KR20080092401A - 야금 가스용 퀀치 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 산 함유 액체, 특히 황산과 동일한 방향으로 안내되는 야금 가스를 냉각 및/또는 정화시키는 퀀치 시스템으로서, 상부로부터 오는 가스를 통과시켜 공급되게 하는 가스 입구 (51), 상부 벤투리부 (52) 의 내측 원주를 따라 연장되는 고리형 채널 (51) 로서, 산 함유 액체가 고리형 채널 (51) 의 내측 오버플로우 벽 (57) 을 넘어 상부 벤투리부 (52) 로 흘러넘치는 고리형 채널 (51), 및 고리형 채널 (55) 아래에 제공되며, 추가적인 산 함유 액제를 통과시켜 도입되게 하는 측면 노즐 (58) 을 포함하는 퀀치 시스템에 관한 것이다. 건조/고온 또는 습윤/저온 환경 에 노출되는 벤투리부의 벽부 사이를 명확하게 분리하기 위해, 본 발명에 따라 상부 벤투리부 (52) 의 내경 (D1) 은 가스 입구 (51) 의 내경 (D2) 보다 크다.

Description

야금 가스용 퀀치 시스템{QUENCH SYSTEM FOR METALLURGICAL GASES}
본 발명은 산 함유 액체, 특히 황산과 동일한 방향으로 안내되는, 특히 야금 가스를 냉각 및 가능하다면 정화시키는 퀀치 시스템으로서, 상부로부터 오는 가스를 통과시켜 공급되게 하는 가스 입구, 상부 벤투리부의 내측 원주를 따라 연장되는 고리형 채널로서, 산 함유 액체가 고리형 채널의 내측 오버플로우 벽을 넘어 상부 벤투리부로 흘러넘치는 고리형 채널, 및 고리형 채널 아래에 제공되며, 추가적인 산 함유 액제를 통과시켜 도입되게 하는 측면 노즐을 포함하는 퀀치 시스템에 관한 것이다.
퀀치(quench) 시스템은, 예를 들어 금속의 제련 중에 야금 처리에서 얻어지는 SO2 함유 가스를 냉각시키고, 또한 일부를 정화시키기 위해 이용된다. SO2 함유 가스가 황산을 제조하기 위해 이용되는 경우에, 황산 제조 설비의 접촉 영역에 들어가기 전에 고형물 및 불순물로부터 분리되어야 한다. 예를 들어, 먼지 분리기, 정전기 침전기 등에서 먼지를 대부분 제거하고, 예를 들어 반경 방향 흐름 스크러버(scrubber)에서의 퀀치 시스템에서 가스 세척이 이루어진다. 퀀치 시스템에서, 가스는 다음 장비에 알맞은 정도까지 냉각되고, 부분적으로 정화된다. 남아있는 불순물은 황산에 일부 흡수되고 가스 흐름으로부터 분리된다.
종래의 퀀치 시스템 (1) 에서, 도 1 에 도시되어 있듯이, 탑의 덮개 (2) 는 25% 황산이 주입되는 노즐 (3) 을 포함한다. 정화된 고온의 SO2 함유 가스는 가스 입구 (4) 를 통해 주입되고, 황산과 역방향으로 안내된다. 퀀치 탑은 폐산의 영향을 받지 않기 위해 내산성 라이닝 (5) 을 가진다. 이 라이닝의 재료는 노출 상태에 따라 선택되며, 건조/고온 또는 습윤/저온 환경에 대한 노출에 특히 적합한 재료가 각각 있다. 여기서, 항상 중요한 것은 고온, 건조 가스에만, 또는 습윤 그리고 비교적 저온인 황산에만 노출되는 벽부 사이의 천이부다. 도 1 에 도시된 실시형태에서, 가스 입구 (4) 의 표시된 영역 (X) 은 고온 가스에만 노출되어 건조/고온 환경에 노출될 때도 있고, 황산에 젖어 습윤/저온 환경에 노출될 때도 있는 부분을 반복적으로 포함한다. 이러한 교번 노출은 라이닝의 마모를 증가시켜, 라이닝이 교체되어야 하게 한다.
퀀치 탑의 대안적인 실시형태에서, SO2 함유 가스는 냉각 및 정화에 사용되는 황산과 동일한 방향으로 안내된다. 도 2 에 도시된 것과 같은 벤투리(Venturi)형 퀀치 탑 (10) 의 실시형태에서, 황산은 상부로부터 공급된 가스를 향해 측면 노즐 (11) 을 통해 분사된다. 노즐 (11) 위에는 고리형 관 (12) 이 제공되고, 이를 통해 추가적인 산이 벤투리부의 벽을 적시기 위해 분사된다. 이에 의해, 고온/건조 영역과 습윤/저온 영역 사이를 확실하게 분리할 수 있다. 그러나, 부식 문제는 벤투리부의 벽이 불균일하게 젖게 하고, 건조/고온 및 습윤/ 저온 환경 양 쪽에 노출되는 벽부의 영역을 불명확하게 한다.
도 3 에 도시된 것과 같은 벤투리형 퀀치 탑 (20) 에서, 황산이 공급되는 원주 방향 고리형 덕트 (22) 를 통해 측면 노즐 (21) 위의 벽부가 젖는다. 오버플로우 벽 (23) 을 통해 고리형 덕트 (22) 로부터 퀀치 탑 (20) 의 벤투리부로 황산이 흐르고, 벽을 적신다. 고리형 덕트 (22) 내의 침전물, 및 고형물을 함유하는 가스 흐름에 의해 야기되는 난류 때문에, 불균일한 넘침이 일어날 수도 있고, 이에 의해 라이닝 영역이 건조/고온 및 습윤/저온 환경에 번갈아가며 노출될 수 있다.
본 발명의 목적은 벤투리부에서 건조/고온 및 습윤/저온 영역 사이를 확실하게 분리함으로써, 퀀치 탑의 내구성을 향상시키는 것이다.
벤투리 목부 전의 상부 벤투리부의 내경이 가스 입구의 내경보다 큰, 본 발명의 수단에 의해, 상기 목적이 실질적으로 해결된다. 그 때문에, 상부로부터 가스 입구를 통해 흐르는 가스가 고리형 채널로부터의 산 함유 액체, 특히 황산의 넘침을 방해하지 않아서, 벤투리부의 주변 벽이 황산에 의해 균일하게 젖을 수 있다. 이에 의해, 건조, 고온 환경에만 노출되는 가스 입구 부근의 벽 라이닝 영역과, 습윤, 저온 환경에만 노출되는 고리형 채널로부터 이어지는 영역 사이가 명확하게 분리될 수 있다. 그에 따라 퀀치 탑을 라이닝하는 재료를 선택함으로써, 사용 기간을 연장시킬 수 있다.
그러나, 도 2 및 도 3 에 도시된 것과 같은 공지의 벤투리형 퀀치 타워는, 벤투리 목부 이전에 가스 입구와 벤투리부가 동일한 직경을 가진다는 점에서 공통된다. 도 1 에 도시된 것과 같은 실시형태의 반대 방향으로 운전되는 퀀치 탑 (1) 도 일정한 내경을 가진다.
본 발명의 바람직한 태양에 따르면, 상부 벤투리부의 내경이 가스 입구의 내경보다 5 내지 15% 만큼, 바람직하게는 7 내지 10% 만큼 크다. 이에 의해, 고리형 채널로부터의 황산이 방해받지 않고 오버플로우 벽을 넘어 흐를 수 있고, 벤투리부의 벽을 균일하게 적실 수 있다. 예를 들어, 직경이 2,800㎜ 인 가스 입구에 있어서, 벤투리부의 내경을 100 내지 500㎜, 바람직하게는 약 300㎜ 만큼 증가시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 따르면, 고리형 채널은 위로 갈수록 확개된다. 이에 의해, 고리형 채널의 하부에서 유속이 높아져서, 황산에 함유되는 고형물이 덕트에 침전되는 것이 방지된다. 한편, 고리형 채널의 상부에서의 확개는 황산의 넘침 속도를 낮춰서, 균일한 액체 필름이 벤투리부의 벽에 형성된다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 고리형 채널은 위로 갈수록 원뿔형으로 확개되며, 일측면에서 고리형 채널을 향하는 오버플로우 벽의 외측면을 경사지게 함으로써, 고리형 채널의 확개가 바람직하게 이루어진다. 따라서, 퀀치 탑의 외측벽은 균일하게 절연될 수 있다.
고리형 채널의 폭을 그 상단부를 하단부보다 100 내지 200% 만큼, 바람직하게는 약 150% 만큼 크게 하는 것이 바람직하다.
벤투리부의 주변 벽이 균일하게 젖도록 개선하기 위해서, 오버플로우 벽의 상부 에지는 산 함유 액체의 유동 방향으로 20 내지 70°, 바람직하게는 30 내지 60°, 일반적으로 약 45°만큼 경사지는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 고리형 채널은 복수의, 특히 6개의 입구 개구부를 통해 황산을 공급받는다. 균일한 유동을 이루기 위해, 입구 개구부는 벤투리부의 원주를 따라 균등하게 분포되고 고리형 채널에 접선 방향으로 연결되는 것이 바람직하다.
노출 상태에 따라서, 가스 입구, 벤투리 천장, 및 고리형 채널 부근의 벤투리부의 벽은 본 발명에 따라 다른 특성의 벽돌로 라이닝된다. 특히 고온, 건조 환경에 대한 노출에 양호한 내성을 가지는 내온도성 벽돌, 특히 질화물이 결합된 탄화규소 벽돌로 가스 입구 영역을 라이닝하는 것이 바람직하다. 한편, 습윤, 저온 환경에 대한 노출에 쉽게 견딜 수 있는 탄소/흑연 벽돌로 고리형 채널 영역을 라이닝하는 것이 바람직하다. 흑연 벽돌은 양호한 열충격 저항성 및 내산성을 가지기 때문에, 벤투리 천장 부근 및/또는 가스 입구로부터 벤투리 천장까지의 천이부, 그리고 가능하다면 오버플로우 벽의 상부에는 조금 더 비싼 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
라이닝용 벽돌을 둘러싸는데 사용되는 시멘트 또는 모르타르도 건조/고온 또는 습윤/저온 환경에 대한 노출을 쉽게 견딜 수 있기 때문에, 본 발명의 일 실시형태에 따라, 가스 입구, 벤투리 천장, 및 고리형 채널의 벽을 라이닝하는 벽돌은 각각의 노출 상태에 적합한 다른 특성의 시멘트 또는 모르타르를 사용하여 쌓인다.
이하, 실시형태 및 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다. 설명되고/거나 도시된 모든 특징은 특허청구의 범위 또는 참고문헌에 포함되는지에 관계없이 그 자체로 또는 조합되어 본 발명의 주제를 형성한다.
도 1 은 반대 방향으로 운전되는 종래의 퀀치 탑의 개략적인 도면이다.
도 2 는 같은 방향으로 운전되는 종래의 벤투리형 퀀치 탑의 개략적인 도면이다.
도 3 은 같은 방향으로 운전되는 다른 종래의 벤투리형 퀀치 탑의 개략적인 도면이다.
도 4 는 본 발명에 따른 퀀치 시스템의 개략적인 도면이다.
도 5 는 도 4 에 도시된 퀀치 시스템의 고리형 채널 부근에서의 확대도이다.
도 6 은 도 4 의 선 Ⅵ-Ⅵ 을 따른 단면도이다.
도 7 은 종래의 퀀치 탑을 본 발명으로 개선한 것을 개략적으로 도시하는 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 퀀치 탑 2 : 덮개
3 : 노즐 4 : 가스 입구
5 : 내산성 라이닝 6 : 섬프
7 : 도관 10 : 퀀치 탑
11 : 노즐 12 : 고리형 관
20 : 퀀치 탑 21 : 노즐
22 : 고리형 채널 23 : 오버플로우 벽
50 : 벤투리 51 : 가스 입구
52 : 상부 벤투리부 53 : 벤투리 목부
54 : 벤투리 천장 55 : 고리형 채널
56 : 외벽 57 : 오버플로우 벽
58 : 노즐 59 : 입구 개구부
60 : 외측면 61 : 상부 에지
62 : 발포 유리 63 : 내화 절연 벽돌
64 : 탄화규소 벽돌 65 : 흑연 벽돌
66 : 내산성 벽돌 67 : 탄소 벽돌
D1 : 상부 벤투리부 (52) 의 내경 D2 : 가스 입구 (51) 의 내경
바람직한 실시형태의 설명
도 4 내지 도 6 은 본 발명에 따른 벤투리형 퀀치 시스템을 개략적으로 도시한다.
벤투리 (50) 는 그 상단부에서 가스 입구 (51), 이에 인접한 상부 벤투리부 (52) 및 이어지는 벤투리 목부 (53) 를 포함한다. 도시된 실시형태에서, 상부 벤투리부 (52) 의 내경 (D1) 은 가스 입구 (51) 의 내경 (D2) 보다 약 7.5% 만큼 더 크다. 확개된 부분의 치수는 설비의 전체 크기에 달려있다. 다른 직경 사이의 천이부는 벤투리 천장 (54) 이라 한다.
벤투리 천장 (54) 아래에는, 벤투리부 (52) 주위로 연장되는 홈 형태의 고리형 채널 (55) 이 제공된다. 고리형 채널 (55) 은 벤투리 (50) 의 외벽 (56) 과 오버플로우 벽 (57) 에 의해 한정된다. 고리형 채널 (55) 아래에는, 상부 벤투리부 (52) 의 단부에 복수 개, 예를 들어 8개의 측면 노즐 (58) 이 황산을 주입하기 위해 벤투리 (50) 의 원주를 따라 균등하게 분포된다. 노즐 (58) 은 60°노즐이고, 약 1~2 bar 의 압력 손실로 황산을 주입하고 분무하는 것이 바람직하다.
특히 도 6 에서 볼 수 있듯이, 복수 개, 특히 6개의 입구 개구부 (59) 가 벤투리 (50) 의 원주를 따라 균등하게 분포되며, 황산을 공급하기 위해 고리형 채널 (55) 에 접선 방향으로 연결된다.
도 5 에 잘 도시되어 있듯이, 입구 개구부 (59) 에 연결되는 고리형 채널 (55) 의 하부는, 예를 들어 80㎜ 의 비교적 작은 폭을 가지며, 이 폭은 입구 개구부 (59) 의 단면과 거의 일치한다. 상부를 향해, 고리형 채널 (55) 은 오버플로우 벽 (57) 의 외측면 (60) 을 경사지게 함으로써, 그 상단부에서 예를 들어 200㎜ 의 폭을 가질 때까지 균일하게 확개되며, 이 폭은 고리형 채널 (55) 을 150% 만큼 확장시킨 것에 상당한다. 상부 벤투리부 (52) 로 이어지는 오버플로우 벽 (57) 의 상부 에지 (61) 는 약 45°로 아래쪽으로 경사져 있다.
벤투리 (50) 는 도 5 에 도시된, 주입된 가스 또는 황산에 대한 각각의 노출에 적합한 라이닝을 가지는 복수 개의 층으로 둘러싸인다. 가스 입구 (51) 부근에는, 외측으로부터 내측으로, 먼저 간단한 절연 벽돌 또는 발포 유리 (62), 그 다음에 내화 절연 벽돌(경량 내화 벽돌) (63), 그리고 마지막으로 질화물이 결합된 내온도성 탄화규소 벽돌 (64) 이 제공된다. 벤투리 천장 (54) 부근, 특히 가스 입구 (51) 와 벤투리 천장 (54) 사이의 천이 영역에는, 예를 들어 성형된 흑연 천장 벽돌 등의 흑연 벽돌이 탄화규소 벽돌 대신에 제공된다. 도 5 에서, 흑연 벽돌 (65) 은 가스 입구 (51) 와 벤투리 천장 (54) 사이의 천이 영역에만 제공되지만, 벤투리 천장 (54) 중에서 고리형 채널 (55) 위에 배치되는 부분에 걸쳐 연장될 수도 있다. 고리형 채널 (55) 및 상부 벤투리부 (52) 부근에는, 먼저 외측에 내산성 표준 벽돌 (66) 의 층이 제공되며, 탄소 벽돌 (67) 의 층에 인접한다. 또한, 오버플로우 벽 (57) 은, 예를 들어 탄소 쐐기형 벽돌의 형태인 탄소 벽돌로 이루어진다. 필요하다면, 가스 흐름과 접촉하는 오버플로우 벽 (57) 의 상부는 흑연 벽돌로 이루어질 수도 있다. 노출 상태에 따라서, 라이닝은 다른 종류의 시멘트 또는 모르타르로 둘러싸인다.
본 발명의 퀀치 시스템의 벤투리 (50) 는 전술한 것과 같이 대략 구성된다. 이하, 그 작동을 설명한다.
야금 설비로부터 얻어지는 SO2 함유 고온 가스는 가스 입구 (51) 를 통해 상부로부터 벤투리 (50) 에 공급된다. 측면 노즐 (58) 을 통해 주로 주입되며 가스 흐름을 냉각시키는 황산에 의해, 가스 흐름의 냉각 및 정화가 이루어져, 가스 흐름이 다른 장치 그리고 황산 접촉 설비로 공급될 수 있다. 동시에, 불순물이 흡수되고, 먼지 입자가 구속된다.
또한, 측면 노즐 (58) 위에 배치되는 원주 방향 고리형 채널 (55) 에 황산이 공급되고, 황산이 오버플로우 벽 (57) 을 넘어 흘러서 상부 벤투리부 (52) 의 벽을 적신다. 고리형 채널 (55) 의 확개형 단면 때문에, 고리형 채널 (55) 의 하부에 있는 황산이 비교적 높은 유속으로 흘러서, 황산에 함유된 고형물이 부유 상태로 유지되고 가라앉지 못 한다. 고리형 채널 (55) 의 확개형 단면 때문에, 유속이 위로 갈수록 낮아지고, 상부 영역에서의 유속이 입구 개구부 (59) 를 통과한 공급 속도의 약 30~40% 이어서, 황산이 오버플로우 벽 (57) 을 천천히 넘어 흐를 수 있고 상부 벤투리부 (52) 의 벽을 균일하게 적실 수 있다. 이에 의해, 균일한 액상 필름이 상부 벤투리부 (52) 에 형성되어서, 이 영역에서 라이닝 (67) 만이 습윤, 저온 환경에 노출된다. 그러나, 가스 입구 (51) 부근에는, 오직 고온, 건조 가스만이 라이닝 (64) 과 접촉한다.
상부 벤투리부 (52) 의 증가된 직경 (D1) 은 가스 흐름이 상부 벤투리부 (52) 의 벽에 있는 액상 필름을 손상시키고 벗겨내지 않게 한다. 이러한 방식으로, 고온, 건조 환경에만 노출되는 벽 영역과 습윤, 저온 환경에만 노출되는 벽 영역 사이를 확실하게 분리하게 된다. 이에 의해, 라이닝의 사용 기간 및 사용 간격이 연장된다.
도 7 은, 예를 들어 도 1 에 도시된 실시형태에 따라 종래 운전되었던 종래의 퀀치 탑 (1) 이 본 발명에 의해 어떻게 개선될 수 있는지를 도시한다. 본 발명에 따른 벤투리 (50) 는 도 1 에 도시된 것과 같은 가스 입구 (3) 의 상류측에 제공되고, 측면에서 퀀치 탑 (1) 의 입구 개구부에 설치된다. 황산과 같은 방 향으로 안내되는 가스는 벤투리 (50) 를 통해 흘러서, 상기 퀀치 탑 (1) 으로 들어가며, 가스는, 예를 들어 이어지는 가스 정화에 공급되기 위해 상부 출구 개구부를 통해 나간다. 황산은 퀀치 탑 (1) 의 섬프(sump) (6) 로부터 빼내져서, 도관 (7) 을 통해 배출된다. 종래의 퀀치 탑 (1) 에서 퀀치 탑의 천장 (2) 에 제공되는 노즐 (3) 은, 예를 들어 단지 50% 만 운전된다. 또한, 가스 흐름이 여전히 고온이어서 이어지는 합성 수지 구성요소에 공급될 수 없는 경우에, 가스 흐름을 추가적으로 냉각시키기 위한 비상 물 노즐이 퀀치 탑의 천장에 제공된다. 상기 퀀치 탑이 본 발명의 벤투리에 의해 개선되기 때문에, 대응되는 노출 상태에 알맞은 라이닝이 가스 입구에서 퀀치 탑으로의 천이부의 문제의 영역 (X) 에 사용될 수 있어서, 라이닝이 교번 노출에 의해 손상되지 않는다.
실시예
본 발명에 따른 퀀치 탑에서, 상부 벤투리부 (52) 의 내경 (D1) 은 약 3000㎜ 이고, 가스 입구 (51) 부근의 내경 (D2) 보다 약 200㎜ 만큼 크다.
온도가 약 350℃ 인 SO2 함유 가스가 약 200,000 N㎥/h 로 가스 입구 (51) 를 통해 주입된다. 가스를 냉각시키고 정화하기 위해, 온도가 60~70℃ 인 최대 25% 황산이 전체적으로 약 450 ㎥/h 로 공급되며, 예를 들어 노즐 (58) 을 통해서는 370~390 ㎥/h 가 공급되고, 따라서 고리형 채널을 통해서는 60~80 ㎥/h 가 공급된다. 노즐 (58) 에서, 황산은 1~2 bar 의 압력 손실로 분사된다. 황산이 약 1~2 ㎧ 의 유속으로 고리형 채널 (55) 내로 주입되기 때문에, 황산에 함유되는 고형물(10 g/ℓ 이하)이 고리형 채널 (55) 의 하부에서 부유 상태로 유지되어 침전될 수 없다. 고리형 채널의 폭은 하부에서 약 80㎜ 이며, 상부로 가면서 약 200㎜ 까지 확개된다. 이에 의해, 황산이 상부 벤투리부 (52) 로 흘러 넘칠 때, 고리형 채널의 상부에서의 황산의 유속이 공급 속도의 약 40% 까지 줄어든다. 이에 의해, 상부 벤투리부 (52) 가 균일하게 젖게 된다.

Claims (14)

  1. 산 함유 액체, 특히 황산과 동일한 방향으로 안내되는, 특히 야금 가스를 냉각 및/또는 정화시키는 퀀치 시스템으로서,
    상부로부터 오는 가스를 통과시켜 공급되게 하는 가스 입구 (51),
    상부 벤투리부 (52) 의 내측 원주를 따라 연장되는 고리형 채널 (51) 로서, 산 함유 액체가 고리형 채널 (51) 의 내측 오버플로우 벽 (57) 을 넘어 상부 벤투리부 (52) 로 흘러넘치는 고리형 채널 (51), 및
    고리형 채널 (55) 아래에 제공되며, 추가적인 산 함유 액제를 통과시켜 도입되게 하는 측면 노즐 (58) 을 포함하며,
    상부 벤투리부 (52) 의 내경 (D1) 은 가스 입구 (51) 의 내경 (D2) 보다 큰 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상부 벤투리부 (52) 의 내경 (D1) 은 가스 입구 (51) 의 내경 (D2) 보다 5 내지 15% 만큼, 바람직하게는 7 내지 10% 만큼 큰 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상부 벤투리부 (52) 의 내경 (D1) 은 가스 입구 (51) 의 내경 (D2) 보다 100 내지 500㎜ 만큼, 바람직하게는 약 200 내지 400㎜ 만큼 큰 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    고리형 채널 (55) 은 위로 갈수록 확개되어 있는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    고리형 채널 (55) 을 향하는 오버플로우 벽 (57) 의 외측면 (60) 을 경사지게 함으로써, 고리형 채널 (55) 을 확개시키는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    고리형 채널 (55) 의 폭은 그 하단부에서 상단부로 가면서 100 내지 200% 만큼, 바람직하게는 약 150% 만큼 커지는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    오버플로우 벽 (57) 의 상부 에지 (61) 는 산 함유 액체의 유동 방향으로 20 내지 70°, 바람직하게는 30 내지 60°, 일반적으로 약 45°만큼 경사진 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    산 함유 액체를 위한 복수의 입구 개구부 (59) 가 고리형 채널 (55) 에 접선 방향으로 연결된 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    입구 개구부 (59) 는 벤투리부 (52) 의 원주를 따라 균등하게 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가스 입구 (51), 벤투리 천장 (54), 및 고리형 채널 (55) 부근의 벤투리 (50) 의 벽은 다른 특성의 벽돌로 라이닝되어 있는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가스 입구 (51) 영역은 내온도성 벽돌, 특히 탄화규소 벽돌로 라이닝되어 있는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    고리형 채널 (55) 영역은 탄소/흑연 벽돌로 라이닝되어 있는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    벤투리 천장 (54) 영역 및/또는 가스 입구 (51) 로부터 벤투리 천장 (54) 으로의 천이 영역은 흑연 벽돌로 라이닝되어 있는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가스 입구 (51), 벤투리 천장 (54), 및 고리형 채널 (55) 의 벽을 라이닝하는 벽돌에는 다른 특성의 시멘트 또는 모르타르가 발라져 있는 것을 특징으로 하는 퀀치 시스템.
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