KR20080093659A - Structure and manufacturing method of high frequency transistor by half self-aligned process using t-type gate - Google Patents

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KR20080093659A
KR20080093659A KR1020070037664A KR20070037664A KR20080093659A KR 20080093659 A KR20080093659 A KR 20080093659A KR 1020070037664 A KR1020070037664 A KR 1020070037664A KR 20070037664 A KR20070037664 A KR 20070037664A KR 20080093659 A KR20080093659 A KR 20080093659A
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Abstract

A high frequency transistor structure by a half self-aligned process using a T-type gate and a method for manufacturing the same are provided to sufficiently increase a distance between a gate and a drain while sufficiently reducing the gate and a source and to reduce parasitic capacitance by reducing an upper portion of the T-type gate and the drain. A method for manufacturing a high frequency transistor structure by a half self-aligned process using a T-type gate includes the steps of: forming a passivation layer(220) on a substrate(200) on which the T-type gate; forming a photo resist between a part of an upper surface of the T-type gate and a formation region of a drain(260); removing the passivation layer using the photo resist; depositing a metal layer on the substrate to form a source(250) and the drain; removing the photo resist and the metal layer on the photo resist; and selectively etching the passivation layer. The photo resist has an over hang structure, and a width of the photo resist ranges from 1 to 1000 um.

Description

티형 게이트를 이용한 반쪽 자기 정렬 방법에 의한 고주파 트랜지스터 구조 및 그 제조 방법{Structure and Manufacturing Method of High Frequency Transistor by Half Self-Aligned Process Using T-type Gate}Structure and manufacturing method of high frequency transistor by half self-alignment method using tee-type gate {Ttructure and Manufacturing Method of High Frequency Transistor by Half Self-Aligned Process Using T-type Gate}

도 1은 종래 T-형 게이트를 이용한 자기 정렬 방법에 의한 고주파 트랜지스터를 도시한 단면도,1 is a cross-sectional view showing a high frequency transistor by a self-aligning method using a conventional T-type gate;

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반쪽 자기 정렬 방법에 의한 고주파 트랜지스터 제조 방법을 나타내는 공정도이다.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a high frequency transistor by a half self alignment method according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

100 : 기판 110 : T-형 게이트100: substrate 110: T-type gate

120 : 소스 130 : 드레인120: source 130: drain

200 : 기판 210 : T-형 게이트200: substrate 210: T-type gate

220 : 보호층 230 : 감광막220: protective layer 230: photosensitive film

240 : 금속층 250 : 소스240: metal layer 250: source

260 : 드레인260: drain

본 발명은 고주파 스위치에 사용되는 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 나 MESFET 등 화합물 반도체를 이용한 전계 효과 트랜지스터(FET)에 있어서 T-형 게이트를 마스크로 사용한 소스/드레인 형성방법에 대한 것으로 특히, 소스의 저항은 줄이면서 드레인의 저항을 적절히 크게 할 수 있는 반쪽 자기 정렬 기술을 이용한 소스/드레인 형성방법에 대한 것이다.The present invention relates to a method for forming a source / drain using a T-type gate as a mask in a field effect transistor (FET) using a compound semiconductor such as a HEMT (High Electron Mobility Transistor) or a MESFET used in a high frequency switch. A method of source / drain formation using the half self-aligning technique that can reduce the resistance and increase the drain resistance appropriately.

고주파용 반도체 소자 중에서 고주파 특성이 우수한 스위치용 MESFET 또는HEMT 등의 소자를 제조하기 위해서는 게이트의 길이를 축소하여야 한다. 그러나, 게이트 길이가 짧아지면 게이트 저항이 증가하기 때문에 소자의 이득 또는 잡음특성이 감소하게 된다.In order to manufacture a device such as a switch MESFET or HEMT having excellent high frequency characteristics among high frequency semiconductor devices, the gate length must be reduced. However, if the gate length is shortened, the gate resistance increases, thereby reducing the gain or noise characteristics of the device.

따라서, 게이트의 길이를 축소하면서도 소자의 이득 또는 잡음특성의 감소를 방지하기 위하여, 게이트의 하부는 작으면서 상부는 큰 게이트, 소위 T-형 게이트를 형성하는 방법이 사용되고 있다.Therefore, in order to reduce the length of the gate while preventing the reduction in gain or noise characteristics of the device, a method of forming a small gate at the top and a large gate at the top, a so-called T-type gate, is used.

이러한 T-형 게이트를 사용한 트랜지스터 제작방법에 있어서, 그 소스와 드레인은 형성하는 때에는 T-형 게이트를 먼저 제작하고, 이 T-형 게이트를 마스크로 사용하여 자기 정렬 방법에 의해 소스와 드레인 영역을 제작한다. 이러한 자기 정렬 기술의 장점으로는 게이트와 소스 사이의 거리가 작게 할 수 있어 소스 저항이 줄어 트랜지스터의 전류밀도나 트랜스 컨덕턴스 등이 향상된다.In the transistor fabrication method using such a T-type gate, when the source and the drain are formed, a T-type gate is first manufactured, and the source and drain regions are formed by a self-aligning method using the T-type gate as a mask. To make. The advantages of this self-alignment technology are that the distance between the gate and the source can be reduced, which reduces the source resistance, thereby improving the transistor current density and transconductance.

하지만 게이트와 드레인 사이의 거리도 가까워지므로 드레인 저항도 줄어든다. 이로 인해 생기는 문제점으로는 트랜지스터의 출력 컨적턴스(output conductance)가 증가하여 최대 발진 주파수(Fmax)가 감소하고, 드레인과 게이트간의 항복 전압(breakdown Voltage, BVDG)이 감소한다.However, the distance between the gate and drain is also closer, which reduces the drain resistance. As a result of this problem, the output conductance of the transistor is increased to decrease the maximum oscillation frequency (Fmax) and the breakdown voltage (BVDG) between the drain and the gate is reduced.

이러한 문제점을 해결하기 위해 미국공개특허 제5,053,348호에서는 T-형 게이트(110)를 비대칭으로 만들어 소스(120)와 게이트(130) 간의 거리(Ls)는 줄이고, 소스(110)와 드레인(120) 간의 거리(Ld)는 늘리는 방법(Ls < Ld)이 제시되었다.(도 1)In order to solve this problem, U.S. Patent Publication No. 5,053,348 makes the T-type gate 110 asymmetrical to reduce the distance Ls between the source 120 and the gate 130, and the source 110 and the drain 120 The method of increasing the distance Ld of the liver (Ls <Ld) has been proposed (FIG. 1).

그러나, 이러한 비대칭 T-형 게이트(110)를 사용한 방법은 T-형 게이트(110)의 구조적인 안정성이 무너지지 않는 범위에서만 비대칭성이 허용되므로 게이트(120)와 드레인(130) 간의 거리를 위 문제점을 해소할 수 있을 만큼 충분히 크게 할 수 없다. 또한, 상기 방법은 T-형 게이트(110)의 상부와 드레인(130)의 거리는 여전히 가까워 그로 인한 기생 커패시턴스가 켜져 트랜지스터의 고속동작에 장애가 된다는 문제점이 있다.However, the method using the asymmetric T-type gate 110 has a problem in that the distance between the gate 120 and the drain 130 is limited because asymmetry is allowed only in a range in which the structural stability of the T-type gate 110 is not destroyed. Cannot be large enough to solve the problem. In addition, the method has a problem in that the distance between the upper portion of the T-type gate 110 and the drain 130 is still close so that the parasitic capacitance is turned on, thereby preventing the high-speed operation of the transistor.

본 발명의 목적은 소스 저항은 줄여 트랜지스터의 전류밀도나 트랜스 컨덕턴스 등이 향상시키는 동시에 드레인 저항은 크게 유지하여 트랜지스터의 출력 컨적턴스(output conductance)를 감소시킴으로써 최대 발진 주파수(Fmax)를 증가시키면서 드레인과 게이트 간의 항복 전압(breakdown Voltage, BVDG)을 크게 할 수 있는 반쪽 자기정렬 소스/드레인 형성방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to reduce the source resistance to improve the transistor current density and the transconductance, and at the same time maintain the drain resistance to reduce the output conductance of the transistor to increase the maximum oscillation frequency (Fmax) while increasing the drain and The present invention provides a method of forming a half self-aligned source / drain capable of increasing breakdown voltage (BVDG) between gates.

본 발명의 다른 목적은 게이트와 소스의 거리는 충분히 작게 하면서 게이트와 드레인 간의 거리는 충분히 크게 할 수 있는 반쪽 자기정렬 소스/드레인 형성방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a half self-aligning source / drain formation method capable of sufficiently reducing the distance between the gate and the source while sufficiently increasing the distance between the gate and the drain.

본 발명의 또 다른 목적은 T-형 게이트의 상부와 드레인의 거리를 줄여줌으로써 그로 인한 기생 커패시턴스를 작게 하는 반쪽 자기정렬 소스/드레인 형성방법을 제공하는 데 있다.It is still another object of the present invention to provide a half self-aligned source / drain formation method that reduces the distance between the top and the drain of the T-type gate, thereby reducing the parasitic capacitance.

본 발명의 목적은 기판 상에 소스, 드레인 및 T-형 게이트가 형성된 고주파용 트랜지스터에 있어서, 상기 T-형 게이트 상부의 한쪽 끝단은 소스의 끝단과 동일한 수직면 상에 있고, 상기 T-형 게이트 상부의 다른 한쪽 끝단의 수직면과 드레인의 끝단의 수직면은 이격되어 있는 고주파용 트랜지스터에 의해 달성된다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is a high frequency transistor in which a source, a drain, and a T-type gate are formed on a substrate, wherein one end of the top of the T-type gate is on the same vertical plane as the end of the source, and the top of the T-type gate. The vertical plane of the other end of and the vertical plane of the end of the drain are achieved by spaced apart high frequency transistors.

본 발명의 다른 목적은 위 고주파용 트랜지스터에 있어서, T-형 게이트 상부의 다른 한쪽 끝단의 수직면과 드레인의 끝단의 수직면의 거리가 1~1000 ㎛ 인 고주파용 트랜지스터에 의해 달성된다.Another object of the present invention is achieved by the high frequency transistor in which the distance between the vertical surface of the other end of the upper portion of the T-type gate and the vertical surface of the end of the drain is 1 to 1000 µm.

본 발명의 또 다른 목적은 T-형 게이트가 형성된 기판 상에 보호층을 형성하는 단계, 상기 T-형 게이트의 상면 일부와 드레인이 형성될 영역 사이에 감광막을 형성하는 단계, 상기 감광막을 사용하여 상기 보호막을 제거하는 단계, 상기 기판 상에 금속층을 증착하여 소스 및 상기 드레인을 형성하는 단계 및 상기 감광막 및 상기 감광막 상의 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 고주파용 트랜지스터 제조 방법에 의해 달성된다.Still another object of the present invention is to form a protective layer on a substrate on which a T-type gate is formed, forming a photoresist film between a portion of an upper surface of the T-type gate and a region where a drain is to be formed, and using the photoresist film. Removing the protective film, depositing a metal layer on the substrate to form a source and the drain, and removing the photosensitive film and the metal layer on the photosensitive film.

본 발명의 또 다른 목적은 위 고주파용 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 감광막은 오버행 구조를 갖는 고주파용 트랜지스터 제조 방법에 의해 달성된다.Still another object of the present invention is to provide a high frequency transistor manufacturing method in which the photosensitive film is achieved by a high frequency transistor manufacturing method having an overhang structure.

본 발명의 또 다른 목적은 위 고주파용 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 상기 감광막 및 상기 감광막 상의 금속층을 제거하는 단계 이후에 상기 보호층을 선택적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 고주파용 트랜지스터 제조 방법에 의해 달성된다.Still another object of the present invention is a method of manufacturing a high frequency transistor, the method further comprising the step of selectively etching the protective layer after removing the metal layer on the photosensitive film and the photosensitive film is achieved by a high frequency transistor manufacturing method. do.

본 발명의 또 다른 목적은 위 고주파용 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 상기 감광막의 폭은 1~1000㎛ 인 고주파용 트랜지스터 제조 방법에 의해 달성된다.Another object of the present invention is a high frequency transistor manufacturing method, wherein the width of the photosensitive film is achieved by a high frequency transistor manufacturing method of 1 ~ 1000㎛.

본 발명은 게이트를 마스크로 한 자기 정렬 기술을 이용하되 소스와 게이트 만 자기 정렬되도록 하여 소스와 게이트 간의 거리를 최소화함으로써 소스와 게이트 간의 저항을 최소한으로 한다. 이렇게 소스 저항을 줄여 트랜지스터의 전류밀도와 트랜스 컨덕턴스를 개선한다. 여기서 소스와 게이트의 거리는 T-형 게이트의 상부 날개의 길이에 의해 결정된다. 이는 통상적으로 0.3μm 내외이다. 반면 드레인과 게이트 사이는 자기정렬이 되지 않도록 감광막(photoresist등)을 이용하여 그 거리는 늘린다. 이를 통해 자기정렬에 의해 드레인을 형성할 때 보다 게이트 드레인 간의 저항을 증가시킨다. 드레인에 적절한 저항 성분을 유지함으로써 드레인 출력 컨덕턴스(output conductance)를 작게 하고 드레인과 게이트 사이의 항복 전 압(BVDG)을 증가시킨다.The present invention uses a gate-aligned self-alignment technique, but only self-aligns the source and the gate to minimize the distance between the source and the gate to minimize the resistance between the source and the gate. This reduction in source resistance improves transistor current density and transconductance. The distance between the source and the gate here is determined by the length of the upper wing of the T-type gate. It is typically around 0.3 μm. On the other hand, the distance is increased by using a photoresist film to prevent self-alignment between the drain and the gate. This increases the resistance between the gate and drain more than when forming the drain by self-alignment. Maintaining an appropriate resistive component on the drain reduces drain output conductance and increases breakdown voltage (BVDG) between the drain and the gate.

앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.The foregoing terms or words used in this specification and claims are not to be construed as being limited to the common or dictionary meanings, and the inventors properly define the concept of terms in order to explain their invention in the best way. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that it can.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 반쪽 자기정렬 트랜지스터의 제조 순서를 나타낸다. 2A to 2F show the manufacturing procedure of the half self-aligned transistor according to the present invention.

도 2a는 T-형 게이트(210)가 형성된 기판(200)을 도시하고 있다. 본 발명은 자기정렬에 의한 소스/드레인 형성 방법을 사용하는 고주파용 트랜지스터 제조 방법을 기초로 한 것이다. 따라서, 본 발명에서는 T-형 게이트(210) 및 캡, 배리어 및 채널 등의 기판(200) 구조가 종래의 고주파용 트랜지스터의 제조 방법에 의해 형성된 기판(200)을 사용한다.2A shows a substrate 200 on which a T-type gate 210 is formed. The present invention is based on a method of manufacturing a high frequency transistor using a method of forming a source / drain by self-alignment. Therefore, in the present invention, the T-type gate 210 and the substrate 200 structure such as a cap, a barrier, and a channel use the substrate 200 formed by a conventional method for manufacturing a high frequency transistor.

도 2b은 기판(200) 상에 보호층(220)(passivation layer)을 형성하는 단계를 도시하고 있다. 보호층(220)은 실리콘 산화물(SiO2)이나 실리콘 질화물(Si3N4) 등을 사용하는 것이 바람직하다. 보호층(220)은 T-형 게이트(210)의 측면부분뿐만 아니라 상부판 아래 부분까지 덮을 수 있다.FIG. 2B illustrates forming a passivation layer 220 on the substrate 200. The protective layer 220 may be formed of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), or the like. The protective layer 220 may cover not only the side portion of the T-type gate 210 but also the lower portion of the top plate.

도 2c는 게이트(210) 상부 중 일부와 드레인(260) 사이에 감광막(230)을 형성하는 단계를 도시하고 있다. 감광막(230)의 게이트(210)편 경계는 게이트(210)의 절반 가량을 덥도록 하는 것이 바람직하다. 감광막(230) 다른 한편의 외측은 드레인(260, 도 2e 참조) 영역이 된다. 감광막(230)은 금속 리프트 오프 (metal lift off)공정이 수행될 수 있도록 상부는 넓고 하부는 좁은 오버행(over hang) 구조를 가지는 것이 바람직하다. 이렇게 형성된 감광막(230)의 너비는 게이트(210)와 드레인(260, 도 2e 참조)의 거리를 결정하게 된다. 따라서, 기판(200)의 종류에 따른 거리 대 저항비, 소자에 기대되는 출력 컨덕턴스와 최대 발진 주파수 및 항복 전압 등을 고려하여 감광막(230)의 너비를 결정하여야 한다. 일반적인 기판(200)에 있어서 감광막(230)의 너비는 10~1000㎛인 것이 바람직하다.2C illustrates forming a photoresist layer 230 between a portion of the upper portion of the gate 210 and the drain 260. It is preferable that the boundary of the gate 210 side of the photoresist layer 230 covers about half of the gate 210. The other side of the photosensitive film 230 is a drain 260 (see FIG. 2E) region. The photoresist layer 230 preferably has a wide overhang and a narrow overhang structure so that a metal lift off process may be performed. The width of the photoresist layer 230 formed as described above determines the distance between the gate 210 and the drain 260 (see FIG. 2E). Therefore, the width of the photosensitive film 230 should be determined in consideration of the distance-to-resistance ratio, the output conductance expected in the device, the maximum oscillation frequency, and the breakdown voltage according to the type of the substrate 200. In the general substrate 200, the width of the photosensitive film 230 is preferably 10 μm to 1000 μm.

도 2d는 감광막(230)의 외부에 드러난 보호막을 제거하는 단계를 도시하고 있다. 이때 건식식각 또는 습식식각 방법을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 반응성 이온식각과 같은 건식식각 방법을 사용한다.2D illustrates a step of removing the protective film that is exposed to the outside of the photoresist film 230. In this case, a dry etching method or a wet etching method may be used, and preferably, a dry etching method such as reactive ion etching is used.

도 2e는 소스(250)/드레인(260) 영역이 될 금속층(240)을 증착하는 단계를 도시하고 있다.2E illustrates depositing a metal layer 240 to be a source 250 / drain 260 region.

도 2f는 리프트 오프 공정에 의해 감광막(230) 및 그 상부의 금속층(240)을 제거하는 단계를 도시하고 있다. 소스(250)와 게이트(210) 간의 거리는 자기 정렬에 의해 최소화되고 드레인(260)과 게이트(210) 간의 거리는 감광막(230)에 의해 결정되므로 의도하는 만큼 드레인(260)과 게이트(210) 간의 저항 등을 증가시킬 수 있다. FIG. 2F illustrates a step of removing the photoresist film 230 and the metal layer 240 thereon by a lift off process. Since the distance between the source 250 and the gate 210 is minimized by self alignment, and the distance between the drain 260 and the gate 210 is determined by the photoresist film 230, the resistance between the drain 260 and the gate 210 is as intended. And so on.

도시되지는 않았으나, 도 2f의 공정을 수행한 다음 최종적으로 T-형 게이트(210) 자체의 목적을 달성하기 위하여 남아있는 보호층(220)을 선택적 식각 방법 의해 제거하는 것이 바람직하다. 보호층(220)은 산화막 또는 질화막을 사용하므로 종래의 다양한 선택적 식각 방법으로 이러한 산화막 또는 질화막 만을 제거할 수 있다.Although not shown, it is preferable to remove the remaining protective layer 220 by a selective etching method after performing the process of FIG. 2F to finally achieve the purpose of the T-type gate 210 itself. Since the protective layer 220 uses an oxide film or a nitride film, only the oxide film or the nitride film may be removed by various conventional selective etching methods.

본 발명에 의한 고주파 트랜지스터 제조 방법은 반쪽 자기 정렬 방식을 사용하여 소스 저항을 최소화한다. 이에 따라 트랜지스터의 전류밀도가 증가하고 트랜스 컨덕턴스 등의 특성이 개선되는 효과가 있다. 또한, 게이트와 드레인 간에 적정한 저항성분을 도입하여 출력 컨덕턴스(output conductance)와 항복 전압을 개선하는 효과가 있다.The method of manufacturing the high frequency transistor according to the present invention minimizes the source resistance by using the half self-alignment method. Accordingly, the current density of the transistor is increased, and characteristics such as transconductance are improved. In addition, an appropriate resistance component may be introduced between the gate and the drain to improve output conductance and breakdown voltage.

본 발명에 의한 고주파 트랜지스터 제조 방법은 게이트와 소스의 거리는 충분히 작게 하면서 게이트와 드레인 간의 거리는 충분히 크게 할 수 있다. 즉, 설계자가 원하는 거리만큼 게이트와 드레인 간의 간격을 조절할 수 있게 된다. 또한, T-형 게이트의 상부와 드레인의 거리를 줄여줌으로써 그로 인한 기생 커패시턴스를 작게 한다.In the high frequency transistor manufacturing method according to the present invention, the distance between the gate and the drain can be sufficiently large while the distance between the gate and the source is sufficiently small. That is, the designer can adjust the distance between the gate and the drain by a desired distance. In addition, by reducing the distance between the top of the T-type gate and the drain, the resulting parasitic capacitance is reduced.

아울러 본 발명에 의한 고주파 트랜지스터 제조 방법은 공정이 간단하다. 만일 공정장비의 한계 등의 문제점이 발생하여 오믹과 게이트 간의 정렬에 문제가 발생하여도 소스 저항의 개선과 게이트-드레인 항복 전압 개선의 효과를 어느 정도 이룰 수 있다. In addition, the manufacturing method of the high frequency transistor by this invention is simple. If problems such as limitations of the process equipment occur and the alignment between the ohmic and the gate occurs, the effect of improving the source resistance and the gate-drain breakdown voltage can be achieved to some extent.

Claims (6)

기판 상에 소스, 드레인 및 T-형 게이트가 형성된 고주파용 트랜지스터에 있어서,A high frequency transistor having a source, a drain, and a T-type gate formed on a substrate, 상기 T-형 게이트 상부의 일측 단부는 소스의 끝단과 대략 동일한 수직면 상에 있고,One end of the upper portion of the T-shaped gate is on the same vertical plane as the end of the source, 상기 T-형 게이트 상부의 타측 단부 수직면은 드레인 단부의 수직면과 이격되어 있는 고주파용 트랜지스터.And a vertical surface of the other end of the upper portion of the T-type gate is spaced apart from the vertical surface of the drain end. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 T-형 게이트 상부의 타측 단부 수직면과 상기 드레인 단부의 수직면 간의 거리는 1~1000 ㎛ 인 고주파용 트랜지스터.And a distance between the vertical surface of the other end of the upper portion of the T-type gate and the vertical surface of the drain end is 1 to 1000 μm. T-형 게이트이 형성된 기판 상에 보호층을 형성하는 단계;Forming a protective layer on the substrate on which the T-type gate is formed; 상기 T-형 게이트의 상면 일부와 드레인이 형성될 영역 사이에 감광막을 형성하는 단계;Forming a photoresist film between a portion of an upper surface of the T-type gate and a region where a drain is to be formed; 상기 감광막을 사용하여 상기 보호막을 제거하는 단계; Removing the protective film using the photosensitive film; 상기 기판 상에 금속층을 증착하여 소스 및 상기 드레인을 형성하는 단계; 및Depositing a metal layer on the substrate to form a source and the drain; And 상기 감광막 및 상기 감광막 상의 금속층을 제거하는 단계Removing the photoresist and the metal layer on the photoresist 를 포함하는 고주파용 트랜지스터 제조 방법.High frequency transistor manufacturing method comprising a. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 감광막은 오버행 구조를 갖는 고주파용 트랜지스터 제조 방법.The photosensitive film is a high-frequency transistor manufacturing method having an overhang structure. 제3항 또는 제4항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 감광막 및 상기 감광막 상의 금속층을 제거하는 단계 이후에After removing the photoresist and the metal layer on the photoresist 상기 보호층을 선택적으로 식각하는 단계를 더 포함하는 고주파용 트랜지스터 제조 방법.And selectively etching the passivation layer. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 3 to 5, 상기 감광막의 폭은 1~1000㎛ 인 고주파용 트랜지스터 제조 방법.The width of the photosensitive film is a high-frequency transistor manufacturing method of 1 ~ 1000㎛.
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