KR20090005735A - Apparatus for processing plasma - Google Patents

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곽재찬
박상기
김희철
김종식
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주성엔지니어링(주)
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Abstract

The plasma processing apparatus is provided to decrease the contact area of the surface of the electrode portion with the surface of supporting the electrode portion and to prevent the phenomenon that the heat energy of the electrode's surface reduces. The plasma processing apparatus comprises the electrode portion(500), the chamber(100) having the reaction space, and the susceptor portion(200), the gas supply part(400), the heating means(300) for chamber. The susceptor portion more includes the bias power source(600) providing the bias power and the exhausting unit(700) exhausting the gas of the inside of chamber. The chamber comprises the chamber lower body(110) whose inside is vacant and the chamber lid(120) covering the chamber lower body. The chamber lower body comprises sidewalls protruded in the edge of the floor side. The floor side is polygon, the circular shape or ellipse.

Description

플라즈마 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING PLASMA}Plasma processing unit {APPARATUS FOR PROCESSING PLASMA}

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 이용한 반도체 처리 장치의 전극에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and relates to an electrode of a semiconductor processing apparatus using plasma.

플라즈마 처리 장치의 경우 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 인가된 공정 가스를 플라즈마화 한다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마화된 공정 가스를 이용하여 기판상의 박막을 식각하거나, 기판 상에 박막을 증착하여 반도체 및 유기막 등의 생산성을 향상시킬 수 있다. In the case of the plasma processing apparatus, plasma is generated in the chamber to plasma the applied process gas. The plasma processing apparatus may improve productivity of semiconductors and organic layers by etching the thin film on the substrate using the plasmalized process gas or depositing the thin film on the substrate.

이러한 플라즈마 처리 장치는 챔버 내측 즉, 기판 상측 영역에 플라즈마를 발생시키기 위한 상부 전극을 구비한다. 상부 전극은 기판이 안치되는 서셉터부 또는 공정이 이루어지는 영역보다 상부에 위치하게 되므로(즉, 열원으로부터 서셉터부나 공정 영역보다 멀리 있으므로)원하는 공정 온도보다 낮게 된다. 따라서 공정을 위해 공급된 소스가 충분히 분해되지 못한 상태에서 상부 전극의 표면에 파티클을 형성하게 되는 경우가 발생한다. 따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 챔버 상측에 별도의 가열 수단을 두어 상부 전극을 가열하였다. 그러나 이러한 종래의 방법은 챔버의 진공을 유지하기 위한 오링부를 손상시키게 되어 이부분의 냉각이 필요하다. 이와 같이 국부적으로 가열과 냉각을 하여 주어야 하기 때문에 장치의 구성이 복잡해지고, 이로 인해 시스템의 제작 단가가 상승하게 되는 문제가 발생한다. The plasma processing apparatus includes an upper electrode for generating a plasma inside the chamber, that is, the upper region of the substrate. The upper electrode is positioned above the susceptor portion or process region where the substrate is placed (ie, farther from the susceptor portion or process region from the heat source) and thus lower than the desired process temperature. Therefore, a particle may be formed on the surface of the upper electrode in a state where the source supplied for the process is not sufficiently decomposed. Therefore, in order to solve this problem, a separate heating means was placed above the chamber to heat the upper electrode. However, this conventional method damages the O-ring for maintaining the vacuum of the chamber and requires cooling of this part. In this way, since the heating and cooling must be performed locally, the configuration of the device becomes complicated, which causes a problem that the manufacturing cost of the system increases.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 상부 전극의 내측에 중공부 즉, 빈 공간을 형성하여 상부 전극 표면의 온도 손실을 최소화하여 별도의 가열 수단을 사용하지 않고도 챔버 내측의 메인 가열 수단으로 상부 전극의 온도를 일정하게 유지할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Therefore, the present invention is to solve the above problems by forming a hollow portion, that is, an empty space inside the upper electrode to minimize the temperature loss of the upper electrode surface to the main heating means inside the chamber without using a separate heating means It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus capable of maintaining a constant temperature of an upper electrode.

본 발명에 따른 하부 몸체와 챔버 리드를 구비하는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 서셉터부와, 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단과, 상기 서셉터부에 대향하는 판 형상의 표면부와, 상기 표면부와 상기 챔버 리드를 연결하여 격리된 복수의 중공 영역을 만드는 적어도 하나의 연결부를 구비하는 상부 전극 및 상기 상부 전극에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원부를 구비하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. A chamber having a lower body and a chamber lid according to the present invention, a susceptor portion provided in the chamber, heating means for heating the inside of the chamber, a plate-shaped surface portion facing the susceptor portion, and the surface It provides a plasma processing apparatus comprising an upper electrode having at least one connecting portion for connecting a portion and the chamber lead to form a plurality of isolated hollow regions and a plasma power supply for supplying plasma power to the upper electrode.

상기 중공 영역에 비활성 가스를 공급하는 비 활성 공급 수단을 더 구비하는 것이 바람직하다.It is preferable to further comprise inert supply means for supplying an inert gas to the hollow region.

상기 연결부는 적어도 하나의 원형 띠 및 적어도 하나의 바 중 적어도 어느 하나를 구비하는 것이 효과적이다. It is effective for the connection to have at least one of at least one circular band and at least one bar.

상기 복수의 중공 영역 간이 연통되는 것이 바람직하다 It is preferable that the plurality of hollow regions communicate with each other.

상기 연결부는 절연 물질로 제작되는 것이 가능하다. The connection may be made of an insulating material.

또한, 본 발명에 따른 반응 공간을 갖는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 서셉터부와, 상기 챔버에 결합 고정된 고정 몸체부와, 상기 고정 몸체부에서 상기 서셉터부 방향으로 돌출된 표면 몸체부를 구비하고, 상기 고정 몸체부와 상기 표면 몸체부 경계영역에 상기 적어도 하나의 중공이 마련된 상부 전극판을 구비하는 전극부와, 상기 전극부에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원부 및 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단을 구비하는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. In addition, a chamber having a reaction space according to the present invention, a susceptor portion provided in the chamber, a fixed body portion coupled to the chamber fixed, and a surface body portion protruding from the fixed body portion toward the susceptor portion And an electrode part including an upper electrode plate provided with the at least one hollow in a boundary area between the fixed body part and the surface body part, a plasma power supply part for supplying plasma power to the electrode part, and heating to heat the inside of the chamber. A plasma processing apparatus having means is provided.

상기 중공은 상기 표면 몸체부 내에 마련되는 것이 바람직하다. The hollow is preferably provided in the surface body portion.

상기 중공 영역에 비활성 가스를 공급하는 비 활성 공급 수단을 더 구비하는 것이 효과적이다. It is effective to further have inert supply means for supplying an inert gas to the hollow region.

상기 챔버와 상기 고정 몸체부 사이에 마련된 절연부를 더 구비하는 것이 바람직하다. It is preferable to further include an insulating portion provided between the chamber and the fixed body portion.

공정 가스를 반응 공간에 분사하는 분사부와, 상기 분사부에 공정 가스를 제공하고 상기 분사부를 회전시키는 회전축과, 상기 챔버 외측에 마련되어 상기 회전축을 고정 지지하는 하우징과, 상기 회전축과 상기 하우징 사이를 밀봉하는 실링부를 포함하는 가스 공급부를 더 구비하는 것이 효과적이다. An injection unit for injecting a process gas into the reaction space, a rotation shaft for providing the process gas to the injection unit and rotating the injection unit, a housing provided outside the chamber to fix and support the rotation shaft, and between the rotation shaft and the housing. It is effective to further provide a gas supply part including a sealing part to seal.

상기 분사부는 상기 상부 전극과 상기 서셉터부 사이 영역에 마련되는 것이 바람직하다. Preferably, the injection part is provided in a region between the upper electrode and the susceptor part.

상기 서셉터부와 상기 가열 수단이 일체로 제작되는 것이 바람직하다. It is preferable that the susceptor portion and the heating means are made integrally.

상술한 바와 같이 본 발명은 전극부의 표면과 전극부가 지지 고정되는 면과의 접촉 면적을 줄여 전극부 표면의 열 에너지가 감소하는 현상을 방지할 수 있다. As described above, the present invention can reduce the contact area between the surface of the electrode portion and the surface on which the electrode portion is supported and fixed, thereby preventing a phenomenon in which thermal energy on the surface of the electrode portion is reduced.

또한, 본 발명은 전극부의 표면 온도 저하로 인해 발생하는 파티클 소스의 흡착을 줄여 플라즈마 처리 공정 중 발생하는 파티클양을 줄일 수 있다. In addition, the present invention can reduce the amount of particles generated during the plasma treatment process by reducing the adsorption of the particle source generated by the surface temperature of the electrode portion.

또한, 본 발명은 상부 전극을 가열하기 위한 수단(챔버 하부의 열원이 아닌, 직접적인 가열 수단)이 존재하지 않으므로, 실리 부재(O-ring 등과 같은)를 보호하기 위한 냉각수단이 필요치 않으므로 챔버 상부의 구조가 간단해진다. In addition, since the present invention does not have a means for heating the upper electrode (direct heating means, not a heat source in the lower chamber), there is no need for cooling means for protecting the silicing member (such as an O-ring). The structure is simplified.

또한, 본 발명은 상부 전극으로부터 챔버 리드로 빠져나가는 열을 감소시켜 열적인 충격에 약한 실링 부재 및 절연 부재 등을 보호할 수 있다. In addition, the present invention can reduce the heat exiting the chamber lead from the upper electrode to protect the sealing member and insulation member and the like that are susceptible to thermal shock.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 제 1 실시예에 따른 상부 전극을 설명하기 위한 도면이다. 도 3 및 도 4는 제 1 실시예의 변형예에 따른 상부 전극을 설명하기 위한 도면이다. 2 is a diagram for describing an upper electrode according to a first embodiment. 3 and 4 are diagrams for explaining an upper electrode according to a modification of the first embodiment.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 반응 공간을 갖는 챔버(100)와, 챔버(100) 내에 마련되어 기판(10)이 안치되는 서셉터부(200)와, 플라즈마 발생을 위한 전극부(500)와, 반응 공간에 공정 가스를 제공하는 가스 공급부(400)와, 상기 챔버(100) 내부를 가열하는 가열 수단(300)을 구비한다. Referring to FIG. 1, the plasma processing apparatus according to the present exemplary embodiment includes a chamber 100 having a reaction space, a susceptor portion 200 provided in the chamber 100 to place the substrate 10 thereon, and a plasma generating apparatus. An electrode unit 500, a gas supply unit 400 for providing a process gas to the reaction space, and a heating unit 300 for heating the inside of the chamber 100 are provided.

그리고, 상기 서셉터부(200)에 바이어스 전원을 제공하는 바이어스 전원부(600)와, 챔버(100) 내부의 가스를 배기하는 배기부(700)를 더 구비한다. The apparatus further includes a bias power supply unit 600 for providing a bias power to the susceptor unit 200, and an exhaust unit 700 for exhausting gas in the chamber 100.

상기 챔버(100)는 내부가 비어 있는 챔버 하측 몸체(110)와, 챔버 하측 몸체(110)를 덮는 챔버 리드(120)를 구비한다. 챔버 하측 몸체(110)는 상측이 개방되고, 내부가 비어 있는 기둥 형상으로 제작된다. 즉, 챔버 하측 몸체(110)는 바닥면과, 바닥면의 가장자리에서 돌출된 측벽면들을 구비한다. 상기 바닥면은 챔버(100)의 형태에 따라 다각형, 원형 또는 타원형과 같은 다양한 형상이 가능하다. 측벽면들과 바닥면을 통해 반응 공간이 마련된다. 챔버 리드(120)는 챔버 하측 몸체(110)와 결합하여 반응 공간을 밀봉한다. 챔버 리드(120)는 챔버(100)의 상부벽 역할을 수행한다. 그리고, 챔버 리드(120)는 챔버 하측 몸체(110)와 개폐 가능하도록 설치된다. 이를 통해 챔버 반응 공간의 세정 및 소모품의 교환과 같은 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있다. The chamber 100 includes a chamber lower body 110 having an empty inside, and a chamber lid 120 covering the chamber lower body 110. The chamber lower body 110 is manufactured in a columnar shape in which the upper side is opened and the inside is empty. That is, the chamber lower body 110 has a bottom surface and sidewall surfaces protruding from the edge of the bottom surface. The bottom surface may have various shapes such as polygon, circle or oval according to the shape of the chamber 100. The reaction space is provided through the side walls and the bottom surface. The chamber lid 120 is combined with the chamber lower body 110 to seal the reaction space. The chamber lid 120 serves as an upper wall of the chamber 100. The chamber lid 120 is installed to be opened and closed with the chamber lower body 110. This facilitates maintenance such as cleaning of the chamber reaction space and replacement of consumables.

도시되지 않았지만 챔버(100)의 일측에는 기판이 인입 및 인출되는 개폐부가 마련된다. 상기 챔버 하측 몸체(120)의 측벽면의 일측에 개폐부 즉, 게이트 밸브가 위치한다.Although not shown, one side of the chamber 100 is provided with an opening and closing portion through which the substrate is drawn in and drawn out. The opening and closing part, that is, the gate valve is located at one side of the side wall surface of the chamber lower body 120.

서셉터부(200)는 챔버(100) 내부로 인입되는 기판(10)을 안치한다. 서셉터 부(200)는 기판(10)을 안치하는 몸체(210)와, 몸체(210)를 구동시키는 구동부(220)와, 기판(10)을 몸체(210)에 안치시키는 리프트 핀(미도시)을 구비한다. 상기 몸체(210)는 단일 몸체로 구성될 수 있고, 복수의 몸체들이 결합되어 하나의 몸체를 이룰 수도 있다. 몸체(210)에는 리프트 핀이 관통하는 복수의 관통홀이 마련된다. 몸체(210)에는 전극 판이 마련될 수도 있다. 서셉터부(200)내에는 냉각 패스가 마련되어 기판(10)의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 도 1에서는 서셉터부(200) 상에 하나의 기판(10)이 안치됨이 도시되었다. 그러나 이에 한정되지 않고, 서셉터부(200) 상에 복수의 기판이 안치될 수 있다. 서셉터부(200)의 형상을 기판의 형상에 따라 원형, 타원형 또는 다각형 등의 다양한 형상으로 제작되는 것이 바람직하다. 그리고, 몸체(210)는 구동부(220)에 의해 회전 또는 상하 운동을 수행할 수 있다. The susceptor part 200 encloses the substrate 10 introduced into the chamber 100. The susceptor portion 200 includes a body 210 for placing the substrate 10, a driver 220 for driving the body 210, and a lift pin for placing the substrate 10 on the body 210. ). The body 210 may be configured as a single body, a plurality of bodies may be combined to form a body. The body 210 is provided with a plurality of through holes through which the lift pins pass. The body 210 may be provided with an electrode plate. A cooling path may be provided in the susceptor 200 to maintain a constant temperature of the substrate 10. In FIG. 1, one substrate 10 is placed on the susceptor 200. However, the present invention is not limited thereto, and a plurality of substrates may be disposed on the susceptor unit 200. The shape of the susceptor 200 is preferably manufactured in various shapes such as circular, elliptical or polygonal according to the shape of the substrate. In addition, the body 210 may perform rotation or vertical movement by the driving unit 220.

서셉터부(200)의 하측에 가열 수단(300)이 마련된다. 가열 수단(300)은 챔버(100) 내부를 가열한다. 가열 수단(300)은 기판(10) 표면이 공정 온도가 되도록 가열한다. 즉, 가열 수단(300)은 서셉터부(200)를 가열하여 그 상부에 마련된 기판(10)을 가열한다. 그리고, 가열 수단(300)의 열은 서셉터부(200) 상측에 마련된 전극부(400)도 함께 가열한다. 서셉터부(200)는 열 전도 특성이 우수한 물질로 제작한다. 상기의 가열 수단(300)으로 전기 히터 또는 램프 히터를 사용할 수 있다. 본 실시예에서는 서셉터부(200) 하측에 가열 수단(300)으로 복수의 램프 히터를 두어 서셉터부(200)를 가열하는 것이 바람직하다. 램프 히터를 서셉터부(200) 하측에 두어 플라즈마에 의한 램프 히터의 손상을 방지하고, 파티클이 램프 히터에 흡 착되는 것을 방지할 수 있다. The heating means 300 is provided below the susceptor portion 200. The heating means 300 heats the interior of the chamber 100. The heating means 300 heats the surface of the substrate 10 to a process temperature. That is, the heating means 300 heats the susceptor portion 200 to heat the substrate 10 provided thereon. In addition, the heat of the heating means 300 also heats the electrode unit 400 provided above the susceptor unit 200. The susceptor portion 200 is made of a material having excellent heat conduction characteristics. An electric heater or a lamp heater may be used as the heating means 300. In the present embodiment, the susceptor 200 is preferably heated by placing a plurality of lamp heaters under the susceptor 200 with the heating means 300. The lamp heater may be placed under the susceptor 200 to prevent damage to the lamp heater by plasma and to prevent particles from adsorbing to the lamp heater.

가스 공급부(400)는 공정 가스가 저장된 가스 저장부(410)와, 공정 가스를 반응 공간에 분사하는 분사부(420)와, 상기 분사부(420)와 가스 저장부(410) 사이에 마련되어 공정 가스를 분사부(420)에 제공하고 분사부(420)를 회전시키는 가스 제공부(430)를 구비한다. The gas supply unit 400 is provided between the gas storage unit 410 in which the process gas is stored, an injection unit 420 for injecting the process gas into the reaction space, and between the injection unit 420 and the gas storage unit 410. The gas providing unit 430 is provided to supply the gas to the injection unit 420 and rotate the injection unit 420.

가스 저장부(410)는 공정 가스를 저장하고, 유량 제어기를 구비하여 분사부(420)에 공급되는 공정 가스의 유량을 일정하게 제어한다. 분사부(420)는 내부가 비어 있는 봉 형상으로 제작되고, 기판(10) 방향으로 복수의 분사 노즐이 마련된다. The gas storage unit 410 stores the process gas, and has a flow controller to control the flow rate of the process gas supplied to the injection unit 420 at a constant level. The injection unit 420 is manufactured to have a rod shape having an empty inside, and a plurality of injection nozzles are provided in the direction of the substrate 10.

가스 제공부(430)는 챔버 리드(120)를 관통하여 반응 공간의 분사부(420)에 접속된 회전축(431)과, 상기 챔버 리드(420) 상측으로 돌출된 회전축(431)을 고정하는 하우징(432)과, 회전축(431)과 하우징(432) 사이에서 회전축(431)을 지지하는 실링부(433)를 구비한다. 회전축(431)의 내부에는 공정 가스가 이송하는 가스 유로가 마련된다. 그리고, 상기 회전축(431)의 가스 유로와 분사부(420)의 내부 공간은 연통된다. 이때, 회전축(431)에는 적어도 하나의 가스 유로를 구비하고, 상기 가스 유로에 접속된 적어도 하나의 분사부(420)가 마련된다. 이를 통해 본 실시예에 따른 가스 공급부(400)는 각기 서로 다른 공정 가스를 챔버(100)의 반응 공간에 분사할 수 있다. 본 실시예의 회전축(431)은 회전하게 되고, 이에 따라 회전축(431)에 접속된 분사부(420)도 함께 회전한다. 하우징(432)은 회전하는 회전축(431)을 고정한다. 이때, 이들 사이의 고정은 베어링을 사용하는 것이 바람직하 다. 이때, 회전축(431)은 챔버(100)의 반응 공간으로 연장되어 있다. 즉, 챔버 리드(120)에는 회전축(431)이 관통하는 관통공이 마련된다. 이로인해 챔버(100)의 반응 공간의 밀봉이 파괴될 수 있으므로, 회전축(431)과, 회전축(431)을 감싸는 하우징(432) 사이에 실링부(433)를 설치하여 반응 공간을 밀봉한다. 실링부(433)로는 마크네트 시일을 사용하는 것이 효과적이다. 그리고, 하우징(432)과 챔버 리드(120)사이에는 오링과 같은 실링 부재가 마련되는 것이 효과적이다. The gas providing part 430 penetrates the chamber lid 120 and fixes the rotary shaft 431 connected to the injection portion 420 of the reaction space and the rotary shaft 431 protruding upward from the chamber lid 420. 432 and a sealing portion 433 supporting the rotating shaft 431 between the rotating shaft 431 and the housing 432. The gas flow path through which the process gas is provided is provided inside the rotation shaft 431. In addition, the gas flow path of the rotation shaft 431 and the internal space of the injection unit 420 communicate with each other. At this time, the rotary shaft 431 is provided with at least one gas flow path, and at least one injection unit 420 connected to the gas flow path is provided. Through this, the gas supply unit 400 according to the present exemplary embodiment may inject different process gases into the reaction space of the chamber 100. The rotary shaft 431 of the present embodiment is rotated, so that the injection portion 420 connected to the rotary shaft 431 also rotates. The housing 432 fixes the rotating shaft 431. At this time, it is preferable to use a bearing for fixing between them. At this time, the rotation shaft 431 extends into the reaction space of the chamber 100. That is, the chamber lead 120 is provided with a through hole through which the rotation shaft 431 passes. Because of this, the sealing of the reaction space of the chamber 100 may be broken, so that the sealing portion 433 is provided between the rotating shaft 431 and the housing 432 surrounding the rotating shaft 431 to seal the reaction space. It is effective to use a marknet seal as the sealing portion 433. In addition, it is effective that a sealing member such as an O-ring is provided between the housing 432 and the chamber lid 120.

전극부(500)는 챔버 리드(120) 하측에 마련된 상부 전극(510)과, 상기 상부 전극(510)에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부(520)를 구비한다. 상부 전극(510)은 도 2에 도시된 바와 같이 표면부(511)와, 표면부(511)를 지지하고 챔버 리드(120)와 결합될 연결부(512)를 구비한다. 도 2의 (a)는 상부 전극(510)의 평면도이고, (b)는 상부 전극(510)의 단면도이다.The electrode unit 500 includes an upper electrode 510 provided below the chamber lid 120, and a plasma power supply unit 520 that provides plasma power to the upper electrode 510. As illustrated in FIG. 2, the upper electrode 510 includes a surface portion 511 and a connection portion 512 to support the surface portion 511 and to be coupled to the chamber lid 120. 2A is a plan view of the upper electrode 510, and FIG. 2B is a cross-sectional view of the upper electrode 510.

전극부(500)의 상부 전극(510)은 가스 공급부(450)의 분사부(420)와, 챔버 리드(120) 사이 공간에 마련된다. 이를 통해 상부 전극(510)의 중심(즉, 표면부(510)의 중심)에는 홀(513)이 마련된다. 여기서 플라즈마 전원부(520)는 공급 라인을 통해 상부 전극(510)의 표면부(510)에 플라즈마 전원을 제공한다. The upper electrode 510 of the electrode unit 500 is provided in a space between the injection unit 420 of the gas supply unit 450 and the chamber lid 120. As a result, a hole 513 is provided in the center of the upper electrode 510 (that is, the center of the surface portion 510). The plasma power supply 520 provides plasma power to the surface portion 510 of the upper electrode 510 through a supply line.

상부 전극(510)의 표면부(511)는 도 2에 도시된 바와 같이 원형 판 형상으로 제작된다. 그러나 이의 형상은 원형 판에 한정되지 않고, 하부 기판(10)의 형상 또는 서셉터부(200)의 형상에 따라 다양하게 변화할 수 있다. 연결부(512)는 도 2에 도시된 바와 같이 띠 형상으로 마련된다. 연결부(512)는 지름이 각기 다른 3개의 원형 띠를 구비한다. 이때, 표면부(511)와 연결부(512)는 일체로 제작되거나 각기 분리 제작될 수 있다. 표면부(511)와 연결부(512)가 일체로 제작되는 경우 소정 두께의 전극판의 일부를 제거하여 그 일부를 리세스 시켜 표면부(511)과 연결부(512)를 제작할 수 있다. 또는 소정 틀을 이용하여 표면부(511)와 연결부(512)가 일체화된 전극을 제작할 수 있다. 또는 먼저 얇은 전극 판 형태의 표면부(511)을 제작한다. 이어서, 띠 형태의 연결부(512)를 제작한 다음 연결부(512)와 표면부(511)을 결합하여 상부 전극(510)을 형성할 수 있다. The surface portion 511 of the upper electrode 510 is manufactured in a circular plate shape as shown in FIG. However, the shape thereof is not limited to the circular plate, and may be variously changed according to the shape of the lower substrate 10 or the shape of the susceptor part 200. The connection part 512 is provided in strip shape as shown in FIG. The connecting portion 512 has three circular bands of different diameters. In this case, the surface portion 511 and the connection portion 512 may be manufactured integrally or separately manufactured. When the surface portion 511 and the connection portion 512 are integrally manufactured, the surface portion 511 and the connection portion 512 may be manufactured by removing a portion of the electrode plate having a predetermined thickness and recessing the portion. Alternatively, an electrode in which the surface portion 511 and the connection portion 512 are integrated may be manufactured using a predetermined mold. Alternatively, first, the surface portion 511 in the form of a thin electrode plate is manufactured. Subsequently, a strip-shaped connection part 512 may be manufactured, and then the upper part 510 may be formed by combining the connection part 512 and the surface part 511.

여기서, 상기 표면부(511)는 전극판으로 작용하여 그 하측 영역에 플라즈마를 발생시킨다. 상기 연결부(512)는 표면부(511)를 지지하여 표면부(511)가 처지는 것을 예방한다. 즉, 표면부(511)는 두께가 얇고 그 판이 매우 넓다. 따라서, 표면부(511)은 자중에 의해 처짐이 발생하게 된다. 이는 균일한 플라즈마 발생을 저해 할 뿐만 아니라 상부 전극(510)이 쉽게 손상되는 문제가 발생한다. 따라서, 본 실시예에서는 이를 예방하기 위해 연결부(512)를 두어 표면부(511)의 처짐을 방지한다. Here, the surface portion 511 serves as an electrode plate to generate a plasma in the lower region. The connection part 512 supports the surface part 511 to prevent the surface part 511 from sagging. That is, the surface portion 511 is thin and its plate is very wide. Therefore, the surface portion 511 sags due to its own weight. This not only inhibits uniform plasma generation but also causes a problem that the upper electrode 510 is easily damaged. Therefore, in this embodiment, the connection part 512 is provided to prevent the deflection of the surface part 511 to prevent this.

또한, 본 실시예에서는 상부 전극(510)을 두꺼운 판형상으로 제작하여 챔버 리드(120)에 부착하지 않고, 얇은 두께의 표면부(511)와, 표면부(511)를 지지하고 챔버 리드(120)에 부착된 연결부(512)를 두어 상부 전극(510) 표면의 열에너지의 손실을 최소화할 수 있다. 즉, 상부 전극(510)은 하측의 가열 수단(300)에 의해 가열된다. 하지만, 기존에는 상부 전극(510)은 두꺼운 판 형상으로 제작되고, 이 판이 챔버(100)의 챔버 리드(120)에 부착되어 있기 때문에 상부 전극(510) 표면의 대부분의 열에너지는 챔버 리드(120)에 빼앗기게 되어 상부 전극(510)의 표면 온도가 저하되는 문제가 발생하였다. 하지만, 본 실시예에서와 같이 상부 전극(510)은 연결부(512)를 구비하고, 연결부(512)만이 챔버 리드(120)에 부착되도록 하여 챔버 리드(120)와 상부 전극(150)과의 접촉 면적을 줄임으로 인해 상부 전극(510) 표면의 열 에너지를 챔버 리드(120)에 빼앗기는 현상을 줄일 수 있다. 이를 통해 가열수단(300)에 의해 가열된 상부 전극(510)의 표면 온도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 상기 연결부(512)의 두께를 매우 얇게 하여 표면부(511)의 열이 챔버 리드(120)을 전달되는 것을 막아 표면부(511)의 온도 변화를 최소화할 수 있습니다. 이때, 상기 연결부(512)의 두께는 상기 표면부(511)의 두께와 동일하거나 이보다 더 얇은 것이 바람직하다. 또한, 상기 연결부(512)로 절연 물질을 사용하는 것이 가능하다. 이때, 연결부(512)로 열전도성이 낮은 절연물질을 사용하여 판형 상의 표면부(511)의 열이 챔버 리드(120)으로 전달되는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. In addition, in the present embodiment, the upper electrode 510 is formed in a thick plate shape and is not attached to the chamber lead 120. Instead, the surface electrode 511 and the surface portion 511 are supported to support the chamber lead 120. The connection part 512 may be attached to the bottom surface of the upper electrode 510 to minimize the loss of thermal energy. That is, the upper electrode 510 is heated by the lower heating means 300. However, conventionally, the upper electrode 510 is manufactured in a thick plate shape, and since the plate is attached to the chamber lid 120 of the chamber 100, most of the thermal energy on the surface of the upper electrode 510 is changed to the chamber lid 120. Due to the loss of the surface temperature of the upper electrode 510 occurred. However, as in the present embodiment, the upper electrode 510 includes a connecting portion 512, and only the connecting portion 512 is attached to the chamber lid 120, thereby contacting the chamber lid 120 and the upper electrode 150. By reducing the area, it is possible to reduce the phenomenon that the thermal energy of the surface of the upper electrode 510 is lost to the chamber lid 120. This may prevent the surface temperature of the upper electrode 510 heated by the heating means 300 from being lowered. In addition, in the present embodiment, the thickness of the connection part 512 is made very thin to prevent the heat of the surface part 511 from being transferred to the chamber lid 120, thereby minimizing the temperature change of the surface part 511. In this case, the thickness of the connection portion 512 is preferably equal to or thinner than the thickness of the surface portion 511. In addition, it is possible to use an insulating material as the connecting portion 512. In this case, the heat of the surface portion 511 of the plate shape may be effectively prevented from being transferred to the chamber lid 120 by using an insulating material having low thermal conductivity as the connecting portion 512.

상기 상부 전극(510)과 챔버 리드(120)가 결합되는 경우, 챔버 리드(120)와 상부 전극(510)의 연결부(512)와 표면부(511)에 의해 중공 영역이 형성된다. 이러한 중공 영역 들간의 연통을 위해 상기 연결부(512)에는 소정의 연통홀(514)이 마련된다. 상부 전극(510)과 챔버 리드(120) 간이 결합할 경우 열적인 팽창으로 인해 이들의 결합면 사이에 갭이 발생하고 상기 갭으로 공정 가스가 침투하여 증착되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 증착 공정 중 공정 가스가 상기 중공 영역으로 침투하여 증착되는 현상을 방지하기 위해 중공 영역에 비활성 가스를 제공하는 것이 효과적이다. 이에 본 실시예에서는 도 1에 도시된 바와 같이 챔버 리드(120)를 관통하여 상기 중공 영역에 비 활성 가스를 공급하는 별도의 비활성 가스 공급 수단(450)을 더 구비한다. When the upper electrode 510 and the chamber lead 120 are coupled to each other, a hollow region is formed by the connecting portion 512 and the surface portion 511 of the chamber lead 120 and the upper electrode 510. In order to communicate between the hollow areas, the connection part 512 is provided with a predetermined communication hole 514. When the upper electrode 510 and the chamber lead 120 are coupled to each other, a gap may occur between the coupling surfaces due to thermal expansion and a process gas may penetrate into the gap and be deposited. Therefore, in order to prevent the process gas from penetrating into the hollow region and being deposited during the deposition process, it is effective to provide an inert gas in the hollow region. In this embodiment, as shown in FIG. 1, a further inert gas supply means 450 is provided to penetrate the chamber lid 120 and supply the inert gas to the hollow region.

그리고, 도시되지 않았지만, 상기 챔버 리드(120)와 상부 전극(510) 사이에 소정의 절연부가 마련된다. 즉, 상기 상부 전극(510)에는 고주파 전원이 인가되고, 챔버 리드(120)를 포함하는 챔버(100)에는 접지 전원이 인가되기 때문에 이둘 간을 절연해 주는 것이 바람직하다. 이와 같은 경우 상기 상부 전극(510)의 열 에너지는 챔버 리드(120) 뿐만 아니라 절연부에도 전달되어 상부 전극(510)의 표면 온도를 더욱 감소시킬 수 있다. 하지만, 본 실시예에서는 절연부와 상부 전극(510) 간의 접촉 면적을 줄여 줌으로 인해 열 에너지의 전도율을 감소시킬 수 있고, 이를 통해 상부 전극(510) 표면의 온도 저하를 방지할 수 있다. 이를 통해 상부 전극(510)의 온도 저하로 인한 파티클 발생을 줄일 수 있다. 또한, 상부 전극(510)으로부터 챔버 리드(120)로 빠져나가는 열을 감소시켜 열적인 충격에 약한 실링 부재 및 절연 부재 등을 보호할 수 있다. 또한, 상부 전극(510)을 가열하기 위한 별도의 가열 수단을 구비하지 않으므로 인해 실링 부재와 같이 열화되기 쉬운 부재들을 보호하기 위한 냉각 수단을 설치하지 않아도 되기 때문에 챔버 상측의 구조가 간단해 질 수 있습니다. Although not shown, a predetermined insulating portion is provided between the chamber lead 120 and the upper electrode 510. That is, since the high frequency power is applied to the upper electrode 510 and the ground power is applied to the chamber 100 including the chamber lead 120, it is preferable to insulate the two electrodes. In this case, the thermal energy of the upper electrode 510 may be transferred to the insulating part as well as the chamber lead 120 to further reduce the surface temperature of the upper electrode 510. However, in the present embodiment, the conductivity of thermal energy may be reduced by reducing the contact area between the insulating portion and the upper electrode 510, thereby preventing the temperature of the surface of the upper electrode 510 from being lowered. As a result, particle generation due to a temperature drop of the upper electrode 510 may be reduced. In addition, the heat exiting from the upper electrode 510 to the chamber lid 120 may be reduced to protect the sealing member, the insulation member, and the like, which are vulnerable to thermal shock. In addition, since a separate heating means for heating the upper electrode 510 is not provided, the structure of the upper side of the chamber can be simplified because it is not necessary to install a cooling means for protecting the members that are easily deteriorated such as the sealing member. .

그리고, 도시되지 않았지만, 연결부(512)의 일측에는 챔버 리드(120)와 결합하기 위한 별도의 결합 영역이 마련되는 것이 효과적이다. 그리고, 상술한 효과를 갖는 연결부(512)의 형상을 도 2에서와 같은 원형 띠 형상에 한정되지 않고, 다양한 형상이 가능하다. 즉, 도 3의 변형예에서와 같이 연결부(512)는 중심에 마련된 제 1 원형 띠와, 표면부(511)의 가장자리에 마련된 제 3 원형 띠와, 제 1 및 제 3 원형 띠 사이에 마련된 제 2 원형 띠 그리고, 상기 제 1 원형 띠에서 제 3 원형 띠 방향으로 방사상으로 연장된 복수의 직선 바를 구비한다. 이를 통해 표면부(511)의 처짐을 방지할 수 있다. 이때, 상기 바는 직선에 한정되지 않고, 곡선 또는 절곡된 직선 형상일 수도 있다. 그리고, 도 2의 실시예에 따른 연결부(512) 즉, 원형 띠 형상의 연결부를 통해 제작된 중공 영역은 원형 띠 형상으로 제작된다. 그러나 도 3의 변형예에 따른 구조의 연결부(512)를 통해 마련되는 중공 영역의 형상은 부채꼴 형상으로 제작된다. 또한, 도 4의 변형예에서와 같이 연결부(512)는 교차하는 복수의 직선 바를 구비할 수도 있다. 즉, 연결부(512)는 표면부(511)의 가장자리에 마련된 원형띠와, 원형띠 내측에 메쉬 패턴을 형상하도록 수평 또는 수직 방향으로 연장된 복수의 직선 바를 구비한다. 이와 같은 도 4의 변형예에 따른 구조의 연결부(512)를 통해 마련되는 중공 영역의 형상은 사각형 형태로 제작된다. 또한, 도 5의 변형예에서와 같이 연결부(512)는 직선과 사선 형태의 연결 바를 구비한다. 그리고, 도 5의 변형예에 따른 구조의 연결부(512)를 통해 마련되는 중공 영역의 형상은 벌집 모양 형태로 제작된다. 물론 이에 한정되지 않고, 상기 중공 영역의 형상은 연결부(512)의 직선형 바의 형상에 따라 제작되는 중공 영역의 형상은 다각형 형상, 원 형상 또는 타원 형상으로 제작될 수 있다. And, although not shown, it is effective to provide a separate coupling region for coupling with the chamber lead 120 on one side of the connecting portion 512. In addition, the shape of the connecting portion 512 having the above-described effect is not limited to the circular band shape as shown in FIG. 2, and various shapes are possible. That is, as in the modification of FIG. 3, the connection part 512 may include a first circular band provided at the center, a third circular band provided at the edge of the surface part 511, and a first circular band provided between the first and third circular bands. And two circular bands and a plurality of straight bars extending radially from the first circular band in the direction of the third circular band. Through this, sagging of the surface portion 511 may be prevented. In this case, the bar is not limited to a straight line but may be curved or bent straight. In addition, the hollow portion manufactured through the connecting portion 512, that is, the circular band-shaped connecting portion according to the exemplary embodiment of FIG. 2, may be manufactured in a circular band shape. However, the hollow region provided through the connecting portion 512 of the structure of FIG. 3 is manufactured in the shape of a fan. In addition, as in the modification of FIG. 4, the connection part 512 may include a plurality of straight bars that intersect. That is, the connection part 512 includes a circular band provided at the edge of the surface part 511 and a plurality of straight bars extending in the horizontal or vertical direction to form a mesh pattern inside the circular band. The hollow area provided through the connection part 512 of the structure according to the modification of FIG. 4 is manufactured in a rectangular shape. In addition, as in the modification of FIG. 5, the connection part 512 includes a connection bar having a straight line and an oblique shape. And, the shape of the hollow region provided through the connecting portion 512 of the structure according to the modification of Figure 5 is manufactured in the form of a honeycomb. Of course, the shape of the hollow area is not limited thereto, and the shape of the hollow area manufactured according to the shape of the straight bar of the connection part 512 may be manufactured in a polygonal shape, a circular shape, or an elliptic shape.

또한, 상술한 플라즈마 처리 장치는 상술한 구성에 한정되지 않고, 다양한 변형예가 가능하다. 하기에서는 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 관해 설명한다. 후술되는 설명중 상술한 설명과 중복되는 설명은 생략한다. 후술되는 설명 의 기술은 상술한 설명에 적용될 수 있다. In addition, the above-described plasma processing apparatus is not limited to the above-described configuration, and various modifications are possible. Hereinafter, a plasma processing apparatus according to a second embodiment will be described. The description overlapping with the above description will be omitted. The description of the following description can be applied to the above description.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도이다. 6 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예의 플라즈마 처리 장치의 전극부(500)는 표면 몸체부(532)와, 고정 몸체부(531)를 갖는 상부 전극판(530)과, 상부 전극판(530)에 플라즈마 전원을 제공하는 플라즈마 전원부(520)를 구비하고, 상기 표면 몸체부(532)와 고정 몸체부(531) 사이에 복수의 중공(533)이 마련된다. Referring to FIG. 6, the electrode portion 500 of the plasma processing apparatus of this embodiment includes a surface body portion 532, an upper electrode plate 530 having a fixed body portion 531, and an upper electrode plate 530. A plasma power supply unit 520 is provided to provide plasma power, and a plurality of hollows 533 are provided between the surface body part 532 and the fixed body part 531.

고정 몸체부(531)는 챔버(100) 상측의 챔버 리드(120)에 결합 고정된다. 도 5에 도시된 바와 같이 챔버 리드(120)는 장착홈을 구비하고, 상기 장착홈 내에 고정 몸체부(531)가 장착된다. 고정 몸체부(531)는 판 형상으로 제작되고, 판의 가장자리도 돌출된 지지돌기를 구비한다. 챔버 리드(120)의 장착홈은 상기 판 형상의 고정 몸체부(531)에 대응되는 홈 형상으로 제작되고, 상기 지지돌기를 지지 고정하기 위한 돌출부를 구비한다. 이를 통해 도 6에 도시된 바와 같이 지지돌기가 돌출부에 고정되어 고정 몸체부(531)를 고정시킨다. 그리고, 상기 고정 몸체부(531)와 챔버 리드(120)의 장착홈 사이에는 오링부가 마련된다. 즉, 상기 지지돌기와 돌출부 사이에 오링부가 형성된다. 이와같은 오링부를 통해 고정 몸체부(531)와 챔버 리드(120)의 장착홈 사이 공간에서 진공이 파기되는 것을 방지할 수 있다.The fixed body portion 531 is fixedly coupled to the chamber lid 120 above the chamber 100. As shown in FIG. 5, the chamber lid 120 has a mounting groove, and a fixing body 531 is mounted in the mounting groove. The fixed body portion 531 is formed in a plate shape, and also has a support protrusion protruding the edge of the plate. The mounting groove of the chamber lid 120 is manufactured in a groove shape corresponding to the plate-shaped fixing body 531 and includes a protrusion for supporting and fixing the support protrusion. As a result, as shown in FIG. 6, the support protrusion is fixed to the protrusion to fix the fixing body 531. In addition, an O-ring part is provided between the fixing body 531 and the mounting groove of the chamber lid 120. That is, an O-ring portion is formed between the support protrusion and the protrusion. Through such an O-ring portion, it is possible to prevent the vacuum from being broken in the space between the fixing body 531 and the mounting groove of the chamber lid 120.

그리고, 고정 몸체부(531)와 챔버 리드(120) 사이에는 절연부(800)가 마련되는 것이 바람직하다. 이때, 절연부(800)는 고주파 전원이 인가되는 고정 몸체부(531)와 접지 전원이 인가되는 챔버 리드(120) 사이를 전기적으로 절연시킬 수 있는 다양한 형태의 물질들이 사용될 수 있다. In addition, an insulation portion 800 is preferably provided between the fixed body portion 531 and the chamber lid 120. In this case, the insulating part 800 may use various types of materials that may electrically insulate between the fixed body part 531 to which high frequency power is applied and the chamber lead 120 to which ground power is applied.

표면 몸체부(532)는 챔버 리드(120)에서 반응 공간으로 돌출된 판 형상으로 제작된다. 이와 같이 반응 공간으로 돌출된 표면 몸체부(532)는 반응 공간의 열원(즉, 가열 수단)으로부터 열 에너지를 받아 가열된다. 본 실시예에서는 고정 몸체부(531)와 접속되는 표면 몸체부(532)에 중공(533)이 마련된다. 물론 본 실시예에서는 상기 중공(533) 내부를 고온에 견디며, 열전도성이 상기 전극부(500)보다 작은 물질로 충진할 수 있다.The surface body portion 532 is manufactured in a plate shape protruding from the chamber lid 120 into the reaction space. As such, the surface body 532 protruding into the reaction space is heated by receiving thermal energy from a heat source (ie, a heating means) of the reaction space. In this embodiment, the hollow 533 is provided in the surface body portion 532 connected to the fixed body portion 531. Of course, in the present embodiment, the inside of the hollow 533 may be resistant to high temperature, and the thermal conductivity may be filled with a material smaller than that of the electrode part 500.

상술한 중공(533)을 통해 챔버 리드(120)와 접속된 고정 몸체부(531)와 표면 몸체부(532)간의 접촉 면적을 줄여 표면 몸체부(532) 표면에 인가된 열 에너지가 고정 몸체부(531)로 전도되어 챔버 리드(120) 또는 절연부(800)에 빼앗기는 효과를 줄일 수 있다. 즉, 예를 들어 표면 몸체부(532)와 고정 몸체부(531)의 경계영역에 중공(533)이 없는 경우에는 이들 경계영역 전체를 통하여 표면 몸체부(532)에 제공된 열 에너지가 고정 몸체부(531)로 전도될 수 있다. 하지만, 표면 몸체부(532)와 고정 몸체부(531) 사이에 중공(533)이 형성되는 경우, 중공(533) 영역을 제외한 경계 영역에서만 열 에너지의 전도가 이루어지기 때문에 그만큼 열 전도도가 저하되고, 이는 표면 몸페부(532) 표면의 열 에너지를 유지할 수 있음을 의미한다. 상기의 중공(533)은 표면 몸체부(532) 뿐만 아니라 고정 몸체부(531)에도 마련될 수 있다. 중공부(533)은 표면 몸체부(532)에 형성되는 것이 효과적이다. 이는 표면 몸체부(532)의 표면 영역의 두께가 얇고, 고정 몸체부(531)와의 경계영역에서 접하는 면이 적을수록 표면 몸체부(532) 표면의 열을 일정하게 유지할 수 있다.  The heat energy applied to the surface of the surface body portion 532 is reduced by reducing the contact area between the fixed body portion 531 and the surface body portion 532 connected to the chamber lid 120 through the hollow 533. Conductive to 531 can reduce the effect of being taken into the chamber lead 120 or the insulating portion 800. That is, for example, when there is no hollow 533 in the boundary region between the surface body portion 532 and the fixed body portion 531, the heat energy provided to the surface body portion 532 through the entire boundary region is fixed body portion. (531). However, when the hollow 533 is formed between the surface body portion 532 and the fixed body portion 531, the thermal conductivity is lowered because the conduction of thermal energy is made only in the boundary region except the hollow 533 region. This means that the heat energy of the surface body 532 surface can be maintained. The hollow 533 may be provided in the fixed body portion 531 as well as the surface body portion 532. The hollow portion 533 is effectively formed in the surface body portion 532. This is because the thickness of the surface area of the surface body portion 532 is thin, and the smaller the surface contacted in the boundary region with the fixed body portion 531, the heat of the surface of the surface body portion 532 can be kept constant.

또한, 본 실시예에서는 서셉터부(200)의 몸체(210) 내에 가열 수단(300)이 마련된다. 이를 통해 가열 수단(300)은 서셉터부(200)의 몸체(210)를 가열하여 몸체(210) 상에 마련된 기판(10)을 가열하고 또한, 기판(10) 상부에 위치한 전극부(500)를 가열할 수 있다. 이때, 상기 가열 수단(300)으로 전기 히터를 사용하는 것이 효과적이다. In addition, in the present embodiment, the heating means 300 is provided in the body 210 of the susceptor portion 200. Through this, the heating means 300 heats the body 210 of the susceptor part 200 to heat the substrate 10 provided on the body 210, and further, the electrode part 500 positioned on the substrate 10. Can be heated. At this time, it is effective to use an electric heater as the heating means 300.

본 발명은 상기에서 서술된 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be implemented in various forms. That is, the above embodiments are provided to make the disclosure of the present invention complete and to fully inform those skilled in the art of the scope of the present invention, and the scope of the present invention should be understood by the claims of the present application. .

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도. 1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 제 1 실시예에 따른 상부 전극을 설명하기 위한 도면. 2 is a view for explaining an upper electrode according to the first embodiment;

도 3 및 도 4는 제 1 실시예의 변형예에 따른 상부 전극을 설명하기 위한 도면. 3 and 4 are diagrams for explaining an upper electrode according to a modification of the first embodiment.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도. 5 is a sectional view of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 기판 100 : 챔버10 substrate 100 chamber

200 : 서셉터부 300 : 가열부200: susceptor portion 300: heating portion

400 : 가스 공급부 500 : 전극부400: gas supply part 500: electrode part

510 : 상부 전극 520 : 플라즈마 전원부510: upper electrode 520: plasma power supply

530 : 상부 전극판530: upper electrode plate

Claims (12)

하부 몸체와 챔버 리드를 구비하는 챔버;A chamber having a lower body and a chamber lid; 상기 챔버 내에 마련된 서셉터부;A susceptor portion provided in the chamber; 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단;Heating means for heating the inside of the chamber; 상기 서셉터부에 대향하는 판 형상의 표면부와, 상기 표면부와 상기 챔버 리드를 연결하여 격리된 복수의 중공 영역을 만드는 적어도 하나의 연결부를 구비하는 상부 전극; 및An upper electrode having a plate-shaped surface portion facing the susceptor portion and at least one connecting portion connecting the surface portion and the chamber lid to form a plurality of isolated hollow regions; And 상기 상부 전극에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원부를 구비하는 플라즈마 처리 장치. And a plasma power supply unit supplying plasma power to the upper electrode. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 중공 영역에 비활성 가스를 공급하는 비 활성 공급 수단을 더 구비하는 플라즈마 처리 장치. And an inert supply means for supplying an inert gas to the hollow region. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 연결부는 적어도 하나의 원형 띠 및 적어도 하나의 바 중 적어도 어느 하나를 구비하는 플라즈마 처리 장치. And the connection portion includes at least one of at least one circular band and at least one bar. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 복수의 중공 영역 간이 연통된 플라즈마 처리 장치. And a plurality of hollow regions in communication with each other. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 연결부는 절연 물질로 제작된 플라즈마 처리 장치. The connection unit is a plasma processing apparatus made of an insulating material. 반응 공간을 갖는 챔버;A chamber having a reaction space; 상기 챔버 내에 마련된 서셉터부;A susceptor portion provided in the chamber; 상기 챔버에 결합 고정된 고정 몸체부와, 상기 고정 몸체부에서 상기 서셉터부 방향으로 돌출된 표면 몸체부를 구비하고, 상기 고정 몸체부와 상기 표면 몸체부 경계영역에 상기 적어도 하나의 중공이 마련된 상부 전극판을 구비하는 전극부;An upper portion having a fixed body portion coupled to the chamber and a surface body portion protruding from the fixed body portion in the direction of the susceptor portion, wherein the at least one hollow is provided at a boundary area between the fixed body portion and the surface body portion; An electrode unit having an electrode plate; 상기 전극부에 플라즈마 전원을 공급하는 플라즈마 전원부; 및A plasma power supply unit supplying plasma power to the electrode unit; And 상기 챔버 내부를 가열하는 가열 수단을 구비하는 플라즈마 처리 장치.And a heating means for heating the inside of the chamber. 청구항 6에 있어서, The method according to claim 6, 상기 중공은 상기 표면 몸체부 내에 마련된 플라즈마 처리 장치. The hollow is a plasma processing apparatus provided in the surface body portion. 청구항 6에 있어서, The method according to claim 6, 상기 중공 영역에 비활성 가스를 공급하는 비 활성 공급 수단을 더 구비하는 플라즈마 처리 장치. And an inert supply means for supplying an inert gas to the hollow region. 청구항 6에 있어서, The method according to claim 6, 상기 챔버와 상기 고정 몸체부 사이에 마련된 절연부를 더 구비하는 플라즈마 처리 장치. And an insulation portion provided between the chamber and the fixed body portion. 청구항 1 또는 청구항 6에 있어서, The method according to claim 1 or 6, 공정 가스를 반응 공간에 분사하는 분사부와, An injection unit for injecting process gas into the reaction space; 상기 분사부에 공정 가스를 제공하고 상기 분사부를 회전시키는 회전축과, A rotating shaft for supplying a process gas to the spray unit and rotating the spray unit; 상기 챔버 외측에 마련되어 상기 회전축을 고정 지지하는 하우징과, A housing provided outside the chamber to fix and support the rotating shaft; 상기 회전축과 상기 하우징 사이를 밀봉하는 실링부를 포함하는 가스 공급부를 더 구비하는 플라즈마 처리 장치. And a gas supply unit including a sealing unit for sealing between the rotating shaft and the housing. 청구항 10에 있어서, The method according to claim 10, 상기 분사부는 상기 상부 전극과 상기 서셉터부 사이 영역에 마련된 플라즈마 처리 장치.The spraying unit is provided in the region between the upper electrode and the susceptor unit. 청구항 1 또는 청구항 6에 있어서, The method according to claim 1 or 6, 상기 서셉터부와 상기 가열 수단이 일체로 제작된 플라즈마 처리 장치.And the susceptor portion and the heating means are integrally manufactured.
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KR101420709B1 (en) * 2013-03-11 2014-07-22 참엔지니어링(주) Substrate supporting apparatus and substrate processing apparatus having the same

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