KR20090012470A - Apparatus for modifying a metal patterning using the laser and method therefor - Google Patents

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Abstract

A metal pattern processing device using laser is provided to shorten the working process time by irradiating laser beam at a time although a processing window is broad. A metal pattern processing device using laser comprises a laser generator(100) oscillating laser beam, an optical system reflecting and transmitting the oscillated laser beam, a substrate(600) irradiating and processing the laser beam, and a beam former(300) processing the shape of the laser beam for the size and shape of the domain. The laser generator includes a laser stabilizer(110) stabilizing laser output in a laser pulse to pulse.

Description

레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법{Apparatus for modifying a metal patterning using the laser and method therefor}Apparatus for modifying a metal patterning using the laser and method therefor}

본 발명은 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 특히, 기판의 금속 패턴이 전기적으로 단선 또는 단락되었을 때 이를 수정하는데 사용되는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a metal pattern processing apparatus and method using a laser, and more particularly, to a metal pattern processing apparatus and method using a laser used to correct when a metal pattern of the substrate is electrically disconnected or short-circuited.

액정표시소자는 여러 단계의 공정을 고쳐서 제조되고, 금속층과 절연층 등이 존재한다. The liquid crystal display device is manufactured by modifying a process of several steps, and a metal layer and an insulating layer exist.

이러한 절차로 형성된 액정표시소자의 금속패턴이 단선되거나 단락되는 경우 이를 수정하여야 한다. 예를 들어 데이터 라인과 같이 전기가 통해야 하는 부분이 단선(open)되는 경우, 금속박막을 증착하는 방법으로 단선된 부분을 연결해 주어야 하고, 게이트 절연막과 같이 절연부위가 단락(short)되는 경우, 단락 부위를 절단하여야 한다.If the metal pattern of the liquid crystal display formed by this procedure is disconnected or short-circuited, it should be corrected. For example, when a portion of electricity that is to be passed, such as a data line, is opened, a portion that is to be disconnected must be connected by a method of depositing a metal thin film, and when an insulating portion is shorted, such as a gate insulating layer, a short circuit The site should be cut.

이러한 절단 및 증착 공정에는 레이저가 이용된다. Lasers are used in these cutting and deposition processes.

종래에는 절단 또는 증착하고자 하는 부위에 레이저를 스캔 방식으로 조사하여 절단 또는 증착하였다. Conventionally, a laser is irradiated to a portion to be cut or deposited by scanning to cut or deposit it.

도 1은 종래 기술에 따라 절단 및 증착하는 실시예를 나타낸 것으로서, 기판(1) 위에서 바라본 도면이다. 도면에서 화살표는 레이저 빔의 조사 방향을 나타낸 것이다. 1 shows an embodiment of cutting and depositing according to the prior art, viewed from above the substrate 1. Arrows in the drawings indicate the direction of irradiation of the laser beam.

도 1(a)는 레이저를 조사하여 절단하는 경우를 나타낸 것이고 도 1(b)는 레이저를 조사하여 금속박막을 증착하는 경우를 나타낸 것이다. 도 1(a)에서 첫번째는 평평한 기판(1)의 일부를 절단하는 경우, 두번째는 기판에 부착된 이물질로 인해 형성된 돌기(2)를 제거하는 경우, 그리고 세번째는 특정부위 전체를 제거하는 경우를 나타낸 것이다. 특히, 컬러필터 등에 불량부분이 넓게 분포된 경우에는 세번째 경우와 같이 불량 부분 전체를 제거하여야 하는데, 이러한 경우 레이저(5)를 스캔 방식으로 계속해서 왕복하는 방식으로 조사하여야 하므로 작업시간이 많이 걸리고 비효율적인 문제점이 있었다. FIG. 1 (a) shows a case of cutting by irradiating a laser and FIG. 1 (b) shows a case of depositing a metal thin film by irradiating a laser. In FIG. 1 (a), the first cuts a part of the flat substrate 1, the second removes the protrusion 2 formed by the foreign matter attached to the substrate, and the third removes the entire specific portion. It is shown. In particular, when the defective parts are widely distributed in the color filter, etc., the entire defective parts should be removed as in the third case. In this case, since the laser 5 needs to be irradiated continuously by reciprocating the scanning method, it takes a lot of work time and is inefficient. There was an issue that was.

도 1(b)의 첫번째는 기판(1)의 금속패턴이 절단되었을때 절단부위(3)에 금속 박막을 형성하여 연결하는 경우, 두번째는 절단부위(3)를 우회해서 박막을 형성하는 경우, 그리고 세번째는 절단부위가 넓은 경우 전체에 증착하는 경우를 나타낸 것이다. In the first case of FIG. 1B, when the metal pattern of the substrate 1 is cut, the metal thin film is formed at the cut portion 3 and the second thin film is formed to bypass the cut portion 3. And the third shows the case of depositing on the whole when the cut part is wide.

스캔 방식을 이용한 절단 또는 증착가공은 이동하면서 레이저를 조사하기 때문에 레이저 빔의 출력이 불완전한 경우, 가공면의 형상이 불균일할 수 있는 문제점이 있었다.Since the cutting or deposition processing using the scan method irradiates the laser while moving, there is a problem that the shape of the processing surface may be uneven when the output of the laser beam is incomplete.

또한, 상기 도 1(b)와 같은 경우에는 두 번 이상 중첩되어 증착되는 부분(4)이 발생하고, 중첩되는 부분과 중첩되지 않는 부분의 두께가 다르기 때문에 단 차(Thickness Difference) 문제가 발생한다. 이러한 단차는 다른 공정에 영향을 미칠 수 있고 물리적인 접속에 의해 파손될 가능성이 높아지는 문제점이 있었다. In addition, in the case of FIG. 1B, a portion 4 overlapped two or more times occurs, and a thickness difference problem occurs because thicknesses of overlapping portions and non-overlapping portions are different. . This step may affect other processes and have a high possibility of being damaged by physical connection.

도 2는 종래 기술에 따라 단차가 발생하는 문제점을 나타낸 것이다. 패턴 층(10)과 스캔 조사 증착에 의해 형성된 금속층(20) 사이의 단차 때문에, 이후의 공정에서 형성되는 패턴 층(30)을 형성하는 경우, 빈 공간(40)이 발생한다.2 illustrates a problem in which a step occurs according to the prior art. Due to the step difference between the pattern layer 10 and the metal layer 20 formed by the scan irradiation deposition, the empty space 40 is generated when the pattern layer 30 formed in a later step is formed.

이러한 빈 공간(40)이 발생하는 경우, 빈 공간으로 인하여 접합력이 저하되고 수분 침투 가능성이 높아지기 때문에 세정 공정 등과 같은 물리적인 힘을 받는 경우에 파손 가능성이 높아지는 문제점이 있었다. When the empty space 40 is generated, there is a problem in that the possibility of breakage increases when a physical force such as a cleaning process is increased because the bonding force is lowered and the possibility of water penetration increases due to the empty space.

본 발명의 목적은, 레이저 빔을 블럭 형태로 확대하고 평탄하게 하여 조사함으로써 가공 영역이 넓더라도 한번에 조사하여 작업 공정 시간을 단축하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a metal pattern processing apparatus and method using a laser which shortens the work process time by irradiating the laser beam in a block form and irradiating it with a flat shape even if the processing area is wide, but at a time.

또한, 기판 절단시 블럭 형태로 절단하고, 가공 영역 전체에 고른 에너지 분포를 갖는 빔을 조사하여 영역을 절단함으로써, 가공면의 형상을 균일하게 할 수 있는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법을 제공함에 있다.In addition, the metal pattern processing apparatus and method using a laser that can make a uniform shape of the processing surface by cutting in the form of a block when cutting the substrate, and cutting the region by irradiating a beam having an even energy distribution over the entire processing region. In providing.

그리고, 기판의 절단된 부위에 박막을 증착해서 연결하는 경우, 절단부위를 우회해서 증착하더라고 두 번 이상 중첩되는 영역이 발생하지 않고 단차가 발생하지 않는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치 및 그 방법을 제공함에 있다.In the case of depositing and connecting a thin film to a cut portion of a substrate, a metal pattern processing apparatus and method using a laser that does not generate a region where overlapping two or more times and a step does not occur even if the cut portion is bypassed and deposited are provided. Is in.

본 발명에 따른 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치는, 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진기; 발진된 상기 레이저 빔을 투과 또는 반사시키는 광학계; 상기 레이저 빔이 조사되어 가공되는 기판; 및 상기 기판의 가공하고자 하는 영역의 크기 및 모양에 맞게 레이저 빔의 모양을 가공하는 빔 형성기; 를 포함한다.Metal pattern processing apparatus using a laser according to the present invention, the laser oscillator for oscillating a laser beam; An optical system for transmitting or reflecting the oscillated laser beam; A substrate on which the laser beam is irradiated and processed; And a beam former for processing the shape of the laser beam according to the size and shape of the region to be processed on the substrate. It includes.

한편, 금속패턴 가공 방법에 있어서, (a) 빔 형성기가 가공되는 부분의 크기와 모양에 맞도록 조사되는 레이저 빔의 모양을 가공하는 단계; (b) 상기 빔 형성기가 미리 정해진 패턴으로 레이저 빔을 통과시키는 단계; (c) 상기 빔 형성기가 가공된 상기 레이저 빔을 가공되는 부분에 블럭 형태로 조사하는 단계; 및 (d) 상 기 빔 형성기가 정지 상태에서 일정한 대상 영역을 절단하거나 금속 박막을 증착하여 가공하는 단계; 를 포함한다.On the other hand, in the metal pattern processing method, (a) processing the shape of the laser beam irradiated to match the size and shape of the portion to be processed by the beam former; (b) the beam former passing the laser beam in a predetermined pattern; (c) irradiating the processed laser beam in a block form on the processed portion; And (d) cutting the constant target area or depositing a metal thin film while the beam former is in a stationary state. It includes.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치에서 레이저 빔을 블럭형태로 확대하고 평탄하게 하여 조사함으로써 가공 영역이 넓더라도 한번에 조사하여 작업 공정 시간을 단축하는 효과가 있다.According to the present invention as described above, in the metal pattern processing apparatus using a laser by expanding the laser beam in the form of a block and flattened irradiation, even if the processing area is wide, there is an effect of reducing the work process time by irradiating at once.

또한, 기판 절단시 블럭 형태로 절단하고, 가공 영역 전체에 고른 에너지 분포를 갖는 빔을 형성하여 영역을 절단함으로써, 가공 면의 형상을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.In addition, by cutting the substrate in the form of a block, forming a beam having an even energy distribution over the entire processing area, and cutting the area, the shape of the processing surface can be made uniform.

그리고, 기판의 절단된 부위에 박막을 증착해서 연결하는 경우, 절단부위를 우회해서 증착하더라도 두 번 이상 중첩되는 영역이 발생하지 않고 단차가 발생하지 않는 효과가 있다.In addition, when the thin film is connected to the cut portion of the substrate by depositing it, there is an effect that a step does not occur without overlapping a region more than two times even when the cut portion is detoured and deposited.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims are defined in the technical spirit of the present invention on the basis of the principle that the inventor can appropriately define the concept of the term in order to explain his invention in the best way. It should be interpreted to mean meanings and concepts. In addition, when it is determined that the detailed description of the known function and its configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, it should be noted that the detailed description is omitted.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 살펴보도록 한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일실시예에 따른 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치에 관하여 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A metal pattern processing apparatus using a laser according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4 as follows.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4(a)는 본 발명의 일실시예에 따른 빔 쉐이퍼의 사용 전, 후를 나타낸 도면이며, 도 4(b)는 본 발명의 일실시예에 따른 빔 슬릿의 사용 전, 후를 나타낸 도면이다.3 is a view schematically showing a metal pattern processing apparatus using a laser according to an embodiment of the present invention, Figure 4 (a) is a view showing before and after using a beam shaper according to an embodiment of the present invention. 4 (b) is a view showing before and after using a beam slit according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치는 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저 발진기(100), 광학계(200), 빔 형성기(300), 박막 형성기(400), CCD카메라(500) 및 기판(600)을 포함한다.Metal pattern processing apparatus using a laser according to an embodiment of the present invention, as shown in Figure 3, the laser oscillator 100, the optical system 200, the beam forming machine 300, the thin film forming machine 400, CCD camera ( 500 and the substrate 600.

레이저 발진기(100)는 레이저 빔을 발진시키는 기능을 하고, 레이저 스테빌라이저(stabilizer)(110)를 이용하여 레이저 펄스간(pulse to pulse) 레이저 출력을 안정시킨다.The laser oscillator 100 functions to oscillate the laser beam, and stabilizes the laser output between laser pulses using a laser stabilizer 110.

본 실시예에 따른 레이저 발진기(100)는 Nd:YAG 레이저를 사용하는데, 상기 Nd:YAG 레이저를 설명하면 다음과 같다.The laser oscillator 100 according to the present embodiment uses an Nd: YAG laser, which will be described below.

상기 Nd:YAG 레이저는 파장이 1064nm이고, 매질이 Nd-YAG이다. 이때, Nd-YAG에서 YAG는 이트븀 알루미늄 가넷이라는 물질로서, YAG에 네오디뮴(neodymium:Nd)을 도핑시킨 것이다. The Nd: YAG laser has a wavelength of 1064 nm and a medium of Nd-YAG. In this case, in Nd-YAG, YAG is a material called yttbium aluminum garnet, and is doped with neodymium (Nd) in YAG.

본 실시예에 따른 레이저 발진기(100)에 사용되는 광원을 Nd:YAG 레이저로 설정하였지만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아닌바, Nd:YLF 레이저, Nd:YVO4 레이저, 티타늄 사파이어 펨토초 레이저, CO2 레이저 등 다양한 종류의 레이저가 사용될 수 있다. Although the light source used in the laser oscillator 100 according to the present embodiment is set to Nd: YAG laser, the present invention is not limited thereto. For example, Nd: YLF laser, Nd: YVO4 laser, titanium sapphire femtosecond laser, CO2 laser, etc. Various kinds of lasers can be used.

또한 본 실시예에 따른 레이저 발진기(100)의 레이저 파장은 150nm 내지 380nm 사이가 바람직하고, 상기 레이저 발진기(100)의 반복도(repetition)는 1KHz 내지 10KHz 사이가 바람직하며, 상기 레이저 발진기(100)의 출력에너지는 1uJ 내지 1mJ 사이가 바람직하다.In addition, the laser wavelength of the laser oscillator 100 according to the present embodiment is preferably between 150nm and 380nm, the repetition of the laser oscillator 100 is preferably between 1KHz and 10KHz, the laser oscillator 100 The output energy of is preferably between 1uJ and 1mJ.

또한, 광학계(200)는 상기 레이저 빔을 투과하거나 또는 반사하는 기능을 수행한다. 이러한 기능을 수행하기 위한 광학계(200)는 제1 미러(210), 제2 미러(220), 대물렌즈(230) 및 제3 미러(240)를 포함한다.In addition, the optical system 200 transmits or reflects the laser beam. The optical system 200 for performing such a function includes a first mirror 210, a second mirror 220, an objective lens 230, and a third mirror 240.

제1 미러(210)는 레이저 발진기(100)에서 발진된 레이저 빔을 빔 형성기(300)로 반사시킨다. 이러한 제1 미러(210)는 레이저 발진기(100)의 위치와 빔 형성기(300)의 위치에 따라 사용되지 않을 수도 있고 2개 이상 사용될 수도 있다. The first mirror 210 reflects the laser beam oscillated by the laser oscillator 100 to the beam former 300. The first mirror 210 may not be used or two or more may be used depending on the position of the laser oscillator 100 and the position of the beam former 300.

또한 제2 미러(220)는 다이크로익 미러로서, 빔 형성기(300)를 통과한 레이저 빔을 대물렌즈(230)로 투과시키고, 기판(600)으로부터 반사되는 반사광을 제3 미러(240)로 반사시킨다.In addition, the second mirror 220 is a dichroic mirror and transmits a laser beam passing through the beam former 300 to the objective lens 230, and reflects the reflected light reflected from the substrate 600 to the third mirror 240. Reflect.

또한 대물렌즈(230)는 빔 형성기(300)로부터 제2 미러(220)를 통과한 레이저 빔을 집광하여 투과시킨다.In addition, the objective lens 230 collects and transmits a laser beam that has passed through the second mirror 220 from the beam former 300.

그리고 제3 미러(240)는 기판(600)으로부터 제2 미러(220)를 통해 받는 반사광을 반사시킨다.The third mirror 240 reflects the reflected light received from the substrate 600 through the second mirror 220.

또한, 빔 형성기(300)는 상기 레이저 빔을 가공하고자 하는 영역의 크기와 모양에 맞게 레이저 빔의 모양을 가공하는 기능을 수행한다. 이러한 기능을 수행하기 위한 빔 형성기(300)는 에너지 분포를 플랫탑(Flat Top, 위가 평평한 모양) 형식으로 변환시키는 빔 쉐이퍼(310), 빔의 크기를 조절하는 빔 슬릿(320) 및 미리 정해진 패턴으로 레이저 빔을 통과시키는 마스크(330)를 포함한다. In addition, the beam former 300 performs a function of processing the shape of the laser beam according to the size and shape of the area to be processed. The beam former 300 for performing this function includes a beam shaper 310 for converting an energy distribution into a flat top form, a beam slit 320 for adjusting a beam size, and a predetermined size. Mask 330 for passing the laser beam in a pattern.

빔 쉐이퍼(310)는 빔의 크기를 확대하는 빔 익스팬더(미도시)와 빔의 에너지 분포를 고르게 하는 호모젠아이저(미도시)를 포함한다.The beam shaper 310 includes a beam expander (not shown) that enlarges the size of the beam and a homogenizer (not shown) that evens the energy distribution of the beam.

그리고 마스크(330)를 통해 미리 정해진 패턴의 모양으로 레이저 빔이 조사된다. 예를 들어 가공 대상 영역이 'ㄱ'자 모양일 때는 마스크의 패턴을 'ㄱ'자 모양으로 하여 가공 대상에 따라 조사되는 빔의 패턴을 조절할 수 있다.Then, the laser beam is irradiated in the shape of a predetermined pattern through the mask 330. For example, when the region to be processed is '-' shaped, the pattern of the mask may be adjusted to '-' to adjust the pattern of the beam irradiated according to the processing target.

또한, 박막 형성기(400)는 박막을 형성하기 위한 금속기체를 수용하는 기능을 수행한다.In addition, the thin film former 400 performs a function of receiving a metal gas for forming a thin film.

또한, CCD카메라(500)는 기판(600)에 조사되는 레이저 빔을 관찰하는 기능을 수행한다.In addition, the CCD camera 500 performs a function of observing a laser beam irradiated onto the substrate 600.

그리고, 기판(600)은 도 3에 도시된 바와 같이, 스테이지(미도시)에 올려져 있고, 스테이지는 상하 방향을 Z축 방향으로 하여 X축 방향, Y축 방향, Z축 방향으로 이동 가능하게 되어 있다. The substrate 600 is mounted on a stage (not shown) as shown in FIG. 3, and the stage is movable in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction with the vertical direction being the Z-axis direction. It is.

상술한 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 발진기(100)에서 최초 발진된 빔은, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 가우시안 형태의 에너지 분포를 나타낸다. 즉, 중앙에 에너지가 집중되어 있다. 이러한 레이저 빔의 속성상, 종래에는 가공부위에 레이저를 스캔 방식으로 조사할 수밖에 없었고, 레이저 빔을 넓은 영역에 한꺼번에 블럭 형식으로 조사하는 것이 어려웠다. The beam initially oscillated in the laser oscillator 100 according to the embodiment of the present invention described above, as shown in FIG. 4 (a), exhibits a Gaussian energy distribution. In other words, energy is concentrated in the center. Due to the nature of such a laser beam, in the past, the laser beam was irradiated to the processed portion by a scanning method, and it was difficult to irradiate the laser beam in a block form at once in a large area.

그러나 본 발명의 일실시예에서는 빔 형성기(300)를 이용하여 레이저 빔의 모양 및 에너지 분포 곡선을 변환할 수 있다. 즉, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 가우시안 형태의 레이저 빔이 빔 형성기(300)를 통과하게 되면 에너지 분포가 고르게 변하고 조사 면적이 커지게 된다. However, in an embodiment of the present invention, the beam shaper 300 may convert the shape and energy distribution curve of the laser beam. That is, as shown in FIG. 4A, when the Gaussian type laser beam passes through the beam former 300, the energy distribution is changed evenly and the irradiation area is increased.

본 발명의 일실시예에 따른 빔 형성기(300)에 입사된 빔은 빔 익스팬더에 의해 확대되고, 호모젠아이저에 의해 빔의 에너지 분포가 고르게 되며, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 빔 슬릿(320)에 의해 조사되는 면적이 조절된다. The beam incident on the beam former 300 according to the embodiment of the present invention is enlarged by the beam expander, the energy distribution of the beam is uniformed by the homogenizer, and as shown in FIG. 4 (b), The area irradiated by the beam slit 320 is adjusted.

조사면적이 넓어지더라고 빔 쉐이퍼(310)에 의해 레이저 빔이 확대되고, 에너지 분포가 고르게 되기 때문에, 레이저의 출력만 높여 주면 가공하고자 하는 영역이 넓다고 하더라고 한꺼번에 블럭 형태로 레이저 빔을 조사하여 기판을 절단 또는 증착하는 것이 가능하다. Even though the irradiation area becomes wider, the laser beam is expanded by the beam shaper 310 and the energy distribution is even. Therefore, even if the laser output is increased, the area to be processed is wide, but the laser beam is irradiated in the form of a block at a time. It is possible to cut or deposit.

상기와 같이 블럭 형태로 레이저 빔을 조사하는 경우에는 제1 미러(210), 제2 미러(220) 및 대물렌즈(230)를 이동하지 않고 고정한 채로 레이저 빔을 조사하는 것이 가능하여 스캔 방식으로 조사하는 것보다 안정되게 레이저를 조사할 수 있다. In the case of irradiating the laser beam in the form of a block as described above, the laser beam can be irradiated with the first mirror 210, the second mirror 220, and the objective lens 230 fixed without moving. The laser can be irradiated more stably.

상기 빔 형성기(300)를 통과한 빔은 제2 미러(220)를 투과하여 대물렌즈(230)의 집광렌즈(미도시)에 의해 집광되어 박막 형성기(400)를 통과한 후, 가공 영역에 조사된다. 상기 박막 형성기(400)에 기체상태의 금속원료와 불활성기체가 혼합된 가스가 주입되어 있어, 레이저 빔이 조사될 때, 기판상에 금속박막을 형성 할 수 있다. 기판을 절단하는 경우, 이러한 박막 형성기(400)가 필요하지 않다.The beam passing through the beam former 300 passes through the second mirror 220, is focused by a condenser lens (not shown) of the objective lens 230, passes through the thin film former 400, and is then irradiated to the processing region. do. Since a gas in which a gaseous metal material and an inert gas are mixed is injected into the thin film former 400, a metal thin film may be formed on a substrate when a laser beam is irradiated. When cutting the substrate, such a thin film former 400 is not necessary.

기판(600)의 표면에서 반사된 반사광은 대물렌즈(230)에 재입사되어 제2 미러(220)에 의해 반사된다. 상기 제2 미러(220)에 의해 반사된 반사광은 다시 제3 미러(240)에 의해 반사되며, 필터(미도시), 결상렌즈(미도시), 및 릴레이즈(미도시)를 순차적으로 통과하여 CCD카메라(500)에 입사하게 된다. 상기 CCD카메라(500)에 의해 기판의 표면 상태를 관찰할 수 있고, 그 결과에 따라 레이저 빔의 모양 및 마스크의 패턴을 조절할 수 있다. The reflected light reflected from the surface of the substrate 600 is reincident to the objective lens 230 and reflected by the second mirror 220. The reflected light reflected by the second mirror 220 is reflected by the third mirror 240 again, and sequentially passes through a filter (not shown), an imaging lens (not shown), and relays (not shown). Incident on the CCD camera 500. The state of the surface of the substrate can be observed by the CCD camera 500, and the shape of the laser beam and the pattern of the mask can be adjusted according to the result.

한편, 본 발명의 일실시예에 따른 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치를 이용한 방법(이하, 금속패턴 가공 방법)에 대한 전체적인 흐름을 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the overall flow for the method (hereinafter, metal pattern processing method) using the metal pattern processing apparatus using a laser according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 금속패턴 가공 방법에 대한 전체적인 흐름도이다.5 is a general flowchart of a metal pattern processing method according to an embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 빔 형성기는 가공되는 부분의 크기와 모양에 맞도록 조사되는 레이저 빔의 모양을 가공한다(S2).As shown in FIG. 5, the beam former processes the shape of the laser beam irradiated to match the size and shape of the portion to be processed (S2).

상기 빔 형성기는 미리 정해진 패턴에 레이저 빔을 통과시킨다(S4). The beam former passes the laser beam through a predetermined pattern (S4).

상기 빔 형성기는 가공된 상기 레이저 빔을 가공되는 부분에 블럭 형태로 조사한다(S6).The beam former irradiates the processed laser beam in a block form on the processed portion (S6).

상기 빔 형성기는 정지 상태에서 일정한 대상 영역을 절단하거나 금속 박막을 증착하여 가공한다(S8).The beam former is processed by cutting a certain target region in a stationary state or depositing a metal thin film (S8).

다음으로, 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 빔 가공 단계에 대한 상세한 흐름을 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Next, a detailed flow of the laser beam processing step according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 6.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 빔 가공 단계에 대한 상세한 흐름도이다.6 is a detailed flowchart of a laser beam processing step according to an embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 빔 형성기는 가우시안 분포의 레이저 에너지 분포를 에너지 분포가 일정한 플랫 탑 형태로 레이저 빔의 모양을 1차 가공한다(S12).As shown in FIG. 6, the beam former primarily processes the laser energy distribution of the Gaussian distribution into a flat top shape with a constant energy distribution (S12).

상기 빔 형성기는 상기 1차 가공된 레이저 빔을 가공되는 부분의 크기에 맞도록 2차 가공한다(S14).The beam shaper secondly processes the primary processed laser beam to fit the size of the portion to be processed (S14).

이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.As described above and described with reference to a preferred embodiment for illustrating the technical idea of the present invention, the present invention is not limited to the configuration and operation as shown and described as described above, it is a deviation from the scope of the technical idea It will be understood by those skilled in the art that many modifications and variations can be made to the invention without departing from the scope of the invention. Accordingly, all such suitable changes and modifications and equivalents should be considered to be within the scope of the present invention.

도 1은 종래 기술에 따른 절단 및 증착을 나타낸 도면.1 shows cutting and deposition according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따라 단차가 발생하는 문제점을 나타낸 도면.2 is a view showing a problem that a step occurs according to the prior art.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치를 개략적으로 나타낸 도면.Figure 3 is a schematic view showing a metal pattern processing apparatus using a laser according to an embodiment of the present invention.

도 4(a)는 본 발명의 일실시예에 따른 빔 쉐이퍼의 사용 전, 후를 나타낸 도면.Figure 4 (a) is a view showing before and after using the beam shaper according to an embodiment of the present invention.

도 4(b)는 본 발명의 일실시예에 따른 빔 슬릿의 사용 전, 후를 나타낸 도면.Figure 4 (b) is a view showing before and after using the beam slit according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 금속패턴 가공 방법에 대한 전체적인 흐름도.5 is a general flow diagram for a metal pattern processing method according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 레이저 빔 가공 단계에 대한 상세한 흐름도.6 is a detailed flowchart of a laser beam processing step according to an embodiment of the present invention.

<도면 부호에 대한 설명><Description of Drawing>

100 : 레이저 발진기 110 : 레이저 스테빌라이저100: laser oscillator 110: laser stabilizer

210 : 제1 미러 220 : 제2 미러210: first mirror 220: second mirror

230 : 대물렌즈 240 : 제3 미러230: objective lens 240: third mirror

300 : 빔 형성기 310 : 빔 쉐이퍼300: beam former 310: beam shaper

320 : 빔 슬릿 330 : 마스크320: beam slit 330: mask

400 : 박막 형성기 500 : CCD카메라400: thin film forming machine 500: CCD camera

600 : 기판600: Substrate

Claims (14)

레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치에 있어서, In the metal pattern processing apparatus using a laser, 레이저 빔을 발진하는 레이저 발진기(100);A laser oscillator 100 for oscillating a laser beam; 발진된 상기 레이저 빔을 투과 또는 반사시키는 광학계(200);An optical system 200 for transmitting or reflecting the oscillated laser beam; 상기 레이저 빔이 조사되어 가공되는 기판(600); 및A substrate 600 on which the laser beam is irradiated and processed; And 상기 기판의 가공하고자 하는 영역의 크기 및 모양에 맞게 레이저 빔의 모양을 가공하는 빔 형성기(300); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.A beam former (300) for processing the shape of the laser beam according to the size and shape of the region to be processed on the substrate; Metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that it comprises a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저 발진기(100)는,The laser oscillator 100, 레이저 펄스간(pulse to pulse) 레이저 출력을 안정시키는 레이저 스테빌라이저(110); 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.A laser stabilizer 110 for stabilizing the laser output between pulses of pulses; Metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that it further comprises. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저 발진기(100)는,The laser oscillator 100, Nd:YAG 레이저, Nd:YLF 레이저, Nd:YVO4 레이저, 티타늄 사파이어 펨토초 레이저 및 CO2 레이저 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.A metal pattern processing apparatus using a laser, characterized by using any one of Nd: YAG laser, Nd: YLF laser, Nd: YVO4 laser, titanium sapphire femtosecond laser and CO2 laser. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저 발진기(100)의 레이저 파장은 150nm 내지 380nm 사이인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.The laser wavelength of the laser oscillator 100 is a metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that between 150nm to 380nm. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저 발진기(100)의 반복도(repetition)는 1KHz 내지 10KHz 사이인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.Repetition of the laser oscillator (100) is a metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that between 1KHz to 10KHz. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레이저 발진기(100)의 출력에너지는 1uJ 내지 1mJ 사이인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.The output energy of the laser oscillator 100 is a metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that between 1uJ to 1mJ. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광학계(200)는,The optical system 200, 상기 레이저 발진기(100)에서 발진된 레이저 빔을 상기 빔 형성기(300)로 반사하는 제1 미러(210);A first mirror 210 reflecting the laser beam oscillated by the laser oscillator 100 to the beam former 300; 상기 빔 형성기를 통과한 레이저 빔을 투과시키고 기판(600)으로부터 반사되는 반사광을 반사시키는 제2 미러(220); 및A second mirror 220 for transmitting the laser beam passing through the beam former and reflecting the reflected light reflected from the substrate 600; And 상기 제2 미러를 통과한 레이저 빔을 집광하여 투과시키는 대물렌즈(230); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.An objective lens 230 for condensing and transmitting the laser beam passing through the second mirror; Metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that it comprises a. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 광학계(200)는,The optical system 200, 상기 제2 미러(220)로부터 반사광을 받아 반사시키는 제3 미러(240); 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.A third mirror 240 which receives the reflected light from the second mirror 220 and reflects the reflected light; Metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that it further comprises. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판(600)상에 박막을 형성하기 위한 금속기체를 수용하고 있는 박막 형성기(400); 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.A thin film former 400 for receiving a metal gas for forming a thin film on the substrate 600; Metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that it further comprises. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판(600)에 조사되는 레이저 빔을 관찰하기 위한 CCD카메라(500); 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.A CCD camera 500 for observing a laser beam irradiated onto the substrate 600; Metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that it further comprises. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 빔 형성기(300)는,The beam former 300, 레이저 빔의 에너지 분포를 플랫탑 형식으로 변환시키는 빔 쉐이퍼(310);A beam shaper 310 for converting an energy distribution of the laser beam into a flat top format; 상기 레이저 빔의 크기를 조절하는 빔 슬릿(320); 및A beam slit 320 for adjusting the size of the laser beam; And 상기 레이저 빔을 미리 정해진 패턴으로 통과시키는 마스크(330); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.A mask 330 for passing the laser beam in a predetermined pattern; Metal pattern processing apparatus using a laser, characterized in that it comprises a. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 빔 쉐이퍼(310)는,The beam shaper 310, 상기 레이저 빔의 크기를 확대하는 빔 익스팬더 및 상기 레이저 빔의 에너지 분포를 고르게 하는 호모젠아이저를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저를 이용한 금속패턴 가공 장치.And a beam expander for enlarging the size of the laser beam and a homogenizer for equalizing the energy distribution of the laser beam. 금속패턴 가공 방법에 있어서, In the metal pattern processing method, (a) 빔 형성기가 가공되는 부분의 크기와 모양에 맞도록 조사되는 레이저 빔의 모양을 가공하는 단계;(a) processing the shape of the laser beam to be irradiated to match the size and shape of the portion to be processed by the beam former; (b) 상기 빔 형성기가 미리 정해진 패턴으로 레이저 빔을 통과시키는 단계; (b) the beam former passing the laser beam in a predetermined pattern; (c) 상기 빔 형성기가 가공된 상기 레이저 빔을 가공되는 부분에 블럭 형태로 조사하는 단계; 및(c) irradiating the processed laser beam in a block form on the processed portion; And (d) 상기 빔 형성기가 정지 상태에서 일정한 대상 영역을 절단하거나 또는 금속 박막을 증착하여 가공하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속패턴 가공 방법.(d) the beam shaper cutting a constant target area in a stationary state or processing by depositing a metal thin film; Metal pattern processing method comprising a. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 (a) 단계는,Step (a) is, (a-1) 상기 빔 형성기가 가우시안 분포의 레이저 에너지 분포를 에너지 분포가 일정한 플랫 탑 형태로 레이저 빔의 모양을 1차 가공하는 단계; 및(a-1) the beam shaper processing the laser energy distribution of the Gaussian distribution into a flat top shape with a constant energy distribution; And (a-2) 상기 빔 형성기가 상기 1차 가공된 레이저 빔을 가공되는 부분의 크기에 맞도록 2차 가공하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속패턴 가공 방법.(a-2) secondary processing of the beam former to match the size of the portion to be processed; Metal pattern processing method comprising a.
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