KR20080106115A - Substrate mounting equipment and substrate processing apparatus comprising the substrate mounting equipment - Google Patents

Substrate mounting equipment and substrate processing apparatus comprising the substrate mounting equipment Download PDF

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스미 다나카
도모히토 고마츠
히로오 가와사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

A substrate processing apparatus equipped with a mechanism apparatus for loading substrate is provided to improve temperature uniformity. A substrate processing apparatus equipped with a mechanism apparatus for loading substrate comprises: a quartz heater body(101) in which the heating element(102) is laid; an anticorrosion ceramic member(104) loaded on the processed substrate loading surface(103) of the quartz heater body; a metal layer which is formed on the processed substrate loading surface of the quartz heater body and is made of the same metal as an accumulated metal with the film forming process. The anticorrosion ceramic member loaded on the metal layer.

Description

기판 탑재 기구 및 해당 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치{SUBSTRATE MOUNTING EQUIPMENT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS COMPRISING THE SUBSTRATE MOUNTING EQUIPMENT}SUBSTRATE MOUNTING EQUIPMENT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS COMPRISING THE SUBSTRATE MOUNTING EQUIPMENT}

본 발명은, 성막 장치 등의 기판 처리 장치에 있어서, 처리 용기 내에서 반도체 웨이퍼 등의 기판을 탑재하여 가열하는 발열체를 갖는 기판 탑재 기구 및 해당 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus having a heating element for mounting and heating a substrate such as a semiconductor wafer in a processing container in a substrate processing apparatus such as a film forming apparatus, and a substrate processing apparatus provided with the substrate mounting mechanism.

반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼에 대하여, CVD 성막 처리나 플라즈마 에칭 처리와 같은 진공 처리를 실시하는 공정이 존재하지만, 그 처리에 있어서는 피처리 기판인 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 가열해야 하기 때문에, 기판 탑재대를 겸한 히터를 이용하여 반도체 웨이퍼를 가열하고 있다.In the manufacture of a semiconductor device, there is a step of performing a vacuum treatment such as a CVD film forming process or a plasma etching process on a semiconductor wafer which is a substrate to be processed. Since it needs to heat, the semiconductor wafer is heated using the heater which also served as the board | substrate mounting table.

이러한 히터로서는 종래부터 스테인레스 히터 등이 이용되어 왔지만, 최근, 상기 처리에 이용되는 할로겐계 가스에 의한 부식이 발생하기 어렵고, 열 효율이 높은 세라믹 히터가 제안되어 있다(특허 문헌 1 등). 이러한 세라믹 히터는, 피처 리 기판을 탑재하는 탑재대로서 기능하는 AlN 등의 치밀질 세라믹 소결체로 이루어지는 기체의 내부에, 고융점 금속으로 이루어지는 발열체를 매설한 구조를 갖고 있다.As such a heater, stainless steel heater etc. have been used conventionally, but in recent years, the ceramic heater which is hard to generate | occur | produce corrosion by the halogen-type gas used for the said process, and has high thermal efficiency is proposed (patent document 1 etc.). Such a ceramic heater has a structure in which a heating element made of a high melting point metal is embedded in a base made of a dense ceramic sintered body such as AlN serving as a mounting table on which a feature substrate is mounted.

이러한 세라믹 히터로 이루어지는 기판 탑재대를 기판 처리 장치에 적용하는 경우에는, 세라믹제의 통 형상의 지지 부재의 일단을 기판 탑재대의 이면에 접합하고, 타단을 챔버의 바닥부에 접합한다. 이 지지 부재의 내부에는, 발열체에 급전하기 위한 급전선이 마련되어 있고, 발열체의 단자에 이 급전선이 연결되어, 외부에 마련된 전원으로부터 이 급전선 및 급전 단자를 거쳐서 발열체에 급전된다.In the case where the substrate mounting table made of such a ceramic heater is applied to the substrate processing apparatus, one end of the ceramic tubular support member is joined to the rear surface of the substrate mounting table, and the other end is joined to the bottom of the chamber. A feeder for feeding power to the heating element is provided inside the support member, and the feeder is connected to a terminal of the heating element, and is fed to the heating element from the power source provided through the feeder and the feed terminal.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평성 제7-272834호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-272834

그런데, 이러한 세라믹 히터로 이루어지는 기판 탑재대는, 지지 부재와의 접합부 근방에 급전 단자가 있기 때문에, 그 부분에서 발열체의 밀도가 낮아지지 않을 수 없다. 또한, 기판 탑재대의 지지 부재와의 접합부는 지지 부재를 거친 열전도에 의해 열이 달아나기 쉽다. 이 때문에, 기판 탑재대의 접합부 주변에 쿨 스포트(주변에 비해 온도가 낮은 영역)가 있어, 그 부분에서 열응력 집중, 특히, 굴곡부에 응력이 집중하여 파괴를 초래한다.By the way, in the board | substrate mounting board which consists of such a ceramic heater, since there exists a feed terminal in the vicinity of the junction part with a support member, the density of a heat generating body cannot be reduced in that part. Moreover, the junction part with the support member of a board | substrate mounting table is easy to run off heat by the heat conduction which passed through the support member. For this reason, there is a cool spot (region where the temperature is lower than that of the periphery) around the joining portion of the substrate mounting table, and heat stress concentration at that portion, particularly stress at the bent portion, causes fracture.

이러한 파괴를 막기 위해서, 항상 히터 중심부의 온도를 주변부보다도 높게 하고 있다. 그러나, 항상 히터 중심부의 온도를 주변부보다도 높게 하고 있기 때문에, 온도 균일성을 임의의 레벨로부터 향상시킬 수 없다.In order to prevent such destruction, the temperature of the heater center is always higher than that of the peripheral portion. However, since the temperature at the center of the heater is always higher than the periphery, the temperature uniformity cannot be improved from any level.

본 발명은 온도 균일성을 더 향상할 수 있는 기판 탑재 기구 및 해당 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate mounting mechanism capable of further improving temperature uniformity and a substrate processing apparatus including the substrate mounting mechanism.

상기과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 형태에 따른 기판 탑재 기구는, 발열체가 매설된 석영제 히터 본체와, 상기 석영제 히터 본체의 피처리 기판 탑재면 상에 적재된 내식성 세라믹 부재를 구비한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, the board mounting mechanism which concerns on the 1st aspect of this invention is equipped with the quartz heater main body in which the heat generating body was embedded, and the corrosion-resistant ceramic member mounted on the to-be-processed substrate mounting surface of the said quartz heater main body. do.

또한, 본 발명의 제 2 형태에 따른 기판 탑재 기구는, 발열체가 매설된 석영제 히터 본체와, 상기 석영제 히터 본체의 피처리 기판 탑재면 상에 형성된, 성막 처리에 의해서 축적되는 금속과 동종의 금속으로 이루어지는 금속막과, 상기 금속막 상에 적재된 내식성 세라믹 부재를 구비한다.Moreover, the board mounting mechanism which concerns on the 2nd aspect of this invention is the same kind as the metal accumulate | stored by the film-forming process formed on the quartz heater main body in which the heat generating body was embedded, and the to-be-processed substrate mounting surface of the said quartz heater main body. A metal film made of metal and a corrosion resistant ceramic member mounted on the metal film are provided.

또한, 본 발명의 제 3 형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 수용하고, 내부가 감압 보지(保持)되는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 마련된, 상기 제 1 형태 또는 제 2 형태에 기재된 구성을 갖는 기판 탑재 기구와, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 기구를 구비한다.Moreover, the substrate processing apparatus which concerns on the 3rd aspect of this invention is a process container which accommodates a board | substrate, the inside is pressure-retained holding | maintenance, and the structure of the said 1st form or 2nd aspect provided in the said processing container. And a processing mechanism for performing a predetermined treatment on the substrate in the processing container.

본 발명에 의하면, 온도 균일성을 더 향상할 수 있는 기판 탑재 기구 및 해당 기판 탑재 기구를 구비한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to this invention, the board | substrate mounting mechanism which can further improve temperature uniformity, and the board | substrate processing apparatus provided with this board | substrate mounting mechanism can be provided.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 대해서 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, one Embodiment of this invention is described concretely with reference to an accompanying drawing.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 탑재 기구의 기본 구성을 나타내는 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows the basic structure of the board | substrate mounting mechanism which concerns on one Embodiment of this invention.

일 실시형태에 따른 기판 탑재 기구는, 예컨대, 성막 장치나 에칭 장치 등의 기판 처리 장치의 처리 용기 내에 배치되고, 해당 처리 용기 내에 반도체 웨이퍼 등의 피처리 기판을 탑재함과 아울러, 피처리 기판을 가열하는 발열체를 갖는 것이다.The substrate mounting mechanism according to the embodiment is disposed in a processing container of a substrate processing apparatus such as a film forming apparatus or an etching apparatus, for example, and mounts a substrate to be processed such as a semiconductor wafer in the processing container. It has a heating element to heat.

도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 탑재 기구(100)는, 발열체(102)가 매설된 석영제 히터 본체(101)와, 석영제 히터 본체(101)의 피처리 기판 탑재면(103) 상에 적재된 내식성 세라믹 부재(104)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the board | substrate mounting mechanism 100 is on the quartz heater main body 101 in which the heat generating body 102 was embedded, and on the to-be-processed substrate mounting surface 103 of the quartz heater main body 101. As shown in FIG. A loaded corrosion resistant ceramic member 104 is provided.

석영제 히터 본체(101)는, 특별히 도시하지 않지만, 상부 방향에서 보아 원형 형상이며, 피처리 기판 탑재면(103)의 이면 중앙부에는, 소(小)R부(작은 곡면부)(106)를 갖은 접합부(105)를 갖는다. 이 접합부(105)에는, 예컨대, 중공 형상의 석영제 지지 부재(107)가 접합된다. 접합부(105)에는 급전 단자(108)가 구비되고, 이 급전 단자(108)의 일단은 석영제 히터 본체 내에서 급전선(109)을 거쳐서 발열체(102)에 접속되며, 그 타단은, 예컨대, 석영제 지지 부재(107)의 중공부(110)에 삽입되어 통하는 급전선(111)을 거쳐서 도시하지 않은 전원에 접속된다. 발열체(102)의 일례는 저항 발열체이다.Although the quartz heater main body 101 is not specifically shown in figure, it is circular shape seen from the upper direction, The small R part (small curved part) 106 is provided in the center of the back surface of the to-be-processed substrate mounting surface 103. Has a junction 105. For example, a hollow quartz support member 107 is bonded to the bonding portion 105. The junction portion 105 is provided with a feed terminal 108, and one end of the feed terminal 108 is connected to the heating element 102 via a feed line 109 in a quartz heater body, and the other end thereof is, for example, quartz. The power supply line 111 is inserted into the hollow portion 110 of the first supporting member 107 and connected to a power source (not shown). One example of the heating element 102 is a resistance heating element.

내식성 세라믹 부재(104)는, 석영제 히터 본체(101)의 피처리 기판 탑재면(103) 상에 적재되고, 예컨대, 도시하지 않은 핀 멈춤기 등의 접합 수단에 의해서 석영제 히터 본체(101)에 접합된다. 내식성 세라믹 부재(104)는, 발열체(102)로부터의 열을 받아, 도시하지 않은 피처리 기판, 예컨대, 반도체 웨이퍼에 열을 보다 잘 전하는 역할과, 석영제 히터 본체(101)의, 피처리 기판 탑재면(103)의 표면을 클리닝제, 예컨대, 3불화염소(ClF3)로부터 보호하는 역할을 가진다. 이들 역할로부터, 내식성 세라믹 부재(104)의 재료에는, 클리닝제에 대한 내식성이 석영제 히터 본체(101)보다도 우수하고, 또한，석영제 히터 본체(101)보다도 열전도율이 좋은 재료가 선택된다. 그러한 재료의 예로서는, 예컨대, 질화알루미늄(AlN)을 들 수 있다.The corrosion resistant ceramic member 104 is mounted on the substrate-mounted surface 103 of the quartz heater body 101, and is made of, for example, a quartz heater body 101 by a joining means such as a pin stopper (not shown). Is bonded to. The corrosion resistant ceramic member 104 receives heat from the heat generating element 102 to better transmit heat to a substrate (not shown), for example, a semiconductor wafer, and the substrate to be treated of the quartz heater body 101. the surface of the mounting surface 103 has a role of protecting from the cleaning agent, for example, chlorine trifluoride (ClF 3). From these roles, the material of the corrosion resistant ceramic member 104 is selected from a material having superior corrosion resistance to the cleaning agent than the quartz heater body 101 and having a better thermal conductivity than the quartz heater body 101. As an example of such a material, aluminum nitride (AlN) is mentioned, for example.

도 1에 나타내는 기판 탑재 기구(100)에 의하면, 히터 본체(101)가 석영제이다. 석영의 열팽창율은 세라믹, 예컨대, 질화알루미늄보다도 약 1자리수 작다. 일반적으로, 질화알루미늄의 열팽창율은 약 5×10-6/℃ 정도이지만, 석영의 열팽창율은 약 0.5×10-6/℃ 정도이다. 이 때문에, 석영제 히터 본체(101)는, 히터 본체를 세라믹제, 예컨대, 질화알루미늄제로 한 경우에 비교하여, 가열시에 있어 히터 중심으로 향해서 생기는 인장 응력을 작게 할 수 있다. 이 때문에, 도 1에 나타내는 접합부(105)의 주변, 예컨대, 접합부(105)의 주변에 형성된 작은 R부(106)에 응력이 집중하여 히터 본체(101)가 파괴되게 되는 현상을 억제할 수 있다.According to the board | substrate mounting mechanism 100 shown in FIG. 1, the heater main body 101 is made of quartz. The thermal expansion coefficient of quartz is about 1 order smaller than that of ceramics, for example, aluminum nitride. Generally, the thermal expansion rate of aluminum nitride is about 5x10 <-6> / degreeC, but the thermal expansion rate of quartz is about 0.5x10 <-6> / degreeC . For this reason, the quartz heater main body 101 can reduce the tensile stress which arises toward a heater center at the time of heating compared with the case where the heater main body is made from ceramics, for example, aluminum nitride. For this reason, the phenomenon which stress concentrates in the small R part 106 formed in the periphery of the junction part 105 shown in FIG. .

이와 같이, 일 실시형태에 따른 기판 탑재 기구(100)는, 가열시에 생기는 인장 응력을 작게 할 수 있기 때문에, 히터 본체를 세라믹제, 예컨대, 질화알루미늄제로 한 기판 탑재 기구보다도, 히터 중심부의 온도를 주변부보다도 높게 하지 않게 된다. 따라서, 기판 탑재면(103) 상에 있어서의 온도 균일성을, 히터 본체를 세라믹제, 예컨대, 질화알루미늄제로 한 기판 탑재 기구에 비교하여 보다 향상시키는 것이 가능해진다.Thus, since the board | substrate mounting mechanism 100 which concerns on one Embodiment can reduce the tensile stress which arises at the time of a heating, the temperature of a heater center part is higher than the board | substrate mounting mechanism which made a heater main body made of ceramic, for example, aluminum nitride. Will not be higher than the periphery. Therefore, it becomes possible to improve the temperature uniformity on the board | substrate mounting surface 103 more compared with the board mounting mechanism which made the heater main body made from ceramics, for example, aluminum nitride.

이러한 기판 탑재 기구(100)는, 석영제 히터 본체(101)에 작은 R부(106), 예컨대, 피처리 기판 탑재면(103)의 이면 중앙부에 지지 부재(107)와의 접합부(105)를 갖는 기판 탑재 기구에 유용하다.The substrate mounting mechanism 100 has a junction portion 105 with the support member 107 in the center portion of the rear surface of the small R portion 106, for example, the substrate mounting surface 103 to be processed, in the quartz heater body 101. It is useful for substrate mounting mechanisms.

또한, 일 실시형태에 따른 기판 탑재 기구(100)는, 지지 부재(107)도 석영제이기 때문에, 지지 부재를 세라믹제, 예컨대, 질화알루미늄제로 한 기판 탑재 기구에 비교하여, 지지 부재(107)도 열응력에 대하여 강한 구조로 된다.In addition, since the support member 107 is also made of quartz, the substrate mounting mechanism 100 according to the embodiment is made of quartz, so that the support member 107 is compared with the substrate mounting mechanism made of ceramic, for example, aluminum nitride. In addition, the structure becomes strong against thermal stress.

또한, 일 실시형태에 따른 기판 탑재 기구(100)에 의하면, 석영제 히터 본체(101)의 피처리 기판 탑재면(103) 상에, 예컨대, 클리닝제에 대한 내식성이 석영제 히터 본체(101)보다도 우수한 내식성 세라믹 부재(104)를 적재하고 있다. 내식성 세라믹 부재(104)를 구비함으로써, 피처리 기판 탑재면(103)이 석영제인 경우에 비교하여, 예컨대, 클리닝제에 의한 부식에 강하고, 피처리 기판 탑재면(103) 상의 온도 균일성의 시간 경과적 열화의 진행을 억제할 수 있어, 우수한 온도 균일성을 장기간에 걸쳐 유지하는 것이 가능해진다.Moreover, according to the board | substrate mounting mechanism 100 which concerns on one Embodiment, the quartz heater main body 101 has corrosion resistance with respect to a cleaning agent, for example on the to-be-processed substrate mounting surface 103 of the quartz heater main body 101. Better corrosion resistant ceramic member 104 is loaded. By providing the corrosion resistant ceramic member 104, compared with the case where the to-be-processed substrate mounting surface 103 is made of quartz, it is strong against corrosion by a cleaning agent, for example, and time-lapse of the temperature uniformity on the to-be-processed substrate mounting surface 103 is carried out. Progress of deterioration can be suppressed, and it becomes possible to maintain the outstanding temperature uniformity for a long time.

게다가, 일 실시형태에 따른 내식성 세라믹 부재(104)는, 히터 본체(101)보다도 열전도율이 좋은 재료를 선택함으로써, 피처리 기판 탑재면(103)이 석영제인 경우에 비교하여 열분포가 잘 되어, 온도 균일성을 더 향상시킬 수 있다.In addition, the corrosion-resistant ceramic member 104 according to the embodiment selects a material having better thermal conductivity than the heater body 101, so that the heat distribution is better than that in the case where the substrate-mounted surface 103 to be processed is made of quartz, and thus the temperature is improved. Uniformity can be further improved.

이와 같이 내식성, 및 열전도율의 쌍방이 우수한 재료의 예는 질화알루미늄이다. 또한, 내식성 세라믹 부재(104)가 질화알루미늄제이면 할로겐계 가스에 의한 부식도 발생하기 어렵다.Thus, the example of the material which is excellent in both corrosion resistance and thermal conductivity is aluminum nitride. In addition, when the corrosion resistant ceramic member 104 is made of aluminum nitride, corrosion by a halogen gas is less likely to occur.

또, 내식성 세라믹 부재(104)가 질화알루미늄제이면, 열응력에 기인한 "깨짐"이 걱정되지만, 이 점에 대해서는, 내식성 세라믹 부재(104)의 두께 t를 얇게 함으로써, 히터 본체를 모두 질화알루미늄제로 한 경우에 비교하여, "깨짐"에 대하여 강한 구조로 할 수 있다. "깨짐"에 대하여 강한 구조로 하기 위한, 내식성 세 라믹 부재(104)의 바람직한 두께 t의 범위로서는, 예컨대, 2~6㎜이다.In addition, if the corrosion resistant ceramic member 104 is made of aluminum nitride, the "break" caused by thermal stress is anxious, but in this regard, the thickness of the corrosion resistant ceramic member 104 is made thin so that the heater body is made of aluminum nitride. Compared with the case where it is zero, it can be set as a strong structure with respect to "brokenness." As a preferable range of thickness t of the corrosion-resistant ceramic member 104 in order to make a structure strong against "brokenness", it is 2-6 mm, for example.

또, 일 실시형태에 있어서는, 석영제 히터 본체(101)에 발열체(102)를 매설한 예를 나타내었지만, 이러한 기판 탑재 기구(100)는, 예컨대, 열 CVD 장치에서의 기판 탑재 기구로서 이용 가능하다.Moreover, in one Embodiment, although the example in which the heat generating body 102 was embedded in the quartz heater main body 101 was shown, such a substrate mounting mechanism 100 can be used as a substrate mounting mechanism in a thermal CVD apparatus, for example. Do.

또한, 석영제 히터 본체(101)에, 발열체(102)와 함께, 예컨대, 플라즈마 발생용의 RF 전극을 매설하도록 하더라도 좋다. 석영제 히터 본체(101)에 RF 전극을 매설하면, 플라즈마 성막 장치, 예컨대, 티탄(Ti)을 성막하는 플라즈마 CVD 장치의 기판 탑재 기구로서 이용할 수 있다.In addition, for example, an RF electrode for plasma generation may be embedded in the quartz heater body 101 together with the heating element 102. When the RF electrode is embedded in the quartz heater body 101, it can be used as a substrate mounting mechanism of a plasma film forming apparatus, for example, a plasma CVD apparatus for forming titanium (Ti).

이하, 구체적인 일 실시예로서, 석영제 히터 본체(101)에 발열체(102)와 동시에 RF 전극을 매설한 예를 플라즈마 CVD 장치와 함께 설명하는 것으로 한다.Hereinafter, as an embodiment, an example in which an RF electrode is embedded at the same time as the heating element 102 in the quartz heater body 101 will be described together with the plasma CVD apparatus.

도 2는 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 단면도, 도 3은 도 2에 나타내는 기판 탑재 기구(100a)의 확대 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to a specific embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the substrate mounting mechanism 100a shown in FIG. 2.

본 일례는, 상기 일 실시형태에 따른 기판 탑재 기구를, 반도체 장치의 제조에 사용되는 플라즈마 CVD 장치의 기판 탑재 기구에 적용한 예이다.This example is the example which applied the board | substrate mounting mechanism which concerns on the said one Embodiment to the board | substrate mounting mechanism of the plasma CVD apparatus used for manufacture of a semiconductor device.

도 2에 도시하는 바와 같이, 플라즈마 CVD 장치(200)는, 기밀하게 구성된 대략 원통 형상의 챔버(2)와, 챔버(2)의 바닥벽(2b)으로부터 아래쪽으로 돌출하여 마련된 배기실(3)을 갖고 있으며, 이들 챔버(2)와 배기실(3)에 의해 일체적인 처리 용기가 구성된다. 챔버(2) 내에는 피처리 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 기재함) W를 수평 상태로 하여 탑재하고, 또한, 가열하기 위한 기판 탑재 기구(100a)가 마련되어 있다. 석영제 히터 본체(101)의 외주부에는 웨이퍼 W를 가 이드하기 위한 포커스 링(6)이 마련되어 있다. 이 기판 탑재 기구(100a)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 도 1을 참조하여 설명한 기판 탑재 기구(100)의 석영제 히터 본체(101)에 RF 전극(112)을 더 매설한 것이다.As shown in FIG. 2, the plasma CVD apparatus 200 includes a substantially cylindrical chamber 2 that is hermetically sealed and an exhaust chamber 3 protruding downward from the bottom wall 2b of the chamber 2. These chambers 2 and the exhaust chamber 3 form an integral processing container. In the chamber 2, a substrate mounting mechanism 100a for mounting a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) W serving as a substrate to be processed in a horizontal state and heating is provided. A focus ring 6 for guiding the wafer W is provided on the outer circumferential portion of the quartz heater body 101. As shown in FIG. 3, the substrate mounting mechanism 100a further embeds the RF electrode 112 in the quartz heater body 101 of the substrate mounting mechanism 100 described with reference to FIG. 1.

챔버(2)의 외측에는 석영제 히터 본체(101)의 발열체(102) 등에 급전하기 위한 전원(5)이 마련되어 있고, 이 전원(5)으로부터 접속실(20)을 거쳐서 발열체(102) 등에 급전된다. 전원(5)에는 제어기(7)가 접속되어 있고, 전원(5)으로부터의 급전량을 제어하여 석영제 히터 본체(101) 등의 온도 제어를 행하게 되어 있다. 플라즈마 CVD 장치(200)의 각 구성부는 프로세스 제어기(60)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 프로세스 제어기(60)에는, 공정 관리자가 플라즈마 CVD 장치(200)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 플라즈마 CVD 장치(200)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(61)가 접속되어 있다.On the outside of the chamber 2, a power supply 5 for supplying power to the heating element 102 and the like of the quartz heater body 101 is provided. The power supply 5 is supplied from the power supply 5 via the connection chamber 20 to the heating element 102 and the like. do. The controller 7 is connected to the power supply 5, and the temperature of the quartz heater main body 101 or the like is controlled by controlling the amount of power supplied from the power supply 5. Each component of the plasma CVD apparatus 200 is configured to be connected to and controlled by the process controller 60. The process controller 60 includes a user interface including a keyboard on which a process manager performs a command input operation or the like for managing the plasma CVD apparatus 200, or a display that visualizes and displays the operation status of the plasma CVD apparatus 200. 61 is connected.

또한, 프로세스 제어기(60)에는, 플라즈마 CVD 장치(200)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 제어기(60)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라 플라즈마 에칭 장치의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉 레시피(recipe)가 저장된 기억부(62)가 접속되어 있다. 레시피는 하드디스크나 반도체 메모리에 기억되어 있더라도 좋고, CDROM, DVD 등의 가반성의 기억 매체에 수용된 상태에서 기억부(62)의 소정 위치에 세트하게 되어 있더라도 좋다. 또한, 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 거쳐서 레시피를 적절히 전송시키도록 하더라도 좋다.In addition, the process controller 60 includes a control program for realizing various processes executed in the plasma CVD apparatus 200 by the control of the process controller 60, or processes each component of the plasma etching apparatus in accordance with processing conditions. A memory 62 for storing a program for executing the program, i.e., a recipe, is connected. The recipe may be stored in a hard disk or a semiconductor memory, or may be set in a predetermined position of the storage unit 62 in a state accommodated in a portable storage medium such as a CDROM or a DVD. In addition, the recipe may be appropriately transmitted from another device via, for example, a dedicated line.

그리고, 필요에 따라, 사용자 인터페이스(61)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(62)로부터 호출하여 프로세스 제어기(60)에 실행시킴으로써, 프로세스 제어기(60)의 제어 하에서, 플라즈마 CVD 장치(200)에서의 소망하는 처리가 행하여진다.Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 62 by the instruction from the user interface 61 and executed in the process controller 60, thereby controlling the plasma CVD apparatus (under the control of the process controller 60). The desired processing in 200 is performed.

챔버(2)의 천장벽(2a)에는, 절연 부재(9)를 거쳐서 샤워 헤드(30)가 마련되어 있고, 샤워 헤드(30)에는 가스 공급 기구(40)가 접속되어 있다. 샤워 헤드(30)는, 상면에 가스 도입구(31)를 갖고, 내부에 가스 확산 공간(32)을 가지며, 하면에 가스 토출 구멍(33)이 형성되어 있다. 가스 도입구(31)에는, 가스 공급 기구(40)로부터 연장되는 가스 공급 배관(35)이 접속되어 있고, 가스 공급 기구(40)로부터 성막 가스가 도입된다.The shower head 30 is provided in the ceiling wall 2a of the chamber 2 via the insulating member 9, and the gas supply mechanism 40 is connected to the shower head 30. As shown in FIG. The shower head 30 has a gas introduction port 31 on the upper surface, a gas diffusion space 32 therein, and a gas discharge hole 33 is formed on the lower surface. A gas supply pipe 35 extending from the gas supply mechanism 40 is connected to the gas inlet 31, and the film forming gas is introduced from the gas supply mechanism 40.

또한, 샤워 헤드(30)에는 정합기(37)를 거쳐서 고주파 전원(36)이 접속되어 있고, 샤워 헤드(30)에 고주파 전력이 공급되게 되어 있다. 샤워 헤드(30)를 거쳐서 챔버(2) 내에 공급된 성막 가스를 플라즈마화하여 성막 처리가 행하여진다.Moreover, the high frequency power supply 36 is connected to the shower head 30 via the matching machine 37, and the high frequency power is supplied to the shower head 30. FIG. The film forming process is performed by converting the film forming gas supplied into the chamber 2 via the shower head 30 into a plasma.

상기 배기실(3)은, 챔버(2)의 바닥벽(2b)의 중앙부에 형성된 원형의 구멍(4)을 덮도록 아래쪽으로 향해서 돌출하고 있으며, 그 측면에는 배기관(51)이 접속되어 있고, 이 배기관(51)에는 배기 장치(52)가 접속되어 있다. 그리고 이 배기 장치(52)를 작동시킴으로써 챔버(2) 내를 소정의 진공도까지 감압하는 것이 가능해지고 있다.The exhaust chamber 3 protrudes downward to cover a circular hole 4 formed in the center portion of the bottom wall 2b of the chamber 2, and an exhaust pipe 51 is connected to the side surface thereof. An exhaust device 52 is connected to the exhaust pipe 51. By operating this exhaust device 52, it is possible to reduce the pressure in the chamber 2 to a predetermined degree of vacuum.

기판 탑재 기구(100a)에는, 웨이퍼 W를 지지하여 승강시키기 위한 3개(2개만 도시)의 웨이퍼 리프트핀(53)이 피처리 기판 탑재면(103)의 표면에 대하여 돌출/함 몰 가능하게 마련되고, 이들 웨이퍼 리프트핀(53)은 지지판(54)에 고정되어 있다. 그리고, 웨이퍼 리프트핀(53)은 에어 실린더 등의 구동 장치(55)에 의해 지지판(54)을 거쳐서 승강된다.In the substrate mounting mechanism 100a, three (only two) wafer lift pins 53 for supporting and lifting the wafer W are provided so as to protrude / retract from the surface of the substrate mounting surface 103 to be processed. These wafer lift pins 53 are fixed to the support plate 54. The wafer lift pins 53 are lifted up and down via the support plate 54 by a drive device 55 such as an air cylinder.

챔버(2)의 측벽에는, 진공으로 보지(保持)된 도시하지 않은 반송실과의 사이에서 웨이퍼 W의 반입/반출을 행하기 위한 반입출구(56)와, 이 반입출구(56)를 개폐하는 게이트 밸브(57)가 마련되어 있다.On the side wall of the chamber 2, a carry-in / out port 56 for carrying in / out of the wafer W and a gate for opening / closing the carry-in / out port 56 between the conveyance chamber (not shown) held in vacuo. The valve 57 is provided.

다음에, 기판 탑재 기구(100a)에 대하여, 도 3의 확대 단면도를 참조해서 설명한다. 또, 이 설명에 있어서, 도 1에 나타내는 기판 탑재 기구(100)와 동일한 부분에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 다른 부분에 대해서만 설명한다.Next, the board | substrate mounting mechanism 100a is demonstrated with reference to the expanded sectional drawing of FIG. In addition, in this description, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as the board | substrate mounting mechanism 100 shown in FIG. 1, and only another part is demonstrated.

석영제 지지 부재(107)의 중공부(110) 내에는, 연직(鉛直) 방향으로 연재되는 급전 로드(15)가 마련되어 있으며, 그 상단부는 급전 단자(108)에 접속되고, 하단부는 석영제 지지 부재(107)의 하단에 배기실(3)의 아래쪽으로 돌출하도록 부착된 접속실(20) 내로 연장되어 있다. 급전 로드(15)는 Ni 합금 등의 내열 금속 재료로 구성되어 있다.In the hollow portion 110 of the quartz support member 107, a feed rod 15 extending in the vertical direction is provided, and an upper end thereof is connected to the feed terminal 108, and a lower end thereof is supported by quartz. It extends into the connection chamber 20 attached to the lower end of the member 107 so as to protrude downward from the exhaust chamber 3. The power supply rod 15 is comprised with heat resistant metal materials, such as Ni alloy.

석영제 지지 부재(107)의 바닥부에는 플랜지 형상을 이루는 절연체로 이루어지는 바닥 뚜껑(21)이 설치 부재(21a) 및 나사(21b)에 의해 설치되어 있으며, 이 바닥 뚜껑(21)에 급전 로드(15)가 끼워져 통과되는 구멍이 연직으로 마련되어 있다. 또한, 접속실(20)은 원통 형상을 이루고, 그 상단에 플랜지(20a)가 형성되어 있고, 이 플랜지(20a)가 바닥 뚜껑(21)과 배기실(3)의 바닥벽에 의해서 사이에 유지되어 있다. 플랜지(20a)와 배기실(3)의 바닥벽 사이는 링 밀봉 부재(23a)에 의 해 기밀하게 밀봉되어 있고, 플랜지(20a)와 바닥 뚜껑(21) 사이는 2개의 링 밀봉 부재(23b)에 의해서 기밀하게 밀봉되어 있다. 그리고, 접속실(20) 내에서, 급전 로드(15)가 전원(5)으로부터 연장되는 급전선(111)에 접속되어 있다.At the bottom of the support member 107 made of quartz, a bottom lid 21 made of an insulator having a flange shape is provided by the mounting member 21a and the screw 21b. A hole through which 15) is inserted is vertically provided. Moreover, the connection chamber 20 has a cylindrical shape, and the flange 20a is formed in the upper end, and this flange 20a is hold | maintained between the bottom lid 21 and the bottom wall of the exhaust chamber 3 between them. It is. Between the flange 20a and the bottom wall of the exhaust chamber 3 is hermetically sealed by a ring sealing member 23a, and between the flange 20a and the bottom lid 21, two ring sealing members 23b. It is hermetically sealed by. In the connection chamber 20, the power supply rod 15 is connected to a power supply line 111 extending from the power source 5.

또한, 구체적인 일 실시예에 따른 기판 탑재 기구(100a)에서는, 석영제 히터 본체(101)에 발열체(102)와 함께 RF 전극(112)이 매설되어 있다. RF 전극(112)은, 도 2에 나타낸 샤워 헤드(30)를 한쪽 전극으로 했을 때, 한쪽 전극의 대향 전극으로서 기능한다. 본 예에서는 한쪽 전극에 고주파 전원(36)이 접속되므로, 석영제 히터 본체(101)에 매설된 RF 전극(112)은 급전선(109), 급전 단자(108), 및 급전선(111)을 거쳐서 접지된다.In the substrate mounting mechanism 100a according to the specific embodiment, the RF electrode 112 is embedded in the quartz heater body 101 together with the heating element 102. The RF electrode 112 functions as a counter electrode of one electrode when the shower head 30 shown in FIG. 2 is used as one electrode. In this example, since the high frequency power supply 36 is connected to one electrode, the RF electrode 112 embedded in the quartz heater body 101 is grounded through the feed line 109, the feed terminal 108, and the feed line 111. do.

이와 같이, RF 전극(112)을 석영제 히터 본체(101)에 매설함으로써, 기판 탑재 기구(100a)는 1플라즈마를 이용한 기판 처리 장치, 예컨대, 플라즈마 CVD 장치의 기판 탑재 기구로서 이용할 수 있다. 또, 석영제 히터 본체(101)에 뚫어진 구멍은 리프트핀이 끼워져 통과되는 리프트핀 구멍(113)이다.Thus, by embedding the RF electrode 112 in the quartz heater main body 101, the substrate mounting mechanism 100a can be used as a substrate mounting mechanism of a substrate processing apparatus using one plasma, for example, a plasma CVD apparatus. The hole drilled in the quartz heater body 101 is a lift pin hole 113 through which a lift pin is fitted.

이상과 같이 구성되는 플라즈마 CVD 장치(200)에 있어서는, 우선, 석영제 히터 본체(101)에 매설된 발열체(102)에 전원(5)으로부터 급전함으로써, 피처리 기판 탑재면(103) 상에 적재된 내식성 세라믹 부재(104)를 소정의 온도로 가열하여, 배기 장치(52)에 의해 챔버(2) 내를 끌어 잘라낸 상태로 두고, 게이트 밸브(57)를 열어서 진공 상태의 도시하지 않은 반송실로부터 반입출구(56)를 거쳐서 웨이퍼 W를 챔버(2) 내로 반입하고, 기판 탑재 기구(100a)의 내식성 세라믹 부재(104) 상에 웨이퍼 W를 탑재하고, 게이트 밸브(57)를 닫는다. 이 상태에서, 고주파 전원(36)으 로부터 고주파 전력을 공급함과 아울러, 가스 공급 기구(40)로부터 가스 공급 배관(35)을 거쳐서 성막 가스를 소정 유량으로 샤워 헤드(30)에 공급하여, 샤워 헤드(30)로부터 챔버(2) 내로 공급함으로써, 웨이퍼 W의 표면에서 반응을 발생시켜 소정의 막을 성막한다.In the plasma CVD apparatus 200 configured as described above, first, power is supplied from the power source 5 to the heating element 102 embedded in the quartz heater main body 101, thereby loading it on the substrate to be processed 103. The corrosion resistant ceramic member 104 is heated to a predetermined temperature, and the inside of the chamber 2 is pulled out by the exhaust device 52, and the gate valve 57 is opened to remove the vacuum chamber from a conveyance chamber (not shown). The wafer W is loaded into the chamber 2 via the carry-in / out port 56, the wafer W is mounted on the corrosion-resistant ceramic member 104 of the substrate mounting mechanism 100a, and the gate valve 57 is closed. In this state, the high frequency power is supplied from the high frequency power supply 36, and the film forming gas is supplied from the gas supply mechanism 40 to the shower head 30 at a predetermined flow rate through the gas supply pipe 35. By supplying into the chamber 2 from 30, reaction is generated on the surface of the wafer W to form a predetermined film.

또한, 구체적인 일 실시예에 따른 기판 탑재 기구(100a)에서는, 석영제 히터 본체(101)의 피처리 기판 탑재면(103)과 내식성 세라믹 부재(104) 사이에 금속막(114)을 개재시키고 있다. 금속막(114)을 피처리 기판 탑재면(103)과 내식성 세라믹 부재(104) 사이에 개재시킴으로써, 온도 균일성의 시간 경과적 열화를 더욱 억제할 수 있다. 이 억제에 대하여 이하 설명한다.In the substrate mounting mechanism 100a according to the specific embodiment, the metal film 114 is interposed between the substrate-mounted surface 103 of the quartz heater body 101 and the corrosion resistant ceramic member 104. . By interposing the metal film 114 between the substrate mounting surface 103 and the corrosion resistant ceramic member 104, the temporal deterioration of temperature uniformity can be further suppressed. This inhibition will be described below.

도 4(a) 및 도 4(b)는 각각 리프트핀 구멍(113) 근방의 확대도이다.4 (a) and 4 (b) are enlarged views of the vicinity of the lift pin hole 113, respectively.

도 4(a)는 석영제 히터 본체(101)와 내식성 세라믹 부재(104)의 이상적인 적층 상태를 나타내고 있다. 이상적인 적층 상태에 있어서는, 석영제 히터 본체(101)의 피처리 기판 탑재면(103)과 내식성 세라믹 부재(104) 사이에 간극이 전혀 없다. 그러나, 실제로는, 도 4(b)에 도시하는 바와 같이, 피처리 기판 탑재면(103)과 내식성 세라믹 부재(104) 사이에는, 미크론의 간극(115)이 존재하고 있다. 이 미크론 간극(115)이 온도 균일성의 시간 경과적 열화를 가속시키는 한가지 원인으로 될 수 있다.Fig. 4A shows an ideal lamination state of the quartz heater body 101 and the corrosion resistant ceramic member 104. Figs. In an ideal lamination state, there is no gap between the substrate-mounted surface 103 of the quartz heater body 101 and the corrosion resistant ceramic member 104. However, in reality, as shown in FIG. 4B, a micron gap 115 exists between the substrate-mounting surface 103 and the corrosion resistant ceramic member 104. This micron gap 115 may be one cause for accelerating the temporal deterioration of temperature uniformity.

도 5(a) 내지 도 5(c)는 각각 피처리 기판 탑재면(103)의 시간 경과적 열화를 나타내는 도면이다.5 (a) to 5 (c) are diagrams showing time-lapse deterioration of the substrate-mounting surface 103 to be processed, respectively.

도 5(a)는 성막 처리를 한번도 행하고 있지 않은 상태를 나타낸다. 도 5(b) 는 성막 처리를 몇 번 행한 상태, 도 5(c)는 성막 처리를 몇 번 더 행한 상태를 나타낸다.5A shows a state where the film forming process has never been performed. Fig. 5 (b) shows a state where the film forming process is performed several times, and Fig. 5 (c) shows a state where the film forming process is performed several times.

도 5(a)로부터 도 5(c)에 걸쳐 도시하는 바와 같이, 성막 처리를 반복하면, 피처리 기판 탑재면(103)과 내식성 세라믹 부재(104) 사이의 미크론의 간극(115)에 금속(116)이 들어가 서서히 축적되어, 그 축적 범위가 서서히 확대되어 간다. 이와 같이 금속(116)의 축적 범위는, 항상 일정하지 않고, 성막 처리를 반복할 때마다 변화된다. 피처리 기판 탑재면(103)과 내식성 세라믹 부재(104) 사이에 금속(116)이 축적되고, 더구나, 그 축적 범위가 변화되는 것 같으면, 석영제 히터 본체(101)의 방열 밸런스가 변화, 예컨대, 악화되어 간다. 방열 밸런스의 악화는 피처리 기판 탑재면(103) 상의 온도 균일성의 시간 경과적 열화를 가속시킨다.As shown in FIGS. 5A to 5C, when the film forming process is repeated, the metal (the micro-gap 115 between the substrate-mounting surface 103 and the corrosion resistant ceramic member 104) 116) enters and accumulates gradually, and the accumulation range gradually expands. In this manner, the accumulation range of the metal 116 is not always constant and changes each time the film forming process is repeated. If the metal 116 accumulates between the substrate mounting surface 103 and the corrosion resistant ceramic member 104, and the accumulation range is likely to change, the heat dissipation balance of the quartz heater body 101 changes, for example. , It gets worse. The deterioration of the heat dissipation balance accelerates the time course deterioration of the temperature uniformity on the substrate-mounting surface 103 to be processed.

특히, 금속(116)의 축적은, 피처리 기판 탑재면(103)과 내식성 세라믹 부재(104)의 접합면이, 외계에 노출되어 있는 부분이 축적 기점으로 된다. 이러한 부분은 도 4에 도시하는 바와 같이 예컨대, 리프트핀 구멍(113)에서 볼 수 있다.In particular, in the accumulation of the metal 116, the portion where the bonding surface of the substrate-mounting surface 103 to be treated and the corrosion resistant ceramic member 104 is exposed to the external field becomes the accumulation starting point. This portion can be seen, for example, in the lift pin hole 113 as shown in FIG.

이러한 금속(116)의 축적에 의한 온도 균일성의 열화를 억제하기 위해서, 구체적인 일 실시예에 있어서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 석영제 히터 본체(101)와 내식성 세라믹 부재(104) 사이에 금속막(114)을 형성해 놓는다. 이 금속막(114)은 성막 처리에 의해서 축적되는 금속과 동종의 금속이 좋다. 예컨대, 플라즈마 CVD 장치(200)가 티탄(Ti) 및 질화티탄(TiN) 성막용이었던 경우에는, 축적되는 금속은 질화티탄이므로, 금속막(114)은 질화티탄막으로 하면 된다.In order to suppress the deterioration of the temperature uniformity caused by the accumulation of the metal 116, in one specific embodiment, as shown in FIG. 3, the metal is disposed between the quartz heater body 101 and the corrosion resistant ceramic member 104. A film 114 is formed. The metal film 114 is preferably a metal of the same kind as the metal accumulated by the film forming process. For example, in the case where the plasma CVD apparatus 200 is for forming titanium (Ti) and titanium nitride (TiN) film formation, since the accumulated metal is titanium nitride, the metal film 114 may be a titanium nitride film.

이와 같이, 석영제 히터 본체(101)와 내식성 세라믹 부재(104) 사이에, 성막 처리에 의해서 축적되는 금속과 동종의 금속으로 이루어지는 금속막(114)을 미리 형성해 놓음으로써, 금속의 축적에 의한 방열 밸런스의 악화를 억제할 수 있어, 피처리 기판 탑재면(103) 상의 온도 균일성의 시간 경과적 열화를 억제할 수 있다.In this manner, a metal film 114 made of a metal of the same type as the metal accumulated by the film forming process is formed between the quartz heater body 101 and the corrosion resistant ceramic member 104 in advance, thereby dissipating heat due to the accumulation of metal. Deterioration of a balance can be suppressed and the temporal deterioration of the temperature uniformity on the to-be-processed substrate mounting surface 103 can be suppressed.

이상, 본 발명을 일 실시형태 및 구체적인 일 실시예에 근거하여 설명했지만, 본 발명은 상기 일 실시형태 및 일 실시예에 한정되는 일없이 여러 가지 변형 가능하다.As mentioned above, although this invention was demonstrated based on one Embodiment and one specific Example, this invention can be variously modified without being limited to the said one Embodiment and one Example.

예컨대, 상기 일 실시예에서는, 본 발명에 따른 기판 탑재 기구를 플라즈마 CVD 장치에 적용한 예를 설명했지만, 피처리 기판을 가열하도록 하는 기판 처리 장치, 예컨대, 에칭 장치나 열처리 장치 등에도 적용하는 것이 가능하다.For example, in the above embodiment, the example in which the substrate mounting mechanism according to the present invention is applied to the plasma CVD apparatus has been described. However, the substrate mounting apparatus according to the present invention can also be applied to a substrate processing apparatus such as an etching apparatus or a heat treatment apparatus for heating a substrate to be processed. Do.

또한, 석영제 히터 본체의 형상으로서, 석영제 지지 부재가 접합되는, 작은 R부를 갖은 접합부를 피처리 기판 탑재면의 이면에 갖은 것을 예시했지만, "깨짐"으로 이어지는 파괴 기점이 되기 쉬운 부위가 존재하고 있는 것이면 적용 가능하다.In addition, as the shape of the quartz heater main body, although having illustrated the bonding part which has the small R part to which the quartz support member is bonded to the back surface of the to-be-processed substrate mounting surface, there exists a site | part which tends to become a breaking point leading to "brokenness". If it is, it is applicable.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 탑재 기구의 일례를 나타내는 단면도,1 is a cross-sectional view showing an example of a substrate mounting mechanism according to one embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일례를 나타내는 단면도,2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to a specific embodiment of the present invention;

도 3은 도 2에 나타내는 기판 탑재 기구(100a)의 확대 단면도,3 is an enlarged cross-sectional view of the substrate mounting mechanism 100a shown in FIG. 2;

도 4(a) 도 (b)는 각각 리프트핀 구멍 근방의 확대도,(A) and (b) are enlarged views of the vicinity of the lift pin hole, respectively;

도 5(a) 내지 (c)는 각각 피처리 기판 탑재면의 시간 경과적 열화를 나타낸 도면.5 (a) to 5 (c) show the time course deterioration of the substrate mounting surface, respectively.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

100, 100a : 기판 탑재 기구100, 100a: substrate mounting mechanism

101 : 석영제 히터 본체101: quartz heater body

102 : 발열체102: heating element

103 : 피처리 기판 탑재면103: substrate mounting surface

104 : 내식성 세라믹 부재104: corrosion resistant ceramic member

105 : 접합부105: junction

106 : 작은 R부(작은 곡면부)106: small R portion (small curved portion)

107 : 석영제 지지 부재107: quartz support member

108 : 급전 단자108: feed terminal

Claims (7)

발열체가 매설된 석영제 히터 본체와,The heater body made of quartz in which a heating element was embedded, 상기 석영제 히터 본체의 피처리 기판 탑재면 상에 적재된 내식성 세라믹 부재Corrosion-resistant ceramic member mounted on the substrate to be processed surface of the quartz heater body 를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구.Substrate mounting mechanism comprising a. 발열체가 매설된 석영제 히터 본체와,The heater body made of quartz in which a heating element was embedded, 상기 석영제 히터 본체의 피처리 기판 탑재면 상에 형성된, 성막 처리에 의해서 축적되는 금속과 동종의 금속으로 이루어지는 금속막과,A metal film formed of a metal of the same kind as the metal accumulated by the film forming process and formed on the substrate-mounted surface of the quartz heater body; 상기 금속막 상에 적재된 내식성 세라믹 부재Corrosion-resistant ceramic member mounted on the metal film 를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구.Substrate mounting mechanism comprising a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 금속막은 TiN을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구.And the metal film comprises TiN. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 석영제 히터 본체는, 상기 피처리 기판 탑재면의 이면 중앙부에, 석영제 지지 부재가 접합되고, 작은 R부를 가진 접합부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구.The said quartz heater main body is equipped with the joining part which has a quartz support member joined to the center of the back surface of the said to-be-processed substrate mounting surface, and has a small R part, The board mounting mechanism characterized by the above-mentioned. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 접합부에 급전 단자를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구.The board | substrate mounting mechanism characterized by including a feed terminal at the said junction part. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 내식성 세라믹 부재는 AlN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 탑재 기구.The corrosion resistant ceramic member is made of AlN. 기판을 수용하고, 내부가 감압 보지(保持)되는 처리 용기와,A processing container in which the substrate is accommodated, the inside of which is held under reduced pressure; 상기 처리 용기 내에 마련된, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 구성을 갖는 기판 탑재 기구와,The board | substrate mounting mechanism which has a structure as described in any one of Claims 1-3 provided in the said processing container, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 기구Processing mechanism which performs a predetermined process to the said board | substrate in the said processing container 를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus comprising a.
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