KR20090042454A - 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광시스템 - Google Patents

다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20090042454A
KR20090042454A KR1020070108229A KR20070108229A KR20090042454A KR 20090042454 A KR20090042454 A KR 20090042454A KR 1020070108229 A KR1020070108229 A KR 1020070108229A KR 20070108229 A KR20070108229 A KR 20070108229A KR 20090042454 A KR20090042454 A KR 20090042454A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
laser
laser light
injection
light
Prior art date
Application number
KR1020070108229A
Other languages
English (en)
Inventor
남병호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020070108229A priority Critical patent/KR20090042454A/ko
Publication of KR20090042454A publication Critical patent/KR20090042454A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

노광 과정이 각각 수행되는 다수의 노광부들, 좁은 대역의 파장대의 주된 레이저 광을 제공하는 주된 레이저(master laser)부, 및 노광을 위해 노광부들에 각각 제공될 종속 레이저 광들을 주된 레이저 광의 주입 잠금(injection-locked)에 의해 주된 레이저 광과 대등한 파장대로 증폭하는 종속 레이저(slave laser)부들을 포함하는 노광 시스템(exposure system)을 제시한다.
노광, 주입 잠금, 레이저, 주파수

Description

다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광 시스템{Exposure system capable of generating exposure laser beams to multi- exposure parts}
본 발명은 리소그래피(lithography) 기술에 관한 것으로, 특히, 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔(laser beam)들을 제공하는 노광 시스템(exposure system)에 관한 것이다.
반도체 소자를 웨이퍼(wafer) 상에 집적시키는 데, 스캐너(scanner) 또는 스테퍼(stepper)와 같은 노광 장비들을 이용한 리소그래피 과정이 이용되고 있다. 반도체 소자의 집적도가 증가하고 회로 선폭이 축소됨에 따라, 보다 미세한 선폭의 패턴을 웨이퍼 상으로 보다 정교하게 전사하는 과정이 요구되고 있다. 미세한 선폭을 전사하기 위해서 노광 광원으로 보다 짧은 파장대의 레이저(laser) 광이 이용되고 있다.
이때, 노광 장비들 사이에 노광 광들의 파장대의 미세한 차이가 유발될 수 있으며, 이러한 노광 광의 파장 차이에 의해서, 노광 장비들에 의해 전사되는 패턴들이 노광 장비별로 차이가 발생되는 현상이 유발되고 있다. 이러한 패턴 차이를 보상하기 위해, 노광 장비별로 노광 공정 조건들을 달리 보정(calibration)하거나 또는 전사하고자 하는 패턴 레이아웃(layout)을 보정하는 과정이 요구될 수 있다. 이러한 패턴 특성 차이를 보상하기 위해서, 노광 장비의 광원을 개별 관리하여야 하며, 또한, 각각의 광원들은 특질(quality)을 높이기 위해서 상당한 비용이 소요되고 있다. 이에 따라, 반도체 소자를 제조하는 수율 저하 및 소요 비용의 증가가 발생되고 있다.
본 발명은 노광 장비에 따라 노광 광원의 파장대가 달라져 노광 과정 중 전사되는 패턴 특성이 노광 장비별로 달라지는 것을 억제할 수 있는 다수의 노광 장비들을 포함하는 노광 시스템(exposure system)을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 관점은, 노광 과정이 각각 수행되는 다수의 노광부들; 좁은 대역의 파장대의 주된 레이저 광을 제공하는 주된 레이저(master laser)부; 및 상기 노광을 위해 상기 노광부들에 각각 제공될 종속 레이저 광들을 상기 주된 레이저 광의 주입 잠금(injection-locked)에 의해 상기 주된 레이저 광과 대등한 파장대로 증폭하는 종속 레이저(slave laser)부들을 포함하는 노광 시스템을 제시한다.
상기 주된 레이저 광들을 분배하여 상기 종속 레이저부들에 각각 입사시키기 위해 상기 종속 레이저부들에 각각 배치된 다수의 빔 스플리터(beam splitter)들을 더 포함하는 노광 시스템을 제시한다.
본 발명의 실시예는, 노광 장비에 따라 노광 광원의 파장대가 달라져 노광 과정 중 전사되는 패턴 특성이 노광 장비별로 달라지는 것을 억제할 수 있는 다수의 노광 장비들을 포함하는 노광 시스템(exposure system)을 제시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔(laser beam)들을 제공하는 노광 시스템(exposure system)을 개략적으로 보여준다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 노광 시스템은, 반도체 소자를 양산하는 팹(fab) 설비에서와 같이 스캐너 또는 스테퍼와 같은 노광 장치들이 노광부(100)들을 구성하게 구비된다. 이러한 노광부(100)는 다수의 웨이퍼(wafer)들에 대한 다수의 노광 과정이 동시에 수행될 수 있게 1번 내지 N 번째가 순차적으로 다수 배치된다. 개개의 노광부(100)는 상호 간에 독립적인 노광이 수행될 수 있게, 웨이퍼를 정렬 장착하는 웨이퍼 스테이지(wafer stage), 렌즈 시스템(lens system), 레티클 스테이지(reticle stage), 및 노광 광을 변형시키는 변형 조명(modified illumination) 시스템 등을 구비할 수 있다.
이러한 노광부(100)에서 웨이퍼의 노광에 사용될 광원(light source)을 주입 잠금(injection-locked) 공진에 의한 레이저 광으로 제공한다. 이를 위해, 주된 레이저(master laser)부(200) 및 다수의 종속 레이저(slave laser)부(300)들을 도입한다. 주된 레이저부(200)에서는 좁은 대역의 파장대의 주된 레이저 광(201)이 공진되어 출력된다. 이때, 주된 레이저 광(201)은 매우 좁은 파장대(ω0)를 가지는 단일광으로 공진되기 위해서, 상당히 저출력의 레이저로 공진된다. 따라서, 출력되는 주된 레이저 광(201)은 상당히 좁은 파장대를 가져 상당히 높은 수준의 광질(quality of light)을 가지게 출력된다.
주된 레이저 광(201)을 종속 레이저부(300)들에 빔 스플리터(beam splitter: 400)에 의해 분배 주입시킨다. 이를 위해, N 개의 노광부(100)들에 각각 대응되게 배치된 N 개의 종속 레이저부(300) 각각에 대응되게 N 개의 빔 스플리터(400)들이 배치된다. 주된 레이저 광(201)은 빔 스플리터(400)에 입사되어 각각의 종속 레이저부(300)들에 입사된다. 주된 레이저 광(201)을 종속 레이저부(300)에 입사시킴으로써, 종속 레이저부(300)는 각각 주입 잠금(injection-locked)된 종속 레이저 광(301)들을 공진시켜 출력한다.
종속 레이저부(300)에서 공진된 종속 레이저 광(301)들은 주입 감금에 의해서, 주된 레이저 광(201)과 실질적으로 동일한 파장대(ω0)를 가지게 된다. 이때, 종속 레이저부(300)는 주된 레이저부(200)에 비해 높은 출력으로 종속 레이저 광(301)을 출력시키고, 이러한 종속 레이저 광(301)은 노광부(100)에 전달되어 노광 광원으로 이용된다. 이때, 종속 레이저 광(301)은 I-라인(line), KrF, KrF 또는 EUV의 자외선 파장대로 공진될 수 있다.
하나의 주된 레이저 광(201)을 주입 감금시켜 다수의 종속 레이저 광(301)들을 공진시킴에 따라, 실질적으로 동일한 파장대(ω0)의 종속 레이저 광(301)들이 각각의 노광부(100)에 전달되게 된다. 주입 감금에 의해 종속 레이저 광(301)은 주된 레이저 광(201)의 주파수 특성 또는 편광 특성을 가지게 되므로, 주된 레이저 광(201)이 우수한 주파수 및 편광 특성을 가지게 공진되게 함으로써, 노광부(100)들에 노광원으로 이용될 종속 레이저 광(301)의 품질을 높일 수 있다.
각각의 노광부(100)에서 노광 광원으로 사용되는 광원들은 실질적으로 동일한 파장대(ω0)를 가지게 된다. 이와 같이 서로 다른 노광부(100)들이 실질적으로 동일한 파장대(ω0)의 광원을 노광원으로 이용할 수 있어, 실질적으로 동일한 노광 과정을 노광부(100)들 또는 노광 장치들을 이용하여 수행함에도 불구하고 노광 장치에 따라 전사된 패턴들이 동일하지 않고 달라지는 현상을 억제시킬 수 있다. 즉, 서로 다른 노광부(100)들에서 실질적으로 동일한 노광 과정이 수행된 웨이퍼들 상호 간에 패턴 편차가 발생되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 노광 장비 특성에 따른 개별 노광 과정의 조정 또는 보상 과정을 생략할 수 있어, 반도체 소자 제조에 수율을 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔(laser beam)들을 제공하는 노광 시스템(exposure system)을 설명하기 위해 제시한 도면이다.

Claims (2)

  1. 노광 과정이 각각 수행되는 다수의 노광부들;
    좁은 대역의 파장대의 주된 레이저 광을 제공하는 주된 레이저(master laser)부; 및
    상기 노광을 위해 상기 노광부들에 각각 제공될 종속 레이저 광들을 상기 주된 레이저 광의 주입 잠금(injection-locked)에 의해 상기 주된 레이저 광과 대등한 파장대로 증폭하는 종속 레이저(slave laser)부들을 포함하는 노광 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주된 레이저 광들을 분배하여 상기 종속 레이저부들에 각각 입사시키기 위해 상기 종속 레이저부들에 각각 배치된 다수의 빔 스플리터(beam splitter)들을 더 포함하는 노광 시스템.
KR1020070108229A 2007-10-26 2007-10-26 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광시스템 KR20090042454A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070108229A KR20090042454A (ko) 2007-10-26 2007-10-26 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070108229A KR20090042454A (ko) 2007-10-26 2007-10-26 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090042454A true KR20090042454A (ko) 2009-04-30

Family

ID=40765182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070108229A KR20090042454A (ko) 2007-10-26 2007-10-26 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090042454A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105359038A (zh) * 2013-06-18 2016-02-24 Asml荷兰有限公司 光刻方法和光刻系统

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105359038A (zh) * 2013-06-18 2016-02-24 Asml荷兰有限公司 光刻方法和光刻系统
US10437154B2 (en) 2013-06-18 2019-10-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic method
US10884339B2 (en) 2013-06-18 2021-01-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6819405B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6901090B1 (en) Exposure apparatus with laser device
JP4291230B2 (ja) 結晶化膜の形成方法及びその装置
CN108112267B (zh) 用于光刻设备的对准传感器
JP2010161364A (ja) レーザデバイス
KR102533035B1 (ko) 광학적 마스크리스 기법
KR20090042454A (ko) 다수의 노광부들에 노광 레이저 빔들을 제공하는 노광시스템
US7468237B2 (en) Integrated optical circuits having drop-in locations for optical circuit elements
JP4354431B2 (ja) リソグラフィシステム
JP2010161246A (ja) 伝送光学系、照明光学系、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP2018536198A (ja) リソグラフィ装置および方法
US20060209410A1 (en) Method and apparatus for compensation or amelioration of lens field curvature and other imaging defects by utilizing a multi-wavelength setting illumination source
JP2004356634A (ja) デュアル基板ステージ型ダブル露光リソグラフィシステムにおける方法およびデュアルウェハステージ型ダブル露光システム
US20150116680A1 (en) Ultraviolet laser device, and exposure device and inspection device provided with ultraviolet laser device
TW202338520A (zh) 光學系統，特別是用於微影技術，以及用於操作光學系統的方法
TWI841284B (zh) 光學系統，特別是用於微影技術，以及用於操作光學系統的方法
Kurosu et al. A reliable higher power ArF laser with advanced functionality for immersion lithography
Ishikawa et al. Practical performance and enabling technologies in immersion scanners for the double patterning generation
JP2013025041A (ja) 露光装置
CN106933043A (zh) 光刻成像系统及其投影曝光方法
US9588433B2 (en) Optical system, in particular of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2022136865A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法
KR100699144B1 (ko) 웨이퍼 노광을 위한 스텝퍼 및 이를 이용한 노광 방법
EP1255164B1 (en) Lithographic apparatus
TW202041974A (zh) 具有用於調節晶圓之熱調節系統之微影設備

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination