KR20090011566A - Method for reclamation of wafer - Google Patents

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Abstract

A method for reclaiming a wafer is provided to remove a physical damage and a thin film remaining in a surface of the wafer surface by removing the surface of the lifted wafer by lifting the surface of the wafer through a hydrogen ion implantation process and a thermal process. A hydrogen ion is implanted into a surface of a wafer(200). A thermal process is performed in the wafer and the surface of the wafer is lifted. The thermal processed wafer is cleaned and the lifted surface of the wafer is removed. The surface of the cleaned wafer is ground. The thermal process is performed under the temperature of 450 to 600 degrees centigrade for at least one hour or more.

Description

웨이퍼의 재생방법{METHOD FOR RECLAMATION OF WAFER}Wafer Recycling Method {METHOD FOR RECLAMATION OF WAFER}

본 발명은 웨이퍼의 재생방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 웨이퍼의 재생 횟수를 증가시켜 반도체 소자의 제조 단가를 절감함과 아울러 친환경적인 제조 공정을 도모할 수 있는 웨이퍼의 재생방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for reproducing a wafer, and more particularly, to a method for reproducing a wafer, which can reduce the manufacturing cost of a semiconductor device by increasing the number of times of reproducing the wafer and at the same time facilitate an environmentally friendly manufacturing process.

반도체 소자의 제조를 위한 기판으로 사용되는 반도체 웨이퍼는 그 활용도 측면에서 반도체 소자의 제작 용도뿐 아니라, 반도체 소자의 제조 공정 중에서 발생될 수 있는 공정의 불안정성을 감지하고 보정하기 위한 테스트 용도로도 사용된다. 상기 테스트 용도로 사용되어 지는 반도체 웨이퍼는 테스트 웨이퍼라고 칭하며, 상기 테스트 웨이퍼는 반도체 소자의 제조 공정시 이상 유무를 주기적으로 점검하고 각각의 공정을 안정적으로 유지하는 역할을 한다. Semiconductor wafers used as substrates for the manufacture of semiconductor devices are used not only for the manufacture of semiconductor devices in terms of their utilization, but also for testing to detect and correct instability of processes that may occur during the manufacturing process of semiconductor devices. . The semiconductor wafer used for the test purpose is called a test wafer, and the test wafer periodically checks for abnormalities in the manufacturing process of the semiconductor device and serves to stably maintain each process.

한편, 반도체 소자의 고집적화 및 고기능화 추세에 부합하여 반도체 소자를 제조하기 위해 수행되는 공정의 수가 점차 증가함에 따라 상기 테스트 웨이퍼의 사용량 또한 증가하고 있는 추세이다. On the other hand, the use of the test wafer is also increasing as the number of processes performed to manufacture the semiconductor device in accordance with the trend of high integration and high functionalization of the semiconductor device is gradually increased.

또한, 반도체 소자가 고집적화, 고속화되는 흐름 속에서 반도체 웨이퍼는 대구경화되는 방향으로 진화되고 있으며, 초기의 100mm, 150mm, 200mm급의 반도체 웨 이퍼로부터 최근에는 300mm급의 반도체 웨이퍼를 양산에 적용하고 있다. 이와 마찬가지로 상기 테스트 웨이퍼도 대구경화되고 있다. In addition, semiconductor wafers are evolving toward larger diameters in the midst of high integration and high speed semiconductor devices, and 300mm semiconductor wafers have recently been applied to mass production from early 100mm, 150mm, and 200mm semiconductor wafers. . Similarly, the test wafer is also large-sized.

반도체 웨이퍼의 단가는 크기에 비례하여 증가하기 때문에, 상기 테스트 웨이퍼의 크기가 증가함에 따라 그 비용도 증가한다. 이에, 이미 사용이 완료된 테스트 웨이퍼를 재생시켜 재활용하는 기술에 대한 필요성이 점차 증가하고 있는 실정이다.Since the cost of a semiconductor wafer increases in proportion to its size, the cost also increases as the size of the test wafer increases. Accordingly, there is a growing need for a technology for reusing and recycling test wafers that have already been used.

이하에서는, 도 1을 참조하여 종래 기술에 따른 웨이퍼의 재생방법을 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of reproducing a wafer according to the prior art will be described with reference to FIG. 1.

우선, 사용이 완료되어 그 표면에 여러 종류의 박막(102)과 스크래치(Scratch) 및 척-마크(Chuck-Mark)와 같은 물리적인 손상(A)이 잔류된 웨이퍼(100)를 제공한다. 그런 다음, 상기 웨이퍼(100) 표면에 잔류된 박막(102)들을 제거하기 위한 식각 공정을 수행한다. 상기 식각 공정은 여러 종류의 박막(102)들을 모두 용해시켜 제거하기 위해 여러 종류의 케미컬(Chemical)을 이용하여 수행한다. First of all, the wafer 100 is used to provide a wafer 100 having various kinds of thin films 102 and physical damages A such as scratches and chuck-marks remaining on the surface thereof. Thereafter, an etching process for removing the thin films 102 remaining on the surface of the wafer 100 is performed. The etching process is performed using various kinds of chemicals to dissolve and remove all kinds of thin films 102.

계속해서, 상기 박막(102)들이 제거된 웨이퍼(100) 표면에 남아있는 물리적인 손상(A), 즉 스크래치와 척-마크 등을 제거하기 위한 연삭(Grinding) 공정을 수행한 후, 상기 물리적인 손상(A)이 제거된 웨이퍼(100) 표면의 경면화(Mirror Phase)를 위한 연마(Polishing) 공정을 수행하여 테스트 웨이퍼(100)를 재생시킨다. 이와 같은 과정을 통해 재생된 테스트 웨이퍼(100)는 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 프라임(Prime) 웨이퍼와 품질적으로 유사한 수준을 유지할 수 있다. Subsequently, after performing the grinding process to remove the physical damage (A) remaining on the surface of the wafer 100 from which the thin films 102 have been removed, that is, scratches and chuck marks, etc., the physical The test wafer 100 is regenerated by performing a polishing process for mirroring the surface of the wafer 100 from which the damage A is removed. The test wafer 100 regenerated through such a process may maintain a quality level similar to that of a prime wafer used to manufacture a semiconductor device.

그러나, 전술한 종래 기술의 경우에는 재생 공정에서 진행된 일련의 과정 때문에 재생된 웨이퍼(100)의 두께가 어느 정도, 일반적으로, 20∼40㎛ 정도의 두께만큼 손실된다. 특히, 웨이퍼(100) 표면의 물리적인 손상(A)을 제거하기 위한 연삭 공정에서 손실되는 웨이퍼(100)의 양이 가장 크므로, 상기 연삭 공정시 웨이퍼(100)의 두께가 가장 많이 손실된다. 이 때문에, 종래 기술에 따라 재생 공정을 진행하게 되면, 웨이퍼(100) 두께의 손실로 인해 웨이퍼를 1∼2회 정도 밖에 재생할 수 없다.However, in the above-described prior art, the thickness of the reclaimed wafer 100 is lost to some extent, generally, about 20 to 40 μm because of a series of processes performed in the regeneration process. In particular, since the amount of the wafer 100 lost in the grinding process for removing the physical damage A on the surface of the wafer 100 is the largest, the thickness of the wafer 100 is lost the most during the grinding process. For this reason, when the regeneration process is performed according to the prior art, the wafer can be regenerated only once or twice due to the loss of the thickness of the wafer 100.

또한, 종래 기술의 경우에는 웨이퍼(100) 표면에 잔류된 박막(102)을 제거하기 위한 식각 공정시 환경 유해 물질인 케미컬을 사용할 수 밖에 없으며, 여러 종류의 박막(102)을 제거하기 위해 박막(102)의 종류에 따라 다른 케미컬을 사용하기 때문에 상기 식각 공정의 효율성이 현저히 저하된다는 한계가 있다. 게다가, 식각 공정시 제거가 되지 않는 박막(102)의 경우에는 재생이 불가능한 경우도 발생한다. In addition, in the prior art, a chemical, which is an environmentally harmful substance, may be used during an etching process for removing the thin film 102 remaining on the surface of the wafer 100, and a thin film may be used to remove various types of thin films 102. There is a limit that the efficiency of the etching process is significantly lowered because different chemicals are used according to the type of 102). In addition, in the case of the thin film 102 that is not removed during the etching process, regeneration is sometimes impossible.

본 발명은 웨이퍼의 재생 횟수를 증가시켜 반도체 소자의 제조 단가를 절감할 수 있는 웨이퍼의 재생방법을 제공한다.The present invention provides a wafer regeneration method that can reduce the manufacturing cost of a semiconductor device by increasing the number of regeneration of the wafer.

또한, 본 발명은 친환경적인 제조 공정을 도모할 수 있는 웨이퍼의 재생방법을 제공한다.In addition, the present invention provides a method for reproducing a wafer, which can be environmentally friendly.

본 발명에 따른 웨이퍼의 재생방법은, 소자 제조 공정이 진행되어 표면에 박막과 물리적인 손상이 잔류된 웨이퍼로부터 상기 박막과 물리적인 손상을 제거하여 웨이퍼를 재생하는 웨이퍼의 재생방법으로서, 재생될 웨이퍼의 표면 내에 수소 이온을 주입하는 단계; 상기 수소 이온이 주입된 웨이퍼 표면이 들뜨도록 열처리하는 단계; 상기 웨이퍼 표면의 들뜬 부분이 제거되도록 상기 열처리된 웨이퍼를 세정하는 단계; 및 상기 세정된 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The wafer regeneration method according to the present invention is a wafer regeneration method of regenerating a wafer by removing the physical damage and the thin film from the wafer in which the device manufacturing process is progressed and the thin film and physical damage remaining on the surface, the wafer to be regenerated Implanting hydrogen ions into the surface of the substrate; Heat treating the surface of the wafer implanted with the hydrogen ions to be lifted; Cleaning the heat-treated wafer to remove the floating portions of the wafer surface; And polishing the surface of the cleaned wafer.

여기서, 상기 열처리는 450∼600℃의 온도 분위기에서 적어도 1시간 이상 동안 수행한다.Here, the heat treatment is carried out for at least 1 hour in a temperature atmosphere of 450 ~ 600 ℃.

상기 세정은 염기성 용액을 사용하여 수행한다.The washing is carried out using a basic solution.

상기 염기성 용액은 NaOH, 또는, KOH 용액이다.The basic solution is NaOH, or KOH solution.

상기 수소 이온을 주입하는 단계는, 상기 열처리시 상기 재생될 웨이퍼 표면의 박막과 물리적인 손상이 들뜰 수 있도록 주입되는 수소 이온의 양을 조절하면서 수행한다.The implanting of hydrogen ions is performed while controlling the amount of hydrogen ions to be implanted to cause physical damage to the thin film on the surface of the wafer to be regenerated during the heat treatment.

상기 수소 이온을 주입하는 단계는, 상기 수소 이온이 상기 세정시 상기 재생될 웨이퍼 표면의 박막과 물리적인 손상이 제거될 수 있는 깊이로 주입되도록 이온주입 에너지를 조절하면서 수행한다.The implanting of hydrogen ions is performed while adjusting ion implantation energy so that the hydrogen ions are implanted to a depth where physical damage and a thin film on the surface of the wafer to be regenerated are removed.

상기 수소 이온을 주입하는 단계는, 원자 형태의 수소 이온을 사용하여 25∼30keV의 에너지와 8×1016∼10×1016이온/cm2의 도우즈 및 2000∼4000Å의 이온주입 깊이 조건으로 수행한다.Implanting the hydrogen ions, with the hydrogen ions of the atom type carried out in the ion implantation depth and dose conditions for the 2000~4000Å 25~30keV energy and 8 × 10 16 ~10 × 10 16 ions / cm 2 do.

상기 수소 이온을 주입하는 단계는, 분자 형태의 수소 이온을 사용하여 50∼60keV의 에너지와 4×1013∼8×1013이온/cm2의 도우즈 및 2000∼4000Å의 이온주입 깊이 조건으로 수행한다.The step of implanting the hydrogen ions is carried out under the conditions of 50 ~ 60keV energy, 4 × 10 13 ~ 8 × 10 13 ions / cm 2 dose and 2000 ~ 4000 깊이 ion implantation depth conditions using molecular hydrogen ions do.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 소자 제조 공정이 진행되어 표면에 박막과 물리적인 손상이 잔류된 웨이퍼의 표면 내에 수소 이온을 주입한 다음, 상기 수소 이온이 주입된 웨이퍼의 표면 및 웨이퍼의 표면에 잔류된 박막과 물리적인 손상이 들뜨도록 열처리하고, 그리고 나서, 상기 웨이퍼 표면의 들뜬 부분을 제거하여 웨이퍼를 재생한다.According to the present invention, a device manufacturing process is performed to implant hydrogen ions into a surface of a wafer in which a thin film and physical damage remain on the surface, and then the physical surface of the wafer into which the hydrogen ions are implanted and the thin film remaining on the surface of the wafer The heat treatment is performed to lift the damage, and then the excited portion of the wafer surface is removed to regenerate the wafer.

이렇게 하면, 본 발명은 웨이퍼 표면에 잔류된 박막을 제거하기 위해 환경 유해 물질인 여러 종류의 케미컬을 사용할 필요가 없으므로 친환경적인 공정을 도 모할 수 있으며, 케미컬을 이용하는 식각 공정 없이도 웨이퍼 표면으로부터 효율적으로 박막을 제거할 수 있다.In this way, the present invention does not need to use various kinds of chemicals, which are environmentally harmful substances, in order to remove the thin film remaining on the wafer surface, thereby enabling an environmentally friendly process, and efficiently thin film from the wafer surface without an etching process using chemicals. Can be removed.

또한, 본 발명은 웨이퍼 표면에 잔류된 물리적인 손상을 제거하기 위한 종래의 연삭 공정을 수행할 필요가 없으므로 재생 과정중 발생되는 웨이퍼 두께의 손실을 감소시킬 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼의 재생 횟수를 증가시켜 반도체 소자의 제조 단가를 절감할 수 있다.In addition, the present invention does not need to perform a conventional grinding process to remove the physical damage remaining on the wafer surface can reduce the loss of wafer thickness generated during the regeneration process, thereby reducing the number of regeneration of the wafer By increasing the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼의 재생방법을 설명하기 위한 공정별 사시도 및 단면도이다.2A to 2D are perspective views and cross-sectional views of processes for explaining a method of reproducing a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 2a를 참조하면, 소자 공정이 진행되고 사용이 완료되어 그 표면에 여러 종류의 박막(202)과 스크래치 및 척-마크와 같은 물리적인 손상(A)이 잔류된 웨이퍼(200)를 제공한다. 그런 다음, 상기 웨이퍼(200) 표면 내에 수소 이온을 주입한다. Referring to FIG. 2A, a device process is performed and usage is completed to provide a wafer 200 having various kinds of thin films 202 and physical damages A such as scratches and chuck-marks remaining on the surface thereof. Then, hydrogen ions are implanted into the surface of the wafer 200.

이때, 상기 수소 이온의 주입은 후속으로 수행되는 웨이퍼(200)의 열처리시 상기 재생될 웨이퍼(200) 표면의 박막(202)과 물리적인 손상(A)이 들뜰 수 있도록 주입되는 수소 이온의 양을 조절하면서 수행함이 바람직하다. 또한, 상기 수소 이온의 주입은 수소 이온이 후속으로 수행되는 세정시 상기 재생될 웨이퍼(200) 표면의 박막(202)과 물리적인 손상(A)이 제거될 수 있는 깊이로 주입되도록 이온주입 에너지를 조절하면서 수행함이 바람직하다.In this case, the implantation of the hydrogen ions is carried out to determine the amount of hydrogen ions implanted so that the thin film 202 and the physical damage (A) of the surface of the wafer 200 to be regenerated during the heat treatment of the wafer 200 to be subsequently performed. It is preferable to carry out while adjusting. In addition, the implantation of the hydrogen ions implants ion implantation energy such that the hydrogen ions are implanted to a depth at which the thin film 202 and the physical damage (A) of the surface of the wafer 200 to be regenerated are removed. It is preferable to carry out while adjusting.

이때, 상기 수소 이온의 주입은 원자 형태의 수소 이온을 사용하는 경우에는 25∼30keV 정도의 에너지와 8×1016∼10×1016이온/cm2 정도의 도우즈 및 2000∼4000Å 정도의 이온주입 깊이 조건으로 수행하며, 분자 형태의 수소 이온을 사용하는 경우에는 50∼60keV 정도의 에너지와 4×1013∼8×1013이온/cm2 정도의 도우즈 및 2000∼4000Å 정도의 이온주입 깊이 조건으로 수행한다.In this case, the implantation of the hydrogen ions is about 25 ~ 30keV energy, 8 × 10 16 ~ 10 × 10 16 ions / cm 2 dose and about 2000 ~ 4000 이온 ion implantation when using the hydrogen ions of the atomic form Depth condition is performed, and in case of using molecular hydrogen ion, energy of about 50 to 60 keV, dose of about 4 × 10 13 to 8 × 10 13 ions / cm 2 , and ion implantation depth of about 2000 to 4000Å To do it.

도 2b를 참조하면, 상기 수소 이온이 주입된 웨이퍼(200)의 표면이 들뜨도록 열처리한다. 여기서, 상기 열처리는 상기 웨이퍼(200) 표면 내에 주입된 수소 이온들이 블라스팅(Blasting) 현상을 유발하여 상기 웨이퍼(200) 표면에 미세한 틈(Micro Crack)이 발생되도록 450∼600℃ 정도의 온도 분위기에서 적어도 1시간 이상 동안 수행한다.Referring to FIG. 2B, a heat treatment is performed to lift the surface of the wafer 200 into which the hydrogen ions are implanted. Here, the heat treatment is performed in a temperature atmosphere of about 450 to 600 ° C. such that micro cracks are generated on the surface of the wafer 200 by causing blasting of hydrogen ions injected into the surface of the wafer 200. Perform for at least 1 hour.

상기 열처리 후에 블라스팅 현상에 의해 웨이퍼(200) 표면에 발생된 미세한 틈 부분으로 인해 상기 웨이퍼(200)의 표면과 상기 웨이퍼(200) 표면에 잔류된 박막(202) 및 물리적인 손상(A)이 함께 들뜨게 된다.The thin film 202 and physical damage (A) remaining on the surface of the wafer 200 and the surface of the wafer 200 due to a minute gap generated on the surface of the wafer 200 by the blasting phenomenon after the heat treatment You will be excited.

도 2c를 참조하면, 상기 웨이퍼(200) 표면의 들뜬 부분이 제거되도록 상기 열처리된 웨이퍼(200)를 세정한다. 상기 세정은 염기성 용액, 예컨데, NaOH 용액, 또는, KOH 용액을 사용하여 수행하며, 상기 세정을 통해 웨이퍼(200) 표면의 일부 두께 및 웨이퍼(200) 표면에 잔류된 박막과 물리적인 손상이 제거된다.Referring to FIG. 2C, the heat-treated wafer 200 is cleaned so that the excited portion of the surface of the wafer 200 is removed. The cleaning is performed using a basic solution, such as a NaOH solution, or a KOH solution, which removes some thickness of the surface of the wafer 200 and thin films and physical damage remaining on the surface of the wafer 200. .

도 2d를 참조하면, 상기 수소 이온의 주입으로 인해 미소 거칠기가 발생된 웨이퍼(200)의 표면을 견면화하기 위해 상기 세정된 웨이퍼(200)를 연마하여 테스트 웨이퍼(200)를 재생시킨다. 이와 같은 과정을 통해 재생된 테스트 웨이퍼(200) 는 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 프라임 웨이퍼와 품질적으로 유사한 수준을 유지할 수 있다. Referring to FIG. 2D, the test wafer 200 is regenerated by polishing the cleaned wafer 200 in order to harden the surface of the wafer 200 generated by the implantation of hydrogen ions. The test wafer 200 regenerated through the above process may maintain a quality level similar to that of the prime wafer used to manufacture the semiconductor device.

전술한 본 발명은, 사용이 완료되어 그 표면에 박막 및 물리적인 손상이 잔류된 웨이퍼 표면 내에 수소 이온을 주입하고 열처리하여 상기 웨이퍼의 표면을 들뜨게 한 다음, 염기성 용액을 이용하는 세정을 통해 상기 들뜬 웨이퍼의 표면 및 웨이퍼 표면에 잔류된 박막과 물리적인 손상을 제거하여 웨이퍼를 재생시킨다.In the present invention described above, the surface of the wafer is excited by injecting hydrogen ions into the wafer surface where the use and the thin film and the physical damage remain on the surface are heated, and then the excited wafer is cleaned by using a basic solution. The wafer is regenerated by removing the thin film and physical damage remaining on the surface of the wafer and the wafer surface.

따라서, 본 발명은 상기 웨이퍼 표면에 잔류된 박막을 제거하기 위한 식각 공정 및 물리적인 손상을 제거하기 위한 연삭 공정을 수행할 필요가 없으므로, 친환경적인 공정을 도모할 수 있음과 아울러 웨이퍼 재생시 손실되는 웨이퍼의 두께를 현저히 감소시킬 수 있다. Therefore, the present invention does not need to perform an etching process to remove the thin film remaining on the wafer surface and the grinding process to remove physical damage, thereby achieving an environmentally friendly process and lost during wafer regeneration. The thickness of the wafer can be significantly reduced.

예컨데, 본 발명의 실시예에 따른 재생시 손실되는 웨이퍼의 두께는 종래 대비 10∼20㎛ 정도 감소되므로, 이를 통해, 웨이퍼의 재생 횟수를 3∼4회 정도로 증가시킬 수 있으며, 그 결과, 본 발명은 반도체 소자의 제조 단가를 절감할 수 있다.For example, since the thickness of the wafer lost during regeneration according to the embodiment of the present invention is reduced by about 10 to 20 μm, the number of regenerations of the wafer may be increased by about 3 to 4 times, as a result of the present invention. The manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.

이상, 여기에서는 본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.As mentioned above, although the present invention has been illustrated and described with reference to specific embodiments, the present invention is not limited thereto, and the following claims are not limited to the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention. It can be easily understood by those skilled in the art that can be modified and modified.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼의 재생방법을 설명하기 위한 모식도.1 is a schematic diagram for explaining a method for reproducing a wafer according to the prior art.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼의 재생방법을 설명하기 위한 공정별 사시도 및 단면도.2A to 2D are perspective views and cross-sectional views of processes for explaining a method of reproducing a wafer according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 200 : 웨이퍼 102, 202 : 박막100, 200: wafer 102, 202: thin film

A : 물리적인 손상A: physical damage

Claims (8)

소자 제조 공정이 진행되어 표면에 박막과 물리적인 손상이 잔류된 웨이퍼로부터 상기 박막과 물리적인 손상을 제거하여 웨이퍼를 재생하는 웨이퍼의 재생방법으로서,A wafer regeneration method of reproducing a wafer by removing the physical damage and the thin film from a wafer in which a device manufacturing process is performed and the thin film and physical damage remain on the surface. 재생될 웨이퍼의 표면 내에 수소 이온을 주입하는 단계;Implanting hydrogen ions into the surface of the wafer to be regenerated; 상기 수소 이온이 주입된 웨이퍼 표면이 들뜨도록 열처리하는 단계;Heat treating the surface of the wafer implanted with the hydrogen ions to be lifted; 상기 웨이퍼 표면의 들뜬 부분이 제거되도록 상기 열처리된 웨이퍼를 세정하는 단계; 및Cleaning the heat-treated wafer to remove the floating portions of the wafer surface; And 상기 세정된 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계;Polishing the surface of the cleaned wafer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.Wafer regeneration method comprising a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 열처리는 450∼600℃의 온도 분위기에서 적어도 1시간 이상 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.The heat treatment is a wafer regeneration method, characterized in that performed for at least 1 hour in a temperature atmosphere of 450 ~ 600 ℃. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정은 염기성 용액을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.Said cleaning is performed using a basic solution. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 염기성 용액은 NaOH, 또는, KOH 용액인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.The basic solution is NaOH, or KOH solution, characterized in that the solution. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수소 이온을 주입하는 단계는,Injecting the hydrogen ions, 상기 열처리시 상기 재생될 웨이퍼 표면의 박막과 물리적인 손상이 들뜰 수 있도록 주입되는 수소 이온의 양을 조절하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.And regenerating the thin film on the surface of the wafer to be regenerated and controlling the amount of hydrogen ions implanted to cause physical damage during the heat treatment. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수소 이온을 주입하는 단계는,Injecting the hydrogen ions, 상기 수소 이온이 상기 세정시 상기 재생될 웨이퍼 표면의 박막과 물리적인 손상이 제거될 수 있는 깊이로 주입되도록 이온주입 에너지를 조절하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.And regulating ion implantation energy such that the hydrogen ions are implanted to a depth at which the physical damage and the thin film on the surface of the wafer to be recovered are removed during the cleaning. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수소 이온을 주입하는 단계는,Injecting the hydrogen ions, 원자 형태의 수소 이온을 사용하여 25∼30keV의 에너지와 8×1016∼10×1016이온/cm2의 도우즈 및 2000∼4000Å의 이온주입 깊이 조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.A method for regenerating a wafer characterized by performing atomic energy of hydrogen ion at 25 to 30 keV, 8 × 10 16 to 10 × 10 16 ions / cm 2 dose, and 2000 to 4000 Å ion implantation depth conditions. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 수소 이온을 주입하는 단계는,Injecting the hydrogen ions, 분자 형태의 수소 이온을 사용하여 50∼60keV의 에너지와 4×1013∼8×1013이온/cm2의 도우즈 및 2000∼4000Å의 이온주입 깊이 조건으로 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 재생방법.Method of regenerating a wafer, characterized by using molecular hydrogen ions in an energy of 50 to 60 keV, a dose of 4x10 13 to 8x10 13 ions / cm 2 , and an ion implantation depth of 2000 to 4000 kV. .
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WO2014043382A1 (en) * 2012-09-13 2014-03-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. A reclaimed wafer and a method for reclaiming a wafer
CN108257885A (en) * 2016-12-28 2018-07-06 无锡华润上华科技有限公司 The application method of titanium or titanium nitride particles control wafer in physical vapour deposition (PVD)

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