KR20090045709A - 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치 및 그를 이용한 층별제거 방법 - Google Patents

반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치 및 그를 이용한 층별제거 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치에 관한 것으로서, 본 발명에서는 패키지된 반도체 및 전자부품 중 반도체 칩 또는 전자회로를 구성하는 하나의 반도체 다이에 적층된 물질층을 화학적인 습식 에칭을 통해 제거하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치로서, 내부에 에칭액을 수용하는 수용부를 구비하는 하나 이상의 화학 용기와, 시편이 안착되어 상기 하나 이상의 화학 용기 내에 시편을 디핑(DIPPING) 시키는 시편 로딩기와, 상기 시편 로딩기를 X, Y, 및 Z축으로 이동시키는 X-Y-Z축 이동 지그 및 상기 화학 용기와 인접하게 설치되어 상기 디핑된 시료를 세척 및 건조시키는 세척/건조장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치가 제공된다.
디핑, 에칭액, 디캡핑

Description

반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치 및 그를 이용한 층별 제거 방법{APPARUTUS FOR SEPERATING EACH LAYER OF SEMICONDUCTOR DIE AND THE METHOD OF THE SAME}
도 1은 본 발명의 일 실시예로서 반도체 다이의 각 층(layer)을 제거하는 장치의 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 일 실시예의 시편 로딩기의 평면도 및 측면도.
도 3은 본 발명에 따른 일 실시예의 시편 로딩기에 시편이 로딩된 상태를 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명에 따른 일 실시예의 화학 용기의 평면도 및 단면도.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
10: 에칭액 주입기 21,23,25,27: 화학 용기
30: 빔 히터 40: 세정액 샤워기
50: 공기 샤워기 60: 초음파 세정기
70: 시편 로딩기 80: X-Y-Z축 이동 지그
본 발명은 반도체 다이를 각 층별로 분리하는 장치 및 그를 이용한 반도체 다이의 층별 분리 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 하나 이상의 용기를 설치하고 각 용기마다 각각 다른 성분의 에칭액을 주입하고 각 용기 내에 시편 로딩기에 의해 안착된 시편을 디핑시켜 하나의 반도체 다이 상에 적층된 층을 선택적으로 제거하는 반도체 다이를 각 층별로 분리하는 장치 및 그를 이용하는 반도체 다이의 층별 분리 방법에 관한 것이다.
반도체 또는 전자부품의 품질검사에서 불량으로 판정받은 제품의 불량 분석을 위해서는 반도체 칩이나 회로를 구성하는 기판을 관찰할 필요가 있다. 통상 반도체 및 전자부품은 여러 개의 반도체 다이가 적층된 구조를 갖는데, 반도체 및 전자부품을 구성하는 기판을 검사하기 위해서는 먼저 외부 패키지된 몰딩수지를 제거하고, 여러 개의 다이 중에서 검사하고자 하는 다이만을 남겨놓고 나머지는 제거하는 작업을 수행한 후, 검사하고자 하는 다이 중에서 불필요한 적층 물질층을 제거한 후, 해당 부분의 회로 레이아웃을 관찰하게 된다. 그런데 검사하고자 하는 다이 상에 적층된 층은 여러가지 물질층으로 구성되어 있으므로 이러한 여러가지 물질층을 용이하게 제거할 수 없었다. 따라서 종래에는 각각의 물질층을 제거하기 위해서 여러 단계의 수작업을 통해서 이루어지고 있었다.
그러나 현재 사용되고 있는 반도체 또는 전자부품은 그 종류가 수천 가지에 이르고 그 형태 또한 다양하고 양도 많아서, 종래와 같은 수작업을 통해 반도체 다이의 적층된 물질층을 층별로 제거할 경우 작업속도가 크게 떨어져 검사 효율을 떨어뜨리는 문제점이 있었다. 또한, 반도체 다이에 적층되는 화학 물질의 종류가 너무나 다양하기 때문에 이러한 화학 물질을 제거하기 위하여는 여러 가지 화학물질을 사용하게 되는데 수작업으로 화학물질을 직접 다룰 경우에는 매우 위험할 뿐만 아니라 공정이 복잡하여 다량의 작업을 하기가 곤란한 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하고자 제시된 것으로서, 본 발명의 목적은 시편을 에칭액에 반복적으로 디핑시켜 반도체 다이의 각 층(layer)을 용이하게 제거하는 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 시편을 에칭액에 반복적으로 디핑시켜 반도체 다이의 각 층별을 용이하게 제거하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 상기 목적은 본 발명에서는 패키지된 반도체 및 전자부품 중 반도체 칩 또는 전자회로를 구성하는 하나의 반도체 다이에 적층된 물질층을 화학적인 습식 에칭을 통해 제거하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치로서, 내부에 에칭액을 수용하는 수용부를 구비하는 하나 이상의 화학 용기와, 시편이 안착되어 상기 하나 이상의 화학 용기 내에 시편을 디핑(DIPPING) 시키는 시편 로딩기와, 상기 시편 로딩기를 X, Y, 및 Z축으로 이동시키는 X-Y-Z축 이동 지그 및 상기 화학 용기와 인접하게 설치되어 상기 디핑된 시료를 세척 및 건조시키는 세척/건조장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치에 의해서 달성 가능하다.
본 발명의 또 다른 목적은 하나의 반도체 다이 상에 적층된 물질층을 제거하는 방법에 있어서, 복수 개의 화학 용기를 준비하고, 상기 각 화학 용기에 서로 다른 에칭액을 채우는 단계와, 시편를 시편 로딩기에 안착시킨 후, 상기 시편 로딩기를 이동시켜 상기 각 화학 용기 내에 상기 시편을 이송하는 단계와, 하나의 화학 용기에 상기 시편을 디핑하여 에칭하고, 에칭을 수행한 에칭액을 배출시킨 후, 세척액 공급하여 시편을 세척한 후, 상기 세척액을 배출시키는 디핑 및 세척 단계와, 상기 디핑 및 세척 단계를 적어도 하나의 다른 화학 용기에 더 수행하는 단계 및 상기 디핑 및 세척이 완료된 시편을 세정 및 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 방법에 의해서 달성 가능하다.
이하에서는, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 장점, 특징 및 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하도록 한다.
통상 반도체 칩은 여러 개의 반도체 다이가 접착제에 의해 적층 형성되며, 하나의 반도체 다이 상에는 메탈층, 절연층, 반도체층, 산화층 등의 여러 층이 적층 형성된다. 본 발명에서 이용되는 시편은 반도체 칩의 외부 패키지를 이루는 몰 딩 수지가 제거되고, 관찰 대상 외의 반도체 다이가 제거된 상태인 하나의 다이만을 시편으로 한다. 따라서 본 발명의 전 공정에서는 반도체 칩의 외부 패키지를 제거되는 공정 및 불필요한 반도체 다이를 제거하는 공정이 먼저 수행되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예로서 반도체 다이에 적층된 각 층을 제거하는 장치의 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 반도체 다이 상에 형성된 다수 개의 층 중에서 불필요한 층을 제거하는 장치는 에칭액 주입기(10), 다수 개의 용기(bath, 21, 23, 25, 27), 빔 히터(30), 세정액 샤워기(40), 공기 샤워기(50), 초음파 세정기(60), 시편 로딩기(70), 및 X-Y-Z축 이동 지그(80)로 구성된다.
에칭액 주입기(10)는 하나의 반도체 다이 상에 형성된 하나의 물질층, 예를 들어 제 1 산화층,을 국부 제거하기 위하여 에칭액을 주입하는 것으로서, 에칭액을 시편에 주입하는 에칭액 노즐(15)과, 에칭액 노즐(15)에 에칭액을 공급하기 위한 연결호스(11)와, 에칭액을 저장하는 국부 에칭액 탱크(미도시) 및 국부 에칭액 탱크에 저장된 에칭액을 연결호스(11)를 통하여 에칭액 노즐(12)에 공급하기 위한 국부 에칭액 펌프(미도시)로 구성된다. 에칭액 주입기(10)는 반도체 다이 상에 적층된 하나의 물질층 중에서 일부만을 제거하기 위하여 에칭액을 국소 투입하기 장치이며, 화학 용기(21, 23, 25, 27)는 반도체 다이 상에 적층된 하나의 물질층을 전체적으로 습식 에칭하는 용도로 사용된다.
다수 개의 화학 용기(bath, 21, 23, 25, 27)에는 에칭액이 채워질 수 있는 리세스(recessed)된 내면이 형성된다. 도면상의 도시된 화학 용기의 내면 형상은 사각형으로 형성되었지만, 형상은 이에 국한되지는 않는다. 상기 용기의 측면 또는 바닥면에는 에칭액 주입구(91), 세척액 주입구(93) 및 배출구(95)가 각각 구비된다. 용기 에칭액 탱크(미도시)에 저장된 에칭액은 용기 에칭액 펌프(미도시)에 의해 펌핑된 후 유압 호스(미도시)를 통하여 에칭액 주입구(91)로 공급되며, 용기 세정액 탱크(미도시)에 저장된 세척액은 용기 세척액 펌프(미도시)에 의해 펌핑된 후 유압 호스(미도시)를 통하여 세척액 주입구(93)로 공급된다.
각 화학 용기(21, 23, 25, 27)에 채워지는 에칭액으로 서로 다른 종류를 사용할 경우에는 각 에칭액 주입구(91)와 연결되는 에칭액 탱크는 별개로 사용하여야 하나, 동일한 종류의 용기 세정액을 사용할 경우에는 하나의 용기 세정액 탱크를 사용할 수 있다.
배출구(95)는 화학 용기(21, 23, 25, 27) 내부에 사용한 에칭액을 배출시키기 위한 것으로서, 배출구(95)는 배출통(미도시)와 연결되는 연결호스(미도시)를 이용하여 사용한 에칭액을 배출통으로 배출하게 된다.
화학 용기(21, 23, 25, 27)는 테플론 소재로 구성하였으며, 상기 적어도 하나 이상의 화학 용기(21, 23, 25, 27)는 바닥면 내부에 열선을 내장시키고, 열선을 가열함으로써 화학 용기(21, 23, 25, 27) 내부에 채워지는 에칭액을 가열하여 반도체 다이 상의 제거하고자하는 물질층 에칭이 보다 용이하게 이루어지도록 하였다. 이는 제거하고자 하는 물질층마다 에칭을 용이하게 하는 반응 온도가 다르기 때문에 각 에칭액에 적합한 반응 온도에서 효율적인 에칭이 이루어지도록 하기 위함이다.
에칭이 완료된 시편은 세척/건조 장치로 이송된다. 세척/건조 장치는 빔 히터(30), 세정액 샤워기(40), 공기 샤워기(50), 및 초음파 세정기(60)로 구성된다.
빔 히터(30)는 할로겐 램프로 구성되는 것으로서, 세정이 완료된 반도체 다이의 에칭액을 휘발시키기 위하여 램프 열을 가하는 장치이며, 세정액 샤워기(40)는 노즐을 이용하여 세정액을 고압 분사하여 반도체 다이에 묻어있는 에칭액을 세정액으로 씻어내기 위한 장치이며, 공기 샤워기(50)는 공기를 고압으로 분사하여 반도체 다이에 묻어있는 에칭액을 보다 말끔히 씻어내기 위한 장치이다. 세정액 샤워기(40)에서 분사되는 세정액은 통상 증류액(일명, DI Water)을 사용하게 된다.
초음파 세정기(60)는 내부에 세정액을 담는 용기 형태로 구비되고, 용기의 바닥면 또는 측면에는 초음파 진동자를 구비하여, 초음파 진동자를 진동시켜 세정액으로 반도체 다이에 묻어있는 잔존하는 에칭액을 말끔히 세정하기 위한 장치이다.
화학 용기(21, 23, 25, 27)에 담겨진 에칭액에 의해 에칭이 완료된 반도체 다이는 세척/건조 장치의 모든 장치를 이용하여 세척 및 건조할 수도 있으나, 통상 에칭액의 종류에 따라서 세척/건조 장치 중의 일부를 취사 선택하여 세척 및 건조를 수행하게 된다.
시편 로딩기(70)는 에칭될 시편을 로딩하기 위한 지그이며, X-Y-Z축 이동 지그(80)는 시편 로딩기(70)를 X-Y-Z축 방향으로 이동하기 위한 지그이다. X-Y-Z축 이동 지그(80)는 반도체 장비 및 기타 정밀 기계 장비에서 널리 사용되는 것이므로 자세한 설명을 생략하기로 한다.
에칭될 시편을 로딩하는 시편 로딩기(70)는 도 2 및 도 3을 이용하여 설명하기로 한다. 도 2는 시편 로딩기(70)의 평면도 및 측면도이고, 도 3은 시편이 올려진 상태의 시편 로딩기(70)의 사시도이다.
시편 로딩기(70)는 시편 로딩암(77)의 좌우 폭을 조절하는 시편 로딩 조절 나사(71)와 조절나사(71)의 조절에 따라 시편 로딩암(77)의 좌우폭을 조절하는 연결부재(75)와, 시편 로딩 조절봉(71)을 조절할 때 연결부재(75)를 지지하고 좌우로 나사 이동시키는 가이드봉(73)으로 구성된다. 조절나사(71)의 표면은 널링(knurling) 처리하여 미끄러짐이 없이 용이하게 시편 로딩암(77)을 조절할 수 있도록 하였다. 가이드봉(73) 외면에는 나사산이 형성되고, 연결부재(75)의 내측면에는 가이드봉(73) 외면 나사산과 맞물리는 나사산이 형성된다. 또한 가이드봉(73)의 전단에는 연결부재(75)의 일부가 슬라이딩 될 수 있는 가이드 부재(79)를 구비하여 연결부재(75)가 가이드 부재(79)의 상부에서 슬라이딩 되도록 하였다.
시편 로딩 조절봉(71)을 돌리면 가이드봉(73)이 회전하게 되고, 가이드봉(73) 외면에 형성된 나사산을 따라 좌우측 연결부재(75)가 서로 이격되거나, 서로 가까워지게 된다. 따라서 연결부재(75)에 연결된 시편 로딩암(77)의 좌우폭을 시편의 크기에 적합하게끔 조절할 수 있게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 일 실시예의 화학 용기의 평면도 및 단면도이다. 도 4(a) 는 화학 용기(21)의 평면도이고, 도 4 (b)는 A-A' 방향으로 절단된 단면도를 도시한다. 도 4에 도시된 바와 같이 화학 용기(21)는 내부에 리세스된 에칭액 수용공간을 구비하고, 바닥면에는 에칭액 주입구(91), 세척액 주입구(93), 배출구(95) 및 수위 센서(101)을 구비한다. 도 4(b)에 도시된 바와 같이 화학 용기(21) 바닥면은 배출구(95)로 갈수록 기울어진 형상으로 구비되며, 에칭액 주입구(91) 및 세척액 주입구(93)는 연결잭(107)을 통하여 유압 호스(109)와 연결되고, 배출구(95)는 연결잭(103)을 통하여 연결호스(105)와 연결된다. 수위 센서(101)는 화학 용기(21) 내에 채워지는 에칭액의 수위를 감지하는 센서이다. 본 발명에 따른 수위 센서(101)는 부력을 이용하여 에칭액의 수위에 따라 떠오르는 재질로 구성하고, 내부를 관통하는 두 개의 구멍을 형성한 후 상기 관통 구멍에 끼워지는 나사못(97, 99)을 구비하도록 하였다. 나사못(97, 99)은 수위 센스(101)에 형성된 관통 구멍에 끼워져서 일 단부는 화학 용기(21)의 바닥면에 끼워지고, 나머지 단부에는 나사 머리부가 형성되어 수위 센스(101)가 벗어나지 못하도록 하였다.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 다이 상의 각 물질층(layer)을 제거하는 장치를 이용하여 시편의 층을 제거하는 과정을 순차적으로 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 반도체 및 전자부품 중 반도체 칩 또는 전자회로를 검사할 시편 표면층을 화학적 습식 에칭을 통해 제거하는 반도체 및 전자부품의 반도체 다이를 각 층별로 분리하는 장치로서, 적층된 물질층 중에서 어느 하나를 전체적으로 습식 에칭하기 위한 에칭액을 내부에 수용하는 하나 이상의 화학 용기(21,23,25,27)와, 상기 적층된 물질층 중에서 일부 영역만을 습식 에칭하고자 국 소 영역에 에칭액을 주입하기 위한 에칭액 주입기(10)와, 시편(100)이 안착되고 하나 이상의 화학 용기 내에 안착된 시편을 디핑(DIPPING)하는 시편 로딩기(70)와, 상기 시편 로딩기(70)를 X-Y-Z축 방향으로 이동시키는 이동 지그(80)와, 상기 디핑된 시료를 세척 및 건조시키는 세척/건조장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 다이를 각 층(layer)별로 분리하는 장치를 이용하여 층별 제거 방법이 수행된다.
먼저, 애칭액 주입기(10)를 이용하여 시편의 일 부분을 부분 에칭한다(ST 10). 다음 화학 용기(21, 23, 25, 27)에 적절한 에칭액을 공급하여 화학 용기에 채운다(ST 20). 각 화학 용기에 채워지는 에칭액의 종류는 에칭하고자 하는 물질의 종류에 따라 다르게 할 수 있음은 물론이다.
시편을 시편 로딩기(70)에 안착시킨 후(ST 40), 상기 시편 로딩기(70)를 이동시켜 시편(100)을 화학 용기(21,23,25,27) 내에 일정시간 동안 담그는 디핑(DIPPING)하고, 일정 시간 종료 후에 에칭액을 배출하고, 다시 화학 용기 내에 세척액을 주입하여 시편을 세척한 후 세척액을 배출하는 디핑 및 세척 공정을 수행한다(ST 60). 다른 에칭액에 의한 에칭이 더 필요한지 여부를 판단한 후(ST 80), 더 필요하다고 판단되는 경우에는 다른 화학 용기에 디핑 및 세척 공정을 수행한다. 추가적인 에칭이 필요하지 않다고 판단되는 경우에는 시편 로딩기(70)를 세척/건조 장치로 이송하여 에칭이 완료된 시편을 세척 및 건조하게 된다.
ST 80 단계에서 시편의 해당 반도체 물질층이 충분히 에칭되었는지에 대한 판단은 육안으로도 가능하나, 바람직하게는 별도의 카메라 장치와 소프트웨어를 이 용하여 처리하는 것이 좋다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 다이의 적층된 물질층을 각 층별로 제거하는 장치 및 그를 이용한 층별 제거 방법에 의하면, 기존에 하나의 용기 내에 에칭액을 채운 후 시편을 디핑시키는 경우에 비하여 시편의 적층된 물질층을 제거하는 효과를 현저하게 향상시킬 수 있다.
또한 에칭액 주입장치를 통해 원하는 국소 위치의 시편의 몰딩을 제거할 수 있으므로 원하는 물질층의 제거 효과를 보다 확실하게 달성할 수 있게 되었다.
본 발명의 바람직한 실시례가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 오로지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로 부터 이탈되지 않고서 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.

Claims (12)

  1. 패키지된 반도체 및 전자부품 중 반도체 칩 또는 전자회로를 구성하는 하나의 반도체 다이에 적층된 물질층을 화학적인 습식 에칭을 통해 제거하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치로서,
    내부에 에칭액을 수용하는 수용부를 구비하는 하나 이상의 화학 용기와,
    시편이 안착되어 상기 하나 이상의 화학 용기 내에 시편을 디핑(DIPPING) 시키는 시편 로딩기와,
    상기 시편 로딩기를 X, Y, 및 Z축으로 이동시키는 X-Y-Z축 이동 지그 및
    상기 화학 용기와 인접하게 설치되어 상기 디핑된 시료를 세척 및 건조시키는 세척/건조장치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화학 용기는 측면 또는 바닥면에는 에칭액이 공급되는 에칭액 주입구와 사용한 에칭액을 배출하기 위한 에칭액 배출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 에칭액 주입구 및 에칭액 배출구는 상기 화학 용기의 바닥면에 구비되며, 상기 에칭액 배출구가 구비되는 화학 용기의 바닥면이 상기 에칭액 주입구가 구비되는 화학 용기의 바닥면보다 낮은 위치에 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 화학 용기의 측면 또는 바닥면에는 세척액 주입구가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  5. 제 2항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 화학 용기에는 내부에 수용되는 에칭액을 수위를 감지하는 수위 감지 센서가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  6. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 시편 로딩기에 안착된 시편의 국소부위에 에칭액을 주입하는 에칭액 주입기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학 용기는 테플론 소재인 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 7항에 있어서,
    상기 화학 용기 내에는 열선이 내장되어 일정온도를 유지할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 세척/건조장치는 하로겐 램프로 구성되는 빔 히터, 세정액을 가압 분사하는 세정액 샤워기 및 공기를 가압 분사하는 공기 샤워기를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 세척/건조장치는 초음파 세정기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반 도체 다이의 각 층을 제거하는 장치.
  11. 하나의 반도체 다이 상에 적층된 물질층을 제거하는 방법에 있어서,
    복수 개의 화학 용기를 준비하고, 상기 각 화학 용기에 서로 다른 에칭액을 채우는 단계와,
    시편를 시편 로딩기에 안착시킨 후, 상기 시편 로딩기를 이동시켜 상기 각 화학 용기 내에 상기 시편을 이송하는 단계와,
    하나의 화학 용기에 상기 시편을 디핑하여 에칭하고, 에칭을 수행한 에칭액을 배출시킨 후, 세척액 공급하여 시편을 세척한 후, 상기 세척액을 배출시키는 디핑 및 세척 단계와,
    상기 디핑 및 세척 단계를 적어도 하나의 다른 화학 용기에 더 수행하는 단계 및
    상기 디핑 및 세척이 완료된 시편을 세정 및 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 디핑 및 세척 단계 이전에 상기 시편에서 원하는 국소 부위를 에칭하기 위하여 에칭액 주입기를 통해 상기 시편의 국소 부위에 에칭액을 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다이의 각 층을 제거하는 방법.
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