KR20090057487A - 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의제조방법 - Google Patents
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Abstract
하드마스크용 비정질탄소막을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법에 관하여 개시한다.
본 발명에 따른 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법은 (a)반도체 기판상에 도전층 또는 산화물층을 형성하는 단계; (b)상기 도전층 또는 산화물층 상에 하드마스크를 형성하는 단계; (c)상기 하드마스크 상에 레지스트층을 증착하고 패터닝하는 단계; (d)상기 하드마스크를 에칭하는 단계; (e)상기 도전층 또는 산화물층을 에칭하는 단계; 및 (f)남아있는 상기 하드마스크를 제거하는 단계를 구비하고, 상기 (b)단계는 네오-헥센(neo-hexene)을 포함하는 원료물질을 이용하여 비정질탄소막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.
비정질 탄소막, 하드마스크, 반도체 제조
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄화수소 화합물을 이용하여 비정질탄소막을 증착하고 플라즈마를 이용하여 비정질탄소막의 표면을 처리한 후 하드마스크로 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 비정질탄소막은 탄화수소 화합물 및 아르곤(Ar)이나 헬륨(He)과 같은 불활성 가스를 포함하는 가스 혼합물을 플라즈마 또는 열적으로 활성화하여 증착된다. 이렇게 증착된 비정질탄소막은 생체 재료, 유기발광다이오드(OLED), 반도체 집적회로, 하드 마스크 등 다양한 분야에 응용되고 있다.
종래의 반도체 소자의 제조공정시 사용되는 하드마스크(Hardmask)에 응용되는 비정질탄소막 증착에는 주로 알칸 계열(CnH2n+2), 알켄(CnH2n) 계열, 알킨(CnH2n-2) 계열의 선형(Linear type) 탄화수소 화합물 또는 벤젠 계열, 사이클로헥산 계열의 고리형(Cyclic type) 탄화수소 화합물을 원료물질로 이용하였다.
선형 탄화수소 화합물은 알칸 계열, 알켄 계열, 알킨 계열이 대표적이며, 고리형 탄화수소 화합물은 벤젠 계열, 사이클로헥산 계열이 대표적이다.
PECVD 방법 등에 의해 증착된 비정질 탄소막은 선형, 가지형, 고리형 등의 구조와 단일결합, 이중결합, 삼중결합의 결합형태가 복합적으로 형성되어 있는데, 원료물질의 구조에 따라 그 비율이 변하면서 그 특성 또한 구별된다. 특히, 선형 탄화수소 화합물을 원료물질로 이용할 경우 증착된 비정질탄소막의 구조는 선형 또는 가지형 형태가 주를 이루고, 고리형 탄화수소 화합물을 원료물질로 이용할 경우 증착된 비정질탄소막의 구조는 선형, 가지형 중간중간에 고리형이 연결된 형태가 주를 이룬다.
증착시 이용되는 원료물질은 액체 또는 기체 상태로 반응챔버에 공급된다. 원료물질이 기체 상태로 공급될 경우, 이온화 에너지가 높기 때문에 증착된 막은 수소 함유량이 많고, 공정 중 아킹(arcing)에 의한 파티클 발생이 문제시되며, 막의 경도(Hardness)는 높일 수 있으나, 증착속도가 매우 낮은 단점이 있다.
한편, 원료물질이 액체 상태로 공급될 경우, 증착속도는 빠르게 할 수 있지만, 막의 경도가 낮아지는 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 하드마스크용 비정질탄소막을 증착하기 위한 원료물질로 네오-헥센을 포함하는 화합물을 이용하여 비정질탄소막의 막 질을 다양하게 구현하고 증착된 비정질탄소막의 표면을 플라즈마처리하여 비정질탄소막의 특성을 조절할 수 있는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 하나의 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법은 (a)반도체 기판상에 도전층 또는 산화물층을 형성하는 단계; (b)상기 도전층 또는 산화물층 상에 하드마스크를 형성하는 단계; (c)상기 하드마스크 상에 레지스트층을 증착하고 패터닝하는 단계; (d)상기 하드마스크를 에칭하는 단계; (e)상기 도전층 또는 산화물층을 에칭하는 단계; 및 (f)남아있는 상기 하드마스크를 제거하는 단계를 구비하고, 상기 (b)단계는 네오-헥센(neo-hexene)을 포함하는 원료물질을 이용하여 비정질탄소막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법에 의하면 네오-헥센(neo-hexene)을 포함하는 원료물질을 이용함으로써, 비정질탄소막의 증착속도 및 경도(Hardness)를 동시에 향상시킬 수 있다.
또한 비정질탄소막의 표면을 플라즈마 처리함으로써 표면에 존재하는 수소 함유량을 감소시키고 불순물을 제거함으로써 굴절율 및 흡광계수와 같은 비정질탄소막의 특성을 조절할 수 있는 장점이 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법의 흐름을 나타낸 것이고, 도 2는 도 1에 도시된 하드마스크 형성단계를 구체적으로 도시한 것이다.
도 5는 도 1에 도시된 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법을 구현하기 위한 반도체 소자의 제조 장치의 예를 도시한 것이다.
이하, 도 1에 도시된 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법 및 도 2에 도시된 하드마스크 형성단계를 구체적으로 설명하는데 있어서, 도 5에 도시된 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조 장치를 참조하기로 한다.
도 1에 도시된 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법은 도전층 또는 산화물층 형성단계(S110), 하드마스크 형성단계(S120), 레지스트 증착 및 패터닝단계(S130), 하드마스크 에칭단계(S140), 도전층 또는 산화물층 에칭단계(S150) 및 하드마스크 제거단계(S160)를 구비한다.
먼저 반도체 기판상에 금속의 도전층 또는 SiO2의 산화물층을 형성(S110)한다. 이후 상기 도전층 또는 산화물층상에 비정질탄소막으로된 하드마스크를 형성(S120)한다. 상기 하드마스크상에 포토레지스트층을 증착한 후 패터닝을 하고(S130) 상기 비정질탄소막인 하드마스크를 에칭(S140)한다. 이후 도전층 또는 산 화물층을 에칭(S150)하고 남아있는 하드마스크를 제거(S160)함으로써 반도체 소자를 제조할 수 있다.
상기의 과정은 반도체 소자 제조공정과 관련된 당업자에게 자명한 과정이어서 상세한 설명은 생략하기로 하고 본 발명의 핵심적인 구성요소에 해당되는 하드마스크 형성단계(S120)에 대해 이하에서 보다 상세히 살펴보기로 한다.
도 2에 도시된 하드마스크 형성단계(S120)는 원료물질 기상화 단계(S121), 원료물질 및 첨가물질 공급 단계(S122) 및 비정질탄소막 증착단계(S123)를 구비한다. 또한 상기 비정질탄소막 증착단계(S123)는 비정질탄소막 형성단계(S123a), 반응챔버 내부 퍼지단계(S123b), 비정질탄소막 표면의 플라즈마 처리단계(S123c), 반응챔버 내부 퍼지단계(S123d), 잔류가스 제거단계(S123e)로 이루어진다.
원료물질 기상화 단계(S121)에서는 기화기(Vaporizer), 버블러(Bubbler) 등과 같은 기상화 장치(510)를 이용하여 액체상태의 탄화수소 화합물을 포함하는 원료물질을 기상화한다. 이때, 버블러를 이용할 시에는 원료물질을 아르곤(Ar), 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2), 헬륨(He) 등과 같은 기체와 함께 버블링할 수 있다.
원료물질 및 첨가물질 공급 단계(S122)에서는 원료물질 기상화 단계(S121)에서 기상화된 원료물질을 첨가물질과 함께 샤워헤드(520)를 통하여 반응챔버(530) 내부로 공급한다. 첨가물질은, 헬륨(He), 아르곤(Ar), 암모니아(NH3), 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2) 중에서 선택되는 어느 하나의 물질이나 2이상의 혼합물을 이용할 수 있다. 또한, 첨가물질로 SiH4와 같은 실리콘을 포함하는 물질을 이용할 수 있는 데, 이때에는 SiCH 막과 같은 실리콘이 포함된 탄소막을 증착할 수 있다.
비정질탄소막 증착단계(S123)에서는 플라즈마화되어 공급된 원료물질 및 첨가물질을 이용하여 반응챔버(530) 내부에서 비정질탄소막의 증착이 이루어진다. 이때, 증착 효율을 높이기 위하여 샤워헤드(520)에 플라즈마화를 위한 파워 인가를 중단하지 않거나, 반응챔버(530) 내부에 일정한 파워를 인가할 수 있다.
비정질탄소막 증착단계(S123)중 비정질탄소막 형성단계(S123a)에서는 반도체 기판의 온도를 100℃ ~ 500℃로, 반응챔버(530) 내부의 압력을 0.1Torr ~ 10 Torr로 유지하고, 0.1 ~ 1.5kW의 파워를 인가하여 0.1 ~ 20g/min 비정질탄소막을 형성하게 된다.
일반적으로 동일한 증착조건에서 증착속도가 빠르면 거대분자에 의한 증착이 주를 이루어 막의 치밀도가 떨어지고, 증착속도가 느리면 막의 치밀도가 높아지므로, 증착속도는 공정목적에 따라서 적절히 조절될 수 있다. 비정질탄소막 증착을 위하여 반응챔버(530) 내부로 공급되는 원료물질의 비율은 원료물질과 첨가물질의 전체의 5% ~ 100%가 될 수 있다.
이후 반응챔버 내부를 퍼지(S123b)하고, Ar, N2 등의 플라즈마를 사용하여 비정질탄소막의 표면을 플라즈마처리(S123c)한다.
도 3은 도 2에 도시된 플라즈마처리단계의 반응메카니즘을 설명하는 도면이고, 도 4는 도 2에 도시된 플라즈마처리단계의 효과를 나타내는 도면이다.
도 3에 도시된 바와같이 본 발명에서는 비정질탄소막의 표면을 개질(modification)시키기 위해 플라즈마처리 방법을 적용하였다. 즉, 비정질탄소막 의 표면에 플라즈마처리를 하게되면 Ar, N2 등의 비활성가스(inertgas)의 글로우 방전(glow discharge)을 통해 생성된 자유 라디칼이 비정질탄소막에 교차결합(crosslink)되거나, 비정질탄소막 표면에 증착(deposition)되어 박막의 특성을 변화시키고, 비정질탄소막의 에칭시 분해(degradation)를 용이하게 하며, 비정질탄소막 표면의 불순물을 제거하는 장점이 있다.
또한 도 4에 도시된 바와같이 아르곤(Ar) 또는 아르곤(Ar)과 산소(O2)의 혼합가스를 이용하여 비정질탄소막 표면을 플라즈마 처리 함으로써 원료물질이 비정질탄소막에 용이하게 중합(polymerization)되어 비정질탄소막의 오염된 영역을 감소시키고 증착목적에 맞게 다양한 구조를 형성할 수 있게 된다.
이후 반응챔버 내부를 퍼지(S123d)하고, 잔류가스를 제거(S123e)함으로써 비정질탄소막이 증착되며 상기 증착된 비정질탄소막은 반도체 소자 제조 공정에서 하드마스크로 이용될 수 있다.
상기 하드마스크 형성단계(S120)를 통해 증착된 비정질탄소막은, 원료물질로 선택되는 탄화수소 화합물에 따라서, PLC(Polymer-Like-Carbon), GLC(Graphite-Like-Carbon) 및 DLC(Diamond-Like-Carbon) 구조 등 다양한 구조를 가질 수 있으며, 7GPa ~ 85GPa의 넓은 범위의 영률(Young's Modulus)을 가질 수 있다.
실험에 의하면, 본 발명에 따른 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법에 의하여 3,3-dimethyl-1-butene(네오-헥센)을 원료물질로 하여 비정질탄소막을 증착하였을 때, 비정질탄소막의 경도(Hardness)가 0.5 ~ 30GPa, 흡광계수가 약 0.1 ~ 0.3 까지이며 굴절률(Refractive Index)은 1.6 ~ 2.0의 범위를 갖는다.
3,3-dimethyl-1-butene(네오-헥센)을 포함하는 화합물은 선형 또는 고리형 탄화수소 화합물에 비해 이온화 에너지가 상대적으로 낮기 때문에 낮은 파워 인가에 의하여도 비정질탄소막의 증착속도를 높일 수 있다. 또한, 플라즈마화된 상태에서 선형 구조의 고분자 중합이 용이하기 때문에, 선형 및 고리 형태의 원료물질 특징을 동시에 가질 수 있어서, 다양한 구조의 비정질탄소막을 형성할 수 있다.
또한, 3,3-dimethyl-1-butene(네오-헥센)을 포함하는 화합물은 증착이 느린 기체 원료물질의 단점을 보완할 수 있으며, 경도(Hardness)가 낮은 액체 원료물질의 단점도 보완하기에 용이하다.
한편, 기상화된 원료물질과 첨가물질은 도 5에 도시한 바와 같이, 혼합된 상태에서 샤워헤드(520)로 공급될 수 있다. 이때, 원료물질 및 첨가물질 공급 단계(S122)에서는 샤워헤드(520)에 플라즈마화를 위한 파워가 인가되어 원료물질이 플라즈마화 될 수 있다. 이때, 플라즈마화를 위한 파워는 0.1kW ~ 1.5kW의 전력으로 샤워헤드(520)에 인가될 수 있다. 또한, 플라즈마화를 위한 파워는 RF(Radio Frequency) 파워, DC(Direct Current) 파워 또는 마이크로웨이브(Microwave) 파워 등의 형태로 샤워헤드(520)에 인가될 수 있다.
기상화된 원료물질과 첨가물질은 미리 혼합되지 않고, 샤워헤드(520) 내부, 특히, 반응챔버(530) 내부로 분사되기 직전에 혼합될 수 있다. 도 6은 이를 구현할 수 있는 샤워헤드의 일예를 도시한 것이고, 도 7은 도 6에 도시된 샤워헤드(600)의 분산부(620) 및 분사부(630)를 상세히 도시한 것이다.
도 6에 도시된 샤워헤드(600)는 원료물질과 첨가물질이 2개의 공급관(610a,610b)으로 분리 공급되는 공급부(610), 분리 공급된 원료물질과 첨가물질이 분리 분산되는 분산부(620) 및 복수의 홀(635)을 구비하며, 분산부(620)에서 분리 분산된 원료물질과 첨가물질이 복수의 홀(635)에서 공통으로 분사되는 분사부(630)를 구비한다.
여기서, 분산부(620)는, 공급부(610) 하부에 위치하며, 하나의 영역으로 되어 있는 제1분산영역(620a), 제1분산영역(620a) 하부에 위치하며, 복수의 영역으로 분할되어 있되, 각각의 영역 사이에는 통로(622)가 있는 제2분산영역(620b) 및 제2분산영역(620b)의 복수의 영역 각각의 하부에 결합되는 분출영역(624b)을 구비하여 이루어진다. 제2분산영역(620b)의 분할된 각각의 영역에는 가스를 고르게 분배하기 위한 가스분배판(626)을 구비할 수 있다. 이때, 원료물질과 첨가물질 중 어느 하나는 제1분산영역(620a)에서 분산되어, 제2분산영역(620b)의 복수의 영역 사이에 있는 통로(622)를 통하여, 분출영역(624b)을 둘러싸는 공간(624a)으로 분출되고, 원료물질과 첨가물질 중 다른 하나는 제2분산영역(620b)에서 분산되어, 분출영역(624b)으로 분출된다.
이때, 분산부(620) 또는 분사부(630)에 플라즈마화를 위한 파워가 인가되어, 적어도 원료물질이 플라즈마화되어 반응챔버(430) 내부로 분사될 수 있다. 또한, 분산부(620)와 분사부(630)를 전기적으로 절연시키는 절연체링(640)을 더 구비할 수 있으며, 분산부(620) 또는 분사부(630)에 전기적으로 절연시킬 수 있는 절연체 물질을 코팅할 수 있다. 이용되는 절연체는 Al2O3, AlN 등의 세라믹 물질 또는 테프론(Teflon) 등의 고분자 물질, 그리고, 세라믹 물질과 고분자 물질의 복합체 등이 될 수 있다.
또한, 분산부(620) 및 분사부(630)에 플라즈마화를 위한 파워가 동시에 인가될 수 있으며, 이때, 분산부(620)와 분사부(630)에는 서로 다른 플라즈마를 위한 파워가 인가될 수 있다.
이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
도 1은 본 발명에 따른 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법의 흐름을 나타낸 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 하드마스크 형성단계를 구체적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 2에 도시된 플라즈마처리단계의 반응메카니즘을 설명하는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 플라즈마처리단계의 효과를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시된 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법을 구현하기 위한 반도체 소자의 제조 장치의 예를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법에 이용되는 샤워헤드의 예를 도시한 것이다.
도 7은 도 6에 도시된 샤워헤드에서 분산부 및 분사부를 상세히 도시한 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
510 : 기상화 장치 520 : 샤워헤드
530 : 반응챔버 610 : 공급부
620 : 분산부 620a : 제1분산영역
620b : 제2분산영역 622 : 통로
624b : 분출영역 630 : 분사부
635 : 홀 640 : 절연체링
RPS : Remote Source Plasma MFC : Mass Flow Controller
V/V : Valve LMFC : Liquid Mass Flow Controller
Claims (14)
- 반도체 소자의 제조방법에 있어서,(a)반도체 기판상에 도전층 또는 산화물층을 형성하는 단계;(b)상기 도전층 또는 산화물층 상에 하드마스크를 형성하는 단계;(c)상기 하드마스크 상에 레지스트층을 증착하고 패터닝하는 단계;(d)상기 하드마스크를 에칭하는 단계;(e)상기 도전층 또는 산화물층을 에칭하는 단계; 및(f)남아있는 상기 하드마스크를 제거하는 단계를 구비하고, 상기 (b)단계는 네오-헥센(neo-hexene)을 포함하는 원료물질을 이용하여 비정질탄소막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제 1항에 있어서 상기 (b)단계는(b1)네오-헥센(neo-hexene)을 포함하는 원료물질을 기상화하는 단계;(b2)상기 기상화된 원료물질을 첨가물질과 함께 샤워헤드를 통하여 반응챔버 내부로 공급하는 단계; 및(b3)상기 반응챔버 내부에서 비정질탄소막을 증착하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 (b2)단계에서상기 샤워헤드에 플라즈마를 위한 파워가 인가되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 (b3)단계는(b31)RF 파워를 인가하여 상기 비정질탄소막을 형성하는 단계;(b32)상기 반응챔버 내부를 퍼지하는 단계;(b33)플라즈마화된 가스를 사용하여 상기 증착된 비정질탄소막의 표면을 처리하는 단계;(b34)상기 반응챔버 내부를 퍼지하는 단계; 및(b35)상기 반응챔버 내부의 잔류가스를 제거하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 첨가물질은,헬륨(He), 아르곤(Ar), 암모니아(NH3), 수소(H2), 산소(O2), 질소(N2) 및 실리콘을 포함하는 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 (b33)단계에서,상기 플라즈마화된 가스는 아르곤(Ar), 산소(O2) 및 질소(N2) 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 (b1)단계는,기화기(Vaporizer) 또는 버블러(Bubbler)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 (b2)단계는,상기 원료물질과 상기 첨가물질이 미리 혼합되어 상기 샤워헤드로 공급되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 샤워헤드는,상기 원료물질과 상기 첨가물질이 분리 공급되는 공급부;상기 분리 공급된 상기 원료물질과 상기 첨가물질이 분리 분산되는 분산부; 및복수의 홀을 구비하며, 상기 분리 분산된 상기 원료물질과 상기 첨가물질이 상기 복수의 홀에서 공통으로 분사되는 분사부를 구비하고,상기 (b2)단계에서,상기 분산부 및 상기 분사부 중에서 적어도 하나에 플라즈마화를 위한 파워가 인가되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 분산부 및 상기 분사부 중에서 적어도 하나는 절연체 물질로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 분산부와 분사부를 전기적으로 절연시키는 절연체링을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제10항 또는 제11항에 있어서,상기 (b2)단계에서,상기 분산부 및 상기 분사부에 플라즈마화를 위한 파워가 인가되는 경우,상기 분산부와 상기 분사부에는 서로 다른 플라즈마를 위한 파워가 인가되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제9항에 있어서, 상기 분산부는,상기 공급부 하부에 위치하며, 하나의 영역으로 되어 있는 제1분산영역;상기 제1분산영역 하부에 위치하며, 복수의 영역으로 분할되어 있되, 각각의 영역 사이에는 통로가 있는 제2분산영역; 및상기 제2분산영역의 복수의 영역 각각의 하부에 결합되는 분출영역을 구비하고,상기 (b2)단계에서,상기 원료물질과 상기 첨가물질 중 어느 하나는 상기 제1분산영역에서 분산되어, 상기 제2분산영역의 복수의 영역 사이에 있는 통로를 통하여, 상기 분출영역을 둘러싸는 공간으로 분출되고,상기 원료물질과 상기 첨가물질 중 다른 하나는 상기 제2분산영역에서 분산되어, 상기 분출영역으로 분출되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 (b3)단계는,0.1Torr ~ 10 Torr의 챔버압력 및 100℃ ~ 500℃의 반도체기판온도에서 0.1 ~ 1.5kW의 파워를 인가하여 0.1 ~ 20g/min 으로 증착이 이루어지는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 비정질탄소막을 이용한 반도체 소자의 제조방법.
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