KR20110079336A - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20110079336A
KR20110079336A KR1020090136354A KR20090136354A KR20110079336A KR 20110079336 A KR20110079336 A KR 20110079336A KR 1020090136354 A KR1020090136354 A KR 1020090136354A KR 20090136354 A KR20090136354 A KR 20090136354A KR 20110079336 A KR20110079336 A KR 20110079336A
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오영선
이덕형
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주식회사 동부하이텍
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Abstract

실시예에 따른 이미지 센서는, 픽셀 영역이 정의되고, 포토다이오드를 포함하는 단위화소들이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 금속배선층; 상기 단위화소들에 각각 대응하도록 상기 금속배선층 상에 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터에 각각 대응하도록 형성되고, 상기 픽셀 영역의 센터영역에서 에지 영역으로 갈수록 큰 곡률을 가지는 마이크로 렌즈를 포함한다.
이미지 센서, 마이크로렌즈

Description

이미지 센서 및 그 제조방법{IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
실시예는 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지센서(Image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device: CCD) 이미지센서와 씨모스 이미지센서(complementary metal oxide silicon image seosor: CIS)로 구분된다.
씨모드 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시키는 스위칭 방식으로 각 단위화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
이러한 포토다이오드는 입사광의 광전 변화 과정을 통해 빛 신호를 전기로 바꿀 수 있다. 특히, 포토다이오드 상측에 위치한 마이크로 렌즈를 통해 빛을 해당픽셀로 집광시킬 수 있다
이러한 마이크로 렌즈는 감광성 유기물 물질을 노광 및 현상하고, 리플로우(reflow)시 열 및 빛을 통해 원하는 만큼 리플로우시켜 반구형의 모양을 최종 형 성시킨다.
상기와 같이 형성된 마이크로 렌즈에 의해 빛이 통과할 때 굴절률의 차이로 굴절되고, 이를 통해 입사되는 빛을 해당 포토다이오드로 모아 줄수 있다. 이에 따라, 유효 필팩터(fill factor)를 늘려주는 효과가 있고, 빛의 경로에 의한 크로스 토크를 개선하는 역할도 한다.
최근 기술개발과 더불어 이미지 센서는 고집적화되고 있는 추세이다.
따라서 제한된 면적에 수백만개의 단위화소를 집적해야하고, 이로 인하여 최외각의 픽셀에 대해서는 모듈 렌즈에서 경사각이 커지고 있다.
이로 인하여 이미지의 외곽에서는 충분한 양의 빛이 입사되지 못하기 때문에 이미지가 어둡게 나타나는 비네팅(vignetting), 코너 쉐이딩(corner shading) 현상이 나타나고 있다.
이러한 비네팅의 원인은 첫째로, 빛의 입사량이 픽셀 어레이의 센터(center)보다 코너(corner)가 작고, 둘째로 빛이 단위픽셀의 포토다이오드로 충분히 입사되지 못하는 이미지 센서의 구조 때문이다.
즉, 픽셀 어레이의 센터 영역에 해당하는 마이크로 렌즈의 경우 광축과 평행한 빛은 렌즈에서 굴절되고 해당하는 포토다이오드로 도달되어 정상적으로 소자를 동작시킬 수 있다.
하지만, 에지영역으로 갈수록 광축과 평행하지 빛이 입사되고, 특히 경사각이 큰 입사광은 렌즈에서 원하는 만큼 굴절되지 못하고 쉐이딩 현상을 일으킬 수 있다.
실시예에서는 픽셀 어레이의 위치별로 마이크로 렌즈의 곡률을 변경하고, 비네팅(vignetting) 특성을 개선할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 픽셀 영역이 정의되고, 포토다이오드를 포함하는 단위화소들이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 금속배선층; 상기 단위화소들에 각각 대응하도록 상기 금속배선층 상에 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터에 각각 대응하도록 형성되고, 상기 픽셀 영역의 센터영역에서 에지 영역으로 갈수록 큰 곡률을 가지는 마이크로 렌즈를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 픽셀 영역이 정의된 반도체 기판에 포토다이오드를 포함하는 단위화소들을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 금속배선층을 형성하는 단계; 상기 단위화소들에 각각 대응하도록 상기 금속배선층 상에 컬러필터들을 형성하는 단계; 및 상기 컬러필터들에 각각 대응하도록 형성되고, 상기 픽셀 영역의 센터영역에서 에지 영역으로 갈수록 큰 곡률을 가지는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법은, 픽셀부의 센터 영역과 에지 영역에서 마이크로 렌즈의 곡률을 달리함으로써 이미지 특성을 향상시킬 수 있다.
즉, 상기 센터 영역에서 에지 영역으로 갈수록 마이크로 렌즈의 곡률 및 부 피를 크게 형성함으로써, 상기 에지 영역에서의 비네팅(vignetting) 및 쉐이딩(shading) 특성을 개선할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/아래(on/under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/아래는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도 6은 실시예에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도이다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 픽셀 영역이 정의되고, 포토다이오드를 포함하는 단위화소(110)들이 형성된 반도체 기판(100); 상기 반도체 기판(100) 상에 형성된 금속배선층(120); 상기 단위화소(110)들에 각각 대응하도록 상기 금속배선층(120) 상에 형성된 컬러필터(130); 및 상기 컬러필터(130)에 각각 대응하도록 형성되고, 상기 픽셀 영역 중 센터 영역(C)에서 에지 영역(E)으로 갈수록 큰 곡률을 가지는 마이크로 렌즈(145,155)를 포함한다.
상기 마이크로 렌즈(145,155)는 센터 영역(C)에서 에지 영역(E)으로 갈수록 큰 부피를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 센터 영역(C)에 대응하는 제1 마이크로 렌즈(145)는 제1 높이(H1)로 형성되고, 상기 에지 영역(E)에 대응하는 제2 마이크로 렌즈(155)는 제1 높이(H1)보다 큰 제2 높이(H2)로 형성될 수 있다.
픽셀부의 센터 영역과 에지 영역에서 마이크로 렌즈의 곡률을 달리함으로써 이미지 특성을 향상시킬 수 있다.
즉, 상기 센터 영역에서 에지 영역으로 갈수록 마이크로 렌즈의 곡률 및 부피를 크게 형성함으로써, 상기 에지 영역에서의 비네팅(vignetting) 및 쉐이딩(shading) 특성을 개선할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도 1 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1을 참조하여, 반도체 기판(100)에는 포토다이오드를 포함하는 단위화소(110)가 형성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 반도체 기판(100) 상에는 액티브 영역과 필드 영역을 정의하는 소자분리막이 형성되어 있다.
상기 각각의 단위화소(110)는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(미도시) 및 상기 포토다이오드와 연결되어 수광된 광전하를 전기신호로 변환하는 씨모스(미도시)를 포함한다.
이러한 단위화소(110)들은 반도체 기판(100)의 픽셀 영역에 형성될 수 있다. 일반적으로 반도체 기판(100)은 상기 단위화소(110)들이 형성되는 픽셀 영역 및 신호처리를 위한 주변회로영역(미도시)을 포함할 수 있다.
도 1은 상기 단위화소(110)들이 형성되는 픽셀 영역의 일부를 도시한 것이다.
이러한, 픽셀 영역의 중앙부를 센터 영역(C)이라 지칭하고, 외각을 에지 영 역(E)이라고 지칭할 수 있다.
상기 센터 영역(C)의 주변을 둘러쌓도록 상기 에지 영역이 위치될 수 있다. 즉, 상기 에지 영역(E)은 상기 주변회로 영역(미도시)와 인접하는 영역일 수 있다.
또한, 상기 센터 영역(C)은 외부 메인 렌즈(미도시)의 중앙영역을 통해 광이 입사되는 영역이고, 상기 에지 영역(E)은 외부 메인 렌즈의 가장자리 영역을 통해 광이 입사되는 영역일 수 있다.
즉, 상기 에지 영역(E)으로 갈 수록 입사광의 경사도가 커질 수 있다.
상기 센터 영역(C) 및 에지 영역(E)에는 각각의 단위화소(110)가 복수개 배치될 수 있다.
상기 단위화소(110)들을 포함하는 반도체 기판(100) 상에 금속배선층(120)이 형성된다.
상기 금속배선층(120)은 층간절연막 및 배선(M1,M2)을 포함한다.
상기 금속배선층(120)은 복수의 층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 금속배선층(120)의 배선(M1,M2)은 상기 단위화소(110)의 수광부로 입사되는 빛을 가리지 않도록 의도적으로 레이아웃 되어 형성된다.
도시되지는 않았지만, 상기 금속배선층(120) 상에 패시베이션층이 형성될 수 있다.
상기 패시베이션층은 습기나 스크래치 등으로부터 소자를 보호하기 위한 것으로 산화막 또는 질화막을 포함하는 절연막 일 수 있다. 한편, 상기 패시베인션층의 형성을 생략하고 상기 금속배선층 상에 컬러필터가 형성될 수 있다.
이는 이미지 센서의 전체적인 높이에 영향을 주게되어 보다 박형의 이미지 센서를 제공할 수도 있으며, 공정단계 감소에 따른 비용절감의 효과를 제공할 수 있다.
상기 컬러필터(130)는 컬러 이미지 구현을 위해 3색의 컬러필터로 형성된다.
상기 컬러필터(130)를 구성하는 물질로는 염색된 포토레지스트를 사용하며 각 단위화소(110)마다 하나의 컬러필터가 형성되어 입사하는 색으로부터 색을 분리해낼 수 있다.
이러한 컬러필터는 각각 다른 색상을 나타내는 것으로 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 색으로 이루어져 인접한 컬러필터들은 서로 약간씩 오버랩되어 단차를 가지게 된다.
도시되지는 않았지만, 상기 컬러필터(130)의 단차를 보완하기 위하여 평탄화층이 상기 컬러필터(130) 상에 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 단위화소(110)에 대응하도록 상기 컬러필터(130) 상에 렌즈 패턴(140,150)들이 형성된다.
상기 렌즈 패턴(140,150)은 상기 센터 영역(C)과 에지 영역(E)에서 서로 다른 임계치수(Critical Dimension)로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 센터 영역(C)에 형성된 제1 렌즈 패턴(140)은 제1 너비(W1)의 폭을 가질 수 있다. 상기 에지 영역(E)에 형성된 제2 렌즈 패턴(150)은 제1 너비(W1) 보다 넓은 제2 너비(W2)의 폭을 가질 수 있다.
상기 제1 렌즈 패턴(140) 및 제2 렌즈 패턴(150)은 상기 컬러필터(130) 상에 포토레지스트막을 코팅한 후 픽셀별로 노광 및 현상하여 형성될 수 있다. 상기 센터 영역(C)과 에지 영역(E)에 서로 다른 크기의 윈도우를 가지는 노광마스크(미도시)를 사용하여 노광공정을 진행할 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 렌즈 패턴(140)은 이웃하는 제1 렌즈 패턴(140)과 제1 갭(G1)을 가질 수 있다. 상기 제2 렌즈 패턴(150)은 이웃하는 제2 렌즈 패턴(150)과 제1 갭(G1)보다 좁은 제2 갭(G2)을 가질 수 있다.
따라서, 상기 제1 렌즈 패턴(140)의 부피는 제2 렌즈 패턴(150)보다 작게 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 갭(G1,G2)에 의하여 상기 제1 및 제2 렌즈 패턴(140,150)의 리플로우시 브리지 및 갭이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 제1 렌즈 패턴(140) 및 제2 렌트 패턴(150)에 대한 리플로우 공정이 진행된다.
상기 리플로우 공정은 상기 센터 영역(C)과 에지 영역(E)에 동일한 온도를 인가하여 진행될 수 있다. 상기 리플로우 공정은 상기 센터 영역(C)과 에지 영역(E)에 서로 다른 광량을 인가하여 진행될 수 있다.
상기 리플로우 공정은 상기 센터 영역(C) 및 에지 영역(E) 상에 서로 다른 노광 마스크를 위치시킨 후 진행될 수 있다.
상기 센터 영역(C) 상에는 빛을 적게 투과시키도록 제1 개구부(215)를 가지는 제1 마스크(210)를 위치시키고, 상기 에지 영역(E) 상에는 빛을 많이 투과시키도록 제2 개구부(225)를 가지는 제2 마스크(220)를 위치시킬 수 있다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 마스크(210)는 제1 크기를 가지는 제1 개구부(215)가 적어도 하나 이상 형성되어 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제2 마스크(220)에는 제1 크기보다 적어도 2 배 큰 제2 개구부(225)가 적어도 하나 이상 형성되어 있다.
여기서, 상기 제1 및 제2 마스크(210,220)의 제1 및 제2 개구부(215, 225)의 크기는 상기 렌즈 패턴(140,150)들이 리플로우 할 빛의 양을 조절할 뿐 상기 렌즈 패턴에 디파인(define) 되지 않을 정도로 작은 사이즈일 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 마스크(210)에 의하여 상대적으로 적은 양의 빛이 상기 제1 렌즈 패턴(140)으로 인가되고 리플로우 될 수 있다.
또한, 상기 제2 마스크(220)에 의하여 상대적으로 많은 양의 빛이 상기 제2 렌즈 패턴(150)으로 인가되고 리플로우 될 수 있다.
따라서, 상대적으로 많은 양의 빛이 인가된 상기 제1 렌즈 패턴(140) 보다 제2 렌즈 패턴(150)의 점착성(viscosity)이 높아지고, 리플로우가 적게 되어 곡률이 커질 수 있게 된다.
이러한 리플로우 공정은 패터닝되어 있는 감광성 물질을 열로 리플로우(reflow) 시킴과 동시에 노광장비를 통해 빛에 의해 노출시킴으로서 진행될 수 있다. 특히, 노광장비는 감광성 물질의 분자 대 분자 결합을 통해 점착성(viscosity)을 증가시켜 흘러내리지 않도록 적절한 만큼 리플로우 되도록 조절하는 방식이다.
실시예에서는 이러한 노광 원리를 이용한 것이다. 즉, 동일온도에서 리플로 우 공정이 진행되었을 때 빛을 많이 받을수록 점착성(viscosity)이 높아지고 리플로우가 적게 되어 곡률이 커지는 것을 원리를 이용한 것이다.
한편, 상기 리플로우 공정의 노광공정 시 사용되는 노광 마스크의 경우, 미세패턴을 통해 빛이 들어가는 양을 원하는 대로 조절할 수 있다. 이때, 상기 노광 마스크의 개구부의 크기는 렌즈 패턴들이 디파인되지 않을 정도의 미세 사이즈이다. 이를 통해 최외각 뿐만 아니라 센터가 아닌 중간 영역에 위치한 픽셀들에 대해서도 개별적으로 다른 곡률의 마이크로 렌즈를 형성할 수 있다.
따라서, 픽셀 어레이 중 마이크로 렌즈의 곡률이 갑작스럽게 바뀌는 곳이 없기 때문에 올바른 이미지를 나타낼 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 리플로우 공정을 통하여 상기 센터 영역(C)에 제1 마이크로 렌즈(145)가 형성된다. 또한, 상기 에지 영역(E)에 제2 마이크로 렌즈(155)가 형성된다.
상기 제1 및 제2 마이크로 렌즈(145,155)는 센터 영역(C)에서 에지 영역(E)으로 갈수록 큰 부피를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 마이크로 렌즈(145)는 제1 높이(H1)로 형성되고, 상기 제2 마이크로 렌즈(155)는 제1 높이(H1)보다 높은 제2 높이(H2)로 형성될 수 있다.
즉, 상기 센터 영역(C)에 형성된 제1 마이크로 렌즈(145)는 작은 곡률로 형성되고, 상기 에지 영역(E)에 형성된 제2 마이크로 렌즈(155)는 상대적으로 큰 곡률로 형성될 수 있다.
이에 따라, 픽셀 영역의 센터 영역(C)과 에지 영역(E)의 수광량은 향상될 수 있다.
즉, 상기 센터 영역(C)으로는 메인 렌즈(미도시)의 광축과 평행한 광이 입사되고 해당하는 상기 제1 마이크로 렌즈(145)를 통해 빛이 굴절되고 센터 영역(C)의 포토다이오드로 빛이 입사될 수 있다.
상기 에지 영역(E)으로는 메인 렌즈(미도시)의 광축에 대하여 경사각을 가지는 광이 입사되고 상기 제2 마이크로 렌즈(155)를 통해 빛이 큰 각도로 굴절되고 에지 영역(E)의 포토다이오드로 입사되어, 상기 에지 영역(E)에서의 필팩터를 증가시킬 수 있다.
이것은 상기 제2 마이크로 렌즈(155)의 체적 및 곡률이 상기 제1 마이크로 렌즈(145)보다 더 크기 때문에 경사각을 가지는 입사광을 더 큰 굴절률로 굴절시킬 수 있기 때문이다.
이에 따라, 픽셀 영역 중 에지 영역(E) 및 코너 영역(conor area)에서 발생하는 쉐이딩(shading) 또는 비네팅(vignetting) 현상을 개선할 수 있다.
한편, 상기와 같이 리플로우 공정을 통해 상기 제1 렌즈 패턴(140) 및 제2 렌즈 패턴(150)은 리플로우되고, 볼록 렌즈 형태로 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1 및 제2 렌즈 패턴(140,150)의 리플로우가 많이 될 수록 이웃하는 마이크로 렌즈와 브리지가 발생할 수 있고, 또는 리플로우가 적게 될 수록 이웃하는 마이크로 렌즈와 갭이 발생될 수 있다.
실시예에서는 상기 제1 및 제2 렌즈 패턴(140,150)의 형성시 리플로우가 적게 될 부분에는 CD 사이즈를 크게 형성하고, 리플로우가 많이 될 부분에는 CD 사이 즈를 작게 디파인(define)하도록 형성하였다.
이에 따라 상기 제1 렌즈 패턴(140) 및 제2 렌즈 패턴(150)에 인가되는 광량이 달라도, 리플로우 공정 이후 상기 제1 및 제2 마이크로 렌즈(145,155)의 브리지(brige)나 갭(gap)이 발생되지 않을 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법에 의하면 픽셀의 센터 영역에서 에지 영역으로 갈수록 마이크로 렌즈의 곡률을 크게 형성할 수 있다.
이에 따라, 상기 에지 영역 및 코너 영역에서 발생하는 쉐이딩(shading)이나 비네팅(vignetting) 현상을 개선하고, 이미지 특성을 향상시킬 수 있다.
즉, 픽셀영역의 센터에서는 작은 곡률의 마이크로 렌즈를 형성하고, 에지 및 코너 영역의 마이크로 렌즈를 상대적으로 높은 곡률로 형성하고, 각 픽셀 별로 빛이 효과적으로 입사되도록 할 수 있다.
특히, 입사각이 에지 영역의 픽셀에는 보다 큰 곡률을 갖는 마이크로 렌즈를 통해 효과적으로 해당하는 포토다이오드로 빛을 입사시킬 수 있다.
이로 인하여, 센터와 에지 영역에 동일한 마이크로 렌즈를 사용하는 이미지 센서의 구조와 대비하여 칩의 코너와 에지에 입사되는 빛을 효과적으로 해당 포토다이오드로 보내주어 쉐이딩(shading) 현상을 개선할 수 있다.
또한, 센터 영역 및 에지 영역 뿐만 아니라 그 사이에 위치하는 중간 영역에 해당하는 픽셀에도 점진적으로 마이크로 렌즈의 곡률에 변화를 줄 수 있다.
이에 따라, 쉐이딩(shading) 뿐만 아니라 이미지 센터영역이 아닌 중간부분(intermediate area)에도 효과적으로 빛이 입사되고, 이미지 특성이 향상될 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 청구항의 권리범위에 속하는 범위 안에서 다양한 다른 실시예가 가능하다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.

Claims (10)

  1. 픽셀 영역이 정의되고, 포토다이오드를 포함하는 단위화소들이 형성된 반도체 기판;
    상기 반도체 기판 상에 형성된 금속배선층;
    상기 단위화소들에 각각 대응하도록 상기 금속배선층 상에 형성된 컬러필터; 및
    상기 컬러필터에 각각 대응하도록 형성되고, 상기 픽셀 영역의 센터영역에서 에지 영역으로 갈수록 큰 곡률을 가지는 마이크로 렌즈를 포함하는 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈는 센터영역에서 에지 영역으로 갈수록 큰 부피를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 센터영역에 대응하는 제1 마이크로 렌즈는 제1 높이로 형성되고, 에지영역에 대응하는 제2 마이크로 렌즈는 제1 높이보다 큰 제2 높이로 형성된 이미지 센서.
  4. 픽셀 영역이 정의된 반도체 기판에 포토다이오드를 포함하는 단위화소들을 형성하는 단계;
    상기 반도체 기판 상에 금속배선층을 형성하는 단계;
    상기 단위화소들에 각각 대응하도록 상기 금속배선층 상에 컬러필터들을 형성하는 단계; 및
    상기 컬러필터들에 각각 대응하도록 형성되고, 상기 픽셀 영역의 센터영역에서 에지 영역으로 갈수록 큰 곡률을 가지는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈를 형성하는 단계는,
    상기 컬러필터들 상에 렌즈용 감광막을 코팅하는 단계;
    상기 렌즈용 감광막에 노광 및 현상공정을 통해 상기 센터영역에 제1 너비를 가지는 제1 렌즈 패턴을 형성하고, 상기 에지 영역에 제1 너비 보다 넓은 제2 너비를 가지는 제2 렌즈 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 렌즈 패턴에 대한 리플로우 공정을 진행하고, 상기 센터영역에 제1 마이크로 렌즈를 형성하고, 상기 에지 영역에 제2 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 리플로우 공정의 진행시 상기 센터영역 및 에지영역에 서로 다른 광량 이 인가되는 이미지 센서의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 리플로우 공정은 상기 센터영역 상에 제1 마스크를 위치시키고, 상기 에지영역 상에 제2 마스크를 위치시키고, 빛과 열을 인가하여 리플로우 공정을 진행하며,
    상기 제1 마스크에는 제1 크기를 가지는 제1 개구부가 적어도 하나 이상 형성되고, 상기 제2 마스크에는 제1 크기보다 큰 제2 개구부가 적어도 하나 이상 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈는 센터영역에서 에지 영역으로 갈수록 큰 부피를 가지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 마이크로 렌즈는 제1 높이로 형성되고, 상기 제2 마이크로 렌즈는 제1 높이보다 큰 제2 높이로 형성되는 이미지 센서의 제조방법.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 리플로우 공정 시 제1 렌즈 패턴 보다 제2 렌즈 패턴의 점착 성(viscosity)이 큰 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
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