KR20090017693A - 금속 임플란트 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 뼈와 접촉하게 될 임플란트 영역에서, 금속 구조체가 거친 면과 함께 제공되는, 수술 절차에서 사용하기 위한 금속 구조체를 포함하는 임플란트에 관한 것이다. 이 때, 상기 거친 영역은 열적 분무 공정에 의해 수산화인회석을 포함하는 세라믹 코팅부와 함께 제공된다. 은의 살균성 이온들이 상기 세라믹 코팅부 내로 흡수되며, 임플란트 후 몸체 안으로 들어가는 유체를 점진적으로 걸러낸다. 상기 수산화인회석은 상기 임플란트 내에 재생되는 뼈를 강화하며, 상기 은 이온들은 감염을 억제시킨다.

임플란트, 금속 구조체, 수산화인회석, 세라믹 코팅부, 살균성 이온

Description

금속 임플란트{Metal implants}

본 발명은 임플란트가 적어도 부분적으로 뼈와 접촉하게 될 수술 절차에서 사용하기 위한 금속 임플란트에 관한 것이며, 특히 감염을 억제하거나 또는 제어하기 위한 그와 같은 임플란트 안으로의 살균성 물질의 도입, 및 그와 같은 임플란트를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.

다양한 수술 절차에서 임플란트의 사용을 필요로 한다. 예를 들어, 암성 뼈는 보철 수술시 금속 임플란트로 대체되도록 제거될 수 있다. 그와 같은 임플란트는 예를 들어 매우 강직하고 상대적으로 가벼운 티타늄 합금으로 제조될 수 있다. 만약 임플란트의 일부가 몸체의 인접 부위에 대해 이동 가능하게 구성된다면, 상기 일부상에 평탄하고 연마된 표면을 제공하는 방법이 알려져 있다; 또한 상기 임플란트의 일부가 뼈에 매설되는 경우, 임플란트에 대한 뼈의 성장을 강화하기 위해 수산화인회석(hydroxyapatite)을 함유하는 열적 분무 코팅부를 제공하는 방법이 알려져 있다(예를 들면 미국특허 제 4 746 532호참조).

그와 같은 임플란트가 갖는 잠재적 문제점은 감염의 위험에 있다. WO 2005/087982에 설며된 바와 같이, 티타늄 금속 임플란트는 금속 기질과 일체이고 살균성 물질이 합체되는 표면층을 형성하도록 처리될 수 있다. 이와 같은 방법은 표면층을 발생시키도록 상기 임플란트를 적어도 30분의 기간 동안 약 50 V의 전압하에 인산에 양극 산화 처리한 다음, 상기 표면층 안으로 살균성 금속의 이온들을 합체시키도록 이온 교환을 수행하는 공정을 포함한다. 상기 표면은 상기 양극 산화 처리 전에 적절하게 연마된다. 특정 전해질 및 특정 전류 밀도를 갖는 양극 산화는 대표적으로는 약 0.14 ㎛ 두께의 견고한 티타늄 코팅면을 발생시키나, 가수분해의 결과로서 티타늄 산화물 (또는 티나늄 인산물)로 채워진 약 5 ㎛의 직경 및 약 0.4 ㎛의 깊이를 갖는 공동(pit)이 형성된다. 다음에, 필요한 살균성 효과를 제공하기 위해, 근본적으로 상기 공동에 있는 물질에 은 이온들을 합체시킨다. 그러나 이와 같은 처리는 근본적으로 티타늄을 포함하는 임플란트에 적용될 수 있다.

본 발명에 따르면, 적어도 부분적으로 뼈와 접촉시 사용하기 위한 임플란트를 제공하며, 상기 임플란트는 금속 구조체를 포함하고, 상기 금속 구조체의 표면의 적어도 일부는 수산화인회석을 함유하는 세라믹 코팅부를 가지며, 상기 세라믹 코팅부는 임플란트 후 몸체 안으로 들어가는 유체를 점진적으로 걸러낼 수 있는 은 이온들을 포함한다.

수산화인회석 코팅부를 사용함으로써 임플란트상에서의 뼈의 내증식이 개선될 수 있음을 알 수 있다. 은은 살균성 물질이다. 상기 코팅부에 은이 존재함으로써, 뼈의 내증식이 방해받지 않으면서, 아교성 내증식은 억제되는 것으로 나타났다. 뼈와 접촉하게 될 임플란트의 부위는 적합하게도 또한 뼈와의 결합을 강화하게 될 거친 면을 갖는다.

본 발명은 또한 적어도 부분적으로 뼈와 접촉시 사용하기 위한 임플란트를 제조하는 방법을 제공하며, 상기 임플란트는 금속 구조체를 포함하고, 상기 방법은, 플라즈마 분무 시스템을 사용하여 열적 분무함으로써 수산화인회석을 함유하는 세라믹 코팅부를 상기 금속 구조체의 표면의 적어도 일부상에 적층하는 단계와, 임플란트 후 몸체 안으로 들어가는 유체를 점진적으로 걸러낼 수 있는 은 이온을 상기 세라믹 코팅부 내에 합체시키는 단계를 포함한다.

은은, 염화물 이온의 존재와 은 염화물의 낮은 가용성으로 인해 특히 체액을 용해할 수 없기 때문에, 살균성 물질로서 적합하다. 상기 세라믹 코팅부는 구리, 주석, 안티몬, 납, 비스무트, 아연 또는 규소와 같은 다른 원소들의 이온들과 합체하지 않는다. 상기 은 이온들은 이온 교환에 의해 상기 코팅부 내로 합체되며, 그 후 상기 코팅부는 소성(燒成; fire)되지 않으며, 따라서 상기 은 이온들은 임플란트 후에 몸체 안으로 들어가는 유체를 점진적으로 걸러낼 수 있다.

적합하게도, 뼈과 접촉하게 될 표면의 부위는 첫째로 세라믹 코팅부로 코팅되기 전에 거칠기 처리된다.

상기 세라믹 코팅부는 일반적으로 흰색이다. 적합하게도 상기 은 이온들은 상기 세리믹 코팅부의 색상을 바꾸지도 않고 또한 그의 색상을 시간에 따라 변화시키거나 또는 광에 노출시키지도 않은 형태로 존재한다. 예를 들어, 상기 수산화인회석은 흰색인 Ag₂HPO₄이다. 살균성 물질의 이온들은, 적합하게는 1.0 mM 이하, 0.01 mM 이상인 작은 농도의 은 이온들을 포함하는 수성 용액을 사용하여 이온 교환에 의해 흡수될 수 있다. 선택적으로, 원칙적으로, 은 양이온은, 예를 들어 가용성 은염과 접촉하거나 또는 소정 도핑된 레벨로 공침(co-precipitation)함으로써, 임플란트를 코팅하기 위해 사용되기 전에 수산화인회석 안에 합체될 수 있다; 그러나, 플라즈마 분무 단계는 은이 최종 코팅부로부터 걸러질 수 있는 정도로 감소될 수 있다.

티타늄계 합금의 임플란트에 있어서, 그의 표면도 또한, 이온 흡수성 물질의 작은 공동들이 존재하는 표면 산화물층을 발생시키도록, 임플란트 구조체의 거의 전체 표면을 20 mA/㎠ 이하의 전류에서 적어도 30분의 기간 동안 약 50 V의 전압하에 인산에서 양극 산화 처리함으로써, 은 이온들을 흡수하도록 처리될 수 있다. 다음에, 은 이온들은 살균 효과를 제공하기 위해 일차로 상기 공동들에 있는 물질에 합체될 수 있다. 비록 이와 같은 양극 산화 처리 단계가 그와 같은 수산화인회석의 적층 이전에 표면을 처리하기 위한 정상적인 방법은 아니지만, 의외로 상기 수산화인회석은 작은 공동들과 함께 매우 견고한 산화물 표면에 매우 잘 점착하는 것이 발견되었다. 더욱 놀라운 사실은 수산화인회석의 코팅부는 은 이온들이 양극 산화 처리된 표면으로부터 걸러지는 것을 방해하지 않으며, 따라서 임플란트가 인간이나 동물의 몸체에 존재할 때 살균 효과를 제공한다는 점이다.

약 50 V의 전압에서 전류 제한을 갖는 양극 산화 처리를 수행함으로써, 2가지 효과를 갖는다: 그는 일차로 두께가 상기 전압에 의해 결정되는 치밀하고 견고한 표면층을 발생시킨 다음, 다소 부드럽고 더욱 다공성인 물질로 충전되는 표면에 얕은 공동들을 발생시킨다. 인산의 농도는 적합하게는 1 M, 더욱 적합하게는 2 M와 3 M 사이이며, 적합한 양극 산화 처리 전압을 갖는다. 이어서 살균성 금속이 일차적으로 상기 얕은 공동들 내의 물질 안에 흡수되며, 그 결과, 상기 얕은 공동들의 숫자와 크기를 제어하기 위해, 살균성 물질의 전체 양은 상기 양극 산화 처리 전압의 크기 및 그의 존속 기간을 제어함으로써 제어될 수 있다.

상기 양극 산화 처리는 500 V 또는 750 V의 높은 전압하에서 수행될 수 있으나, 50 V 내지 150 V 사이에서 수행되는 것이 적합하다. 상기 존속 기간은 24시간까지 가능하나, 12시간 이하, 예를 들면 0.5시간, 2시간 또는 6시간이 적합하다. 상기 범위 내의 전압에서 양극 산화 처리를 수행하는 경우 표면 다듬질이 유해한 영향을 미치지 않는다는 장점을 갖는다; 만약 표면의 일부가 광택이 나도록 양극 산화 처리하기 전에 연마되면, 다음에 그 부분은 높은 전압 양극 산화 처리 단계 후 광택이 남게 된다. 이는, 표면이 유백색을 띄거나 광택이 없게 보이는, 낮은 전압 양극 산화 처리시의 효과와 대조되는 것이다.

본 발명의 다른 양태에 있어서, 적어도 부분적으로 뼈와 접촉하는데 사용되는, 금속 구조체를 포함하는 플란트가 제공되며, 상기 금속 구조체의 실제 전체면에는, 살균성 물질의 이온들이 이온 교환에 의해 합체되는 이온 흡수성 물질의 작은 공동들이 존재하는, 양극 산화 처리된 경화면 산화물층에 제공되며, 상기 금속 구조체의 양극 산화 처리된 표면의 적어도 일부는 수산화인회석을 함유하는 세라믹 코팅부를 갖는다.

보철 임플란트들의 금속 구조체는 일반적으로 스테인리스강, 티타늄 합금, 또는 코발트/크롬 합금의 구성을 갖는다. 이와 같은 목적을 위한 표준 합금으로서는 6%의 알루미튬과 4%의 바나듐을 갖는 90%의 티타늄(영국 표준 7252), 또는 26.5-30%의 크롬, 4.5-7%의 몰리브덴, 및 나머지 코발트(영국 표준 7252 파트 4)를 들 수 있으나, 본 발명은 이에 국한되지 않는다. 그와 같은 보철 임플란트들의 금속 구조체는 또한 니오브, 탄탈륨, 및 지르코늄 및 그들의 합금을 포함하는 금속일 수 있다. 살균성 이온들을 포함하는 수산화인회석 코팅부의 제공으로, 그들을 제조하는 어떠한 물질의 금속 구조체들에 적용될 수 있다.

이제, 본 발명은 첨부된 도면들을 참조하여 오직 예시적 방식으로 추가적이고 더욱 상세하게 설명된다.

도 1은 근위 경골 보철로서 사용하기 위한 임플란트의 측면도.

근위 경골 보철로서 사용되는 임플란트는 티타늄 합금(Ti/Al/V)으로 제조된 구조체(10)이다. 이는 3개의 부분으로 구성된다: 무릎 관절의 상부를 형성하기 위해 상단부(13)에서 넓어지는, 경골의 근위부를 대체하기 위한 상부(12); 및 상기 경골의 나머지 부분에 있는 대응 구멍 내에 위치하기 위한 좁은 직경의 하부(14). 상기 임플란트 구조체(10)는 특수 환자에 사용하기 위한 특별한 치수를 갖는다는 사실을 알 수 있다. 임플란트될 때, 상기 상부(13)의 하부 섹션(15)은 뼈와 접촉하며, 따라서 뼈는 상기 섹션(15)의 표면에 부착될 것이 요망된다.

상기 임플란트 구조체(10)는 기계적으로 또는 전기 연마 기술을 사용하여 적절히 연마되며, 따라서 표면은 광택이 난다. 상기 표면은 엷은 쥐색 색상을 갖는다. 다음에 상기 하부 섹션(15)의 표면은 알루미늄 분말로 입자 분사(grit- blasting)된다. 나머지 표면들은 크게 연마된 표면을 보호하기 위해 표준 입자 분사 마스킹을 사용하여 마스크된다. 상기 입자 분사는 약 Rz = 4.2 ㎛의 표면 거칠기를 성취하도록 수행된다. 다음에 마스킹은 제거된다. 상기 임플란트 구조체(10)는 액상으로서의 제 1 아세톤을 사용하여 초음파적으로 정화되며, 다음에 수산화나트륨의 1 M 수성 용액을 사용하며, 다음에 탈이온수로 린스된다.

다음에, 정화된 임플란트 구조체(10)는 1 M 내지 5 M 사이, 예를 들면 2.1 M의 인산의 교반 용액에 잠기며, 산화 티타늄 및 인산염의 표면 코팅부를 형성하기 위해, 100 V의 최대 전압 및 10 mA/㎠의 최대 전류하에서 2시간 동안 양극 산화 처리된다. 초기에 전류는 그보다 훨씬 크게 되려는 경향을 가지며, 따라서 상기 전류는 제한된다; 몇 분 후에, 상기 전류는 조밀한 유전체층이 상기 표면상에 형성됨에 따라 상기 한계 이하로 감소되며, 다음에 상기 전류는 나머지 양극 산화 처리 기간 동안 안정된 낮은 값으로 채택될 수 있다. 상기 구조체는 광학 간섭 효과로 인한 다른 색상의 외관을 가질 수 있는 경화 표면 산화물층을 형성하며; 양극 산화 처리의 초기 단계 동안, 상기 표면 색상은 자주색/청색으로부터 청색, 초록색, 노란색, 오랜지색을 거쳐 최종적으로 적색으로 변한다. 100 V에서의 양극 산화 처리는 약 0.14 ㎛(140 nm)의 필름 두께를 형성한다. 다음에, 상기 양극 산하 처리된 임플란트 구조체(10)는 다시 탈이온수로 린스된다.

다음에 상기 임플란트 조립체(10)는 질산은의 교반된 0.1 M 수성 용액에 잠긴 상태로 2시간 동안 잔류된다. 이온 교환의 결과로서, 상기 표면 코팅부 내로 흡수된 약간의 은이 존재한다. 이와 같은 인산 전해질에 있어서의 높은 전압 및 낮은 전류 양극 산화 처리의 효과는 상기 표면이 일반적으로 약 0.14 ㎛ 두께의 양극 산화 처리된 경화 산화물층을 형성하나, 국부적 티타늄 용해로부터의 가수분해 결과로서 산화 티타늄으로 충전된 일반적으로 약 5 ㎛의 직경 및 약 0.4 ㎛의 깊이를 갖는 공동들이 존재한다는 점에 있다. 그와 같은 공동들은 평면도로 보아 대체로 원형이며, 상기 표면 영역의 15 내지 20% 사이에서 구성된다. 표면 분석 기술로서 이온 교환 처리 이후 흡수된 은은 상기 표면에서의 산화 티타늄/인산염 상(phase)과 관련이 있다는 사실이 확인되었다. 은은 경화층의 외부면에 적게 흡수되며, 상기 공동들의 훨씬 다공성 물질 내에 크게 흡수된다.

따라서, 100 V에서 2시간 동안의 양극 산화 처리는 두께가 전압(그들 간의 관계는 볼트당 약 1.4 nm)에 기초하는 경화 및 소형화 산화물층을 생성하는 효과를 가지며, 이와 같은 필름은 필름의 두께에 의해 결정되는 색상의 외관을 가지며, 미세 구조 표면을 유지한다. 상기 표면은 초소형 규모로 공동화되며, 따라서 외관에 영향을 미치지 않는다. 상기 양극 산화 처리된 표면은 0.1 내지 20 ㎍/㎠ 범위, 대표적으로는 약 5 내지 9 ㎍/㎠의 은으로 적층될 수 있다.

다음에, 상기 임플란트 구조체(10)는 블로운(woven) 유리 섬유 열저항 테이프로 모든 광택면상에 광택면의 에지의 약 50 mm까지 마스크되며, 다음에 100 mm 폭의 은박 스트립이 상기 광택 섹션의 에지에 마스크되도록 사용되고, 상기 은 박편의 일부는 상기 유리 섬유 테이프 위에 덮혀진다. 다음에, 상기 구조체는 (처리되는 동안 충격의 위험을 감소시키기 위해) 니켈 박편으로 커버된다. 다음에, (표면 15의)거친면은 플라즈마 분무 코팅에 의해 수산화인회석으로 약 80 ㎛의 두께로 코팅된다. 상기 박편은 수산화인회석이 광택면상에 적층되지 않게 하며, 또한 상기 플라즈마로부터의 자외선 복사가, 금속에 흡수되는 이온들을 감소시킬 수도 있는, 상기 광택면을 조사하지 않게 한다; 이는 그 자체가 적층된 수산화인회석에 의해 차폐됨에 따라 상기 거친면과 상충되지 않는다.

다음에 마스킹은 제거되며, 임플란트는 용매로서 이소프로필 알콜을 사용하여 최종적으로 초음파적으로 정화된다. 다음에 환자에 사용될 준비를 갖춘다. 놀랍게도, 상기 수산화인회석은 경화 산화물층에 잘 점착되는 것을 발견할 수 있으며; 상기 거친면상의 수산화인회석 코팅부는 은 이온들이 주입 후 양극 산화 처리층들로부터 주변 체액 안에 점진적으로 걸러지는 것을 방지할 수 없으며, 따라서, 상기 임플란트 바로 근방에 있는 어떠한 박테리아도 죽게 된다. 따라서, 임플란트로부터 발생하는 감염이 억제된다. 그리고 상기 수산화인회석의 코팅부는 임플란트상에서의 뼈성장을 강화시킨다. 상기 수산화인회석은 흰색 코팅부이다.

수산화인회석 코팅부의 적층 후에, 상기 수산화인회석 코팅부는 은염의 희석 용액, 예를 들면 0.33 mM (0.00033 M)의 수성 질산은에 잠긴다. 적합하게도, 상기 용액은 탈이온수를 사용하여 구성된다. 그와 같은 은 이온들의 낮은 농도에서는, 흰색인 Ag₂HPO₄의 형성으로, 수산화인회석과의 이온 교환의 정도가 제한된다. 예로써, 20℃에서 2시간 동안 잠긴 후의 상기 수산화인회석 코팅부의 적층은 5.9 ㎍/㎠가 됨을 발견되었다. 상기 은 적층은 상기 용액에서 은의 농도를 증가시키며, 예를 들어 0.5 mM의 질산은 용액에서, 20℃에서 2시간 동안 잠긴 후의 상기 은의 적층은 약 22.9 ㎍/㎠였고, 반면 1.0 mM의 질산은 용액에서, 동일한 상태에서의 은의 적층은 약 48.4 ㎍/㎠였다. 만약 소망의 적층이 5 내지 10 ㎍/㎠ 사이일 경우, 이는 0.3 mM 내지 0.4mM 사이의 용액을 사용하여 성취될 수 있다. 경험적으로, 은 하중 p (㎍/㎠)는 용액에서의 은 농도, C(몰 농도)에 관련되며, 다음의 식으로 나타난다.

log p = (1.334 x log C) + 5.5

여기서, 상기 로그의 밑은 10이다(상용로그).

흡수된 은의 양은 온도에 의해 크게 영향을 받지 않으며(적어도 주변에서의 온도에 대해), 또한 적어도 0.5 시간의 잠김에 대해, 잠김 시간에 의해서도 크게 영향을 받지 않는다. 상술된 2시간 잠김은 용액에 있는 은 이온들의 약 5% 내지 15% 사이의 흡수가 야기됨을 발견하였다.

만약 질산은 용액의 농도가 1 mM만큼 높을 경우, 흰색 수산화인회석 표면에 약간의 변색이 발생한다. 그리고, 만약 상기 수산화인회석 코팅부가 동일한 상태하에서 10 mM의 질산은 용액에 잠긴 경우, 상기 표면은 은 인산염의 형태로 엷은 노란색상을 띄며; 이 경우 은의 적층은 약 555 ㎍/㎠로 됨을 발견하였다. 이와 같은 은의 적층은 임플란트의 만족할만한 살균 특성에 요구되는 값보다 높다; 노란색 색상은 매력적이지 않으며; 만약 (은에 대한 은 이온들의 광환원으로 인한) 광에 노출될 경우, 표면이 회색으로 될 위험성을 갖게 된다.

상기 구조체의 금속이 무엇이든지, 수산화인회석 안으로의 은 이온들의 합체 는 상술된 바와 같이 수행될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 상기 수산화인회석은 (상술된 바와 같이) 양극 산화 처리된 티타늄, 또는 비-양극 산화 처리된 티타늄, 또는 코발트 크롬 합금, 또는 기타 적합한 금속상에 코팅될 수 있다.

상술된 바와 같은 전체 공정의 변경에 있어서, 티타늄 금속 임플란트는 이온 교환 특성을 갖는 표면을 제공하기 위해 양극 산화 처리된다; 다음에, 상기 표면의 거친 부분은 수산화인회석으로 코팅된다; 그리고 다음에, 수산화인회석 코팅 및 미 코팅된 부분들 모두에 약 2 ㎍/㎠ 이상의 적층을 제공하기에 충분한 농도의 이온들을 사용하여, 상기 표면의 수산화인회석 코팅된 부분과 코팅처리되지 않은 부분 모두에서 이온 교환이 수행된다.

적합하게도 단지 30 ㎍/㎠ 레벨로 수산화인회석 코팅부 및 금속 임플란트의 표면 안에 적층되는 은을 제공함으로써, 임플란트 후 체액 안에 걸러지도록 이용할 수 있는 은이 증가되며, 따라서 상기 임플란트의 살균 특성이 강화된다.

몸체 안으로의 임플란트 후에, 은 이온들은 수산화인회석 코팅부로부터 인접 체액 안에 점차로 걸러짐으로써, 살균 효과가 확보된다. 걸러지는 양은 염화은의 용해성에 의해 제어되는 것이 발견되었다. 경험적 실험은 코발트 크롬 합금 구조체상에 적층된 수산화인회석 코팅부를 사용하여 수행되었으며, 이는 2주간의 기간에 걸쳐 35℃에서 지속적으로 교반 및 보유된 0.9% NaCl 수용액 500 ml에 잠겼다.

분석을 위해 매일 50 ml의 샘플이 회수되었으며, 신선한 NaCl 용액으로 대체되었다{예를 들어, 관절 둘레의 공동액(sinovial fluid)의 점진적인 대체를 나타냄}. 본 예에서, 초기 은의 양은 (최대 소망 레벨의 약 2배인) 약 60 ㎍/㎠였다. 실험 기간을 통해, 용액에서 측정된 은의 농도는 약 0.4 내지 0.6 ppm 사이에서 잔류하였다; 이는, (은의) 0.48 ppm일 수 있는, 은 염화물의 용해성에 기초하여 예상된 농도에 따른 것이다. 임플란트 후, 살균성 효과가 작동될 수 있는 시간은 필연적으로, (상술된 실험에서 2주 이상에 걸쳐 약 16%만큼 감소된) 초기 은의 적층에 따라, 임플란트 수술 부위 둘레로부터 유체의 손실 비에 의해 제어된다.

Claims (13)

1. 적어도 부분적으로 뼈와 접촉시 사용하기 위한 임플란트로서,

   상기 임플란트는 금속 구조체를 포함하고,

   상기 금속 구조체의 표면의 적어도 일부는 수산화인회석을 함유하는 세라믹 코팅부를 가지며,

   상기 세라믹 코팅부는 임플란트 후 몸체 안으로 들어가는 유체를 점진적으로 걸러낼 수 있는 은 이온들을 포함하는 임플란트.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 구조체는 주로 티타늄이며, 상기 금속 구조체의 표면은 이온 흡수성 물질의 작은 공동들이 존재하는 산화물 경화면을 갖는 임플란트.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 뼈와 접촉하게 될 임플란트의 부위는 상기 금속 구조체에 대한 거친 면을 가지며, 상기 거친면은 세라믹 코팅부와 함께 제공되는 임플란트.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세라믹 코팅부에서 은 이온들의 적층은 0.1 내지 30 ㎍/㎠ 사이인 임플란트.
5. 적어도 부분적으로 뼈와 접촉시 사용하기 위한 임플란트를 제조하는 방법으로서,

   상기 임플란트는 금속 구조체를 포함하고,

   상기 방법은,

   플라즈마 분무 시스템을 사용하여 열적 분무함으로써 수산화인회석을 함유하는 세라믹 코팅부를 상기 금속 구조체의 표면의 적어도 일부상에 적층하는 단계, 및 임플란트 후 몸체 안으로 들어가는 유체를 점진적으로 걸러낼 수 있는 은 이온들을 상기 세라믹 코팅부 내에 합체시키는 단계를 포함하는 임플란트 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 금속 구조체는 주로 티타늄이며, 상기 금속 구조체는 상기 세라믹 코팅부가 적층되기 전에 이온 흡수성 물질의 작은 공동들이 존재하는 산화물 경화면을 발생시키도록 양극 산화 처리되는 임플란트 제조 방법.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,

   상기 금속 구조체의 표면의 적어도 일부는 상기 세라믹 코팅부의 적층 전에 거칠기 처리되는 단계를 또한 포함하는 임플란트 제조 방법.
8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세라믹 코팅부에서 은 이온들의 적층은 0.1 내지 30 ㎍/㎠ 사이인 임플란트 제조 방법.
9. 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은 이온들은 이온 교환에 의해, 코팅된 임플란트를 상기 은 이온들을 포함하는 용액에 잠기게 함으로써, 상기 적층된 세라믹 코팅부 내에 합체되는 임플란트 제조 방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 세라믹 코팅부와의 이온 교환은 0.00001 M 내지 0.001 M 사이의 은 이온 농도를 포함하는 수성 용액을 사용하여 수행되는 임플란트 제조 방법.
11. 제 5 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 열적 분무 동안, 상기 세라믹 구조체가 제공되지 않을 금속 구조체 표면 부분은 먼저 금속 박(foil)이 합체되는 마스킹으로 마스크되는 임플란트 제조 방법.
12. 제 5 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 의한 방법에 의해 제조된 임플란트.
13. 적어도 부분적으로 뼈와 접촉하는데 사용되며, 금속 구조체를 포함하는 플란트로서,

    상기 금속 구조체의 실제 전체면에는, 살균성 물질의 이온들이 이온 교환에 의해 합체되는 이온 흡수성 물질의 작은 공동들이 존재하는, 양극 산화 처리된 경화면 산화물층이 제공되며, 상기 금속 구조체의 양극 산화 처리된 표면의 적어도 일부는 수산화인회석을 함유하는 세라믹 코팅부를 갖는 임플란트.

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