KR101361205B1

KR101361205B1 - Laser processing apparatus

Info

Publication number: KR101361205B1
Application number: KR1020110138700A
Authority: KR
Inventors: 심형기; 이기웅; 나옥균; 최동규
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사; 에이피시스템 주식회사
Priority date: 2011-12-20
Filing date: 2011-12-20
Publication date: 2014-03-12
Also published as: JP2013131752A; KR20130071289A; TWI524426B; JP5555307B2; CN103406664A; CN103406664B; TW201334076A

Abstract

본 발명은 레이저 가공장치에 관한 것으로서, 특히, 기판 중에서 레이저 가공이 요구되는 부분에만 선택적으로 레이저 가공이 진행될 수 있는 레이저 가공장치에 관한 것이다.
본 발명은, 레이저빔을 조사하는 레이저발생부와, 기판이 안착되는 반응챔버와, 레이저발생부로부터 조사되는 레이저빔을 반응챔버 내부로 전달하는 광학부와, 레이저발생부로부터 조사되는 레이저빔을 차단하는 차단부를 포함하는 레이저 가공장치를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly, to a laser processing apparatus in which laser processing can be selectively performed only on a portion of the substrate where laser processing is required.
The present invention provides a laser generation unit for irradiating a laser beam, a reaction chamber on which a substrate is seated, an optical unit for transferring a laser beam irradiated from the laser generation unit, and a laser beam irradiated from the laser generation unit. It provides a laser processing apparatus including a blocking portion for blocking.

Description

[0001] LASER PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명은 레이저 가공장치에 관한 것으로서, 특히, 기판 중에서 레이저 가공이 요구되는 부분에만 선택적으로 레이저 가공이 진행될 수 있는 레이저 가공장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus, and more particularly, to a laser processing apparatus in which laser processing can be selectively performed only on a portion of the substrate where laser processing is required.

반도체, FPD, 및 태양광 소자 등을 제조할 때에 고온에서 박막을 증착하면 열화학반응에 의해 반응로가 오염되거나 원하지 않는 화합물 생성되는 등 많은 문제가 발생한다.In manufacturing semiconductors, FPDs, photovoltaic devices, and the like, deposition of thin films at high temperatures causes many problems, such as contamination of reactors or generation of unwanted compounds.

따라서 낮은 온도에서 박막을 증착하기 위하여 레이저 여기 플라즈마 화학기상증착 등이 사용되고 있다.Therefore, laser-excited plasma chemical vapor deposition is used to deposit thin films at low temperatures.

한편, 기판이 대형화됨에 따라 박막 증착 후 어닐링(annealing)을 할 때 균일성을 확보하기 힘들어 여러 가지 대안들이 제시되고 있으며 그 중에 하나가 레이저를 이용한 어닐링 방법이다.On the other hand, as the substrate becomes larger, it is difficult to secure uniformity when annealing (annealing) after thin film deposition, and various alternatives have been proposed, and one of them is an annealing method using a laser.

반응챔버에는 반응가스 유출입구가 마련되며 상단에는 석영창이 설치된다. 석영창의 위쪽에는 레이저 장치가 설치되며, 레이저 장치에서 조사되는 레이저 빔은 석영창을 통과하여 반응챔버 내의 기판에 도달한다.A reaction gas outlet is provided in the reaction chamber, and a quartz window is installed at the top. A laser device is installed above the quartz window, and the laser beam irradiated from the laser device passes through the quartz window to reach the substrate in the reaction chamber.

레이저빔은 커튼형태로 기판에 대해 수직하게 또는 약간의 기울기가 있는 상태로 조사된다.The laser beam is irradiated in the form of a curtain perpendicular to the substrate or with a slight inclination.

기판은 레이저빔의 면에 대해서 일측 방향으로 수평 이동함으로써 기판의 전면에 레이저빔의 조사가 이루어진다.
The substrate is horizontally moved in one direction with respect to the surface of the laser beam, thereby irradiating the laser beam to the entire surface of the substrate.

본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 10-2010-0138509호(2010년 12월 31일 공개, 발명의 명칭 : 에너지 빔의 길이 및 강도 조절이 가능한 레이저 가공 장치)에 개시되어 있다.
Background art of the present invention is disclosed in Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0138509 (published December 31, 2010, the name of the invention: laser processing apparatus capable of adjusting the length and intensity of the energy beam).

일반적인 레이저 가공장치는 기판 전체에 레이저빔을 조사하여 레이저 가공을 행하기 때문에 기판 중에 가공이 요구되지 않는 부분까지도 레이저빔이 조사되어 레이저 가공공정에 소요되는 시간을 줄이기 어려운 문제점이 있다.In general, a laser processing apparatus performs laser processing by irradiating a laser beam over the entire substrate, and thus a laser beam is irradiated even to a portion where processing is not required in the substrate, thereby reducing the time required for the laser processing process.

따라서 이를 개선할 필요성이 요청된다.Therefore, there is a need for improvement.

본 발명은 기판 중에서 레이저 가공이 요구되는 부분에만 선택적으로 레이저 가공이 진행될 수 있는 레이저 가공장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus in which laser processing may be selectively performed only on a portion of the substrate that requires laser processing.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 레이저빔을 조사하는 레이저발생부; 기판이 안착되는 반응챔버; 상기 레이저발생부로부터 조사되는 레이저빔을 상기 반응챔버 내부로 전달하는 광학부; 및 상기 레이저발생부로부터 조사되는 레이저빔을 차단하는 차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the laser generating unit for irradiating a laser beam; A reaction chamber on which the substrate is seated; An optical unit transferring a laser beam radiated from the laser generating unit into the reaction chamber; And it provides a laser processing apparatus comprising a blocker for blocking the laser beam irradiated from the laser generating unit.

또한, 상기 차단부는, 상기 레이저발생부의 배출구에 설치되고 레이저빔이 통과되는 유입구 및 토출구를 구비하는 케이스; 상기 유입구와 상기 토출구 사이에 설치되고 레이저빔을 반사시켜 레이저빔이 상기 토출구 통해 조사되는 것을 방지하는 제1차단부; 및 상기 제1차단부에 의해 반사되는 레이저빔의 강도를 측정하는 파워미터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The blocking unit may include a case installed at an outlet of the laser generation unit and having an inlet and an outlet through which a laser beam passes; A first blocking part disposed between the inlet port and the discharge port and reflecting the laser beam to prevent the laser beam from being irradiated through the discharge port; And a power meter for measuring the intensity of the laser beam reflected by the first blocking unit.

또한, 상기 제1차단부는, 상기 유입구와 상기 토출구 사이에 설치되는 제1반사판; 상기 제1반사판을 지지하고 상기 케이스에 회전 가능하게 설치되는 제1회전축; 및 상기 제1회전축에 동력을 제공하는 제1모터를 포함하는 것을 특징으로 한다.The first blocking unit may further include: a first reflecting plate installed between the inlet and the outlet; A first rotating shaft supporting the first reflecting plate and rotatably installed in the case; And a first motor providing power to the first rotation shaft.

또한, 상기 차단부는, 상기 제1차단부에 의해 반사되는 레이저빔을 반사시키는 제2차단부; 및 상기 제2차단부로부터 반사된느 레이저빔을 상쇄시키는 빔덤프를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The blocking unit may further include: a second blocking unit reflecting the laser beam reflected by the first blocking unit; And a beam dump canceling the laser beam reflected from the second blocking portion.

또한, 상기 제2차단부는, 상기 제1반사판과 상기 파워미터 사이에 설치되는 제2반사판; 상기 제2반사판을 지지하고 상기 케이스에 회전 가능하게 설치되는 제2회전축; 및 상기 제2회전축에 동력을 제공하는 제2모터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The second blocking unit may further include: a second reflecting plate installed between the first reflecting plate and the power meter; A second rotating shaft supporting the second reflecting plate and rotatably installed in the case; And a second motor providing power to the second rotation shaft.

본 발명에 따른 레이저 가공장치는 기판 중에 레이저 가공이 요구되는 부분에만 레이저빔을 조사할 수 있으므로 레이저빔을 조사하는 작업시간이 단축되어 레이저 가공에 소요되는 시간 및 비용을 절감할 수 있고, 정확한 위치에 결정화를 행할 수 있는 이점이 있다.
Since the laser processing apparatus according to the present invention can irradiate a laser beam only to a portion of the substrate that requires laser processing, the working time for irradiating the laser beam can be shortened, thereby reducing the time and cost required for laser processing, and accurate positioning. There is an advantage that can be crystallized.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치가 도시된 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 반응챔버 및 표시부가 도시된 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치에 의해 기준점이 생성된 기판의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 표시부가 도시된 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 제거부가 도시된 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 차단부가 도시된 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 레이저 검사상태가 도시된 사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 차단부 작동 상태가 도시된 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 스테이지가 도시된 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치가 도시된 블록도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 제어방법이 도시된 순서도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 산소배출방법이 도시된 순서도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 진동감지방법이 도시된 순서도이다.1 is a perspective view showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a configuration diagram illustrating a reaction chamber and a display unit of a laser processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
3 is a plan view of a substrate on which a reference point is generated by a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view showing a display of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a perspective view of the removal portion of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a perspective view showing a blocking portion of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
7 is a perspective view showing a laser inspection state of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a perspective view showing an operation state of the blocking unit of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is a plan view showing a stage of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
10 is a block diagram showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
11 is a flowchart illustrating a control method of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
12 is a flow chart showing an oxygen discharge method of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
13 is a flowchart illustrating a vibration sensing method of the laser processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 레이저 가공장치 및 그 제어방법의 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of a laser processing apparatus and a control method according to the present invention.

이러한 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.In this process, the thicknesses of the lines and the sizes of the components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of explanation.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다.In addition, the terms described below are terms defined in consideration of the functions of the present invention, which may vary depending on the intention or custom of the user, the operator.

그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout this specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치가 도시된 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 반응챔버 및 표시부가 도시된 구성도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치에 의해 기준점이 생성된 기판의 평면도이다.1 is a perspective view showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a block diagram showing the reaction chamber and the display of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 3 A plan view of a substrate on which a reference point is generated by a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

또한, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 표시부가 도시된 사시도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 제거부가 도시된 사시도이다.In addition, Figure 4 is a perspective view showing a display portion of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a perspective view showing a removal portion of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치는, 기판(100)이 안착되는 스테이지(12)를 구비하는 반응챔버(10)와, 반응챔버(10)에 구비되고 기판(100)에 기준점(102)을 성형하는 표시부(20)와, 기판(100)의 위치 또는 기준점(102)의 위치를 감지하는 센싱부(26)와, 기판(100)이 안착되는 스테이지(12)를 이동시키는 구동부(14)와, 레이저빔을 조사하는 레이저발생부(50)와, 레이저발생부(50)로부터 조사되는 레이저빔을 반응챔버(10) 내부로 전달하는 광학부(70)와, 레이저발생부(50)로부터 조사되는 레이저빔을 차단하는 차단부(51)와, 스테이지(12)에 구비되고 기판(100)과 스테이지(12) 사이의 산소를 반응챔버(10) 외부로 배출하는 진공부(30)와, 반응챔버(10), 레이저발생부(50), 광학부(70) 또는 스테이지(12)의 진동을 감지하는 진동감지부(80)와, 센싱부(26)로부터 송신되는 위치신호에 따라 표시부(20) 또는 구동부(14)에 작동신호를 송신하고, 스테이지(12)에 기판(100)이 안착되면 스테이지(12)의 중앙부(12a)로부터 외측 방향으로 단계적인 산소배출작업이 진행되도록 진공부(30)에 작동신호를 송신하고, 진동감지부(80)로부터 송신되는 진동신호에 따라 차단부(51)의 작동여부를 판단하는 제어부(90)를 포함한다.1 to 5, a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a reaction chamber 10 having a stage 12 on which a substrate 100 is seated, and a reaction chamber 10. And a display unit 20 for forming a reference point 102 on the substrate 100, a sensing unit 26 for detecting a position of the substrate 100 or a position of the reference point 102, and a stage on which the substrate 100 is seated. The driving unit 14 for moving the 12, the laser generating unit 50 for irradiating the laser beam, and the optical unit 70 for transmitting the laser beam irradiated from the laser generating unit 50 into the reaction chamber 10. ), A blocking unit 51 for blocking the laser beam irradiated from the laser generating unit 50, and oxygen provided on the stage 12 to absorb oxygen between the substrate 100 and the stage 12 outside the reaction chamber 10. A vibration sensing unit 80 for sensing a vibration of the vacuum unit 30, the reaction chamber 10, the laser generating unit 50, the optical unit 70, or the stage 12, and the sensing unit ( The operation signal is transmitted to the display unit 20 or the driving unit 14 in accordance with the position signal transmitted from 26, and when the substrate 100 is seated on the stage 12, it moves outward from the central portion 12a of the stage 12. The control unit 90 transmits an operation signal to the vacuum unit 30 so that the stepped oxygen discharge operation is performed, and determines whether the cutoff unit 51 is operated according to the vibration signal transmitted from the vibration detection unit 80. do.

반응챔버(10) 내부에 기판(100)이 수납되면 센싱부(26)의 작동에 의해 기판(100)의 위치가 감지되어 제어부(90)에 위치신호를 송신하게 되고, 제어부(90)에서 송신되는 작동신호에 따라 구동부(14)가 구동되어 기판(100) 내부의 목표위치가 표시부(20)에 대향되도록 기판(100)이 이동된다.When the substrate 100 is accommodated in the reaction chamber 10, the position of the substrate 100 is detected by the operation of the sensing unit 26 to transmit a position signal to the control unit 90, and the control unit 90 transmits the position signal. The driving unit 14 is driven in response to the operation signal, and the substrate 100 is moved so that the target position inside the substrate 100 faces the display unit 20.

기판(100) 내부의 목표위치가 표시부(20)에 대향되도록 이동되면 표시부(20)의 작동에 의해 기판(100) 내부의 목표위치에 기준점(102)이 가공된다.When the target position inside the substrate 100 is moved to face the display unit 20, the reference point 102 is processed at the target position inside the substrate 100 by the operation of the display unit 20.

기준점(102)이 가공된 후에는 센싱부(26)의 작동에 의해 송신되는 기준점(102)의 위치로부터 레이저 가공이 이루어지는 가공위치(106)까지의 거리 및 방향을 계산하여 가공위치(106)를 판단하게 된다.After the reference point 102 has been processed, the machining position 106 is calculated by calculating the distance and direction from the position of the reference point 102 transmitted by the operation of the sensing unit 26 to the machining position 106 where laser processing is performed. You will be judged.

기판(100)의 가공위치(106)가 반응챔버(10) 내부로 조사되는 레이저빔과 대향되도록 구동부(14)가 작동되어 기판(100)을 이동시키게 된다.The driving unit 14 is operated to move the substrate 100 so that the machining position 106 of the substrate 100 faces the laser beam irradiated into the reaction chamber 10.

이후에, 레이저발생부(50)로부터 레이저빔이 공급되면 광학부(70)를 따라 반사되면서 반응챔버(10) 측으로 레이저빔이 공급되고, 반응챔버(10) 상면에 설치되는 석영창을 통해 레이저빔이 반응챔버(10) 내부로 공급된다.Subsequently, when the laser beam is supplied from the laser generating unit 50, the laser beam is supplied to the reaction chamber 10 while being reflected along the optical unit 70, and the laser is provided through the quartz window installed on the reaction chamber 10. The beam is supplied into the reaction chamber 10.

이때, 반응챔버(10) 내부에 설치되는 스테이지(12)의 상면에는 기판(100)이 안착되므로 반응챔버(10) 내부로 공급되는 레이저빔에 의해 기판(100)의 가공위치(106)에 레이저 가공이 이루어지게 된다.At this time, since the substrate 100 is seated on the upper surface of the stage 12 installed inside the reaction chamber 10, the laser beam is applied to the processing position 106 of the substrate 100 by a laser beam supplied into the reaction chamber 10. Processing is done.

표시부(20)는, 반응챔버(10) 내부에 설치되고 기판(100)에 레이저빔을 조사하는 가공부(22)와, 가공부(22)에 의해 기준점(102)이 가공되면서 발생되는 이물질을 흡입하여 반응챔버(10) 외부로 배출하는 제거부(24)를 포함한다.The display unit 20 is provided inside the reaction chamber 10 to process the processing unit 22 for irradiating a laser beam to the substrate 100 and the foreign matter generated while the reference point 102 is processed by the processing unit 22. And a removal unit 24 for inhaling and discharging the reaction chamber 10 to the outside.

가공부(22)는 반응챔버(10) 내부에 설치되므로 기판(100)에 기준점(102)을 가공하는 작업을 별도로 진행하지 않고, 반응챔버(10) 내부에 기판(100)을 수납한 후에 레이저 가공이 진행되기 전에 기준점(102)을 가공할 수 있게 된다.Since the processing unit 22 is installed inside the reaction chamber 10, the laser processing unit 22 stores the substrate 100 in the reaction chamber 10 without separately performing a process of processing the reference point 102 on the substrate 100. It is possible to process the reference point 102 before the machining proceeds.

기준점(102)을 가공할 때에는 가공부(22)에서 공급되는 레이저빔이 기판(100)에 조사되면서 이루어지고, 기준점(102) 가공작업이 진행되는 동안에 기판(100)에서 발생되는 이물질은 제거부(24)에 의해 흡입되어 반응챔버(10) 외부로 배출된다.When processing the reference point 102 is made while the laser beam supplied from the processing unit 22 is irradiated to the substrate 100, foreign matter generated from the substrate 100 during the processing of the reference point 102 is removed portion It is sucked by 24 and discharged outside the reaction chamber 10.

제거부(24)는 가공부(22)를 감싸도록 'C' 모양의 곡선을 이루는 곡선부(24a)와, 곡선부(24a)에 형성되어 이물질을 흡입할 수 있도록 하는 진공홀(24b)을 포함한다.The removal unit 24 includes a curved portion 24a forming a 'C' shaped curve to surround the processing portion 22 and a vacuum hole 24b formed in the curved portion 24a to suck foreign matter. Include.

곡선부(24a)는 평면 형상이 'C' 모양으로 형성되고 제거부(24)를 이루는 블록의 하단부에 형성되며, 가공부(22)에서 레이저빔이 조사되는 부위를 감싸도록 배치된다.The curved portion 24a is formed at the lower end of the block forming a planar shape with a 'C' shape and forming the removal portion 24, and is disposed to surround a portion to which the laser beam is irradiated from the processing portion 22.

곡선부(24a)의 내벽에 다수 개의 진공홀(24b)이 형성되고, 진공홀(24b)은 진공을 이루는 펌프에 연결되므로 가공부(22)로부터 조사되는 레이저빔은 곡선부(24a)를 지나 기판(100)에 조사되어 기준점(102)을 가공하게 된다.A plurality of vacuum holes 24b are formed on the inner wall of the curved portion 24a, and the vacuum holes 24b are connected to a pump forming a vacuum, so that the laser beam irradiated from the processing portion 22 passes through the curved portion 24a. The substrate 100 is irradiated to process the reference point 102.

이때, 기판(100)으로부터 발생되는 이물질은 진공홀(24b)을 통해 흡입된 후에 제거부(24) 내부에 형성되는 유로를 따라 반응챔버(10) 외부로 배출된다.At this time, the foreign matter generated from the substrate 100 is sucked through the vacuum hole 24b and then discharged to the outside of the reaction chamber 10 along a flow path formed in the removal unit 24.

진공홀(24b)로부터 반응챔버(10) 외측으로 연장되는 유로 및 가공부(22)는 본 발명의 기술구성을 인지한 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 것이므로 구체적인 도면이나 설명은 생략하기로 한다.The flow path and the processing unit 22 extending from the vacuum hole 24b to the outside of the reaction chamber 10 can be easily implemented by those skilled in the art who have recognized the technical configuration of the present invention, and thus detailed drawings and descriptions thereof will be omitted.

센싱부(26)는, 기판(100)의 모서리 위치를 감지하는 제1센서(26a)와, 기준점(102)의 위치를 감지하는 제2센서(26b)와, 반응챔버(10) 내부로 조사되는 레이저빔의 위치를 감지하는 제3센서(26c)를 포함한다.The sensing unit 26 irradiates the first sensor 26a that detects the corner position of the substrate 100, the second sensor 26b that senses the position of the reference point 102, and the reaction chamber 10. And a third sensor 26c for detecting the position of the laser beam.

기판(100)이 반응챔버(10) 내부로 수납되어 스테이지(12) 상면에 안착되면 다수 개의 제1센서(26a)가 기판(100)의 모서리를 감지하여 위치신호를 송신하므로 제어부(90)에서 기판(100)의 위치를 판단하게 된다.When the substrate 100 is accommodated in the reaction chamber 10 and seated on the upper surface of the stage 12, the plurality of first sensors 26a detect the edges of the substrate 100 and transmit a position signal. The position of the substrate 100 is determined.

기판(100)의 위치가 설정위치와 이격되면 제어부(90)에서 송신되는 구동신호에 따라 구동부(14)가 구동되어 기판(100)의 위치를 이동시킨다.When the position of the substrate 100 is spaced apart from the set position, the driving unit 14 is driven according to a driving signal transmitted from the controller 90 to move the position of the substrate 100.

따라서 기판(100) 내부의 목표위치가 표시부(20)에 대향되도록 기판(100)이 설정위치에 배치되고, 가공부(22)로부터 레이저빔이 목표위치에 조사되어 기준점(102)을 가공하게 된다.Accordingly, the substrate 100 is disposed at the set position such that the target position inside the substrate 100 faces the display unit 20, and the laser beam is irradiated from the processing unit 22 to the target position to process the reference point 102. .

기준점(102)의 가공이 완료되면 제2센서(26b)에 의해 기준점(102)의 위치가 감지되어 위치신호가 제어부(90)에 송신되고, 제어부(90)에서 기준점(102)을 중심으로 하여 가공위치(106)를 계산하게 된다.When the processing of the reference point 102 is completed, the position of the reference point 102 is sensed by the second sensor 26b, and a position signal is transmitted to the control unit 90, and the control unit 90 has the reference point 102 as the center. The machining position 106 is calculated.

제3센서(26c)는 광학부(70)를 통해 반응챔버(10) 내부로 조사되는 레이저빔의 위치를 감지하므로 레이저 가공이 개시되는 초기에 레이저빔이 조사되는 위치와 기판(100)의 가공위치(106)가 대향되도록 레이저빔의 위치를 제어할 수 있도록 한다.
Since the third sensor 26c detects the position of the laser beam irradiated into the reaction chamber 10 through the optical unit 70, the position at which the laser beam is irradiated at the initial stage of laser processing and the processing of the substrate 100. It is possible to control the position of the laser beam such that the position 106 is opposite.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 차단부가 도시된 사시도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 레이저 검사상태가 도시된 사시도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 차단부 작동 상태가 도시된 사시도이다.6 is a perspective view showing a cutoff portion of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 7 is a perspective view showing a laser inspection state of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 8 The perspective view of the operation state of the blocking unit of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 스테이지가 도시된 평면도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치가 도시된 블록도이다.9 is a plan view showing a stage of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 10 is a block diagram showing a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1, 도 6 내지 도 10을 참조하면, 진공부(30)는, 스테이지(12)에 구비되는 복수 개의 진공홀부(32)와, 진공홀부(32)에 연결되고 반응챔버(10) 외부로 산소를 배출하는 진공펌프(34)를 포함한다.1 and 6 to 10, the vacuum unit 30 is connected to the plurality of vacuum hole units 32 and the vacuum hole units 32 provided in the stage 12 and to the outside of the reaction chamber 10. It includes a vacuum pump 34 for discharging oxygen.

센싱부(26)에 의해 기판(100)의 위치가 감지되고, 구동부(14)에 의해 기판(100) 내부의 목표위치가 표시부(20)에 대향되게 배치된 후에는 진공펌프(34)가 작동되어 기판(100)과 스테이지(12) 사이에 잔존하는 산소가 진공홀부(32)를 통해 흡입되어 반응챔버(10) 외부로 배출된다.The position of the substrate 100 is sensed by the sensing unit 26, and the vacuum pump 34 operates after the target position inside the substrate 100 is disposed to face the display unit 20 by the driver 14. Accordingly, oxygen remaining between the substrate 100 and the stage 12 is sucked through the vacuum hole part 32 and discharged to the outside of the reaction chamber 10.

따라서 기판(100)과 스테이지(12) 사이에 산소가 잔존하는 것을 방지할 수 있고, 레이저 가공이 진행될 때에 기판(100)에 이물질이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.Therefore, it is possible to prevent oxygen from remaining between the substrate 100 and the stage 12 and to prevent foreign matter from being generated in the substrate 100 when the laser processing is performed.

스테이지(12)는, 스테이지(12)의 중앙을 가로지르도록 배치되어 스테이지(12)를 대칭되는 두 개의 구역으로 분할하는 중앙부(12a)와, 중앙부(12a)에 인접한 제1측부(12b)와, 제1측부(12b)의 외측에 인접한 제2측부(12c)와, 제2측부(12c)의 외측에 인접한 제3측부(12d)와, 제2측부(12c)를 가로지르도록 배치되는 복수 개의 교차부(12e)를 포함한다.The stage 12 includes a central portion 12a arranged to cross the center of the stage 12 and dividing the stage 12 into two symmetrical zones, a first side portion 12b adjacent to the central portion 12a; And a plurality of second side portions 12c adjacent to the outer side of the first side portion 12b, a third side portion 12d adjacent to the outer side of the second side portion 12c, and a plurality of the second side portions 12c disposed to intersect. Intersecting portions 12e.

기판(100)과 스테이지(12) 사이에서 산소를 배출할 때에는 기판(100)의 중앙부(12a)로부터 산소를 배출하기 시작하여 외측 방향으로 단계적인 배출작업이 진행되어야 기판(100)의 중앙부(12a)에 산소가 잔존하는 것을 방지할 수 있게 된다.When oxygen is discharged between the substrate 100 and the stage 12, oxygen is discharged from the central portion 12a of the substrate 100 and a stepwise discharge operation is performed in the outward direction so that the central portion 12a of the substrate 100 is discharged. It is possible to prevent the oxygen from remaining in).

따라서 스테이지(12)의 상면을 상기한 바와 같이 중앙부(12a), 제1측부(12b), 제2측부(12c), 제3측부(12d) 및 교차부(12e)로 분할하고, 각각의 구역으로부터 반응챔버(10) 외측으로 연장되는 배기라인을 설치한다.Therefore, the upper surface of the stage 12 is divided into a center portion 12a, a first side portion 12b, a second side portion 12c, a third side portion 12d and an intersection portion 12e as described above, and each zone An exhaust line extending from the reaction chamber 10 to the outside is provided.

진공홀부(32)는, 중앙부(12a) 내부에 형성되는 제1진공홀부(32a)와, 제1측부(12b) 내부에 형성되는 제2진공홀부(32b)와, 제2측부(12c) 내부에 형성되는 제3진공홀부(32c)와, 제3측부(12d) 내부에 형성되는 제4진공홀부(32d)와, 교차부(12e) 내부에 형성되는 제5진공홀부(32e)를 포함한다.The vacuum hole portion 32 includes a first vacuum hole portion 32a formed inside the central portion 12a, a second vacuum hole portion 32b formed inside the first side portion 12b, and a second side portion 12c. And a third vacuum hole portion 32c formed in the second portion, a fourth vacuum hole portion 32d formed in the third side portion 12d, and a fifth vacuum hole portion 32e formed in the intersection portion 12e. .

기판(100) 내부의 목표위치가 표시부(20)에 대향되도록 기판(100)이 정확한 위치에 안착되면 스테이지(12)의 중앙부(12a)에 형성되는 제1진공홀부(32a)에 연결되는 제1진공펌프(34a)가 구동되어 기판(100) 중앙부(12a)로부터 산소가 배출된다.When the substrate 100 is seated at the correct position so that the target position inside the substrate 100 is opposite to the display unit 20, the first vacuum hole portion 32a connected to the first vacuum hole portion 32a formed at the center portion 12a of the stage 12 is provided. The vacuum pump 34a is driven to discharge oxygen from the central portion 12a of the substrate 100.

이후에, 제2진공펌프(34b), 제3진공펌프(34c), 제4진공펌프(34d) 및 제5진공펌프(34e)가 단계적으로 구동되어 제1측부(12b), 제2측부(12c), 제3측부(12d) 및 교차부(12e)에서 단계적으로 산소가 배출되어 기판(100)과 스테이지(12) 사이에 산소가 잔존하는 것을 방지하게 된다.Thereafter, the second vacuum pump 34b, the third vacuum pump 34c, the fourth vacuum pump 34d, and the fifth vacuum pump 34e are driven stepwise so that the first side part 12b and the second side part ( 12c), the oxygen is discharged step by step at the third side portion 12d and the intersection portion 12e to prevent the oxygen remaining between the substrate 100 and the stage 12.

교차부(12e)는 제2측부(12c)를 가로지르도록 형성되는 구역이며, 다수 개가 간격을 유지하며 배치된다.The intersection portion 12e is a zone formed to cross the second side portion 12c, and a plurality of them are arranged at intervals.

대형의 기판(100)이 스테이지(12)에 안착될 때에는 중앙부(12a)로부터 외측 방향으로 단계적인 산소배출을 행하여도 중앙부(12a)와 제3측부(12d) 사이에 산소가 잔존할 수 있다.When the large substrate 100 is seated on the stage 12, oxygen may remain between the center portion 12a and the third side portion 12d even when stepped oxygen is discharged outward from the center portion 12a.

따라서 중앙부(12a)로부터 측 방향으로 단계적인 산소배출을 행한 후에 제2측부(12c)를 가로지는 교차부(12e)에서 재차 산소배출을 행하여 대형의 기판(100)과 스테이지(12) 사이에 산소가 잔존하는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.Therefore, after oxygen is phased out from the central portion 12a in the lateral direction, oxygen is again discharged at the intersection portion 12e crossing the second side portion 12c, and the oxygen is separated between the large substrate 100 and the stage 12. Can be effectively prevented from remaining.

차단부(51)는, 레이저발생부(50)의 배출구에 설치되고 레이저빔이 통과되는 유입구(52a) 및 토출구(52b)를 구비하는 케이스(52)와, 유입구(52a)와 토출구(52b) 사이에 설치되고 레이저빔을 반사시켜 레이저빔이 토출구(52b) 통해 조사되는 것을 방지하는 제1차단부(54)와, 제1차단부(54)에 의해 반사되는 레이저빔의 강도를 측정하는 파워미터(58)를 포함한다.The blocking unit 51 is provided at the outlet of the laser generating unit 50 and has a case 52 having an inlet 52a and an outlet 52b through which the laser beam passes, and an inlet 52a and an outlet 52b. A power interposed between the first blocking portion 54 and the laser beam reflected by the first blocking portion 54 to prevent the laser beam from being irradiated through the discharge port 52b. Meter 58.

기판(100)이 스테이지(12)에 안착된 후에 레이저발생부(50)로부터 레이저빔이 조사되면 유입구(52a)를 통해 케이스(52) 내부로 유입된 후에 토출구(52b)를 지나 광학부(70) 측으로 조사된다.When the laser beam is irradiated from the laser generating unit 50 after the substrate 100 is seated on the stage 12, it is introduced into the case 52 through the inlet port 52a, and then passes through the discharge port 52b to the optical unit 70. ) Is investigated.

광학부(70) 내부로 조사되는 레이저빔은 다수 개의 렌즈를 통과한 후에 반응챔버(10) 측으로 굴절 또는 반사되어 스테이지(12)에 안착된 기판(100)에 조사된다.The laser beam irradiated into the optical unit 70 passes through a plurality of lenses and then is refracted or reflected toward the reaction chamber 10 and irradiated onto the substrate 100 seated on the stage 12.

본 실시예는 차단부(51)의 작동에 의해 레이저빔의 선택적으로 차단되므로 레이저발생부(50)가 구동 중일 때에 반응챔버(10) 내부로 조사되는 레이저빔을 선택적으로 차단할 수 있게 된다.In this embodiment, since the laser beam is selectively blocked by the operation of the blocking unit 51, the laser beam irradiated into the reaction chamber 10 can be selectively blocked when the laser generating unit 50 is being driven.

따라서 기판(100) 내부에 레이저 가공이 요구되는 가공위치(106)와 가공위치(106) 사이에 간격이 연속적으로 배치되도록 레이저 가공을 행할 수 있게 된다.Therefore, the laser processing can be performed such that a gap is continuously disposed between the processing position 106 and the processing position 106 where laser processing is required in the substrate 100.

스테이지(12)에 기판(100)이 안착된 상태에서 레이저빔이 반응챔버(10) 내부로 조사되면 레이저빔이 기판(100)에 조사되면서 레이저 가공이 이루어지며, 구동부(14)의 작동에 의해 스테이지(12)가 일측으로 이동되면 레이저빔이 기판(100)을 스캔하면서 넓은 면적에 레이저 가공을 행하게 된다.When the laser beam is irradiated into the reaction chamber 10 in a state where the substrate 100 is seated on the stage 12, the laser beam is irradiated onto the substrate 100 to perform laser processing, and by the operation of the driving unit 14. When the stage 12 is moved to one side, the laser beam scans the substrate 100 to perform laser processing on a large area.

본 실시예는 차단부(51)의 작동에 의해 레이저빔이 선택적으로 반응챔버(10) 내부로 조사되므로 구동부(14)의 작동에 의해 스테이지(12)가 이동될 때에 일정한 시간 차이를 유지하며 레이저빔이 반응챔버(10) 내부에 조사되면 다수 개의 가공위치(106) 사이에 일정한 간격이 유지되도록 기판(100)이 레이저 가공된다.In the present embodiment, since the laser beam is selectively irradiated into the reaction chamber 10 by the operation of the blocking unit 51, the laser beam is maintained at a constant time difference when the stage 12 is moved by the operation of the driving unit 14. When the beam is irradiated into the reaction chamber 10, the substrate 100 is laser processed to maintain a constant distance between the plurality of processing positions 106.

제1차단부(54)는, 유입구(52a)와 토출구(52b) 사이에 설치되는 제1반사판(54a)과, 제1반사판(54a)을 지지하고 케이스(52)에 회전 가능하게 설치되는 제1회전축(54b)과, 제1회전축(54b)에 동력을 제공하는 제1모터(54c)를 포함한다.The first blocking portion 54 supports a first reflecting plate 54a provided between the inlet 52a and the outlet 52b and a first reflecting plate 54a that is rotatably installed in the case 52. The first rotational shaft 54b and the first motor 54c for supplying power to the first rotational shaft 54b are included.

제1회전축(54b)은 제1반사판(54a)의 일측 단부에 연결되므로 제1모터(54c)에 의해 제1회전축(54b)이 회전되면 제1반사판(54a)이 회전축을 중심으로 회전되면서 유입구(52a)와 토출구(52b) 사이의 공간을 지나게 된다.Since the first rotating shaft 54b is connected to one end of the first reflecting plate 54a, when the first rotating shaft 54b is rotated by the first motor 54c, the first reflecting plate 54a is rotated about the rotating shaft, and the inlet port is rotated. The space between 52a and the discharge port 52b passes.

제1반사판(54a)이 유입구(52a)와 토출구(52b) 사이에 배치될 때에는 유입구(52a)를 통해 케이스(52) 내부로 유입되는 레이저빔이 제1반사판(54a)에 의해 반사되어 토출구(52b)를 따라 케이스(52) 외부로 배출되지 못하고 파워미터(58) 측으로 향하게 된다.When the first reflector plate 54a is disposed between the inlet port 52a and the outlet port 52b, the laser beam flowing into the case 52 through the inlet port 52a is reflected by the first reflector plate 54a, thereby discharging the outlet port ( 52b) is not discharged to the outside of the case 52 and is directed toward the power meter 58 side.

따라서 반응챔버(10) 내부로 조사되는 레이저빔은 시간 차이를 유지하며 조사되어 기판(100)의 가공위치(106) 사이에 간격(104)을 형성되는 레이저 가공을 행하게 된다.Therefore, the laser beam irradiated into the reaction chamber 10 maintains the time difference and performs laser processing in which the gap 104 is formed between the processing positions 106 of the substrate 100.

제1반사판(54a)에 의해 반사되는 레이저빔은 파워미터(58)에 조사되므로 레이저발생부(50)로부터 조사되는 레이저빔의 파워를 측정할 수 있게 된다.Since the laser beam reflected by the first reflector 54a is irradiated to the power meter 58, the power of the laser beam irradiated from the laser generator 50 can be measured.

또한, 본 실시예의 차단부(51)는, 제1차단부(54)에 의해 반사되는 레이저빔을 반사시키는 제2차단부(56)와, 제2차단부(56)로부터 반사되는 레이저빔을 상쇄시키는 빔덤프(59)를 더 포함한다.In addition, the blocking unit 51 of the present embodiment includes a second blocking unit 56 for reflecting the laser beam reflected by the first blocking unit 54 and a laser beam reflected from the second blocking unit 56. It further includes a beam dump 59 to cancel.

제2차단부(56)의 작동에 의해 제1반사판(54a)에서 반사되는 레이저빔이 파워미터(58) 측으로 진행되지 않고 빔덤프(59) 측으로 반사되므로 빔덤프(59)에서 레이저빔이 상쇄된다.Since the laser beam reflected from the first reflector 54a by the operation of the second blocking unit 56 does not proceed to the power meter 58 side but is reflected to the beam dump 59 side, the laser beam is canceled at the beam dump 59. do.

파워미터(58)에 의해 레이저빔의 강도를 측정하는 작업은 일정 기간을 내에 주기적으로 이루어지거나 특정한 조건에 의해 이루어지는 시험이 진행될 때에 이루어지진다.The measurement of the intensity of the laser beam by the power meter 58 is performed when a test is performed periodically within a predetermined period or under specific conditions.

따라서 본 실시예와 같이 기판(100)에 불연속적인 가공위치(106)를 레이저 가공할 때에는 제1차단부(54) 및 제2차단부(56)를 동시에 작동시켜 유입구(52a)를 통해 케이스(52)로 유입되는 레이저빔을 제1차단부(54) 및 제2차단부(56)에 의해 빔덤프(59) 측으로 반사시켜 상쇄시킨다.Therefore, when laser processing the discontinuous machining position 106 on the substrate 100 as in the present embodiment, the first blocking portion 54 and the second blocking portion 56 are operated at the same time through the inlet 52a. The laser beam flowing into the 52 is reflected by the first blocking portion 54 and the second blocking portion 56 toward the beam dump 59 to be offset.

제2차단부(56)는, 제1반사판(54a)과 파워미터(58) 사이에 설치되는 제2반사판(56a)과, 제2반사판(56a)을 지지하고 케이스(52)에 회전 가능하게 설치되는 제2회전축(56b)과, 제2회전축(56b)에 동력을 제공하는 제2모터(56c)를 포함한다.The second blocking portion 56 supports the second reflecting plate 56a provided between the first reflecting plate 54a and the power meter 58 and the second reflecting plate 56a so as to be rotatable in the case 52. It includes a second rotary shaft (56b) and a second motor (56c) for providing power to the second rotary shaft (56b).

제2모터(56c)에 전원이 인가되어 제2회전축(56b)이 회전되면 제2반사판(56a)이 제1반사판(54a)과 파워미터(58) 사이에 배치되므로 제1반사판(54a)에 의해 파워미터(58) 측으로 반사되는 레이저빔이 제2반사판(56a)에 의해 빔덤프(59) 측으로 반사된다.When power is applied to the second motor 56c and the second rotating shaft 56b is rotated, the second reflecting plate 56a is disposed between the first reflecting plate 54a and the power meter 58, so that the second reflecting plate 54a is disposed on the first reflecting plate 54a. The laser beam reflected by the power meter 58 side is reflected by the second reflector 56a to the beam dump 59 side.

제1모터(54c)는 제2모터(56c)와 비교하여 큰 회전속도로 회전되는 대용량의 모터를 사용하며, 이는 제1반사판(54a)의 회전속도가 클수록 기판(100)에 가공되는 가공위치(106) 사이의 간격을 좁게 할 수 있으며, 비상시에 레이저빔을 신속하게 차단할 수 있게 하기 위한 것이다.The first motor 54c uses a large-capacity motor that is rotated at a greater rotational speed than the second motor 56c, which is a machining position processed on the substrate 100 as the rotational speed of the first reflector 54a is increased. It is possible to narrow the interval between the 106 and to enable the laser beam to be cut off quickly in an emergency.

진동감지부(80)는, 반응챔버(10)에 설치되는 제1진동감지센서(82)와, 레이저발생부(50)에 설치되는 제2진동감지센서(84)와, 광학부(70)에 설치되는 제3진동감지센서(86)와, 스테이지(12)에 설치되는 제4진동감지센서(88)를 포함한다.The vibration detection unit 80 includes a first vibration detection sensor 82 provided in the reaction chamber 10, a second vibration detection sensor 84 provided in the laser generating unit 50, and an optical unit 70. And a third vibration detection sensor 86 installed at the fourth vibration detection sensor 86 and a fourth vibration detection sensor 88 installed at the stage 12.

레이저 가공이 진행되는 동안에 제1진동감지센서(82)에 의해 반응챔버(10)에 발생되는 진동을 측정하고, 제2진동감지센서(84)에 의해 레이저발생부(50)에 발생되는 진동을 측정하고, 제3진동감지센서(86)에 의해 광학부(70)에 발생되는 진동을 측정하고, 제4진동감지센서(88)에 의해 스테이지(12)에 발생되는 진동을 측정한다.While the laser processing is in progress, the vibration generated in the reaction chamber 10 is measured by the first vibration detecting sensor 82, and the vibration generated in the laser generating unit 50 by the second vibration detecting sensor 84 is measured. The vibration is generated in the optical unit 70 by the third vibration detection sensor 86 and the vibration generated in the stage 12 by the fourth vibration detection sensor 88 is measured.

제1진동감지센서(82) 내지 제3진동감지센서(86)에서 발생되는 진동의 크기가 설정치 이상이면 제어부(90)에서 비정상으로 판단하여 제1모터(54c)에 구동신호를 송신하므로 제1회전축(54b)이 회전되면서 제1반사판(54a)이 레이저빔을 파워미터(58) 측으로 반사시키게 된다.If the magnitude of the vibration generated by the first vibration detection sensor 82 to the third vibration detection sensor 86 is greater than or equal to the set value, the controller 90 determines that the signal is abnormal and transmits a driving signal to the first motor 54c. As the rotating shaft 54b is rotated, the first reflector 54a reflects the laser beam toward the power meter 58.

따라서 광학부(70)를 따라 반응챔버(10) 내부로 조사되던 레이저빔은 차단되어 레이저 가공이 중단된다.Therefore, the laser beam irradiated into the reaction chamber 10 along the optical unit 70 is blocked to stop the laser processing.

제4진동감지센서(88)에서 측정되는 진동이 설정치 이상일 때는 제어부(90)에서 비정상으로 판단하여 스테이지(12)에 제어신호를 송신하여 스테이지(12)에 발생되는 진동을 상쇄시키도록 한다.When the vibration measured by the fourth vibration detecting sensor 88 is equal to or larger than a set value, the controller 90 determines that the controller is abnormal and transmits a control signal to the stage 12 to cancel the vibration generated in the stage 12.

본 실시예의 스테이지(12)는 기체가 충진되어 스테이지(12)를 지지하는 에어 스테이지(12)이며, 이는 본 발명의 기술구성을 인지한 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 것이므로 에어 스테이지(12)에 대한 구체적인 도면이나 설명은 생략하기로 한다.Stage 12 of the present embodiment is the air stage 12 is filled with gas to support the stage 12, which can be easily carried out by those skilled in the art aware of the technical configuration of the present invention to the air stage 12 Detailed drawings or description thereof will be omitted.

본 실시예의 광학부(70)는 레이저발생부(50)의 차단부(51)에 인접하게 설치되는 본체(74)와, 본체(74)를 지지하는 지지대(72)와, 본체(74)로부터 반응챔버(10)의 석영창 측으로 연장되는 통로부(76)와, 통로부(76)의 단부에 옵틱렌즈가 설치되어 이루어지는 공급부(78)를 포함한다.The optical unit 70 of the present embodiment includes a main body 74 installed adjacent to the blocking unit 51 of the laser generating unit 50, a support 72 supporting the main body 74, and a main body 74 from the main body 74. A passage portion 76 extending toward the quartz window side of the reaction chamber 10 and a supply portion 78 in which an optical lens is provided at an end portion of the passage portion 76.

광학부(70)에 설치되는 제3진동감지센서(86)는 본체(74)에 설치될 수 있으며, 통로부(76) 내부에 설치되는 복수 개의 렌즈에 설치될 수 있고, 공급부(78) 내부에 설치되는 옵틱렌즈에 설치될 수 있다.The third vibration detecting sensor 86 installed in the optical unit 70 may be installed in the main body 74, may be installed in a plurality of lenses installed in the passage 76, and may be installed in the supply unit 78. It can be installed in the optical lens installed in.

이는 본 발명의 기술구성을 인지한 당업자가 용이하게 변경하여 실시할 수 있는 것이므로 다른 실시예에 대한 구체적인 도면이나 설명은 생략하기로 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

미설명 부호 22a는 가공부(22)로부터 레이저빔이 조사되는 토출홀부(22a)이다.
Reference numeral 22a denotes a discharge hole portion 22a to which the laser beam is irradiated from the processing portion 22.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 제어방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the control method of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention configured as described above are as follows.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 제어방법이 도시된 순서도이고, 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 산소배출방법이 도시된 순서도이고, 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 진동감지방법이 도시된 순서도이다.11 is a flowchart illustrating a control method of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 12 is a flowchart illustrating an oxygen discharge method of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a flowchart illustrating a vibration sensing method of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치의 제어방법은, 반응챔버(10) 내부에 안착되는 기판(100)의 위치를 감지하는 단계(S10)와, 기판(100) 내부의 목표위치에 표시부(20)가 대향되도록 기판(100)을 이동시키는 단계(s20)와, 표시부(20)를 구동시켜 기판(100)에 기준점(102)을 가공하는 단계(S30)와, 기판(100)과 스테이지(12) 사이의 산소를 제거하는 단계(S40)와, 공정이 개시된 후에 최초로 이루어지는 가공인지 판단하는 단계(50)와, 기준점(102)을 기준으로 하여 레이저 가공이 이루어지는 가공위치(106)를 계산하고 저장하는 단계(S60)와, 반응챔버(10) 외부로부터 반응챔버(10) 내부로 레이저빔을 조사하여 제어부(90)에 저장된 가공위치(106)에 레이저 가공을 행하는 단계(S70)와, 레이저 가공된 기판(100)의 개수가 설정치에 도달되었는지 판단하는 단계(S80)를 포함한다.1 to 13, the control method of the laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes detecting a position of the substrate 100 seated inside the reaction chamber 10 (S10), and a substrate. Step (S20) of moving the substrate 100 so that the display unit 20 is opposed to the target position in the (100), and driving the display unit 20 to process the reference point 102 on the substrate 100 (S30) ), A step (S40) of removing oxygen between the substrate 100 and the stage 12, a step 50 of determining whether the process is the first process after the process is started, and laser processing based on the reference point 102. Computing and storing the processing position 106 is made (S60), and irradiating a laser beam from the outside of the reaction chamber 10 into the reaction chamber 10 to the laser processing position 106 stored in the control unit 90 It is determined whether the step S70 of processing and the number of the laser-processed board | substrate 100 reach | attained the setting value. It includes a step (S80).

기판(100)이 반응챔버(10) 내부로 공급되어 스테이지(12)에 안착되면 제1센서(26a)에 의해 기판(100)의 모서리가 감지되고, 제1센서(26a)로부터 송신되는 위치신호에 의해 제어부(90)에서 기판(100)의 위치를 설정위치와 판단하게 된다.When the substrate 100 is supplied into the reaction chamber 10 and seated on the stage 12, the edge of the substrate 100 is detected by the first sensor 26a, and a position signal transmitted from the first sensor 26a. The control unit 90 determines the position of the substrate 100 and the setting position.

기판(100)의 위치가 설정위치와 이격되는 경우에는 제어부(90)에서 송신되는 구동신호에 의해 구동부(14)가 구동되어 기판(100)이 설정위치에 배치되도록 한다.When the position of the substrate 100 is spaced apart from the setting position, the driving unit 14 is driven by the driving signal transmitted from the controller 90 so that the substrate 100 is disposed at the setting position.

여기서, 설정위치는 기판(100) 내부의 목표위치가 표시부(20)에 대향되도록 배치되는 위치를 의미한다.Here, the setting position refers to a position where the target position inside the substrate 100 faces the display unit 20.

기판(100)이 설정위치에 배치된 후에 가공부(22)로부터 레이저빔이 조사되어 기판(100)에 기준점(102)을 가공하면 반복하여 제공되는 기판(100)에 항상 동일한 위치에 기준점(102)을 가공할 수 있게 된다.If the laser beam is irradiated from the processing unit 22 after the substrate 100 is disposed at the set position and the reference point 102 is processed on the substrate 100, the reference point 102 is always located at the same position on the substrate 100 repeatedly provided. ) Can be processed.

기준점(102)이 가공된 후에는 제2센서(26b)에서 기준점(102)의 위치를 감지하여 제어부(90)에 위치신호를 송신하고, 제3센서(26c)에서 레이저빔이 조사되는 위치를 감지하여 제어부(90)에 위치신호를 송신한다.After the reference point 102 has been processed, the second sensor 26b detects the position of the reference point 102 and transmits a position signal to the control unit 90, and the position where the laser beam is irradiated from the third sensor 26c. It detects and transmits a position signal to the control unit 90.

제2센서(26b) 및 제3센서(26c)로부터 수신되는 위치신호를 바탕으로 하여 제어부(90)에서는 기준점(102)으로부터 레이저 가공이 이루어질 가공위치(106)를 계산하게 된다.Based on the position signals received from the second sensor 26b and the third sensor 26c, the control unit 90 calculates a machining position 106 at which the laser machining is to be performed from the reference point 102.

상기한 바와 같은 센싱작동에 의해 레이저 가공이 반복되어 다수 개의 기판(100)이 공급되어도 동일한 가공위치(106)에 레이저 가공을 행할 수 있게 된다.Laser processing is repeated by the sensing operation as described above, so that laser processing can be performed at the same processing position 106 even when a plurality of substrates 100 are supplied.

공정이 개시된 후에 최초로 이루어지는 가공인지 판단하는 단계(S50)에서 공정이 개시된 후에 최초로 이루어지는 가공이 아니면 반응챔버(10) 외부로부터 반응챔버(10) 내부로 레이저빔을 조사하여 제어부(90)에 저장된 가공위치(106)에 레이저 가공을 행하는 단계(S70)가 진행된다.In the step S50 of determining whether the process is the first process after the process is started, the process stored in the control unit 90 by irradiating a laser beam from the outside of the reaction chamber 10 to the inside of the reaction chamber 10 after the process is started. The laser processing is performed at the position 106 (S70).

다수의 기판(100)에 레이저 가공을 행하는 양산공정이 진행될 때에는 최초 가공이 이루어질 때에 제어부(90)에 저장되는 가공위치(106)와 동일한 위치에 연속하여 레이저 가공을 행하게 된다.When a mass production process of performing laser processing on a plurality of substrates 100 is performed, laser processing is continuously performed at the same position as the processing position 106 stored in the controller 90 when the initial processing is performed.

따라서 두 번째 이루어지는 레이저 가공부(22)터는 기준점(102)으로부터 가공위치(106)를 계산하는 단계가 생략되어 진행되어 레이저 가공에 소요되는 시간을 줄일 수 있게 된다.Therefore, the second laser processing unit 22 is made, the step of calculating the processing position 106 from the reference point 102 is skipped to proceed to reduce the time required for laser processing.

상기한 바와 같은 레이저 가공은 제1모터(54c)에 의해 회전되는 제1반사판(54a)에 의해 레이저빔이 선택적으로 반응챔버(10)에 공급되므로 다수 개의 가공위치(106)가 간격을 유지하며 연속되게 배치되는 레이저 가공을 행할 수 있게 된다.In the laser processing as described above, since the laser beam is selectively supplied to the reaction chamber 10 by the first reflecting plate 54a rotated by the first motor 54c, a plurality of processing positions 106 are maintained at intervals. Laser processing arranged continuously can be performed.

따라서 레이저 가공 이후에 진행되는 공정에서는 기준점(102)을 중심으로 하여 가공위치(106)를 판단하고, 레이저 가공이 이루어진 가공위치(106)에만 다음의 공정을 진행할 수 있게 된다.Therefore, in the process proceeding after the laser processing, the machining position 106 is determined around the reference point 102, and the following process can be performed only at the machining position 106 where the laser processing is performed.

상기한 바와 같이 제품으로 사용되지 않는 기판(100)에 레이저 가공 또는 다음의 공정들이 진행되지 않고, 가공위치(106)에만 선택적으로 공정이 진행되므로 제품 생산에 소요되는 시간 및 비용을 절감할 수 있는 효과가 나타나게 된다.As described above, since the laser processing or the following processes are not performed on the substrate 100 that is not used as a product, the process is selectively performed only at the processing position 106, thereby reducing the time and cost required for the production of the product. The effect is shown.

레이저 가공이 반복되어 레이저 가공된 기판(100)의 개수가 설정치에 도달되면 레이저 가공이 종료된다.When the laser processing is repeated and the number of the laser processed substrates 100 reaches the set value, the laser processing is terminated.

레이저 가공된 기판(100)의 개수가 설치에 도달되는지 판단하는 단계(S80)에서 가공된 기판(100)의 개수가 설정치에 도달되지 않았으면 반응챔버(10)에서 기판(100)의 배출하고 새로운 기판(100)을 공급하는 단계(S90)로 진행된 후에 기판(100)의 위치를 감지하는 단계(S10)로 진행된다.In the step S80 of determining whether the number of the laser processed substrates 100 reaches the installation, when the number of processed substrates 100 does not reach the set value, the reaction chamber 10 discharges the substrates 100, and After proceeding to the step of supplying the substrate 100 (S90) proceeds to step (S10) of detecting the position of the substrate 100.

기판(100)과 스테이지(12) 사이에 잔존하는 산소를 제거하는 단계(S40)는, 반응챔버(10) 내부에 설치되는 스테이지(12)에 기판(100)이 안착되면 스테이지(12)의 중앙부(12a)에서 산소를 배출하는 단계(S41)와, 중앙부(12a)에서 산소 배출이 완료되면 중앙부(12a)에 인접한 제1측부(12b)에서 산소를 배출하는 단계(S42)와, 제1측부(12b)에서 산소 배출이 완료되면 제1측부(12b)의 외측에 인접한 제2측부(12c)에서 산소를 배출하는 단계(S44)와, 제2측부(12c)에서 산소 배출이 완료되면 제2측부(12c)의 외측에 인접한 제3측부(12d)에서 산소를 배출하는 단계(S46)와, 제3측부(12d)에서 산소 배출이 완료되면 제2측부(12c)를 가로지르는 교차부(12e)에서 산소를 배출하는 단계(S48)를 포함한다.In operation S40 of removing oxygen remaining between the substrate 100 and the stage 12, when the substrate 100 is seated on the stage 12 installed inside the reaction chamber 10, a center portion of the stage 12 is disposed. Discharging the oxygen at step 12a (S41), and when the oxygen discharge is completed at the central part 12a, discharging the oxygen at the first side part 12b adjacent to the central part 12a (S42), and the first side part. When the oxygen discharge is completed in 12b, the step of discharging oxygen from the second side portion 12c adjacent to the outside of the first side portion 12b (S44), and when the oxygen discharge is completed in the second side portion 12c, the second Discharging oxygen from the third side portion 12d adjacent to the outside of the side portion 12c (S46), and when the oxygen discharge is completed at the third side portion 12d, the intersection portion 12e intersecting the second side portion 12c. ) To discharge the oxygen in step (S48).

기판(100) 내부의 목표위치가 표시부(20)에 대향되도록 기판(100)이 이동된 후에는, 기판(100)의 중앙부(12a)로부터 산소배출이 이루어지고, 제1측부(12b), 제2측부(12c) 및 제3측부(12d) 방향으로 가면서 산소배출이 단계적으로 이루어진다.After the substrate 100 is moved so that the target position inside the substrate 100 faces the display portion 20, oxygen is discharged from the central portion 12a of the substrate 100, and the first side portion 12b, The oxygen is discharged in steps while going in the direction of the second side portion 12c and the third side portion 12d.

이후에, 제2측부(12c)를 가로지르는 교차부(12e)에서 재차 산소배출이 이루어지므로 기판(100)과 스테이지(12) 사이에 산소가 잔존하는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.Afterwards, since oxygen is discharged again at the intersection portion 12e crossing the second side portion 12c, oxygen can be effectively prevented from remaining between the substrate 100 and the stage 12.

특히, 대형의 기판(100)이 스테이지(12)에 안착되는 경우에는 기판(100)의 중앙부(12a)와 측단부 사이에 산소가 잔존하기 쉽다.In particular, when the large substrate 100 is seated on the stage 12, oxygen tends to remain between the central portion 12a and the side ends of the substrate 100.

본 실시예는 중앙부(12a)로부터 외측 방향으로 단계적인 산소배출을 행한 후에 제2측부(12c)를 가로지르는 교차부(12e)에서 재차 산소배출을 행하기 때문에 대형 기판(100)과 스테이지(12) 사이에 산소가 잔존하는 것을 보다 더 효과적으로 방지할 수 있게 된다.In the present embodiment, since the oxygen is discharged again at the intersection 12e across the second side 12c after the oxygen is discharged stepwise from the central portion 12a, the large substrate 100 and the stage 12 It is possible to more effectively prevent the oxygen remaining between the).

레이저 가공장치의 제어방법 중에 레이저 가공을 행하는 단계에서는 반응챔버(10), 레이저발생부(50), 광학부(70) 및 스테이지(12)에서 발생되는 진동을 감지하는 단계가 진행된다.In the step of performing laser processing in the control method of the laser processing apparatus, a step of detecting vibration generated in the reaction chamber 10, the laser generating unit 50, the optical unit 70, and the stage 12 is performed.

본 실시예에 따른 레이저 가공장치에서 진동을 감지하기 위한 레이저 가공장치의 제어방법은, 기판(100)이 안착되는 스테이지(12)를 구비하는 반응챔버(10)의 진동이 설정치 미만인지 판단하는 단계(S110)와, 반응챔버(10)의 진동이 설정치 미만이면 반응챔버(10) 내부로 조사되는 레이저빔을 제공하는 레이저발생부(50)의 진동이 설정치 미만인지 판단하는 단계(S120)와, 레이저발생부(50)의 진동이 설정치 미만이면 레이저발생부(50)로부터 조사되는 레이저빔을 반응챔버(10) 내부로 안내하는 광학부(70)의 진동이 설정치 미만인지 판단하는 단계(S130)와, 광학부(70)의 진동이 설정치 미만이면 스테이지(12)의 진동이 설정치 미만인지 판단하는 단계(S140)를 포함한다.The control method of the laser processing apparatus for detecting the vibration in the laser processing apparatus according to the present embodiment, the step of determining whether the vibration of the reaction chamber 10 having the stage 12 on which the substrate 100 is seated is less than the set value (S110), and when the vibration of the reaction chamber 10 is less than the set value, determining whether the vibration of the laser generating unit 50 that provides the laser beam irradiated into the reaction chamber 10 is less than the set value (S120); When the vibration of the laser generating unit 50 is less than the set value, determining whether the vibration of the optical unit 70 for guiding the laser beam irradiated from the laser generating unit 50 into the reaction chamber 10 is less than the set value (S130). And determining whether the vibration of the stage 12 is less than the set value when the vibration of the optical unit 70 is less than the set value (S140).

레이저 가공단계(S70)가 진행되면 제1진동감지센서(82)에 의해 반응챔버(10)의 진동을 측정하고, 제2진동감지센서(84)에 의해 레이저발생부(50)의 진동을 측정하고, 제3진동감지센서(86)에 의해 광학부(70)의 진동을 측정하고, 제4진동감지센서(88)에 의해 스테이지(12)의 진동을 감지한다.When the laser processing step S70 is performed, the vibration of the reaction chamber 10 is measured by the first vibration detection sensor 82, and the vibration of the laser generation unit 50 is measured by the second vibration detection sensor 84. In addition, the vibration of the optical unit 70 is measured by the third vibration sensor 86, and the vibration of the stage 12 is detected by the fourth vibration sensor 88.

반응챔버(10)의 진동을 측정하는 단계(S110)에서 반응챔버(10)의 진동이 설정치 이상이면 차단부(51)의 작동에 의해 레이저빔이 차단되는 단계(S150)가 진행된다.If the vibration of the reaction chamber 10 is greater than or equal to a predetermined value in the step S110 of measuring the vibration of the reaction chamber 10, the operation S150 of blocking the laser beam by the operation of the blocking unit 51 is performed.

레이저발생부(50)의 진동을 측정하는 단계(S120)에서 레이저발생부(50)의 진동이 설정치 이상이면 차단부(51)의 작동에 의해 레이저빔이 차단되는 단계(S150)가 진행된다.When the vibration of the laser generator 50 is greater than or equal to a predetermined value in the step S120 of measuring the vibration of the laser generator 50, a step S150 of blocking the laser beam by the operation of the blocking unit 51 is performed.

광학부(70)의 진동을 측정하는 단계(S130)에서 광학부(70)의 진동이 설정치 이상이면 차단부(51)의 작동에 의해 레이저빔이 차단되는 단계(S150)가 진행된다.If the vibration of the optical unit 70 is greater than or equal to the set value in the step (S130) of measuring the vibration of the optical unit 70, the operation of the blocking unit 51 is blocked (S150).

상기한 바와 같이 반응챔버(10), 레이저발생부(50) 또는 광학부(70) 중 어느 하나에서 측정되는 진동이 설정치 이상이면 제어부(90)에서 제1모터(54c)에 작동신호를 송신한다.As described above, when the vibration measured in any one of the reaction chamber 10, the laser generating unit 50, or the optical unit 70 is greater than or equal to the set value, the control unit 90 transmits an operation signal to the first motor 54c. .

따라서 제1모터(54c)가 구동되어 제1회전축(54b) 및 제1반사판(54a)을 회전시키므로 유입구(52a)를 통해 케이스(52) 내부로 유입되는 레이저빔은 토출구(52b)를 통해 반응챔버(10)로 공급되지 않고 차단된다.Therefore, since the first motor 54c is driven to rotate the first rotating shaft 54b and the first reflecting plate 54a, the laser beam introduced into the case 52 through the inlet 52a reacts through the outlet 52b. It is not supplied to the chamber 10 but is shut off.

스테이지(12)의 진동을 측정하는 단계(S140)에서 스테이지(12)의 진동이 설정치 이상이면 스테이지(12)를 제어하여 진동을 상쇄시키는 단계(S160)가 진행된다.If the vibration of the stage 12 is greater than or equal to a set value in the step S140 of measuring the vibration of the stage 12, the step S160 of controlling the stage 12 to cancel the vibration is performed.

본 실시예의 스테이지(12)는 공압에 의해 지지되는 에어 스테이지(12)이므로 스테이지(12)의 진동이 설정치 이상이면 공압을 낮춰 스테이지(12)에 전달되는 진동이 공압에 의한 지지부에 의해 상쇄되도록 한다.Since the stage 12 of the present embodiment is an air stage 12 supported by pneumatic pressure, when the vibration of the stage 12 is greater than or equal to a set value, the air pressure is lowered so that the vibration transmitted to the stage 12 is canceled by the supporting portion by pneumatic pressure. .

이로써, 기판 중에서 레이저 가공이 요구되는 부분에만 선택적으로 레이저 가공이 진행될 수 있고, 레이저 가공을 위한 기판 정렬작업을 간소화할 수 있는 레이저 가공장치 및 그 제어방법을 제공할 수 있게 된다.As a result, laser processing may be selectively performed only on a portion of the substrate where laser processing is required, and a laser processing apparatus and a method of controlling the same may be provided to simplify substrate alignment for laser processing.

본 발명은 도면에 도시되는 일 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. .

또한, 레이저 가공장치 및 그 제어방법을 예로 들어 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 레이저 가공장치 및 그 제어방법이 아닌 다른 제품에도 본 발명의 가공장치 및 그 제어방법이 사용될 수 있다.In addition, although the laser processing apparatus and the control method thereof have been described as an example, this is merely exemplary, and the processing apparatus and the control method of the present invention may be used in other products other than the laser processing apparatus and the control method thereof.

따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the following claims.

10 : 반응챔버 12 : 스테이지
12a : 중앙부 12b : 제1측부
12c : 제2측부 12d : 제3측부
12e : 교차부 14 : 구동부
20 : 표시부 22 : 가공부
22a : 토출홀부 24 : 제거부
24a : 곡선부 24b : 진공홀부
26 : 센싱부 26a : 제1센서
26b : 제2센서 26c : 제3센서
30 : 진공부 32 : 진공홀부
32a : 제1진공홀부 32b : 제2진공홀부
32c : 제3진공홀부 32d : 제4진공홀부
32e : 제5진공홀부 34 : 진공펌프
34a : 제1진공펌프 34b : 제2진공펌프
34c : 제3진공펌프 34d : 제4진공펌프
34e : 제5진공펌프 50 : 레이저발생부
51 : 차단부 52 : 케이스
52a : 유입구 52b : 토출구
54 : 제1차단부 54a : 제1반사판
54b : 제1회전축 54c : 제1모터
56 : 제2차단부 56a : 제2반사판
56b : 제2회전축 56c : 제2모터
58 : 파워미터 59 : 빔덤프
70 : 광학부 72 : 지지대
74 : 본체 76 : 통로부
78 : 공급부 80 : 진동감지부
82 : 제1진동감지센서 84 : 제2진동감지센서
86 : 제3진동감지센서 88 : 제4진동감지센서
90 : 제어부 100 : 기판
102 : 기준점 104 : 간격
106 : 가공위치10: reaction chamber 12: stage
12a: center portion 12b: first side portion
12c: second side 12d: third side
12e: intersection 14: drive
20: display portion 22: processing portion
22a: discharge hole 24: removal
24a: curved portion 24b: vacuum hole portion
26: sensing unit 26a: first sensor
26b: second sensor 26c: third sensor
30: vacuum part 32: vacuum hole part
32a: 1st vacuum hole part 32b: 2nd vacuum hole part
32c: 3rd vacuum hole part 32d: 4th vacuum hole part
32e: fifth vacuum hole 34: vacuum pump
34a: 1st vacuum pump 34b: 2nd vacuum pump
34c: 3rd vacuum pump 34d: 4th vacuum pump
34e: 5th vacuum pump 50: laser generating unit
51: breaker 52: case
52a: inlet port 52b: discharge port
54: first blocking portion 54a: first reflective plate
54b: first rotation shaft 54c: first motor
56: second blocking portion 56a: second reflecting plate
56b: second rotation shaft 56c: second motor
58: power meter 59: beam dump
70: optics 72: support
74: main body 76: passage portion
78: supply unit 80: vibration detection unit
82: first vibration sensor 84: second vibration sensor
86: third vibration detection sensor 88: fourth vibration detection sensor
90 control part 100 substrate
102: reference point 104: interval
106: machining position

Claims

A laser generator for irradiating a laser beam;
A reaction chamber on which the substrate is seated;
An optical unit transferring a laser beam radiated from the laser generating unit into the reaction chamber;
A case installed at an outlet of the laser generator and having an inlet and an outlet through which a laser beam passes;
A first reflecting plate installed between the inlet and the outlet, a first rotating shaft supporting the first reflecting plate and rotatably installed in the case, and a first motor providing power to the first rotating shaft in the case. A first blocking part provided between the inlet and the outlet and reflecting the laser beam introduced through the inlet to prevent the laser beam from being irradiated through the outlet;
A power meter installed at a position to which the laser beam reflected by the first blocking unit is directed, and measuring an intensity of the laser beam reflected by the first blocking unit;
A second reflecting plate installed between the first reflecting plate and the power meter, a second rotating shaft supporting the second reflecting plate and rotatably installed in the case, and a second motor providing power to the second rotating shaft. A second blocking portion provided in the case to reflect the laser beam reflected by the first blocking portion; And
A beam dump canceling the laser beam reflected from the second blocking portion;
Laser processing apparatus comprising a.

delete

The method of claim 1,
And a rotation speed of the first motor is greater than a rotation speed of the second motor.