KR20090057489A - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 이미지 센서는, 단위화소를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치되고 금속배선을 포함하는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 배치된 제1 컬러필터, 제2 컬러필터 및 제3 컬러필터를 포함하는 컬러필터 어레이; 상기 제1 컬러필터에 대응하도록 상기 컬러필터 어레이 상에 배치되고 제1 마이크로렌즈를 포함하는 제1 평탄화층; 상기 제2 컬러필터에 대응하도록 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고 제2 마이크로렌즈를 포함하는 제2 평탄화층; 및 상기 제3 컬러필터에 대응하도록 상기 제2 평탄화층 상에 배치되는 제3 마이크로렌즈를 포함한다.
이미지 센서, 컬러필터, 마이크로렌즈

Description

이미지 센서 및 그 제조방법{Image Sensor and Method For Manufacturing Thereof}
실시예에서는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다.
이미지 센서는 광학적 영상(Optical Image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(charge coupled device:CCD) 이미지 센서와 씨모스(Complementary Metal Oxide Silicon:CMOS) 이미지 센서(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
씨모스 이미지 센서에서 디자인 룰이 점차 감소됨에 따라 단위 픽셀의 사이즈가 감소하여 포토다이오드의 광감도가 감소될 수 있다. 이러한, 이미지 센서의 광감도를 높여주기 위하여 컬러필터 상에 마이크로렌즈가 형성된다. 마이크로렌즈는 감광성 유기물 물질을 노광(expose), 현상(development), 리플로우(reflow)의 순서로 진행하여 반구형의 모양을 최종 형성시킨다.
상기 마이크로렌즈는 인접하는 마이크로렌즈 사이에 갭이 발생되어 상기 갭 사이로 집광되지 않은 빛이 통과하여 크로스 토크가 발생될 수 있다.
물론 상기 마이크로렌즈의 리플로우 과정에서 상기 간극을 줄일 수 있지만, 과도한 리플로우는 렌즈와 렌즈가 서로 붙게 되어 브리지가 발생하는 문제점이 있고, 이로 인해 노이즈 등의 문제가 발생한다.
실시예에서는 마이크로렌즈의 집광율을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 단위화소를 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 배치되고 금속배선을 포함하는 층간 절연막; 상기 층간 절연막 상에 배치된 제1 컬러필터, 제2 컬러필터 및 제3 컬러필터를 포함하는 컬러필터 어레이; 상기 제1 컬러필터에 대응하도록 상기 컬러필터 어레이 상에 배치되고 제1 마이크로렌즈를 포함하는 제1 평탄화층; 상기 제2 컬러필터에 대응하도록 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고 제2 마이크로렌즈를 포함하는 제2 평탄화층; 및 상기 제3 컬러필터에 대응하도록 상기 제2 평탄화층 상에 배치되는 제3 마이크로렌즈를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 단위화소를 포함하는 반도체 기판 상에 금속배선을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막 상에 제1 컬러필터, 제2 컬러필터 및 제3 컬러필터를 포함하는 컬러필터 어레이를 형성하는 단계; 상기 제1 컬러필터에 대응하도록 상기 컬러필터 어레이 상에 제1 마이크로렌즈를 포함하는 제1 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 제2 컬러필터에 대응하도록 상기 제1 평탄화층 상에 제2 마이크로렌즈를 포함하는 제2 평탄화층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 컬러필터에 대응하도록 상기 제2 평탄화층 상에 제3 마이크 로렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 마이크로 렌즈의 형태가 완전한 구면형태로 형성되어 필팩터를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 마이크로 렌즈가 각각 다른 층에 형성되므로 갭 리스 형태의 마이크로렌즈가 반구형되어 이미지 센서의 광감도를 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 10은 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 10을 참조하여 실시예에 따른 이미지 센서는 단위화소(20)를 포함하는 반도체 기판(10)과, 상기 반도체 기판(10) 상에 배치되고 금속배선(40)을 포함하는 층간 절연막(30)과, 상기 층간 절연막(30) 상에 배치된 제1 컬러필터(51), 제2 컬러필터(52) 및 제3 컬러필터(53)를 포함하는 컬러필터 어레이(50)와, 상기 제1 컬 러필터(51)에 대응하도록 상기 컬러필터 어레이(50) 상에 배치되는 제1 마이크로렌즈(120)를 포함하는 제1 평탄화층(130)과, 상기 제2 컬러필터(52)에 대응하도록 상기 제1 평탄화층(130) 상에 배치되는 제2 마이크로렌즈(220)를 포함하는 제2 평탄화층(230)과, 상기 제3 컬러필터(53)에 대응하도록 상기 제2 평탄화층(230) 상에 배치되는 제3 마이크로렌즈(320)를 포함한다.
상기 컬러필터 어레이(50)의 제1 컬러필터(51)는 레드 컬러필터이고, 제2 컬러필터(52)는 그린 컬러필터이고, 제3 컬러필터(53)는 블루 컬러필터 일 수 있다.
상기 제1 마이크로렌즈(120)는 상기 컬러필터 어레이(50) 상에 배치되고, 상기 제2 마이크로렌즈(220)는 제1 평탄화층(130) 상에 배치되고, 상기 제3 마이크로렌즈(320)는 제2 평탄화층(230) 상에 배치된다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 마이크로렌즈(120,220,320)는 평탄화된 표면상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 또는 제2 마이크로렌즈(120,220)는 상기 제1 또는 제2 평탄화층(130,230)에 의하여 그 표면이 보호될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 또는 제2 평탄화층(130,230)은 감광물질, 산화막 및 질화막 중 어느하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 마이크로렌즈(120,220,320)는 해당하는 컬러필터의 너비보다 약간 큰 너비를 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 마이크로렌즈(120,220,320) 사이에는 갭이 제거되어 크로스 토크 및 노이즈가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 마이크로렌즈(120,220,320)는 가로, 세로 및 대각선이 동일한 곡률반경을 가지도록 형성된다. 즉, 상기 제1 내지 제3 마이크로렌 즈(120,220,320)는 그 외주면은 원형으로 형성되고 그 상부는 반구형으로 형성되어 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 마이크로렌즈(120,220,320)는 가로, 세로 및 대각선의 곡률반경이 동일하게 형성되어 이미지 센서의 광감도를 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서는 마이크로 렌즈가 완전한 구형으로 형성되어 마이크로 렌즈의 집광율을 향상시킬 있다.
또한, 상기 마이크로 렌즈가 각각 다른 층에 형성되어 있으므로 상기 마이크로 렌즈 사이의 갭이 제거되어 입사광의 크로스 토크 및 노이즈를 방지할 수 있다.
도 1 내지 도 10을 참조하여 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명한다.
도 1을 참조하여, 단위화소(20)를 포함하는 반도체 기판(10) 상에 컬러필터 어레이(50)가 형성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 반도체 기판(10) 상에는 액티브 영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막이 형성되어 있다. 그리고, 상기 액티브 영역에 형성된 단위화소(20)는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드 및 상기 포토다이오드에 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회로를 포함한다.
상기 단위화소(20)를 포함하는 관련 소자들이 형성된 이후 금속배선(40) 및 층간 절연막(30)이 상기 반도체 기판(10) 상에 형성된다.
상기 층간 절연막(30)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 층간 절연막(30)은 질화막 또는 산화막으로 형성될 수 있다.
상기 금속배선(40)은 상기 층간 절연막(30)을 관통하여 복수의 개로 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막의 각 층마다 형성된 금속배선은 상호 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 금속배선(40)은 포토다이오드로 입사되는 빛을 가리지 않도록 의도적으로 레이아웃되어 형성된다.
상기 층간 절연막(30)은 패시베이션층을 포함할 수 있다. 상기 패시베이션층은 습기나 스크래치 등으로부터 소자를 보호하기 위한 것으로 절연막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 패시베이션층은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산질화막 중의 어느 하나로 형성될 수도 있으며 또는 하나 이상의 층이 적층된 구조일 수도 있다.
한편, 상기 패시베이션층의 형성을 생략하고 상기 층간 절연막(30) 상에 후속공정으로 컬러필터 어레이(50)가 형성될 수 있다. 이는 이미지 센서의 전체적인 높이에 영향을 주게되어 보다 박형의 이미지 센서를 제공할 수도 있으며, 또한 공정 단계의 감소에 따른 비용 절감의 효과를 제공할 수 있다.
상기 층간 절연막(30)을 포함하는 반도체 기판(10) 상에 컬러필터 어레이(50)가 형성된다. 상기 컬러필터 어레이(50)는 염색된 포토레지스트를 사용하며 각각의 단위화소(20)마다 하나의 컬러필터가 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낸다.
이러한 컬러필터 어레이(50)는 각각 다른 색상을 나타내는 것으로 제1 컬러필터(51), 제2 컬러필터(52) 및 제3 컬러필터(53)를 포함한다. 예를 들어, 상기 제1 컬러필터(51)는 레드(Red) 컬러필터이고, 상기 제2 컬러필터(52)는 그린(Green) 컬러필터이며, 상기 제3 컬러필터(53)는 블루(Blue) 컬러필터로 형성될 수 있다.
상기 컬러필터 어레이(50) 상에 제1 렌즈층(100)이 형성된다. 상기 제1 렌즈층(100)은 상기 컬러필터 어레이(50) 상에 마이크로렌즈 형성용 포토레지스트를 스핀공정을 통해 도포하여 형성될 수 있다.
도 2 및 도 3를 참조하여, 상기 제1 컬러필터(51)에 대응하는 상기 컬러필터 어레이(50) 상에 제1 시드 패턴(110)이 형성된다. 상기 제1 시드 패턴(110)은 제1 노광 마스크(150)에 의하여 상기 제1 렌즈층(100)을 노광 및 현상하여 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 시드 패턴(110) 형성시 사용되는 제1 노광 마스크(150)는 원형으로 형성된 마스크일 수 있다. 따라서, 상기 제1 시드 패턴(110)은 어느 위치에서나 반지름의 길이가 동일한 원형으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 시드 패턴(110)은 상기 제1 컬러필터(51)의 너비와 동일하거나 또는 넓은 너비를 가질 수 있다. 상기 제1 시드 패턴(110) 상기 제1 컬러필터(51)보다 넓으면 상기 제1 시드 패턴(110)은 상기 제1 컬러필터(51)와 이웃하는 상기 제2 컬러필터(52) 상부 영역까지 침범하여 형성될 수 있다.
도 4를 참조하여, 상기 제1 컬러필터(51)에 대응하는 상기 컬러필터 어레이(50) 상에 제1 마이크로렌즈(120)가 형성된다. 상기 제1 마이크로렌즈(120)는 상기 제1 시드 패턴(110)에 대한 리플로우 공정을 실시하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 제1 시드 패턴(110)에 대한 리플로우 공정을 진행하면 표면이 볼록한 형상을 갖는 반구형의 제1 마이크로렌즈(120)가 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 시드 패턴(110)이 원형으로 형성되어 있으므로 상기 제1 마이크로렌즈(120)는 가로, 세로 및 대각선에서 동일한 곡률반경을 가질 수 있다. 따라서, 상기 제1 마이크로렌 즈(120)는 볼록한 반원형의 형태를 가지게 되어 포토다이오드의 집광율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 마이크로 렌즈(130)는 상기 제1 컬러필터(51)의 표면이 노출되지 않도록 형성되어 입사광의 크로스 토크를 방지할 수 있다.
도 5를 참조하여, 상기 제1 마이크로렌즈(120)를 포함하는 상기 컬러필터 어레이(50) 상에 제1 평탄화층(130)이 형성된다. 상기 제1 평탄화층(130)은 상기 제1 마이크로렌즈(120)의 상부를 평탄화시켜 후속공정을 진행하기 위한 것이다. 후속공정으로 형성될 제2 마이크로렌즈(220)는 평탄화된 표면에 형성되어야 한다. 따라서, 상기 제1 마이크로렌즈(120)로 인한 단차를 없애야 하므로 상기 제1 마이크로렌즈(120) 상에 제1 평탄화층(130)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 평탄화층(130)은 포토레지스트로 형성될 수 있다. 또는 상기 제1 평탄화층(130)은 산화막 또는 절연막으로 형성될 수 있다. 상기 제1 평탄화층(130)은 상기 제1 마이크로렌즈(120)를 모두 덮도록 형성되어 상기 제1 마이크로렌즈(120)의 표면을 보호할 수 있다.
상기 제1 평탄화층(130) 상에 제2 렌즈층(200)이 형성된다. 상기 제2 렌즈층(200)은 상기 제1 평탄화층(130) 상에 마이크로렌즈 형성용 포토레지스트를 스핀공정을 통해 도포하여 형성될 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 제2 컬러필터(52)에 대응하는 상기 제1 평탄화층(130) 상에 제2 시드 패턴(210)이 형성된다. 상기 제2 시드 패턴(210)은 제2 노광 마스크(250)에 의하여 상기 제2 렌즈층(200)을 노광 및 현상하여 형성될 수 있다. 특히, 상기 제2 시드 패턴(210) 형성시 사용되는 제2 노광 마스크(250)는 원형 으로 형성된 마스크일 수 있다. 따라서, 상기 제2 시드 패턴(210)은 어느 위치에서나 반지름의 길이가 동일한 원형으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 시드 패턴(210)은 상기 제2 컬러필터(52)의 너비와 동일하거나 또는 넓은 너비를 가질 수 있다. 상기 제2 시드 패턴(210)이 상기 제2 컬러필터(52)보다 넓으면 상기 제2 시드 패턴(210)은 상기 제2 컬러필터(52)와 이웃하는 상기 제1 또는 제3 컬러필터(51,53) 상부 영역까지 침범하여 형성될 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 제2 컬러필터(52)에 대응하는 상기 제1 평탄화층(130) 상에 제2 마이크로렌즈(220)가 형성된다. 상기 제2 마이크로렌즈(220)는 상기 제2 시드 패턴(210)에 대한 리플로우 공정을 실시하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 시드 패턴(210)에 대한 리플로우 공정을 진행하면 표면이 볼록한 형상을 갖는 반구형의 제2 마이크로렌즈(220)가 형성될 수 있다. 특히, 상기 제2 시드 패턴(210)이 원형으로 형성되어 있으므로 상기 제2 마이크로렌즈(220)는 가로, 세로 및 대각선에서 동일한 곡률반경을 가질 수 있다. 따라서, 상기 제2 마이크로렌즈(220)는 볼록한 반원형의 형태를 가지게 되어 포토다이오드의 집광율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 마이크로 렌즈(230)는 상기 제2 컬러필터(52)에 해당하는 상기 제1 평탄화층(130)의 표면이 노출되지 않도록 형성되어 입사광의 크로스 토크를 방지할 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 제2 마이크로렌즈(220)를 포함하는 제1 평탄화층(130) 상에 제2 평탄화층(230)이 형성된다. 상기 제2 평탄화층(230)은 상기 제2 마이크로렌즈(220)의 상부를 평탄화시켜 후속공정을 진행하기 위한 것이다. 후속공 정으로 형성될 제3 마이크로렌즈는 평탄화된 표면에 형성되어야 한다. 따라서, 상기 제2 마이크로렌즈(220)로 인한 단차를 없애야 하므로 상기 제2 마이크로렌즈(220) 상에 제2 평탄화층(230)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제2 평탄화층(230)은 포토레지스트로 형성될 수 있다. 또는 상기 제2 평탄화층(230)은 산화막 또는 절연막으로 형성될 수 있다. 상기 제2 평탄화층(230)은 상기 제2 마이크로렌즈(220)를 모두 덮도록 형성되어 상기 제2 마이크로렌즈(220)의 표면을 보호할 수 있다.
상기 제2 평탄화층(230) 상에 제3 렌즈층(300)이 형성된다. 상기 제3 렌즈층(300)은 상기 제2 평탄화층(230) 상에 마이크로렌즈 형성용 포토레지스트를 스핀공정을 통해 도포하여 형성될 수 있다.
도 9을 참조하여, 상기 제3 컬러필터(53)에 대응하는 상기 제2 평탄화층(230) 상에 제3 시드 패턴(310)이 형성된다. 상기 제3 시드 패턴(310)은 제3 노광 마스크(350)에 의하여 상기 제3 렌즈층(300)을 노광 및 현상하여 형성될 수 있다. 특히, 상기 제3 시드 패턴(310) 형성시 사용되는 제3 노광 마스크(350)는 원형으로 형성된 마스크일 수 있다. 따라서, 상기 제3 시드 패턴(310)은 어느 위치에서나 반지름의 길이가 동일한 원형으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 제3 시드 패턴(310)은 상기 제3 컬러필터(53)의 너비보다 넓은 너비를 가질 수 있다. 즉 상기 제3 시드 패턴(310)은 상기 제3 컬러필터(53)와 이웃하는 상기 제2 컬러필터(52) 상부 영역까지 침범하여 형성될 수 있다.
도 10을 참조하여, 상기 제3 컬러필터(53)에 대응하는 상기 제2 평탄화 층(230) 상에 제3 마이크로렌즈(320)가 형성된다. 상기 제3 마이크로렌즈(320)는 상기 제3 시드 패턴(310)에 대한 리플로우 공정을 실시하여 형성될 수 있다. 즉, 상기 제3 시드 패턴(310)에 대한 리플로우 공정을 진행하면 표면이 볼록한 형상을 갖는 반구형의 제3 마이크로렌즈(320)가 형성될 수 있다. 특히, 상기 제3 시드 패턴(310)이 원형으로 형성되어 있으므로 상기 제3 마이크로렌즈(320)는 가로, 세로 및 대각선에서 동일한 곡률반경을 가질 수 있다. 따라서, 상기 제3 마이크로렌즈(320)는 볼록한 반원형의 형태를 가지게 되어 포토다이오드의 집광율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제3 마이크로 렌즈(330)는 상기 제2 컬러필터(53)에 해당하는 상기 제2 평탄화층(230)의 표면이 노출되지 않도록 형성되어 입사광의 크로스 토크를 방지할 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법에 의하면, 제1 내지 제3 컬러필터에 대응하는 제1 내지 제3 마이크로 렌즈가 반구형태로 형성되어 이미지 센서의 필 팩터를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제3 마이크로 렌즈가 각각 다른 층에 형성되어 있으므로 상기 제1 내지 제3 마이크로 렌즈가 해당하는 컬러필터를 모두 덮도록 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1 내지 제3 마이크로 렌즈 사이에 갭이 제거되어 크로스 토크 및 노이즈의 발생을 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변 형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1 내지 도 10은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.

Claims (7)

  1. 단위화소를 포함하는 반도체 기판;
    상기 반도체 기판 상에 배치되고 금속배선을 포함하는 층간 절연막;
    상기 층간 절연막 상에 배치된 제1 컬러필터, 제2 컬러필터 및 제3 컬러필터를 포함하는 컬러필터 어레이;
    상기 제1 컬러필터에 대응하도록 상기 컬러필터 어레이 상에 배치되고 제1 마이크로렌즈를 포함하는 제1 평탄화층;
    상기 제2 컬러필터에 대응하도록 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고 제2 마이크로렌즈를 포함하는 제2 평탄화층; 및
    상기 제3 컬러필터에 대응하도록 상기 제2 평탄화층 상에 배치되는 제3 마이크로렌즈를 포함하는 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마이크로렌즈, 제2 마이크로렌즈 및 제3 마이크로렌즈의 곡률반경은 가로, 세로 및 대각선이 동일하게 형성된 이미지 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 마이크로렌즈, 제2 마이크로렌즈 및 제3 마이크로렌즈는 해당하는 컬러필터의 너비보다 큰 너비를 가지는 이미지 센서.
  4. 단위화소를 포함하는 반도체 기판 상에 금속배선을 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계;
    상기 층간 절연막 상에 제1 컬러필터, 제2 컬러필터 및 제3 컬러필터를 포함하는 컬러필터 어레이를 형성하는 단계;
    상기 제1 컬러필터에 대응하도록 상기 컬러필터 어레이 상에 제1 마이크로렌즈를 포함하는 제1 평탄화층을 형성하는 단계;
    상기 제2 컬러필터에 대응하도록 상기 제1 평탄화층 상에 제2 마이크로렌즈를 포함하는 제2 평탄화층을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 컬러필터에 대응하도록 상기 제2 평탄화층 상에 제3 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 또는 제2 평탄화층을 형성하는 단계는,
    상기 컬러필터 어레이 상에 해당하는 컬러필터에 대응하도록 렌즈 패턴을 형성하는 단계;
    상기 렌즈 패턴을 리플로우하여 렌즈를 형성하는 단계; 및
    상기 렌즈를 포함하는 컬러필터 어레이 상에 평탄화층을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 렌즈 패턴들은 원형 마스크에 의해 원형으로 형성되는 이미지 센서의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 마이크로렌즈, 제2 마이크로렌즈 및 제3 마이크로렌즈의 곡률반경은 가로, 세로 및 대각선이 동일하게 형성되는 이미지 센서의 제조방법.
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