JP2009055037A - Method and device for etching glass substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はエッチング方法及びその装置に係り、より詳しくはガラス基板エッチング方法及びその装置に関する。 The present invention relates to an etching method and apparatus, and more particularly to a glass substrate etching method and apparatus.
LCD(liquid crystal display)、PDP(plasma display panel)、ELD(electro luminescent display)、VFD(vacuum fluorescent display)などのような平板ディスプレーはその構成要素としてシリコン酸化物からなるガラス基板またはガラスを含む。前記ガラス基板の場合には前記平板ディスプレーにおいて占める重量が最も大きいため、前記平板ディスプレーの集積化のための一環として前記ガラス基板の重量を減らす研究が活発に行われている。前記ガラス基板の重量を減らす方法の例としては、前記ガラス基板の厚さを薄くする薄板化を取り上げることができる。特に、前記ガラス基板のうち、前記LCDに含まれるガラス基板の場合にはその厚さが従来は約1.2mmであったが、最近は約0.8mmで管理されており、より集積度を要求するガラス基板の場合には約0.6mm以下まで管理されているのが現状である。 Flat panel displays such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), ELD (Electro Luminescent Display), VFD (Vacuum Fluorescent Display), etc. A glass substrate made of silicon oxide as a constituent element. In the case of the glass substrate, the weight occupied by the flat plate display is the largest. Therefore, as part of the integration of the flat plate display, research on reducing the weight of the glass substrate has been actively conducted. As an example of a method for reducing the weight of the glass substrate, it is possible to take a thin plate to reduce the thickness of the glass substrate. In particular, among the glass substrates, in the case of the glass substrate included in the LCD, the thickness was conventionally about 1.2 mm, but recently it has been managed at about 0.8 mm, and the degree of integration is further increased. In the case of the required glass substrate, it is currently controlled to about 0.6 mm or less.
前記ガラス基板の薄板化のために従来には主にエッチング液を収容する容器内に、前記ガラス基板を沈積して前記ガラス基板の表面をエッチングする方法を選択している。特に、前記ガラス基板の薄板化のためのエッチング工程を遂行する際、前記ガラス基板の表面が滑らかではないと、前記ガラス基板を含む平板ディスプレーの画質に深刻な欠陥を提供するため、前記ガラス基板を薄く形成するのみでなく、均一に形成しなければならない。 In order to reduce the thickness of the glass substrate, conventionally, a method of etching the surface of the glass substrate by depositing the glass substrate in a container mainly containing an etching solution is selected. In particular, when performing an etching process for thinning the glass substrate, if the surface of the glass substrate is not smooth, a serious defect is provided in the image quality of a flat display including the glass substrate. In addition to forming a thin film, it must be formed uniformly.
このため、前記容器の底面にバブラー、スプレーノズルなどを設置し、前記エッチング工程を遂行する際、前記容器底面から前記容器内に垂直に位置させた前記ガラス基板に、前記エッチング液をバブリングさせるか、またはスプレーさせる方法を適用している。即ち、前記バブラー、スプレーノズルなどを使って前記ガラス基板に前記エッチング液を均一に提供することである。特に、前記ガラス基板をエッチングする際、前記エッチング液をバブリングさせる方法に対する例は特許文献1に開示されていて、前記エッチング液をスプレーさせる方法に対する例は特許文献2に開始されている。しかし、前記バブラーまたはスプレーノズルなどを使って前記ガラス基板をエッチングしても満足できるほどの均一な表面を有するガラス基板を得ることは容易ではない。 For this reason, a bubbler, a spray nozzle or the like is installed on the bottom surface of the container, and when the etching process is performed, the etching liquid is bubbled from the bottom surface of the container to the glass substrate positioned vertically in the container. Or apply spraying method. That is, the etchant is uniformly provided to the glass substrate using the bubbler, the spray nozzle or the like. In particular, an example of a method for bubbling the etchant when etching the glass substrate is disclosed in Patent Document 1, and an example of a method for spraying the etchant is started in Patent Document 2. However, even if the glass substrate is etched using the bubbler or the spray nozzle, it is not easy to obtain a glass substrate having a satisfactory uniform surface.
これによって、最近には前記ガラス基板の薄板化のみでなく、均一化のために前記エッチング工程を遂行した後、前記ガラス基板をポリシングする工程も遂行する。しかし、前記ガラス基板をポリシングする場合には、前記ガラス基板に圧力が加わるため、前記ガラス基板自体が損傷を受ける可能性が高い。 Accordingly, recently, not only the thinning of the glass substrate but also the step of polishing the glass substrate is performed after the etching process is performed for uniformity. However, when polishing the glass substrate, since pressure is applied to the glass substrate, the glass substrate itself is highly likely to be damaged.
従って、本発明の目的は、効率的にガラス基板がエッチングできるガラス基板エッチング方法を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a glass substrate etching method capable of efficiently etching a glass substrate.
本発明の他の目的は前記ガラス基板エッチング方法を達成するためのガラス基板エッチング装置を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a glass substrate etching apparatus for achieving the glass substrate etching method.
前述の本発明の目的を達成するための一実施例によるガラス基板エッチング方法によると、まず、エッチング領域と洗浄領域を含むベースに収容されたエッチング液にガラス基板を沈積して前記ガラス基板をエッチングする。前記ガラス基板を前記ベースの洗浄領域へ移送し、前記エッチング領域と前記洗浄領域を分離する。前記洗浄領域のエッチング液を排出する。前記ガラス基板に洗浄液を加える。 According to the glass substrate etching method according to an embodiment of the present invention, the glass substrate is first deposited in an etching solution contained in a base including an etching region and a cleaning region to etch the glass substrate. To do. The glass substrate is transferred to the cleaning region of the base, and the etching region and the cleaning region are separated. The etchant in the cleaning area is discharged. A cleaning solution is added to the glass substrate.
例えば、前記エッチング液は、フッ化物塩、硫酸塩、窒酸塩、スルホン酸塩、フッ化水素酸、硫酸、及び窒酸などを含むことができ、前記洗浄液は除イオン水などを含むことができる。 For example, the etchant may include fluoride salt, sulfate, nitrate, sulfonate, hydrofluoric acid, sulfuric acid, and nitric acid, and the cleaning solution may include deionized water. it can.
また、エッチング効率を増加させるために前記ガラス基板がエッチングされる間、エッチング液の水流を発生させることができる。 In addition, a water flow of the etchant can be generated while the glass substrate is etched to increase the etching efficiency.
例えば、前記洗浄領域のエッチング液を排出した後、ガラス基板の不純物などを除去するために、温度が10〜30℃のエッチング液を加えることができる。 For example, after the etching solution in the cleaning region is discharged, an etching solution having a temperature of 10 to 30 ° C. can be added to remove impurities and the like on the glass substrate.
前述の本発明の目的を達成するための一実施例によるガラス基板エッチング装置はエッチング液を収容し、エッチング領域と洗浄領域を含むベース、前記ベース内部に位置して基板を固定し、移送するための基板移送部、前記エッチング領域と洗浄領域を分離する分離部材、及び前記洗浄領域で前記基板に洗浄液を供給する洗浄部材を含む。 A glass substrate etching apparatus according to an embodiment for achieving the above-described object of the present invention contains an etching solution, a base including an etching region and a cleaning region, and a substrate positioned inside the base for fixing and transferring the substrate. A substrate transfer unit, a separation member that separates the etching region and the cleaning region, and a cleaning member that supplies a cleaning liquid to the substrate in the cleaning region.
例えば、前記基板移送部は前記基板を固定するジグ及び前記ジグを移送するレールを含むことができる。 For example, the substrate transfer unit may include a jig for fixing the substrate and a rail for transferring the jig.
前記エッチング装置は前記エッチング液の水流を発生させるための水流発生部をさらに含むことができ、前記水流発生部は回転部材及び前記回転部材に接続され、往復運動が可能な支持部材を含むことができる。 The etching apparatus may further include a water flow generation unit for generating a water flow of the etchant, and the water flow generation unit includes a rotating member and a support member connected to the rotating member and capable of reciprocating. it can.
また、前記洗浄装置は、前記洗浄領域のエッチング液を排出するための排出口及び排出バルブをさらに含むことができ、前記ベースの底面は、前記洗浄領域に向かって低くなることができる。 The cleaning apparatus may further include a discharge port and a discharge valve for discharging the etching solution in the cleaning region, and the bottom surface of the base may be lowered toward the cleaning region.
前述の本発明の一実施例によると、エッチングと洗浄が連続的に遂行でき、複数個の基板を投入して、洗浄工程とエッチング工程を同時に進行させることができる。従って、エッチング工程の効率を高めることができる。それだけでなく、エッチング工程から洗浄工程へ移送される間、不純物が基板の表面に付着して品質を低下させることが防止できる。 According to the above-described embodiment of the present invention, etching and cleaning can be performed continuously, and a plurality of substrates can be loaded and the cleaning process and the etching process can be performed simultaneously. Therefore, the efficiency of the etching process can be increased. In addition, impurities can be prevented from adhering to the surface of the substrate and deteriorating quality while being transferred from the etching process to the cleaning process.
ガラス基板エッチング方法
図1は本発明の一実施例によるガラス基板エッチング方法を示すフローチャートである。
Glass Substrate Etching Method FIG. 1 is a flowchart showing a glass substrate etching method according to an embodiment of the present invention.
図1を参照すると、エッチング領域と洗浄領域を含むベースに収容されたエッチング液にガラス基板を沈積して前記ガラス基板をエッチングする(S10)。前記ガラス基板のエッチング効率を増加させるために前記エッチング液の水流を発生させることができる。前記エッチング液はフッ化物塩、硫酸塩、窒酸塩、スルホン酸塩、フッ化水素酸、硫酸、窒酸などを含むことができ、これらをそれぞれ単独または組合せで使用することができる。具体的に、塩としての酸性フッ化アンモニウム、硫酸アンモニウム、窒酸アンモニウムなどが使用できる。特に、エッチング液がフッ化物塩を含む場合、フッ化水素酸を含む場合に比べてその取扱が容易であるだけでなく、反応副産物の継続的な生成と残留により基板の品質が低下されることを防止することができる。前記エッチング液の温度は、例えば、約10〜60℃であり得る。前記エッチング液の温度が高いほどエッチング速度は増加するが、基板の表面品質を均一に維持することは難しい。 Referring to FIG. 1, a glass substrate is deposited in an etchant contained in a base including an etching region and a cleaning region, and the glass substrate is etched (S10). In order to increase the etching efficiency of the glass substrate, a water flow of the etching solution can be generated. The etchant may contain fluoride salt, sulfate salt, nitrate salt, sulfonate salt, hydrofluoric acid, sulfuric acid, nitride acid, etc., and these can be used alone or in combination. Specifically, acidic ammonium fluoride, ammonium sulfate, ammonium nitrate as a salt can be used. In particular, when the etchant contains a fluoride salt, it is not only easier to handle than when it contains hydrofluoric acid, but the quality of the substrate is reduced due to the continuous generation and residue of reaction byproducts. Can be prevented. The temperature of the etching solution may be about 10 to 60 ° C., for example. Although the etching rate increases as the temperature of the etching solution increases, it is difficult to keep the surface quality of the substrate uniform.
次に、前記ガラス基板をベースの洗浄領域へ移動させ、前記洗浄領域と前記エッチング領域を分離する(S20)。前記エッチング領域のエッチング液が前記洗浄領域に流入されないように隔壁などを利用して完全に分離することが望ましい。 Next, the glass substrate is moved to a base cleaning region, and the cleaning region and the etching region are separated (S20). It is preferable that the etching solution in the etching region is completely separated using a partition wall so that the etching solution does not flow into the cleaning region.
次に、前記洗浄領域のエッチング液を排出する(S30)。前記エッチング液はバルブの開閉などを利用して排出口に迅速に排出することが望ましい。 Next, the etching solution in the cleaning region is discharged (S30). It is desirable that the etching solution is quickly discharged to the discharge port by opening / closing a valve or the like.
前記ガラス基板に洗浄液を加える(S40)。前記洗浄液としては徐イオン水などが使用でき、その他の公知された他のガラス基板用洗浄物質が使用されることもできる。前記洗浄液を加える前に常温、例えば、約10〜30℃のエッチング液を前記ガラス基板に加えて不純物を除去することが望ましい。ガラス基板の品質低下を防止するために前記エッチング液の排出と洗浄液または常温のエッチング液を加える段階は実質的に時間的間隔無しに連続的遂行をすることが望ましい。 A cleaning solution is added to the glass substrate (S40). Slow ion water or the like can be used as the cleaning liquid, and other known cleaning substances for glass substrates can also be used. Before adding the cleaning solution, it is desirable to remove impurities by adding an etching solution at normal temperature, for example, about 10 to 30 ° C., to the glass substrate. In order to prevent deterioration of the quality of the glass substrate, it is desirable that the step of discharging the etching solution and adding the cleaning solution or the normal temperature etching solution be performed continuously without a time interval.
前記洗浄領域において基板の洗浄が進行される間、エッチング領域では他の基板をエッチングすることができる。従って、複数のガラス基板エッチングを連続的に遂行することができる。 While the substrate is being cleaned in the cleaning region, another substrate can be etched in the etching region. Therefore, a plurality of glass substrate etchings can be performed continuously.
ガラス基板エッチング装置
図2は本発明の一実施例によるガラス基板エッチング装置を示す断面図である。図3は本発明の一実施例によるガラス基板エッチング装置を示す平面図である。図4及び図5は本発明の一実施例によるガラス基板エッチング装置の回転部材を示す拡大斜視図である。
Glass Substrate Etching Apparatus FIG. 2 is a cross-sectional view showing a glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a plan view showing a glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 and 5 are enlarged perspective views showing a rotating member of the glass substrate etching apparatus according to one embodiment of the present invention.
図2及び図3を参照すると、ガラス基板エッチング装置100はエッチング液20を収容するベース10、基板30を移送するための基板移送部40、エッチング液の水流を発生させるための水流発生部50、前記ベース10をエッチング領域EAと洗浄領域CAに分離させるための分離部材60、及び前記基板30を洗浄するための洗浄部材70を含む。望ましくは、エッチング過程で生成された副産物と使用されたエッチング液が洗浄領域の排出口に向かって容易に移動できるように、前記ベース10の底面は前記洗浄領域CAに向かって低くなるように設計されることができる。
Referring to FIGS. 2 and 3, the glass
また、前記ガラス基板エッチング装置100は前記ベース10の洗浄領域CAのエッチング液を排出するためのバルブ72、前記排出されたエッチング液の不純物を除去するためのフィルター80、前記不純物が除去されたエッチング液を保管するためのバッファータンク90、及び前記エッチング液を前記ベース10に供給するためのポンプ95をさらに含む。
In addition, the glass
前記基板移送部40は前記ベース10内に位置して基板30を固定する。基板のエッチングと洗浄が連続的に遂行できるように、前記ガラス基板エッチング装置100は複数の基板移送部40を含むことが望ましい。前記基板移送部40は前記ベース10の一端から前記洗浄領域CAに向かって移動する。具体的に、洗浄領域CAで基板の洗浄が遂行される間、前記基板移送部40は移動しない。洗浄領域CAで基板の洗浄が終わり、次の基板を固定する基板移送部40が洗浄領域CAに移動する際、他の基板移送部も一緒に次の位置へ移動する。
The
望ましくは、前記基板移送部40は前記基板30を固定するためのジグ及び前記ジグを移動させるためのレールを含むことができ、前記ジグ及び前記レールは前記ベース10内に位置できる。他の方法として、前記基板移送部40は前記ベース10の上に位置して前記基板30を上部に固定させることができる。前記ベース10から排出されたエッチング液を収容するための外部ベース(図示せず)をさらに含む。
The
前記水流発生部50は前記エッチング液の水流を発生させて前記基板30が均一で効率的にエッチングされるようにする。また、前記基板30の表面でエッチングによって生成された副産物が基板に再び吸着されることを防止することができる。具体的に、前記水流発生部50は回転部材52及び支持部材54を含む。
The
前記回転部材52が回転してエッチング液の水流を発生させてこれを基板30に供給する。これを通じて、基板30のエッチング速度及びエッチングの均一性が増加することができる。具体的に、前記回転部材52を回転させるために前記水流発生部50は上下または左右に往復移動することができる。前記水流発生部50の移動により前記回転部材52とエッチング液との間に摩擦力が作用して前記回転部材52が回転できる。他の方法としては、前記回転部材52はモーターを含んでおり、水流発生部50の移動無しに自体的に回転することもできる。
The rotating member 52 rotates to generate a water flow of the etching solution and supply it to the
図4を参照すると、前記回転部材52はローラー52a及び前記ローラー52aの表面に形成されたブラッシュ52bを含む。望ましくは、前記ブラッシュ52bと前記基板30との間の摩擦によって前記基板30が損傷されないように、前記ブラッシュ52bは柔軟性の高い合成樹脂からなり得る。他の方法として、図5を参照すると、前記回転部材52はローラー152a及び前記ローラー152aの表面より突出された複数のパッド152bを含むことができる。前記パッド152bは前記回転部材52とエッチング液の摩擦を増加させてさらに強い水流を発生させることができる。他の方法として、前記回転部材52は流線型のスクリューであり得る。
Referring to FIG. 4, the rotating member 52 includes a
望ましくは、前記基板に水流を均一に供給するために、前記水流発生部50は複数の回転部材52を含むことができ、前記水流発生部50は基板30の間に位置できる。前記水流発生部50は前記基板30と基板移送部40の移動を妨げないように支持部材54によって移送される。
Preferably, the
例えば、図3を参照すると、前記支持部材54は前記水流発生部50が前記基板30の移動経路から外れるように並行に移動することができる。前記基板30の移動が終了された後、前記支持部材54は前記水流発生部50が基板の間に再び位置するように移動する。前記支持部材54の移動方向は任意的なことであり、別の方法として、垂直方向に移動することができる。
For example, referring to FIG. 3, the
前記エッチング液20はフッ化物塩、硫酸塩、窒酸塩、スルホン酸塩、フッ化水素酸、硫酸、窒酸などを含むことができ、前述の説明のようにガラス基板エッチング方法のエッチング液と実質的に同一である。
The
前記基板30が前記洗浄領域CAへ移動された後、前記エッチング領域EAと前記洗浄領域CAは分離部材60により分離される。前記洗浄領域CAでは基板30の洗浄が行われる。例えば、前記分離部材60によってエッチング領域EAと前記洗浄領域CAが分離された後、前記洗浄領域CAの排出口に接続された排出バルブの開閉を通じて洗浄領域CAのエッチング液を迅速に排出することができる。前記基板の表面にはエッチング液と反応副産物が残留するが、迅速にこれを除去することが望ましい。従って、迅速に前記基板30に洗浄液を供給することが望ましい。前記洗浄液は前記洗浄部材70を通じて前記基板30に供給される。前記洗浄液としては除イオン水などが使用できる。
After the
前記洗浄液を供給する前に、前記基板30の表面の不純物を除去するために、エッチング液を供給することができる。前記不純物を除去するためのエッチング液は常温、例えば、約10〜30℃であることが望ましく、前記洗浄部材70を通じて供給できる。前記エッチング液と洗浄液はノズルを通じて噴射されることができ、各々異なるノズルを通じて、または同一ノズルを通じて噴射されることができる。前記エッチング液と洗浄液が前記基板30に均一に噴射できるように前記洗浄部材70は複数のノズルを含む。
Before supplying the cleaning liquid, an etching liquid can be supplied to remove impurities on the surface of the
他の方法として、前記エッチング液が前記洗浄領域CAから排出された後、常温の新しいエッチング液を前記洗浄領域CAに再び供給して所定の時間の間、エッチング及び洗浄を行った後、再びエッチング液を排出し、洗浄液を基板に供給することができる。 As another method, after the etching solution is discharged from the cleaning region CA, a new etching solution at room temperature is supplied again to the cleaning region CA, and etching and cleaning are performed for a predetermined time, and then etching is performed again. The liquid can be discharged and the cleaning liquid can be supplied to the substrate.
前記洗浄領域CAから排出口を通じて排出されたエッチング液は前記フィルター80に供給されて不純物が除去される。前記フィルター80から不純物が除去されたエッチング液は臨時保存のためのバッファータンク90に供給される。前記バッファータンク90には前記エッチング液を前記ベース10に供給するためのポンプ95が接続される。これを通じて、エッチング液の再利用が可能になり、エッチング工程の費用を減少させることができる。
The etching solution discharged from the cleaning area CA through the discharge port is supplied to the
前記洗浄領域CAにおいて、基板30の洗浄が進行される間、エッチング領域EAでは別の基板がエッチングできる。従って、複数のガラス基板のエッチングを連続的に行うことができる。
While the
本発明の一実施例によるガラス基板エッチング装置によると、エッチングと洗浄を連続的に行うことができ、複数個の基板を投入して洗浄工程とエッチング工程を同時に進行させることができる。従って、エッチング工程の効率を高めることができる。それだけでなく、エッチング工程において洗浄工程へ移動される間に不純物が基板の表面と付着して品質を低下させることを防ぐことができる。 According to the glass substrate etching apparatus according to an embodiment of the present invention, etching and cleaning can be performed continuously, and a plurality of substrates can be introduced and the cleaning process and the etching process can proceed simultaneously. Therefore, the efficiency of the etching process can be increased. In addition, it is possible to prevent the impurities from adhering to the surface of the substrate during the etching process to move to the cleaning process and degrading the quality.
以下においては、具体的な実施例及び実験例を通じて本発明の一実施例によるガラス基板エッチング方法及びその装置について説明する。 In the following, a glass substrate etching method and apparatus according to an embodiment of the present invention will be described through specific examples and experimental examples.
エッチング液を収容するためのベース、前記ベース内部に設置されてガラス基板を固定するためのジグ、前記ジグを移動するためのレール、前記ベースの内部をエッチング領域と洗浄領域に分離するための隔壁、水流を発生させるためのスクリュー、前記スクリューと接続されて上下/左右の往復運動が可能なアーム(arm)及び洗浄液とエッチング液が噴射できる噴射ノズルを含むガラス基板エッチング装置を備える。前記ジグに約600mm×700mm×0.63mmのガラス基板を固定し、前記ベースにエッチング液としてGLET−100(製品名、JIWONTECH、韓国)を供給して約45℃で約120分間、エッチングを行った。次に、前記ジグを洗浄領域へ移動させ、隔壁でエッチング領域と分離させた。前記洗浄領域のエッチング液をクイックドレーンした後、前記ガラス基板に除イオン水を噴射してガラス基板を洗浄した。 A base for containing an etching solution, a jig installed inside the base for fixing a glass substrate, a rail for moving the jig, a partition for separating the inside of the base into an etching region and a cleaning region A glass substrate etching apparatus including a screw for generating a water flow, an arm connected to the screw and capable of reciprocating vertically and horizontally, and an injection nozzle capable of spraying a cleaning liquid and an etching liquid. An approximately 600 mm × 700 mm × 0.63 mm glass substrate is fixed to the jig, and GLET-100 (product name, JIWONTECH, Korea) is supplied to the base as an etching solution and etched at about 45 ° C. for about 120 minutes. It was. Next, the jig was moved to the cleaning region and separated from the etching region by a partition wall. After quickly draining the etching solution in the cleaning region, deionized water was sprayed onto the glass substrate to clean the glass substrate.
洗浄領域のエッチング液をクイックドレーンした後、ガラス基板に除イオン水を噴射する前に、約20℃のエッチング液をガラス基板に噴射する段階をさらに含むことを除いては実施例1と実質的に同一方法をもってエッチングと洗浄を行った。 Substantially the same as in Example 1 except that it further includes a step of spraying an etching solution at about 20 ° C. onto the glass substrate after the drain cleaning solution is quickly drained and before spraying deionized water onto the glass substrate. Etching and cleaning were performed by the same method.
エッチング液の温度が約20℃であることを除いては実施例1と実質的に同一方法をもってエッチングと洗浄を行った。 Etching and cleaning were performed in substantially the same manner as in Example 1 except that the temperature of the etching solution was about 20 ° C.
エッチングを行った後、ガラス基板をベースから取り出して、別のガラス基板を洗浄したことを除いては実施例1と実質的に同一方法をもってエッチングと洗浄を行った。 After etching, the glass substrate was taken out of the base and etched and cleaned in substantially the same manner as in Example 1 except that another glass substrate was cleaned.
実施例1、実施例2、及び比較例1のガラス基板の表面に白い点(white spot)の発生及び角部のスラッジ状態を観察し、エッチングされた厚さを測定して下記の表1にそれを示した。具体的に、ガラス基板の表面に発生した白い点の個数を観察してその数を記載し、スラッジ状態は3段階評価法(○:良好、△:普通、×:不良)をもって示した。 The occurrence of white spots and the state of sludge in the corners were observed on the surfaces of the glass substrates of Example 1, Example 2, and Comparative Example 1, and the etched thickness was measured. Showed it. Specifically, the number of white spots generated on the surface of the glass substrate was observed and described, and the sludge state was indicated by a three-stage evaluation method (◯: good, Δ: normal, ×: bad).
表1を参照すると、エッチング工程と洗浄工程を他のベースで行った比較例1のガラス基板の場合、多くの白い点が発生し、角のスラッジ状態がよくなっかたことに反し、実施例1及び実施例2によってエッチング工程と洗浄工程が同一ベースで行われたガラス基板は白い点が少ないのみでなく、角のスラッジ状態が良好であった。特に、実施例2の結果を参照すると、ガラス基板に洗浄液を加える前に常温のエッチング液を加えることが、品質の改善ができることがわかる。 Referring to Table 1, in the case of the glass substrate of Comparative Example 1 in which the etching process and the cleaning process were performed on other bases, many white spots were generated and the corner sludge state was not improved. The glass substrate on which the etching process and the cleaning process were performed on the same base according to Examples 1 and 2 had not only a small number of white spots but also excellent corner sludge. In particular, referring to the results of Example 2, it can be seen that the quality can be improved by adding an etching solution at room temperature before adding the cleaning solution to the glass substrate.
実施例3によってエッチング/洗浄されたガラス基板のエッチングの厚さは約150μmで、面粗度(Ra)は約0.01μmであった。反面、実施例1によってエッチング/洗浄されたガラス基板の 面粗度(Ra)は約0.03μmであった。従って、エッチング液の温度が高い場合、エッチング速度は増加するが、表面の均一性が低下される可能性があることがわかる。 The glass substrate etched / cleaned according to Example 3 had an etching thickness of about 150 μm and a surface roughness (Ra) of about 0.01 μm. On the other hand, the surface roughness (Ra) of the glass substrate etched / cleaned in Example 1 was about 0.03 μm. Therefore, it can be seen that when the temperature of the etchant is high, the etching rate increases, but the surface uniformity may be reduced.
前述の本発明の一実施例によると、エッチング工程の効率を高めることができる。ガラス基板の品質が低下されることを防止することができる。 According to the above-described embodiment of the present invention, the efficiency of the etching process can be increased. It can prevent that the quality of a glass substrate falls.
以上、本発明を実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明の属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。 The present invention has been described in detail with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to this example, and the present invention is not limited to this, as long as it has ordinary knowledge in the technical field to which the present invention belongs. The present invention can be modified or changed.
10 ベース
20 エッチング液
30 基板
40 基板移送部
50 水流発生部
60 分離部材
70 洗浄部材
EA エッチング領域
CA 洗浄領域
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記ガラス基板をエッチング液に沈積した状態で前記ベースの洗浄領域へ移送し、前記エッチング領域と前記洗浄領域を分離する段階と、
前記洗浄領域のエッチング液を排出する段階と、
前記ガラス基板に洗浄液を加える段階と、を含むガラス基板エッチング方法。 Etching the glass substrate by depositing the glass substrate in an etching solution contained in a base including an etching region and a cleaning region;
Transferring the glass substrate to the cleaning region of the base while being deposited in an etching solution, and separating the etching region and the cleaning region;
Draining the etchant of the cleaning region;
Adding a cleaning liquid to the glass substrate.
前記ベース内部に位置して基板を固定し、エッチング液に沈積された状態で前記基板を移送するための基板移送部と、
前記洗浄領域のエッチング液を排出するための排出口と、
前記エッチング領域と洗浄領域を分離する分離部材と、
前記洗浄領域で、前記基板に洗浄液を供給する洗浄部材と、を含むガラス基板エッチング装置。 A base containing an etchant and including an etching region and a cleaning region;
A substrate transfer unit for fixing the substrate located inside the base and transferring the substrate while being deposited in an etchant;
A discharge port for discharging the etching solution in the cleaning region;
A separation member for separating the etching region and the cleaning region;
A glass substrate etching apparatus comprising: a cleaning member that supplies a cleaning liquid to the substrate in the cleaning region.
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