KR20080098826A - 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을형성하는 방법 - Google Patents

중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을형성하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080098826A
KR20080098826A KR1020070044167A KR20070044167A KR20080098826A KR 20080098826 A KR20080098826 A KR 20080098826A KR 1020070044167 A KR1020070044167 A KR 1020070044167A KR 20070044167 A KR20070044167 A KR 20070044167A KR 20080098826 A KR20080098826 A KR 20080098826A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pipe
wall
metal
disk
coating layer
Prior art date
Application number
KR1020070044167A
Other languages
English (en)
Inventor
이봉주
김영우
김용현
유승민
장성기
Original Assignee
주식회사 셈테크놀러지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 셈테크놀러지 filed Critical 주식회사 셈테크놀러지
Priority to KR1020070044167A priority Critical patent/KR20080098826A/ko
Publication of KR20080098826A publication Critical patent/KR20080098826A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
    • F04D17/00—Radial-flow pumps, e.g. centrifugal pumps; Helico-centrifugal pumps
    • F04D17/08—Centrifugal pumps
    • F04D17/16—Centrifugal pumps for displacing without appreciable compression
    • F04D17/168—Pumps specially adapted to produce a vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Abstract

본 발명에서는 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을 형성하는 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 방법은 파이프 내부에 디스크 전극을 배치하는 단계, 상기 디스크 전극에 음의 직류 또는 펄스(Pulse) 직류 전압을 인가하여 중공음극방전에 의해 방전가스의 플라즈마를 생성함과 아울러 생성된 플라즈마 이온과 상기 디스크 전극과의 충돌에 의해 원자를 생성하는 단계, 생성된 원자가 파이프 내벽에 증착하여 파이프 내벽에 코팅층을 형성하는 단계로 구성된다. 본 발명에 따른 방법은 디스크 전극을 파이프 내부에 배치하여 중공음극방전 증착을 수행한다. 이것은 파이프 내벽에 내식성, 내수성 등이 우수한 금속층 또는 비금속층을 효율적으로 증착시키는 장점을 제공한다.

Description

중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을 형성하는 방법{METHOD FOR FORMING COATING LAYER ON INNER WALL OF PIPE THROUGH HOLLOW CATHODE DISCHARGE DEPOSITION}
도 1은 디스크 금속전극을 파이프 내부로 배치하는 예를 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 배치에 대한 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 파이프의 내벽에 코팅층을 형성하는 방법의 바람직한 구현예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 두개의 디스크 금속판 사이에서 중공음극방전에 의해 금속원자를 스퍼터링하는 예를 보여주는 확대단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 파이프의 내벽에 코팅층을 형성하는 방법의 다른 바람직한 구현예를 보여주는 단면도이다.
본 발명은 파이프의 내벽에 코팅층을 형성하는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을 형성 하는 방법에 관한 것이다.
기판상에 박막을 형성하는 대표적 예는 스퍼터링 시스템이다. 상기 시스템은 전극에 음의 고전압을 인가하여 방전가스로부터 플라즈마를 생성한다. 생성된 플라즈마 이온은 전극판과 충돌하여, 전극판으로부터 원자들을 떼어낸다. 얻어진 원자들은 기판과 접촉하여 기판의 표면에 코팅층을 형성하게 된다.
플라즈마와 전극판 사이의 충돌에 의해 원자를 생성하기 위한 일예로서, 중공음극방전(hollow cathode discharge)이 채용된다. 이것은 비어있는 음극 용기에 고전압을 인가하여 방전가스의 플라즈마를 생성하고, 이것을 전극과 충돌시켜 원자를 생성한다. 중공음극방전을 채용하는 스퍼터링 시스템의 예로는 미국특허 제5,490.910호 및 미국특허 제5,482,611호를 들 수 있다. 때때로, 음극 용기내에 밀도높은 플라즈마를 생성하기 위해, 자기장이 추가로 방전공간에 인가된다.
중공음극방전에 의한 스퍼터링은 주로 평면 기판 상에 박막을 형성하기 위해 사용되어 왔다. 중공음극방전 증착에 의해 파이프 내벽에 코팅층을 형성하는 방법은 가와사끼의 논문을 들 수 있다(Kawasaki, et al., Materials Science & Engineering, vol. A140, pp. 682-686, entitled "High Speed Pipe Inner Coatings Using Magnetron Hollow-Cathode Discharge in a Magnetic Field"). 가와사끼 등은, 그의 논문에서, 4 개의 막대기 금속전극을 파이프 내부에 배치하고, 4개의 금속전극에 직류전압을 인가하여 파이프 내벽 코팅을 수행하고 있다. 그러나, 상기 논문에 제시된 방법은 다음과 같은 단점을 갖고 있다.
(1) 첫번째로, 막대기 금속전극의 직경이 약 1 mm에 불과하다. 이것은 파이 프의 길이가 길어질 경우, 금속전극의 중앙부분이 처지게 된다.
(2) 두 번째로, 금속전극과 플라즈마의 충돌횟수가 현저히 낮다. 반응 챔버 내에서 생성된 플라즈마가 금속전극에 충돌하는 횟수는 금속원자의 생성효율을 결정한다. 금속원자의 생성효율을 증가시키기 위해서는 플라즈마 이온과 금속전극 사이의 충돌빈도를 증가시켜야 한다. 그러나, 상기한 논문에 개시된 방법은 기존의 방법에서 보다 오픈 된 공간이 많아서 플라즈마 이온과 금속전극 사이의 충돌빈도가 낮다.
상기한 문제점 외에도, 복수개의 막대기 금속전극을 사용함으로써, 파이프 내벽에 복수의 막대기 금속전극을 균일하게 배치하기 위해 상당한 주의가 요구된다.
본 발명의 목적은 파이프 내부 코팅을 효율적으로 수행할 수 있는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 따른 방법은 파이프 내부에 디스크 전극을 배치하는 단계, 상기 디스크 전극에 음의 직류전압 또는 펄스 직류전압을 인가하여 중공음극방전에 의해 방전가스의 플라즈마를 생성함과 아울러 생성된 플라즈마 이온과 상기 디스크 전극과의 충돌에 의해 원자를 생성하는 단계, 생성된 원자가 파이프 내벽에 증착하여 파이프 내벽에 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 디스크 전극을 파이프 내부에 배치하여 파이프 내부 코팅을 수행한다. 구체적으로, 상기 디스크 전극은 전기적으로 연결되고, 서로 평행하게 배치된 2개 이상의 디스크 판을 포함한다. 중공음극방전은 두개의 디스크 전극 판 사이에 방전가스의 플라즈마를 생성한다. 이것은 플라즈마 이온이 두개의 디스크 전극판에 의해 형성된 한정된 공간에서 생성됨을 의미한다. 따라서, 플라즈마 이온과 디스크 전극판 사이의 충돌횟수가 충분히 상승된다.
도 1은 디스크 도체 또는 부도체가 코팅된 전극(100)을 파이프(200) 내부로 배치하는 예를 보여주는 사시도이고, 도 2는 이의 단면도이다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 디스크 전극(100)은 파이프(200)의 내부에 설치된다. 디스크 전극(100)은 적어도 두개 이상의 디스크 전극판(101)이 전기적으로 연결되어 있다. 도 1 및 2에 따르면, 이웃한 2개의 디스크 전극판(101)이, 디스크 전극판(101)의 중심축을 따라 형성된 금속봉(102)에 의해, 전기적으로 연결되어 있다. 그러나, 이러한 전기적 연결은 예시적인 것으로 해석되어야 한다. 바람직하게는, 디스크 전극판(101)과 금속봉(102)이 일체화되어 있는 것이다. 또한, 디스크 전극(100)의 전체길이(L)는, 파이프(200)의 길이에 의존하며, 파이프(200)의 내부 코팅을 적절히 수행할 수 있는 값으로 선택된다.
도 3은 본 발명에 따른 파이프의 내벽에 코팅층을 형성하는 방법의 바람직한 구현예를 보여주는 단면도이고, 도 4는 두개의 디스크 금속판(101) 사이에서 중공음극방전에 의해 금속원자를 스퍼터링하는 예를 보여주는 확대단면도이다.
커버(800b)의 일측에 형성된 가스 배출구(902)는 진공펌프(미도시)에 연결되어 있다. 진공펌프의 작동하에, 파이프(200) 내부가 진공상태로 유지된다. 그 후, 커버(800a)의 일측에 형성된 가스 주입구(901)를 통해 방전가스가 주입되고(약 1 mTorr ~ 수백 mTorr), 음의 직류전압 또는 펄스 직류전압 전원(500)으로부터, 상기 디스크 전극(100)으로 음의 전압이 인가된다. 음의 전압의 도움하에, 디스크 전극판(101) 사이에 형성된 방전공간(300)에서, 중공음극방전이 일어나고, 방전가스의 플라즈마가 생성된다. 생성된 플라즈마의 양이온은 음의 전압이 인가된 전극판(101)으로 유도되고, 전극판(101)과 충돌한다. 이 때, 양이온이 갖는 에너지는 전극판(101)에 전달되고, 전극판(101)으로부터 원자를 떼어낸다. 전하를 갖지 않는 원자는 음의 전압에 의해 영향을 받지 않으며, 자유로이 이동하여 파이프(200)의 내벽과 접촉한다. 따라서, 파이프(200)의 내벽에 코팅층(400)이 형성된다. 상기 중공음극방전에 의해 형성되는 코팅층(400)의 두께는 통상 1 mm 이하이며, 바람직하게는 1,000 Å ~ 100,000 Å의 범위이다.
부도체층을 코팅하기 위해서는 전극판(101) 음전극을 부도체가 코팅된 음전극판으로 대체하고, 직류전압 대신 펄스 직류전압을 인가하면 위에 설명한 금속층을 코팅하는 방법과 같은 방법으로 부도체층을 생성할 수 있다.
음의 직류전압 또는 펄스 직류전압 전원(500)에 의해 디스크 전극(100)으로 인가되는 음의 전압은 -100V ~ -5kV의 범위이다. -100V이하의 전압에서 발생한 플라즈마 이온은 충분한 에너지를 갖지 못한다. 따라서, 원자의 스퍼터링 효율을 저하시킨다. -5kV이상의 전압에서는 이온이 전극을 스퍼터링하기 보다는 임플란트가 되어 이온이 전극 내에 심어지는 단점이 발생한다. 바람직하게는 -500V ~ -2V이다. 전압의 파형은 연속형으로 또는 펄스 형태일 수 있다.
디스크 전극(100)의 재질은 파이프(200)의 용도에 따라 적절히 선택될 수 있 다. 예를 들어, 상기 파이프(200)가 수도관으로 사용될 경우, 내식성과 내수성을 갖고, 인체에 무해한 금속이 바람직하다. 스테인레스 스틸, 은, 금, 구리 등이 그러한 예이다.
플라즈마를 발생시키는 방전가스의 예로는 비활성가스(예: Ar, Ne, Xe 등)를 들 수 있다. 때때로, 방전가스는 혼합 가스의 형태로 주입될 수 있다. 예를 들어, 파이프(200)의 내벽에 TiN 박막을 형성하고자 할 경우, 티타늄 디스크 금속전극(100)과 더불어, 아르곤과 질소의 혼합가스를 방전가스로서 사용하면 된다.
한편, 상기 디스크 전극(100)은 이동부재(700)에 연결되어 이동하면서, 중공음극방전 증착을 수행할 수 있다. 또한, 파이프(200)는, 회전부재(미도시)에 의해, 중공음극방전 증착을 수행하는 도중에 회전할 수 있다.
도 3은 두개의 커버(800a 및 800b)와 파이프(200)에 의해 챔버가 형성되는 예를 보여준다. 이것은 별도의 챔버를 요구하지 아니하는 장점을 제공한다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니다. 디스크 전극(100)이 내부에 설치된 파이프(200)가 별도의 반응챔버 내에 설치될 수도 있다.
도 5는 본 발명에 따른 파이프의 내벽에 금속코팅층을 형성하는 방법의 다른 바람직한 구현예를 보여주는 단면도이다. 도 4에서, 파이프(200)는 금속관이며, 접지전극으로서 작동한다. 도 5에서, 파이프(200)는 비금속성 물질(예: PVC 파이프)이다. 이 경우, 상기 파이프(200)의 외부에는 접지전극으로서의 금속관(600)이 추가로 설치된다. 미설명된 도면부호는 도 4와 동일하다.
본 발명에 따른 방법은 파이프(200)의 내벽에 2개 이상의 금속층을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1 금속층은 텅스텐이고, 제2 금속층은 은으로 형성되는 것이다. 이것은 텅스텐 재질의 디스크 금속전극(100)과 은 재질의 디스크 금속전극(100)을 이용하여, 파이프 내벽으로 순차 중공음극방전 증착을 수행하면 된다.
본 발명에 따른 방법은 다음과 같은 효과를 제공한다.
(1) 중공음극방전을 이용하여 고밀도 플라즈마를 발생할 수 있어서 파이프 내벽 코팅 시간을 단축할 수 있다.
(2) 디스크 형태의 전극을 사용함으로써 작은 구경 및 길이가 긴 파이프 내벽 코팅에 유리하다.
(3) 중공음극방전을 사용함으로써 기존의 마그네트론 스퍼터링 장치와 달리 전극의 침식이 전체에 걸쳐서 일정하게 일어나는 장점을 가지고 있다.

Claims (7)

  1. a) 파이프 내부에 디스크 금속전극을 배치하는 단계,
    b) 상기 디스크 금속전극에 음의 직류전압을 인가하여 중공음극방전에 의해 방전가스의 플라즈마를 생성함과 아울러 생성된 플라즈마 이온과 상기 디스크 금속전극과의 충돌에 의해 금속원자를 생성하는 단계,
    c) 생성된 금속원자가 파이프 내벽에 증착하여 파이프 내벽에 금속코팅층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진, 중공음극증착에 의해 파이프의 내벽에 금속코팅층을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디스크 금속전극이 전기적으로 연결된 적어도 2개 이상의 디스크 금속판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 이웃한 디스크 금속판이, 디스크 금속판의 중심축을 따라 형성된 금속봉에 의해 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 디스크 금속전극에 인가되는 음의 직류전압이 -100V ~ -5kV의 범위내인 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 디스크 금속전극의 재질이 내식성 및 내화학성인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 파이프의 개방면이 커버에 의해 캡핑되고, 캡핑된 파이프가 반응챔버로서 작용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 파이프의 좌우측이 커버에 의해 캡핑되고, 이것에 의해 반응챔버가 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1020070044167A 2007-05-07 2007-05-07 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을형성하는 방법 KR20080098826A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070044167A KR20080098826A (ko) 2007-05-07 2007-05-07 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을형성하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070044167A KR20080098826A (ko) 2007-05-07 2007-05-07 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을형성하는 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080098826A true KR20080098826A (ko) 2008-11-12

Family

ID=40286059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070044167A KR20080098826A (ko) 2007-05-07 2007-05-07 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을형성하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080098826A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170022744A (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 한국과학기술연구원 금속관의 내벽 코팅 장치 및 방법
DE102014104997B4 (de) 2014-03-21 2022-06-23 J&L Tech Co., Ltd. Verfahren zum Nitrieren von Innenoberflächen leitfähiger Hohlkörper oder gravierten Oberflächen mit Hohlkathodenentladung
CN116397292A (zh) * 2023-02-14 2023-07-07 佛山市恒合信管业有限公司 一种在金属管道内壁制备涂层的方法及装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014104997B4 (de) 2014-03-21 2022-06-23 J&L Tech Co., Ltd. Verfahren zum Nitrieren von Innenoberflächen leitfähiger Hohlkörper oder gravierten Oberflächen mit Hohlkathodenentladung
KR20170022744A (ko) * 2015-08-21 2017-03-02 한국과학기술연구원 금속관의 내벽 코팅 장치 및 방법
US10337099B2 (en) 2015-08-21 2019-07-02 Korea Institute Of Science And Technology Apparatus and method for coating inner wall of metal tube
CN116397292A (zh) * 2023-02-14 2023-07-07 佛山市恒合信管业有限公司 一种在金属管道内壁制备涂层的方法及装置
CN116397292B (zh) * 2023-02-14 2023-12-12 佛山市恒合信管业有限公司 一种在金属管道内壁制备涂层的方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9812299B2 (en) Apparatus and method for pretreating and coating bodies
US9941102B2 (en) Apparatus for processing work piece by pulsed electric discharges in solid-gas plasma
RU2640505C2 (ru) Способы, использующие удаленную плазму дугового разряда
JP4208970B2 (ja) 交互に正電圧および負電圧にされる複数のアノードを用いる絶縁材料の連続堆積
RU2695685C2 (ru) Плазменно-иммерсионная ионная обработка и осаждение покрытий из паровой фазы при содействии дугового разряда низкого давления
DE19740793C2 (de) Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mittels einer Anlage mit Sputterelektroden und Verwendung des Verfahrens
JP2004536426A (ja) プラズマ発生方法および装置
EP3788181B1 (en) Method of low-temperature plasma generation, method of an electrically conductive or ferromagnetic tube coating using pulsed plasma and corresponding devices
CN111088472B (zh) 涂布系统
JPH09186150A (ja) 化学蒸着法により基板を被覆する装置
US3616402A (en) Sputtering method and apparatus
KR20080098826A (ko) 중공음극방전 증착에 의해 파이프의 내벽에 코팅층을형성하는 방법
WO2008118203A2 (en) Closed drift ion source
US8940140B2 (en) Thin film application device and method for coating small aperture vacuum vessels
JP4471877B2 (ja) プラズマ表面処理方法
KR20040005406A (ko) 동기화된 이온 빔 소스와 듀얼 마그네트론 스퍼터를가지는 박막 형성 장치
US20120125766A1 (en) Magnetron with non-equipotential cathode
US20110081477A1 (en) Plasma Activated Chemical Vapour Deposition Method and Apparatus Therefor
JP2009114482A (ja) 電子ビームによる金属表面の処理方法及び装置
Ahmad et al. New configuration for efficient and durable copper coating on the outer surface of a tube
JP5122757B2 (ja) コーティング装置、コーティング方法
CN111088480A (zh) 涂布系统
KR101076715B1 (ko) 플라즈마를 이용한 표면처리 장치
KR101732712B1 (ko) 플라즈마 화학 기상 증착 장치 및 증착 방법
Gasab Investigation on High Performance Coating by Plasma Processing

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application