KR20090020821A - Method of etching a glass substrate and apparatus of etching a glass substrate - Google Patents

Method of etching a glass substrate and apparatus of etching a glass substrate Download PDF

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Abstract

A method and an apparatus for etching a glass substrate are provided to improve efficiency of an etching process by performing a cleaning process and an etching process at the same time. A glass substrate is etched by depositing the glass substrate in the etchant included in a bath with an etching region and a cleaning region(S10). The glass substrate is transferred to the cleaning region of the bath and the etching region and the cleaning region are separated(S20). The etchant in the cleaning region is discharged(S30). The etchant is processed in the glass substrate(S40).

Description

유리기판 식각 방법 및 유리기판 식각 장치{METHOD OF ETCHING A GLASS SUBSTRATE AND APPARATUS OF ETCHING A GLASS SUBSTRATE}Glass substrate etching method and glass substrate etching apparatus {METHOD OF ETCHING A GLASS SUBSTRATE AND APPARATUS OF ETCHING A GLASS SUBSTRATE}

본 발명은 식각 방법 및 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 유리기판 식각 방법 및 유리기판 식각 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an etching method and an etching apparatus, and more particularly to a glass substrate etching method and a glass substrate etching apparatus.

엘씨디(LCD : liquid crystal dispaly), 피디피(PDP : palsma display panel), 이엘디(ELD : electro luminescent display), 브에프디(VFD : vacuum fluorescent display) 등과 같은 평판 디스플레이는 그 구성 요소로서 실리콘 산화물로 이루어지는 유리기판 또는 유리를 포함한다. 상기 유리기판의 경우에는 상기 평판 디스플레이에서 차지하는 중량이 가장 크기 때문에 상기 평판 디스플레이의 집적화를 위한 일환으로서 상기 유리기판의 중량을 줄이는 연구가 활발하게 진행 중에 있다. 상기 유리기판의 중량을 줄이는 방법의 예로서는 상기 유리기판의 두께를 얇게 만드는 박판화를 들 수 있다. 특히, 상기 유리기판 중에서 상기 엘씨디에 포함되는 유리기판의 경우에는 그 두께가 종래에는 약 1.2mm로 관리되고 있었지만, 최근에는 약 0.8mm로 관리되고 있고, 보다 집적도를 요구하는 유기 기판의 경우에는 약 0.6mm 이하까지로 관리되고 있는 실정이다.Flat panel displays such as LCD (liquid crystal dispaly), PDP (palsma display panel), ELD (electro luminescent display), and VFD (vacuum fluorescent display) are components of silicon oxide. Glass substrate or glass. In the case of the glass substrate, since the weight occupies the flat panel display, the research to reduce the weight of the glass substrate is actively underway as part of the integration of the flat panel display. An example of a method of reducing the weight of the glass substrate may be a thin plate making the glass substrate thinner. In particular, in the case of the glass substrate included in the LCD among the glass substrate, the thickness of the glass substrate was conventionally controlled to about 1.2 mm, but recently managed to about 0.8 mm, in the case of the organic substrate that requires more integration The situation is managed up to 0.6mm or less.

상기 유리기판의 박판화를 위하여 종래에는 주로 식각액을 수용하는 용기 내에 상기 유리기판을 침적하여 상기 유리기판의 표면을 식각하는 방법을 선택하고 있다. 특히, 상기 유리기판의 박판화를 위한 식각 공정을 수행할 때, 상기 유리기판의 표면이 매끄럽지 못하면 상기 유리기판을 포함하는 평판 디스플레이의 화질에 중대한 결함을 제공하기 때문에 상기 유리기판을 얇게 형성해야 할 뿐만 아니라 균일하게 형성해야 한다.In order to reduce the thickness of the glass substrate, a method of etching the surface of the glass substrate is conventionally selected by immersing the glass substrate in a container containing an etchant. In particular, when performing an etching process for thinning the glass substrate, if the surface of the glass substrate is not smooth, the glass substrate should be thinly formed because it provides a significant defect in the image quality of the flat panel display including the glass substrate. It must be formed uniformly.

이를 위하여, 상기 용기 저면에 버블러, 스프레이 노즐 등을 설치하고, 상기 식각 공정을 수행할 때 상기 용기 저면으로부터 상기 용기 내에 수직으로 위치시킨 상기 유리기판으로 상기 식각액을 버블링시키거나 분무시키는 방법을 적용하고 있다. 즉, 상기 버블러, 스프레이 노즐 등을 사용하여 상기 유리기판에 상기 식각액을 균일하게 제공하는 것이다. 특히, 상기 유리기판을 식각할 때, 상기 식각액을 버블링시키는 방법에 대한 예는 대한민국 특허출원 1998-37000호에 개시되어 있고, 상기 식각액을 분무시키는 방법에 대한 예는 대한민국 특허출원 1996-23779호에 개시되어 있다. 그러나, 상기 버블러 또는 스프레이 노즐 등을 사용하여 상기 유리기판을 식각하여도 만족할 만한 정도의 균일한 표면을 갖는 유리기판을 획득하는 것이 용이하지 않다.To this end, a bubbler, a spray nozzle, or the like is installed on the bottom of the vessel, and when the etching process is performed, the etching solution is bubbled or sprayed from the bottom of the vessel to the glass substrate vertically positioned in the vessel. It is applied. That is, the etching solution is uniformly provided to the glass substrate using the bubbler, the spray nozzle, or the like. In particular, an example of a method of bubbling the etchant when etching the glass substrate is disclosed in Korean Patent Application No. 1998-37000, and an example of a method of spraying the etchant is Korean Patent Application No. 1996-23779 Is disclosed. However, even when the glass substrate is etched using the bubbler or spray nozzle, it is not easy to obtain a glass substrate having a uniform surface that is satisfactory.

이에 따라, 최근에는 상기 유리기판의 박판화 뿐만 아니라 균일화를 위하여 상기 식각 공정을 수행한 후, 상기 유리기판을 폴리싱하는 공정을 수행하기도 한다. 그러나, 상기 유리기판을 폴리싱할 경우에는 상기 유리기판에 압력이 가해지기 때문에 상기 유리기판 자체가 손상될 가능성이 높다.Accordingly, recently, after performing the etching process for uniformity as well as thinning of the glass substrate, a process of polishing the glass substrate may be performed. However, when polishing the glass substrate, since the pressure is applied to the glass substrate, the glass substrate itself is likely to be damaged.

따라서 본 발명의 목적은 균일하고 효율적으로 유리기판을 식각할 수 있는 유리기판 식각 방법을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a glass substrate etching method capable of etching a glass substrate uniformly and efficiently.

본 발명의 다른 목적은 상기 유리 기판 식각 방법을 달성하기 위한 유리기판 식각 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a glass substrate etching apparatus for achieving the glass substrate etching method.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 유리기판 식각 방법에 따르면, 먼저, 식각 영역과 세정 영역을 포함하는 배스에 수용된 식각액에 유리기판을 침적하여 상기 유리기판을 식각한다. 상기 유리기판을 상기 배스의 세정 영역으로 이송하고 상기 식각 영역과 상기 세정 영역을 분리한다. 상기 세정 영역의 식각액을 배출한다. 상기 유리기판에 세정액을 가한다.According to the glass substrate etching method according to an embodiment for achieving the above object of the present invention, first, the glass substrate is etched by immersing the glass substrate in an etchant contained in a bath including an etching region and a cleaning region. The glass substrate is transferred to the cleaning area of the bath and the etching area and the cleaning area are separated. The etchant in the cleaning area is discharged. A cleaning liquid is added to the glass substrate.

예를 들어, 상기 식각액은 불화물염, 황산염, 질산염, 술폰산염, 불산, 황산 및 질산 등을 포함할 수 있으며, 상기 세정액은 탈이온수 등을 포함할 수 있다.For example, the etchant may include fluoride salts, sulfates, nitrates, sulfonates, hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, and the like, and the cleaning solution may include deionized water.

또한, 식각 효율을 증가시키기 위하여 상기 유리기판이 식각되는 동안 식각액의 수류를 발생시킬 수 있다.In addition, in order to increase the etching efficiency, the water flow of the etchant may be generated while the glass substrate is etched.

예를 들어, 상기 세정 영역의 식각액을 배출한 후, 유리기판의 불순물 등을 제거하기 위하여 온도가 10 내지 30 ℃인 식각액을 가할 수 있다.For example, after the etching solution of the cleaning region is discharged, an etching solution having a temperature of 10 to 30 ° C. may be added to remove impurities from the glass substrate.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치는 식각액을 수용하며 식각 영역과 세정 영역을 포함하는 배스, 상기 배스 내부 에 위치하며 기판을 고정하고 이송하기 위한 기판 이송부, 상기 식각 영역과 세정 영역을 분리하는 분리 부재 및 상기 세정 영역에서 상기 기판에 세정액을 공급하는 세정 부재를 포함한다.Glass substrate etching apparatus according to an embodiment for achieving the above object of the present invention is a bath containing the etching liquid and the etching area and the cleaning area, the substrate transfer unit for fixing and transporting the substrate located in the bath, And a separating member separating the etching region and the cleaning region, and a cleaning member supplying the cleaning liquid to the substrate in the cleaning region.

예를 들어, 상기 기판 이송부는 상기 기판을 고정하는 지그 및 상기 지그를 이송하는 레일을 포함할 수 있다.For example, the substrate transfer unit may include a jig for fixing the substrate and a rail for transferring the jig.

상기 식각 장치는 상기 식각액의 수류를 발생시키기 위한 수류 발생부를 더 포함할 수 있으며, 상기 수류 발생부는 회전 부재 및 상기 회전 부재에 연결되며 왕복운동이 가능한 지지 부재를 포함할 수 있다.The etching apparatus may further include a water flow generating unit for generating the water flow of the etchant, wherein the water flow generating unit may include a rotating member and a support member connected to the rotating member and capable of reciprocating.

또한, 상기 식각 장치는 상기 세정 영역의 식각액을 배출하기 위한 배출구 및 배출 밸브를 더 포함할 수 있으며, 상기 배스의 바닥은 상기 세정 영역을 향하여 낮아질 수 있다.In addition, the etching apparatus may further include a discharge port and a discharge valve for discharging the etching liquid of the cleaning area, the bottom of the bath may be lowered toward the cleaning area.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 식각과 세정이 연속적으로 이루어질 수 있으며, 복수개의 기판을 투입하여 세정 공정과 식각 공정을 동시에 진행시킬 수 있다. 따라서, 식각 공정의 효율을 높일 수 있다. 뿐만 아니라, 식각 공정에서 세정 공정으로 옮겨지는 사이에 불순물이 기판의 표면에 결합하여 품질을 저하시키는 것을 방지할 수 있다. According to one embodiment of the present invention described above, etching and cleaning may be performed continuously, and a plurality of substrates may be input to simultaneously perform the cleaning process and the etching process. Therefore, the efficiency of the etching process can be improved. In addition, it is possible to prevent impurities from being bonded to the surface of the substrate and degrading the quality between the etching process and the cleaning process.

유리기판 식각 방법Glass substrate etching method

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 방법을 나타내는 순서도 이다. 1 is a flow chart showing a glass substrate etching method according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 식각 영역과 세정 영역을 포함하는 배스에 수용된 식각액에 유리기판을 침적하여 상기 유리기판을 식각한다(S 10). 상기 유리기판의 식각 효율을 증가시키기 위하여 상기 식각액의 수류를 발생시킬 수 있다. 상기 식각액은 불화물염, 황산염, 질산염, 술폰산염, 불산, 황산, 질산 등을 포함할 수 있으며, 이들을 각각 단독으로 또는 조합으로 사용될 수 있다. 구체적으로, 염들로서 산성불화암모늄, 황산암모늄, 질산암모늄 등이 사용될 수 있다. 특히, 상기 식각액이 불화물염을 포함하는 경우, 불산을 포함하는 경우에 비하여 그 취급이 용이할 뿐만 아니라 반응 부산물의 계속적인 생성과 잔류로 인하여 기판의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 식각액의 온도는, 예를 들어, 약 10 내지 약 60 ℃일 수 있다. 상기 식각액의 온도가 높을수록 식각 속도가 증가하지만, 기판의 표면 품질을 균일하게 유지하기가 어렵다.Referring to FIG. 1, a glass substrate is etched by etching a glass substrate in an etchant contained in a bath including an etching region and a cleaning region (S 10). In order to increase the etching efficiency of the glass substrate, water flow of the etching solution may be generated. The etchant may include fluoride salts, sulfates, nitrates, sulfonates, hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, and the like, each of which may be used alone or in combination. Specifically, as the salts, acidic ammonium fluoride, ammonium sulfate, ammonium nitrate and the like can be used. In particular, when the etchant contains a fluoride salt, the etching solution may be easier to handle than the case containing the hydrofluoric acid, and the substrate may be prevented from being degraded due to the continuous generation and residual reaction by-products. The temperature of the etchant may be, for example, about 10 to about 60 ℃. Although the etching rate increases as the temperature of the etchant increases, it is difficult to maintain the surface quality of the substrate uniformly.

다음으로, 상기 유리기판을 배스의 세정 영역으로 이동시키고, 상기 세정 영역과 상기 식각 영역을 분리한다(S 20). 상기 식각 영역의 식각액이 상기 세정 영역에 유입되지 않도록 격벽 등을 이용하여 완전히 분리되는 것이 바람직하다. Next, the glass substrate is moved to the cleaning area of the bath, and the cleaning area and the etching area are separated (S 20). It is preferable that the etching liquid of the etching region is completely separated by using a partition wall or the like so as not to flow into the cleaning region.

다음으로, 상기 세정 영역의 식각액을 배출한다(S 30). 상기 식각액은 밸브의 개폐 등을 이용하여 배출구로 신속하게 배출되는 것이 바람직하다.Next, the etching solution of the cleaning region is discharged (S 30). The etchant is preferably quickly discharged to the outlet by using the opening and closing of the valve.

상기 유리기판에 세정액을 가한다(S 40). 상기 세정액으로는 탈이온수 등이 사용될 수 있으며, 기타 공지된 다른 유리기판용 세정 물질이 사용될 수도 있다. 상기 세정액을 가하기 전에 상온, 예를 들어 약 10 내지 약 30 ℃의 식각액을 상기 유리기판에 가하여 불순물을 제거하는 것이 바람직하다. 유리기판의 품질 저하를 방지하기 위하여 상기 식각액의 배출과 세정액을 또는 상온의 식각액을 가하는 단계는 실질적으로 시간적 간격 없이 연속적으로 이루어지는 것이 바람직하다.The cleaning liquid is added to the glass substrate (S 40). Deionized water may be used as the cleaning liquid, and other known cleaning materials for glass substrates may be used. Before the cleaning solution is added, an etchant at room temperature, for example, about 10 to about 30 ° C. is preferably added to the glass substrate to remove impurities. In order to prevent deterioration of the glass substrate, the step of discharging the etching liquid and adding the cleaning liquid or the etching liquid at room temperature is preferably performed continuously without time intervals.

상기 세정 영역에서 기판의 세정이 진행되는 동안, 식각 영역에서는 다른 기판이 식각될 수 있다. 따라서, 복수의 유리기판의 식각이 연속적으로 이루어질 수 있다.While the substrate is cleaned in the cleaning region, another substrate may be etched in the etching region. Therefore, etching of the plurality of glass substrates may be continuously performed.

유리기판 식각 장치Glass substrate etching device

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치를 나타내는 단면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치를 나타내는 평면도이다. 도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치의 회전 부재를 나타내는 확대 사시도이다.2 is a cross-sectional view showing a glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a plan view illustrating a glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 and 5 are enlarged perspective views showing a rotating member of the glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 유리기판 식각 장치(100)는 식각액(20)을 수용하는 배스(10), 기판(30)을 이송하기 위한 기판 이송부(40), 식각액의 수류를 발생시키기 위한 수류 발생부(50), 상기 배스(10)를 식각 영역(EA)과 세정 영역(CA)로 분리하기 위한 분리 부재(60) 및 상기 기판(30)을 세정하기 위한 세정 부재(70)를 포함한다. 바람직하게, 식각 과정에서 생성된 부산물과 사용된 식각액이 세정 영역의 배출구를 향하여 용이하게 이동할 수 있도록, 상기 배스(10)의 바닥은 상기 세정 영역(CA)을 향하여 낮아지도록 설계될 수 있다.2 and 3, the glass substrate etching apparatus 100 may include a bath 10 accommodating the etching liquid 20, a substrate transfer part 40 for transferring the substrate 30, and a water flow for the etching liquid. The water flow generating unit 50 includes a separation member 60 for separating the bath 10 into an etching area EA and a cleaning area CA, and a cleaning member 70 for cleaning the substrate 30. do. Preferably, the bottom of the bath 10 may be designed to be lowered toward the cleaning area CA so that the by-products generated during the etching process and the etchant used may easily move toward the outlet of the cleaning area.

또한, 상기 유리기판 식각 장치(100)는 상기 배스(10)의 세정 영역(CA)의 식각액을 배출하기 위한 밸브(72), 상기 배출된 식각액의 불순물을 제거하기 위한 필 터(80), 상기 불순물이 제거된 식각액을 보관하기 위한 버퍼 탱크(90) 및 상기 식각액을 상기 배스(10)에 공급하기 위한 펌프(95)를 더 포함할 수 있다.In addition, the glass substrate etching apparatus 100 includes a valve 72 for discharging the etchant in the cleaning area CA of the bath 10, a filter 80 for removing impurities from the discharged etchant, and A buffer tank 90 for storing the etchant from which impurities are removed may be further included and a pump 95 for supplying the etchant to the bath 10.

상기 기판 이송부(40)은 상기 배스(10) 내에 위치하며, 기판(30)을 고정한다. 기판의 식각과 세정이 연속적으로 이루어질 수 있도록, 상기 유리기판 식각 장치(100)는 복수의 기판 이송부(40)를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 기판 이송부(40)는 상기 배스(10)의 일단에서부터 상기 세정 영역(CA)을 향하여 이동한다. 구체적으로, 세정 영역(CA)에서 기판(30)의 세정이 이루어지는 동안, 상기 기판 이송부(40)는 이동하지 않는다. 세정 영역(CA)에서 기판의 세정이 끝나고, 다음 기판을 고정하는 기판 이송부(40)가 세정 영역(CA)으로 이동할 때 나머지 기판 이송부들도 다음 위치로 같이 이동한다.The substrate transfer part 40 is located in the bath 10 and fixes the substrate 30. In order to continuously etch and clean the substrate, the glass substrate etching apparatus 100 preferably includes a plurality of substrate transfer parts 40. The substrate transfer part 40 moves from one end of the bath 10 toward the cleaning area CA. Specifically, the substrate transfer part 40 does not move while the substrate 30 is cleaned in the cleaning area CA. After the substrate is cleaned in the cleaning area CA, when the substrate transfer part 40 fixing the next substrate moves to the cleaning area CA, the remaining substrate transfer parts also move to the next position.

바람직하게, 상기 기판 이송부(40)는 상기 기판(30)을 고정하기 위한 지그 및 상기 지그를 이동시키기 위한 레일을 포함할 수 있으며, 상기 지그 및 상기 레일은 상기 배스(10) 내에 위치할 수 있다. 다른 방법으로, 상기 기판 이송부(40)는 상기 배스(10) 위에 위치하여 상기 기판(30)을 상부에서 고정시킬 수 있다. 상기 배스(10)에서 배출된 식각액을 수용하기 위한 외부 배스(미도시)를 더 포함할 수 있다.Preferably, the substrate transfer part 40 may include a jig for fixing the substrate 30 and a rail for moving the jig, and the jig and the rail may be located in the bath 10. . Alternatively, the substrate transfer part 40 may be positioned on the bath 10 to fix the substrate 30 thereon. An external bath (not shown) may be further included to accommodate the etchant discharged from the bath 10.

상기 수류 발생부(50)는 상기 식각액의 수류를 발생시켜 상기 기판(30)이 균일하고 효율적으로 식각되도록 한다. 또한, 상기 기판(30)의 표면에서 식각에 의해 생성된 부산물들이 기판에 다시 흡착되는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로, 상기 수류 발생부(50)는 회전 부재(52) 및 지지 부재(54)를 포함할 수 있다. The water flow generating unit 50 generates the water flow of the etchant so that the substrate 30 is uniformly and efficiently etched. In addition, by-products generated by etching on the surface of the substrate 30 may be prevented from being adsorbed on the substrate again. In detail, the water flow generating unit 50 may include a rotating member 52 and a support member 54.

상기 회전 부재(52)는 회전을 하여 식각액의 수류를 발생시켜 이를 기판(30)에 공급한다. 이를 통하여, 기판(30)의 식각 속도 및 식각 균일성이 증가될 수 있다. 구체적으로, 상기 회전 부재(52)를 회전시키기 위하여 상기 수류 발생부(50)는 상하 또는 좌우로 왕복 이동할 수 있다. 상기 수류 발생부(50)의 이동에 의해 상기 회전 부재(52)와 식각액 사이에 마찰력이 작용하여 상기 회전 부재(52)가 회전 할 수 있다. 다른 방법으로, 상기 회전 부재(52)는 모터를 포함하여 수류 발생부(50)의 이동 없이 자체적으로 회전할 수도 있다.The rotating member 52 rotates to generate water flow of the etchant to supply it to the substrate 30. Through this, the etching speed and etching uniformity of the substrate 30 may be increased. In detail, the water flow generating part 50 may reciprocate vertically or horizontally to rotate the rotating member 52. By the movement of the water flow generating unit 50, a friction force acts between the rotating member 52 and the etchant to rotate the rotating member 52. Alternatively, the rotation member 52 may include a motor to rotate itself without moving the water flow generator 50.

도 4를 참조하면, 상기 회전 부재(52)는 롤러(52a) 및 상기 롤러(52a)의 표면에 형성된 브러쉬(52b)를 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 브러쉬(52b)와 상기 기판(30) 사이의 마찰에 의해 상기 기판(30)이 손상되지 않도록 상기 브러쉬(52b)는 유연성이 높은 합성 수지로 이루어질 수 있다. 다른 방법으로, 도 5를 참조하면, 상기 회전 부재(52)는 롤러(152a) 및 상기 롤러(152a)의 표면으로부터 돌출된 복수의 패드(152b)를 포함할 수 있다. 상기 패드(152b)들은 상기 회전 부재(52)와 식각액의 마찰을 증가시켜 더 강한 수류를 발생시킬 수 있다. 다른 방법으로, 상기 회전 부재(52)는 유선형의 스크류일 수 있다.Referring to FIG. 4, the rotating member 52 may include a roller 52a and a brush 52b formed on the surface of the roller 52a. Preferably, the brush 52b may be made of a synthetic resin having high flexibility so that the substrate 30 is not damaged by friction between the brush 52b and the substrate 30. Alternatively, referring to FIG. 5, the rotating member 52 may include a roller 152a and a plurality of pads 152b protruding from the surface of the roller 152a. The pads 152b may increase the friction between the rotating member 52 and the etchant to generate stronger water flow. Alternatively, the rotating member 52 may be a streamlined screw.

바람직하게, 상기 기판에 수류를 균일하게 공급하기 위하여, 상기 수류 발생부(50)는 복수의 회전 부재(52)를 포함할 수 있으며, 상기 수류 발생부(50)는 기판(30)들 사이에 위치할 수 있다. 상기 수류 발생부(50)는 상기 기판(30)과 기판 이송부(40)의 이동을 방해하지 않도록 지지 부재(54)에 의해 이송된다. Preferably, in order to uniformly supply water flow to the substrate, the water flow generator 50 may include a plurality of rotating members 52, and the water flow generator 50 is disposed between the substrates 30. Can be located. The water flow generating unit 50 is transferred by the support member 54 so as not to interfere with the movement of the substrate 30 and the substrate transfer unit 40.

예를 들어, 도 3을 참조하면, 상기 지지 부재(54)는 상기 수류 발생부(50)가 상기 기판(30)의 이동 경로에서 벗어나도록 평행하게 이동할 수 있다. 상기 기판(30)의 이동이 종료된 후, 상기 지지 부재(54)는 상기 수류 발생부(50)가 기판들 사이에 다시 위치하도록 이동한다. 상기 지지 부재(54)의 이동 방향은 임의적인 것이며, 다른 방법으로, 수직 방향으로 이동할 수 있다.For example, referring to FIG. 3, the support member 54 may move in parallel such that the water flow generating part 50 deviates from the movement path of the substrate 30. After the movement of the substrate 30 is completed, the support member 54 moves so that the water flow generating portion 50 is positioned again between the substrates. The direction of movement of the support member 54 is arbitrary and can alternatively be moved in the vertical direction.

상기 식각액(20)은 불화물염, 황산염, 질산염, 술폰산염, 불산, 황산, 질산 등을 포함할 수 있으며, 앞에서 설명된 유리기판 식각 방법의 식각액과 실질적으로 동일하다.The etchant 20 may include fluoride salt, sulfate, nitrate, sulfonate, hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitric acid, and the like, and is substantially the same as the etching solution of the glass substrate etching method described above.

상기 기판(30)이 상기 세정 영역(CA)로 이동된 후, 상기 식각 영역(EA)과 상기 세정 영역(CA)는 분리 부재(60)에 의해 분리된다. 상기 세정 영역(CA)에서는 기판(30)의 세정이 이루어진다. 예를 들어, 상기 분리 부재(60)에 의해 식각 영역(EA)과 상기 세정 영역(CA)이 분리된 후, 상기 세정 영역(CA)의 배출구에 연결된 배출 밸브의 개폐를 통하여 세정 영역(CA)의 식각액을 신속하게 배출할 수 있다. 상기 기판의 표면에는 식각액과 반응 부산물이 잔류하는데, 신속하게 이를 제거하는 것이 바람직하다. 따라서, 신속하게 상기 기판(30)에 세정액을 공급하는 것이 바람직하다. 상기 세정액은 상기 세정 부재(70)을 통하여 상기 기판(30)에 공급된다. 상기 세정액으로는 탈이온수 등이 사용될 수 있다. After the substrate 30 is moved to the cleaning area CA, the etching area EA and the cleaning area CA are separated by the separating member 60. In the cleaning area CA, the substrate 30 is cleaned. For example, after the etching area EA and the cleaning area CA are separated by the separating member 60, the cleaning area CA is opened and closed by opening and closing the discharge valve connected to the outlet of the cleaning area CA. Can quickly drain the etchant. An etchant and reaction by-products remain on the surface of the substrate, which is preferably removed quickly. Therefore, it is preferable to supply the cleaning liquid to the substrate 30 promptly. The cleaning liquid is supplied to the substrate 30 through the cleaning member 70. Deionized water or the like may be used as the cleaning solution.

상기 세정액을 공급하기 전에 상기 기판(30)의 표면의 불순물을 제거하기 위하여 식각액을 공급할 수 있다. 상기 불순물을 제거하기 위한 식각액은 상온, 예를 들어, 약 10 내지 약 30 ℃인 것이 바람직하며, 상기 세정 부재(70)을 통해 공급될 수 있다. 상기 식각액과 세정액은 노즐을 통해 분사될 수 있으며, 각기 다른 노즐을 통하여, 또는 동일한 노즐을 통하여 분사될 수 있다. 상기 식각액과 세정액이 상기 기판(30)에 고르게 가해지도록 상기 세정 부재(70)는 복수의 노즐을 포함할 수 있다. Before supplying the cleaning solution, an etching solution may be supplied to remove impurities from the surface of the substrate 30. The etchant for removing the impurities is preferably at room temperature, for example, about 10 to about 30 ° C., and may be supplied through the cleaning member 70. The etchant and the cleaning liquid may be sprayed through nozzles, and may be sprayed through different nozzles or through the same nozzle. The cleaning member 70 may include a plurality of nozzles so that the etching liquid and the cleaning liquid are evenly applied to the substrate 30.

다른 방법으로, 상기 식각액이 상기 세정 영역(CA)에서 배출된 후, 상온의 새로운 식각액을 상기 세정 영역(CA)에 다시 공급하여 소정의 시간 동안 식각 및 세정을 진행한 후, 다시 식각액을 배출하고 세정액을 기판에 공급할 수 있다.Alternatively, after the etchant is discharged from the cleaning area CA, new etchant at room temperature is supplied to the cleaning area CA again to perform etching and cleaning for a predetermined time, and then the etching solution is discharged again. The cleaning liquid can be supplied to the substrate.

상기 세정 영역(CA)에서 배출구를 통하여 배출된 식각액은 상기 필터(80)에 공급되어 불순물이 제거된다. 상기 필터(80)에서 불순물이 제거된 식각액은 임시 저장을 위한 버퍼 탱크(90)에 공급된다. 상기 버퍼 탱크(90)에는 상기 식각액을 상기 배스(10)에 공급하기 위한 펌프(95)가 연결된다. 이를 통하여 식각액의 재사용이 가능하고 식각 공정의 비용을 감소시킬 수 있다.The etchant discharged through the outlet in the cleaning area CA is supplied to the filter 80 to remove impurities. The etchant from which impurities are removed from the filter 80 is supplied to the buffer tank 90 for temporary storage. The buffer tank 90 is connected with a pump 95 for supplying the etchant to the bath 10. Through this, the etchant can be reused and the cost of the etching process can be reduced.

상기 세정 영역(CA)에서 기판(30)의 세정이 진행되는 동안, 식각 영역(EA)에서는 다른 기판이 식각될 수 있다. 따라서, 복수의 유리기판의 식각이 연속적으로 이루어질 수 있다.While the substrate 30 is cleaned in the cleaning area CA, another substrate may be etched in the etching area EA. Therefore, etching of the plurality of glass substrates may be continuously performed.

본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치에 따르면, 식각과 세정이 연속적으로 이루어질 수 있으며, 복수개의 기판을 투입하여 세정 공정과 식각 공정을 동시에 진행시킬 수 있다. 따라서, 식각 공정의 효율을 높일 수 있다. 뿐만 아니라, 식각 공정에서 세정 공정으로 옮겨지는 사이에 불순물이 기판의 표면에 결합하여 품질을 저하시키는 것을 방지할 수 있다. According to the glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention, etching and cleaning may be continuously performed, and the cleaning process and the etching process may be simultaneously performed by inputting a plurality of substrates. Therefore, the efficiency of the etching process can be improved. In addition, it is possible to prevent impurities from being bonded to the surface of the substrate and degrading the quality between the etching process and the cleaning process.

이하에서는 구체적인 실시예 및 실험예를 통하여 본 발명의 일 실시예에 따 른 유리기판 식각 방법 및 유리기판 식각 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a glass substrate etching method and a glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention will be described through specific examples and experimental examples.

실시예 1Example 1

식각액을 수용하기 위한 배스, 상기 배스 내부에 설치되어 유리기판을 고정하기 위한 지그, 상기 지그를 이송하기 위한 레일, 상기 배스의 내부를 식각 영역과 세정 영역으로 분리하기 위한 격벽, 수류를 생성하기 위한 스크류, 상기 스크류와 연결되며 상하/좌우로 왕복 운동이 가능한 암(arm) 및 세정액과 식각액을 분사할 수 있는 분사 노즐을 포함하는 유리기판 식각 장치를 준비하였다. 상기 지그에 약 600mm X 700mm X 0.63mm의 유리기판을 고정하고, 상기 배스에 식각액으로 GLET-100(제품명, 지원테크, 한국)을 공급하여 약 45 ℃에서 약 120분 동안 식각을 진행하였다. 다음으로, 상기 지그를 세정 영역으로 이동시켜 격벽으로 식각 영역과 분리하였다. 상기 세정 영역의 식각액을 퀵 드레인한 후, 상기 유리기판에 탈이온수를 분사하여 유리기판을 세정하였다.Bath for accommodating etchant, jig for fixing the glass substrate is installed inside the bath, rail for transporting the jig, partition for separating the interior of the bath into the etching area and the cleaning area, for generating water flow A glass substrate etching apparatus including a screw, an arm connected to the screw and capable of reciprocating up, down, left and right, and a spray nozzle capable of spraying a cleaning liquid and an etching liquid were prepared. A glass substrate of about 600 mm x 700 mm x 0.63 mm was fixed to the jig, and GLET-100 (product name, Jiwon Tech, Korea) was supplied to the bath as an etchant and the etching was performed at about 45 ° C. for about 120 minutes. Next, the jig was moved to the cleaning area and separated from the etching area by the partition wall. After the quick drain of the etchant in the cleaning region, deionized water was sprayed onto the glass substrate to clean the glass substrate.

실시예 2Example 2

세정 영역의 식각액을 퀵 드레인한 후, 유리기판에 탈이온수를 분사하기 전에 약 20 ℃의 식각액을 유리기판에 분사하는 단계를 더 포함한 것을 제외하고는 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 식각과 세정을 행하였다.Etching and cleaning in substantially the same manner as in Example 1, except that after the quick drain of the etchant in the cleaning area, and further comprising the step of spraying the etchant at about 20 ℃ to the glass substrate before spraying the deionized water to the glass substrate Was performed.

실시예 3Example 3

식각액의 온도가 약 20 ℃인 것을 제외하고는 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 식각과 세정을 행하였다.Etching and washing were performed in substantially the same manner as in Example 1, except that the temperature of the etchant was about 20 ° C.

비교예 1Comparative Example 1

식각을 진행한 후 유리기판을 배스에서 꺼내어 다른 배스에서 유리기판을 세정한 것을 제외하고는 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 식각과 세정을 행하였다.After etching, the glass substrate was removed from the bath, and the glass substrate was etched and cleaned in the same manner as in Example 1 except that the glass substrate was cleaned in another bath.

실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 유리기판의 표면에서 백점(white spot)의 발생 여부 및 모서리부의 슬러지 상태를 관찰하고, 식각된 두께를 측정하여 아래의 표 1에 나타내었다. 구체적으로, 유리기판의 표면에서 나타난 백점의 개수를 관찰하여 그 수를 기재하고, 슬러지 상태 여부는 3단계 평가법(○: 양호, △: 보통, X: 불량)으로 나타내었다.The occurrence of white spots on the surfaces of the glass substrates of Example 1, Example 2 and Comparative Example 1 and the sludge state of the edges were observed, and the etched thicknesses were measured and shown in Table 1 below. Specifically, the number of white spots appearing on the surface of the glass substrate was observed, and the number thereof was described. The state of sludge was expressed by a three-step evaluation method (○: good, △: normal, X: poor).

표 1Table 1

Figure 112007061492496-PAT00001
Figure 112007061492496-PAT00001

표 1을 참조하면, 식각 공정과 세정 공정을 다른 배스에서 진행한 비교예 1의 유리기판의 경우, 많은 백점이 생겼으며, 모서리의 슬러지 상태가 좋지 않았음에 반하여, 실시예 1 및 실시예 2에 따라 식각 공정과 세정 공정이 동일한 배스에서 진행된 유리기판은 백점이 적을 뿐만 아니라, 모서리의 슬러지 상태가 양호하였다. 특히, 실시예 2의 결과를 참조하면, 유리기판에 세정액을 가하기 전에 상온의 식각액을 가하는 것이 품질을 개선할 수 있음을 알 수 있다.Referring to Table 1, in the case of the glass substrate of Comparative Example 1 in which the etching process and the cleaning process were performed in different baths, many white spots were generated and the sludge at the edges was not good. As a result, not only the white point but also the sludge of the edges were good in the glass substrate which was processed in the same bath and etching process. In particular, referring to the results of Example 2, it can be seen that the addition of an etchant at room temperature before the cleaning solution is added to the glass substrate can improve the quality.

실시예 3에 따라 식각/세정된 유리기판의 식각 두께는 약 150 ㎛이었으며, 표면조도(Ra)는 약 0.01 ㎛이었다. 반면, 실시예 1에 따라 식각/세정된 유리기판의 표면조도(Ra)는 약 0.03 ㎛이었다. 따라서, 식각액의 온도가 높을 경우, 식각 속도는 증가하나 표면의 균일성이 저하될 수 있음을 알 수 있다.The etching thickness of the glass substrate etched / cleaned according to Example 3 was about 150 μm, and the surface roughness Ra was about 0.01 μm. On the other hand, the surface roughness Ra of the glass substrate etched / cleaned according to Example 1 was about 0.03 μm. Therefore, when the temperature of the etchant is high, it can be seen that the etching rate is increased but the uniformity of the surface may be reduced.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 식각 공정의 효율을 높일 수 있다. 유리기판의 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다. According to the embodiment of the present invention described above, the efficiency of the etching process can be improved. It is possible to prevent the quality of the glass substrate from deteriorating.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below various modifications and It will be appreciated that it can be changed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 방법을 나타내는 순서도이다. 1 is a flow chart showing a glass substrate etching method according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view showing a glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치를 나타내는 평면도이다. 3 is a plan view illustrating a glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유리기판 식각 장치의 회전 부재를 나타내는 확대 사시도이다.4 and 5 are enlarged perspective views showing a rotating member of the glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 배스 20 : 식각액10 bath 20 etching solution

30 : 기판 40 : 기판 이송부30 substrate 40 substrate transfer unit

50 : 수류 발생부 60 : 분리부재50: water flow generator 60: separation member

70 : 세정 부재 EA : 식각 영역70 cleaning member EA: etching region

CA : 세정 영역CA: Cleaning Area

Claims (11)

식각 영역과 세정 영역을 포함하는 배스에 수용된 식각액에 유리기판을 침적하여 상기 유리기판을 식각하는 단계;Etching the glass substrate by depositing a glass substrate in an etchant contained in a bath including an etching region and a cleaning region; 상기 유리기판을 상기 배스의 세정 영역으로 이송하고 상기 식각 영역과 상기 세정 영역을 분리하는 단계;Transferring the glass substrate to a cleaning region of the bath and separating the etching region from the cleaning region; 상기 세정 영역의 식각액을 배출하는 단계; 및Discharging the etchant of the cleaning area; And 상기 유리기판에 세정액을 가하는 단계를 포함하는 유리기판 식각 방법.Glass substrate etching method comprising the step of adding a cleaning liquid to the glass substrate. 제1 항에 있어서, 상기 식각액은 불화물염, 황산염, 질산염, 술폰산염, 불산, 황산 및 질산으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 방법.The method of claim 1, wherein the etching solution comprises at least one selected from the group consisting of fluoride salts, sulfates, nitrates, sulfonates, hydrofluoric acid, sulfuric acid, and nitric acid. 제1 항에 있어서, 상기 식각액의 수류를 발생시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 방법.The glass substrate etching method of claim 1, further comprising generating a stream of the etchant. 제1 항에 있어서, 상기 세정 영역의 식각액을 배출한 후, 온도가 10 내지 30 ℃인 식각액을 가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 방법.The glass substrate etching method of claim 1, further comprising adding an etching solution having a temperature of 10 to 30 ° C. after discharging the etching solution of the cleaning region. 제1 항에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 방법.The method of claim 1, wherein the cleaning liquid comprises deionized water. 식각액을 수용하며 식각 영역과 세정 영역을 포함하는 배스;A bath containing an etchant and including an etching area and a cleaning area; 상기 배스 내부에 위치하며 기판을 고정하고 이송하기 위한 기판 이송부;A substrate transfer part positioned inside the bath to fix and transfer a substrate; 상기 식각 영역과 세정 영역을 분리하는 분리 부재; 및A separation member separating the etching region and the cleaning region; And 상기 세정 영역에서 상기 기판에 세정액을 공급하는 세정 부재를 포함하는 유리기판 식각 장치.And a cleaning member for supplying a cleaning liquid to the substrate in the cleaning region. 제6 항에 있어서, 상기 기판 이송부는 상기 기판을 고정하는 지그 및 상기 지그를 이송하는 레일을 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 장치.The glass substrate etching apparatus of claim 6, wherein the substrate transfer part comprises a jig for fixing the substrate and a rail for transferring the jig. 제6 항에 있어서, 상기 식각액의 수류를 발생시키기 위한 수류 발생부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 장치.The glass substrate etching apparatus of claim 6, further comprising a water flow generator for generating the water flow of the etchant. 제8 항에 있어서, 상기 수류 발생부는 회전 부재 및 상기 회전 부재에 연결되며 왕복운동이 가능한 지지 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 장치.The glass substrate etching apparatus of claim 8, wherein the water flow generating unit comprises a rotating member and a supporting member connected to the rotating member and capable of reciprocating. 제6 항에 있어서, 상기 세정 영역의 식각액을 배출하기 위한 배출구 및 배출 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 장치.The glass substrate etching apparatus of claim 6, further comprising a discharge port and a discharge valve for discharging the etching liquid of the cleaning area. 제6 항에 있어서, 상기 배스의 바닥은 상기 세정 영역을 향하여 낮아지는 것을 특징으로 하는 유리기판 식각 장치.The glass substrate etching apparatus of claim 6, wherein the bottom of the bath is lowered toward the cleaning area.
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