KR20110027621A - Mounting table structure and processing apparatus - Google Patents

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KR20110027621A
KR20110027621A KR1020100088340A KR20100088340A KR20110027621A KR 20110027621 A KR20110027621 A KR 20110027621A KR 1020100088340 A KR1020100088340 A KR 1020100088340A KR 20100088340 A KR20100088340 A KR 20100088340A KR 20110027621 A KR20110027621 A KR 20110027621A
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히로 가와사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

PURPOSE: A mounting table structure and a processing apparatus thereof are provided to install a heat distributing plate on the main body of the mounting table, thereby increasing durability of the heat distributing plate which is directly mounted on an object to be processed. CONSTITUTION: A mounting table main body(68) includes a heater(72) which heats an object to be processed. A heat distributing plate(76) is located on the mounting table main body. The object to be processed is mounted on the heat distributing plate. An electrode(78) is installed in the mounting table main body. A pillar(70) is erected from the bottom of a processing container(32) to support the mounting table main body.

Description

탑재대 구조체 및 처리 장치{MOUNTING TABLE STRUCTURE AND PROCESSING APPARATUS}MOUNTING TABLE STRUCTURE AND PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피처리체의 처리 장치 및 탑재대 구조체에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a processing apparatus for a target object such as a semiconductor wafer and a mounting structure.

일반적으로, 반도체 집적 회로를 제조하려면, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 성막 처리, 에칭 처리, 열처리, 개질(改質) 처리, 결정화 처리 등의 각종 낱장 처리를 반복해서 행하여, 소망하는 집적 회로를 형성하도록 되어 있다. 상기한 바와 같은 각종의 처리를 행하는 경우에는, 그 처리의 종류에 대응하여 필요한 처리 가스, 예를 들어 성막 처리의 경우에는 성막 가스나 할로겐 가스를, 개질 처리의 경우에는 오존 가스 등을, 결정화 처리의 경우에는 N2 가스 등의 불활성 가스나 02 가스 등을 각각 처리 용기 내로 도입한다.In general, in order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various sheets such as a film forming process, an etching process, a heat treatment, a modification process, and a crystallization process are repeatedly performed on a target object such as a semiconductor wafer to form a desired integrated circuit. It is supposed to. In the case of performing the above-described various kinds of treatments, crystallization treatment is performed for processing gases required for the type of treatment, for example, film forming gas or halogen gas in the case of film forming treatment, ozone gas, etc. in the case of reforming treatment. In the case of N 2 Inert gases, such as gas, 0 2 gas, etc., are respectively introduced into the processing vessel.

반도체 웨이퍼에 대해서 한장마다 열처리를 실시하는 낱장식의 처리 장치를, 예를 들어 진공 흡인 가능하게 된 처리 용기 내에, 예를 들어 저항 가열 히터를 내장한 탑재대를 설치하고, 이 상면에 반도체 웨이퍼를 탑재하며, 소정의 온도(예를 들어, 100℃ 내지 1000℃)로 가열한 상태에서 소정의 처리 가스를 흘리고, 플라즈마를 이용하여, 또는 플라즈마를 이용하지 않고 소정의 프로세스 조건하에서 반도체 웨이퍼에 각종의 열처리를 실시하도록 되어 있다(특허문헌 1 내지 4). 이 때문에, 처리 용기 내의 부재에 관해서는, 이러한 가열에 대한 내열성과 처리 가스에 노출되어도 부식되지 않는 내부식성이 요구된다.A sheet-type processing apparatus which heat-treats a semiconductor wafer one by one, for example, is installed in a processing container that is capable of vacuum suction, for example, a mounting table incorporating a resistance heating heater is placed on the upper surface of the semiconductor wafer. And a predetermined processing gas flowing in a state of being heated to a predetermined temperature (for example, 100 ° C to 1000 ° C), and a variety of types of semiconductor wafers under predetermined process conditions using plasma or without plasma. The heat treatment is performed (Patent Documents 1 to 4). For this reason, with respect to the member in a process container, the heat resistance to such a heating and corrosion resistance which are not corroded even when exposed to a process gas are calculated | required.

그런데, 플라즈마를 이용하여 반도체 웨이퍼를 처리하는 처리 장치에서, 반도체 웨이퍼를 탑재하는 탑재대 구조체에 관해서는, 일반적으로는 내열성 내부식성을 갖게 하는 동시에, 금속 컨테미네이션(contamination) 등의 금속 오염을 방지할 필요가 있는 것으로부터, 예를 들어 AlN 등의 세라믹재 안에 발열체로서 저항 가열 히터를 매설하여 고온에서 일체 소성(燒成)하여 탑재대 본체를 제작하는 동시에, 이 상면에 하부 전극 등을 형성하기 위한 전극을 매설한 열분산판을 마련하여 탑재대를 형성하고 있다. 또한, 별도의 공정에서 마찬가지로 세라믹재 등을 소성하여 지주를 형성하고, 상기 탑재대측과 상기 지주를, 예를 들어 열확산 접합으로 용착해서 일체화하여 탑재대 구조체를 제조하고 있다. 이와 같이 일체 성형한 탑재대 구조체는 처리 용기 내의 바닥부에 기립시켜서 마련된다. 또한, 상기 세라믹재를 대신하여 내열·내부식성이 있고, 또한 열신축도 적은 석영 유리를 이용하는 경우도 있다.By the way, in the processing apparatus which processes a semiconductor wafer using a plasma, the mounting structure which mounts a semiconductor wafer generally has heat resistance corrosion resistance, and metal contamination, such as metal contamination, is carried out. Since it is necessary to prevent, for example, a resistance heating heater is embedded in a ceramic material such as AlN as a heating element and integrally fired at a high temperature to produce a mount body, and a lower electrode or the like is formed on this upper surface. The heat spreader which embeds the electrode for this purpose is provided, and the mounting table is formed. Similarly, in a separate step, a ceramic material or the like is baked to form a support, and the mounting side and the support are welded and integrated, for example, by thermal diffusion bonding to manufacture a mounting structure. The mounting table structure integrally formed in this way is provided by standing on the bottom in the processing container. In addition, quartz glass may be used in place of the above ceramic material, which has heat resistance and corrosion resistance and low thermal expansion and contraction.

여기서, 종래의 탑재대 구조체의 일 예에 대해서 설명한다. 도 6은 종래의 탑재대 구조체의 일 예를 도시하는 단면도이다. 이 탑재대 구조체는 진공 배기가 가능하게 된 처리 용기 내에 마련되어 있고, 도 6에 도시하는 바와 같이, 이 탑재대 구조체는 원판 형상의 탑재대(2)를 갖고 있다. 구체적으로는, 상기 탑재대(2)는, 예를 들어 가열 히터 등의 가열 수단(6)이 매설된, 예를 들어 석영이나 세라믹재 등으로 이루어지는 탑재대 본체(8)와, 전극(10)이 내부에 매설된, 예를 들어 세라믹재로 이루어지는 얇은 열분산판(12)으로 이루어지고, 이 열분산판(12) 상에 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되어 반도체 웨이퍼(W)를 가열하도록 되어 있다. 그리고, 이 탑재대(2)의 하면의 중앙부에는 마찬가지로, 예를 들어 AlN 등의 세라믹재로 이루어지는 원통형의 지주(4)가, 예를 들어 열확산 접합으로 접합되어 일체화되어 있다.Here, an example of the conventional mounting structure is demonstrated. 6 is a cross-sectional view showing an example of a conventional mounting structure. This mount structure is provided in a processing container that enables vacuum evacuation, and as shown in FIG. 6, the mount structure has a disc-shaped mount 2. Specifically, the mounting table 2 includes, for example, a mounting table main body 8 made of quartz, a ceramic material, or the like, in which heating means 6 such as a heating heater is embedded, and an electrode 10. It consists of the thin heat-dissipation plate 12 which consists of the ceramic material embedded in this inside, for example, The semiconductor wafer W is mounted on this heat-dispersion plate 12, and the semiconductor wafer W is heated. And similarly, the cylindrical support 4 which consists of ceramic materials, such as AlN, is joined to the center part of the lower surface of this mounting table 2, for example by thermal diffusion bonding, and is integrated.

따라서, 양자는 열확산 접합부(5)에 의해 기밀하게 접합되는 것이 된다. 또한, 탑재대(2)와 지주(4)를 나사에 의해 연결하는 경우도 있다. 여기서, 상기 탑재대(2)의 크기는, 예를 들어 반도체 웨이퍼 사이즈가 300㎜인 경우에는, 직경이 350㎜ 정도이다.Therefore, both are hermetically joined by the thermal diffusion junction 5. Moreover, the mounting table 2 and the support | pillar 4 may be connected with a screw in some cases. Here, when the semiconductor wafer size is 300 mm, the magnitude | size of the said mounting table 2 is about 350 mm in diameter, for example.

상기 지주(4)의 하단부는 용기 바닥부(14)에 고정 블록(15)에 의해 고정됨으로써 기립 상태가 되어 있다. 그리고, 상기 원통 형상의 지주(4) 내에는, 그 상단이 상기 가열 수단(6)에 접속 단자(16)를 거쳐서 접속된 히터 급전 부재(20)가 마련되어 있고, 이 히터 급전 부재(20)의 하단부측은 절연 부재(22)를 거쳐서 용기 바닥부를 하방으로 관통하여 외부로 인출되어 있다. 또한, 상기 전극(10)은 접속 단자(24)를 거쳐서 전극 급전 부재(26)에 접속되어 있으며, 이 전극 급전 부재(26)는 지주(4) 내를 삽입통과하고, 그 하단부는 절연 부재(22)를 하방으로 관통하여 외부로 인출되어 있다.The lower end of the support 4 is in an upright state by being fixed to the container bottom 14 by the fixing block 15. In the cylindrical support 4, a heater feed member 20 whose upper end is connected to the heating means 6 via a connection terminal 16 is provided, and the heater feed member 20 The lower end part penetrates below the container bottom part through the insulating member 22, and is taken out outside. In addition, the electrode 10 is connected to the electrode feeding member 26 via a connecting terminal 24, the electrode feeding member 26 is inserted through the pillar (4), the lower end of the insulating member ( 22) penetrates downward and is drawn out.

그리고, 상기 지주(4) 내로는 불활성 가스로서, 예를 들어 N2 가스가 공급되어 있다. 이것에 의해, 이 지주(4) 내로 프로세스 가스 등이 침입하는 것을 방지하며, 상기 각 급전 부재(20, 26)나 접속 단자(16, 24) 등이 상기 부식성의 프로세스 가스에 의해 부식되는 것을 방지하도록 되어 있다. 또한, 상기 전극(10)에는 척(chuck)용의 직류 전압이나 바이어스용의 고주파 전력이 필요에 따라 인가된다.In addition, as the inert gas in the post 4, for example, N 2 Gas is supplied. This prevents the process gas or the like from entering into the support 4 and prevents the respective feeding members 20, 26, the connection terminals 16, 24, and the like from being corroded by the corrosive process gas. It is supposed to. In addition, a DC voltage for the chuck or high frequency power for the bias is applied to the electrode 10 as necessary.

1 : 일본 공개 특허 공보 제 1995-078766 호1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 1995-078766 2 : 일본 공개 특허 공보 제 2004-356624 호2: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-356624 3 : 일본 공개 특허 공보 제 2006-295138 호3: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-295138 4 : 일본 공개 특허 공보 제 2007-204855 호4: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-204855

그런데, 전술한 종래의 탑재대 구조체에 있어서는, 두께가 5㎜ 정도의 매우 얇은 세라믹재로 이루어지는 열분산판(12) 내에 이물(異物)인 금속제의 전극(10)을 매설하도록 해서 일체 소성(燒成)하여 형성하고 있는 것으로부터, 양자의 열팽창 차이 등에 기인하여 열분산판(12) 자체가 파손하기 쉽거나, 또한 이 제조 자체가 복잡하고 고가인 것으로 되어 있었다.By the way, in the above-described conventional mounting table structure, integrally firing is made by embedding the metal electrode 10, which is a foreign material, in the heat dissipation plate 12 made of a very thin ceramic material having a thickness of about 5 mm. The heat dissipation plate 12 itself is easy to be damaged due to the difference in thermal expansion between the two, and the production itself is complicated and expensive.

또한, 지주(4) 내로 공급된 불활성 가스인 N2 가스를 상기 탑재대 본체(8)와 열분산판(12)의 접촉면의 경계 간극(28)으로부터 처리 용기 내를 향해 흘리고 있지만, 처리 용기 내의 처리 가스 등이 상기 경계 간극(28) 내에 약간이지만 침입해 오는 것은 피할 수 없고, 이 결과 상기 경계 간극(28)의 부분에 불필요한 막이 부착하거나, 상기 접속 단자(24)가 부식성의 가스에 의해 부식되는 경우가 발생한다고 하는 문제가 있었다.In addition, N 2 which is an inert gas supplied into the support 4 Although gas flows from the boundary gap 28 of the contact surface of the mount main body 8 and the heat dissipation plate 12 toward the inside of the processing container, the processing gas or the like in the processing container enters the boundary gap 28 slightly. Inevitably, there was a problem that an unnecessary film adhered to the portion of the boundary gap 28 or the connection terminal 24 was corroded by corrosive gas.

본 발명은 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이것을 유효하게 해결하기 위해 창안된 것이다. 본 발명은 피처리체를 직접적으로 탑재하는 열분산판의 내구성을 향상시켜 파손하기 어렵게 하는 동시에, 접속 단자가 부식되지 않도록 하는 것이 가능한 탑재대 구조체 및 처리 장치이다.The present invention has been devised to solve the above problems and to effectively solve the above problems. The present invention provides a mounting structure and a processing apparatus which can improve the durability of a heat dissipation plate on which a target object is directly mounted to make it difficult to damage and prevent the connection terminal from corrosion.

청구항 1에 따른 발명은, 배기가 가능하게 된 처리 용기 내에 마련되어 처리해야 할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서, 상기 피처리체를 가열하는 가열 수단이 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체 상에 마련되는 동시에 그 상면에 상기 피처리체를 탑재하는 열분산판과, 상기 탑재대 본체 내에 마련된 전극과, 상기 탑재대 본체를 지지하기 위해 상기 처리 용기의 바닥부로부터 기립된 통체 형상의 지주와, 상기 지주 내에 삽입통과되는 동시에 상단부가 상기 가열 수단에 접속된 히터 급전 부재와, 상기 지주 내에 삽입통과되는 동시에 상단부가 상기 전극에 접속된 전극 급전 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 탑재대 구조체이다.In the invention according to claim 1, in the mounting structure for mounting a workpiece to be provided in a processing container capable of evacuation and to be treated, a mounting table main body provided with heating means for heating the processing object, and the mounting table main body A heat dissipation plate provided on the upper surface and mounting the object to be processed on the upper surface thereof, an electrode provided in the mounting body, and a cylindrical pillar standing up from the bottom of the processing container to support the mounting body; A heater structure member comprising a heater feeding member inserted into the support and connected to the heating means, and an electrode feeding member inserted into the support and connected to the electrode.

이와 같이, 배기가 가능하게 된 처리 용기 내에 마련되어 처리해야 할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서, 가열 수단이 마련된 탑재대 본체 내에 전극을 마련하고, 이 탑재대 본체 상에 피처리체를 탑재하는 열분산판을 마련하도록 했기 때문에, 피처리체를 직접적으로 탑재하는 열분산판의 내구성을 향상시켜 파손하기 어렵게 하는 동시에, 접속 단자가 부식되지 않도록 할 수 있다.Thus, in the mounting structure for mounting the to-be-processed object provided in the processing container which was exhaustable, and to process, an electrode is provided in the mounting base main body with a heating means, and a to-be-processed object is mounted on this mounting base main body. Since the heat dissipation plate is provided, the durability of the heat dissipation plate on which the target object is directly mounted can be improved, making it difficult to damage and preventing the connection terminal from corrosion.

청구항 6에 따른 발명은, 배기가 가능하게 된 처리 용기 내에 마련되어 처리해야 할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서, 상기 피처리체를 가열하는 가열 수단이 마련된 탑재대 본체와, 상기 탑재대 본체 상에 마련되는 동시에 그 상면에 상기 피처리체를 탑재하는 열분산판과, 상기 탑재대 본체 내에 마련된 전극과, 상기 탑재대 본체를 지지하기 위해 상기 처리 용기의 바닥부측으로부터 기립된 복수의 보호관과, 상기 보호관 내에 삽입통과되는 동시에 상단부가 상기 가열 수단에 접속된 히터 급전 부재와, 상기 보호관 내에 삽입통과되는 동시에 상단부가 상기 전극에 접속된 전극 급전 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 탑재대 구조체이다.According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a mount structure for mounting a workpiece to be disposed in a processing vessel capable of exhausting, and to mount a workpiece, and a mount body provided with heating means for heating the workpiece, and the mount body. A heat dissipation plate provided on the upper surface and mounting the object on the upper surface thereof, an electrode provided in the mounting body, a plurality of protection tubes standing up from the bottom side of the processing container to support the mounting body; A heater structure member comprising a heater feed member inserted into a protective tube and connected to the heating means at the same time, and an electrode feed member inserted into the protective tube and connected to the electrode at the upper end.

청구항 10에 따른 발명은, 피처리체에 대해서 처리를 실시하기 위한 처리 장치에 있어서, 배기가 가능하게 된 처리 용기와, 상기 피처리체를 탑재하기 위한 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 탑재대 구조체와, 상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치이다.The invention according to claim 10 is a processing apparatus for performing a treatment on a target object, the process vessel in which exhaust is enabled, and a mounting structure according to any one of claims 1 to 9 for mounting the target object. And a gas supply means for supplying gas into the processing container.

본 발명에 따른 탑재대 구조체 및 처리 장치에 의하면, 다음과 같은 뛰어난 작용·효과를 발휘할 수 있다.According to the mounting structure and the processing apparatus which concern on this invention, the following outstanding action and effect can be exhibited.

배기가 가능하게 된 처리 용기 내에 마련되어 처리해야 할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서, 가열 수단이 마련된 탑재대 본체 내에 전극을 마련하고, 이 탑재대 본체 상에 피처리체를 탑재하는 열분산판을 마련하도록 했기 때문에, 피처리체를 직접적으로 탑재하는 열분산판의 내구성을 향상시켜 파손하기 어렵게 하는 동시에, 접속 단자가 부식되지 않도록 할 수 있다.A mounting structure for mounting an object to be processed provided in a processing container capable of evacuation, the heat dissipation plate for providing an electrode in a mounting body having a heating means and mounting the object on the mounting body. In this way, the durability of the heat dissipation plate on which the workpiece is directly mounted can be improved, making it difficult to damage and preventing the connection terminal from corrosion.

도 1은 본 발명에 따른 탑재대 구조체의 제 1 실시예를 갖는 처리 장치를 도시하는 단면 구성도,
도 2는 탑재대 구조체의 제 1 실시예를 도시하는 확대 단면도,
도 3은 가열 수단의 배치 상태를 모식적으로 도시하는 평면도,
도 4는 탑재대 구조체의 지주를 도시하는 확대 횡단면도,
도 5는 본 발명에 따른 탑재대 구조체의 제 2 실시예를 도시하는 확대 단면도,
도 6은 종래의 탑재대 구조체의 일 예를 도시하는 단면도.1 is a cross-sectional configuration diagram showing a processing apparatus having a first embodiment of a mounting structure according to the present invention;
2 is an enlarged cross-sectional view showing a first embodiment of the mounting structure;
3 is a plan view schematically showing an arrangement state of heating means;
4 is an enlarged cross sectional view showing the prop of the mounting structure;
5 is an enlarged cross-sectional view showing a second embodiment of the mounting structure according to the present invention;
6 is a cross-sectional view showing an example of a conventional mounting table structure.

이하에, 본 발명에 따른 탑재대 구조체 및 처리 장치의 바람직한 일 실시형태를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 기술한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, one preferred embodiment of the mounting structure and the processing apparatus which concern on this invention is described in detail based on an accompanying drawing.

<제 1 실시예><First Embodiment>

도 1은 본 발명에 따른 탑재대 구조체의 제 1 실시예를 갖는 처리 장치를 도시하는 단면 구성도, 도 2는 탑재대 구조체의 제 1 실시예를 도시하는 확대 단면도, 도 3은 가열 수단의 배치 상태를 모식적으로 도시하는 평면도, 도 4는 탑재대 구조체의 지주를 도시하는 확대 횡단면도이다. 여기에서는, 플라즈마를 이용하여 성막 처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명한다.1 is a cross-sectional configuration diagram showing a processing apparatus having a first embodiment of a mount structure according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a first embodiment of the mount structure, and FIG. 3 is an arrangement of heating means. 4 is an enlarged cross-sectional view showing the prop of the mounting structure. Here, the case where film-forming process is performed using plasma is demonstrated as an example.

도시하는 바와 같이, 이 처리 장치(30)는, 예를 들어 단면의 내부가 대략 원형 형상으로 된 알루미늄제(알루미늄 합금을 포함함)의 처리 용기(32)를 갖고 있다. 이 처리 용기(32) 내의 천장부에는 필요한 처리 가스, 예를 들어 성막 가스를 도입하기 위해 가스 공급 수단인 샤워 헤드부(34)가 절연층(36)을 거쳐서 마련되어 있고, 이 하면의 가스 분사면(38)에 마련한 다수의 가스 분사 구멍(40A, 40B)으로부터 처리 공간(S)을 향해 처리 가스를 분사하도록 되어 있다. 이 샤워 헤드부(34)는 플라즈마 처리시에 상부 전극을 겸하는 것이다.As shown, this processing apparatus 30 has the processing container 32 made of aluminum (containing aluminum alloy) whose inside of a cross section is substantially circular shape, for example. The shower head portion 34, which is a gas supply means, is provided through the insulating layer 36 in the ceiling portion of the processing vessel 32 to introduce necessary processing gas, for example, film forming gas. The processing gas is injected toward the processing space S from the plurality of gas injection holes 40A and 40B provided in 38. This shower head portion 34 also serves as an upper electrode during plasma processing.

이 샤워 헤드부(34) 내에는, 중공 형상의 2개로 구획된 가스 확산실(42A, 42B)이 형성되어 있고, 여기에 도입된 처리 가스를 평면 방향으로 확산한 후, 각 가스 확산실(42A, 42B)에 각각 연통된 각 가스 분사 구멍(40A, 40B)으로부터 분사하도록 되어 있다. 즉, 가스 분사 구멍(40A, 40B)은 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 이 샤워 헤드부(34)의 전체는, 예를 들어 니켈이나 하스테로이(등록 상표) 등의 니켈 합금, 알루미늄 또는 알루미늄 합금에 의해 형성되어 있다. 또한, 샤워 헤드부(34)로서 이용하는 가스 종(種)에 따라서는, 가스 확산실이 1개 또는 3개 이상인 경우도 있다.In the shower head portion 34, gas diffusion chambers 42A and 42B divided into two hollow shapes are formed, and after spreading the processing gas introduced therein in the planar direction, each gas diffusion chamber 42A is formed. And 42B are respectively sprayed from the gas injection holes 40A and 40B. That is, the gas injection holes 40A and 40B are arrange | positioned in matrix form. The entire shower head 34 is made of nickel alloy, aluminum or aluminum alloy such as nickel or Hastelloy (registered trademark). Moreover, depending on the gas species used as the shower head part 34, there may be one or three or more gas diffusion chambers.

그리고, 이 샤워 헤드부(34)와 처리 용기(32)의 상단 개구부의 절연층(36)의 접합부에는, 예를 들어 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(44)가 개재되어 있어, 처리 용기(32) 내의 기밀성을 유지하도록 되어 있다. 그리고, 이 샤워 헤드부(34)에는 정합 회로(46)를 거쳐, 예를 들어 13.56MHz의 플라즈마용의 고주파 전원(48)이 접속되어 있어, 필요시에 플라즈마를 생성 가능하게 되어 있다. 이 주파수는 상기 13.56MHz로 한정되지 않는다.And the sealing member 44 which consists of O-rings etc. is interposed at the junction part of the shower head part 34 and the insulating layer 36 of the upper end opening of the processing container 32, for example, and the processing container 32 Is kept confidential. The shower head 34 is connected to a high frequency power supply 48 for plasma of 13.56 MHz, for example, via a matching circuit 46, so that plasma can be generated when necessary. This frequency is not limited to 13.56 MHz.

또한, 처리 용기(32)의 측벽에는 이 처리 용기(32) 내에 대해서 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 반입반출하기 위한 반출입구(50)가 마련되는 동시에, 이 반출입구(50)에는 기밀하게 개폐 가능하게 된 게이트 밸브(52)가 마련되어 있다.The sidewall of the processing container 32 is provided with a carrying in and out 50 for carrying in and carrying out the semiconductor wafer W as an object to be processed into the processing container 32 and airtight in the carrying in and out 50. The gate valve 52 which became openable and closed is provided.

그리고, 이 처리 용기(32)의 바닥부(54)의 측부에는 배기구(56)가 마련된다. 이 배기구(56)에는 처리 용기(32) 내를 배기, 예를 들어 진공 흡인하기 위한 배기계(58)가 접속되어 있다. 이 배기계(58)는 상기 배기구(56)에 접속되는 배기 통로(60)를 갖고 있고, 이 배기 통로(60)에는 압력 조정 밸브(62) 및 진공 펌프(64)가 순차로 개재하여 마련되어 있으며, 처리 용기(32)를 소망하는 압력으로 유지할 수 있도록 되어 있다. 또한, 처리 태양에 따라서는, 처리 용기(32) 내를 대기압에 가까운 압력으로 설정하는 경우도 있다.An exhaust port 56 is provided on the side of the bottom portion 54 of the processing container 32. The exhaust port 56 is connected to an exhaust system 58 for exhausting, for example, vacuuming the inside of the processing container 32. The exhaust system 58 has an exhaust passage 60 connected to the exhaust port 56, and the exhaust passage 60 is provided with a pressure regulating valve 62 and a vacuum pump 64 sequentially. The processing container 32 can be maintained at a desired pressure. In addition, depending on the process aspect, the process container 32 may be set to the pressure close to atmospheric pressure.

그리고, 이 처리 용기(32) 내의 바닥부(54)에는, 이것으로부터 기립시켜서 본 발명의 특징으로 하는 탑재대 구조체(66)가 마련된다. 구체적으로는, 이 탑재대 구조체(66)는 상면에 상기 피처리체를 탑재하여 지지하기 위한 탑재대(68)와, 상기 탑재대(68)에 접속되는 동시에 상기 탑재대(68)를 상기 처리 용기(32)의 바닥부(54)로부터 기립시켜서 지지하기 위한 통체 형상의 지주(70)를 주로 갖고 있다.And the bottom part 54 in this processing container 32 is provided with the mounting structure 66 which stands out from this and features the present invention. Specifically, the mounting structure 66 is connected to the mounting table 68 for mounting and supporting the object on the upper surface, and the mounting table 68 and the mounting table 68 is connected to the processing container. It mainly has a cylindrical post 70 for standing and supporting from the bottom part 54 of (32).

상기 탑재대(68)는 내부에 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 가열 수단(72)이 마련된 탑재대 본체(74)와, 이 탑재대 본체(74)의 상면에 마련되는 동시에 그 상면에 상기 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 얇은 열분산판(76)에 의해 구성되어 있다. 그리고, 이 탑재대 본체(74) 내에 전극(78)이 마련되어 있다.The mounting table 68 is provided on the mounting table main body 74 in which a heating means 72 for heating the semiconductor wafer W as an object to be processed is provided inside the upper surface of the mounting table main body 74. It is comprised by the thin heat dispersion board 76 which mounts the said semiconductor wafer W on the upper surface. And the electrode 78 is provided in this mount main body 74. As shown in FIG.

구체적으로는, 상기 탑재대 본체(74)는 전체가 석영이나 세라믹재 등의 두꺼운 원판 형상의 유전체로 이루어지고, 이 탑재대 본체(74) 내에 상기 가열 수단(72)과 전극(78)이 매설되도록 하여 마련되며, 상기 전극(78)은 가열 수단(72)의 상방에 위치되어 있다. 이 가열 수단(72)은 탑재대 본체(74)의 대략 전면(全面)에 걸쳐서 배치마련된 히터선(80)을 갖고 있고, 도 3에 도시하는 바와 같이, 히터선(80)은 동심원 형상으로 복수, 여기에서는 2개로 분할되어 내주 히터선(80A)과 외주 히터선(80B)으로 되어 있다. 그리고, 상기 각 히터선(80A, 80B)의 기점 및 종점은 탑재대 본체(74)의 중앙부에 집중되어 있고, 후술하는 바와 같이, 각 히터선(80A, 80B)은 개별적으로 온도 제어할 수 있도록 되어 있다.Specifically, the mount main body 74 is entirely made of a thick disk-shaped dielectric such as quartz or ceramic material, and the heating means 72 and the electrode 78 are embedded in the mount main body 74. The electrode 78 is located above the heating means 72. This heating means 72 has the heater wire 80 arrange | positioned over the substantially whole surface of the mounting base main body 74, and as shown in FIG. 3, the heater wire 80 has a plurality of concentric circles. Here, it is divided into two, and is made into the inner circumference heater wire 80A and the outer circumference heater wire 80B. The starting point and end point of each of the heater wires 80A and 80B are concentrated in the center portion of the mounting table main body 74. As will be described later, the heater wires 80A and 80B can be individually temperature-controlled. It is.

이것에 의해, 내주 가열 존(zone)(82A)과 외주 가열 존(82B)이 형성된다. 이 히터선(80)으로서는 카본선이 이용되고 있지만, 카본선으로 한정되지 않고, 카본선, 텅스텐선, 몰리브덴선으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개의 재료를 이용할 수 있다.Thereby, inner circumferential heating zone 82A and outer circumferential heating zone 82B are formed. Although carbon wire is used as this heater wire 80, it is not limited to a carbon wire, One material selected from the group which consists of a carbon wire, a tungsten wire, and a molybdenum wire can be used.

또한, 상기 히터선(80)의 상방에 배치되는 전극(78)은 탑재대 본체(74)의 대략 전면에 걸쳐서 마련되는 동시에, 예를 들어 메시 형상으로 형성된 도체선(84)으로 이루어지며, 이 도체선(84)으로서는, 예를 들어 카본 등을 이용할 수 있다. 이 전극(78)은 정전척을 행하는 척(chuck)용 전극과 발생한 플라즈마에 고주파의 바이어스 전압을 인가하기 위한 바이어스용 전극을 겸하고 있으며, 하부 전극을 구성하는 것이다.In addition, the electrode 78 disposed above the heater wire 80 is provided over approximately the entire front surface of the mounting base body 74, and is made of, for example, a conductor wire 84 formed in a mesh shape. As the conductor wire 84, carbon etc. can be used, for example. The electrode 78 serves as a chuck electrode for performing an electrostatic chuck and a bias electrode for applying a high frequency bias voltage to the generated plasma, and constitutes a lower electrode.

상기 탑재대 본체(74)를 형성하기 위해서는, 이 탑재대 본체(74)를, 예를 들어 상중하의 3매의 원판 형상의 분할체로 분할해 두고, 상중하의 각 분할체의 사이에 상기 히터선(80)과 도체선(84)을 각각 개재시켜서 열확산 등에 의해 각 분할체를 일체적으로 용착함으로써 형성할 수 있다. 이 탑재대 본체(74)로서는, 질화알루미늄 등의 세라믹재나 석영이나 알루미늄(알루미늄 합금을 포함함) 등의 금속을 이용할 수 있다.In order to form the mount main body 74, this mount main body 74 is divided into three disk-shaped partitions of the upper and lower sides, for example, and the heater wire (between each of the upper and lower partitions). 80) and the conductor wire 84 can be interposed, and each division body may be integrally welded by heat diffusion etc., and it can form. As the mounting base main body 74, a ceramic material such as aluminum nitride or a metal such as quartz or aluminum (including an aluminum alloy) can be used.

이 탑재대 본체(74) 상에 설치되는 원판 형상의 열분산판(76)으로서는, 불투명한 유전체를 이용할 수 있고, 그 두께는 꽤 얇으며, 예를 들어 5 내지 10㎜ 정도이다. 이 유전체로서는, 예를 들어 질화알루미늄(AlN)이나 다수의 기포가 포함된 불투명 석영 등을 이용할 수 있다. 이 열분산판(76) 내에는 종래의 탑재대 구조체와 달리 전극 등의 이물이 포함되지 않기 때문에, 그 내구성을 높게 할 수 있다.As the disk-shaped heat dissipation plate 76 provided on the mount main body 74, an opaque dielectric can be used, and the thickness thereof is quite thin, for example, about 5 to 10 mm. As the dielectric, for example, aluminum nitride (AlN) or opaque quartz containing a large number of bubbles can be used. Unlike the conventional mounting structure, the heat dissipation plate 76 does not contain foreign substances such as electrodes, so that its durability can be increased.

또한, 상기 탑재대 본체(74)와 열분산판(76)을 동일 재료, 예를 들어 질화알루미늄이나 석영으로 구성하여도 좋고, 이것에 의하면 열 신축량이 동일하기 때문에, 열 신축이 발생하더라도 양자 간에 큰 부하가 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해진다. 또한, 이 탑재대 본체(74)의 하면 및 측면은 내열성의 커버 부재(86)에 의해 덮여 있다(도 2 참조). 이 커버 부재(86)는 질화알루미늄 등의 세라믹재에 의해 형성되어 있다.In addition, the mount main body 74 and the heat dissipation plate 76 may be made of the same material, for example, aluminum nitride or quartz, and accordingly, the amount of thermal expansion and contraction is the same. It is possible to suppress the occurrence of load. In addition, the lower surface and the side surface of this mount main body 74 are covered by the heat resistant cover member 86 (refer FIG. 2). The cover member 86 is formed of a ceramic material such as aluminum nitride.

또한, 상기 지주(70)는 여기에서는 질화알루미늄 등의 세라믹재나 석영에 의해 원통체 형상으로 형성되어 있고, 그 상단부는 상기 탑재대 본체(74)의 하면의 중앙부에 열확산 접합이나 열용착 등에 의해 기밀하게 접합되어, 여기에 예를 들어 열접합부(88)(도 2 참조)가 형성된다. 또한, 상기 열용착 등을 대신하여, 탑재대 본체(74)와 지주(70)를 나사에 의해 연결하도록 하여도 좋다.In addition, the support | pillar 70 is formed in the cylindrical form here by ceramic materials, such as aluminum nitride, and quartz, The upper end part is airtight by heat-diffusion bonding, heat welding, etc. in the center part of the lower surface of the said base body 74. Are bonded to each other, for example, a thermal bonding portion 88 (see FIG. 2) is formed. Instead of the above heat welding, the mounting base body 74 and the support 70 may be connected by screws.

또한, 상기 탑재대(68)에는 이 상하 방향으로 관통하여 복수, 예를 들어 3개의 핀 삽입통과 구멍(90)이 형성되어 있고(도 1 및 도 2에서는 1개만 도시함), 이 3개의 핀 삽입통과 구멍(90)은 도 3에 도시하는 바와 같이 120도 간격으로 동일 원주상에 배치되어 있다. 그리고, 상기 각 핀 삽입통과 구멍(90)에 상하 이동 가능하게 헐거운 끼워맞춤 상태로 삽입통과시킨 밀어올림 핀(92)을 배치하고 있다. 이 밀어올림 핀(92)의 하단에는 원호 형상의, 예를 들어 알루미나와 같은 세라믹제의 밀어올림 링(94)이 배치되어 있고, 이 밀어올림 링(94)에 상기 각 밀어올림 핀(92)의 하단이 올라서 있다. 이 밀어올림 링(94)으로부터 연장하는 아암부(96)는 처리 용기(32)의 바닥부(54)를 관통하여 마련되는 출몰 로드(98)에 연결되어 있고, 이 출몰 로드(98)는 액추에이터(100)에 의해 승강 가능하도록 되어 있다.In addition, a plurality of, for example, three pin insertion holes and holes 90 are formed in the mounting table 68 so as to penetrate in the vertical direction (only one is shown in FIGS. 1 and 2). The insertion through holes 90 are arranged on the same circumference at 120 degree intervals as shown in FIG. Then, each of the pin insertion holes and the holes 90 is provided with a push-up pin 92 which is inserted in a loose fitting state so as to be movable upward and downward. At the lower end of the push pin 92, an arc-shaped, for example, a push-up ring 94 made of a ceramic such as alumina is disposed, and the push-up pins 92 are provided on the push-up ring 94. The bottom of the is up. An arm portion 96 extending from the lifting ring 94 is connected to a haunting rod 98 provided through the bottom portion 54 of the processing container 32, and the hauling rod 98 is connected to the actuator. It is possible to move up and down by 100.

이것에 의해, 상기 각 밀어올림 핀(92)을 반도체 웨이퍼(W)의 주고받음의 때에 각 핀 삽입통과 구멍(90)의 상단으로부터 상방으로 출몰시키도록 되어 있다. 또한, 상기 출몰 로드(98)의 처리 용기(32)의 바닥부(54)의 관통부에는, 신축 가능한 벨로우즈(102)가 개재되어 마련되어 있어, 상기 출몰 로드(98)가 처리 용기(32) 내의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 되어 있다.As a result, each of the pushing pins 92 is projected upward from the upper end of each of the pin insertion holes and the holes 90 when the semiconductor wafer W is exchanged. In addition, an elastic bellows 102 are provided in the penetrating portion of the bottom portion 54 of the processing vessel 32 of the mounting rod 98, and the mounting rod 98 is disposed in the processing vessel 32. It is possible to get on and off while maintaining confidentiality.

여기서, 상기 핀 삽입통과 구멍(90)은, 도 2에도 도시하는 바와 같이, 상기 탑재대 본체(74)와 상기 열분산판(76)과 커버 부재(86)를 연결하는 체결구인 볼트(104)에, 그 길이 방향을 따라서 형성된 관통 구멍(106)에 의해 형성되어 있다. 구체적으로는, 상기 탑재대 본체(74), 열분산판(76) 및 커버 부재(86)에는 상기 볼트(104)를 통과시키는 볼트 구멍(도시되지 않음)이 형성되어 있고, 이 볼트 구멍에 상기 관통 구멍(106)이 형성된 볼트(104)를 삽입통과시키고, 이것을 너트(108)로 단단히 조임으로써, 상기 탑재대 본체(74)와 열분산판(76)과 커버 부재(86)를 일체적으로 결합하도록 하고 있다.Here, as shown in FIG. 2, the pin insertion hole 90 is connected to a bolt 104 that is a fastener connecting the mount main body 74, the heat dissipation plate 76, and the cover member 86. And the through hole 106 formed along the longitudinal direction thereof. Specifically, a bolt hole (not shown) for passing the bolt 104 is formed in the mount main body 74, the heat dissipation plate 76, and the cover member 86. Insert the bolt 104 with the hole 106 formed therein and tighten it with the nut 108 so that the mount body 74, the heat dissipation plate 76 and the cover member 86 are integrally coupled. Doing.

또한, 커버 부재(86)는 필요에 따라 마련하면 좋고, 생략하는 것도 가능하다. 이러한 볼트(104) 및 너트(108)는, 예를 들어 질화알루미늄이나 알루미나 등의 세라믹재, 또는 금속 오염의 우려가 적은 금속 재료, 예를 들어 니켈, 니켈 합금 등에 의해 형성한다. 이 경우, 상기 탑재대 본체(74)와 열분산판(76)의 접촉면에는, 약간이지만 경계 간극(109)이 발생한다.In addition, the cover member 86 may be provided as needed, and can also be abbreviate | omitted. The bolt 104 and the nut 108 are formed of, for example, a ceramic material such as aluminum nitride or alumina, or a metal material having a low risk of metal contamination, for example, nickel, a nickel alloy, or the like. In this case, the boundary gap 109 slightly occurs in the contact surface between the mounting body main body 74 and the heat dissipation plate 76.

그리고, 상기 지주(70) 내에 가늘고 길게 형성된 히터 급전 부재(110)가 삽입통과시켜 마련되어 있고, 이 히터 급전 부재(110)의 상단부가 상기 가열 수단(72)에 접속되어 있다. 또한, 상기 지주(70) 내에 가늘고 길게 형성된 전극 급전 부재(112)가 삽입통과시켜 마련되어 있고, 이 전극 급전 부재(112)의 상단부가 상기 전극(78)에 접속되어 있다.And the heater feed member 110 formed long and thin in the said support | pillar 70 is inserted and provided, and the upper end part of this heater feed member 110 is connected to the said heating means 72. As shown in FIG. In addition, an electrode feed member 112 formed long and thin in the support 70 is inserted and provided, and an upper end of the electrode feed member 112 is connected to the electrode 78.

구체적으로는, 상기 히터 급전 부재(110)는, 예를 들어 긴 막대 형상으로 성형된, 예를 들어 카본제의 급전봉(111)을 갖고 있고, 각 급전봉(111)의 상단부를 상기 가열 수단(72)의 내주 히터선(80A)의 양단과 외주 히터선(80B)의 양단에 각각 접속하고 있다. 도 3 및 도 4에서는, 상기 내주 히터선(80A)의 양단에 접속되는 2개의 히터 급전 부재(110A, 110B)가 도시되는 동시에, 외주 히터선(80B)의 양단에 접속되는 2개의 히터 급전 부재(110C, 110D)가 도시되어 있지만, 도 1에서는 대표로서 1개의 히터 급전 부재(110)만을 도시하고 있다. 그리고, 모든 히터 급전 부재(110A 내지 110D)의 구성 및 설치 상태는 동일하게 되어 있다. 상기 접속에 즈음해서는, 탑재대 본체(74)의 하면으로부터 상기 내주 히터선(80A)과 외주 히터선(80B)의 기점과 종점을 향해 접속 구멍(114)(도 2 참조)을 형성하고, 이것에 히터 급전 부재(110A 내지 110D)의 각 급전봉(111)의 상단부를 삽입하여 납땜 등에 의해 접속하고 있다.Specifically, the heater feed member 110 has, for example, a carbon feed rod 111 formed in a long rod shape, for example, and an upper end portion of each feed rod 111 is heated by the heating means. It is connected to both ends of the inner circumferential heater wire 80A of 72, and both ends of the outer circumferential heater wire 80B, respectively. 3 and 4, two heater feed members 110A and 110B connected to both ends of the inner heater wire 80A are shown, and two heater feed members connected to both ends of the outer heater wire 80B. 110C and 110D are shown, but only one heater feeding member 110 is shown in FIG. 1 as a representative. And the structure and installation state of all the heater power supply members 110A-110D are the same. On the connection, the connection hole 114 (refer FIG. 2) is formed from the lower surface of the mounting base main body 74 toward the starting point and end point of the said inner circumference heater wire 80A and the outer circumference heater wire 80B. The upper end portions of the power feeding rods 111 of the heater power supply members 110A to 110D are inserted into each other and connected by soldering or the like.

그리고, 상기 각 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]는 각각 개별로 가늘고 긴 유전체로 이루어지는 보호관(116) 내에 삽입통과되어 있고, 이 보호관(116)의 상단부는 상기 탑재대 본체(74)의 하면에 열용착이나 열확산 등에 의해 기밀하게 접합되어 있다. 상기 유전체로서는, 질화알루미늄 등의 세라믹재나 석영을 이용할 수 있다. 또한, 이 급전봉(111)의 하부에는, 예를 들어 몰리브덴 등으로 이루어지는 짧은 도전성의 제 1 금속봉(118)이 접속되어 있고, 이 제 1 금속봉(118)의 부분에서 상기 보호관(116)이 밀봉되어 있다. 이 보호관(116) 내에는 He 등의 희가스나 N2로 이루어지는 불활성 가스가 봉입(封入)되어 있어, 예를 들어 카본제의 급전봉(111)이 부식되는 것을 방지하고 있다. 그리고, 상기 제 1 금속봉(118)의 하방으로는, 추가로 집합선으로 이루어지는 짧은 도전선(120) 및 몰리브덴 등으로 이루어지는 짧은 도전성의 제 2 금속봉(122)이 순차로 접속되어 있다.Each of the heater feed members 110 (110A to 110D) is individually inserted into a protective tube 116 made of an elongated dielectric, and an upper end of the protective tube 116 is formed of the mounting body main body 74. The lower surface is hermetically bonded by thermal welding, thermal diffusion, or the like. As the dielectric, a ceramic material such as aluminum nitride or quartz can be used. In addition, a short conductive first metal rod 118 made of, for example, molybdenum or the like is connected to the lower portion of the feed rod 111, and the protective tube 116 is sealed at a portion of the first metal rod 118. It is. In this protective tube 116, a rare gas such as He or an inert gas made of N 2 is enclosed, and for example, the feed rod 111 made of carbon is prevented from being corroded. Further, below the first metal rod 118, a short conductive wire 120 made of an assembly line and a short conductive second metal rod 122 made of molybdenum or the like are sequentially connected.

상기 전극 급전 부재(112)도, 예를 들어 긴 봉 형상으로 형성된 예를 들어 카본제의 급전봉(124)을 갖고 있고, 이 급전봉(124)의 상단부를 탑재대 본체(74)의 하면에 형성한 접속 구멍(126) 내로 삽입하며, 이것과 상기 전극(78)을 접속 단자(128)를 거쳐서 납땜 등에 의해 접속하고 있다. 이 급전봉(124)의 하부에는, 집합선으로 이루어지는 제 1 도전선(130), 몰리브덴 등으로 이루어지는 짧은 도전성의 제 1 금속봉(132), 집합선으로 이루어지는 제 2 도전선(134), 및 예를 들어 몰리브덴 등으로 이루어지는 도전성의 제 2 금속봉(136)이 순차로 접속되어 있다.The electrode feed member 112 also has, for example, a carbon feed rod 124 formed in an elongated rod shape, and the upper end portion of the feed rod 124 is disposed on the lower surface of the mounting base body 74. It inserts into the formed connection hole 126, and this and the said electrode 78 are connected by soldering etc. via the connection terminal 128. FIG. Under the feed rod 124, a first conductive wire 130 composed of an assembly line, a short conductive first metal rod 132 composed of molybdenum, or the like, a second conductive wire 134 composed of an assembly line, and an example For example, conductive second metal bars 136 made of molybdenum or the like are sequentially connected.

그리고, 이 전극 급전 부재(112)는 가늘고 긴 유전체로 이루어지는 보호관(138) 내로 삽입통과되어 있고, 이 보호관(138)의 상단부는 상기 탑재대 본체(74)의 하면에 열용착이나 열확산 등에 의해 기밀하게 접합되어 있다. 상기 유전체로서는 질화알루미늄 등의 세라믹재나 석영을 이용할 수 있다. 또한, 이 보호관(138)은 상기 제 1 금속봉(132)의 부분에서 밀봉되어 있다. 이 보호관(138) 내에는 He 등의 희가스나 N2로 이루어지는 불활성 가스가 봉입되어 있어, 예를 들어 카본제의 급전봉(124)이 부식되는 것을 방지하고 있다.The electrode feed member 112 is inserted into a protective tube 138 made of an elongated dielectric material, and the upper end of the protective tube 138 is hermetically sealed by heat welding or thermal diffusion on the lower surface of the mount body 74. Are bonded together. As the dielectric, a ceramic material such as aluminum nitride or quartz can be used. The protective tube 138 is sealed at a portion of the first metal rod 132. In this protective tube 138, a rare gas such as He or an inert gas made of N 2 is sealed, for example, to prevent corrosion of the feed rod 124 made of carbon.

여기에서, 상기 급전봉(111, 124)은 카본으로 한정되지 않고, 니켈 합금, 텅스텐 합금, 몰리브덴 합금 등을 이용할 수 있다. 또한, 상기 지주(70) 내에는, 상기 가열 수단(72)의 가열 존 수에 대응한 개수, 여기서는 2개의 열전대(140A, 140B)가 삽입통과되어 있다. 그리고, 이 중 1개의 열전대(140A)의 상부는 탑재대 본체(74)를 관통하여 형성한 연통 구멍(142) 내를 삽입통과되어, 온도 측정 접점인 선단부를 열분산판(76)의 내주 가열 존(82A)(도 3 참조)의 영역에 접촉시켜서 이 부분의 온도를 측정할 수 있도록 되어 있다.Here, the feed rods 111 and 124 are not limited to carbon, and nickel alloys, tungsten alloys, molybdenum alloys, and the like may be used. In the support 70, a number corresponding to the number of heating zones of the heating means 72, here two thermocouples 140A and 140B, is inserted. The upper portion of one of the thermocouples 140A is inserted into the communication hole 142 formed through the mounting body main body 74, and the inner end of the heat dissipation plate 76 is a heat dissipation plate 76. The temperature of this part can be measured by making it contact the area | region of 82A (refer FIG. 3).

또한, 다른 쪽의 열전대(140B)의 상부는, 탑재대 본체(74)를 관통하여 형성한 연통 구멍(144) 내와, 이 연통 구멍(144)에 연통되어 탑재대 본체(74)의 반경 방향으로 연장하도록 하여 형성된 홈부(146) 내를 따라서 배치마련되어 있고, 이 온도 측정 접점인 선단부를 열분산판(76)의 외부 가열 존(82B)(도 3 참조)의 영역에 접합 부재(148)를 거쳐 설치하고 있어, 이 부분의 온도를 측정할 수 있도록 되어 있다. 상기 각 연통 구멍(142, 144)은 상기 열전대(140A, 140B)를 삽입통과하는 동시에, 후술하는 바와 같이, 지주(70) 내로 도입된 불활성 가스를 탑재대 본체(74)와 열분산판(76)의 접촉면에 형성되는 경계 간극(109)에 공급하는 기능도 갖는다.In addition, the upper part of the other thermocouple 140B communicates with the communication hole 144 formed through the mounting base main body 74, and is communicating with this communication hole 144, and the radial direction of the mounting base main body 74 is carried out. It is arrange | positioned along the groove part 146 formed so that it may extend, and the front end part which is this temperature measurement contact is via the joining member 148 to the area | region of the external heating zone 82B (refer FIG. 3) of the heat distribution board 76. It is installed, and the temperature of this part can be measured. Each of the communication holes 142 and 144 passes through the thermocouples 140A and 140B, and at the same time, the inert gas introduced into the support 70 is loaded with the mounting base body 74 and the heat dissipation plate 76. It also has a function of supplying to the boundary gap 109 formed in the contact surface of.

또한, 처리 용기(32)의 바닥부(54)는 예를 들어 스테인리스 스틸로 이루어지고, 도 1 및 도 2에도 도시하는 바와 같이, 이 중앙부에는 도체 인출구(150)가 형성되어 있으며, 이 도체 인출구(150)의 내측에는 원형 링 형상으로 된, 예를 들어 알루미늄 합금 등으로 이루어지는 설치 대좌(臺座)(152)가 O링 등의 시일 부재(154)를 거쳐서 기밀하게 설치·고정되어 있다.In addition, the bottom portion 54 of the processing container 32 is made of, for example, stainless steel, and as shown in FIGS. 1 and 2, a conductor outlet 150 is formed in this center portion, and the conductor outlet is formed. Inside 150, an installation pedestal 152 made of, for example, an aluminum alloy or the like having a circular ring shape is hermetically installed and fixed via a sealing member 154 such as an O-ring.

그리고, 상기 지주(70)의 하단부에는 지주(70)와 동일 재료로 이루어지는 플랜지부(160)가 설치되어 있으며, 이 플랜지부(160)는 상기 설치 대좌(152) 상에 설치되어 있다. 그리고, 이 지주(70)의 플랜지부(160)에, 예를 들어 알루미늄 합금으로 이루어지는 단면이 L자 형상으로 된 링 형상의 고정 부재(162)를 끼워맞추고, 이 고정 부재(162)와 상기 설치 대좌(152)를 볼트(164)로 고정함으로써, 상기 지주(70)를 고정하고 있다. 이 경우, 설치 대좌(152)와 플랜지부(160)의 사이에는 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(165)가 개재되어 마련되어 있어, 이 부분을 기밀하게 보지(保持)하고 있다.The lower end of the support 70 is provided with a flange 160 made of the same material as the support 70, and the flange 160 is provided on the mounting pedestal 152. And the ring-shaped fixing member 162 whose cross section which consists of aluminum alloy, for example, becomes L-shape is fitted to the flange part 160 of this support 70, and this fixing member 162 and the said installation The support post 70 is fixed by fixing the base 152 with the bolt 164. In this case, the sealing member 165 which consists of O-rings, etc. is interposed between the installation base 152 and the flange part 160, and this part is kept airtight.

또한, 상기 설치 대좌(152)의 하부에는, 이것과 일체 형성된 예를 들어 알루미늄 합금제의 링 형상의 설치부(166)가 마련되어 있다. 이 링 형상의 설치부(166)의 내경은 상기 설치 대좌(152)의 내경보다도 약간 크게 설정되어 있고, 각 급전 부재(110A 내지 110D, 112)끼리간에 소정의 거리 이상의 간극을 설정하여 배치할 수 있도록 되어 있다. 그리고, 이 링 형상의 설치부(166)의 하단부에는, 예를 들어 알루미늄 합금 등으로 이루어지는 밀봉판(168)이 O링 등의 시일 부재(170)를 거쳐서 볼트(172)에 의해 기밀하게 설치·고정되어 있다. 이것에 의해, 상기 원통 형상의 지주(70) 내가 기밀하게 되어 있다.In addition, a ring-shaped mounting portion 166 formed of, for example, an aluminum alloy, formed integrally with the lower portion of the mounting pedestal 152 is provided. The inner diameter of the ring-shaped mounting portion 166 is set slightly larger than the inner diameter of the mounting pedestal 152, and can be arranged by setting a gap of a predetermined distance or more between the power feeding members 110A to 110D and 112. It is supposed to be. The sealing plate 168 made of, for example, an aluminum alloy or the like is hermetically installed at the lower end of the ring-shaped mounting portion 166 by a bolt 172 via a sealing member 170 such as an O-ring. It is fixed. Thereby, the inside of the said cylindrical support | pillar 70 is airtight.

그리고, 상기 각 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]의 각 제 2 금속봉(122)(도 2에서는 1개만을 도시함)의 주위의 일부는, 예를 들어 알루미나 등의 세라믹재로 이루어지는 절연 슬리브(174)에 의해 덮여져 있고, 그리고 이 절연 슬리브(174)의 부분에서 상기 밀봉판(168)을 관통시켜서, 각 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]를 기밀하게 외부로 인출하고 있다. 그리고, 이 절연 슬리브(174)의 관통부에는, 예를 들어 알루미늄 합금 등으로 이루어지는 설치판(176)이 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(178)를 거쳐서 볼트(180)에 의해 기밀하게 설치·고정되어 있다.In addition, a part of the periphery of each of the second metal rods 122 (only one in FIG. 2 is shown) of the heater power supply members 110 (110A to 110D) is insulated from a ceramic material such as alumina, for example. It is covered by the sleeve 174, and penetrates the said sealing plate 168 in the part of this insulating sleeve 174, and draws out each heater feed member 110 (110A-110D) to the airtight outside. . The mounting plate 176 made of, for example, an aluminum alloy or the like is hermetically installed and fixed to the through portion of the insulating sleeve 174 by a bolt 180 via a sealing member 178 made of an O-ring or the like. It is.

또한, 상기 전극 급전 부재(112)의 제 2 금속봉(136)의 주위의 일부는 상술한 바와 마찬가지로, 예를 들어 알루미나 등의 세라믹재로 이루어지는 절연 슬리브(182)에 의해 덮여 있고, 그리고 이 절연 슬리브(182)의 부분에서 상기 밀봉판(168)을 관통시켜서, 전극 급전 부재(112)를 기밀하게 외부로 인출하고 있다. 그리고, 이 절연 슬리브(182)의 관통부에는, 예를 들어 알루미늄 합금 등으로 이루어지는 설치판(184)이 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(186)를 거쳐서 볼트(188)에 의해 기밀하게 설치·고정되어 있다. 또한, 상기 각 열전대(140A, 140B)도 상기 밀봉판(168)을 기밀하게 관통하여 외부로 인출되어 있고, 이 관통부에는 O링 등으로 이루어지는 시일 부재(190)를 거쳐서 설치판(192)이 볼트(194)에 의해 설치·고정되어 있다.Moreover, a part of the circumference | surroundings of the 2nd metal rod 136 of the said electrode feeding member 112 is covered by the insulating sleeve 182 which consists of ceramic materials, such as alumina, for example, and this insulating sleeve In the portion 182, the sealing plate 168 is penetrated, and the electrode feeding member 112 is pulled out to the outside in an airtight manner. The mounting plate 184 made of, for example, an aluminum alloy or the like is hermetically installed and fixed to the penetrating portion of the insulating sleeve 182 by a bolt 188 via a seal member 186 made of an O-ring or the like. It is. The thermocouples 140A and 140B also pass through the sealing plate 168 in an airtight manner and are drawn out to the outside, and the mounting plate 192 is provided through the seal member 190 made of an O-ring or the like. The bolt 194 is installed and fixed.

여기서, 각 부분에 대해 치수의 일 예를 설명하면, 탑재대(68)의 직경은 300㎜(12인치) 반도체 웨이퍼 대응의 경우에는 340㎜ 정도, 200㎜(8인치) 반도체 웨이퍼 대응의 경우에는 230㎜ 정도, 400㎜(16인치) 반도체 웨이퍼 대응의 경우에는 460㎜ 정도이다. 또한, 각 보호관(116, 138)의 직경은 8 내지 16㎜ 정도, 각 급전봉(111, 124)의 직경은 4 내지 6㎜ 정도이다.Here, an example of dimensions will be described for each part. The diameter of the mounting table 68 is about 340 mm for 300 mm (12 inch) semiconductor wafers and 200 mm (8 inch) semiconductor wafers. In the case of about 230 mm and 400 mm (16 inch) semiconductor wafer correspondence, it is about 460 mm. In addition, the diameters of each of the protective tubes 116 and 138 are about 8 to 16 mm, and the diameters of the feed rods 111 and 124 are about 4 to 6 mm.

그리고, 상기 지주(70)의 하방에는, 상기 지주(70) 내로 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 수단(200)이 마련된다. 구체적으로는, 상기 불활성 가스 공급 수단(200)은 상기 지주(70) 내로 불활성 가스를 도입하는 불활성 가스 도입로(202)를 갖고 있으며, 도 1에 도시하는 바와 같이, 이 불활성 가스 도입로(202)의 도중에는, 매스 플로우 컨트롤러와 같은 유량 제어기(204) 및 가스 공급시에 개방 상태로 되는 개폐 밸브(206)가 순차로 개재되어 마련되어 있고, 필요에 따라 불활성 가스로서 예를 들어 N2 가스를 유량제어하면서 공급할 수 있도록 되어 있다.And below the support | pillar 70, the inert gas supply means 200 which supplies an inert gas into the support | pillar 70 is provided. Specifically, the inert gas supply means 200 has an inert gas introduction passage 202 for introducing an inert gas into the support 70, and as shown in FIG. 1, the inert gas introduction passage 202. ), A flow rate controller 204 such as a mass flow controller and an on-off valve 206 that is opened at the time of gas supply are provided in sequence, and N 2, for example, as an inert gas as necessary. The gas can be supplied while controlling the flow rate.

또한, 불활성 가스로서는 N2를 대신하여 Ar, He 등의 희가스를 이용해도 좋다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 이 불활성 가스 도입로(202)의 일부로서, 상기 처리 용기(32)의 바닥부(54) 및 상기 설치 대좌(152)에는 상기 지주(70) 내에 연통되는 가스 통로(208)가, 예를 들어 천공에 의해 형성되어 있다. 또한, 상기 바닥부(54)와 설치 대좌(152)의 접합면에는, 상기 가스 통로(208)를 둘러싸도록 하여, 예를 들어 O링으로 이루어지는 시일 부재(210)가 개재되어 있어, 이 부분의 시일(seal)성을 유지하도록 되어 있다.As the inert gas, a rare gas such as Ar or He may be used instead of N 2 . As shown in FIG. 2, as a part of this inert gas introduction passage 202, a gas passage communicating with the bottom portion 54 of the processing container 32 and the installation pedestal 152 in the support 70 is provided. 208 is formed by, for example, perforation. In addition, a sealing member 210 made of, for example, an O-ring is interposed on the joining surface of the bottom portion 54 and the mounting pedestal 152 so as to surround the gas passage 208. It is intended to maintain seal.

여기서, 도 1로 되돌아와, 가열 수단(72)의 각 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]에 접속되는 각 배선(212)(도 1에서는 1개만을 도시함)은 상기 히터 전원 제어부(214)에 접속되어 있고, 각 열전대(140A, 140B)(도 2 참조)에 의해 측정된 온도에 기초하여 상기 가열 수단(72)으로의 급전량을 각 가열 존(82A, 82B)(도 3 참조)마다 제어하여 소망하는 온도를 유지하도록 되어 있다.1, each wiring 212 (only one is shown in FIG. 1) connected to each heater feeding member 110 (110A to 110D) of the heating means 72 is connected to the heater power control unit ( 214, the amount of feed to the heating means 72 based on the temperature measured by each of the thermocouples 140A and 140B (see FIG. 2) is shown in each of the heating zones 82A and 82B (see FIG. 3). Each temperature is controlled to maintain the desired temperature.

또한, 상기 전극 급전 부재(112)에 접속되는 배선(216)에는, 정전척용의 직류 전원(218)과 바이어스용의 고주파 전력을 인가하기 위한 고주파 전원(220)이 각각 병렬로 접속되어 있고, 탑재대(68)의 반도체 웨이퍼(W)를 정전 흡착하는 동시에, 프로세스시에 하부 전극이 되는 탑재대(68)에 바이어스로서 고주파 전력을 인가할 수 있도록 되어 있다. 이 고주파 전력의 주파수로서는 13.56MHz를 이용할 수 있지만, 그 밖에 400kHz 등을 이용할 수 있으며, 이 주파수로 한정되는 것은 아니다.In addition, the wiring 216 connected to the electrode feeding member 112 is connected in parallel with a DC power supply 218 for an electrostatic chuck and a high frequency power supply 220 for applying a high frequency power for bias. The semiconductor wafer W of the base 68 is electrostatically adsorbed, and high frequency power can be applied as a bias to the mounting table 68 serving as a lower electrode during the process. Although 13.56 MHz can be used as the frequency of this high frequency power, 400 kHz etc. can also be used, It is not limited to this frequency.

그리고, 이 처리 장치(30)의 전체의 동작, 예를 들어 프로세스 압력의 제어, 탑재대(68)의 온도 제어, 처리 가스의 공급이나 공급 정지, 불활성 가스 공급 수단(200)에 의한 불활성 가스의 공급이나 공급 정지 등은, 예를 들어 컴퓨터 등으로 이루어지는 장치 제어부(222)에 의해 행해지게 된다. 그리고, 이 장치 제어부(222)는 상기 동작에 필요한 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체(224)를 갖고 있다. 이 기억 매체(224)는 플렉시블 디스크나 CD(Compact Disc)나 하드 디스크나 플래시 메모리 등으로 이루어진다.And the whole operation | movement of this processing apparatus 30, for example, control of process pressure, temperature control of the mounting table 68, supply or stop of supply of processing gas, and inert gas supply by the inert gas supply means 200 Supply, supply stoppage, etc. are performed by the apparatus control part 222 which consists of a computer etc., for example. The device control unit 222 has a storage medium 224 that stores computer programs necessary for the operation. This storage medium 224 is composed of a flexible disk, a compact disc (CD), a hard disk, a flash memory, or the like.

다음에, 이상과 같이 구성된 플라즈마를 이용한 처리 장치(30)의 동작에 대해서 설명한다. 우선, 미처리의 반도체 웨이퍼(W)는 도시하지 않은 반송 아암에 보지되어 개방 상태로 된 게이트 밸브(52), 반출입구(50)를 거쳐서 처리 용기(32) 내로 반입되고, 이 반도체 웨이퍼(W)는 상승된 밀어올림 핀(92)에 주고받은 후에, 이 밀어올림 핀(92)을 강하시킴으로써, 반도체 웨이퍼(W)를 탑재대 구조체(66)의 지주(70)에 지지된 탑재대(68)의 열분산판(76)의 상면에 탑재하여 이것을 지지한다. 이때, 탑재대(68)의 탑재대 본체(74)에 마련한 전극(78)에 직류 전원(218)으로부터 직류 전압을 인가함으로써 정전척이 기능하여, 반도체 웨이퍼(W)를 탑재대(68) 상에 흡착하여 보지한다. 또한, 정전척 대신에 반도체 웨이퍼(W)의 주변부를 누르는 클램프 기구를 이용하는 경우도 있다.Next, operation | movement of the processing apparatus 30 using the plasma comprised as mentioned above is demonstrated. First, the unprocessed semiconductor wafer W is carried into the processing container 32 via the gate valve 52 and the carrying in and out opening 50 which were held by the conveyance arm which is not shown in figure, and this semiconductor wafer W is carried out. After passing back and forth to the raised push pin 92, the push pin 92 is lowered, whereby the semiconductor wafer W is supported by the mounting table 68 supported by the support 70 of the mount structure 66. It is mounted on the upper surface of the heat distribution plate 76 of and supports this. At this time, the electrostatic chuck functions by applying a DC voltage from the DC power supply 218 to the electrode 78 provided on the mounting body main body 74 of the mounting table 68, thereby placing the semiconductor wafer W on the mounting table 68. It is adsorbed on and held. In addition, the clamp mechanism which presses the peripheral part of the semiconductor wafer W may be used instead of the electrostatic chuck.

다음에, 샤워 헤드부(34)로 각종의 처리 가스를 각각 유량 제어하면서 공급하고, 이 가스를 가스 분사 구멍(40A, 40B)으로부터 분사하여 처리 공간(S)으로 도입한다. 그리고, 배기계(58)의 진공 펌프(64)의 구동을 계속함으로써, 처리 용기(32) 내의 분위기를 진공 흡인하고, 그리고 압력 조정 밸브(62)의 밸브 개방도를 조정하여 처리 공간(S)의 분위기를 소정의 프로세스 압력으로 유지한다. 이때, 반도체 웨이퍼(W)의 온도는 소정의 프로세스 온도로 유지되어 있다. 즉, 탑재대(68)의 가열 수단(72)을 구성하는 히터선(80)에 히터 전원 제어부(214)로부터 전압을 인가함으로써 발열시키고 있다.Next, the various types of processing gases are supplied to the shower head 34 while controlling the flow rate, and the gases are injected from the gas injection holes 40A and 40B and introduced into the processing space S. FIG. Then, by continuing the drive of the vacuum pump 64 of the exhaust system 58, the atmosphere in the processing container 32 is vacuumed, and the valve opening degree of the pressure regulating valve 62 is adjusted to provide the processing space S. The atmosphere is maintained at a predetermined process pressure. At this time, the temperature of the semiconductor wafer W is maintained at a predetermined process temperature. That is, heat is generated by applying a voltage from the heater power control unit 214 to the heater wire 80 constituting the heating means 72 of the mounting table 68.

이 결과, 히터선(80)으로부터의 열로 반도체 웨이퍼(W)가 승온·가열된다. 이 경우, 열분산판(76)에는 가열 존(82A, 82B)에 대응시켜서 각각 열전대(140A, 140B)가 마련되어 있고, 이 측정값에 기초하여 히터 전원 제어부(214)는 피드백으로 각 가열 존(82A, 82B)에 대응하는 히터선(80A, 80B)마다 온도 제어하도록 되어 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를 각 가열 존(82A, 82B)마다 온도 제어하여 항상 반도체 웨이퍼(W)의 면내 균일성이 높은 상태로 온도 제어할 수 있다. 이 경우, 프로세스의 종류에 따라서도 다르지만, 탑재대(68)의 온도는 예를 들어 700℃ 정도에 이른다.As a result, the semiconductor wafer W is heated up and heated by the heat from the heater wire 80. In this case, the heat dissipation plate 76 is provided with thermocouples 140A and 140B in correspondence with the heating zones 82A and 82B, respectively, and the heater power control unit 214 feedbacks each heating zone 82A based on this measured value. Temperature control is performed for each of the heater wires 80A and 80B corresponding to 82B. For this reason, the temperature of the semiconductor wafer W can be temperature-controlled for each heating zone 82A, 82B, and temperature control can always be carried out in the state in which the in-plane uniformity of the semiconductor wafer W is high. In this case, although it changes also with the kind of process, the temperature of the mounting table 68 reaches about 700 degreeC, for example.

또한, 플라즈마 처리를 행할 때에는, 고주파 전원(48)을 구동함으로써, 상부 전극인 샤워 헤드부(34)와 하부 전극인 탑재대(68)의 사이에 고주파를 인가하고, 처리 공간(S)에 플라즈마를 일으켜 소정의 플라즈마 처리를 행한다. 또한, 이때에, 탑재대(68)의 탑재대 본체(74)에 마련한 전극(78)에 바이어스용의 고주파 전원(220)으로부터 고주파 전력을 인가함으로써, 플라즈마 이온의 인입을 행할 수 있다.Moreover, when performing a plasma process, the high frequency power supply 48 is driven, and a high frequency is applied between the shower head part 34 which is an upper electrode, and the mounting table 68 which is a lower electrode, and a plasma is applied to the processing space S. Is generated to perform a predetermined plasma treatment. At this time, plasma ions can be introduced by applying high-frequency power from the high-frequency power supply 220 for bias to the electrode 78 provided on the mounting table main body 74 of the mounting table 68.

여기서, 상기 탑재대 구조체(66)에서의 기능에 대해서 상세하게 설명한다. 우선, 상술한 바와 같이 가열 수단(72)의 각 히터선(80A, 80B)으로는 각각 2개의 히터 급전 부재(110A 내지 110D)를 거쳐서 각 가열 존(82A, 82B)마다 전력이 공급된다. 그리고, 각 가열 존(82A, 82B)에 대응하여 마련한 열전대(140A, 140B)의 측정값에 기초하여, 피드백 제어에 의해 공급 전력이 제어된다. 또한, 전극(78)으로는, 전극 급전 부재(112)를 거쳐서 정전척용의 직류 전압과 바이어스용의 고주파 전력이 인가된다.Here, the function of the mounting structure 66 will be described in detail. First, as described above, power is supplied to each of the heating zones 82A and 82B through the two heater power supply members 110A to 110D to the heater wires 80A and 80B of the heating means 72, respectively. And based on the measured value of the thermocouple 140A, 140B corresponding to each heating zone 82A, 82B, supply power is controlled by feedback control. In addition, the electrode 78 is supplied with the DC voltage for the electrostatic chuck and the high frequency power for the bias via the electrode power supply member 112.

또한, 반도체 웨이퍼의 처리시에는, 불활성 가스 공급 수단(200)에 의해, 유량 제어된 불활성 가스로서 예를 들어 N2 가스가 불활성 가스 도입로(202)를 거쳐서 지주(70) 내로 도입되어 퍼지(purge)하고 있다. 이 지주(70) 내로 도입된 N2 가스는 지주(70) 내를 상승하여, 탑재대 본체(74)에 마련한 연통 구멍(142, 144)을 통과하여 이 탑재대 본체(74)와 열분산판(76)의 접촉면에 형성된 약간의 경계 간극(109)(도 2 참조)에 들어가고, 이 경계 간극(109)으로부터 탑재대(68)의 주변부에 약간씩 방출되게 되기 때문에, 처리 용기(32) 내로 공급되는 프로세스 가스나 클리닝 가스 등의 부식성 가스가 이 경계 간극(109)을 거쳐서 지주(70) 내로 역류하는 것을 기본적으로는 방지할 수 있다.In the process of processing a semiconductor wafer, for example, N 2 as an inert gas whose flow rate is controlled by the inert gas supply means 200. Gas is introduced into the support 70 through an inert gas introduction passage 202 to purge. N 2 introduced into the strut 70 The gas rises in the support 70 and passes through the communication holes 142 and 144 provided in the mount main body 74, and a slight boundary gap formed in the contact surface between the mount main body 74 and the heat dissipation plate 76. 109 (refer to FIG. 2), and are slightly discharged from the boundary gap 109 to the periphery of the mounting table 68, so that corrosive gas such as process gas or cleaning gas supplied into the processing container 32 is provided. Can be basically prevented from flowing back into the strut 70 via this boundary gap 109.

그러나, 상기 프로세스 가스나 클리닝 가스는 매우 확산력이 크기 때문에, 장기간의 사용에 의해 약간이지만 상기 경계 간극(109) 내를 역류하는 경우도 발생한다. 이 경우, 종래의 탑재대 구조체에 있어서는, 열분산판(12)(도 6 참조)측에 전극(10)을 마련하고 있는 것으로부터, 이 열분산판(12)의 접속 단자(24)에 불필요한 막이 부착하거나, 접속 단자(24)를 부식시키거나 하고 있었지만, 본 발명의 탑재대 구조체(66)에 있어서는, 전극(78)을 탑재대 본체(74)측에 마련했기 때문에, 이 접속 단자(128)에 불필요한 막이 부착하는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 이 접속 단자(128)가 부식되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 매우 얇은 열분산판(76)에는 이물이 되는 전극(78)을 마련하지 않은 것으로부터, 이 제조가 비교적 용이하고, 또한 내구성이 향상되기 때문에 반복 사용하더라도 파손하기 어렵게 할 수 있다.However, since the process gas and the cleaning gas are very diffusive, there is a case where the flow back to the boundary gap 109 is slightly caused by long-term use. In this case, in the conventional mounting table structure, since the electrode 10 is provided on the heat dissipation plate 12 (see FIG. 6) side, an unnecessary film is attached to the connection terminal 24 of the heat dissipation plate 12. Although the connection terminal 24 was corroded, in the mounting table structure 66 of the present invention, since the electrode 78 was provided on the mounting table main body 74 side, the connecting terminal 128 was connected to the connecting terminal 128. Not only can an unnecessary film be attached, but this connection terminal 128 can be prevented from corroding. In addition, as described above, since the electrode 78 serving as a foreign material is not provided in the very thin heat dissipation plate 76, the manufacturing thereof is relatively easy and the durability is improved. have.

또한, 상기 경계 간극(109) 내로 프로세스 가스나 클리닝 가스가 역류하더라도 지주(70) 내까지는 거의 역류해 오지 않기 때문에, 이 지주(70) 내에 배치마련한 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]나 전극 급전 부재(112)가 부식되는 것을 방지할 수 있다. 이 경우, 상기 프로세스 가스나 클리닝 가스가 만일 지주(70) 내까지 역류해 오더라도, 상기 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]의 예를 들어 카본으로 이루어지는 급전봉(111)은 밀폐된 보호관(116)에 의해 보호되어 있고, 또한 상기 전극 급전 부재(112)의 예를 들어 카본으로 이루어지는 급전봉(124)도 밀폐된 보호관(138)에 의해 보호되고 있기 때문에, 이들의 각 급전봉(111, 112)이 부식되는 것을 거의 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 상술한 바와 같이 보호관(116, 118)을 마련함으로써, 급전 부재간의 이상 방전이 발생하는 것도 방지할 수 있다.In addition, even if the process gas or the cleaning gas flows back into the boundary gap 109, almost no back flow occurs to the support post 70, so that the heater power supply members 110 (110A to 110D) arranged in the support post 70 are formed. Corrosion of the electrode power supply member 112 can be prevented. In this case, even if the process gas or the cleaning gas flows back into the support 70, the feed rod 111 made of, for example, carbon of the heater feed member 110 (110A to 110D) is a sealed protective tube. Since the power supply rod 124 which is protected by 116 and the electrode feed member 112 made of carbon, for example, is also protected by a sealed protective tube 138, each of these power supply rods 111 And 112) can almost reliably prevent corrosion. In addition, by providing the protective tubes 116 and 118 as described above, it is possible to prevent abnormal discharge between the power feeding members.

이와 같이, 본 발명에 의하면, 배기가 가능하게 된 처리 용기(32) 내에 마련되어 처리해야 할 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서, 가열 수단(72)이 마련된 탑재대 본체(74) 내에 전극(78)을 마련하고, 이 탑재대 본체 상에 피처리체를 탑재하는 열분산판(76)을 마련하도록 했기 때문에, 피처리체를 직접적으로 탑재하는 열분산판의 내구성을 향상시켜서 파손하기 어렵게 하는 동시에, 접속 단자가 부식되지 않도록 할 수 있다.Thus, according to this invention, in the mounting structure for mounting the to-be-processed object, for example, the semiconductor wafer W to be provided and processed in the process container 32 which was exhaustable, the heating means 72 is Since the electrode 78 was provided in the mounting base main body 74, and the heat spreading plate 76 for mounting the target object on the mounting base body was provided, the durability of the heat distribution plate on which the target object was directly mounted was improved. It can improve and make it hard to damage, and it can prevent a connection terminal from corroding.

<제 2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

다음에, 본 발명의 탑재대 구조체의 제 2 실시예에 대해서 설명한다. 앞서 설명한 제 1 실시예에서는, 직경이 큰 지주(70)에 의해 탑재대(68)를 지지하도록 했지만, 이것으로 한정되지 않고, 상기 지주(70)를 대신하여 복수개 마련되어 있는 직경이 작은 보호관에 의해 탑재대(68)를 지지하도록 해도 좋다. 도 5는 이러한 본 발명의 탑재대 구조체의 제 2 실시예를 도시하는 확대 단면도이다. 또한, 도 5에서는 도 1 내지 도 4에서 설명한 구성 부분과 동일 구성 부분에 대해서는 동일 참조 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다. 또한, 제 1 실시예에서 설명한 내용은, 탑재대 구조체의 구성이 다른 점을 제외하고, 모두 이 제 2 실시예에 적용할 수 있다.Next, a second embodiment of the mounting table structure of the present invention will be described. In the first embodiment described above, the mounting table 68 is supported by the support 70 having a large diameter. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of protection tubes provided with small diameters in place of the support 70 are provided. The mounting table 68 may be supported. Fig. 5 is an enlarged cross sectional view showing a second embodiment of the mount structure of the present invention. In addition, in FIG. 5, the same code | symbol is attached | subjected about the component same as the component demonstrated in FIGS. 1-4, and the description is abbreviate | omitted. The contents described in the first embodiment can be applied to all of the second embodiments except for the configuration of the mounting structure.

도 5에 도시하는 바와 같이, 이 제 2 실시예에서는 앞의 제 1 실시예에서 이용한 지주(70)는 마련하지 않고, 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]가 삽입통과된 각 보호관(116), 전극 급전 부재(112)가 삽입통과된 보호관(138)에 의해 탑재대(68)가 지지되게 된다. 또한, 여기에서는 2개의 열전대(140A, 140B)를 삽입통과하기 위해 1개의 유전체로 이루어지는 새로운 보호관(250)을 마련하고, 이 보호관(250)으로도 상기 탑재대(68)를 지지시키도록 되어 있다.As shown in Fig. 5, in this second embodiment, the protection pipes 116 through which the heater power supply members 110 (110A to 110D) are inserted are not provided without the support 70 used in the first embodiment. ), The mounting table 68 is supported by the protective tube 138 through which the electrode feeding member 112 is inserted. In addition, in order to insert two thermocouples 140A and 140B therethrough, a new protective tube 250 made of one dielectric is provided, and the mounting tube 68 is also supported by the protective tube 250. .

구체적으로는, 상기 각 보호관(116, 138, 250)은 상기 탑재대 본체(74)의 하면에, 예를 들어 열용착에 의해 기밀하게 일체적으로 되도록 접합되어 있다. 따라서, 각 보호관(116, 138, 250)의 상단에는 각각 열용착 접합부(252)가 형성되게 된다.Specifically, the protective pipes 116, 138, and 250 are joined to the lower surface of the mount main body 74 so as to be integrally sealed by, for example, heat welding. Therefore, the heat welding junction 252 is formed on the upper end of each of the protective tubes (116, 138, 250).

또한, 처리 용기(32)의 바닥부(54)에 형성한 도체 인출구(150)의 내측에는, 예를 들어 스테인리스 스틸 등으로 이루어지는 판 형상의 설치 대좌(152)가 O링 등의 시일 부재(154)를 거쳐서 기밀하게 설치·고정되어 있다.In addition, inside the conductor outlet 150 formed in the bottom portion 54 of the processing container 32, a plate-shaped mounting pedestal 152 made of stainless steel or the like is a seal member 154 such as an O-ring. It is installed and fixed confidentially).

그리고, 이 설치 대좌(152) 상에, 상기 각 보호관(116, 138, 250)을 고정하는 관 고정대(254)가 마련된다. 상기 관 고정대(254)는 상기 각 보호관(116, 138, 250)과 동일한 재료, 즉 여기에서는 석영에 의해 형성되어 있고, 각 보호관(116, 138, 250)에 대응시켜서 관통 구멍(256)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 각 보호관(116, 138, 250)의 하단부측은, 상기 관 고정대(254)의 상면측에 열용착 등에 의해 접속·고정되어 있다. 따라서, 여기에는 열용착부(258)가 각각 형성되게 된다.And on this installation pedestal 152, the pipe holder 254 which fixes each said protection pipe 116, 138, 250 is provided. The tube holder 254 is formed of the same material as each of the protective tubes 116, 138, and 250, that is, quartz, and a through hole 256 is formed in correspondence with each of the protective tubes 116, 138, and 250. It is. The lower end portions of the protective tubes 116, 138, and 250 are connected and fixed to the upper surface side of the tube holder 254 by heat welding or the like. Therefore, heat welding portions 258 are formed here, respectively.

이 경우, 각 히터 급전 부재(110A 내지 110D)를 삽입통과하는 각 보호관(116)은 상기 관 고정대(254)에 형성한 관통 구멍(256)을 하방향으로 삽입통과되어 있고, 그 하단부는 밀봉되어 내부에 N2나 Ar 등의 불활성 가스가 감압 분위기로 봉입되어 있다.In this case, each of the protective tubes 116 through which the heater feed members 110A to 110D are inserted passes through the through holes 256 formed in the tube holder 254 in the downward direction, and the lower end portion thereof is sealed. an inert gas such as N 2, Ar or the inside is filled with a reduced pressure atmosphere.

이와 같이, 각 보호관(116, 138, 250)의 하단부를 고정하는 관 고정대(254)의 주변부에는, 이것을 둘러싸도록 하여, 예를 들어 스테인리스 스틸 등으로 이루어지는 고정 부재(162)가 마련되어 있고, 이 고정 부재(162)는 볼트(164)에 의해서 설치 대좌(152)측으로 고정되어 있다.In this way, a peripheral member of the tube holder 254 that fixes the lower end of each of the protective tubes 116, 138, and 250 is provided with a fixing member 162 made of, for example, stainless steel so as to surround it. The member 162 is fixed to the mounting pedestal 152 side by the bolt 164.

또한, 상기 설치 대좌(152)에는, 상기 관 고정대(254)의 각 관통 구멍(256)에 대응시켜서 동일한 관통 구멍(260)이 형성되어 있다. 그리고, 여기에서는, 상기 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)]는 상하 방향으로 길게 연장하는 예를 들어 몰리브덴제의 제 1 금속봉(118)으로 이루어지고, 또한 전극 급전 부재(112)의 예를 들어 몰리브덴으로 이루어지는 제 1 금속봉(132)도 하방으로 길게 연장하고 있다. 그리고, 상기 금속봉(118, 132) 및 열전대(140A, 140B)는 상기 각 관통 구멍(260) 내에 삽입통과되어 하방으로 연장하고 있다. 상기 관 고정대(254)의 하면과 설치 대좌(152)의 상면의 접합면에는, 상기 각 관통 구멍(260)의 주위를 둘러싸도록 하여 0링 등의 시일 부재(262)가 마련되어 있어, 이 부분의 시일성을 높이도록 하고 있다.The mounting pedestal 152 is provided with the same through hole 260 corresponding to each through hole 256 of the pipe holder 254. Here, the heater power supply members 110 (110A to 110D) may be formed of, for example, first molten metal rods 118 made of molybdenum extending in the vertical direction, and an example of the electrode power supply member 112 may be described. For example, the first metal rod 132 made of molybdenum also extends downwardly. The metal rods 118 and 132 and the thermocouples 140A and 140B are inserted through the through holes 260 and extend downward. On the joining surface of the lower surface of the pipe holder 254 and the upper surface of the mounting pedestal 152, seal members 262 such as zero rings are provided so as to surround the periphery of the respective through holes 260. To improve the seal.

또한, 상기 전극 급전 부재(112)와 2개의 열전대(140A, 140B)가 삽입통과되어 있는 각 관통 구멍(260)의 하단부에는, 각각 0링 등으로 이루어지는 시일 부재(264, 266)를 거쳐서 밀봉판(268, 270)이 볼트(272, 274)에 의해 설치·고정되어 있다. 그리고, 상기 전극 급전 부재(112)의 금속봉(132) 및 열전대(140A, 140B)는 상기 밀봉판(268, 270)을 기밀하게 관통시키도록 하여 마련되어 있다. 이들 밀봉판(268, 270)은 예를 들어 스테인리스 스틸 등으로 이루어지고, 이 밀봉판(268)에 대한 상기 금속봉(132)의 관통부에 대응시켜서, 금속봉(132)의 주위에는 절연 부재(276)가 마련되어 있다.In addition, the lower end of each of the through holes 260 through which the electrode feed member 112 and the two thermocouples 140A and 140B are inserted is inserted into a sealing plate through seal members 264 and 266 each formed of 0 rings or the like. 268 and 270 are installed and fixed by bolts 272 and 274. The metal rods 132 and the thermocouples 140A and 140B of the electrode power supply member 112 are provided to hermetically pass the sealing plates 268 and 270. These sealing plates 268 and 270 are made of, for example, stainless steel, and correspond to the penetrating portion of the metal rod 132 with respect to the sealing plate 268, so that the insulating member 276 is surrounded by the metal rod 132. ) Is provided.

또한, 상기 설치 대좌(152) 및 이것에 접하는 처리 용기(32)의 바닥부(54)에는, 상기 전극 급전 부재(112)의 금속봉(132)을 삽입통과하는 관통 구멍(260) 및 열전대(140A, 140B)를 삽입통과하는 관통 구멍(260)에 연통시켜서 불활성 가스 공급 수단(200)의 일부인 가스 통로(208)가 형성되어 있어, N2 등의 불활성 가스를 공급할 수 있도록 되어 있다.Further, through holes 260 and thermocouples 140A through which the metal rods 132 of the electrode feeding member 112 are inserted through the mounting pedestal 152 and the bottom portion 54 of the processing container 32 in contact therewith. , 140B), by communicating with the through-hole 260 passing through the insertion part there is formed a gas passage 208 of the inert gas feed means 200, and is to be capable of supplying an inert gas such as N 2.

이와 같이 형성된 제 2 실시예의 경우에도, 앞의 제 1 실시예와 동일한 작용·효과를 발휘할 수 있다. 그리고, 상기 보호관(116) 내에는 불활성 가스를 봉입하고, 또한 다른 보호관(138, 250) 내에는 불활성 가스가 공급되어 있기 때문에, 이 경우에도 각 히터 급전 부재[110(110A 내지 110D)], 전극 급전 부재(112) 및 열전대(140A, 140B)가 부식되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 각 보호관(138, 250) 내의 용적은 제 1 실시예의 지주(70) 내의 용적보다도 훨씬 더 적기 때문에, 그 만큼 불활성 가스인 N2 가스의 사용량을 줄일 수 있다.In the case of the second embodiment thus formed, the same effects and effects as in the first embodiment can be achieved. In addition, since the inert gas is sealed in the protective tube 116 and the inert gas is supplied in the other protective tubes 138 and 250, the heater feed members 110 (110A to 110D) and the electrode are also in this case. Corrosion can be prevented from the power feeding member 112 and the thermocouples 140A and 140B. In addition, since the volume in each of the protective tubes 138 and 250 is much smaller than the volume in the strut 70 of the first embodiment, N 2 , which is an inert gas, is that much. The amount of gas used can be reduced.

이상, 상기 실시예에서는 각 가열 존마다의 히터 급전 부재(110A 내지 110D)를 각각 개별적으로 마련했지만, 복수의 가열 존으로 구분된 영역을 가열하는 경우에 있어서, 각 가열 존의 히터 급전 부재 중 1개를 어스용의 히터 급전 부재로서 공통으로 이용하도록 해도 좋다. 또한, 가열 존 수도 2개로 한정되지 않고, 1개 또는 3개 이상으로 구획해도 좋다.As mentioned above, although the heater feeding member 110A-110D for each heating zone was provided separately in the said Example, when heating the area | region divided | segmented into several heating zone, 1 of the heater feeding member of each heating zone is provided. The dog may be commonly used as a heater power feeding member for earth. In addition, the number of heating zones is not limited to two, but may be divided into one or three or more.

또한, 본 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 성막 처리를 행하는 처리 장치를 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정되지 않고, 본 발명의 탑재대 구조체를 이용한 모든 처리 장치, 예를 들어 플라즈마를 이용한 플라즈마 CVD에 의한 성막 장치, 플라즈마를 이용한 에칭 장치 등에도 적용할 수 있다.In addition, in this embodiment, although the processing apparatus which performs a film-forming process using plasma was demonstrated as an example, it is not limited to this, All the processing apparatus using the mounting structure of this invention, for example, by plasma CVD using plasma The present invention can also be applied to a film forming apparatus, an etching apparatus using plasma, and the like.

또한, 가스 공급 수단으로서는 샤워 헤드부(34)로 한정되지 않고, 예를 들어 처리 용기(32) 내로 삽입통과된 가스 노즐에 의해 가스 공급 수단을 구성해도 좋다. 또한, 여기에서는 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명했지만, 이것으로 한정되지 않고, 유리 기판, LCD 기판, 세라믹 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.In addition, the gas supply means is not limited to the shower head portion 34, and for example, the gas supply means may be constituted by a gas nozzle inserted into the processing container 32. In addition, although the semiconductor wafer was demonstrated to the example as a to-be-processed object, it is not limited to this, The present invention can also be applied to a glass substrate, an LCD substrate, a ceramic substrate, etc.

30 : 처리 장치 32 : 처리 용기
34 : 샤워 헤드부(가스 공급 수단) 58 : 배기계
66 : 탑재대 구조체 68 : 탑재대
70 : 지주 72 : 가열 수단
74 : 탑재대 본체 76 : 열분산판
78 : 전극 80 : 히터선
110, 110A 내지 110D : 히터 급전 부재 111 : 급전봉
112 : 전극 급전 부재 116 : 보호관
124 : 급전봉 138 : 보호관
142, 144 : 연통 구멍 200 : 불활성 가스 공급 수단
202 : 불활성 가스 도입로 218 : 정전척용의 직류 전원
220 : 바이어스용의 고주파 전원 W : 반도체 웨이퍼(피처리체)30 processing device 32 processing container
34 shower head portion (gas supply means) 58 exhaust system
66: mounting structure 68: mounting table
70: prop 72: heating means
74: mounting base body 76: heat dispersion plate
78 electrode 80 heater wire
110, 110A to 110D: Heater feeding member 111: Feeding rod
112 electrode feeding member 116 protective tube
124: feeding rod 138: protective tube
142, 144: communication hole 200: inert gas supply means
202: inert gas introduction 218: DC power supply for electrostatic chuck
220: high frequency power supply for bias W: semiconductor wafer (object to be processed)

Claims (10)

배기가 가능하게 된 처리 용기 내에 마련되어 처리해야 할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서,
상기 피처리체를 가열하는 가열 수단이 마련된 탑재대 본체와,
상기 탑재대 본체 상에 마련되는 동시에, 그 상면에 상기 피처리체를 탑재하는 열분산판과,
상기 탑재대 본체 내에 마련된 전극과,
상기 탑재대 본체를 지지하기 위해 상기 처리 용기의 바닥부로부터 기립된 통체 형상의 지주와,
상기 지주 내에 삽입통과되는 동시에, 상단부가 상기 가열 수단에 접속된 히터 급전 부재와,
상기 지주 내에 삽입통과되는 동시에, 상단부가 상기 전극에 접속된 전극 급전 부재를 구비한 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체. A mounting table structure for mounting an object to be processed provided in a processing container capable of exhausting and to be treated,
A mounting table main body provided with heating means for heating the target object;
A heat dissipation plate provided on the mounting table main body and mounted on the upper surface thereof;
An electrode provided in the mounting body;
A cylindrical post which stands up from the bottom of the processing container to support the mount main body;
A heater power supply member which is inserted into the support and has an upper end connected to the heating means;
An electrode feeding member having an upper end portion connected to the electrode while being inserted into the support;
Mount structure. 제 1 항에 있어서,
상기 지주 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 수단이 마련되는 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체.The method of claim 1,
Inert gas supply means for supplying an inert gas into the support is provided, characterized in that
Mount structure. 제 2 항에 있어서,
상기 탑재대 본체에는, 상기 탑재대 본체와 상기 열분산판의 접촉면의 경계 간극에 상기 불활성 가스를 공급하기 위한 연통 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체. The method of claim 2,
The mounting base body is provided with a communication hole for supplying the inert gas to a boundary gap between the mounting surface of the mounting base body and the heat dissipation plate.
Mount structure. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 히터 급전 부재는 유전체로 이루어지는 보호관 내에 밀봉 상태로 삽입통과되어 있는 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체. The method according to any one of claims 1 to 3,
The heater power supply member is inserted in a sealed state in a protective tube made of a dielectric.
Mount structure. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전극 급전 부재는 유전체로 이루어지는 보호관 내에 밀봉 상태로 삽입통과되어 있는 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체.The method according to any one of claims 1 to 4,
The electrode power supply member is inserted into the protective tube made of a dielectric in a sealed state.
Mount structure. 배기가 가능하게 된 처리 용기 내에 마련되어 처리해야 할 피처리체를 탑재하기 위한 탑재대 구조체에 있어서,
상기 피처리체를 가열하는 가열 수단이 마련된 탑재대 본체와,
상기 탑재대 본체 상에 마련되는 동시에, 그 상면에 상기 피처리체를 탑재하는 열분산판과,
상기 탑재대 본체 내에 마련된 전극과,
상기 탑재대 본체를 지지하기 위해 상기 처리 용기의 바닥부측으로부터 기립된 복수의 보호관과,
상기 보호관 내에 삽입통과되는 동시에, 상단부가 상기 가열 수단에 접속된 히터 급전 부재와,
상기 보호관 내에 삽입통과되는 동시에, 상단부가 상기 전극에 접속된 전극 급전 부재를 구비한 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체. A mounting table structure for mounting an object to be processed provided in a processing container capable of exhausting and to be treated,
A mounting table main body provided with heating means for heating the target object;
A heat dissipation plate provided on the mounting table main body and mounted on the upper surface thereof;
An electrode provided in the mounting body;
A plurality of protective tubes standing up from the bottom side of the processing container to support the mount body;
A heater feeding member which is inserted into the protective tube and has an upper end connected to the heating means;
And an electrode feeding member having an upper end connected to the electrode while being inserted into the protective tube.
Mount structure. 제 6 항에 있어서,
상기 탑재대 본체에는, 상기 탑재대 본체와 상기 열분산판의 접촉면의 경계 간극에 상기 불활성 가스를 공급하기 위한 연통 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체.The method according to claim 6,
The mounting base body is provided with a communication hole for supplying the inert gas to a boundary gap between the mounting surface of the mounting base body and the heat dissipation plate.
Mount structure. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
상기 히터 급전 부재는 유전체로 이루어지는 보호관 내에 밀봉 상태로 삽입통과되어 있는 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체. The method according to claim 6 or 7,
The heater power supply member is inserted in a sealed state in a protective tube made of a dielectric.
Mount structure. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전극 급전 부재는 유전체로 이루어지는 보호관 내에 밀봉 상태로 삽입통과되어 있는 것을 특징으로 하는
탑재대 구조체.The method according to any one of claims 6 to 8,
The electrode power supply member is inserted into the protective tube made of a dielectric in a sealed state.
Mount structure. 피처리체에 대해서 처리를 실시하기 위한 처리 장치에 있어서,
배기가 가능하게 된 처리 용기와,
상기 피처리체를 탑재하기 위한 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 탑재대 구조체와,
상기 처리 용기 내로 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 구비한 것을 특징으로 하는
처리 장치.In the processing apparatus for processing a to-be-processed object,
A processing container capable of evacuation,
A mounting structure according to any one of claims 1 to 9 for mounting the object to be processed;
And gas supply means for supplying gas into the processing container.
Processing unit.
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