KR20090055326A - Cooling water cutoff device of ozone generator for semiconductor product device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 오존수를 세정설비로 공급하는 공급라인 상에 설치되어 공급되는 오존수를 일정 온도 이하로 냉각시키기 위한 칠러(chiller)부의 공급 파이프 라인 상에 개별적으로 차단 밸브를 장착한 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치에 관한 것이다. The present invention relates to a cooling water cutoff device of an ozone generator for semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a chiller part installed on a supply line for supplying ozone water to a cleaning facility to cool the supplied ozone water to a predetermined temperature or less. The present invention relates to a chilled water shutoff device for an ozone generator for a semiconductor manufacturing facility equipped with a shutoff valve individually on a supply pipeline.
최근에 반도체 소자의 디자인이 점차 세밀화되면서, 게이트 패턴의 동작전압, 문턱전압 등은 점차 낮아지는 추세에 있으며, 이에 맞춰 게이트 패턴을 웨이퍼 기판으로부터 분리하는 게이트 산화막 또한, 그 두께가 점차 얇아지는 추세에 있다.Recently, as the design of semiconductor devices has been gradually refined, the operating voltage and threshold voltage of the gate pattern have gradually decreased, and accordingly, the gate oxide film separating the gate pattern from the wafer substrate has also gradually decreased in thickness. have.
통상, 이러한 게이트 산화막은 자신의 성장 기반을 제공하는 웨이퍼 기판 표면의 클리닝 상태에 따라, 그 품질이 크게 달라지는 특성을 갖고 있는 바, 종래의 경우, 이를 감안하여, 게이트 산화막을 본격적으로 성장시키기 전, 웨이퍼 기판 표면의 클리닝 상태를 최적화시키는데 있어서, 여러 방면의 노력을 기울이고 있다.Usually, such a gate oxide film has a characteristic that the quality thereof varies greatly depending on the cleaning state of the wafer substrate surface providing its growth base. In the conventional case, in view of this, before the gate oxide film is grown in earnest, Various efforts have been made to optimize the cleaning state of the wafer substrate surface.
예를 들어, 종래에서는 게이트 산화막을 성장시키기 전, 희석불산(DHF:Diluted HF; 이하, "DHF"라 칭함)을 이용하여, 웨이퍼 기판 상에 형성된 오염 상태의 자연 산화막을 일차적으로 식각하는 과정을 진행하며, 이어, 오존수(O3 water), 순수(DI water) 등을 이용하여, 순수한 자연 산화막을 한번 더 성장시키는 과정을 진행시키고, 이를 통해, 웨이퍼 기판 표면의 클리닝 상태를 최적화시킴으로써, 최종 형성되는 게이트 산화막의 품질향상을 도모하고 있다.For example, conventionally, before growing a gate oxide film, a process of first etching a contaminated natural oxide film formed on a wafer substrate using dilute hydrofluoric acid (DHF: Diluted HF; hereinafter referred to as "DHF") is performed. Then, using the ozone water (O3 water), pure water (DI water), and the like to proceed with the process of growing a pure natural oxide film once more, thereby optimizing the cleaning state of the surface of the wafer substrate, thereby forming The quality of the gate oxide film is improved.
여기서 상기 오존수는 케미컬 산화막(chemical oxide)을 성장시키기에 더욱 유용하나 이를 위해서는 오존를 생성시키고 불안정한 오존가스를 순수에 용해시켜야 하는 번거로움이 있으며 더욱이 오존이 순수로부터 해리되는 문제점이 있다.Here, the ozone water is more useful for growing a chemical oxide, but for this purpose, there is a problem of generating ozone and dissolving unstable ozone gas in pure water, and furthermore, ozone is dissociated from pure water.
즉, 종래의 반도체 제조설비용 오존수 생성장치를 살펴보면 O2 가스에 고전압을 가하여 오존 가스로 변환시켜주어 오존수를 제공하는 오존 제너레이터와, 상기 오존 가스가 용해되는 순수를 공급하는 순수 공급부 및 오존가스를 순수에 강제 용해시키기 위한 용해수단을 구비하여 오존수를 생성하여 이를 공정 배스(bath)로 공급하게 된다.That is, the conventional ozone water generating device for semiconductor manufacturing equipment is O 2 Ozone generator for converting into ozone gas by applying high voltage to the gas and providing ozonated water; This is fed to a process bath.
이때, 오존 가스를 순수에 용존시킨 오존수를 세정설비로 공급하는 공급라인 상에 설치되어 공급되는 오존수를 일정 온도 이하로 냉각시키기 위한 칠러(chiller)부가 장착되어 있다. At this time, a chiller unit is installed on the supply line for supplying ozone water dissolved in pure water to a washing facility to cool the supplied ozone water to a predetermined temperature or less.
그런데, 상기한 종래의 오존 제너레이터의 고장 발생 시 상기 칠러부의 냉각수 공급라인을 차단시켜 상기 오존 제너레이터의 교체 작업을 실시해야 하는데, 도 2에 도시된 바와 같이, 오존 제너레이터(100) 및 칠러부(200) 사이의 냉각수 공급라인(300)에 상기 냉각수의 공급을 차단할 수 있도록 하는 장치의 부재로 인하여 전체 장비의 가동을 중단시켜야 함으로써, 가동률 및 생산성 저하가 발생하는 문제점이 있다. However, when the failure of the conventional ozone generator occurs, the cooling water supply line of the chiller unit should be shut off to replace the ozone generator. As shown in FIG. 2, the
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 복수개의 오존 제너레이터에 공급되는 냉각수의 공급 분기단 각각에 냉각수의 공급을 차단할 수 있는 차단 밸브를 장착함으로써, 종래의 오존 제너레이터의 고장 발생 시, 냉각수를 일정한 온도로 오존 제너레이터에 공급하는 칠러부의 전체 가동을 중지함에 따라 발생하는 가동률 및 생산성 저하를 방지할 수 있는 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치를 제공하고자 한다. Therefore, the present invention has been invented to solve the above problems, and the failure of the conventional ozone generator is provided by providing a shutoff valve capable of interrupting the supply of cooling water to each of the supply branch ends of the cooling water supplied to the plurality of ozone generators. In the event of occurrence, it is an object of the present invention to provide a coolant cutoff device of an ozone generator for a semiconductor manufacturing equipment that can prevent a decrease in operation rate and productivity caused by stopping the entire operation of a chiller part that supplies cooling water to an ozone generator at a constant temperature.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치는, O2 가스에 고전압을 가하여 O3 가스를 발생시키기 위한 오존 제너레이터(10)와, 냉각수의 온도를 일정하게 유지한 상태에서 냉각수를 공급하는 칠러부(20)와, 상기 칠러부(20)의 냉각수가 오존 제너레이터(10)로 순환 가능하도록 냉각수 공급라인(30a) 및 냉각수 배출라인(30b)이 구비되어지되, 상기 냉각수 공급라인(30a)에서 각각의 오존 제너레이터(10)로 분기되는 공급 분기라인(31a)에 차단 밸브(40)가 장착된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the cooling water blocking device of the ozone generator for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, O 2 O 3 by applying high voltage to the gas The
바람직한 실시예로서, 상기 차단 밸브(40)는 체크 밸브인 것이 바람직하다. In a preferred embodiment, the
이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치에 의하면, 고장이 발생한 오존 제너레이터에 공급되는 해당 냉각수만을 차단 가능함에 따라 칠러부의 전체 가동을 중지하여 전체 장비의 가동 중지를 방지함으로써, 안정된 장비 가동률 및 생산성의 안정화를 개선시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the cooling water blocking device of the ozone generator for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, the entire chiller unit can be stopped by stopping the entire operation of the chiller unit as only the cooling water supplied to the ozone generator that has failed can be blocked. By preventing the, there is an effect that can improve the stabilization of the stable equipment operation rate and productivity.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 구성에 대해 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the configuration of the present invention with reference to the accompanying drawings in detail.
첨부한 도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치를 나타내는 전체적인 구성도이다.1 is an overall configuration diagram illustrating a cooling water blocking device of an ozone generator for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
본 발명은 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체의 웨이퍼 기판 상에 형성된 오염 상태의 자연 산화막을 식각하고, 오존수 및 순수 등을 이용하여 순수한 자연 산화막을 한번 더 성장시켜 게이트 산화막의 품질을 향상시키는데 있어서, 이를 위하여 O2 가스에 고전압을 가하여 O3 가스(이하, 오존가스로 칭함)를 발생시키기 위한 오존 제너레이터(10)와, 상기 오존 제너레이터(10)로부터 공급되는 오존가스가 용해되는 순수를 공급하는 순수공급부(미도시)와, 오존가스를 순수에 용존시킨 오존수를 냉각시키기 위한 칠러(chiller)부(20)를 포함하여 구성되어 있다.As shown in FIG. 1, in the present invention, the natural oxide film in a contaminated state formed on a wafer substrate of a semiconductor is etched, and the pure natural oxide film is further grown by using ozone water and pure water to improve the quality of the gate oxide film. For this purpose O 2 O 3 by applying high voltage to the gas An
이때, 상기 칠러부(20)에서는 냉각수의 온도를 항상 20℃를 유지하도록 설정되어 오존 제너레이터(10)로 공급 가능하도록 냉각수 공급라인(30a)과 냉각수 배출라인(30b)이 구비되어 있다.In this case, the
상기 냉각수 공급라인(30a) 및 냉각수 배출라인(30b)은 상기 오존 제너레이터(10)의 개수에 일치하도록 분기라인(31a,31b)이 구비되어 있으며, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 4개의 오존 제너레이터(10)에 각각의 공급 분기라인(31a) 및 배출 분기라인(31b)이 구비되어 있다.The cooling water supply line 30a and the cooling
즉, 4개의 오존 제너레이터(10)와 4개의 공급 분기라인(31a), 그리고 4개의 배출 분기라인(31b)이 구비되어 있으며, 1개의 오존 제너레이터(10)에 1개의 공급 분기라인(31a) 및 1개의 배출 분기라인(31b)이 구비된 것이다.That is, four
이와 같이 구성된 오존 제너레이터(10)의 냉각수 공급시스템에 있어 상기 공급 분기라인(31a)에는 냉각수가 상기 오존 제너레이터(10)로 공급되지 않도록 하는 차단 밸브(40)가 장착되어 있는 바, 상기 차단 밸브(40)는 특히 역류 방지용 체크 밸브(40)로 상기 오존 제너레이터(10)로 공급되는 냉각수가 칠러부(20)로 역류하는 것을 방지하게 된다.In the cooling water supply system of the
즉, 상기 각각의 오존 제너레이터(10)로 공급되는 냉각수 중, 특정의 공급 분기라인(31a)의 냉각수를 차단하기 위하여 차단 밸브(40)가 구성되는 것이다.That is, the
이는 오존 제너레이터(10)의 고장 발생 시, 해당 오존 제너레이터(10)의 교체 작업을 수행할 수 있도록 냉각수 공급라인(30a) 중, 해당 공급 분기라인(31a)의 냉각수 공급을 차단 가능하도록 하기 위함이다.This is to enable the cooling water supply of the corresponding
즉, 상기 해당 공급 분기라인(31a)에 차단 밸브(40)를 설치하여, 고장이 발생한 오존 제너레이터(10)로의 냉각수 공급을 차단하게 되는 것이다.That is, the
이를 통해 종래의 특정 오존 제너레이터(10)의 교체 작업을 수행하기 위하여 전체 냉각수 공급시스템, 즉 칠러부(20)의 전체 가동을 중지함에 따라 정상적인 오존 제너레이터(10)까지 가동을 중단하게 되어 발생하게 되는 가동률 및 생산성 저하를 방지할 수 있게 된다.As a result, the entire cooling water supply system, that is, the
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 특허청구범위에서 청구된 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.Although the above has been shown and described with respect to the preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, in the technical field to which the present invention pertains without departing from the spirit of the invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes will fall within the scope of the claims set forth.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치를 나타내는 전체적인 구성도,1 is an overall configuration diagram showing a cooling water blocking device of an ozone generator for semiconductor manufacturing equipment according to the present invention,
도 2는 종래의 반도체 제조설비용 오존 제너레이터의 냉각수 차단장치를 나타내는 전체적인 구성도이다. 2 is a general configuration diagram showing a cooling water blocking device of a conventional ozone generator for semiconductor manufacturing equipment.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 : 오존 제너레이터 20 : 칠러부10: ozone generator 20: chiller part
30a : 냉각수 공급라인 30b : 냉각수 배출라인30a: cooling
31a : 공급 분기라인 31b : 배출 분기라인31a:
40 : 차단 밸브40: shutoff valve
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020070122191A KR20090055326A (en) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | Cooling water cutoff device of ozone generator for semiconductor product device |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020070122191A KR20090055326A (en) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | Cooling water cutoff device of ozone generator for semiconductor product device |
Publications (1)
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Family
ID=40987007
Family Applications (1)
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KR1020070122191A KR20090055326A (en) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | Cooling water cutoff device of ozone generator for semiconductor product device |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180125653A (en) | 2017-05-15 | 2018-11-26 | 한국기계연구원 | Ozone generating system with high energy efficiency |
-
2007
- 2007-11-28 KR KR1020070122191A patent/KR20090055326A/en not_active Application Discontinuation
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