KR20090019697A - Temperature fuse with resistance and an electric cell protection circuit board - Google Patents

Temperature fuse with resistance and an electric cell protection circuit board

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KR20090019697A
KR20090019697A KR1020080080091A KR20080080091A KR20090019697A KR 20090019697 A KR20090019697 A KR 20090019697A KR 1020080080091 A KR1020080080091 A KR 1020080080091A KR 20080080091 A KR20080080091 A KR 20080080091A KR 20090019697 A KR20090019697 A KR 20090019697A
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KR1020080080091A
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야스히코 도미타카
도모히로 니시노
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우치하시 에스테크 가부시키가이샤
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Abstract

A resistance attach thermal fuse is provided to realize the miniaturization of a main body and the compaction of a circuit body for protecting a secondary battery, and to melt one fuse element part authentically than the other fuse element part. A resistance attach thermal fuse has both sided membrane electrode(a, b) and in-between membrane electrode(2) on one side(101) of a substrate(1). The fuse element(3) is installed through a membrane electrode. A strip-shaped lead conductor(A, B) is welded to the membrane electrode of both sides. The one side of the substrate is covered with an insulation sealing material(5). A front and end membrane electrodes(41,42) are installed on the other side(10). The film resistance (r) is installed through the front and end membrane electrodes. One of the front and end membrane electrodes electrically is wired to the in-between membrane electrode for the fuse element. The side part (c) of the membrane electrode on the other side of both side membrane electrodes is installed. The end part of the strip-shaped lead conductor(C) is welded to the side part. The step height (e) going up to the other side of the substrate is formed in the place adjacent to the edge of the substrate of the strip-shaped lead conductor (A, B).

Description

저항부착 온도퓨즈 및 전지보호 회로판{TEMPERATURE FUSE WITH RESISTANCE AND AN ELECTRIC CELL PROTECTION CIRCUIT BOARD}TEMPERATURE FUSE WITH RESISTANCE AND AN ELECTRIC CELL PROTECTION CIRCUIT BOARD}

본 발명은 저항부착 온도퓨즈에 관한 것으로, 예를 들면 2차전지보호용 회로체에 탑재하는 저항부착 온도퓨즈로서 유용한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a temperature fuse with a resistance, and is useful as, for example, a resistance temperature fuse with a secondary battery protection circuit.

2차전지, 예를 들면 리튬이온전지를 휴대용 전자기기의 전원으로서 사용하는 경우, 2차전지셀과 보호회로를 팩 내에 수용하고 있고, 그 보호회로는 과충전방지 스위치, 과방전방지 스위치를 구비하고, 추가로, 이들 스위치로는 대처할 수 없을 때에 회로를 비복귀적으로 차단하는 퓨즈부를 구비하고 있다.In the case of using a secondary battery, for example, a lithium ion battery as a power source for a portable electronic device, the secondary battery cell and a protection circuit are accommodated in a pack, and the protection circuit includes an overcharge preventing switch and an over discharge preventing switch. In addition, a fuse section for non-returning the circuit is provided when these switches cannot cope.

도 4는 2차전지에 대한 보호회로의 일예를 나타내고, 과충전방지 스위치용 FET(N)과 과방전방지 스위치용 FET(M)의 사이에 저항부착 온도퓨즈(Ao)를 접속하고 있다.4 shows an example of a protection circuit for a secondary battery, and a resistance temperature fuse Ao is connected between the overcharge prevention switch FET N and the overdischarge prevention switch FET M. As shown in FIG.

이 저항부착 온도퓨즈에 있어서는, 직렬의 2개의 퓨즈 엘리먼트부분(n, m)에 대하여 저항(r) 예를 들어 막저항을 해당 저항의 통전발열로 양 퓨즈 엘리먼트부분을 용단시킬 수 있도록 열적으로 결합하여 설치하고, 이 저항을 양 퓨즈 엘리먼트부분에 대하여 전기적으로 병렬로 접속하고 있다. 'S'는 IC제어부로서, 충전 시, 과충전을 검출하고 과충전방지신호를 발생하여 과충전방지용 FET를 스위치 오프시키고, 방전 시, 과방전을 검출하고 과방전방지신호를 발생하여 과방전방지용 FET를 스위치 오프시키고 있다. 이들 FET로는 처리할 수 없을 때에는, IC회로 S로부터 트랜지스터(Tr)에 온 신호가 발해지고, 트랜지스터(Tr)의 도통에 의해 저항부착 온도퓨즈(Ao)의 저항(r)을 2차전지를 전원으로서 통전발열시키고, 그 발생열로 퓨즈 엘리먼트를 용단시켜서 2차전지와 부하(충전 시는 충전원)의 사이를 차단하고 있다.In this temperature fuse with resistance, a resistor (r), for example, a film resistance, is thermally coupled to two fuse element portions (n, m) in series so that both fuse element portions can be melted by energizing heat of the corresponding resistance. The resistors are electrically connected in parallel to both fuse element portions. 'S' is an IC control unit that detects overcharge during charging and generates an overcharge prevention signal to switch off the overcharge prevention FET, and during discharge, detects overdischarge and generates an overdischarge prevention signal to switch the overdischarge prevention FET It is off. When these FETs cannot be processed, an on-signal is emitted from the IC circuit S to the transistor Tr. The conduction of the transistor Tr causes the resistance r of the resistance-temperature fuse Ao to be used as the secondary battery. The heat is supplied with electricity, and the fuse element is melted by the generated heat to cut off between the secondary battery and the load (charging source during charging).

종래, 저항부착 온도퓨즈로서, 도 9의 (가)에 나타내는 바와 같이, 절연기판(1)의 일면(101)에 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극(2)을 설치하고, 이들 막전극(a, b, 2)에 결쳐서 퓨즈 엘리먼트(3)를 접속하며, 이 퓨즈 엘리먼트(3)에 플럭스를 도포하고, 도 9의 (나)에 나타내는 바와 같이, 절연기판(1)의 타면(10)에, 상기 절연막(a, b)에 스루홀에 의해 도통시킨 양측 막전극(a′, b′)을 설치하고, 이들 막전극(a′, b′)에 띠형상 리드도체(A, B)를 접합하고, 추가로, 마찬가지로 위 기판 타면(10)에 전후 막전극(41, 42)을 설치하고, 이들 전후 막전극(41, 42)의 한쪽(42)과 상기 중간 막전극(2)을 스루홀(24)에 의해 도통하며, 전후 막전극(41, 42) 사이에 막저항(r)을 설치하고, 전후 막전극(41, 42)의 다른 쪽(41)에 띠형상 리드도체(C)를 접합하며, 도 9의 (다)에 나타내는 바와 같이, 기판 일면(101)을 절연밀봉물(5)로 덮은 것이 제안되고 있다.(특허문헌 1)Conventionally, as the temperature fuse with resistance, as shown in Fig. 9A, both membrane electrodes a and b and the intermediate membrane electrode 2 are provided on one surface 101 of the insulating substrate 1, The fuse element 3 is connected to the membrane electrodes a, b, and 2, and flux is applied to the fuse element 3, and as shown in Fig. 9B, the insulating substrate 1 On the other surface 10, both side film electrodes a 'and b' are connected to each other by the through holes in the insulating films a and b, and band-shaped lead conductors are formed on the film electrodes a 'and b'. A and B are bonded together, and similarly, front and rear membrane electrodes 41 and 42 are provided on the other surface 10 of the upper substrate, and one side 42 of the front and rear membrane electrodes 41 and 42 and the intermediate membrane electrode are also provided. (2) is conducted through the through hole 24, and a film resistance r is provided between the front and rear membrane electrodes 41 and 42, and the other side 41 of the front and rear membrane electrodes 41 and 42 has a band shape. The lead conductor C is bonded together, and as shown to Fig.9 (c), a board | substrate It has been proposed to cover one surface 101 with an insulating sealant 5. (Patent Document 1)

[특허문헌 1] 일본국 특개 2003-217416호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-217416

상기의 저항부착 온도퓨즈에서는, 기판 타면(10)의 평면치수를, 막저항(r) 및 그 단자용 막전극(41, 42)의 형성에 필요한 메인스페이스에, 퓨즈 엘리먼트 리드도체 접속용 막전극(a′, b′)의 형성에 필요한 서브스페이스를 부가한 것으로 하지 않으면 안되고, 메인스페이스보다 넓은 스페이스를 기판에 부여할 필요가 있기 때문에, 저항부착 온도퓨즈 본체부의 소형보증에 불리하다.In the above-described temperature fuse with a resistance, the planar dimension of the other surface of the substrate is set to the fuse electrode lead conductor connection membrane electrode in the main space required for the formation of the membrane resistance r and the terminal membrane electrodes 41 and 42. It is necessary to add a subspace necessary for the formation of (a ', b'), and since it is necessary to give a board | substrate a space larger than the main space, it is disadvantageous for the small guarantee of resistance-temperature fuse main body part.

상기한 2차전지보호회로에 있어서, 도 4에 나타내는 충전 시, 충전원(D)측 퓨즈 엘리먼트부분(n)을 2차전지측 퓨즈 엘리먼트부분(m)보다 시간적으로 우선시켜서 용단시켜서 파워가 큰 충전원(D)을 먼저 분리하는 것이 안전하다. 그러나, 상기의 저항부착 온도퓨즈에서는 이 우선적 용단의 확실한 보증은 어렵다.In the above secondary battery protection circuit, during charging shown in Fig. 4, the charge source (D) side fuse element portion (n) is preferentially blown over the secondary battery side fuse element portion (m) in time to be melted, and the power is large. It is safe to disconnect the charging source (D) first. However, in the above-described temperature fuse with resistance, it is difficult to guarantee the preferential melting.

상기 저항부착 온도퓨즈에 있어서는, 상기한 대로 보호회로 이상 시에서의 막저항(r)의 발생열이 퓨즈 엘리먼트(3)에 전달되어 퓨즈 엘리먼트(3)가 용단되는 것에 의해 작동되기 때문에, 막저항(r)의 상기 발생열량(전력)이 너무 작으면 작동되지 않는 운전전력에 대한 하한이 있고, 또한 막저항(r)에 가해지는 전력이 대전력(大電力)인 경우에 퓨즈 엘리먼트가 용단되지 않으면, 그 대전력 때문에 막저항이 폭발 파괴될 위험성이 있다.In the above-described temperature fuse with resistance, as described above, since the heat generated by the film resistance r during the protection circuit abnormality is transmitted to the fuse element 3 and the fuse element 3 is blown, the film resistance ( If the generated heat amount (power) of r) is too small, there is a lower limit on the operating power that is not operated, and if the fuse element is not melted when the power applied to the film resistance r is a large power, However, there is a risk that the membrane resistance will explode and be destroyed due to its high power.

그런데, 종래의 저항부착 온도퓨즈에서는, 동작가능한 운전전력의 하한이 상당히 높고, 또한 퓨즈 엘리먼트의 용단가능한 운전전력의 상한이 상당히 낮으며, 전체로서 운전전력범위가 좁다는 불합리도 있다.By the way, in the conventional temperature fuse with resistance, there is also an unreasonable reason that the lower limit of the operable operating power is considerably high, the upper limit of the meltable operating power of the fuse element is quite low, and the operating power range is narrow as a whole.

본 발명의 목적은 기판의 일면에 서로 직렬의 퓨즈 엘리먼트부분을 갖고, 기판의 타면에 막저항을 갖으며, 막저항의 통전발열에 의해 퓨즈 엘리먼트를 용단시키는 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 본체부의 소형성, 한쪽의 퓨즈 엘리먼트부분의 다른 쪽의 퓨즈 엘리먼트부분에 대한 확실한 우선적 용단, 저항부착 온도퓨즈가 탑재된 2차전지보호용 회로체의 콤팩트화를 양호하게 달성하는 것에 있다.An object of the present invention is to have a fuse element portion in series with each other on one surface of the substrate, and have a film resistance on the other surface of the substrate, and in a resistance temperature fuse with a resistance to melt the fuse element by conduction heating of the film resistance, Formation, reliable preferential melting of the other fuse element portion of one fuse element portion, and compactness of the secondary battery protection circuit body on which the temperature fuse with resistance is mounted are satisfactorily achieved.

그리고, 저항부착 온도퓨즈의 사용가능한 운전전력범위를 확대하는 것에 있다.In addition, it is intended to expand the usable operating power range of the resistance temperature fuse.

본원의 청구항 1에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 기판의 일면상에 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극을 갖고, 이들 막전극에 결쳐서 퓨즈 엘리먼트가 설치되며, 양측의 각 막전극에 띠형상 리드도체(A, B)의 선단이 접합되고, 상기 기판의 일면이 절연밀봉물로 덮이며, 기판의 타면상에 전후 막전극이 설치되고, 이들 전후 막전극에 걸쳐서 막저항이 설치되며, 양 막전극 중의 한쪽이 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극에 전기적으로 결선되고, 동일 양 막전극 중의 다른 쪽의 막전극에 사이드부(c)가 설치되며, 이 사이드부(c)에 띠형상 리드도체(C)의 선단부가 면접촉하에서 접합되어 이루어지고, 띠형상 리드도체(A, B)의 상기 기판의 가장자리끝에 근접하는 장소에 기판 타면측으로 오르는 단차가 형성되며, 그 단차의 상측면과 기판 타면과의 높이의 차이가 띠형상 리드도체(C)의 두께에 거의 동등하게 되어 있는 것을 특징으로 한다.The temperature fuse with a resistance according to claim 1 of the present application has both membrane electrodes a and b and an intermediate membrane electrode on one surface of a substrate, and fuse elements are provided on these membrane electrodes, and each membrane electrode on both sides is provided. The front ends of the band-shaped lead conductors A and B are joined, one surface of the substrate is covered with an insulating sealant, front and rear membrane electrodes are provided on the other surface of the substrate, and film resistance is provided over these front and rear membrane electrodes. And one of the two membrane electrodes is electrically connected to the intermediate membrane electrode for the fuse element, and a side portion (c) is provided on the other membrane electrode of the same membrane electrode, and the side portion (c) The tip end of the shaped lead conductor C is joined under surface contact, and a step that rises toward the other side of the substrate is formed at a position close to the edge end of the substrate of the strip-shaped lead conductors A and B, and the upper side of the step is formed. And height of the other side of the board It is characterized by that the difference is almost equal to the thickness of the strip-shaped lead conductor (C).

본원의 청구항 2에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 기판의 일면상에 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극을 갖고, 이들 막전극에 결쳐서 퓨즈 엘리먼트가 설치되며, 양측의 각 막전극에 기판 타면으로 통하는 구멍이 설치되고, 선단이 열쇠형상으로 구부러져 선단근방부가 기판 타면에 면접촉된 상태에서의 열쇠형상 선단부의 기판 타면 측으로부터의 상기 구멍으로의 수용과 각 구멍으로의 땜납충전에 의해서 상기 띠형상 리드도체(A, B)가 상기 막전극(a, b)에 접속되며, 기판의 타면상에 전후 막전극이 설치되고, 이들 전후 막전극에 걸쳐서 막저항이 설치되며, 양 막전극 중의 한쪽이 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극에 전기적으로 결선되고, 마찬가지로 양 막전극 중의 다른 쪽의 막전극에 사이드부(c)가 설치되며, 이 사이드부(c)에 띠형상 리드도체(C)의 선단부가 면접촉하에서 접합되고, 상기 기판의 일면이 절연밀봉물로 덮여 있는 것을 특징으로 한다.The temperature fuse with resistance according to claim 2 of the present application has both membrane electrodes a and b and an intermediate membrane electrode on one surface of a substrate, and fuse elements are provided on these membrane electrodes, and each membrane electrode on both sides is provided. A hole is connected to the other surface of the substrate, and the tip is bent into a key shape, and the housing of the key-shaped tip portion in the state in which the tip portion is in surface contact with the other surface of the substrate is received from the other surface of the substrate into the hole and the solder is charged into each hole. The strip-shaped lead conductors A and B are connected to the membrane electrodes a and b, front and rear membrane electrodes are provided on the other surface of the substrate, and film resistance is provided across these front and rear membrane electrodes. One of the terminals is electrically connected to the intermediate membrane electrode with respect to the fuse element, and similarly, a side portion (c) is provided on the other membrane electrode of both membrane electrodes, and a strip-shaped lead is formed on the side portion (c). And the leading end of the body (C) under the joint contact surface, characterized in that the one surface of the substrate covered with an insulating seal.

본원의 청구항 3에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 기판의 일면상에 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극과 사이드 막전극을 갖고, 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극에 걸쳐서 퓨즈 엘리먼트가 설치되며, 기판 타면에 상기 막전극(a, b)에 스루홀에 의해 도통된 보조 막전극(a″, b″)이 설치되고, 각 보조 막전극(a″, b″)에 띠형상 리드도체(A, B)가 면접촉으로 접합되며, 기판의 타면상에 전후 막전극이 설치되고, 이들 전후 막전극에 걸쳐서 막저항이 설치되며, 전후 양 막전극 중의 한쪽이 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극에 스루홀에 의해 전기적으로 결선되고, 전후 양 막전극 중의 다른 쪽이 상기 기판 일면의 사이드 막전극에 전기적으로 결선되며, 사이드 막전극에 띠형상 리드도체(C)의 선단이 접합되고, 그 접합장소에 면하는 기판 노치부를 거쳐서 기판의 타면측으로 오르는 단차가 띠형상 리드도체(C)에 형성되며, 상기 기판의 일면이 절연밀봉물로 덮여 있는 것을 특징으로 한다.The resistance temperature fuse according to claim 3 of the present application has both membrane electrodes (a, b), an intermediate membrane electrode and a side membrane electrode on one surface of a substrate, and covers both membrane electrodes (a, b) and an intermediate membrane electrode. A fuse element is provided, and auxiliary film electrodes a ″ and b ″ connected to each other by the through-holes are provided on the other surfaces of the substrate, and the auxiliary film electrodes a ″ and b ″ are provided on the other surface of the substrate. The strip-shaped lead conductors A and B are joined in surface contact, a front and rear membrane electrode is provided on the other surface of the substrate, and a film resistance is provided over these front and rear membrane electrodes, and one of the front and rear membrane electrodes is the fuse element. Is electrically connected to the intermediate membrane electrode by a through hole, and the other of the front and rear membrane electrodes is electrically connected to the side membrane electrode on one side of the substrate, and the tip of the strip-shaped lead conductor C is connected to the side membrane electrode. Are bonded to each other, and the substrate notches facing the Standing a step rising toward the other surface of the substrate is formed in a strip-shaped lead conductors (C), it characterized in that the one surface of the substrate covered with an insulating seal.

본원의 청구항 4에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 전후 양 막전극 중의 한쪽의 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극으로의 전기적 결선이 스루홀에 의해 실행되고 있는 것을 특징으로 한다.In the resistance temperature fuse with resistance according to claim 4 of the present application, in the resistance temperature fuse with resistance according to claim 1, electrical connection to the intermediate membrane electrode with respect to the fuse element of one of the front and rear membrane electrodes is performed by a through hole. It is characterized by.

본원의 청구항 5에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 띠형상 리드도체(A, B, C)의 두께가 동일하게 되어 있는 것을 특징으로 한다.The temperature fuse with resistance according to claim 5 of the present application is characterized in that the thicknesses of the strip-shaped lead conductors A, B, and C are the same in the temperature fuse with resistance of claim 1.

본원의 청구항 6에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 퓨즈 엘리먼트가 복수개의 병열소선으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The resistance temperature fuse with a resistance according to claim 6 of the present application is characterized in that the fuse element comprises a plurality of parallel element wires in the resistance temperature fuse with the resistance of claim 1.

본원의 청구항 7에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 기판의 두께가 450∼250㎛이고, 띠형상 리드도체(A, B 또는 C)와 막전극과의 접합이 납땜에 의해 실행되고 있는 것을 특징으로 한다.The resistance temperature fuse according to claim 7 of the present application has a thickness of 450 to 250 µm in the resistance temperature fuse according to claim 1, and the bonding between the band-shaped lead conductors A, B or C and the membrane electrode is performed. It is characterized by being performed by soldering.

본원의 청구항 8에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 7의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 땜납의 융점이 퓨즈 엘리먼트의 융점보다도 높게 되어 있는 것을 특징으로 한다.The resistance temperature fuse according to claim 8 of the present application is characterized in that, in the resistance temperature fuse according to claim 7, the melting point of the solder is higher than the melting point of the fuse element.

본원의 청구항 9에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 7 또는 8항의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 막전극(a 또는 b)에, 띠형상 리드도체(A 또는 B)와 막전극(a 또는 b)과의 납땜장소로부터 막전극(a 또는 b)과 퓨즈 엘리먼트와의 접합장소에 이르는 사이에 땜납확대 방지배리어가 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.In the resistance temperature fuse according to claim 9 of the present application, in the resistance temperature fuse according to claim 7 or 8, a band-shaped lead conductor (A or B) and a membrane electrode (a or b) are formed on the membrane electrode (a or b). The solder enlargement prevention barrier is provided between the soldering place and the joining place between the membrane electrode a or b and the fuse element.

본원의 청구항 10에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 막전극(a)과 중간 막전극 사이의 퓨즈 엘리먼트부분과 막전극(b)과 중간 막전극 사이의 퓨즈 엘리먼트부분을 소정의 우선순위로 용단시키도록, 막전극(a)과 중간 막전극의 간격과 막전극(b)과 중간 막전극과의 간격 또는 양 퓨즈 엘리먼트부분에 대한 중간 막전극의 가장자리끝 형상이 다르게 되어 있는 것을 특징으로 한다.The resistance temperature fuse according to claim 10 of the present application is a fuse element portion between the membrane electrode a and the intermediate membrane electrode and the fuse element between the membrane electrode b and the intermediate membrane electrode in the resistance temperature fuse of claim 1. The gap between the membrane electrode a and the intermediate membrane electrode and the interval between the membrane electrode b and the intermediate membrane electrode or the edges of the intermediate membrane electrode with respect to both fuse element portions are formed so as to melt the portion at a predetermined priority. It is characterized by being different.

본원의 청구항 11에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 퓨즈 엘리먼트가 플럭스로 덮여 있는 것을 특징으로 한다.Resistive temperature fuse according to claim 11 of the present application is characterized in that the fuse element is covered with flux in the resistance temperature fuse of claim 1.

본원의 청구항 12에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 기판의 일면상에 플럭스와 접촉하여 소정의 높이에서 배치된 보호시트와, 해당 시트와 기판 일면의 사이에 플럭스를 둘러싸서 배치된 경화 수지로 절연밀봉물이 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The resistance temperature fuse with a resistance according to claim 12 of the present application, in the resistance temperature fuse with a resistance of claim 1, the protective sheet disposed on a predetermined height in contact with the flux on one surface of the substrate, and the flux between the sheet and one surface of the substrate It is characterized in that the insulating seal is composed of a cured resin disposed to surround.

본원의 청구항 13에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 퓨즈 엘리먼트가 FET의 허용온도에서 용단되도록 퓨즈 엘리먼트의 융점이 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.The resistance temperature fuse with resistance according to claim 13 of the present application is characterized in that in the resistance temperature fuse with resistance of claim 1, the melting point of the fuse element is set such that the fuse element is melted at an allowable temperature of the FET.

본원의 청구항 14에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 1의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 띠형상 리드도체(C)의 긴쪽방향 열저항이 띠형상 리드도체(A 또는 B)의 긴쪽방향 열저항보다 높게 되어 있는 것을 특징으로 한다.In the temperature fuse with a resistance according to claim 14 of the present application, in the temperature fuse with a resistance of claim 1, the longitudinal heat resistance of the strip-shaped lead conductor C is higher than that of the strip-shaped lead conductor A or B. It is characterized by being high.

본원의 청구항 15에 관련되는 저항부착 온도퓨즈는 청구항 14의 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 띠형상 리드도체(C)의 재질이 철계로 되고, 띠형상 리드도체(A 및 B)의 재질이 구리계로 되어 있는 것을 특징으로 한다.In the temperature fuse with resistance according to claim 15 of the present application, in the temperature fuse with resistance according to claim 14, the material of the strip lead conductor C is made of iron, and the materials of the strip lead conductors A and B are made of copper. It is characterized by that.

본원의 청구항 16에 관련되는 전지보호용 회로판은 배선판상에 순방향이 서로 반대인 FET를 간격을 두어 실장하고, 청구항 1∼15 중 어느 항에 기재된 저항부착 온도퓨즈의 기판부의 절연밀봉물측을 배선판측을 향하여 FET 사이의 공간에 수용하고, 띠형상 리드도체(A, B)를한쪽의 FET상에 맞닿게 하고, 띠형상 리드도체(C)를 다른 쪽의 FET 상면에 맞닿게 하고, 띠형상 리드도체(A, B, C)를 배선판의 배선 패턴의 소정위치에 접합한 것을 특징으로 한다.The circuit board for battery protection according to claim 16 of the present application is mounted on the wiring board with the FETs in opposite directions opposite to each other, and the insulation sealing side of the substrate portion of the temperature fuse with resistance according to any one of claims 1 to 15 is placed on the wiring board side. The band-shaped lead conductors (A, B) abut on one of the FETs, the band-shaped lead conductor (C) abuts on the other FET top surface, and the band-shaped lead The conductors A, B, and C are bonded to a predetermined position of the wiring pattern of the wiring board.

(1) 기판 타면의 전면을 막저항 단자용의 막전극 및 막저항의 형성에 사용할 수 있고, 그 외곽을 넓히는 일 없이 막저항 형성 스페이스를 확보할 수 있고, 저항부착 온도퓨즈 본체부의 소형성을 보증할 수 있다.(1) The entire surface of the other surface of the substrate can be used for formation of the membrane electrode for the membrane resistance terminal and the membrane resistance, and the space for forming the membrane resistance can be secured without widening the periphery thereof. I can guarantee it.

(2) 기판 타면의 막저항을, 기판 일면에 있어서의 중간 막전극 양측의 퓨즈 엘리먼트부분에 대하여, 원근의 거리를 두도록 하여 설치할 수 있고, 한쪽의 퓨즈 엘리먼트부분을 다른 쪽의 퓨즈 엘리먼트부분보다 확실하게 용단시킬 수 있다.(2) The film resistance of the other surface of the substrate can be provided with a distance between the fuse element portions on both sides of the intermediate membrane electrode on one surface of the substrate, so that one fuse element portion is more secure than the other fuse element portion. Can be forgiven.

(3) 도 6에 나타내는 바와 같이, 간격을 두어 실장한 FET의 사이에, 저항부착 온도퓨즈의 절연밀봉물(5)을 수용하고, 각 띠형상 리드도체(A, B),C를 각 FET(M), N의 상면에 승재(乘載)하는 경우, 띠형상 리드도체의 상면 레벨보다 상측으로 돌출하는 부분은 없고, 실장에 필요한 스페이스가 〔(FET의 실장높이)+(띠형상 리드도체의 두께)〕가 되고, 충분히 얇은 2차전지보호용 회로판을 제공할 수 있다. (3) As shown in Fig. 6, between the FETs spaced apart from each other, the insulation seal 5 of the temperature fuse with resistance is accommodated, and each of the strip-shaped lead conductors A, B, and C is FET. (M) In the case of riding on the upper surface of N, there is no part which protrudes above the upper surface level of the strip-shaped lead conductor, and the space required for mounting is [(FET mounting height) + (strip-shaped lead conductor). Thickness)], and a sufficiently thin circuit board for secondary battery protection can be provided.

(4) 막저항(r)의 리드도체인 띠형상 리드도체(C)의 긴쪽방향 열저항이 높게 되어 있기 때문에 막저항 발생열이 그 리드도체(C)로부터 누출하는 것을 양호하게 방지하여, 퓨즈 엘리먼트에게 효율좋게 전달시킬 수 있기 때문에, 막저항의 발열에 소비되는 전력이 낮아져도 퓨즈 엘리먼트를 양호하게 용단작동시킬 수 있다. 또, 퓨즈 엘리먼트의 용단성을 높이고 퓨즈 엘리먼트 부용단의 위험성을 저감할 수 있고, 높은 운전전력하에서도 퓨즈 엘리먼트의 부용단을 배제하여 막저항의 폭발 파단을 양호하게 회피할 수 있다. 따라서, 저항부착 온도퓨즈를 사용할 수 있는 운전전력범위를 확장할 수 있다.(4) Since the longitudinal heat resistance of the strip-shaped lead conductor C, which is the lead conductor of the film resistance r, is high, the heat generation of the film resistance is prevented from leaking from the lead conductor C, and the fuse element is prevented. In this way, the fuse element can be blown off satisfactorily even if the power consumed for heat generation of the film resistance is reduced. Further, the blow element of the fuse element can be improved and the risk of the fuse element unwanted end can be reduced, and the explosion resistance of the film resistance can be satisfactorily avoided by eliminating the unnecessary element of the fuse element even under high operating power. Therefore, it is possible to extend the operating power range in which the resistance temperature fuse can be used.

도 1은 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 일실시예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an embodiment of a temperature fuse with a resistance according to the present invention.

도 2는 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 상기와는 다른 실시예를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an embodiment different from the above of the temperature fuse with a resistance according to the present invention.

도 3은 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 상기와는 다른 실시예를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an embodiment different from the above of the temperature fuse with a resistance according to the present invention.

도 4는 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈를 조립한 2차전지보호회로의 등가회로를 나타내는 도면이다.4 is a view showing an equivalent circuit of a secondary battery protection circuit incorporating a resistance temperature fuse according to the present invention.

도 5a는 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 상기와는 다른 실시예의 요부를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the principal part of the Example different from the above of the temperature fuse with a resistance which concerns on this invention.

도 5b는 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 상기와는 다른 실시예의 요부를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the principal part of the Example different from the above of the temperature fuse with a resistance which concerns on this invention.

도 6은 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈를 탑재한 2차전지보호 회로판을 나타내는 도면이다.Fig. 6 is a diagram showing a secondary battery protection circuit board equipped with a temperature fuse with a resistance according to the present invention.

도 7은 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 상기와는 다른 실시예의 요부를 나타내는 도면이다.7 is a view showing the main parts of an embodiment different from the above of the temperature fuse with resistance according to the present invention.

도 8은 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 상기와는 다른 실시예의 요부를 나타내는 도면이다.Fig. 8 is a view showing the main parts of an embodiment different from the above of the temperature fuse with resistance according to the present invention.

도 9는 종래의 저항부착 온도퓨즈를 나타내는 도면이다.9 is a view showing a conventional temperature fuse with a resistance.

＜부호의 설명＞<Explanation of sign>

1: 기판 10: 기판 타면1: substrate 10: substrate

101: 기판 일면 a, b: 양측 막전극101: one side of the substrate a, b: film electrodes on both sides

2: 중간 막전극 3: 퓨즈 엘리먼트2: intermediate membrane electrode 3: fuse element

n, m: 퓨즈 엘리먼트부분 41, 42: 전후 막전극n, m: fuse element portions 41, 42: front and rear membrane electrodes

c: 전후 막전극의 사이드부 r: 막저항c: side portion of the front and rear membrane electrodes r: film resistance

A, B, C: 띠형상 리드도체 5: 절연밀봉물A, B, C: Strip-shaped lead conductor 5: Insulated seal

이하, 도면을 참조해 가며 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 실시예를 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to drawings, the Example of the temperature fuse with a resistance which concerns on this invention is described.

도 1의 (가)에 있어서, '1'은 내열성, 열전도성이 좋은 절연기판 예를 들어 세라믹판이다. 'a′ 및 'b′는 절연기판의 일면의 양측에 형성된 막전극, '2'는 중간 막전극이고, 도체 페이스트 예를 들어 은 페이스트의 인쇄·소결에 의해 형성되어 있다. '3'은 퓨즈 엘리먼트이고, 양측 막전극(a, b) 및 중간 막전극(2)에 걸쳐서 배치되고, 막전극(a, b, 2)의 교차 장소가 용접되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(3)는 중간 막전극(2)을 사이에 두는 부분(n 및 m)으로 구분되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(3)에는 플럭스가 도포되어 있지만, 그 도시는 생략되어 있다. 'a′, 'b′는 양측 막전극(a, b)의 각각에 접합된 띠형상 리드도체이고, 기판(1)의 바로 앞 측의 양 모서리가 잘라내어지고, 각 띠형상 리드도체(A, B)에 도 1의 (다)에 나타내는 바와 같이, 노치 가장자리끝에 근접한 위치에 있어서 기판의 타면측에 따른 단차(e)가 형성되고, 단차(e)의 상측 면α(β)가 기판 타면(10)에 대하여, 띠형상 리드도체(A, B)의 두께만큼 상측에 위치되어 있다. In Fig. 1A, '1' is an insulating substrate having good heat resistance and thermal conductivity, for example, a ceramic plate. 'a' and 'b' are film electrodes formed on both sides of one surface of the insulating substrate, and '2' is an intermediate film electrode, and is formed by printing and sintering a conductor paste, for example, a silver paste. '3' is a fuse element and is disposed over both of the membrane electrodes a and b and the intermediate membrane electrode 2, and the intersections of the membrane electrodes a, b and 2 are welded. The fuse element 3 is divided into portions n and m which sandwich the intermediate membrane electrode 2. Flux is applied to the fuse element 3, but the illustration is omitted. 'a' and 'b' are band-shaped lead conductors bonded to the two film electrodes a and b, and both edges of the front side of the substrate 1 are cut out, and each band-shaped lead conductor A is formed. As shown in FIG. 1 (c) in B), a step e corresponding to the other surface side of the substrate is formed at a position close to the edge of the notch, and the upper surface α (β) of the step e is the other surface of the substrate ( With respect to 10), it is located upward by the thickness of the strip | belt-shaped lead conductors A and B. FIG.

도 1의 (나)에 있어서, 41, 42는 기판 타면(10) 상에 설치된 전후 막전극이고, 상기 기판 일면의 막전극(a, b)과 마찬가지로 도체 페이스트의 인쇄·소결에 의해 설치되어 있다. 'r'은 전후 막전극(41, 42) 사이에 설치된 막저항이고, 저항 페이스트 예를 들어 산화루테늄분말 페이스트의 인쇄·소결에 의해 설치되어 있다. 막저항(r) 상에는, 보호막 예를 들어 유리소결막(g)이 설치되어 있다. 전후 막전극(41, 42)의 한쪽(42)은 기판 일면의 중간막전극(2)에 스루홀(24)에 의해 결선되어 있다. 'c'는 전후 막전극(41, 42)의 다른 쪽(41)에 부설된 사이드부, 'C'는 띠형상 리드도체이고, 선단부가 상기 사이드부(c)에 면접합으로 접합되어 있다. '5'는 기판 일면(101)을 덮는 절연밀봉물이고, 예를 들어 도 1의 (다)에 나타내는 바와 같이, 기판 일면상에 플럭스와 접촉하여 배치된 보호시트 예를 들어 세라믹스 시트, 유리크로스시트와 해당 보호시트(51)와 기판 일면(101)과의 사이에 플럭스를 둘러싸서 단단해진 경화성 수지 예를 들어 에폭시수지(52)로 구성되어 있다. In Fig. 1B, 41 and 42 are front and rear film electrodes provided on the other surface of the substrate 10, and are provided by printing and sintering of the conductor paste similarly to the film electrodes a and b on one surface of the substrate. . 'r' is a film resistance provided between the front and rear film electrodes 41 and 42, and is provided by printing and sintering a resist paste, for example, a ruthenium oxide powder paste. On the film resistance r, a protective film, for example, a glass sintered film g, is provided. One side 42 of the front and rear film electrodes 41 and 42 is connected to the intermediate film electrode 2 on one surface of the substrate by a through hole 24. 'c' is a side portion attached to the other side 41 of the front and rear membrane electrodes 41 and 42, and 'C' is a strip-shaped lead conductor, and the front end portion is joined to the side portion c by surface bonding. '5' is an insulating seal covering the substrate one surface 101, for example, as shown in Fig. 1 (c), a protective sheet disposed in contact with the flux on one surface of the substrate, for example, ceramic sheet, glass cross It consists of the curable resin, for example, epoxy resin 52 which hardened by surrounding the flux between the sheet | seat, the said protective sheet 51, and the board | substrate one surface 101. As shown in FIG.

상기 띠형상 리드도체(A, B) 및 띠형상 리드도체(C)는 모두 두께가 동일하고, 도 1의 (다)에 나타내는 바와 같이, 기판 타면보다 그 두께만큼 높은 레벨로 동일 면 내에서 연장되어 있다.The strip lead conductors A and B and the strip lead conductors C all have the same thickness, and as shown in FIG. 1C, they extend in the same plane at a level higher than the other surface of the substrate. It is.

도 2는 청구항 2에 관련되는 실시예를 나타내고, 도 2의 (가)는 절연밀봉물을 생략하여 도시한 상면도이고, 도 2의 (나)는 배면도이며, 도 2의 (다)는 도 2의 (가)에 있어서의 다-다 단면도이다.Figure 2 shows an embodiment according to claim 2, Figure 2 (a) is a top view of the omission of the insulating seal, Figure 2 (b) is a rear view, Figure 2 (c) is It is a multi-cross sectional drawing in FIG.

도 2의 (가)에 있어서, '1'은 내열성, 열전도성이 좋은 절연기판 예를 들어 세라믹판이다. 'a′, 'b′는 절연기판(1)의 일면(101)의 양측에 형성된 막전극, '2'는 중간 막전극이고, 도체페이스트 예를 들어 은페이스트의 인쇄·소결에 의해 형성되어 있다. '3'은 퓨즈 엘리먼트이고, 양측 막전극(a, b) 및 중간 막전극(2)에 걸쳐서 배치되며, 막전극(a, b, 2)과의 교차 장소를 용접하고 있다. 퓨즈 엘리먼트(3)는 중간 막전극(2)을 사이에 두는 부분(n 및 m)으로 구분되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(3)에는 플럭스가 도포되어 있지만, 그 도시는 생략되어 있다. 'a′', 'b′'는 상기 각 막전극(a, b)에 설치된 리드도체 접합용 구멍이고, 'a', 'b'는 띠형상 리드도체이며, 도 2의 (다)에 나타내는 바와 같이, 선단이 열쇠형상으로 구부러지고, 이 열쇠부가 상기 구멍(a′, b′)에 기판 타면(10)측으로부터 수용되며 구멍(a′, b′)으로의 땜납의 충전에 의해 선단부가 기판 타면(10)에 면접촉된 상태로 상기 각 막전극(a, b)에 접합되어 있다.In Fig. 2A, '1' is an insulating substrate having good heat resistance and thermal conductivity, for example, a ceramic plate. 'a' and 'b' are film electrodes formed on both sides of one surface 101 of the insulating substrate 1, and '2' is an intermediate film electrode, and is formed by printing and sintering a conductor paste, for example, a silver paste. . '3' is a fuse element, which is disposed over both of the membrane electrodes a and b and the intermediate membrane electrode 2, and welds the intersection with the membrane electrodes a, b and 2. The fuse element 3 is divided into portions n and m which sandwich the intermediate membrane electrode 2. Flux is applied to the fuse element 3, but the illustration is omitted. 'a' 'and' b '' are holes for joining lead conductors provided in the respective membrane electrodes a and b, and 'a' and 'b' are strip-shaped lead conductors and are shown in FIG. As described above, the tip is bent into a key shape, and the key part is accommodated in the holes a 'and b' from the other side of the substrate 10, and the tip part is filled by the filling of the solder into the holes a 'and b'. The substrates are bonded to the respective membrane electrodes a and b in surface contact with the other surface of the substrate 10.

도 2의 (나)에 있어서, '41', '42'는 기판 타면(10)상에 설치된 전후 막전극이고, 상기 기판 일면(101)의 막전극(a, b)과 마찬가지로 도체페이스트의 인쇄·소결에 의해 설치되어 있다. 'r'은 전후 막전극(41, 42) 사이에 설치된 막저항이고, 저항페이스트 예를 들어 산화루티늄 분말페이스트의 인쇄·소결에 의해 설치되어 있다. 막저항상에는, 보호막 예를 들어 유리소결막(g)이 설치되어 있다. 전후 막전극(41, 42)의 한쪽(42)은 기판 일면(101)의 중간 막전극(2)에 스루홀(24)에 의해 결선되어 있다. 'c'는 전후 막전극(41, 42)의 다른 쪽(41)에 설치된 사이드부, 'C'는 띠형상 리드도체이고, 선단부가 상기 사이드부(c)에 면접촉으로 접합되어 있다. '5'는 기판 일면(101)을 덮는 절연밀봉물이고, 예를 들어 도 2의 (다)에 나타내는 바와 같이, 기판 일면(101)상에 플럭스와 접촉하여 배치된 보호시트(51) 예를 들어 세라믹 시트, 유리크로스시트와 해당 보호시트(51)와 기판 일면(101)과의 사이에 플럭스를 둘러싸서 단단해진 경화성 수지(52) 예를 들어 에폭시수지(52)로 구성되어 있다. In FIG. 2B, '41' and '42' are front and rear membrane electrodes provided on the other surface of the substrate 10, and the printing of the conductor paste is performed similarly to the membrane electrodes a and b of the one surface 101 of the substrate. It is installed by sintering. 'r' is a film resistance provided between the front and rear film electrodes 41 and 42, and is provided by printing and sintering a resist paste, for example, a rutin oxide powder paste. On the film resistance phase, a protective film, for example, a glass sintered film g is provided. One side 42 of the front and rear membrane electrodes 41 and 42 is connected to the intermediate membrane electrode 2 on one surface 101 of the substrate by a through hole 24. 'c' is a side portion provided on the other side 41 of the front and rear membrane electrodes 41 and 42, and 'C' is a strip-shaped lead conductor, and the front end portion is joined to the side portion c by surface contact. '5' is an insulating sealant covering the substrate one surface 101. For example, as shown in FIG. 2 (C), an example of the protective sheet 51 disposed in contact with the flux on the substrate one surface 101 is shown. For example, it is comprised from the curable resin 52, for example, the epoxy resin 52 which hardened by surrounding the flux between the ceramic sheet, the glass cross sheet, the said protective sheet 51, and the board | substrate one surface 101. As shown in FIG.

상기 띠형상 리드도체(A, B) 및 띠형상 리드도체(C)는 모두 두께가 동일하고, 도 2의 (다)에 나타내는 바와 같이, 기판 타면(10)보다 그 리드도체 두께만큼 높은 레벨로 동일면 내에서 연장되어 있다.The strip lead conductors A and B and the strip lead conductors C all have the same thickness, and as shown in FIG. 2 (c), the strip lead conductors A are higher than the other surface of the substrate by the lead conductor thickness. Extend in the same plane;

도 3은 청구항 3에 관련되는 실시예를 나타내고, 도 3의 (가)는 절연밀봉물을 생략하여 도시한 상면도이고, 도 3의 (나)는 배면도이며, 도 3의 (다)는 도 3의 (가)에 있어서의 다-다 단면도이다.Figure 3 shows an embodiment according to claim 3, Figure 3 (a) is a top view of the omission of the insulation seal, Figure 3 (b) is a rear view, Figure 3 (c) is It is a multi-cross sectional drawing in FIG.

도 3의 (가)에 있어서, '1'은 내열성, 열전도성이 좋은 절연기판 예를 들어 세라믹스판이다. 'a', 'b'는 절연기판(1)의 일면(101)의 양측에 형성된 막전극이고, '2'는 중간 막전극이며, 도체페이스트 예를 들어 은페이스트의 인쇄·소결에 의해 형성되어 있다. '3'은 퓨즈 엘리먼트이고, 양측 막전극(a, b) 및 중간 막전극(2)에 걸쳐서 배치되고, 막전극(a, b, 2)과의 교차 장소가 용접되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(3)는 중간 막전극(2)을 사이에 두는 부분(n 및 m)으로 구분되어 있다. 퓨즈 엘리먼트(3)에는 플럭스가 도포되어 있지만, 그 도시는 생략되어 있다. a″, b″는 기판 타면(10에 설치된 보조 막전극이고, 상기 막전극(a, b)에 스루홀(a′, b′)에 의해 도통되고 있다. 'A', 'B'는 보조 막전극(a″, b″)의 각각에 면접촉으로 접합된 띠형상 리드도체이다. In Fig. 3A, '1' is an insulating substrate having good heat resistance and thermal conductivity, for example, a ceramic plate. 'a' and 'b' are film electrodes formed on both sides of one surface 101 of the insulating substrate 1, '2' is an intermediate film electrode, and is formed by printing and sintering of a conductor paste, for example, a silver paste. have. '3' is a fuse element and is disposed over both of the membrane electrodes a and b and the intermediate membrane electrode 2, and the intersection with the membrane electrodes a, b and 2 is welded. The fuse element 3 is divided into portions n and m which sandwich the intermediate membrane electrode 2. Flux is applied to the fuse element 3, but the illustration is omitted. a &quot; and b &quot; are auxiliary film electrodes provided on the other surface of the substrate 10, and are connected to the film electrodes a and b by through holes a 'and b'. A strip-shaped lead conductor bonded to each of the membrane electrodes a "and b" in surface contact.

도 3의 (나)에 있어서, '41', '42'는 기판 타면(10)상에 설치된 전후 막전극이고, 상기 기판 일면(101)의 막전극(a, b)과 마찬가지로 도체페이스트의 인쇄·소결에 의해 설치되어 있다. 'r'은 전후 막전극(41, 42) 사이에 설치된 막저항이고, 저항페이스트 예를 들어 산화루티늄 분말페이스트의 인쇄·소결에 의해 설치되어 있다. 막저항상에는, 보호막 예를 들어 유리소결막(g)이 설치되어 있다. In (b) of FIG. 3, '41' and '42' are front and rear membrane electrodes provided on the other surface of the substrate 10, and the printing of the conductor paste is similar to the membrane electrodes a and b of the one surface 101 of the substrate. It is installed by sintering. 'r' is a film resistance provided between the front and rear film electrodes 41 and 42, and is provided by printing and sintering a resist paste, for example, a rutin oxide powder paste. On the film resistance phase, a protective film, for example, a glass sintered film g is provided.

전후 막전극(41, 42)의 한쪽(42)은 기판 일면(101)의 중간 막전극(2)에 스루홀(24)에 의해 결선되어 있다.One side 42 of the front and rear membrane electrodes 41 and 42 is connected to the intermediate membrane electrode 2 on one surface 101 of the substrate by a through hole 24.

도 3의 (다)에 있어서, 'c'는 기판 일면(101)에 설치된 사이드 막전극이고, 기판 타면(10)의 상기한 전후 막전극(41, 42)의 다른 쪽(41)에 스루홀(240)에 의해 결선되어 있다. 'C'는 기판 일면(101)의 사이드 막전극(c)에 접합된 띠형상 리드도체이고, 기판 가장자리끝에 사이드 막전극(c)를 향하여 형성된 오목홈〔도 3의 (나)(다)에 있어서 c″로 표시되어 있다〕을 거쳐서 도 3의 (다)에 나타내는 바와 같이 기판 타면측으로 오르는 단차(e)가 형성되고, 띠형상 리드도체(C)의 선단이 기판 일면(101)의 사이드 막전극(c)에 접합되고, 도 3의 (다)에 나타내는 바와 같이 상기 단차(e)로 인하여 기판 타면(10)측에 상승하여 기판 타면(10)과 동일 면 내에서 연재하고 있다.In FIG. 3 (c), 'c' is a side film electrode provided on one surface 101 of the substrate, and through-holes on the other side 41 of the above-described front and rear film electrodes 41 and 42 of the other surface of the substrate 10. It is connected by 240. 'C' is a band-shaped lead conductor bonded to the side film electrode c on one side of the substrate 101, and is formed in the concave groove formed at the edge of the substrate toward the side film electrode c (Fig. 3 (b) (c)). And c &quot; in FIG. 3 &quot;], as shown in (c) of FIG. 3, a step (e) rising to the other side of the substrate is formed, and the tip of the strip-shaped lead conductor C is formed on the side film of the one surface of the substrate. As shown in FIG. 3 (c), the electrode c is joined to the electrode c and ascends to the substrate other surface 10 side due to the step e, and extends in the same plane as the substrate other surface 10.

'5'는 기판 일면(101)을 덮는 절연밀봉물이고, 예를 들어 도 3의 (다)에 나타내는 바와 같이, 기판 일면(101)상에 플럭스와 접촉하여 배치된 보호시트(51) 예를 들어 세라믹 시트, 유리크로스시트와 해당 보호시트(51)와 기판 일면(101)과의 사이에 플럭스를 둘러싸서 단단해진 경화성 수지(52) 예를 들어 에폭시수지로 구성되어 있다.'5' is an insulating seal covering the substrate one surface 101, and for example, as shown in FIG. 3 (C), an example of the protective sheet 51 disposed in contact with the flux on the substrate one surface 101 is shown. For example, the curable resin 52 hardened by surrounding the flux between the ceramic sheet, the glass cross sheet, the protective sheet 51 and the substrate one surface 101, for example, is composed of an epoxy resin.

상기 띠형상 리드도체(A, B) 및 띠형상 리드도체(C)는 모두 두께가 동일하고, 기판 타면보다 그 두께만큼 높은 레벨로 동일 면 내에서 연장되어 있다.The strip lead conductors A and B and the strip lead conductors C all have the same thickness and extend in the same plane at a level higher than the other surface of the substrate.

상기 어느 하나의 실시예에 있어서도, 띠형상 리드도체(A, B)와 띠형상 리드도체(C)의 두께를 동일하게 하고 있지만, 띠형상 리드도체(A, B)와 띠형상 리드도체(C)의 두께가 다른 경우는, 띠형상 리드도체(A, B)의 상면과 띠형상 리드도체(C)의 상면을 동일 면형상으로 위치시키도록, 상기 단차(e)의 높이를 조정하여 그 두께의 차이를 이 조정으로 흡수하는 것이 가능하다.In any of the above embodiments, the thicknesses of the strip lead conductors A and B and the strip lead conductor C are the same, but the strip lead conductors A and B and the strip lead conductor C are the same. ), The thickness of the step (e) is adjusted so that the upper surface of the strip-shaped lead conductors (A, B) and the upper surface of the strip-shaped lead conductor (C) are positioned in the same plane shape. It is possible to absorb the difference of with this adjustment.

상기 저항부착 온도퓨즈에 있어서의 막저항의 외곽수치를 가급적으로 작게 하기 위해서는, 단위면적당의 저항치를 가급적으로 크게 하는 것, 따라서, 막저항의 두께를 가급적으로 얇게 하는 것이 요구된다. 그러나, 저항페이스트의 인쇄상, 막 두께의 얇기에 제한이 있다. 통상 막저항 두께는 5㎛∼15㎛로 되고, 이러한 하에서 2차전지보호회로용 저항부착 온도퓨즈에 요구되는 막저항의 치수는 종방향(전류방향) 길이 1.2㎜× 폭 1.5㎜이다.In order to reduce the outer value of the film resistance in the above-described temperature fuse with resistance as much as possible, it is required to increase the resistance value per unit area as much as possible, and therefore to make the thickness of the film resistance as thin as possible. However, there is a limit to the thinness of the film thickness on the printing of the resist paste. Usually, the film resistance thickness is set to 5 µm to 15 µm, and the dimension of the membrane resistance required for the temperature fuse with resistance for secondary battery protection circuit is 1.2 mm in length in the longitudinal direction (current direction) x 1.5 mm in width.

본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈에 있어서는, 기판 타면(10)의 거의 전면을 막저항(r) 및 그 단자용 막전극(41, 42)의 형성에 사용하고 있고, 막저항의 형성에 필요한 상기 스페이스를 기판의 타면에 확보시키고, 소형성을 담보할 수 있다.In the temperature fuse with resistance according to the present invention, almost the entire surface of the other surface of the substrate 10 is used for the formation of the film resistance r and the terminal film electrodes 41 and 42, which are necessary for the formation of the film resistance. The space can be secured to the other surface of the substrate and the compactness can be ensured.

도 4는 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈를 조립한 2차전지보호회로의 충전에서의 등가회로를 나타내고, 'Ao'는 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈, 'n' 및 'm'은 퓨즈 엘리먼트부분, 'r'은 막저항, 'N'은 과충전방지스위치용 FET, 'M'은 과방전방지스위치용 FET, 'S'는 IC제어부, 'Tr'은 트랜지스터, 'E'는 2차전지, 'D'는 충전원이다.Figure 4 shows an equivalent circuit in the charging of the secondary battery protection circuit assembled with a resistance temperature fuse with a resistor according to the present invention, 'Ao' is a resistance temperature fuse with a resistor, 'n' and 'm' Silver fuse element, 'r' is film resistance, 'N' is overcharge protection switch FET, 'M' is overcharge protection switch FET, 'S' is IC control part, 'Tr' is transistor, 'E' is The secondary battery, 'D', is the charging source.

이 충원시, 충전원(D)측의 퓨즈 엘리먼트부분(n)을 2차전지(E)측의 퓨즈 엘리먼트부분(m)보다 먼저 용단시키는 것이, 파워가 큰 충전원(D)을 먼저 절리하게 되어 안전하다.During this charging, melting the fuse element portion n on the charging source D side before the fuse element portion m on the secondary battery E side cuts the charge source D having a large power first. It is safe.

그런데, 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈에 있어서는, 기판 타면의 막저항(r)을 기판 일면의 퓨즈 엘리먼트(3) 중심에 대하여 편재시키고, 퓨즈 엘리먼트부분(n)은 막저항(r)에 가깝고, 퓨즈 엘리먼트부분(m)은 멀리하고 있기 때문에, 퓨즈 엘리먼트부분(n)을 퓨즈 엘리먼트부분(m)보다 먼저 용단시킬 수 있다.By the way, in the temperature fuse with a resistance which concerns on this invention, the film resistance r of the other surface of a board | substrate is localized with respect to the center of the fuse element 3 of one side of a board | substrate, and the fuse element part n is connected to the film resistance r. Since the fuse element portion m is far from each other, the fuse element portion n can be melted before the fuse element portion m.

막전극(a)과 중간 막전극(2)과의 사이의 퓨즈 엘리먼트부분(m)과 막전극(b)과 중간 막전극(2)과의 사이의 퓨즈 엘리먼트부분(n)을 소정의 우선순위로 용단시키도록, 막전극(a)와 중간 막전극(2)과의 간격과 막전극(b)과 중간 막전극(2)과의 간격을 다르게 하는 것, 또 도 5a 또는 도 5b에 나타내는 바와 같이 양 퓨즈 엘리먼트부분(n, m)에 대한 중간 막전극(2)의 가장자리끝형상을 다르게 할 수도 있다.The fuse element portion m between the membrane electrode a and the intermediate membrane electrode 2 and the fuse element portion n between the membrane electrode b and the intermediate membrane electrode 2 are given a predetermined priority. The gap between the membrane electrode (a) and the intermediate membrane electrode (2) and the interval between the membrane electrode (b) and the intermediate membrane electrode (2) are different from each other so as to be melted, as shown in Figs. 5A or 5B. Similarly, the edge end shape of the intermediate film electrode 2 with respect to both fuse element portions n and m may be different.

도 6은 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈를 탑재한 2차전지보호용 회로판을 나타내고, 프린트배선판(P)에 과방전방지스위치용 FET(N) 및 과충전방지스위치용 FET(M)을 실장하고, 본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈의 절연밀봉물(5)을 하측을 향하게 하여 FET 사이의 공간에 수용하고, 띠형상 리드도체(A, B)를 한쪽의 FET의 상면에 승재(乘載)시키고, 띠형상 리드도체(C)를 다른 쪽의 FET의 상면에 승재시키고, 각 띠형상 리드도체(A, B, C)를 프린트배선판(P)의 배선도체의 소정위치에 접속하고 있다. IC제어회로부도 탑재되지만, 도시한 높이(H)보다 낮다.Fig. 6 shows a secondary battery protection circuit board equipped with a temperature fuse with a resistance according to the present invention, wherein the overdischarge prevention switch FET (N) and the overcharge prevention switch FET (M) are mounted on a printed wiring board (P). The insulation seal 5 of the temperature fuse with a resistance according to the present invention is placed downward and placed in the space between the FETs, and the band-shaped lead conductors A and B are placed on the upper surface of one FET. The strip lead conductors C are placed on the upper surface of the other FET, and the strip lead conductors A, B, and C are connected to predetermined positions of the wiring conductors of the printed wiring board P. The IC control circuit section is also mounted, but lower than the height H shown.

이 2차전지보호용 회로판에 있어서는, 저항부착 온도퓨즈의 기판 타면(10)이 띠형상 리드도체(A, B, C)의 상면보다 낮은 위치에 있고, 저항부착 온도퓨즈의 본체부가 리드도체의 상면에 대하여 돌출되어 있지 않고, 최대실장두께(H)를 FET의 실장높이(h)에 띠형상 리드도체(A, B, C)의 두께를 더한 것에 머무르게 할 수 있고, 2차전지보호용 회로판의 최대 두께(Hmax)를 2000㎛ 정도로 억제할 수 있어서 전지팩 내로의 수용을 용이하게 실행할 수 있다.In the circuit board for secondary battery protection, the other surface of the substrate 10 of the resistance temperature fuse is lower than the top surface of the band-shaped lead conductors A, B, and C, and the main body of the resistance temperature fuse has an upper surface of the lead conductor. The maximum mounting thickness (H) can be maintained by adding the thickness of the band-shaped lead conductors (A, B, C) to the mounting height (h) of the FET, and the maximum mounting thickness (H) can be maintained. Thickness Hmax can be suppressed to about 2000 micrometers, and the receipt into a battery pack can be performed easily.

저항부착 온도퓨즈에 있어서, 기판(세라믹판)은 막전극의 통전발생열을 퓨즈 엘리먼트에 신속하게 전달할 수 있도록 얇은 두께로 하고, 450㎛∼250㎛으로 하고 있다. 이러한 얇은 두께의 세라믹판의 막전극에 띠형상 리드도체를 스포트용접 등에 의해 용접하면, 세라믹판의 균열파손이 염려된다. In the temperature fuse with resistance, the substrate (ceramic plate) has a thickness of 450 탆 to 250 탆 so as to quickly transfer the heat of electricity generation of the membrane electrode to the fuse element. If the strip-shaped lead conductor is welded to the film electrode of such a thin ceramic plate by spot welding or the like, cracking of the ceramic plate may be feared.

따라서, 막전극과 띠형상 리드도체와의 접합은 납땜에 의해 실행하는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable to perform the bonding between the membrane electrode and the strip-shaped lead conductor by soldering.

본 발명에 관련되는 저항보착 온도퓨즈는 도 4에 나타내는 2차전지보호회로의 퓨즈로서 사용되고, 전지전압을 검지하고 전지전압이 설정값 이상에 되면, IC제어회로로부터의 신호에 의해 트랜지스터(Tr)가 도통되고, 막저항(r)이 충전원(D) 또는 2차전지(E)를 전원으로서 통전발열되어 퓨즈 엘리먼트부분(n, m)이 용단된다. 또, FET의 허용온도에서도 퓨즈 엘리먼트를 용단시키도록 퓨즈 엘리먼트의 융점을 설정할 수도 있고, 융점 125℃∼145℃의 퓨즈 엘리먼트를 사용할 수 있다.The resistor-attached temperature fuse according to the present invention is used as a fuse of the secondary battery protection circuit shown in FIG. Is conducted, the film resistance (r) conducts and generates heat by using the charging source (D) or the secondary battery (E) as a power source, and the fuse element portions (n, m) are melted. The melting point of the fuse element may be set so as to melt the fuse element even at an allowable temperature of the FET, and a fuse element having a melting point of 125 ° C to 145 ° C may be used.

상기 띠형상 리드도체(A, B, C)의 막전극(a, b, c)으로의 납땜온도는 퓨즈 엘리먼트의 융점보다 높게 설정되고, 띠형상 리드도체의 납땜접합 후에, 퓨즈 엘리먼트와 양측 막전극 및 중간 막전극과의 용접이 실행된다. 이 용접에는 레이저용접, 저항용접, 리플로우 용접을 사용할 수 있다.The soldering temperature of the strip-shaped lead conductors A, B, and C to the membrane electrodes a, b, and c is set higher than the melting point of the fuse element, and after the solder joint of the strip-shaped lead conductors, the fuse element and both films are soldered. Welding with the electrode and the intermediate membrane electrode is performed. Laser welding, resistance welding, and reflow welding can be used for this welding.

도 7에 나타내는 바와 같이, 양측 막전극(a)(b)과 퓨즈 엘리먼트(2)와의 각 용접 장소로부터 그들 막전극(a)(b)으로의 띠형상 리드도체(A)(B)의 납땜 장소까지의 거리는 기판의 축소화를 위해 매우 짧게 하고, 그 사이에 땜납의 젖음확대 배리어(6a)(6b)를 설치하는 것이 바람직하다. 예를 들어 유리실을 융착(融着)시키는 것이 바람직하다. 이 구성으로 하면, 양측의 각 막전극(a)(b)과 퓨즈 엘리먼트(2)와의 각 용접 장소로부터 그들 막전극(a)(b)으로의 띠형상 리드도체(A)(B)의 접합 장소까지의 간격을 좁게 해도, 퓨즈 엘리먼트를 접합할 때, 퓨즈 엘리먼트가 확대되어 띠형상 리드도체에 연결되는 것을 방지할 수 있고, 퓨즈 엘리먼트의 합금조성의 변화에 따른 융점변동, 따라서 작동어긋남을 방지할 수 있다. 도 7에 있어서, f는 플럭스를 나타내고 있다.As shown in Fig. 7, soldering of strip-shaped lead conductors (A) and (B) from the respective welding locations between the both membrane electrodes (a) and (b) and the fuse element 2 to the membrane electrodes (a) and (b). The distance to the place is made very short for the reduction of the substrate, and it is preferable to provide the wetting enlargement barriers 6a and 6b of the solder therebetween. For example, it is preferable to fuse a glass chamber. With this configuration, the band-shaped lead conductors A and B are joined from each welding place between the membrane electrodes a and b on both sides to the membrane electrodes a and b. Even if the distance to the place is narrowed, it is possible to prevent the fuse element from expanding and connecting to the strip-shaped lead conductor when joining the fuse element, and to prevent the melting point fluctuation caused by the change in the alloy composition of the fuse element, thus preventing the operation deviation. can do. In FIG. 7, f represents a flux.

본 발명에 관련되는 저항부착 온도퓨즈에 있어서, 동작속도를 신속화하기 위해서는 상기한 기판의 박후화(薄厚化) 외에, 도 8의 (가) 및 도 8의 (나)〔도 8의 (가)에 있어서의 나-나 단면도〕에 나타내는 바와 같이, 퓨즈 엘리먼트(3)를 병렬다개 소선 예를 들어 병렬 2개 소선(30, 30)에 의해 구성되는 것도 유효하다. 즉, 퓨즈 엘리먼트의 단면적이 마찬가지라도, 개수를 많이 하면 1개당 단면을 가늘게 할 수 있고, 그만큼 빠르게 용단시킬 수 있으며, 동작속도를 신속화할 수 있다.In the temperature fuse with a resistance according to the present invention, in order to speed up the operation speed, in addition to the above-described thinning of the substrate, FIGS. 8A and 8B are used. (B) in cross-sectional view], it is also effective that the fuse element 3 is constituted by multiple wires in parallel, for example, two wires 30 and 30 in parallel. That is, even if the cross-sectional area of the fuse element is the same, if the number is large, the cross-section per piece can be thinned, the metal can be melted so fast, and the operating speed can be increased.

도 4에 있어서, A, B, C는 띠형상 리드도체(A, B, C)에 대하여, 띠형상 리드도체(A, B)는 항상, 회로전류가 흐르기 때문에, 구리, 구리합금 등의 통상의 도전성재질에 Sn도금한 것이 사용된다. 이상(異常) 시에만, 트랜지스터 스위치(Tr)가 온 되어 띠형상 리드도체(C)에 전류가 흐르고, 막저항(r)이 발열하여 퓨즈 엘리먼트(n, m)가 상기한 우선순위로 용단된다. 이 경우, 띠형상 리드도체(C)에는, 막저항(r)의 발생열이 그 리드도체(C)에 전해져서 누출되는 것을 방지하기 위해서, 열저항이 높은 금속, 예를 들면, 철, 철합금 등의 철 계열 또는 니켈 등으로 Sn도금한 것을 사용하고, 띠형상 리드도체(C)의 긴쪽방향 열저항을 띠형상 리드도체(A 또는 B)의 긴쪽방향 열저항보다 높게 하는 것이 바람직하다. 그리고, 띠형상 리드도체(C)의 폭을 띠형상 리드도체(A 또는 B)의 폭보다 가늘게 하여 띠형상 리드도체(C)의 긴쪽방향 열저항을 띠형상 리드도체(A 또는 B)의 긴쪽방향 열저항보다 높게 해도 좋다. 이 경우라도, 띠형상 리드도체(C)의 전기저항을 막저항(r)의 전기저항에 비해서 충분히 낮게 할 수 있고, 2차전지(E) 또는 충전원(D)에 의한 막저항(r)의 효율 높은 발열을 보증할 수 있다. In FIG. 4, since A, B, and C are strip | belt-shaped lead conductors A, B and C, since strip | belt-shaped lead conductors A and B always flow a circuit current, they are normally made of copper, a copper alloy, etc. Sn-plated is used for the conductive material. Only in abnormality, the transistor switch Tr is turned on so that a current flows in the strip-shaped lead conductor C, the film resistance r generates heat, and the fuse elements n and m are melted to the above-described priorities. . In this case, in the band-shaped lead conductor C, in order to prevent the heat generated by the film resistance r from being transmitted to the lead conductor C, a metal having high heat resistance, for example, iron or iron alloy, is prevented. It is preferable to use an iron series such as iron-based or nickel-plated Sn to make the longitudinal heat resistance of the strip lead conductor C higher than the longitudinal heat resistance of the strip lead conductors A or B. Then, the width of the strip-shaped lead conductor C is thinner than the width of the strip-shaped lead conductor A or B, and the longitudinal heat resistance of the strip-shaped lead conductor C is longer than that of the strip-shaped lead conductor A or B. It may be higher than the directional thermal resistance. Even in this case, the electrical resistance of the strip-shaped lead conductor C can be made sufficiently low compared to the electrical resistance of the film resistance r, and the film resistance r by the secondary battery E or the charging source D can be achieved. High efficiency of heat generation can be guaranteed.

Claims (16)

기판의 일면상에 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극을 갖고, 이들 막전극에 걸쳐서 퓨즈 엘리먼트가 설치되며, 양측의 각 막전극에 띠형상 리드도체(A, B)의 선단이 접합되고, 상기 기판의 일면이 절연밀봉물로 덮여지며, 기판의 타면 위에 전후 막전극이 설치되고, 이들 전후 막전극에 걸쳐서 막저항이 설치되며, 전후 양 막전극 중의 한쪽이 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극에 전기적으로 결선되고, 동일 양 막전극 중의 다른 쪽의 막전극에 사이드부(c)가 설치되며, 이 사이드부(c)에 띠형상 리드도체(C)의 선단부가 면접촉하에서 접합되어 이루어지고, 띠형상 리드도체(A, B)의 상기 기판의 가장자리끝에 근접하는 장소에 기판 타면측으로 오르는 단차가 형성되고, 그 단차의 상측면과 기판 타면의 높이차가 띠형상 리드도체(C)의 두께에 거의 동등하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.It has two membrane electrodes (a, b) and an intermediate membrane electrode on one surface of the substrate, and a fuse element is provided over these membrane electrodes, and the ends of the strip-shaped lead conductors (A, B) are bonded to each membrane electrode on both sides. One side of the substrate is covered with an insulating sealant, a front and rear membrane electrode is provided on the other surface of the substrate, and a film resistance is provided over the front and rear membrane electrodes, and one of the front and rear membrane electrodes is connected to the fuse element. Electrically connected to the intermediate membrane electrode, a side portion (c) is provided on the other membrane electrode of the same membrane electrode, and the front end portion of the strip-shaped lead conductor (C) is bonded to the side portion (c) under surface contact. And a step that rises toward the other side of the substrate is formed at a position close to the edge end of the substrate of the band-shaped lead conductors A and B, and the height difference between the upper side of the step and the other side of the substrate is the band-shaped lead conductor C. Almost equal to the thickness of Temperature fuse with a resistance, characterized in that. 기판의 일면상에 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극을 갖고, 이들 막전극에 걸쳐서 퓨즈 엘리먼트가 설치되며, 양측의 각 막전극(a, b)에 기판 타면으로 통하는 구멍(a′, b′)이 설치되고, 리드도체 선단이 열쇠형상으로 구부러져 선단 근방부가 기판 타면에 면접촉된 상태에서의 열쇠형상 선단부의 기판 타면측으로부터의 상기 구멍으로의 수용과 각 구멍으로의 땜납충전에 의해서 상기 띠형상 리드도체(A, B)가 상기 막전극(a, b)에 접속되며, 기판의 타면상에 전후 막전극이 설치되고, 이들 전후 막전극에 걸쳐서 막저항이 설치되며, 전후 양 막전극 중의 한쪽이 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극에 전기적으로 결선되고, 동일 양 막전극 중의 다른 쪽의 막전극에 사이드부(c)가 설치되며, 이 사이드부(c)에 띠형상 리드도체(C)의 선단부가 면접촉하에서 접합되고, 상기 기판의 일면이 절연밀봉물로 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.On both sides of the substrate, both membrane electrodes (a, b) and intermediate membrane electrodes are provided, and a fuse element is provided over these membrane electrodes, and holes (a ') which pass through the other surface of the substrate to each membrane electrode (a, b) on both sides. b ') is provided, and the lead conductor tip is bent into a key shape and the key shape tip part is accommodated in the hole from the other side of the substrate and the solder is charged into each hole in the vicinity of the tip surface contacting the other surface of the substrate. The strip-shaped lead conductors A and B are connected to the membrane electrodes a and b, and the front and rear membrane electrodes are provided on the other surface of the substrate, and the film resistance is provided over these front and rear membrane electrodes. One of the membrane electrodes is electrically connected to the intermediate membrane electrode with respect to the fuse element, and a side portion (c) is provided on the other membrane electrode of the same membrane electrode, and a strip-shaped lead is formed on the side portion (c). The tip of the conductor C is in surface contact. Standing joint and, a thermal fuse resistor attached characterized in that the one surface of the substrate is covered with an insulating seal. 기판의 일면상에 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극과 사이드 막전극을 갖고, 양측 막전극(a, b)과 중간 막전극에 걸쳐서 퓨즈 엘리먼트가 설치되고, 기판 타면에 상기 막전극(a, b)에 스루홀에 의해 도통된 보조 막전극(a″, b″)이 설치되고, 각 보조 막전극(a″, b″)에 띠형상 리드도체(A, B)가 면접촉으로 접합되고, 기판의 타면상에 전후 막전극이 설치되고, 이들 전후 막전극에 결쳐서 막저항이 설치되며, 전후 막전극 중의 한쪽이 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극에 전기적으로 결선되고, 전후 양 막전극 중의 다른 쪽이 상기 기판 일면의 사이드 막전극에 전기적으로 결선되며, 사이드 막전극에 띠형상 리드도체(C)의 선단이 접합되고, 그 접합장소에 면하는 기판 노치부를 거쳐 기판의 타면측으로 오르는 단차가 띠형상 리드도체(C)에 형성되며, 상기 기판의 일면이 절연밀봉물로 덮여져 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.On both sides of the substrate, both side membrane electrodes (a, b), intermediate membrane electrodes and side membrane electrodes are provided, and a fuse element is provided across both membrane electrodes (a, b) and the intermediate membrane electrodes, and the membrane electrodes are formed on the other side of the substrate. Auxiliary membrane electrodes a ″ and b ″ conducted by through holes are provided in (a, b), and strip-shaped lead conductors A and B are in surface contact with each of the auxiliary membrane electrodes a ″ and b ″. Bonded to each other, the front and rear membrane electrodes are provided on the other surface of the substrate, and the film resistance is provided in connection with these front and rear membrane electrodes, one of the front and rear membrane electrodes is electrically connected to the intermediate membrane electrode to the fuse element, The other of the front and rear membrane electrodes is electrically connected to the side membrane electrode on one surface of the substrate, and the front end of the strip-shaped lead conductor C is bonded to the side membrane electrode, and the substrate is notched through the substrate notch facing the junction. A step that rises to the other side is formed in the strip-shaped lead conductor (C), A temperature fuse with a resistance, characterized in that one surface of the substrate is covered with an insulating sealant. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기전후 양 막전극 중의 한쪽의 상기 퓨즈 엘리먼트에 대한 상기 중간 막전극으로의 전기적 결선이 스루홀에 의해 실행되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.A resistance temperature fuse according to claim 1, wherein electrical connection to one of said fuse elements of said front and rear membrane electrodes to said intermediate membrane electrode is performed by a through hole. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 띠형상 리드도체(A, B, C)의 두께가 동등하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.A temperature fuse with a resistance, characterized in that the thickness of the strip lead conductors (A, B, C) is equal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퓨즈 엘리먼트가 복수개의 병렬소선으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.And said fuse element comprises a plurality of parallel wires. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판의 두께가 450∼250㎛이고, 띠형상 리드도체(A, B 또는 C)와 막전극의 접합이 납땜에 의해 실행되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.A temperature fuse with a resistance, characterized in that the substrate has a thickness of 450 to 250 占 퐉 and bonding of the strip-shaped lead conductors (A, B or C) and the membrane electrode is performed by soldering. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 리드도체 접합땜납의 융점이 퓨즈 엘리먼트의 융점보다도 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.The melting point of the lead conductor joining solder is higher than the melting point of the fuse element. 제 7 항 또는 8 항에 있어서,The method according to claim 7 or 8, 상기 막전극(a 또는 b)에, 띠형상 리드도체(A 또는 B)와 막전극(a 또는 b)의 접합장소로부터 막전극(a 또는 b)과 퓨즈 엘리먼트의 접합장소에 이르는 사이에 땜납확산 방지배리어가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.Solder diffusion to the membrane electrode a or b from the junction of the strip lead conductor A or B to the junction of the membrane electrode a or b and the junction of the fuse element. Temperature fuse with resistance, characterized in that a prevention barrier is provided. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 막전극(a)과 중간 막전극 사이의 퓨즈 엘리먼트부분과 막전극(b)과 중간 막전극 사이의 퓨즈 엘리먼트부분을 소정의 우선순위로 용단시키도록, 막전극(a)과 중간 막전극의 간격과 막전극(b)과 중간 막전극의 간격 또는 양 퓨즈 엘리먼트부분에 대한 중간 막전극의 가장자리끝 형상이 다르게 되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.The fuse element portion between the membrane electrode (a) and the intermediate membrane electrode and the fuse element portion between the membrane electrode (b) and the intermediate membrane electrode are melted in a predetermined priority order. A temperature fuse with a resistance, characterized in that the gap between the gap between the membrane electrode (b) and the intermediate membrane electrode or between the fuse element portions of the intermediate membrane electrode is different. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 퓨즈 엘리먼트가 플럭스로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.And the fuse element is covered with flux. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판의 일면상에 플럭스와 접촉하여 소정의 높이로 배치된 보호시트와, 해당 시트와 기판 일면의 사이에 플럭스를 둘러싸서 배치된 경화 수지로 절연밀봉물이 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.Insulation seal is formed by a protective sheet disposed on a surface of the substrate in contact with the flux at a predetermined height, and a cured resin disposed to surround the flux between the sheet and one surface of the substrate. Temperature fuse. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퓨즈 엘리먼트가 FET의 허용온도에서 용단되도록 퓨즈 엘리먼트의 융점이 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.And a melting point of the fuse element is set such that the fuse element is melted at an allowable temperature of the FET. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 띠형상 리드도체(C)의 긴쪽방향 열저항이 띠형상 리드도체(A 또는 B)의 긴쪽방향 열저항보다도 높게 되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.The longitudinal heat resistance of the strip-shaped lead conductor (C) is higher than the longitudinal heat resistance of the strip-shaped lead conductor (A or B). 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 띠형상 리드도체(C)의 재질이 철계로 되고, 띠형상 리드도체(A 및 B)의 재질이 구리계로 되어 있는 것을 특징으로 하는 저항부착 온도퓨즈.The material of said strip | belt-shaped lead conductor (C) is iron type, and the material of strip | belt-shaped lead conductors (A and B) is copper type, The temperature fuse with resistance characterized by the above-mentioned. 배선판상에 순서 방향이 서로 반대인 FET를 간격을 두고 실장하고, 청구항 1∼15 중 어느 한 항에 기재된 저항부착 온도퓨즈의 기판부의 절연밀봉물 측을 배선판 측을 향하여 FET 사이의 공간에 수용하며, 띠형상 리드도체(A, B)를한쪽의 FET상에 맞닿아 접합하고, 띠형상 리드도체(C)를 다른 쪽의 FET 상면에 맞닿아 접합하고, 띠형상 리드도체(A, B, C)를 배선판의 배선 패턴의 소정위치에 접합한 것을 특징으로 하는 전지보호용 회로판.Mounting the FETs in opposite directions to each other on the wiring boards at intervals, accommodating the insulation sealing side of the substrate portion of the resistor-attached temperature fuse according to any one of claims 1 to 15 in the space between the FETs toward the wiring board side. , The strip lead conductors A and B are brought into contact with each other on the FET, and the strip lead conductors C are brought into contact with the upper surface of the other FET, and the strip lead conductors A, B, C) is bonded to a predetermined position of the wiring pattern of the wiring board, characterized in that the circuit board for battery protection.
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