KR20090046018A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 Download PDF

Info

Publication number
KR20090046018A
KR20090046018A KR1020070111919A KR20070111919A KR20090046018A KR 20090046018 A KR20090046018 A KR 20090046018A KR 1020070111919 A KR1020070111919 A KR 1020070111919A KR 20070111919 A KR20070111919 A KR 20070111919A KR 20090046018 A KR20090046018 A KR 20090046018A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phosphor layer
phosphor
blue
discharge
thickness
Prior art date
Application number
KR1020070111919A
Other languages
English (en)
Inventor
김희권
이지훈
함정현
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020070111919A priority Critical patent/KR20090046018A/ko
Priority to CN2008800009352A priority patent/CN101568988B/zh
Priority to US12/304,120 priority patent/US8350473B2/en
Priority to PCT/KR2008/001171 priority patent/WO2009061032A1/en
Publication of KR20090046018A publication Critical patent/KR20090046018A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/42—Fluorescent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판, 전면 기판과 대항되게 배치되는 후면 기판, 전면 기판과 후면 기판 사이에서 방전 셀을 구획하는 격벽 및 방전 셀에 배치되고, 형광체 재질과 첨가물 재질을 포함하는 형광체 층을 포함하고, 형광체 층은 적색 광을 방출하는 적색(Red) 형광체 층, 녹색 광을 방출하는 녹색(Green) 형광체 층 및 청색 광을 방출하는 청색(Blue) 형광체 층을 포함하며, 청색 형광체 층의 두께는 상기 적색 형광체 층의 두께보다 두껍다.
플라즈마 디스플레이 패널, 형광체, 첨가물, 산화마그네슘

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma Display Panel}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 격벽으로 구획된 방전 셀(Cell) 내에 형성된 형광체 층과, 아울러 복수의 전극(Electrode)을 포함한다.
플라즈마 디스플레이 패널의 전극에 구동 신호를 공급하면, 방전 셀 내에서는 공급되는 구동 신호에 의해 방전이 발생한다. 여기서, 방전 셀 내에서 구동 신호에 의해 방전이 될 때, 방전 셀 내에 충진 되어 있는 방전 가스가 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고, 이러한 진공 자외선이 방전 셀 내에 형성된 형광체를 발광시켜 가시 광을 발생시킨다. 이러한 가시 광에 의해 플라즈마 디스플레이 패널의 화면상에 영상이 표시된다.
본 발명은 콘트라스트(Contrast), 휘도 및 방전의 균일성(Uniformity)이 향상된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전면 기판, 전면 기판과 대항되게 배치되는 후면 기판, 전면 기판과 후면 기판 사이에서 방전 셀을 구획하는 격벽 및 방전 셀에 배치되고, 형광체 재질과 첨가물 재질을 포함하는 형광체 층을 포함하고, 형광체 층은 적색 광을 방출하는 적색(Red) 형광체 층, 녹색 광을 방출하는 녹색(Green) 형광체 층 및 청색 광을 방출하는 청색(Blue) 형광체 층을 포함하며, 청색 형광체 층의 두께는 상기 적색 형광체 층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 한다.
또한, 첨가물 재질은 산화마그네슘 재질, 산화아연 재질, 산화실리콘 재질, 산화티탄 재질, 산화이트륨 재질, 산화알루미늄 재질, 산화란탄 재질, 산화유로퓸 재질, 산화코발트 재질, 산화 철 재질 또는 CNT(Carbon Nano Tube)재질 중 적어도 하나인 것을 특징으로 한다.
첨가물 재질의 입자 중 적어도 하나는 형광체 층의 표면에 배치되거나, 형광체 층과 하부 유전체 층 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다.
첨가물 재질의 함량은 형광체 층의 부피 대비 2%이상 40%이하이거나, 더 좁게는 6%이상 27%이하인 것을 특징으로 한다.
적색 형광체 층, 녹색 형광체 층 및 청색 형광체 층 중 적어도 하나는 첨가물 재질이 생략되는 것을 특징으로 한다.
청색 형광체 층의 두께는 적색 형광체 층의 두께의 1.01배 이상 1.32배 이하이거나, 더 좁게는 1.05배 이상 1.26배 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일실시예에 다른 플라즈마 디스플레이 패널은 콘트라스트 특성, 휘도 특성 및 방전 균일성을 향상시킴으로써 영상의 화질을 개선하는 효과가 있다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 살펴보면, 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 서로 나란한 스캔 전극(102, Y)과 서스테인 전극(103, Z)이 형성되는 전면 기판(101)과, 스캔 전극(102, Y) 및 서스테인 전극(103, Z)과 교차하는 어드레스 전극(113, X)이 형성되는 후면 기판(111)을 포함할 수 있다.
스캔 전극(102, Y)과 서스테인 전극(103, Z)이 형성된 전면 기판(101)에는 스캔 전극(102, Y) 및 서스테인 전극(103, Z)의 방전 전류를 제한하며 스캔 전극(102, Y)과 서스테인 전극(103, Z) 간을 절연시키는 상부 유전체 층(104)이 배치될 수 있다.
상부 유전체 층(104)이 형성된 전면 기판(101)에는 방전 조건을 용이하게 하기 위한 보호 층(105)이 형성될 수 있다.
후면 기판(111) 상에는 어드레스 전극(113, X)이 형성되고, 이러한 어드레스 전극(113, X)이 형성된 후면 기판(111)의 상부에는 어드레스 전극(113, X)을 덮으며 어드레스 전극(113, X)을 절연시키는 하부 유전체 층(115)이 형성될 수 있다.
하부 유전체 층(115)의 상부에는 방전 셀을 구획하기 위한 스트라이프 타입(Stripe Type), 웰 타입(Well Type), 델타 타입(Delta Type), 벌집 타입 등의 격벽(112)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 전면 기판(101)과 후면 기판(111)의 사이에서 적색(Red : R)광을 방출하는 적색 방전 셀, 청색(Blue : B)광을 방출하는 청색 방전 셀 및 녹색(Green : G)광을 방출하는 녹색 방전 셀 등이 형성될 수 있다.
도 2는 방전 셀 별로 형광체 층의 두께에 대해 설명하기 위한 도면이다.
격벽(112)에 의해 구획된 방전 셀 내에는 어드레스 방전 시 화상표시를 위한 가시 광을 방출하는 형광체 층(114)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 적색(Red : R) 광을 발산하는 적색 형광체 층(114R), 녹색(Green : G) 광을 발산하는 녹색 형광체층(114G), 청색(Blue, B) 광을 발산하는 청색 형광체 층(114B)이 배치될 수 있다.
도 2를 살펴보면, (c)의 청색 방전 셀에 배치된 청색 형광체 층(114B)의 두께(t2)가 (a)의 적색 방전 셀에 배치된 적색 형광체 층(114R)의 두께(t1)보다 더 두껍다. 또한, (b)의 녹색 방전 셀에 배치된 녹색 형광체 층(114G)의 두께(t3)는 적색 형광체 층(114R)의 두께(t1)와 동일한 것도 가능하고, 상이한 것도 가능하다.
여기서, 적색 형광체 층(114R)의 두께(t1)는 스캔 전극 또는 서스테인 전극과 나란한 방향으로의 적색 방전 셀의 폭을 T라 할 때, T/2인 지점에서의 두께인 것이 바람직할 수 있다.
또한, 청색 형광체 층(114B)의 두께(t2)는 스캔 전극 또는 서스테인 전극과 나란한 방향으로의 청색 방전 셀의 폭을 T′라 할 때, T′/2인 지점에서의 두께인 것이 바람직할 수 있다.
이와 같이, 청색 형광체 층(114B)의 두께(t2)를 적색 형광체 층(114R)의 두께(t1)보다 더 두껍다는 것은, 청색 방전 셀에 도포되는 청색 형광체 재질의 양이 적색 방전 셀에 도포되는 적색 형광체 재질의 양보다 더 많음을 의미한다.
따라서 청색 방전 셀에서 방출하는 청색 광의 양이 증가할 수 있기 때문에 구현되는 영상의 색온도를 향상시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3b는 적색 형광체 층의 두께와 청색 형광체 층의 두께의 관계에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 3a에는 청색 형광체 층의 두께(t2)와 적색 형광체 층의 두께(t1)의 비율(t2/t1)을 0.95부터 1.4까지 변경하면서 구현되는 영상의 색온도를 측정한 데이터가 도시되어 있다. 이는, 적색 형광체 층의 두께(t1)를 대략 13㎛로 고정한 상태에서 청색 형광체 층의 두께(t2)를 변경하면서 측정한 데이터이다.
도 3a을 살펴보면, t2/t1이 0.95이상 1.0이하인 경우에는 색온도가 대략 6770K이상 6800K이하로서 상대적으로 작다.
반면에, t2/t1이 1.01인 경우에는 색온도가 대략 6860K로 상승함을 알 수 있다.
또한, t2/t1이 1.05인 경우에는 색온도가 대략 7250K이다.
또한, t2/t1이 1.1이상 1.26이하인 경우에는 색온도가 대략 7320K이상 7520K 이하로서 상대적으로 높은 것을 알 수 있다.
또한, t2/t1이 1.3이상인 경우에는 색온도가 대략 7550K이상의 값을 갖는다.
이상에서와 같이, t2/t1이 증가할수록 청색 방전 셀에서 발생하는 청색 광의 양이 증가함으로써, 색온도가 상승하는 것을 알 수 있다. 반면에, t2/t1이 1.35이상인 경우에는 t2/t1이 증가하여도 색온도의 향상 효과는 미미하다.
다음, 도 3b에는 청색 형광체 층의 두께(t2)와 적색 형광체 층의 두께(t1)의 비율(t2/t1)을 0.95부터 1.4까지 변경하면서 색 구현성을 평가한 데이터가 도시되어 있다.
◎표시는 색 구현성이 충분히 높아서 매우 양호함을 나타내고, ○표시는 상대적으로 양호함을 나타내고, X표시는 색 구현성이 과도하게 낮아서 매우 불량함을 나타낸다.
도 3b를 살펴보면 t2/t1이 0.95인 경우에는 색 구현성이 상대적으로 양호(○)하다. 또한, t2/t1이 1.3이상 1.32이하인 경우에도 색 구현성이 상대적으로 양호(○)하다.
또한, t2/t1이 1.0이상 1.26이하인 경우에는 색 구현성이 매우 양호(◎)하다. 이는, 적색 형광체 층의 두께(t1)와 청색 형광체 층의 두께(t2)의 비율이 적절함으로써, 적색 및 청색을 충분히 선명하게 구현할 수 있음을 나타낸다.
반면에, t2/t1이 1.4이상인 경우에는 청색 형광체 층의 두께(t2)에 비해 적색 형광체 층의 두께(t1)가 과도하게 얇아서 적색의 구현성이 저하되고, 이에 따라 전체 색 구현성이 저하됨으로써 매우 불량(X)하다.
이상의 도 3a 내지 도 3b의 데이터를 고려할 때, 청색 형광체 층의 두께(t2)는 적색 형광체 층의 두께(t1)의 1.01배 이상 1.32배 이하인 것이 바람직할 수 있고, 더욱 바람직하게는 1.05배 이상 1.26배 이하일 수 있다.
도 4는 방전 셀 간의 방전 불균일성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 살펴보면 (a) 및 (b)와 같이 서로 다른 형광체 층이 배치된 적색 방전 셀(400), 녹색 방전 셀(410), 청색 방전 셀(420)에서는 각각의 형광체 층의 전기적 특성이 서로 다른 이유로 인하여 방전의 발생 시점이 서로 다르게 될 수 있다.
예를 들어, 적색 방전 셀(400)에는 적색 광을 방출하는 적색 형광체 재질로서 (Y, Gd)BO:Eu 재질이 배치되고, 녹색 방전 셀(410)에는 녹색 광을 방출하는 녹색 형광체 재질로서 Zn2Si04:Mn+2 또는 YBO3:Tb+3 재질이 배치되며, 청색 방전 셀(420)에는 청색 광을 방출하는 청색 형광체 재질로서 (Ba, Sr, Eu)MgAl10O17 재질이 배치되는 것을 가정하여 보자.
여기서, (Y, Gd)BO:Eu 재질, (Ba, Sr, Eu)MgAl10O17 재질 및 Zn2Si04:Mn+2 또는 YBO3:Tb+3 재질은 유전율, 2차 전자 방출계수, 전자 친화도 등의 전기적 특성이 서로 다를 수 있다.
따라서, (a)와 같이 방전 초기에 적색 방전 셀(400)에서 상대적으로 일찍 방전이 개시되고, 녹색, 청색 방전 셀(410, 420)에서는 청색 방전 셀(400)보다는 상 대적으로 늦게 방전이 개시될 수 있다. 그러면, (b)와 같이 방전이 확산되어 피크 휘도가 구현되는 시점이 방전 셀 별로 달라질 수 있는 것이다.
특히, 형광체 층의 두께의 차이에 따라 형광체 층의 높이가 균일하지 않으면 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되고 어드레스 전극에 데이터 신호가 공급되면서 전하들이 형광체 재질의 입자 표면에 쌓일 경우, 형광체 층(114)의 특정 부분에 전하들이 집중될 수 있다. 이 경우, 전하들이 집중된 특정 부분에서 상대적으로 강한 방전이 발생할 수 있다.
이상에서와 같이, 방전 셀 간의 방전 특성의 차이를 개선하기 위해 형광체 층(114)에 첨가물 재질, 바람직하게는 산화마그네슘(MgO) 재질을 포함시킬 수 있다.
도 5는 첨가물 재질의 입자를 포함한 형광체 층에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 살펴보면, 형광체 층(114)은 형광체 재질의 입자(1000)와 첨가물 재질의 입자(1010)를 포함한다.
첨가물 재질의 입자(1010)는 스캔 전극과 어드레스 전극 사이 또는 서스테인 전극과 어드레스 전극 사이에서의 방전 응답 특성을 향상시킬 수 있다. 이에 대해 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에서와 같이 형광체 층이 산화마그네슘 등의 첨가물 재질을 포함하는 경우에는 첨가물 재질의 입자가 방전의 촉매 역할을 수행함으로써, 상대적으로 낮은 전압으로도 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 방전이 안정되게 발생할 수 있 다.
따라서 전하들이 집중된 특정 부분에서 상대적으로 높은 전압에 의해 강한 방전이 발생하기 이전에 첨가물 재질의 입자가 배치된 부분에서 상대적으로 낮은 전압에 의해 먼저 방전이 발생할 수 있다.
즉, 각 방전 셀에서 방전이 개시되는 시점 및 피크 휘도가 구현되는 시점을 실질적으로 동일하게 할 수 있는 것이다. 이에 따라 방전 균일성(Uniformity)이 향상될 수 있다.
이는 첨가물 재질의 전기적 특성이 2차 전자 방출계수가 상대적으로 높아서, 방전 시 첨가물 재질의 입자들이 다량의 전자를 방출하기 때문이다.
첨가물 재질은 스캔 전극과 어드레스 전극 사이 또는 서스테인 전극과 어드레스 전극 사이에서의 방전 응답 특성을 향상시키는 것을 제외하고는 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 첨가물 재질은 알칼리토금속 산화물 재질, 희토류 산화물 재질 또는 불화물 재질 중 적어도 하나일 수 있다. 바람직하게는 첨가물 재질은 MgO, CaO, SrO, BaO, Y2O3, La2O3, CeO2, Er2O3, Lu2O3, LiF, CaF2, MgF2 중 적어도 하나일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 첨가물 재질은 MgO 재질일 수 있다.
또한, 형광체 층(114)의 표면에서 형광체 재질의 입자(1000) 중 적어도 하나는 방전 셀의 중심방향으로 노출될 수 있다. 예를 들면, 첨가물 재질의 입자(1010)는 형광체 층(114)의 표면에서 형광체 재질의 입자(1000)들 사이에 배치됨으로써 적어도 하나의 형광체 재질의 입자(1000)가 노출될 수 있다.
이와 같이, 첨가물 재질의 입자(1010)가 형광체 재질의 입자(1000)들 사이에 배치되면, 스캔 전극과 어드레스 전극 사이 또는 서스테인 전극과 어드레스 전극 사이에서의 방전 응답 특성을 향상시킬 수 있고, 아울러 첨가물 재질의 입자(1010)에 의해 가려지는 형광체 재질의 입자(1000)의 표면적을 최소화할 수 있음으로써 휘도의 과도한 저하를 방지할 수 있다.
도시하지는 않았지만 첨가물 재질의 입자(1010)가 형광체 층(114)의 표면에 균일하게 코팅(Coating)되어 형광체 층(114) 표면에 첨가물 재질 층이 형성되는 경우에는, 첨가물 재질 층이 형광체 재질의 입자(1000)의 표면을 대부분 가리게 됨으로써 휘도가 과도하게 저하될 수 있는 것이다.
도 6은 첨가물 재질의 입자를 포함한 형광체 층의 제조 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 6과 같이, 먼저 첨가물 재질의 분말을 제조할 수 있다(S1100). 예를 들면, 산화마그네슘의 일례를 살펴보면 마그네슘을 가열해서 이때 발생하는 마그네슘 증기를 기상 산화함으로써 산화마그네슘 재질의 분말을 제조할 수 있다.
다음, 제조한 첨가물 재질의 분말은 솔벤트(Solvent)와 혼합한다(S1110). 예를 들면, 산화마그네슘 재질의 분말을 메탄올과 혼합하여 첨가물 페이스트(Paste) 또는 첨가물 슬러리(Slurry)를 제조한다. 여기서, 페이스트 또는 슬러리의 점도 조절을 위해 바인더(Binder)가 더 첨가될 수 있다.
다음, 용매와 혼합한 첨가물 재질을 형광체 층의 상부에 도포한다(S1120). 이때, 용매와 혼합한 첨가물 재질의 점도를 조절하여 첨가물 재질의 입자가 형광체 재질의 입자들 사이에 원활하게 배치될 수 있도록 한다.
다음, 건조 또는 소성 공정을 수행한다(S1130). 그러면, 첨가물 재질과 혼합된 용매가 증발하여 도 5에서와 같은 형광체 층이 형성될 수 있다.
도 7a 내지 도 7b는 형광체 층에 포함된 첨가물 재질의 효과에 대해 보다 상세히 설명하기 위한 도면이다.
도 7a에는 비교예, 실시예 1, 실시예 2, 실시예 3의 방전 개시 전압(Firing Voltage)과, 구현되는 영상의 휘도, 명실 콘트라스트(명실CR)에 대한 데이터가 도시되어 있다.
여기서, 명실 콘트라스트는 주위가 상대적으로 밝은 명실에서 45% 윈도우 패턴의 영상을 화면에 표시하면서 콘트라스트를 측정한 것이고, 방전 개시 전압은 스캔 전극과 어드레스 전극 사이의 방전 개시 전압이다.
비교예는 형광체 층이 첨가물 재질을 포함하지 않는 경우이다.
실시예 1은 형광체 층이 첨가물 재질로서 형광체 층의 부피 대비 3%의 산화마그네슘을 포함하는 경우이다.
실시예 2는 형광체 층이 첨가물 재질로서 형광체 층의 부피 대비 9%의 산화마그네슘을 포함하는 경우이다.
실시예 3은 형광체 층이 첨가물 재질로서 형광체 층의 부피 대비 12%의 산화마그네슘을 포함하는 경우이다.
비교예를 살펴보면, 방전 개시 전압이 135V이고, 이때 구현되는 영상의 휘도 는 170[cd/m2]이다.
반면에, 실시예 1, 2, 3을 살펴보면, 방전 개시 전압이 127V이상 129V이하이고, 이때 구현되는 영상의 휘도는 176[cd/m2]이상178[cd/m2]이하로서, 비교예에 비해 방전 개시 전압은 더 낮고, 구현되는 영상의 휘도는 더 높은 것을 알 수 있다. 이는, 첨가물 재질로서 포함된 산화마그네슘(MgO) 재질의 입자가 방전의 촉매 역할을 수행함으로써, 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 방전 개시 전압이 낮아지고, 방전 개시 전압이 낮아짐에 따라 동일 전압에 의해 발생하는 방전의 세기가 더 강해짐으로써 구현되는 영상의 휘도가 더욱 증가한 것으로 해석할 수 있다.
또한, 비교예와 실시예 1, 2, 3의 25% 윈도우 패턴의 명실 콘트라스트를 살펴보면, 비교예는 명실 콘트라스트가 55:1인 반면에, 실시예 1, 2, 3의 명실 콘트라스트는 58:1이상 61:1이하로서 비교예에 비해 콘트라스트 특성이 더욱 향상되었음을 확인할 수 있다.
이는, 실시예 1, 2, 3의 경우가 비교예의 경우에 비해 상대적으로 낮은 전압에서 균일한 방전이 발생하고, 이에 따라 리셋 기간에서 발생하는 광량이 상대적으로 적을 수 있기 때문이다.
도 7b를 살펴보면, (a)에는 실시예 1, 2, 3의 경우가 도시되어 있고, (b)에는 비교예의 경우가 도시되어 있다.
(b)를 살펴보면, 형광체 층에 산화마그네슘(MgO) 재질이 포함되지 않는 비교 예에서는, 상대적으로 높은 전압에서 방전이 발생하고, 이에 따라 순간적으로 강한 방전이 급격하게 발생하기 때문에, 이때 발생하는 광량도 순간적으로 급격히 증가할 수 있다. 따라서 콘트라스트 특성이 악화될 수 있다.
반면에, (a)를 살펴보면 형광체 층에 산화마그네슘(MgO) 재질이 포함되는 경우에는, 상대적으로 낮은 전압에서 방전이 발생할 수 있고, 이에 따라 약한 방전이 리셋 기간 동안 지속적으로 발생할 수 있다. 따라서 이때 발생하는 광량도 상대적으로 적기 때문에 콘트라스트 특성이 향상되는 것이다.
도 8은 형광체 층에 포함된 첨가물 재질의 함량과 방전 지연 시간의 관계에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 8에는 첨가물 재질로서 산화마그네슘(MgO)을 사용하고, 산화마그네슘 재질의 부피(A)와 형광체 층의 부피(B)의 비율(A/B, 단위 %)을 0%에서 50%까지 변화시키면서 어드레스 방전의 방전 지연 시간을 측정한 데이터가 도시되어 있다.
어드레스 방전 지연 특성은 어드레스 기간에서 스캔 전극에 스캔 신호가 공급되고 어드레스 전극에 데이터 신호가 공급되는 시점과 스캔 전극과 어드레스 전극 사이에서 어드레스 방전이 발생하는 시점까지의 시간 차이를 의미한다.
도 8을 살펴보면, 산화마그네슘 재질의 함량이 형광체 층의 부피 대비 0%인 경우는 방전 지연 시간이 대략 0.8㎲인 것을 알 수 있다.
반면에, 산화마그네슘 재질의 함량이 형광체 층의 부피 대비 2%인 경우는 방전 지연 시간이 대략 0.75㎲로 개선된 것을 알 수 있다. 즉, 어드레스 지터(Jitter) 특성이 개선된 것이다. 이는, 산화마그네슘 재질의 입자가 스캔 전극과 어드레스 전극 사이의 방전 응답 특성을 향상시키기 때문이다.
또한, 산화마그네슘 재질의 함량이 형광체 층의 부피 대비 5%인 경우는 방전 지연 시간이 대략 0.72㎲이고, 6%인 경우는 방전 지연 시간이 대략 0.63㎲이다.
또한, 산화마그네슘 재질의 함량이 형광체 층의 부피 대비 10%이상 50% 사이에서는 방전 지연 시간이 대략 0.55㎲에서 0.24㎲까지 감소함을 알 수 있다.
이상의 도 8의 데이터를 살펴보면, 산화마그네슘 재질의 함량이 증가할수록 방전 지연 시간이 감소하여 지터 특성이 개선되지만, 그 개선 정도는 점진적으로 감소함을 알 수 있다. 또한, 산화마그네슘 재질의 함량이 형광체 층의 부피 대비 40%이상인 경우는 방전 지연 시간의 개선 정도가 매우 미미해짐을 알 수 있다.
반면에, 산화마그네슘 재질의 함량이 과도하게 많은 경우에는 산화마그네슘 재질 입자가 형광체 재질의 입자의 표면을 과도하게 가릴 수 있고, 이에 따라 휘도가 저하될 수 있다.
따라서 방전 지연 시간을 감소시키며 휘도의 과도한 저하를 방지하기 위해서 산화마그네슘 재질의 함량이 형광체 층의 부피 대비 2%이상 40%이하인 것이 바람직할 수 있고, 더욱 바람직하게는 6%이상 27%이하일 수 있다.
도 9는 첨가물 재질 입자의 입도와 휘도 및 공정 난이도의 관계에 대해 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 첨가물 재질의 입자의 입도를 R1이라 하고, 형광체 재질의 입자의 입도를 R2라 하자.
도 9에서는 첨가물 재질로서 산화마그네슘을 사용하고, 또한 사용되는 산화마그네슘 재질의 함량은 형광체 층의 부피 대비 16%인 상태에서 산화마그네슘 재질 입자의 입도(R1)를 변경하면서 휘도를 관찰하고, 이때의 공정 난이도를 판단한 것이다. 여기서, ◎표시는 매우 양호함을 나타내고, ○표시는 상대적으로 양호함을 나타내고, X표시는 불량함을 나타낸다.
휘도를 관찰할 때는 주위가 어두운 암실에서 특정 패턴의 영상을 화면에 표시하는 상태에서 다수의 관찰자가 영상의 휘도를 관능적으로 평가하였다.
도 9를 살펴보면, 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)의 0.001배 이상 0.25배 이하인 경우에는 형광체 재질의 입자의 입도(R2)에 비해 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 충분히 작기 때문에, 형광체 재질의 입자들 사이에 산화마그네슘 재질의 입자들이 충분히 위치할 수 있어서, 형광체 재질의 입자들의 가시광선 배출경로를 충분히 확보할 수 있다. 따라서 휘도는 매우 양호(◎)하다.
또한, 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)의 0.275배 이상 1.0배 이하인 경우에 휘도는 상대적으로 양호(○)하다.
반면에, 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)의 1.0배를 초과하는 경우에는 형광체 재질의 입자의 입도(R2)에 비해 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 크기 때문에, 산화마그네슘 재질의 입자들이 형광체 재질의 입자들의 가시광선 배출경로를 차단함으로써 휘도는 불량함을 알 수 있다.
또한, 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)의 0.001배 이상 0.003배 이하인 경우에는 산화마그네슘 재질의 입자의 입 도(R1)가 과도하게 작기 때문에 산화마그네슘 재질의 입자를 취급하는 공정의 난이도가 불량함을 알 수 있다.
또한 산화마그네슘 재질의 입자의 크기(R1)가 형광체 재질의 입자(R2)의 크기(R2)에 비해 과도하게 작기 때문에 산화마그네슘 재질의 입자들이 형광체 층의 표면에 위치하지 못하고, 대부분 형광체 입자들 사이 공간으로 흘러들어 형광체 층 내부에 위치함으로써, 스캔 전극과 어드레스 전극 사이 또는 서스테인 전극과 어드레스 전극 사이에서 방전이 안정되게 발생하는 효과가 미미해질 수 있다.
반면에, 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)의 0.005배 이상 0.03배 이하인 경우 및 0.4배 이상 1.0배 이하인 경우에는 산화마그네슘 재질의 입자의 크기(R1)가 적절하여 공정 난이도가 상대적으로 양호하다.
또한, 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)의 0.05배 이상 0.3배 이하인 경우에는 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 최적화되어 공정 난이도가 매우 양호하다.
아울러, 이러한 경우에는, 대부분의 산화마그네슘 입자들이 형광체 층의 표면에서 형광체 재질의 입자들 사이에 배치될 수 있어서, 스캔 전극과 어드레스 전극 사이 또는 서스테인 전극과 어드레스 전극 사이에서 방전이 안정되게 발생하는 효과가 발생할 수 있게 된다.
이상의 데이터를 고려할 때, 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)는 형광체 재질 입자(R2)의 0.005배 이상 1배 이하인 것이 바람직할 수 있고, 더욱 바람직하 게는 0.05배 이상 0.25배 이하일 수 있다. 예를 들면, 산화마그네슘 재질의 입자의 크기는 20nm이상 3000nm이하일 수 있다.
한편, 이상에서는 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)에 비해 상대적으로 작은 경우만을 설명하고 있지만, 형광체 재질의 입자의 입도(R2)가 현재보다 더 작아질 경우에는 산화마그네슘 재질의 입자의 입도(R1)가 형광체 재질의 입자의 입도(R2)보다 더 커질 수도 있을 것이다.
도 10은 첨가물 재질을 형광체 층의 또 다른 구조의 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 살펴보면, 형광체 층(114)에서 첨가물 재질의 입자(1010)는 형광체 층(114)의 표면, 형광체 층(114)의 내부, 형광체 층(114) 또는 하부 유전체 층(115)의 사이에 배치될 수 있다.
첨가물 재질의 입자(1010)가 형광체 층(114)의 표면, 형광체 층(114)의 내부, 형광체 층(114)과 하부 유전체 층(115)의 사이에 배치되면, 스캔 전극과 어드레스 전극 사이 또는 서스테인 전극과 어드레스 전극 사이에서의 방전 응답 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 11은 첨가물 재질을 포함한 형광체 층의 제조 방법의 또 다른 일례에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 살펴보면 도 10과 같은 구조를 갖는 형광체 층(114)의 제조 방법의 일례가 도시되어 있다.
도 11을 살펴보면, 먼저 첨가물 재질의 분말을 제조한다(S1600).
다음, 제조한 첨가물 재질의 분말과 형광체 재질의 입자를 혼합한다(S1610).
다음, 첨가물 재질의 분말과 형광체 재질의 입자를 용매와 혼합한다(S1620).
다음, 용매와 혼합한 첨가물 재질과 형광체 재질을 방전 셀 내에 도포한다(S1630). 이때, 디스펜싱(Dispensing)법이 사용될 수도 있다.
다음, 건조 또는 소성 공정을 수행한다(S1640). 그러면, 용매가 증발하고, 도 10과 같은 구조의 형광체 층(114)이 형성될 수 있다.
도 12는 첨가물 재질을 방전 셀 별로 선택적으로 사용하는 방법에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 12를 살펴보면, 형광체 층(114)은 적색 광을 방출하는 적색 형광체 층(114R), 청색 광을 방출하는 청색 형광체 층(114B) 및 녹색 광을 방출하는 녹색 형광체 층(114G)을 포함하고, 이러한 적색 형광체 층(114R), 청색 형광체 층(114B) 또는 녹색 형광체 층(114G) 중 적어도 하나에서는 첨가물 재질을 생략될 수 있다.
예를 들면, 적색 형광체 층(114R)에는 (a)와 같이 적색 형광체 재질의 입자(1200)가 포함되지만 첨가물 재질은 포함되지 않고, 청색 형광체 층(114B)에는 (b)와 같이 청색 형광체 재질의 입자(1210)와 첨가물 재질의 입자(1010)를 포함할 수 있다.
이러한 도 12와 같은 구조는 청색 형광체 층(114B)의 전기적 특성과 적색 형광체 층(114R)의 전기적 특성이 서로 다른 경우에 적용될 수 있다.
예를 들어, 청색 형광체 층(114B)의 표면에 쌓이는 전하의 양이 적색 형광체 층(114R)의 표면에 쌓이는 전하의 양에 비해 적은 경우에는 청색 형광체 층(114B) 의 방전 특성이 적색 형광체 층(214R)의 방전 특성보다 더 늦을 수 있다.
이러한 경우에, 청색 형광체 층(114B)에 첨가물 재질의 입자(1010)를 포함시키게 되면 청색 형광체 층(114B)의 방전 특성이 빨라질 수 있고, 이에 따라 적색 형광체 층(114R)과 청색 형광체 층(114B)의 방전 특성을 균일하게 할 수 있는 것이다.
한편, 형광체 층의 제조시 형광체 재질의 파우더 및 첨가물 재질의 파우더와 혼합되는 바인더(Binder) 및 솔벤트의 함량에 따라 형광체 층의 탄소(Carbon) 함유량이 달라질 수 있고, 이러한 탄소 함유량에 따라 패널 특성이 변경될 수 있다. 이에 대해 살펴보면 다음과 같다.
예를 들어, 형광체 재질 파우더, 첨가물 재질 파우더, 바인더 및 솔벤트를 혼합하여 페이스트 상태의 형광체 조성물을 형성하고, 형광체 조성물을 방전 셀에 도포한 이후에, 도포한 형광체 조성물을 소성하여 형광체 층을 형성하는 경우를 가정하자.
이러한 경우에, 소성 시에 바인더가 증발하면서 탄소 성분을 형광체 층에 남기게 된다. 이러한 형광체 층에 잔류하는 탄소 성분은 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도 특성을 악화시킬 수 있기 때문에 형광체 조성물에 함유되는 바인더의 양은 상대적으로 적은 것이 유리할 수 있다.
반면에, 형광체 조성물에서 바인더의 함량이 과도하게 적어지게 되면, 형광체 조성물의 점도가 과도하게 낮아지기 때문에 형광체 층의 성형이 어렵다는 문제점이 발생할 수 있다.
또한, 형광체 조성물에서 솔벤트의 함량이 과도하게 적은 경우에는 형광체 조성물의 점도가 과도하게 낮아질 수 있다.
이를 고려하면, 형광체 조성물에 포함되는 바인더 및 솔벤트의 함량은 형광체 조성물의 점도 특성을 악화시키지 않으면서도 소성 후에 휘도 특성을 향상시킬 수 있도록 조절되는 것이 바람직할 수 있다.
도 13a 내지 도 13b는 형광체 조성물의 탄소 함유량 및 이에 따른 휘도 특성에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 13a에는 형광체 조성물에서 바인더 함유량의 변화에 따른 탄소 함유량에 대한 데이터가 도시되어 있다. 도 13a에 도시된 데이터는 형광체 재질 파우더, 솔벤트 및 바인더를 혼합하여 형광체 조성물을 형성한 이후에, 형광체 조성물을 연소시키고, 연소된 형광체 조성물의 잔존 물질을 분석함으로써 탄소 함유량을 측정한 것이다. 또한, 모든 타입은 공통적으로 7%의 산화마그네슘 재질을 포함한다.
A, B, C, D 타입에서 사용되는 형광체 파우더는 YVPO4:Eu 재질이고, E, F, G, H 타입에서 사용되는 형광체 파우더는 (Y, Gd)BO:Eu 재질이다.
도 13a를 살펴보면 A 타입 형광체 조성물은 44.5중량부의 형광체 파우더, 35.5중량부의 솔벤트, 20중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 A 타입의 탄소 함유량은 대략 1883ppm(Parts Per Millon)이다.
B 타입 형광체 조성물은 44.5중량부의 형광체 파우더, 41.5중량부의 솔벤트, 14중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 B 타입의 탄소 함유량은 대략 1080ppm 이다.
C 타입 형광체 조성물은 44.5중량부의 형광체 파우더, 45.5중량부의 솔벤트, 10중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 B 타입의 탄소 함유량은 대략 640ppm이다.
D 타입 형광체 조성물은 44.5중량부의 형광체 파우더, 51.5중량부의 솔벤트, 4중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 D 타입의 탄소 함유량은 대략 155ppm이다.
E 타입 형광체 조성물은 31.5중량부의 형광체 파우더, 49.5중량부의 솔벤트, 19중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 E 타입의 탄소 함유량은 대략 2370ppm이다.
F 타입 형광체 조성물은 31.5중량부의 형광체 파우더, 56.5중량부의 솔벤트, 12중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 F 타입의 탄소 함유량은 대략 1825ppm이다.
G 타입 형광체 조성물은 31.5중량부의 형광체 파우더, 61.5중량부의 솔벤트, 7중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 G 타입의 탄소 함유량은 대략 722ppm이다.
H 타입 형광체 조성물은 31.5중량부의 형광체 파우더, 63중량부의 솔벤트, 5.5중량부의 바인더를 혼합한 것으로, 이러한 H 타입의 탄소 함유량은 대략 207ppm이다.
이상의 도 13a의 데이터를 고려하면, 형광체 조성물의 탄소 함유량은 바인더 의 함유량에 따라 변경될 수 있다는 것을 알 수 있다.
도 13b에는 탄소 함유량의 변화에 따른 구현되는 영상의 휘도에 대한 데이터가 도시되어 있다. 도 13b에 도시된 데이터는 도 13a에 도시된 A~H 타입의 형광체 조성물을 이용하여 각각 A~H 타입의 플라즈마 디스플레이 패널을 제작하고, 제작한 플라즈마 디스플레이 패널을 동작시키면서 휘도를 측정한 것이다.
휘도를 측정할 때는 모든 방전 셀을 턴-온(Turn-on)시키는 풀-화이트(Full-White, F/W)인 경우의 휘도와, 화면에 25% 윈도우(Window) 패턴의 영상을 표시하는 경우의 휘도를 각각 측정한다. 휘도의 단위는 [cd/m2]이다.
도 13b를 살펴보면, A 타입인 경우에 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 192V의 구동 전압을 걸어주고, 풀-화이트에서 발생하는 광의 휘도를 측정하면, 휘도는 대략 120[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴에서 발생하는 광의 휘도는 대략 319[cd/m2]이다.
또한, B 타입인 경우에 풀-화이트 휘도는 대략 126[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴 휘도는 대략 327[cd/m2]이다.
C 타입인 경우에 풀-화이트 휘도는 대략 133[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴 휘도는 대략 343[cd/m2]이다.
D 타입인 경우에 풀-화이트 휘도는 대략 149[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴 휘도는 대략 377[cd/m2]이다.
E 타입인 경우에 풀-화이트 휘도는 대략 117[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴 휘도는 대략 304[cd/m2]이다.
F 타입인 경우에 풀-화이트 휘도는 대략 121[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴 휘도는 대략 322[cd/m2]이다.
G 타입인 경우에 풀-화이트 휘도는 대략 132[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴 휘도는 대략 338[cd/m2]이다.
H 타입인 경우에 풀-화이트 휘도는 대략 148[cd/m2]이고, 25% 윈도우 패턴 휘도는 대략 373[cd/m2]이다.
이상의 도 13a 내지 도 13b의 데이터를 고려하면, 형광체 조성물에서 탄소 함유량이 상대적으로 많은 경우에는 그 형광체 조성물로부터 제조되는 형광체 층을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널에서 구현되는 영상의 휘도가 저하될 수 있고, 반면에 탄소 함유량이 상대적으로 적은 경우에는 구현되는 영상의 휘도가 향상될 수 있다.
이와 같이, 탄소 함유량이 많을수록 구현되는 영상의 휘도가 저하되는 이유를 살펴보면 다음과 같다.
형광체 조성물의 소성 공정 시 형광체 조성물에 포함된 바인더가 연소되면서 바인더에 포함된 탄소 성분에 배출됨으로써, 패널 내부에 충진된 방전 가스에 탄소가 혼합될 수 있다. 이러한 탄소는 산소와 결합하여 일산화탄소(CO) 또는 이산화탄소(CO2) 등의 불순 가스를 생성할 수 있다. 이러한, 탄소에 의해 생성된 불순 가스는 방전 가스가 자외선을 방출하는 것을 방해하게 되고, 이에 따라 형광체 층에 조사되는 자외선의 양이 감소함으로써 영상의 휘도가 감소할 수 있는 것이다.
또한, 형광체 조성물의 소성 공정 시 형광체 조성물에 포함된 바인더가 연소되면서 바인더에 포함된 탄소 성분이 형광체 층 표면에 잔존할 수 있다. 그러면, 탄소 성분에 의해 형광체 층 표면의 일부가 가려질 수 있고, 이로 인해 구현되는 영상의 휘도가 감소할 수 있다.
도 14a 내지 도 14b는 형광체 조성물에서 바인더와 형광체 파우더의 비율에 대해 설명하기 위한 도면이다.
도 14a에는 형광체 파우더로 (Ba, Sr, Eu)MgAl10O17 재질을 사용하고, 바인더로는 아크릴 수지 재질을 사용하고, 솔벤트로는 디에틸렌글리콜을 사용하여 형광체 조성물을 형성하고, 여기서 바인더와 형광체 파우더의 비율(B/P)을 1%부터 25%까지 변경시키면서 형광체 조성물의 탄소 함유량을 측정한 데이터가 도시되어 있다.
도 14a를 살펴보면, B/P가 1%인 경우, 즉 바인더의 함유량이 형광체 파우더의 함유량의 1%인 경우에 형광체 조성물의 탄소 함유량은 대략 70ppm이다.
B/P가 3%인 경우에는 형광체 조성물의 탄소 함유량은 대략 91ppm이다.
B/P가 5%인 경우에는 형광체 조성물의 탄소 함유량은 대략 107ppm이다.
B/P가 10%인 경우에는 형광체 조성물의 탄소 함유량은 대략 139ppm이다.
B/P가 15%인 경우에는 대략 196ppm이고, B/P가 17%인 경우에는 대략 282ppm이고, B/P가 20%인 경우에는 대략 440ppm이고, B/P가 25%인 경우에는 대략 895ppm이다.
도 14b에는 도 14a에 기재된 형광체 조성물을 이용하여 플라즈마 디스플레이 패널의 제작하고, 제작한 패널을 동작시키면서 구현되는 영상의 휘도를 측정한 데이터가 도시되어 있다.
여기서, 휘도는 모든 방전 셀을 턴-온시키는 풀-화이트 패턴의 휘도이고, 그 단위는 [cd/m2]이다.
도 14b을 살펴보면, B/P가 1%인 경우, 즉 바인더의 함유량이 형광체 파우더의 함유량의 1%인 경우에 구현되는 영상의 휘도는 대략 152[cd/m2]이다.
B/P가 3%인 경우에는 구현되는 영상의 휘도는 대략 150[cd/m2]이다.
B/P가 5%인 경우에는 구현되는 영상의 휘도는 대략 149[cd/m2]이다.
B/P가 10%인 경우에는 구현되는 영상의 휘도는 대략 150[cd/m2]이다.
B/P가 15%인 경우에는 대략 144[cd/m2]이고, B/P가 17%인 경우에는 대략 142[cd/m2]이고, B/P가 20%인 경우에는 대략 137[cd/m2]이고, B/P가 25%인 경우에는 대략 124[cd/m2]이다.
이상의 도 14a 내지 14b의 데이터와 같이, 바인더 함유량이 형광체 파우더 함유량의 17%이하에서는 형광체 조성물의 탄소 함유량이 대략 300ppm이하로서 충분히 낮고, 이로부터 제조되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 구현되는 영상의 휘도는 대략 140[cd/m2]이상으로 충분히 높다.
또한, 바인더 함유량이 형광체 파우더 함유량의 17%이상 20%이하에서는 형광체 조성물의 탄소 함유량이 대략 450ppm이하로서 상대적으로 낮고, 이로부터 제조되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 구현되는 영상의 휘도는 대략 135[cd/m2]이상으로 상대적으로 높다.
반면에, 바인더 함유량이 형광체 파우더 함유량의 25%이상에서는 형광체 조성물의 탄소 함유량이 대략 800ppm이상으로서 과도하게 높고, 이로부터 제조되는 플라즈마 디스플레이 패널에서 구현되는 영상의 휘도는 대략 125[cd/m2]이하로 과도하게 낮다.
이상의 데이터에 따라 형광체 조성물의 탄소 함유량이 500ppm이하인 것이 구현되는 영상의 휘도 특성을 고려할 때 유리할 수 있을 것이다.
한편, 형광체 조성물에서 바인더의 함유량이 과도하게 적은 경우에는 형광체 조성물의 점도가 과도하게 낮아져서 형광체 층 형성 공정에 불리할 수 있다.
따라서 탄소 함유량을 낮추어 이로부터 제조되는 플라즈마 디스플레이 패널 의 휘도를 향상시키면서도, 형광체 조성물의 점도를 충분히 유지하기 위해서는 형광체 조성물에서 바인더의 함량이 형광체 파우더의 함량의 3%이상 20%이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5%이상 17%이하일 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대해 설명하기 위한 도면;
도 2는 방전 셀별로 형광체 층의 두께에 대해 설명하기 위한 도면;
도 3a 내지 도 3b는 적색 형광체 층의 두께와 청색 형광체 층의 두께의 관계에 대해 설명하기 위한 도면;
도 4는 방전 셀간의 방전 불균일성에 대해 설명하기 위한 도면;
도 5는 첨가물 재질의 입자를 포함한 형광체 층에 대해 설명하기 위한 도면;
도 6은 첨가물 재질의 입자를 포함한 형광체 층의 제조 방법의 일례에 대해 설명하기 위한 도면;
도 7a 내지 도 7b는 형광체 층에 포함된 첨가물 재질의 효과에 대해 보다 상세히 설명하기 위한 도면;
도 8은 형광체 층에 포함된 첨가물 재질의 함량과 방전 지연 시간의 관계에 대해 설명하기 위한 도면;
도 9는 첨가물 재질 입자의 입도와 휘도 및 공정 난이도의 관계에 대해 설명하기 위한 도면;
도 10은 첨가물 재질을 형광체 층의 또 다른 구조의 일례에 대해 설명하기 위한 도면;
도 11은 첨가물 재질을 포함한 형광체 층의 제조 방법의 또 다른 일례에 대해 설명하기 위한 도면;
도 12는 첨가물 재질을 방전 셀 별로 선택적으로 사용방법에 대해 설명하기 위한 도면;
도 13a 내지 도 13b는 형광체 조성물의 탄소 함유량 및 이에 따른 휘도 특성에 대해 설명하기 위한 도면;및
도 14a 내지 도 14b는 형광체 조성물에서 바인더와 형광체 파우더의 비율에 대해 설명하기 위한 도면이다.

Claims (9)

  1. 전면 기판;
    상기 전면 기판과 대항되게 배치되는 후면 기판;
    상기 전면 기판과 상기 후면 기판 사이에서 방전 셀을 구획하는 격벽; 및
    상기 방전 셀에 배치되고, 형광체 재질과 첨가물 재질을 포함하는 형광체 층;을 포함하고,
    상기 형광체 층은 적색 광을 방출하는 적색(Red) 형광체 층, 녹색 광을 방출하는 녹색(Green) 형광체 층 및 청색 광을 방출하는 청색(Blue) 형광체 층을 포함하며,
    상기 청색 형광체 층의 두께는 상기 적색 형광체 층의 두께보다 두꺼운 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 첨가물 재질은 산화마그네슘 재질, 산화아연 재질, 산화실리콘 재질, 산화티탄 재질, 산화이트륨 재질, 산화알루미늄 재질, 산화란탄 재질, 산화유로퓸 재질, 산화코발트 재질, 산화 철 재질 또는 CNT(Carbon Nano Tube)재질 중 적어도 하나인 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 첨가물 재질의 입자 중 적어도 하나는 상기 형광체 층의 표면에 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 층 및 상기 격벽과 상기 후면 기판 사이에는 하부 유전체 층이 더 배치되고,
    상기 첨가물 재질의 입자 중 적어도 하나는 상기 형광체 층과 상기 하부 유전체 층 사이에 배치되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 첨가물 재질의 함량은 상기 형광체 층의 부피 대비 2%이상 40%이하인 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 첨가물 재질의 함량은 상기 형광체 층의 부피 대비 6%이상 27%이하인 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색 형광체 층, 상기 녹색 형광체 층 및 상기 청색 형광체 층 중 적어도 하나는 상기 첨가물 재질이 생략된 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 형광체 층의 두께는 상기 적색 형광체 층의 두께의 1.01배 이상 1.32배 이하인 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 청색 형광체 층의 두께는 상기 적색 형광체 층의 두께의 1.05배 이상 1.26배 이하인 플라즈마 디스플레이 패널.
KR1020070111919A 2007-11-05 2007-11-05 플라즈마 디스플레이 패널 KR20090046018A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070111919A KR20090046018A (ko) 2007-11-05 2007-11-05 플라즈마 디스플레이 패널
CN2008800009352A CN101568988B (zh) 2007-11-05 2008-02-28 等离子体显示面板
US12/304,120 US8350473B2 (en) 2007-11-05 2008-02-28 Plasma display panel having a phosphor layer including a phosphor material and an additive material
PCT/KR2008/001171 WO2009061032A1 (en) 2007-11-05 2008-02-28 Plasma display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070111919A KR20090046018A (ko) 2007-11-05 2007-11-05 플라즈마 디스플레이 패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090046018A true KR20090046018A (ko) 2009-05-11

Family

ID=40625899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070111919A KR20090046018A (ko) 2007-11-05 2007-11-05 플라즈마 디스플레이 패널

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8350473B2 (ko)
KR (1) KR20090046018A (ko)
CN (1) CN101568988B (ko)
WO (1) WO2009061032A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090046018A (ko) 2007-11-05 2009-05-11 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000243302A (ja) 1998-05-20 2000-09-08 Mitsubishi Materials Corp 蛍光体膜構造、この蛍光体膜を形成するためのペースト及びこの蛍光体膜を用いたプラズマディスプレイパネル
KR20000003022A (ko) 1998-06-25 2000-01-15 구자홍 플라즈마 디스플레이 패널의 형광막구조
JP2001135241A (ja) 1999-10-29 2001-05-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガス放電パネル及びその製造方法
KR100402741B1 (ko) * 2001-03-13 2003-10-17 삼성에스디아이 주식회사 기판 및 이 기판을 이용한 플라즈마 표시장치
JP2002324492A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
US6939480B2 (en) * 2001-10-23 2005-09-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display device
JP2004207047A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Fujitsu Ltd 蛍光体層及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル
KR100615184B1 (ko) * 2003-10-31 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20050114075A (ko) 2004-05-31 2005-12-05 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100872366B1 (ko) * 2006-10-26 2008-12-05 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20090046018A (ko) 2007-11-05 2009-05-11 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009061032A1 (en) 2009-05-14
CN101568988B (zh) 2012-04-04
US20100327732A1 (en) 2010-12-30
US8350473B2 (en) 2013-01-08
CN101568988A (zh) 2009-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101040627B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 표시장치, 발광장치 및 그것을 이용한 영상표시 시스템
CN1932930B (zh) 等离子体显示装置
CN100521042C (zh) 等离子体显示设备
KR20090046022A (ko) 플라즈마 디스플레이 장치
US20090058254A1 (en) Phosphor and light-emitting device
US7919922B2 (en) Green phosphor for plasma display panel and plasma display panel including a phosphor layer formed of the same
US7486010B2 (en) Plasma display device and method of preparing phosphor
US20090072704A1 (en) Phosphor and light-emitting device
KR20090039396A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR20090046018A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
US7291290B2 (en) Phosphor, method of manufacturing same, and plasma display panel using same
KR20090043308A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR20090040708A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR100733165B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR20090039913A (ko) 플라즈마 디스플레이 장치
KR20090039227A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR101105061B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
JP4839233B2 (ja) プラズマディスプレイパネル
KR20090050332A (ko) 형광체 조성물 및 플라즈마 디스플레이 패널
KR20090054700A (ko) 플라즈마 디스플레이 장치
KR20090046019A (ko) 플라즈마 디스플레이 장치
KR20090010687A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널 및 플라즈마 디스플레이 패널의형광체 조성물
KR20090046020A (ko) 플라즈마 디스플레이 장치
KR20090048047A (ko) 형광체 조성물 및 플라즈마 디스플레이 패널
JP2009218022A (ja) プラズマディスプレイパネル

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid