KR20090005387A - 하강가능한 처리챔버 천정을 갖는 ｃｖｄ 반응로 - Google Patents

하강가능한 처리챔버 천정을 갖는 ｃｖｄ 반응로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판(4) 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치에 관한 것으서, 상기 장치는 반응로 하우징(1) 내에 배열되는 처리 챔버(2)와 기판이 상부에 놓이는 가열가능한 바닥(3)과 상기 바닥(3)으로부터 평행하게 연장하는 천정(5), 및 처리 가스를 유입시키는 가스 입구 수단(6)을 포함한다. 상기 처리 챔버의 천정(5)과 처리 챔버의 바닥(3) 사이의 거리(H)는 실질적으로 제로로 감소될 수 있다. 상기 처리 챔버의 천정(5) 위에 배열되는 냉각 조립체(7)에 의해 상기 처리 챔버의 천정(5)은 상기 층들이 증착될 때 처리 위치에서 냉각되며, 상기 냉각 조립체(7)와 상기 처리 챔버의 천정(5) 사이의 거리는 상기 처리 챔버의 천정(5)과 상기 처리 챔버의 바닥(3) 사이의 거리(H)가 감소됨에 따라 증가한다.

Description

하강가능한 처리챔버 천정을 갖는 ＣＶＤ 반응로 {ＣＶＤ REACTOR HAVING A PROCESS CHAMBER LID WHICH CAN BE LOWERED}
본 발명은 기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치에 관한 것으로서, 상기 장치는 반응로 하우징 내에 배열되는 처리 챔버와 기판이 상부에 놓이는 가열가능한 바닥과 상기 바닥으로부터 평행하게 연장하는 천정, 및 처리 가스를 유입시키는 가스 입구 수단을 포함하며, 상기 처리 챔버의 천정과 처리 챔버의 바닥 사이의 거리가 상기 기판 상에 층들이 증착되는 처리 위치로부터 상기 처리 챔버가 세정되는 세정 위치까지 제로로 감소되는 것이 가능하다.
이러한 장치는 US 2006/0051966 A1호로부터 이미 공지되어 있다. 처리 챔버의 바닥은 가열될 수 있다. 처리 챔버의 천정은 처리 챔버의 바닥 위에 위치된다. 처리 위치에서는 처리 가스가 처리 챔버의 내측으로 유입되어서 처리 챔버에 위치된 기판 상에 층들이 증착되며, 처리 챔버는 처리 챔버의 바닥과 처리 챔버의 천정 사이의 거리로 정의되는 제 1 높이를 가진다. 처리 챔버 바닥의 상승에 의해 처리 챔버의 천정과 처리 챔버의 바닥 사이의 거리를 감소시키는 것이 가능하다. 이와 같이 거리가 감소된 위치에서, 처리 챔버는 처리 챔버가 유입될 에칭 가스에 의해 세정될 수 있는 에칭 위치의 역할을 담당한다.
DE 101 03 341 A1호에는 처리 챔버의 천정과 처리 챔버의 바닥 사이의 거리가 변화될 수 있는 플라즈마 처리 장치가 설명되어 있다.
WO 03/063216 A1, US 5,399, 387, US 2005/0199182 A1, WO 00/42236, US 2003/0000469 A1, US 2005/0242061 A1 및 JP 05029302 A호에도 유사하게, 처리 챔버의 높이가 변경될 수 있으며 처리 챔버 내의 기판 상에 층들을 증착하기 위한 장치가 설명되어 있다.
DE 102 11 442 A1호에는 반응로 하우징 및 반응로 하우징 내에 배열되는 가스 입구 수단을 갖춘 CVD 반응로가 설명되어 있다. 처리 가스는 입구 수단을 통해서 처리 챔버의 내측으로 유입된다. 처리 챔버는 천정과 바닥을 가진다. 기판은 바닥 상에 놓여 있다. 바닥은 하부로부터 가열된다. 천정은 바닥으로부터 일정한 거리만큼 수평으로 연장하며 바닥에 평행하다. 이 경우에 가스 입구 수단은 반응로 천정 위에 위치된다. 반응로 천정은 샤워 헤드형 가스 출구 개구를 가지며, 이 개구를 통해 처리 가스가 처리 챔버의 내측으로 유입된다.
DE 101 33 914 A1호에는 처리 챔버의 중앙으로 처리 가스가 도입되는 CVD 반응로가 설명되어 있다. 유동은 반경 방향으로 처리 챔버를 통해 수평으로 이루어진다. 처리 챔버는 가스 출구 링에 의해 에워싸여 있으며 가스 출구 링에 의해 처리 가스가 멀리 이송된다.
본 발명의 목적은 처리 챔버의 천정이 능동적으로 냉각되는 냉각-벽 증착 공정을 수행하기 위한 일반적인 형태의 장치를 발전시키고자 하는 것이다.
그러한 목적은 청구의 범위에 특정된 본 발명에 의해 달성되며, 청구의 범위의 각각의 청구항은 독립적인 해결책을 제공하며 어떤 다른 청구항과 임의의 바람직한 형태로 조합될 수 있다.
본 발명에 따라, 처리 챔버의 천정과 처리 챔버의 바닥 사이의 거리는 세정 위치에 도달되도록 제로로 감소될 수 있다. 본 발명에서는 단지 처리 챔버의 바닥만이 가열된다. 처리 챔버의 천정은 증착 공정 중에 능동적으로 냉각된다. 이러한 목적으로 냉각 조립체가 제공되며 이러한 냉각 조립체는 반응로 하우징 내의 처리 챔버 천정 위에 배열되며 반응로 내에 일정하게 위치될 수 있다. 처리 챔버의 천정이 처리 챔버의 바닥 방향으로 하강된 때에, 후방 측면과 냉각 조립체 사이의 거리가 증가함으로써 처리 챔버의 천정과 관련한 냉각 조립체의 냉각 작용은 현저히 감소된다. 그러므로 세정 공정 중에, 바람직하게 에칭 공정 중에 요구되는 모든 것은 처리 챔버의 천정을 낮추는 것이다. 처리 위치에서 처리 챔버 천정의 후방 측면에 대해 맞닿음 접촉되게 냉각 조립체를 유지하는 수단이 유리하게 제공된다. 이는 냉각 조립체의 냉각면과 처리 챔버 천정의 후방 측면 사이에 커다란 표면적의 결합면을 제공하는 형태를 취할 것이다. 이는 냉각-벽 반응로 내에서 층들을 증착하는 동안에 유발되는 문제점, 즉 특히 MOCVD에서 유발되는 문제점을 해결할 수 있게 한다. 층들이 처리 챔버의 바닥 상에 놓인 기판 상에 증착될 때, 처리 가스는 열분해(pyrolytically) 반응된다. 그 결과적으로 고체가 기판 상에 결정화된다. 기판을 감싸며 서셉터를 형성하는 처리 챔버의 바닥 표면 상에서의 기생 성장은 바람직하지 않다. 반응로의 천정이 냉각되더라도, 기생 성장이 또한 바람직하지 않은 경우이다. 기생 성장에 기인한 오염은 처리 챔버의 내측으로 유입되는 처리 가스를 위한 표면의 손실을 초래한다. 이는 공정의 효율을 감소시키며 기판 상에 증착될 층의 성장 거동에 악영향을 끼친다. 그러므로 처리 챔버 및 특히 기생 성장에 의해 악영향을 받는 표면을 세정할 필요가 있다. 높은 소비를 포함하는 하나의 방법은 반응로의 적절한 부품을 반응로로부터 제거하여 이들 부품을 반응로와는 별도로 세정하는 단계로 이루어진다. 그러한 처리 챔버는 교환가능한 처리 챔버 바닥과 교환가능한 처리 챔버 천정을 가진다. 이와는 다른 방법으로는 도입되는 적합한 에칭 가스, 가능하다면 HCl에 의해 인-시튜(in-situ) 세정하는 것이다. 그러나 이러한 공정도 에칭될 표면이 어떠한 표면 온도를 가질 것을 필요로 한다. 가열된 처리 챔버의 바닥을 필요한 에칭 온도로 가열하는 것은 일반적으로 어떠한 문제점을 유발하지는 않는다. 그러한 경우에 문제점은 냉각된 처리 챔버의 천정에서 유발되는데, 이는 냉각된 처리 챔버의 천정이 처리 챔버의 바닥으로부터 나오는 복사에 의해 실질적으로 가열될 수 있기 때문이다. 이러한 문제점들은 청구범위에 특정된 기술에 의해 극복된다. 에칭 공정을 수행하기 위해서, 처리 챔버의 천정은 처리 챔버의 바닥 근처로 하강된다. 그러나, 이러한 방법의 대안으로서, 처리 챔버의 바닥이 처리 챔버의 천정 근처로 상승하는 것도 가능하다. 처리 챔버의 천정을 냉각시키기 위한 냉각 수단은 천정 또는 바닥의 수직 변위 중에 바닥으로부터 이격 상태를 유지함으로써, 처리 챔버의 천정은 냉각 조립체로부터 효과적으로 이격된다. 그러나, 이러한 방법의 대안으로서, 또한 냉각 수단이 처리 챔버의 천정으로부터 멀리 이동되게 하는 것도 가능하다. 바람직하게 냉각 조립체는 바닥의 방향으로 하향 지향된 수평면을 가진다. 이러한 수평면은 처리 챔버 천정의 하방 측면의 표면에 평행하게 연장한다. 처리 챔버의 천정은 천정 패널에 의해 형성된다. 천정 패널은 바람직하게 냉각 조립체에 맞닿음 접촉되게 놓인다. 바닥 또는 천정 홀더가 반응로 하우징 내에 처리 챔버의 천정 또는 바닥을 지지하기 위해 제공될 수 있다. 이들 홀더 중의 하나는 수직으로 변위되어서 처리 챔버의 천정과 바닥 사이의 거리가 처리 챔버의 바닥을 에칭할 목적으로 감소될 수 있다. 천정 패널은 둥글 수 있다. 그러나, 원형 디스크 형태의 평면을 가질 수도 있다. 이러한 원형 디스크 형태의 천정 패널의 내측 에지는 바람직하게 내측 실린더의 유지 수단 상에 놓인다. 내측 실린더는 리프팅 수단에 의해 하강될 수 있다. 리프팅 수단은 천정 패널의 중심에 배열될 수 있다. 또한, 가스 입구 수단이 처리 챔버의 중심에 위치될 수 있다. 이는 바람직하게, 처리 가스에 의해 하부로부터 이송된다. 가스 입구 수단은 다중의 분리 채널을 가질 수 있으며, 이 분리 채널을 통해서 처리 가스가 처리 챔버의 내측으로 유입된다. 개개의 채널과 결합되는 출구 개구는 각각의 경우에 측면 실린더 표면 상에 위치될 수 있다. 이는 모두 차례로 배열되는 회전 대칭의 가스 출구 표면을 제공한다. 처리 챔버 천정과 처리 챔버 바닥 사이의 거리가 감소될 때, 처리 가스용 출구 개구가 내측 실린더의 내측 벽에 의해 부분적으로 위에 덮히게 된다. 따라서 처리 챔버를 에칭하는데 사용되는 HCl이 중앙 공급 라인, 즉 가스 입구 수단을 통해 처리 챔버의 내측으로 도입될 수 있다. 에칭 가스는 바람직하게, 최상부 가스 출구 개구로부터 유출되어 내측 실린더의 내측 벽을 따라 통과한다. 그후 에칭 가스는 수평 방향으로 편향되어 높이가 감소된 처리 챔버를 통해 유동되며, 처리 챔버의 바닥과 천정이 에칭된다. 가스 입구 수단이 처리 챔버의 천정 자체에 의해 형성될 수 있는 변형예가 제공된다. 따라서 천정은 가스 출구면으 형성한다. 가스 출구면은 샤워 헤드의 방식으로 배열되는 다중의 가스 출구 개구를 가진다. 또한 상기 처리 챔버가 가스 수집 링에 의해 에워싸이는 경우도 있다. 천정의 위에 위치된 것은 가스 출구 개구에 가스를 공급하는 가스 플레넘(plenum)을 갖춘 보통 수냉식 샤워 헤드형 몸체이다. 또한, 필요하다면 이러한 플레넘을 통해 처리 챔버의 내측으로 에칭 가스가 유입되게 하는 것도 가능하다. 그러나, 처리 챔버는 바람직하게, 처리 챔버의 바닥을 통해 연장하는 중앙의 별도의 이송 라인을 가지며, 이를 통해 에칭 가스가 처리 챔버의 내측으로 유입된다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 첨부 도면을 참조하여 이후에 더욱 상세히 설명될 것이다.
도 1은 처리 위치에 놓인 천정 패널을 갖는, 예시적인 제 1 실시예의 반응로 하우징의 절반부를 통해 취한 횡단면도이며,
도 2는 에칭 위치로 하강된 천정 패널을 갖는 도 1에 따른 도면이며,
도 3은 처리 위치에 있는 예시적인 제 2 실시예의 반응로를 통해 취한 단면도이며,
도 4는 에칭 위치로 하강된 천정 패널을 갖는 도 3에 따른 도면이다.
도 1과 도 2는 반응로 하우징(1)의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다. 반응로 하우징은 흑연 또는 몇몇 다른 적합한 재료, 예를 들어 사파이어 또는 석영으로 구성될 수 있는 바닥(3)을 가진다. 바닥(3)은 바닥 캐리어 상에 놓인다. 히터(21)는 바닥 캐리어의 아래에 놓인다. 이러한 히터는 RF 히터 또는 저항 히터일 수 있으며 바닥(3)을 처리 온도로 가열한다. 바닥은 바닥 홀더(10)에 의해 지지된다.
처리 챔버의 천정(5)은 바닥 위의 거리(H)에 놓인다. 천정(5)은 석영, 사파이어, 흑연 또는 다른 적합한 재료로 제조되는 환형 패널(5)을 포함한다. 도 1에 도시된 처리 위치에서, 이러한 천정은 냉각 조립체(7)의 하부면인 냉각면(8)에 맞닿음 접촉되게 놓인다. 바닥(3)과 천정(5)은 코팅될 수 있다.
냉각 조립체(7)는 냉각 유체가 유동될 수 있는 중공형 몸체이다. 냉각 조립체(7)는 반응로 하우징(1)에 단단히 연결된다. 천정 패널(5)의 내부 에지는 내측 실린더(13)의 칼라(12) 상에 놓인다. 이러한 내측 실린더(13)는 리프팅 수단(15)에 의해 수직 방향으로 변위될 수 있는 천정 홀더(9)의 일부분이다. 천정 홀더(9)는 또한 천정 패널(5)의 외측 에지가 놓이는 내향 칼라(11)를 형성하는 외측 실린더(14)를 포함한다. 외측 실린더(14)가 횡방향 연결부(23)에 의해 내측 실린더(13)에 연결됨으로써, 외측 실린더(14)와 내측 실린더(13)가 하강될 수 있다. 외측 실린더(14)와 내측 실린더(13)가 하강되면, 처리 챔버 천정(5)은 냉각면(8)으로부터 이격되게 된다. 거리(H)가 감소됨과 동시에, 천정은 바닥(3)의 일부분이며 처리 단계 중에 기판(4)이 배열되는 서셉터(22) 쪽으로 이동된다.
리프팅 수단(15)은 도면에 단지 개략적으로만 도시되어 있으며 공압식 실린더 형태일 수 있다. 또한 리프팅 수단으로서 래크 또는 레버 기구를 사용하는 것도 고려할 수 있다.
도 1에 도시된 처리 챔버(2)는 환형 구성을 가진다. 가스 입구 수단(6)이 처리 가스를 유입시킬 목적으로 처리 챔버(2)의 중심에 놓인다. 처리 가스는 처리 챔버의 내측으로 주로 제 3족 원소를 이송하는 금속-유기질 화합물일 수 있다. 주로 5족으로부터의 원소들이 처리 챔버의 내측으로 수산화물의 형태로 유입될 수 있다. 그러나, 주로 3족으로부터의 원소들이 처리 챔버의 내측으로 염화물의 형태로 유입되는 것도 가능하다. 개개의 처리 가스들이 위로 차례로 배열되는 가스 출구(25,26,27)를 통해 서로로부터 별개로 처리 챔버(2)의 내측으로 유입된다. 유입은 회전가능하게 대칭의 방법으로 발생된다. 가스 출구(25,26,27)의 위로 연장하고 내측 실린더(13)와 가스 입구 수단(6)의 상부 사이에 위치되는 간극(24)은 불활성 가스가 유통된다. 코팅 공정 중에, 바닥 패널(3)의 오목부 내에 위치되는 원형 디스크 형상의 서셉터(22)가 회전된다.
처리 챔버(2) 내에 기판(4)이 위치되지 않는 에칭 공정을 수행하기 위해, 천정 홀더(9)가 개략적으로 도시한 리프팅 수단(15)에 의해 하강된다. 천정 조립체(7)로부터 멀리 이동되는 천정 패널(5)은 바닥으로 다가오며 패널에 작용하는 복사열의 결과로써 가열될 수 있다. 에칭 가스, 예를 들어 HCl은 가스 입구 수단(6)을 통해서 처리 챔버의 내측으로 지향된다. 이는 바람직하게, 최상부의 가스 출구 개구(25)를 통해 수행되어, 에칭 가스가 수평 방향으로 편향되어 바닥(3)의 위로 그리고 천정(5)의 하부측(5') 위를 따라 유동하기 이전에 내측 실린더(13)의 내측 벽을 따라 수직 하향으로 유동된다. 따라서 서로를 향해 지향된 천정(5)과 바닥(3)의 표면들이 에칭된다. 이는 성장 공정 중에 유발되는 기생 성장의 결과로써 증착되는 재료의 제거를 초래한다.
도 3 및 도 4는 소위 샤워-헤드 반응로를 도시한다. 이 또한 처리 챔버(2)의 내측으로 유입되는 처리 가스에 의해 기판(4) 상에 층들이 증착되는 CVD 반응로이다. 이 경우에, 가스 입구 수단(6)은 처리 챔버의 전체 표면적 위로 연장한다. 가스 입구 수단(6)은 하부측 상에 가스 출구 개구들을 갖는 가스 플레넘(plenum)을 가진다. 가스 입구 수단(6)의 하부측은 냉각면(8)이다. 냉각면은 냉각제에 의해 냉각된다. 천정 패널(5)은 이러한 냉각면(8) 아래에 위치된다. 천정 패널(5)은 스크린 방식으로 증착되고 냉각면(8)의 가스 출구 개구와 정렬되는 다중 가스 출구 개구를 가짐으로써, 가스 입구(20)를 통해 가스 입구 수단(6)의 내측으로 유입되는 가스가 가스 출구 개구(16)를 통해 처리 챔버(2)의 내측으로 유동될 수 있다.
도 3에 도시된 처리 위치에서, 흑연, 석영, 사파이어 또는 다른 적합한 열 전도성 또는 열 절연성 재료로 구성되는 천정 패널(5)이 천정면(8)에 맞물림 접촉되게 놓인다. 이러한 목적으로, 천정 패널(5)은 천정 홀더(9)에 의해 형성된 유지 돌기(11) 상에 놓인다. 천정 홀더(9)는 천정 패널(5)이 바닥(3)의 표면 쪽으로 이동될 수 있게 하강될 수 있다.
바닥(3)은 바닥 홀더(10) 상에 놓인다. 바닥(3) 아래에 놓인 것은 바닥을 가열할 수 있는 히터(21)이다. 바닥은 바닥 위에 놓인 기판(4)을 가열할 수 있도 록 흑연, 석영, 사파이어 또는 몇몇 다른 적합한 재료로 구성된다.
처리 챔버는 사용되지 않은 반응물 또는 처리 가스를 배기시킬 수 있는 환형 가스 출구 링(19)에 의해 에워싸여 있다.
코팅 공정의 완료와 처리 챔버(2)로부터의 기판(4)의 제거 이후에, 천정 홀더(9)는 리프팅 장치(도시 않음)에 의해 하강될 수 있다. 따라서 바닥(3)과 천정(5) 사이의 거리(H)가 감소한다. 동시에, 천정(5)과 냉각면(8) 사이의 거리가 증가하여, 천정(5)은 천정에 증착된 재료가 유입되는 에칭 가스에 의해 제거될 수 있도록 가열될 수 있다.
이 경우도 역시 바람직한 에칭 가스는 염화물이며, 특히 HCl이 가스 입구 수단, 즉 가스 입구(20)를 통해 처리 챔버의 내측으로 유입될 수 있다. 그러나, 예시적인 실시예에서는 바닥(3)을 통한 공급선(18)이 제공되며, 그 공급선(18)을 통해 에칭 가스가 처리 챔버의 중심으로 유입될 수 있다.
이는 기판(4)이 회전가능한 서셉터 상에 놓일 수 있는 도 3 및 도 4에 도시된 예시적인 실시예서도 마찬가지이다. 또한, 바닥(3)도 축선 주위에서 전체적으로 회전될 수 있다.
전술한 두 개의 예시적인 실시예에서, 천정 패널은 천정(5)과 바닥(3) 사이의 거리를 감소시킬 목적으로 하강되었다. 그러나, 유사하게 두 개의 예시적인 실시예에도 대응 구성을 갖는 바닥 홀더(10)에 의해 바닥(3)이 천정(5) 쪽으로 이동되게 하는 것도 가능하다. 그러나 그 경우에 그러한 운동 중에 냉각 조립체(7)나 냉각면(8)이 천정 패널(5)로부터 멀어지게 이동되는 것도 바람직하다. 따라서 바 닥(3)을 상승시키기 위한 리프팅 수단은 냉각 조립체(7)와 냉각면(8)을 동시에 상승시킬 수 있다. 냉각면(8) 또는 냉각 조립체(7)와 바닥(3) 사이의 거리는 그러한 수직 변위 중에 변경되지 않고 유지될 수 있다.
냉각 조립체(7)가 반응로 하우징 내에 일정하게 배열되는 것도 특히 유리한 것으로 고려될 수 있다. 따라서 냉각 조립체는 처리 챔버의 바닥(3)으로부터 일정한 거리에 있을 수 있다. 이러한 거리는 도 1 및 도 3에 도시된 처리 챔버의 천정(5)이 처리 위치로부터 도 2 및 도 4에 도시된 세정 위치로 하강될 때에 변경될 필요가 없다. 두 경우에, 처리 챔버 바닥(3)과 처리 챔버 천정(5) 사이의 거리(H)는 감소한다. 그러나 동일한 방식으로, 처리 챔버 천정(5)의 후방 측면(5'')과 냉각 조립체(7)의 냉각면 사이의 거리는 증가하며, 상기 냉각면은 처리 챔버 천정의 후방 측면 쪽으로 지향된다. 도 1 및 도 3에 도시된 처리 위치에서, 냉각 조립체(7)의 평탄한 냉각면은 천정의 하방 측면(5'')에 대해 표면 접촉 방식으로 결합한다. 이는 천정(5)으로부터 열의 최적 제거를 보장한다. 이러한 열은 냉각 조립체(7)의 냉각 용적을 통해 유동하는 냉각 유체에 의해 이송되어 버린다. 냉각면 접촉이 실제로 천정(5)의 전체 표면적에 걸쳐 확장되기 때문에, 냉각 벽 성장이 처리 챔버(2) 내에서 수행되는 것이 가능하다. 그럼에도 불구하고, 도 2 및 도 4에 도시된 위치에서 냉각 조립체(7)의 비활성화 없이도 처리 챔버의 천정으로부터 기생 성장이 에칭 제거될 수 있다. 이러한 세정 위치에서, 처리 챔버(2)의 바닥(3)과 천정(5) 사이의 거리(H)는 처리 챔버 천정(5)의 후방 측면(5'')과 냉각 조립체(7)의 냉각면(8) 사이의 거리보다 작다.
설명된 모든 특징들은 본 발명에 속한다. 관련/첨부된 우선권 서류(선 출원의 사본)의 설명 내용도 이들 서류들의 특징을 본 발명의 청구의 범위에 결합할 목적으로 본 발명의 설명에 모두 포함된다.

Claims (13)

  1. 반응로 하우징(1) 내에 배열되는 처리 챔버(2)와 기판이 상부에 놓이는 가열가능한 바닥(3)과 상기 바닥(3)으로부터 평행하게 연장하는 천정(5), 및 처리 가스를 유입시키는 가스 입구 수단(6)을 포함하며, 상기 처리 챔버의 천정(5)과 처리 챔버의 바닥(3) 사이의 거리(H)가 상기 기판 상에 층들이 증착되는 처리 위치로부터 상기 처리 챔버가 세정되는 세정 위치까지 제로로 감소되는, 기판(4) 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치에 있어서,
    상기 처리 챔버의 천정(5) 위에 배열되는 냉각 조립체(7)를 포함하며, 상기 처리 챔버의 천정(5)은 상기 층들이 증착될 때 처리 위치에서 상기 냉각 조립체에 의해 냉각되며, 상기 냉각 조립체(7)와 상기 처리 챔버의 천정(5) 사이의 거리는 상기 처리 챔버의 천정(5)과 상기 처리 챔버의 바닥(3) 사이의 거리(H)가 감소됨에 따라 증가하는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  2. 제 1 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 냉각 조립체(7)는 상기 천정(5)의 후방 측면(5'')에 평행하게 연장하는 냉각면(8)을 가지는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  3. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 하나 이상의 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 냉각면(8)은 상기 처리 위치에서 상기 천정(5)의 후방 측면(5'')에 맞닿음 접촉되게 놓이는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나 이상의 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 냉각 조립체(7)의 냉각면(8)은 상기 천정(5)의 실질적으로 전체 후방 측면(5'')의 위로 연장하며 상기 천정(5)에 대해 열 전도 맞닿음되게 놓이는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나 이상의 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 냉각 조립체(7)는 냉각 액체가 유동되는 중공형 몸체를 형성하는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나 이상의 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 반응로 하우징 내에서 수직 방향으로 변위될 수 있는 바닥 또는 천정 홀더(9,10)가 제공되는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나 이상의 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 천정(5)의 에지에 작용하는 상기 천정 홀더(9)의 유지 수단(11,12)이 제공되는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나 이상의 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 천정 홀더(9)의 내측 실린더(13)의 유지 수단(12) 상에 내측 에지가 놓이는 환형 천정 패널(5)이 제공되는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나 이상의 항 또는 특히 그에 따른 항에 있어서,
    상기 외측 에지는 상기 천정 홀더(9)의 외측 실린더(14)의 유지 수단(11) 상에 놓이는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 천정 홀더(9)를 수직으로 변위시키도록 상기 처리 챔버(2)의 위에는 리프팅 수단(15)이 배열되는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    하부로부터 상기 처리 챔버(2)의 내측으로 상기 바닥(3)을 통해 돌출하며 상 기 천정(5)의 하강 위치에서 상기 내측 실린더(13)에 의해 적어도 부분적으로 덮여지는 가스 입구 수단(6)이 제공되는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 천정(5)은 샤워헤드 방식으로 배열되는 가스 출구 개구(16)를 갖춘, 가스 입구 수단(6)의 가스 출구면을 형성하는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 바닥(3)과 결합되며 에칭 가스용으로 가스 출구 개구(17)가 제공되는 것을 특징으로 하는,
    기판 상에 하나 또는 그 이상의 층들을 증착하는 장치.
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