KR20090030789A - Apparatus for treating substrate and method for treating waste fluid using the same - Google Patents

Apparatus for treating substrate and method for treating waste fluid using the same Download PDF

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KR20090030789A
KR20090030789A KR1020070096336A KR20070096336A KR20090030789A KR 20090030789 A KR20090030789 A KR 20090030789A KR 1020070096336 A KR1020070096336 A KR 1020070096336A KR 20070096336 A KR20070096336 A KR 20070096336A KR 20090030789 A KR20090030789 A KR 20090030789A
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이승호
박귀수
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세메스 주식회사
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Abstract

An apparatus for treating substrate and method for treating waste fluid using the same are provided to efficiently process the waste water by using the waste water cooling tank mixing the coolant. The treatment liquid supply unit(100) supplies the processing liquid to the substrate cleaning unit(200). The supplied processing liquid is supplied to the substrate cleaning unit in a high temperature state. The substrate cleaning unit performs the process of washing the semiconductor substrate. The processing liquid used in the substrate cleaning unit is pumped out from the drain unit(300). The processing liquid of the high temperature state is effectively cooled by the drain unit. The treatment liquid supply unit comprises the storage tank(110) and processing liquid transfer line(120).

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 폐액 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING WASTE FLUID USING THE SAME}Substrate processing apparatus and waste liquid processing method using the same {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING WASTE FLUID USING THE SAME}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 과정에서 발생한 폐액을 배출하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for discharging the waste liquid generated in the substrate processing process.

일반적으로 반도체 제조 공정은 웨이퍼 상의 미립자 금속 불순물, 유기 오염물, 표면 피막 등의 다양한 이물질을 제거하는 세정 공정을 포함한다. 이러한 세정 공정을 수행하는 장치들 중 배치식 웨이퍼 세정장치는 처리액 공급유닛 및 기판 세정유닛 포함한다. 처리액 공급유닛은 저장탱크 및 기판 세정유닛의 처리조로 처리액을 공급하는 공급라인들을 포함한다. 기판 세정유닛은 웨이퍼의 세정을 수행하는 유닛이다. 기판 세정유닛은 적어도 하나의 처리조를 포함한다. In general, semiconductor manufacturing processes include cleaning processes that remove various foreign matters such as particulate metal impurities, organic contaminants, surface coatings, and the like on a wafer. Among the apparatuses for performing such a cleaning process, the batch type wafer cleaning apparatus includes a processing liquid supply unit and a substrate cleaning unit. The processing liquid supply unit includes supply lines for supplying the processing liquid to the processing tank of the storage tank and the substrate cleaning unit. The substrate cleaning unit is a unit that cleans the wafer. The substrate cleaning unit includes at least one treatment tank.

이러한 배치식 세정 장치는 처리조에 복수의 처리액들을 처리조로 공급한 후 이를 처리조 내부에서 순환시켜 혼합함으로써 기판의 세정을 위한 세정액을 생성한다. 처리조에서 기설정된 온도를 만족하는 세정액이 생성되면, 처리조에 웨이퍼를 침지시켜 웨이퍼를 세정한다. 이러한 웨이퍼 세정 공정이 반복되면, 처리조 내 세 정액이 오염되므로, 처리조 내 오염된 세정액을 새로운 세정액을 교체해주어야 한다. 그러나, 처리조 내 오염된 세정액은 고온으로 가열되어 있으므로, 고온의 오염된 세정액은 일정 온도 이하로 냉각시킨 후 배출시켜야 한다. Such a batch type cleaning apparatus supplies a plurality of treatment liquids to a treatment tank, and then circulates and mixes the treatment liquids in the treatment tank to generate a cleaning liquid for cleaning the substrate. When a cleaning liquid that satisfies a predetermined temperature is generated in the processing tank, the wafer is immersed in the processing tank to clean the wafer. If such a wafer cleaning process is repeated, three semens in the treatment tank are contaminated, so the contaminated cleaning liquid in the treatment tank needs to be replaced with a new cleaning liquid. However, since the contaminated cleaning liquid in the treatment tank is heated to a high temperature, the high temperature contaminated cleaning liquid should be discharged after cooling below a certain temperature.

본 발명의 목적은 고온의 오염된 폐액을 효과적으로 냉각시켜 배출하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that effectively cools and discharges hot contaminated waste liquid.

본 발명의 다른 목적은 상기 기판 처리 장치를 이용한 폐액 처리 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a waste liquid treatment method using the substrate processing apparatus.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 기판 처리 장치는 처리조 및 폐액 냉각탱크를 포함한다. 처리조는 처리액을 사용하여 기판을 처리한다. 폐액 냉각탱크는 상기 처리액보다 낮은 온도를 갖는 냉각액과, 상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액과 상기 냉각액을 저장한다. 여기서, 상기 폐액 냉각탱크는 하부면으로부터 일정 높이에 형성되어 상기 처리액과 상기 냉각액을 배출하는 배출구가 형성된 측벽을 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, the substrate processing apparatus of the present invention includes a treatment tank and a waste liquid cooling tank. The treatment tank uses the treatment liquid to treat the substrate. The waste liquid cooling tank stores a cooling liquid having a lower temperature than the processing liquid, the processing liquid and the cooling liquid discharged from the processing tank. Here, the waste liquid cooling tank is formed at a predetermined height from a lower surface, characterized in that it comprises a side wall formed with a discharge port for discharging the processing liquid and the cooling liquid.

상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 폐액 처리 방법은 상기 폐액과 상기 폐액의 온도보다 낮은 온도의 냉각액을 혼합시키는 폐액 냉각탱크를 구비하여 상기 폐액을 처리한다. 이때, 상기 냉각탱크의 일측벽에는 하부면으로부터 일정 높이에 형성된 배출구가 구비되어, 상기 폐액이 상기 배출구로 오버플로우되어 배출되는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the waste liquid treatment method of the present invention includes a waste liquid cooling tank for mixing the waste liquid and a cooling liquid having a temperature lower than the temperature of the waste liquid to treat the waste liquid. At this time, one side wall of the cooling tank is provided with a discharge port formed at a predetermined height from the lower surface, characterized in that the waste liquid overflows to the discharge port is discharged.

본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 이 장치를 이용한 폐액 처리 방법은 고온의 폐액을 효과적으로 냉각시켜 배출한다.The substrate processing apparatus and waste liquid treatment method using the apparatus of the present invention effectively cool and discharge the hot waste liquid.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

또한, 본 발명에 따른 실시예는 웨이퍼를 세정액에 침지시켜 세정하는 반도체 기판 처리 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 소정의 처리액으로 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능할 수 있다.In addition, although the embodiment according to the present invention has been described with an example of a semiconductor substrate processing apparatus for immersing a wafer in a cleaning liquid, the present invention may be applied to any substrate processing apparatus for treating a substrate with a predetermined processing liquid.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 1 is a view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)는 처리액 공급유닛(100), 기판 세정유닛(200) 및 배수유닛(300)을 포함한다. 처리액 공급유닛(100)은 기판 세정유닛(200)으로 처리액을 공급한다. 이때, 공급되는 처리액은 고온상태로 기판 세정유닛(200)으로 공급된다. 기판 세정유닛(200)은 반도체 기판(이하, '웨이퍼')을 세정하는 공정을 수행한다. 배수유닛(300)은 기판 세정유닛(200)에서 사용된 처리액을 배수처리한다. 이때, 상기 배수유닛(300)은 상기 고온 상태의 처리액을 효과적으로 냉각시켜 배수처리한다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the present invention includes a processing liquid supply unit 100, a substrate cleaning unit 200, and a drainage unit 300. The processing liquid supply unit 100 supplies the processing liquid to the substrate cleaning unit 200. At this time, the processing liquid is supplied to the substrate cleaning unit 200 at a high temperature. The substrate cleaning unit 200 performs a process of cleaning a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a “wafer”). The drainage unit 300 drains the treatment liquid used in the substrate cleaning unit 200. At this time, the drainage unit 300 effectively cools the treatment liquid in the high temperature state and drains it.

처리액 공급유닛(100)은 저장탱크(110) 및 처리액 이송라인(120)을 포함한다. 저장탱크(110)는 처리액을 저장한다. 처리액은 웨이퍼(W) 표면에 잔류하는 이물질을 제거하는 세정공정을 위한 약액이다. 처리액 이송라인(120)은 저장탱크(110)로부터 기판 세정유닛(200)으로 처리액을 공급한다. 이때, 처리액 이송라인(120)은 자연낙하방식으로 저장탱크(110) 내 처리액을 기판 세정유닛(200)으로 공급한다.The treatment liquid supply unit 100 includes a storage tank 110 and a treatment liquid transfer line 120. The storage tank 110 stores the treatment liquid. The treatment liquid is a chemical liquid for a cleaning process that removes foreign matter remaining on the wafer W surface. The treatment liquid transfer line 120 supplies the treatment liquid from the storage tank 110 to the substrate cleaning unit 200. At this time, the treatment liquid transfer line 120 supplies the treatment liquid in the storage tank 110 to the substrate cleaning unit 200 in a natural dropping manner.

기판 세정유닛(200)은 웨이퍼(W)를 세정한다. 기판 세정유닛(200)은 처리조(treating bath)(210) 및 순환부재(220)를 포함한다. 처리조(210)는 적어도 하나가 구비되며, 내부베스(inner bath)(212) 및 외부베스(outer bath)(214)를 포함한다. The substrate cleaning unit 200 cleans the wafer (W). The substrate cleaning unit 200 includes a treating bath 210 and a circulation member 220. At least one treatment tank 210 is provided, and includes an inner bath 212 and an outer bath 214.

내부베스(212)는 제 1 하우징(212a), 분사노즐(212b) 및 보우트(boat)(212c)를 가진다. 상기 제 1 하우징(212a)의 내부에는 복수의 웨이퍼(W)들의 세정 공정이 수행되는 공간이 형성된다. 제 1 하우징(212a)은 상부가 개방되며, 개방된 상부를 공정시 웨이퍼(W)들의 출입이 이루어지는 통로로 이용된다. 분사노즐(212b)은 공정시 상기 제 1 하우징(212a) 내부로 처리액을 분사한다. 보우트(212c)는 공정시 상기 제 1 하우징(212a) 내부에서 복수의 웨이퍼(W)들을 상하로 수직하게 지지한다.The internal bath 212 has a first housing 212a, a spray nozzle 212b and a boat 212c. A space in which the cleaning process of the plurality of wafers W is performed is formed in the first housing 212a. The upper portion of the first housing 212a is opened, and the opened upper portion is used as a passage through which the wafers W enter and exit during processing. The injection nozzle 212b injects the treatment liquid into the first housing 212a during the process. The boat 212c vertically supports the plurality of wafers W vertically inside the first housing 212a during the process.

외부베스(214)는 제 2 하우징(214a) 및 커버(214b)를 구비한다. 제 2 하우징(214a)은 제 1 하우징(212a)의 측부를 감싸도록 설치된다. 제 2 하우징(214a)의 측벽의 상단 높이는 제 1 하우징(212a)의 측벽 상단의 높이보다 높게 제공된다. 제2 하우징(214a)은 공정시 제 1 하우징(212a)의 개방된 상부로부터 넘쳐흐르는 처리액을 수용하도록 상부가 개방된다. The outer bath 214 has a second housing 214a and a cover 214b. The second housing 214a is installed to surround the side of the first housing 212a. The top height of the sidewall of the second housing 214a is provided higher than the height of the top of the sidewall of the first housing 212a. The second housing 214a is open at the top to receive the processing liquid overflowing from the open top of the first housing 212a during the process.

순환부재(220)는 처리조(210) 내 처리액을 순환시킨다. 순환부재(220)는 순환라인(222), 펌프(224), 필터(226) 및 히터(heater)(228)를 포함한다. 순환라인(222)의 일단은 제 1 하우징(212a) 및 제 2 하우징(214a)과 연결되고, 순환라인(222)의 타단은 분사노즐(212b)에 연결된다. 순환라인(222)은 공정시 제 1 및 제 2 하우징(212a, 214a) 내 처리액을 분사노즐(212b)로 공급한다. 펌프(224)는 순환라인(222) 상에 설치되어, 순환라인(222) 내 처리액에 유동압을 제공한다. 필터(226)는 순환라인(222) 상에 설치되어, 공정시 순환라인(222)을 따라 흐르는 처리액 내 이물질을 필터링한다. 히터(228)는 순환라인(222) 상에 설치되어, 공정시 순환라인(222)을 따라 흐르는 처리액을 기설정된 공정온도로 가열한다.The circulation member 220 circulates the treatment liquid in the treatment tank 210. The circulation member 220 includes a circulation line 222, a pump 224, a filter 226, and a heater 228. One end of the circulation line 222 is connected to the first housing 212a and the second housing 214a, and the other end of the circulation line 222 is connected to the injection nozzle 212b. The circulation line 222 supplies the treatment liquid in the first and second housings 212a and 214a to the injection nozzle 212b during the process. The pump 224 is installed on the circulation line 222 to provide a flow pressure to the processing liquid in the circulation line 222. The filter 226 is installed on the circulation line 222 to filter foreign matter in the processing liquid flowing along the circulation line 222 during the process. The heater 228 is installed on the circulation line 222 to heat the processing liquid flowing along the circulation line 222 during the process to a predetermined process temperature.

계속해서, 상기 기판 세정유닛으로부터 처리된 고온 상태의 처리액을 냉각시켜 배수하는 배수유닛(300)은 처리조(210) 내 처리액을 배수한다. 상기 배수유닛(300)은 처리액 유입라인(310), 냉각액 공급라인(320), 냉각탱크부(330) 및 혼합액 배출라인(340)를 포함한다. Subsequently, the drainage unit 300 for cooling and draining the processing liquid in the high temperature state treated by the substrate cleaning unit drains the processing liquid in the processing tank 210. The drainage unit 300 includes a treatment liquid inlet line 310, a cooling liquid supply line 320, a cooling tank unit 330, and a mixed liquid discharge line 340.

상기 처리액 유입라인(310)은 처리조(210)의 내의 고온상태의 처리액을 이송한다. 상기 처리액 유입라인(310)의 일단은 순환라인(222)에 설치되는 펌프(224)의 후단으로부터 분기되고, 상기 처리액 유입라인(310)의 타단은 냉각탱크부(330)에 연결된다. 상기 처리액 유입라인(310)은 처리조(210)에서 사용된 처리액(이하, '폐 액')을 냉각탱크부(330)로 이송한다. The treatment liquid inlet line 310 transfers the treatment liquid in a high temperature state in the treatment tank 210. One end of the treatment liquid inflow line 310 is branched from a rear end of the pump 224 installed in the circulation line 222, and the other end of the treatment liquid inflow line 310 is connected to the cooling tank 330. The treatment liquid inflow line 310 transfers the treatment liquid (hereinafter, 'waste liquid') used in the treatment tank 210 to the cooling tank unit 330.

상기 냉각액 공급라인(320)은 냉각액을 냉각탱크부(330)로 이송한다. 본 실시예에서는, 상기 냉각액으로서 초순수(De-Ionized Water)가 이용된다.The coolant supply line 320 transfers the coolant to the cooling tank part 330. In this embodiment, ultrapure water (De-Ionized Water) is used as the cooling liquid.

상기 냉각탱크부(330)는 상기 처리액 유입라인(310)을 통해 유입된 폐액과 상기 냉각액 공급라인(320)을 통해 유입된 상기 냉각액을 혼합하여 혼합액을 생성한다. 결과적으로 상기 고온 상태의 폐액과 상기 저온 상태의 냉각액이 혼합됨으로써, 상기 고온 상태의 폐액은 고온에서 저온으로 냉각될 수 있다.The cooling tank 330 mixes the waste liquid introduced through the treatment liquid inflow line 310 and the cooling liquid introduced through the cooling liquid supply line 320 to generate a mixed liquid. As a result, the waste liquid in the high temperature state and the cooling liquid in the low temperature state are mixed, whereby the waste liquid in the high temperature state can be cooled from high temperature to low temperature.

상기 혼합액 배출라인(340)은 상기 고온 상태의 폐액이 냉각되면서 생성되는 혼합액을 폐액 처리실(미도시)로 배수(drain)시킨다. The mixed liquid discharge line 340 drains the mixed liquid generated while the high temperature waste liquid is cooled to a waste liquid processing chamber (not shown).

이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 도 1에 도시된 냉각탱크부에 대해 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the cooling tank unit shown in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 도 1에 도시된 냉각탱크부을 구성하는 냉각탱크의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 냉각탱크의 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 A부분을 확대한 도면이다.2 is a perspective view of a cooling tank constituting the cooling tank unit shown in FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view of the cooling tank shown in FIG. 2, and FIG. 4 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 3.

도 2 및 도 3을 참조하면, 냉각탱크부(330)는 폐액 냉각탱크(332) 및 혼합부(334)를 포함한다. 2 and 3, the cooling tank unit 330 includes a waste liquid cooling tank 332 and a mixing unit 334.

폐액 냉각탱크(332)는 상부면(S1), 상기 상부면(S1)과 마주하는 하부면(S2) 및 상기 상부면(S1)과 상기 하부면(S1)을 연결하는 복수의 측벽(S3)으로 이루어진다. 도 2에서는 4개의 측벽을 갖는 폐액 냉각탱크(332)가 도시된다. 따라서, 본 실시예에서 상기 폐액 냉각탱크(332)는 직육면체 형상을 갖는다. The waste liquid cooling tank 332 includes an upper surface S1, a lower surface S2 facing the upper surface S1, and a plurality of sidewalls S3 connecting the upper surface S1 and the lower surface S1. Is done. 2 shows a waste liquid cooling tank 332 having four side walls. Therefore, in this embodiment, the waste liquid cooling tank 332 has a rectangular parallelepiped shape.

상기 폐액 냉각탱크(332)의 상부면(S1)에는 제 1 유입구(OP1)와 제 2 유입구(OP2)가 형성된다. 상기 제 1 유입구(OP1)를 통해 냉각액과 폐액이 상기 폐액 냉각탱크(332)내부로 유입된다. 상기 제 2 유입구(OP2)를 통해 냉각액이 상기 폐액 냉각탱크(332)의 내부로 유입된다. 이때, 상기 제 1 유입구(OP1)를 통해 유입되는 냉각액과 폐액이 상기 냉각 탱크 내부로 유입되기에 앞서 상기 제 2 유입구(OP2)를 통해 상기 냉각액이 먼저 상기 냉각탱크로 유입되어 상기 냉각탱크 바닥면에 정체된다. 상기 폐액 냉각탱크(332)의 바닥면에 냉각액이 정체된 상태에서 상기 제 1 유입구(OP1)를 통해 고온 상태의 폐액이 수직방향으로 유입되어 상기 바닥면에 정체된 냉각액과 혼합된다. 따라서, 고온상태의 폐액과 상기 냉각액이 직접 혼합됨으로써, 냉각효과를 증대시킬수 있다.The first inlet OP1 and the second inlet OP2 are formed at the upper surface S1 of the waste liquid cooling tank 332. Cooling liquid and waste liquid are introduced into the waste liquid cooling tank 332 through the first inlet OP1. Cooling liquid flows into the waste liquid cooling tank 332 through the second inlet OP2. At this time, before the coolant and the waste liquid introduced through the first inlet OP1 are introduced into the cooling tank, the coolant is first introduced into the cooling tank through the second inlet OP2 and the bottom surface of the cooling tank. Stagnated in In a state where the coolant is stagnant on the bottom surface of the waste liquid cooling tank 332, the waste liquid of a high temperature state flows in the vertical direction through the first inlet OP1 and is mixed with the coolant stagnant on the bottom surface. Therefore, by directly mixing the waste liquid in a high temperature state and the cooling liquid, it is possible to increase the cooling effect.

상기 폐액 냉각탱크(332)의 측벽(S3)들 중 일측벽(S3)에는 배출구(OP3)가 형성된다. 상기 배출구(OP3)는 배출라인(340)과 연결되어 상기 배출라인을 통해 폐액과 냉각액이 폐액처리실(미도시)로 배수된다.A discharge port OP3 is formed at one side wall S3 of the sidewalls S3 of the waste liquid cooling tank 332. The discharge port OP3 is connected to the discharge line 340 so that the waste liquid and the cooling liquid are drained to the waste liquid treatment chamber (not shown) through the discharge line.

한편, 도 4를 참조하면, 상기 배출구(OP3)가 상기 폐액 냉각탱크(332)의 하부면(S1)으로부터 일정 간격으로 이격되어 상기 측벽에 형성된다. 즉, 상기 배출구(OP3)는 상기 냉각탱크의 일측벽(S2)에 상기 하부면(S1)으로부터 일정 높이(h)에 위치하여 형성된다. 이로 인해, 폐액 냉각탱크(332)로 유입되는 폐액과 냉각액으로 이루어진 혼합액의 수위가 상기 배출구(0P3)에 도달하게 되면, 상기 혼합액이 오버플로우되어 상기 배출구(OP3)에 연결된 배출라인(340)을 통해 폐액처리실로 배수된다. 따라서, 폐액과 냉각액으로 이루어진 혼합액은 그 수위가 배출구(OP3)에 도달 하여 오버플로우될 때까지 충분한 냉각시간을 갖게 된다. 따라서 고온 상태의 폐액의 냉각효율이 극대화시킬수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 4, the outlet OP3 is spaced apart from the lower surface S1 of the waste liquid cooling tank 332 at regular intervals and is formed on the sidewall. That is, the outlet OP3 is formed at a predetermined height h from the lower surface S1 on one side wall S2 of the cooling tank. Thus, when the level of the mixed liquid consisting of the waste liquid and the cooling liquid flowing into the waste liquid cooling tank 332 reaches the outlet (0P3), the mixed liquid overflows the discharge line 340 connected to the outlet (OP3) Through the waste liquid treatment chamber. Therefore, the mixed liquid consisting of the waste liquid and the cooling liquid has a sufficient cooling time until the water level reaches the outlet OP3 and overflows. Therefore, the cooling efficiency of the waste liquid at high temperature can be maximized.

한편, 상기 측벽(S3)에 형성되는 배출구의 높이(h1)는 폐액 냉각탱크(332)의 하부면(S2)의 면적에 따라 결정된다. 즉, 하부면(S2)의 면적이 넓을수록 고온상태의 폐액은 충분한 양의 냉각액과 혼합되므로, 폐액의 냉각시간은 단축된다. 따라서, 하부면(S2)의 면적이 넓을수록 하부면(S2)으로부터 이격되는 상기 배출구(OP3)의 높이(h)는 하부면(S2)으로부터 낮게 설계된다. 예컨대, 제 1 면적의 하부면(S2)을 갖는 냉각탱크의 일측벽에 형성된 배출구가 하부면으로부터 제 1 높이를 갖는다고 가정할 때, 상기 1 면적보다 큰 제 2 면적의 하부면을 갖는 냉각탱크는 그 일측벽에 상기 제 1 높이보다 낮은 제 2 높이의 배출구(OP3)가 설계된다. On the other hand, the height h1 of the outlet formed in the side wall (S3) is determined according to the area of the lower surface (S2) of the waste liquid cooling tank (332). That is, as the area of the lower surface S2 increases, the waste liquid in the high temperature state is mixed with a sufficient amount of the cooling liquid, so that the cooling time of the waste liquid is shortened. Therefore, as the area of the lower surface S2 increases, the height h of the outlet OP3 spaced apart from the lower surface S2 is designed to be lower from the lower surface S2. For example, assuming that an outlet formed in one side wall of the cooling tank having the lower surface S2 of the first area has a first height from the lower surface, the cooling tank having the lower surface of the second area larger than the first area. The outlet wall OP3 having a second height lower than the first height is designed on one side wall thereof.

상기 측벽에 형성되는 배출구(OP3)의 높이는 유입되는 폐액과 냉각액의 유량, 하부면의 면적 및 폐액의 온도변화율을 반복된 실험을 통해 수치화하고, 수치화된 결과치를 근거로 배출구의 높이를 결정할 수 있다. The height of the outlet OP3 formed on the side wall may be quantified through repeated experiments of the flow rate of the waste liquid and the coolant, the area of the lower surface, and the temperature change rate of the waste liquid, and the height of the outlet may be determined based on the numerical result. .

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 혼합부(334)는 냉각액의 흐름에 따라 폐액을 혼합하여 폐액 냉각탱크(332) 내부로 이송한다. 따라서, 냉각탱크 내부에서 폐액을 냉각시키기에 앞서 상기 혼합부(334)에서 폐액을 1차적으로 냉각시킬 수 있다.2 and 3, the mixing unit 334 mixes the waste liquid according to the flow of the cooling liquid and transfers the waste liquid into the waste liquid cooling tank 332. Therefore, before the waste liquid is cooled inside the cooling tank, the waste liquid may be primarily cooled in the mixing unit 334.

상기 혼합부(334)는 몸체(334a) 및 삼방향 밸브(334b)를 포함한다. 상기 몸체(334a)는 제 1 유입관(334a-1), 제 2 유입관(334a-2) 및 배출관(334a-3)을 포함한다. 상기 제 1 유입관(334a-1)은 상기 삼방향 밸브(334b)와 연결되어 냉각액을 공급받는다. 상기 제 2 유입관(334a-2)은 처리액 유입라인(310)과 연결되어 처리조(210, 도 1을 참조)보부터 배수되는 폐액을 공급받는다. 상기 배출관(334a-3)은 폐액 냉각탱크(332)의 상부면(S1)에 형성되는 제 1 개구부(OP1)와 연결되어 상기 제 1 유입관과 상기 제 2 유입관을 통해 각각 유입되는 상기 냉각액과 상기 폐액을 상기 폐액 냉각탱크(332)의 내부공간으로 배수한다. 상기 삼방향 밸브(334b)는 냉각액 공급라인(320)을 통해 공급되는 냉각액을 상기 몸체(334a)와 별도의 라인을 통해 연결되는 제 2 개구부(OP22)로 공급한다. The mixing portion 334 includes a body 334a and a three-way valve 334b. The body 334a includes a first inlet pipe 334a-1, a second inlet pipe 334a-2, and a discharge pipe 334a-3. The first inlet pipe 334a-1 is connected to the three-way valve 334b to receive a coolant. The second inflow pipe 334a-2 is connected to the treatment liquid inflow line 310 to receive the waste liquid drained from the treatment tank 210 (see FIG. 1). The discharge pipe (334a-3) is connected to the first opening (OP1) formed in the upper surface (S1) of the waste liquid cooling tank 332 and the cooling liquid introduced through the first inlet pipe and the second inlet pipe, respectively And the waste liquid is drained into the interior space of the waste liquid cooling tank 332. The three-way valve 334b supplies the coolant supplied through the coolant supply line 320 to the second opening OP22 connected to the body 334a through a separate line.

이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용한 폐액 처리 방법에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, the waste liquid processing method using the above-mentioned substrate processing apparatus is demonstrated.

먼저, 폐액 냉각탱크(332) 내부에 일정량의 냉각액을 채운다. 이때, 냉각액은 도 3에 도시된 삼방향 밸브를 통해 제 1 유입구(OP1)와 제 2 유입구(OP2)를 통해 동시에 폐액 냉각탱크(332) 내부로 유입된다. 이후, 처리액 유입라인(310)과 연결되는 혼합부(334)를 통해 폐액이 냉각탱크로 제 1 유입구(OP1)를 통해 유입된다. 이때, 처리액 유입라인(310)을 통해 유입되는 폐액은 상기 혼합부(334)에서 1차적으로 혼합되어 폐액 냉각탱크(332)로 유입된다. 이후, 폐액 냉각탱크(332) 내에 정체되어 있는 냉각액과 상기 혼합부(334)를 통해 함께 공급되는 폐액과 냉각액이 혼합된다. 이와 같이 혼합된 폐액과 냉각액은 그 수위가 상승하여 배출구(OP3)에 연결된 배출라인(340) 통해 오버플로우되어 배수처리된다. 결과적으로 혼합된 폐액과 냉각액이 오버플로우되는 시간동안 상기 폐액은 냉각액에 의해 충분히 냉각되어 배수처리된다.First, a predetermined amount of cooling liquid is filled in the waste liquid cooling tank 332. At this time, the coolant flows into the waste liquid cooling tank 332 simultaneously through the first inlet OP1 and the second inlet OP2 through the three-way valve shown in FIG. 3. Thereafter, the waste liquid is introduced into the cooling tank through the first inlet OP1 through the mixing unit 334 connected to the treatment liquid inflow line 310. At this time, the waste liquid introduced through the treatment liquid inflow line 310 is primarily mixed in the mixing unit 334 is introduced into the waste liquid cooling tank 332. Thereafter, the cooling liquid stagnated in the waste liquid cooling tank 332 and the waste liquid and the cooling liquid supplied together through the mixing unit 334 are mixed. The waste liquid and the coolant mixed in this way are raised in water level and overflowed through the discharge line 340 connected to the discharge port OP3 to be disposed of. As a result, the waste liquid is sufficiently cooled and drained by the cooling liquid during the time when the mixed waste liquid and the cooling liquid overflow.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.1 is a view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 배수유닛을 구성하는 냉각탱크부의 사시도이다. 2 is a perspective view of a cooling tank unit constituting the drainage unit shown in FIG.

도 3은 도 2에 도시된 냉각탱크의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of the cooling tank shown in FIG.

도 4는 도 3에 도시된 A부분을 확대한 도면이다.FIG. 4 is an enlarged view of a portion A shown in FIG. 3.

Claims (5)

처리액을 사용하여 기판을 처리하는 처리조; 및A treatment tank for treating the substrate using the treatment liquid; And 외부로부터 공급되며 상기 처리액보다 낮은 온도를 갖는 냉각액과 상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액을 저장하는 폐액 냉각탱크를 포함하고,A waste liquid cooling tank supplied from the outside and having a lower temperature than the treatment liquid and storing the treatment liquid discharged from the treatment tank, 상기 폐액 냉각탱크는 하부면으로부터 일정 높이에 형성되어 상기 처리액과 상기 냉각액을 배출하는 배출구가 형성된 측벽을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the waste liquid cooling tank has a sidewall formed at a predetermined height from a lower surface thereof and having a sidewall formed at an outlet for discharging the processing liquid and the cooling liquid. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 폐액 냉각탱크로 상기 처리액을 유입하는 처리액 유입라인;A treatment liquid inlet line for introducing the treatment liquid into the waste liquid cooling tank; 상기 폐액 냉각탱크로 상기 냉각액을 공급하는 냉각액 공급라인; 및A coolant supply line for supplying the coolant to the waste liquid cooling tank; And 상기 배출구에 연결되어 혼합된 상기 처리액과 상기 냉각액을 배출하는 배출라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And a discharge line for discharging the processing liquid and the cooling liquid connected to the discharge port. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 2, 상기 냉각액은,The coolant is, 초순수(De-Ionized Water)인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus characterized in that the ultra-pure water (De-Ionized Water). 사용된 처리액을 처리하는 폐액 처리 방법에 있어서, In the waste liquid processing method of processing the used processing liquid, 상기 처리액과 상기 처리액의 온도보다 낮은 온도의 냉각액을 혼합시키는 폐액 냉각탱크를 구비하여 상기 폐액을 처리하되,A waste liquid cooling tank for mixing the treatment liquid and the cooling liquid at a temperature lower than the temperature of the treatment liquid is provided to treat the waste liquid, 상기 냉각탱크의 일측벽에는 하부면으로부터 일정 높이에 형성된 배출구가 구비되어, 상기 혼합된 폐액과 처리액의 수위가 상기 일정 높이에 도달하면 상기 혼합된 폐액과 처리액이 상기 배출구로 오버플로우되어 배출되는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 방법.One side wall of the cooling tank is provided with a discharge port formed at a predetermined height from a lower surface, and when the level of the mixed waste liquid and the processing liquid reaches the predetermined height, the mixed waste liquid and the processing liquid overflow to the discharge port and discharged. Waste liquid treatment method characterized in that. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 처리액과 상기 냉각액의 혼합은,Mixing of the processing liquid and the cooling liquid, 상기 냉각탱크로 냉각액을 유입시키는 단계와,Introducing a coolant into the cooling tank; 상기 냉각액이 채워진 상태에서 상기 냉각탱크로 폐액을 유입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 방법.And injecting the waste liquid into the cooling tank while the cooling liquid is filled.
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