

도 5는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 예측을 시물레이션한 결과를 나타내는 도면.5 is a diagram showing the results of simulation of prediction of a micro heating device applied to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 환경 센서의 일 실시예를 나타내는 도면.6 shows an embodiment of an environmental sensor according to the invention;

도 7은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치에 있어서 가열부와 확산판에 대한 일 실시예를 나타내는 도면.7 is a view showing an embodiment of a heating unit and a diffusion plate in the micro heating apparatus applied to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

400 : 마이크로 가열 장치 100 : 실리콘 기판400: micro heating device 100: silicon substrate

300 : 하부 산화 실리콘 박막 310 : 질화 실리콘 박막300: lower silicon oxide thin film 310: silicon nitride thin film

320 : 상부 산화 실리콘 박막 210 : 가열부 전극 320: upper silicon oxide thin film 210: heating part electrode

200 : 가열부 250 : 확산판200: heating part 250: diffusion plate

350 : 절연층270 : 센서 전극 600 : 감지 물질350: insulating layer 270: sensor electrode 600: sensing material

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치, 마이크로 가열 장치 제조 방법 및 그를 이용한 환경 센서에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a micro heating apparatus, a micro heating apparatus manufacturing method, and an environmental sensor using the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 단면을 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the cross section of 1st Example of the micro heating apparatus applied to this invention.

도 1을 참조하면 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치(400)는 실리콘 기판(100), 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310), 상부 산화 실리콘 박막(320), 가열부 전극(210), 가열부(200), 확산판(250) 및 절연층(350)으로 구성된다.Referring to FIG. 1, the micro heating device 400 according to the present invention includes a silicon substrate 100, a lower silicon oxide thin film 300, a silicon nitride thin film 310, an upper silicon oxide thin film 320, and a heating part electrode 210. ), A heating unit 200, a diffusion plate 250, and an insulating layer 350.

이러한 마이크로 가열 장치는 반도체 공정을 통하여 형성되는 가열 장치로서 가열부 전극(210)에서 전달되는 전기 신호를 상기 가열부(200)에서 열에너지로 변경하는 역할을 한다. 상기 가열부(200)와 연결된 확산판(250)은 가열부(200)에서 생성된 열을 모아줌으로써 온도 분포를 고르게 하는 역할을 한다. 이러한 마이크로 가열 장치는 소형으로 제작이 가능하여 여러 센서나 다른 가열 장치에 사용된다.The micro heating device is a heating device formed through a semiconductor process and serves to change an electrical signal transmitted from the heating unit electrode 210 into thermal energy in the heating unit 200. The diffusion plate 250 connected to the heating unit 200 collects heat generated by the heating unit 200 and serves to even the temperature distribution. Such micro heating devices can be made compact and are used in various sensors or other heating devices.

실리콘 기판(100)은 본 발명의 마이크로 가열 장치를 형성하기 위한 기판으로 일반적으로 반도체 공정에서 자주 사용되는 실리콘 기판과 동일하다. 다만 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는 박막 형태로 구성되므로, 상기 실리콘 기판의 상단에 마이크로 가열 장치가 모두 형성된 후에는 상기 마이크로 가열 장치가 형성된 부분의 실리콘 기판은 후면에서부터 식각(150)하여 제거한다.The silicon substrate 100 is a substrate for forming the micro heating apparatus of the present invention and is generally the same as the silicon substrate which is often used in a semiconductor process. However, since the micro heating apparatus according to the present invention is configured in a thin film form, after all of the micro heating apparatuses are formed on the upper surface of the silicon substrate, the silicon substrate of the portion where the micro heating apparatus is formed is etched and removed 150 from the rear side.

하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310), 상부 산화 실리콘 박막(320)은 본 발명의 마이크로 가열 장치의 탄성 박막으로 형성된다. 이렇게 탄성 박막을 하나의 층이 아니라 3개의 층으로 구성하는 이유는 마이크로 가열장치에서 발열이 시작되면, 발열에 의하여 휨 현상이 일어나게 되므로, 마이크로 가열 장치의 탄성 박막이 깨지거나 변성될 수 있다. 이러한 변성이나 깨짐을 최소화하기 위하여 압축 응력을 가지는 산화 실리콘 박막과 신장 응력을 가지는 질화 실리콘 박막을 겹쳐서 박막을 형성한다.The lower silicon oxide thin film 300, the silicon nitride thin film 310, and the upper silicon oxide thin film 320 are formed of an elastic thin film of the micro heating apparatus of the present invention. The reason why the elastic thin film is composed of three layers instead of one layer is that when the heating is started in the micro heating apparatus, since the warpage occurs due to the heating, the elastic thin film of the micro heating apparatus may be broken or deformed. In order to minimize such denaturation and cracking, a thin film is formed by overlapping a silicon oxide thin film having a compressive stress and a silicon nitride thin film having an elongated stress.

가열부 전극(210)은 본 발명에 따른 마이크로 히터에 전력을 공급해주는 역할을 담당하는 부분으로, 외부로부터 인가되는 전력을 가열부(200)로 전달시키는 도선이다.The heating part electrode 210 is a part that plays a role of supplying power to the micro heater according to the present invention, and is a conductive wire which transmits electric power applied from the outside to the heating part 200.

가열부(200)는 확산판(250)을 둘러싼 원 형태의 도선으로 가열부 전극(210)에 비해서 작은 저항 값을 갖기 때문에 주울열(Jule's heat)에 의해서 열이 발생한다. 확산판(250)은 가열부(200)와는 회로적으로 휘트스톤 브리지의 평행 상태에 있기 때문에 확산판(250)으로의 전류의 흐름은 없다.Since the heating unit 200 is a circular conductive wire surrounding the diffusion plate 250 and has a smaller resistance value than that of the heating unit electrode 210, heat is generated by Joule's heat. Since the diffusion plate 250 is parallel to the Wheatstone bridge in circuit with the heating unit 200, there is no flow of current to the diffusion plate 250.

확산판(250)은 가열부(200)에서 전달되는 열에너지를 모아주는 역할을 담당하며, 여러 개의 동심원을 겹친 구조로 구성되어있다. 특히 가열부(200)와 결합하는 접합부(C)는 가열부(200)와 수직으로 접합하게 되어, 회로적인 관점에서 휘트스톤 브리지의 평행 상태와 동일하게 구성된다. 따라서 확산판(250)으로 흐르는 전류는 없어지며, 확산판(250)은 전류의 흐름 없이 열만을 모아주는 역할을 하게 된다.The diffusion plate 250 plays a role of collecting the heat energy transferred from the heating unit 200, and is composed of a plurality of concentric circles. In particular, the junction C coupled to the heating unit 200 is vertically bonded to the heating unit 200, and is configured in the same manner as the parallel state of the Wheatstone bridge from a circuit point of view. Therefore, the current flowing to the diffusion plate 250 is lost, the diffusion plate 250 serves to collect only heat without the flow of current.

특히, 상기 가열부(200), 확산판(250) 및 가열부 전극(210)은 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 등으로 구성될 수 있는데 이들은 열 전도도와 전기 전도도가 좋으며 용도에 적합한 물질이면 금속이 아니더라도 크게 관계없다.In particular, the heating part 200, the diffusion plate 250, and the heating part electrode 210 may be made of polysilicon, tungsten, aluminum, nickel, platinum, and the like, which have good thermal conductivity and electrical conductivity and are suitable for use. If it is not metal, it does not matter much.

절연층(350)은 상기 가열부(200), 확산판(250) 및 가열부 전극(210)을 모두 감싸서 외부와 절연하도록 하는 보호막의 역할을 담당한다.The insulating layer 350 serves as a protective film to surround all of the heating part 200, the diffusion plate 250, and the heating part electrode 210 to insulate from the outside.

도 2는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제1 실시예의 평면을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a plane of a first embodiment of a micro heating device to which the present invention is applied.

도 2를 참조하면 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치는 도 1에서 설명된 실리콘 기판을 본 발명의 마이크로 가열 장치(400)를 중심으로 후면에서 원형으로 식각(150)하여 형성됨을 알 수 있다.Referring to FIG. 2, it can be seen that the micro heating apparatus according to the present invention is formed by etching the silicon substrate described with reference to FIG. 1 in a circular shape at the rear of the micro heating apparatus 400 of the present invention.

가열부 전극(210)은 상기 마이크로 가열 장치(400)의 외부로부터 연결되는 도선임을 알 수 있으며, 가열부(200)는 확산판(250)을 외부에서 둘러싸는 원형으로 형성된 도선임을 알 수 있다. 확산판(250)은 복수의 동심원으로 구성되며, 가열부(200)와 접합되는 지점에서 가열부(200)와 수직으로 접합됨을 알 수 있다.It can be seen that the heating unit electrode 210 is a conductive wire connected from the outside of the micro heating device 400, and the heating unit 200 may be a conductive wire formed in a circular shape surrounding the diffusion plate 250 from the outside. The diffusion plate 250 may include a plurality of concentric circles, and may be vertically bonded to the heating unit 200 at the point where the diffusion plate 250 is joined to the heating unit 200.

상기와 같은 구성 형태에 의하여 확산판(250)은 가열부(200)에서 전달되는 열에너지를 모아주는 역할을 하지만 가열부(200)에서 전달되는 전류는 확산판(250)으로는 전혀 전달되지 아니한다.By the configuration described above, the diffusion plate 250 serves to collect the heat energy transferred from the heating unit 200, but the current transmitted from the heating unit 200 is not transmitted to the diffusion plate 250 at all.

도 3은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 단면을 나타내는 도면이며, 도 4는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 제2 실시예의 평면을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a cross section of a second embodiment of a micro heating device applied to the present invention, and FIG. 4 is a view showing a plane of a second embodiment of the micro heating device applied to the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면 본 발명의 제2 실시예에 따른 마이크로 가열 장치(400)는 실리콘 기판(100), 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310), 상부 산화 실리콘 박막(320), 가열부 전극(210), 가열부(200), 확산판(250), 절연층(350) 및 하부 동혈(500)로 구성된다.3 and 4, the micro heating apparatus 400 according to the second embodiment of the present invention may include a silicon substrate 100, a lower silicon oxide thin film 300, a silicon nitride thin film 310, and an upper silicon oxide thin film ( 320, the heating unit electrode 210, the heating unit 200, the diffusion plate 250, the insulating layer 350, and the lower blood vessel 500.

이러한 마이크로 가열 장치는 상기 도1에서 설명한 마이크로 가열 장치와 동일한 역할을 할 수 있다. The micro heating device may play the same role as the micro heating device described with reference to FIG. 1.

실리콘 기판(100)은 본 발명의 마이크로 가열 장치를 형성하기 위한 기판으로 일반적으로 반도체 공정에서 자주 사용되는 실리콘 기판과 동일하다. 다만, 도 4를 참조하면, 본 실시예에서는 후면에서부터 실리콘 기판(100)을 식각하지 않고 전면에서 미세 가공기술을 이용하여 마이크로 가열 장치(400)가 형성된 영역을 제외한 필요 없는 부분을 식각하여 하부 동혈(500)을 형성한다.더 자세히 설명하면, 도 4에서 마이크로 가열 장치(400) 부분을 제외한 영역(상하 2개의 반원 영역)은 가열부 전극(210), 가열부(200) 및 확산판(250)이 미형성된 불필요한 영역으로서, 전면에서 미세 가공기술을 이용하여 이 부분에 형성된 절연층(350), 상부 산화 실리콘 박막(320), 질화 실리콘 박막(310), 하부 산화 실리콘 박막(300) 및 실리콘 기판(100)을 순차적으로 식각하여 하부 동혈(500)을 형성하면, 가열부(200) 및 확산판(250) 주위가 비어있는 형태의 마이크로 가열 장치(400)가 형성된다. The silicon substrate 100 is a substrate for forming the micro heating apparatus of the present invention and is generally the same as the silicon substrate which is often used in a semiconductor process. However, referring to FIG. 4, in the present embodiment, the bottom portion is not etched by etching the unnecessary portion except for the region in which the micro heating device 400 is formed by using a microfabrication technique from the front side without etching the silicon substrate 100 from the rear side. In more detail, in FIG. 4, the regions (two upper and lower semicircular regions) except for the micro heating apparatus 400 in FIG. 4 are the heating electrode 210, the heating 200, and the diffusion plate 250. ) Is an unformed unnecessary region, and the insulating layer 350, the upper silicon oxide thin film 320, the silicon nitride thin film 310, the lower silicon oxide thin film 300 and the silicon formed on this portion by using a microfabrication technique from the front side. When the substrate 100 is sequentially etched to form the lower bleeding blood 500, the micro heating device 400 having a shape around the heating part 200 and the diffusion plate 250 is formed.

삭제delete

삭제delete

삭제delete

이러한 방식으로 마이크로 가열 장치(400)를 제조하는 경우에는 제조 공정상의 이익이 존재할 수 있다. In the case of manufacturing the micro heating device 400 in this manner, there may be a manufacturing process benefit.

도 5는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 예측을 시물레이션한 결과를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram showing the results of simulation of prediction of a micro heating device applied to the present invention. FIG.

도 5a는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 온도 변화 분포를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the temperature change distribution of the micro heating apparatus applied to this invention.

도 5a는 유한 요소 해석 방법을 시용하여 시물레이션하였으며, 인가되는 전력은 25mW를 이용하였고, 확산판은 백금(Pt)을 사용하였다. 이러한 경우 가열부(200)의 최대 온도는 상기 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이 713.01K 로서 예측되었다. 이는 섭씨로는 440도를 나타내므로 마이크로 가열 장치로서의 성능을 충분히 발휘함을 알 수 있다. 또한 본 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이 확산판 전체에 대한 등온 특성도 충분히 만족함을 알 수 있다. 5a simulated using a finite element analysis method, the applied power was used 25mW, the diffusion plate was used platinum (Pt). In this case, the maximum temperature of the heating unit 200 was predicted as 713.01K as can be seen in the figure. This shows 440 degrees Celsius, so it can be seen that the micro heating device exhibits sufficient performance. In addition, as can be seen in this figure, it can be seen that the isothermal characteristic of the entire diffusion plate is also sufficiently satisfied.

도 5b는 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치의 전류 흐름을 나타내는 도면이다.5B is a diagram showing the current flow in the micro heating device applied to the present invention.

본 발명의 확산판은 회로적인 측면에서 휘트스톤 브리지의 역할을 하므로 외부로부터 유입되는 전류는 전혀 흐르지 않음을 선행하는 도면에서 설명하였으며, 그 결과를 시물레이션한 값을 본 도5b에서 나타내고 있다.Since the diffusion plate of the present invention serves as a Wheatstone bridge in terms of circuits, the current flowing from the outside does not flow at all, and it is described in the preceding drawings, and the result of the simulation is shown in FIG. 5B.

본 5b 도면에서 확인할 수 있는 바와 같이, 가열부 전극 및 가열부에 흐르는 전류가 확산판으로는 전혀 흐르지 않음을 확인할 수 있다.As can be seen in the drawing of FIG. 5B, it can be seen that the current flowing through the heating unit electrode and the heating unit does not flow to the diffusion plate at all.

도 6은 본 발명에 따른 환경 센서의 일 실시예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing an embodiment of an environmental sensor according to the present invention.

도 6a는 본 발명의 도 1에서 설명한 제1 실시예에 따른 마이크로 가열 장치의 상단에 가스 센서 전극(270) 및 가스 감지 물질(600)을 추가하여 구성된 가스 감지 장치의 단면을 나타내고 있다. 또한 도 6b는 도 3에서 설명한 제2 실시예에 따른 마이크로 가열 장치의 상단에 가스 센서 전극(270) 및 가스 감지 물질(600)을 추가하여 구성된 가스 감지 장치의 단면을 나타내고 있다.FIG. 6A is a cross-sectional view of a gas sensing device configured by adding a gas sensor electrode 270 and a gas sensing material 600 to an upper end of a micro heating device according to the first embodiment described in FIG. 1 of the present invention. 6B is a cross-sectional view of the gas sensing device configured by adding the gas sensor electrode 270 and the gas sensing material 600 to the top of the micro heating apparatus according to the second embodiment described with reference to FIG. 3.

도 7은 본 발명에 적용되는 마이크로 가열 장치에 있어서 가열부와 확산판에 대한 일 실시예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing an embodiment of the heating unit and the diffusion plate in the micro heating apparatus applied to the present invention.

도 7a는 본 발명의 도 2 및 도 4에서 설명한 제 1실시예와 제 2실시예에 대한 가열부(200) 및 확산판(250)의 도면이다. 가열부(200)은 동심원 구조이며, 확산판(250)은 가열부(200)와는 휘스톤 브리지로 연결된 형태이다. 상기의 확산판(250)은 복수의 동심원이 연결된 형태이다. 가열부(200)에서 발생된 열에너지는 확산판(250)에 의해서 열이 모아지면서 균일한 열 분포가 형성된다.FIG. 7A is a view of the heating unit 200 and the diffusion plate 250 of the first and second embodiments described with reference to FIGS. 2 and 4 of the present invention. The heating unit 200 has a concentric circle structure, and the diffusion plate 250 is connected to the heating unit 200 by a Wheatstone bridge. The diffusion plate 250 has a shape in which a plurality of concentric circles are connected. Heat energy generated by the heating unit 200 is collected by the diffusion plate 250 and a uniform heat distribution is formed.

도 7b는 또 다른 형태의 확산판(250)에 대한 도면이다. 상기의 확산판(250)은 복수의 동심원 구조가 아닌 원형의 디스크 형태이다. 이러한 구조의 확산판(250)을 이용하는 경우에는 확산판에 다른 패턴을 식각할 필요가 없어 제조 공정이 간단해지는 장점이 있다.FIG. 7B is a view of another type of diffuser plate 250. The diffusion plate 250 is in the form of a circular disk rather than a plurality of concentric circles. In the case of using the diffusion plate 250 having such a structure, there is no need to etch another pattern on the diffusion plate, thereby simplifying the manufacturing process.

도 7c는 또 다른 형태의 가열부(200)에 대한 도면이다. 상기의 가열부(200)는 동심원 구조가 아닌 굴곡이 있는 형태이다. 이러한 굴곡이 있는 형태는 동심원 구조 보다 전기적인 저항 성분을 높일 수 있다. 이는 가열부의 형태에 따라 저항 특성이 달라지는 것으로, 굴곡 패턴은 본 도면에서 예시된 형태일 필요는 없으며, 저항 성분이 커지는 형태로 얼마든지 변형하여 구성할 수 있다. 즉 길이가 길어지거나 단면적이 줄어드는 형태로 저항 성분을 크게 만들 수 있다.FIG. 7C is a view illustrating another type of heating unit 200. The heating unit 200 is a curved shape rather than a concentric structure. Such a curved shape can increase the electrical resistance of the concentric structure. The resistance characteristics vary depending on the shape of the heating part, and the bending pattern does not need to be the shape illustrated in this drawing, and may be configured by any number of deformations in the form of increasing the resistance component. In other words, the resistance component can be made large in the form of longer length or reduced cross-sectional area.

이렇게 본 발명에 따른 마이크로 가열 장치를 이용하여 가스 감지 장치를 구성하는 경우 기존의 마이크로 가열 장치를 이용하는 것 보다 열 손실이 적고, 탄성 박막에 산화 실리콘 박막 및 질화 실리콘 박막을 이용하여 열에 의한 변성 및 기계적인 변성에도 현저히 강할 수 있다.As such, when the gas sensing device is configured using the micro heating device according to the present invention, heat loss is less than that of the conventional micro heating device. It can be remarkably strong even in degeneration.

상기의 도면에서 설명한 가스 감지 장치뿐만 아니라 마이크로 가열 장치가 적용되는 환경 센서의 많은 부분에서 본 발명의 마이크로 가열 장치를 적용할 경우 좀더 효율적인 환경 센서를 구성할 수 있음은 물론이다.In addition to the gas detection device described in the above drawings, when the micro heating device of the present invention is applied to many parts of the environmental sensor to which the micro heating device is applied, a more efficient environmental sensor can be configured.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다. The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.

Claims (12)

하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310) 및 상부 산화 실리콘 박막(320)이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막;An elastic thin film in which the lower silicon oxide thin film 300, the silicon nitride thin film 310, and the upper silicon oxide thin film 320 are sequentially deposited; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부(200);A heating part 200 formed on the elastic thin film and generating heat by an applied current; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부(200)에 인가하는 가열부 전극(210);A heating part electrode 210 having a pattern formed on the elastic thin film to apply a current input from the outside to the heating part 200; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부(200)에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판(250); 및A diffusion plate 250 having a pattern formed on the elastic thin film to collect thermal energy generated from the heating part 200; And 상기 가열부(200), 상기 가열부 전극(210), 상기 확산판(250)의 상단에 형성되는 절연층(350)을 포함하되, Including the insulating layer 350 formed on the heating unit 200, the heating unit electrode 210, the upper end of the diffusion plate 250, 상기 가열부(200)는 상기 확산판(250)을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판(250)은 상기 가열부(200)와 수직으로 연결되어 상기 가열부(200)로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치.The heating part 200 is formed in a pattern surrounding the diffusion plate 250, and the diffusion plate 250 is vertically connected to the heating part 200 so that a current may be applied from the heating part 200. Micro heating device, characterized in that does not flow. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가열부(200), 상기 가열부 전극(210), 상기 확산판(250)은 폴리 실리콘, 텅스텐, 알루미늄, 니켈 및 백금 중 어느 한 물질로 각각 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치.The heating unit (200), the heating unit electrode (210), the diffusion plate 250 is a micro heating device, characterized in that each made of any one material of polysilicon, tungsten, aluminum, nickel and platinum. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 확산판(250)과 상기 가열부(200)의 결합은 휘트스톤 브리지 형태의 회로 결합 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치.The coupling of the diffusion plate 250 and the heating unit 200 has a circuit coupling characteristic of Wheatstone bridge type. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 확산판(250)은 복수의 동심원을 포함하며, 상기 복수의 동심원들은 이웃하는 동심원들과 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치.The diffusion plate 250 includes a plurality of concentric circles, wherein the plurality of concentric circles are connected to each other with neighboring concentric circles. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 확산판(250)은 원형 디스크 형태의 판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치.The diffusion plate 250 is a micro heating device, characterized in that consisting of a circular disk-shaped plate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 가열부(200)는 톱니바퀴 형태의 패턴으로 상기 확산판(250)을 감싸고, 상기 확산판(250)과 수직으로 연결되는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치.The heating unit 200 surrounds the diffuser plate 250 in a cogwheel-shaped pattern and is connected to the diffuser plate 250 vertically. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 가열부(200)의 패턴 형태는 상기 가열부(200) 자체의 내부 저항을 증가시키는 형태로 변형 가능한 것을 특징으로 하는 마이크로 가열장치.The pattern of the heating unit 200 is a micro heating device, characterized in that the deformation in the form of increasing the internal resistance of the heating unit 200 itself. 실리콘 기판(100) 위에 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310) 및 상부 산화 실리콘 박막(320)을 차례대로 증착하여 탄성 박막을 형성하는 단계;Depositing a lower silicon oxide thin film 300, a silicon nitride thin film 310, and an upper silicon oxide thin film 320 on the silicon substrate 100 in order to form an elastic thin film; 상기 탄성 박막의 상단에 전도 재질의 가열부 전극(210), 상기 가열부 전극(210)으로부터 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부(200), 상기 가열부(200)에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판(250)을 형성하되, 상기 가열부(200)는 상기 확산판(250)을 감싸는 패턴으로 형성하고, 상기 확산판(250)은 상기 가열부(200)와 수직으로 연결되도록 형성하는 단계;The heating unit electrode 210 of the conductive material, the heating unit 200 for generating heat by the current applied from the heating unit electrode 210, the heat energy generated in the heating unit 200 on the upper end of the elastic thin film A diffuser plate 250 is formed to collect, wherein the heating part 200 is formed in a pattern surrounding the diffusion plate 250, and the diffusion plate 250 is formed to be vertically connected to the heating part 200. Making; 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)의 상단에 절연층(350)을 형성하는 단계; 및Forming an insulating layer (350) on top of the heating part electrode (210), the heating part (200) and the diffusion plate (250); And 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)이 미형성된 영역의 하단에 위치한 상기 실리콘 기판(100)을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치 제조 방법.And etching the silicon substrate 100 positioned at the lower end of the region in which the heating part electrode 210, the heating part 200, and the diffusion plate 250 are not formed. Way. 제10항에 있어서, 상기 실리콘 기판(100)을 식각하는 단계에서, The method of claim 10, wherein in the etching of the silicon substrate 100, 기판 하부 공정을 이용하여 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)이 미형성된 영역의 하단에 위치한 상기 실리콘 기판(100)을 식각하거나, 기판 상부 공정을 이용하여 상기 가열부 전극(210), 상기 가열부(200) 및 상기 확산판(250)이 미형성된 영역의 상단에 위치한 상기 절연층(350)에서부터 그 하단에 위치한 상기 탄성 박막과 상기 실리콘 기판(100)의 소정 두께까지 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가열 장치 제조 방법.Etching the silicon substrate 100 positioned at the lower end of the region in which the heating part electrode 210, the heating part 200, and the diffusion plate 250 are not formed by using a lower substrate process, or using an upper substrate process Thus, the elastic thin film and the silicon substrate 100 positioned at the bottom thereof from the insulating layer 350 positioned at the top of the region in which the heating part electrode 210, the heating part 200, and the diffusion plate 250 are not formed. And etching the substrate to a predetermined thickness. 하부 산화 실리콘 박막(300), 질화 실리콘 박막(310) 및 상부 산화 실리콘 박막(320)이 차례대로 증착 형성된 탄성 박막;An elastic thin film in which the lower silicon oxide thin film 300, the silicon nitride thin film 310, and the upper silicon oxide thin film 320 are sequentially deposited; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 인가된 전류에 의해 열을 발생시키는 가열부(200);A heating part 200 formed on the elastic thin film and generating heat by an applied current; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 외부로부터 입력된 전류를 상기 가열부(200)에 인가하는 가열부 전극(210);A heating part electrode 210 having a pattern formed on the elastic thin film to apply a current input from the outside to the heating part 200; 상기 탄성 박막의 상부에 패턴 형성되어 상기 가열부(200)에서 발생된 열에너지를 모아주는 확산판(250);A diffusion plate 250 having a pattern formed on the elastic thin film to collect thermal energy generated from the heating part 200; 상기 가열부(200), 상기 가열부 전극(210), 상기 확산판(250)의 상단에 형성되는 절연층(350); 및An insulation layer 350 formed on an upper end of the heating part 200, the heating part electrode 210, and the diffusion plate 250; And 상기 절연층(350)의 상단에 형성되는 환경 센서 전극(270) 및 환경 감지 물질(600)을 포함하되, Including an environmental sensor electrode 270 and an environmental sensing material 600 formed on the top of the insulating layer 350, 상기 가열부(200)는 상기 확산판(250)을 감싸는 패턴으로 형성되며, 상기 확산판(250)은 상기 가열부(200)와 수직으로 연결되어 상기 가열부(200)로부터 전류가 인가되더라도 전류가 흐르지 않는 것을 특징으로 하는 환경 센서.The heating part 200 is formed in a pattern surrounding the diffusion plate 250, and the diffusion plate 250 is vertically connected to the heating part 200 so that a current may be applied from the heating part 200. Environmental sensor, characterized in that does not flow.
KR1020070126836A 2007-12-07 2007-12-07 Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof KR100914938B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070126836A KR100914938B1 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070126836A KR100914938B1 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090059792A KR20090059792A (en) 2009-06-11
KR100914938B1 true KR100914938B1 (en) 2009-08-31

Family

ID=40989845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070126836A KR100914938B1 (en) 2007-12-07 2007-12-07 Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100914938B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101135400B1 (en) * 2010-03-19 2012-04-17 전자부품연구원 Micro gas sensor array
KR101993782B1 (en) 2012-12-24 2019-07-02 한국전자통신연구원 dual side micro gas sensor and manufacturing method of the same
CN113543385B (en) * 2021-06-21 2024-02-02 浙江福烯农业科技有限公司 Pressure-sensitive graphene electrothermal film

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950027392A (en) * 1994-03-15 1995-10-16 이헌조 Thin film type gas sensor and its manufacturing method
KR0178155B1 (en) * 1995-12-27 1999-05-15 정몽원 Method for manufacturing micro-heating unit of gas sensor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950027392A (en) * 1994-03-15 1995-10-16 이헌조 Thin film type gas sensor and its manufacturing method
KR0178155B1 (en) * 1995-12-27 1999-05-15 정몽원 Method for manufacturing micro-heating unit of gas sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090059792A (en) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4814429B2 (en) Device for detecting temperature on integrated circuit manufacturing tool substrate
US20100170888A1 (en) Micro heater, method of fabricating the same and environment sensor using the same
JP4896963B2 (en) Wafer-shaped measuring apparatus and manufacturing method thereof
JP2017525122A (en) Planar heating element having PTC resistance structure
CN103403862A (en) Power semiconductor module and method for producing a sintered power semiconductor module having a temperature sensor
CN107381495B (en) MEMS micro-hotplate and manufacturing method thereof
JP4422548B2 (en) Thermoelectric conversion device
KR100914938B1 (en) Micro Heater, micro heater manufacturing method and environment sensor using thereof
Velmathi et al. Design, electro-thermal simulation and geometrical optimization of double spiral shaped microheater on a suspended membrane for gas sensing
Solzbacher et al. A modular system of SiC-based microhotplates for the application in metal oxide gas sensors
JP5092873B2 (en) Surface temperature sensor
CN101294854B (en) Chip type heater element
US9360382B2 (en) Device for measuring a heat flux
JP5406082B2 (en) Thermopile infrared sensor and method for manufacturing the same
JP4275399B2 (en) Thermoelectric conversion device, thermoelectric conversion device unit, and method of manufacturing thermoelectric conversion device
KR101746560B1 (en) Multi-layered resistive-thermocouple type temperature measuring wafer sensor and method for fabricating the same
JP2008130594A (en) Thermoelectric conversion device and manufacturing method thereof
Glatz et al. Flexible micro thermoelectric generator
KR102219542B1 (en) Contact combustion type gas sensor and method for manufacturing the same
JP2004207391A (en) Thermoelectric transfer device and its manufacturing method
JP2010091471A (en) Soot detecting sensor
JP6951225B2 (en) Humidity sensor
JP2016118554A (en) Differential temperature sensor
TW202043136A (en) Mems sensor and method for operating a mems sensor
KR101738632B1 (en) Micro hot plate having a heat sink structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120730

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee