KR20090003901U - Semiconductor lamp - Google Patents
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Abstract
반도체 램프가 개시된다. 상기 램프는 전극 와이어, 발광 베이스 물질, 전극 솔레노이드, 유리 관, 실리콘 고무 층 및 2개의 절연 플러그를 포함한다. 전극 와이어의 외측 림에는 SiO2 또는 발광 베이스 물질로 연속적으로 덮이며, 상기 베이스 물질의 외부에는 나선형 전극 솔레노이드가 제공되어 발광 본체를 형성한다. 전극 와이어 및 전극 솔레노이드의 두 단부는 전극 로드가 체결된 2개의 측면을 가지는 유리 관에 대응하여 연결된다.
반도체 램프, 반도체, 램프, 발광,
A semiconductor lamp is disclosed. The lamp comprises an electrode wire, a light emitting base material, an electrode solenoid, a glass tube, a silicone rubber layer and two insulating plugs. The outer rim of the electrode wire is continuously covered with SiO 2 or a luminescent base material, and on the outside of the base material a spiral electrode solenoid is provided to form a light emitting body. The two ends of the electrode wire and the electrode solenoid are connected correspondingly to a glass tube having two sides to which the electrode rod is fastened.
Semiconductor lamp, semiconductor, lamp, light emitting,
Description
본 고안은 반도체 램프에 관한 것으로서, 특히 전극 와이어, 발광-베이스(light-emitting base), 전극 솔레노이드, 유리 관, 실리콘 고무 층(silicon rubber layers) 및 2개의 절연 플러그를 포함하는 램프에 관한 것이다. The invention relates to a semiconductor lamp, and more particularly to a lamp comprising an electrode wire, a light-emitting base, an electrode solenoid, a glass tube, silicon rubber layers and two insulating plugs.
일반적으로, 종래의 광 전구는 유리 쉘(shell)내에서 텅스텐을 연결하는 2개의 전도성 레그를 구비하며, 전류는 텅스텐이 광 및 열을 발산하게 만든다. 이러한 종래의 전구 구조의 경우에, 전류의 유량이 광 전구의 휘도를 결정한다. 근래의 에너지 부족 경향 및 광 전구에 의해 생성되는 열을 고려하면, 에어 컨디셔닝 시스템의 전력을 증대시킴으로써 실내의 온도를 유지하기 위해 보다 많은 전류를 사용한다. In general, conventional light bulbs have two conductive legs that connect tungsten in a glass shell, and the current causes tungsten to dissipate light and heat. In the case of this conventional bulb structure, the flow rate of the current determines the brightness of the light bulb. Given recent energy shortage trends and the heat generated by light bulbs, more current is used to maintain room temperature by increasing the power of the air conditioning system.
본 고안의 주요 목적은 반도체 램프를 제공하는 것이다.The main object of the present invention is to provide a semiconductor lamp.
본 고안에 따른 반도체 램프는: 전도성 구리 물질 와이어인 전극 와이어; 상기 전극 와이어의 외측 림(rim) 상에 연속하여 코팅된 2개의 원형 층을 구비하는 발광 베이스; 유리 관; 솔레노이드; 실리콘 고무 층; 및 2개의 절연 플러그를 포함한다. The semiconductor lamp according to the present invention comprises: an electrode wire which is a conductive copper material wire; A light emitting base having two circular layers successively coated on an outer rim of the electrode wire; Glass tubes; Solenoids; Silicone rubber layer; And two insulated plugs.
본 고안의 다른 목적은 반도체 램프를 제공하는 것으로서, 형광 분말을 가지는 실리콘 고무 층이 첨가되어 채색된 광원 또는 색채 변화 효과를 제공한다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor lamp, in which a silicone rubber layer having a fluorescent powder is added to provide a colored light source or a color changing effect.
본 고안의 또 다른 목적은 상기 전극 와이어가 관형(tubular) 전도성 본체인 반도체 램프를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a semiconductor lamp wherein the electrode wire is a tubular conductive body.
본 고안의 또 다른 목적은 반도체 램프를 제공하는 것으로서, 여기서 관형 본체의 내부에는 열 발산 알루미늄 또는 구리 와이어가 장착된다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor lamp, wherein the heat dissipating aluminum or copper wire is mounted inside the tubular body.
본 고안에 따른 반도체 램프는 전류를 적게 소모하며, 수명이 길뿐만 아니라, 친환경적이다. The semiconductor lamp according to the present invention consumes less current, has a longer lifetime, and is environmentally friendly.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 전극 와이어(1), 발광 베이스 물질(2), 전극 솔레노이드(3), 유리 관(5), 실리콘 고무 층(6) 및 2개의 절연 플러그(7, 7A)를 포함 하는 반도체 램프가 도시되어 있다. 전극 와이어(1)는 전도성 구리 물질로 제조되고, 발광 베이스 물질(2)은 전극 와이어(1)의 외측 림(rim)을 덮는 연속적인 2개의 원형 층을 포함한다. 내부 층(2A)은 SiO2, Al2O3, 또는 TiO2 또는 유사한 카테고리의 베이스 물질(base material)로 부터 선택된 물질로 제조된다. 외부 층(2B)은 갈릭 나이트라이드 족(gallic nitrides family; AlN, InN), 갈릭 포스페이트(phosphate), 갈릭 아세나이드(arsenide), 인듐 포스페이트 3 및 4 족 화합물(third and fourth family compounds)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 물질로 제조된다. 전극 솔레노이드(3)는 전도성 구리 물질로 이루어지며 발광 베이스 물질(2)의 외부 림상에 장착되어 발광 본체를 형성하기 위한 나선형 형상을 가진다. 1 to 4, the
유리 관(5)은 2개의 개구부를 구비하는 쉘(shell) 또는 유리 하우징이며, 상기 2개의 개구부는 유리 관(5)의 내경부 내측으로 발광 본체가 삽입될 수 있도록 외측으로 확장된 원형 안착부(5A, 5B)를 가진다. 실리콘 고무 층(6)은 유리 관과 발광 본체 사이에 형성된 갭을 충진하기 위한 것으로서 투명하거나 형광 분말을 가지는 실리콘 고무 접착제이다. 2개의 절연 플러그(7, 7A)는 큰 직경 면과 작은 직경 면을 가지는 절연된 계단형 안착 본체(seat body)이며, 상기 큰 직경 면에는 전력 공급부와의 연결을 위한 2개의 전도성 로드(rods; 8)가 장착되며, 상기 작은 직경 면은 원형 안착부(5A, 5B)에 결합된다. 각 림의 직경 면들에는 2개의 전도성 로드(8)와의 연결을 위해 전극 와이어(1) 및 전극 솔레노이드의 일 단부가 통과하는 2개의 관통 홀이 제공된다. 이는 본 고안의 주요 특징이 된다.The
본 고안의 하나의 바람직한 실시예에 따라, 도 3 및 도 4를 참조하면, 전극 와이어(1)의 외측 림이 반도체 발광 베이스 물질(2)의 층으로 연속하여 덮인다. 전자기적으로 여기된 발광 베이스 물질이 외부 층의 나선형 전극 솔레노이드(3)를 통과하며, 그에 따라 반도체가 여기된 빛을 생성한다. 다양한 색채의 광원 콘트라스트(contrast) 및 변조(modification)를 제공하는 형광 분말을 포함하는 실리콘 고무와 조합되어, 소비 전류는 종래 전구의 약 1/10 내지 1/8 또는 일광 전구(day light bulb)의 약 1/2이 된다. 또한, 반도체 램프의 수명은 50,000 시간 이상이 된다. 램프는 열을 발산하지 않으며 또 친환경적이다. According to one preferred embodiment of the present invention, referring to FIGS. 3 and 4, the outer rim of the
도 5에 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 다른 바람직한 실시예에서, 전극 와이어(1)가 관형 전도성 본체일 수 있고 또 전도성 본체내의 관이 열 발산 알루미늄 코일(1A) 또는 구리 코일과 함께(또는 냉각장치에 연결되어) 가로질러 장착되어, 램프에 연결되도록 연장됨으로써 고전력 램프를 위한 열 발산부를 형성할 수도 있다. As shown in FIG. 5, in another preferred embodiment according to the present invention, the
도 1은 본 고안의 바람직한 실시예에 따른 반도체 램프의 사시도이다.1 is a perspective view of a semiconductor lamp according to a preferred embodiment of the present invention.
도 2는 본 고안의 반도체 램프의 전개도이다.2 is an exploded view of a semiconductor lamp of the present invention.
도 3은 본 고안의 일 부분을 단면 도시한 사시도이다. Figure 3 is a perspective view showing a part of the present invention in cross section.
도 4는 본 고안의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the present invention.
도 5는 본 고안의 또 다른 바람직한 실시예의 개략도이다.5 is a schematic view of another preferred embodiment of the present invention.
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