KR20080092242A - Heat-resistant light-shading film and production method thereof, and diaphragm or light intensity adjusting device using the same - Google Patents

Heat-resistant light-shading film and production method thereof, and diaphragm or light intensity adjusting device using the same Download PDF

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카츄시 오노
유키오 츄카코시
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스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
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Abstract

A heat-resistant light-shading film, a manufacturing method thereof, a diaphragm, and a light intensity adjusting device using the heat-resistant light-shading film are provided to reduce a surface polishing amount, lower a refractive index, and to improve a conductive property of the heat-resistant light-shading film by forming a metal carbide layer on a heat-resistant resin film base with a surface roughness between 0.2 and 2.2 mum. A heat-resistant light-shading film includes a resin film base(1) and a light-shading film. The resin film base has a heat-resistant property against a temperature higher than 155 °C. The light-shading film is formed on one or both surfaces of the resin film base by using crystalline metal carbide layer(2). A thickness of the light-shading film is larger than 100 nm. A surface roughness of the light-shading film lies between 0.1 and 2.1 mum. The number of atoms with respect to an overall metal element in the metal carbide layer is greater than 0.3.

Description

내열 차광 필름, 그것의 제조방법, 및 그것을 사용한 조리개 또는 광량 조정 장치 {Heat-resistant Light-Shading Film and Production Method thereof, and Diaphragm or Light Intensity Adjusting Device Using the Same} Heat-resistant light-shielding film, its manufacturing method, and aperture or light adjusting device using the same {Heat-resistant Light-Shading Film and Production Method etc., and Diaphragm or Light Intensity Adjusting Device Using the Same}

본 발명은 내열 차광 필름, 그것의 제조방법, 및 조리개 또는 필름을 사용한 광량 조정 장치에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 우수한 차광성(light shading capacity), 내열성, 미끄러짐 특성(sliding characteristic), 저광택성 및 높은 도전성을 보유하고, 디지털 카메라와 디지털 비디오 카메라의 렌즈 셔터용 또는 조리개(diaphragm)용 셔터 블레이드(blade) 또는 조리개 블레이드, 차량 내부용 모니터(in-vehicle monitor)용 렌즈 장치의 고정 조리개, 및 프로젝터용 광량 조정 장치의 조리개 블레이드 등과 같은 광학기기의 부품으로 유용하게 사용될 수 있는 내열 차광 필름, 상기 필름의 제조방법 및 상기 필름을 사용한 조리개 또는 광량 조정 장치를 제공한다. The present invention relates to a heat-resistant light-shielding film, a method for manufacturing the same, and a light quantity adjusting device using an aperture or a film, and more particularly, excellent light shading capacity, heat resistance, sliding characteristic, low glossiness and high Conductive, for shutters or diaphragm shutter blades or aperture blades of digital cameras and digital video cameras, fixed apertures of lens devices for in-vehicle monitors, and projectors Provided are a heat-resistant light blocking film that can be usefully used as a component of an optical device such as an aperture blade of a light amount adjusting device, a method of manufacturing the film, and an aperture or light amount adjusting device using the film.

최근, 카메라용 셔터 블레이드 또는 조리개 블레이드는 극히 짧은 시간에 동 작/정지를 행해야 하기 때문에, 더욱 경량화되고 셔터 속도 향상을 위한 미끄러짐 특성이 우수할 것이 요구된다. 또한, 이들은 필름과 같은 감광재, CCD(charge-coupled device)와 같은 이미지 소자의 전면을 커버하여 빛을 차단하기 때문에, 기본적으로 차광능을 필요로 한다. 더욱이, 광학 기기에서 복수 개의 블레이드가 서로 중첩되면서 작동하기 때문에, 블레이드의 부드러운 작동을 위해서는 충분한 윤활성(lubricity)을 가질 것이 요청된다. 이에 더하여, 블레이드 사이에서 빛이 누설되는 것을 방지하기 낮은 표면 반사율을 가질 것이 요구된다. 또한, 작동 환경에 따라서는 카메라 내부가 고온이 될 수 있기 때문에 내열성을 갖추어야 한다. In recent years, since the shutter blade or aperture blade for a camera has to be operated / stopped in an extremely short time, it is required to be lighter in weight and to have excellent sliding characteristics for improving shutter speed. In addition, since they cover a front surface of a photosensitive material such as a film and an image element such as a charge-coupled device (CCD) to block the light, they basically require light blocking ability. Moreover, since a plurality of blades in the optical device operate while overlapping each other, it is required to have sufficient lubricity for smooth operation of the blades. In addition, it is required to have a low surface reflectance to prevent light leakage between the blades. In addition, since the inside of the camera may be a high temperature depending on the operating environment, it must have heat resistance.

한편, 프레젠테이션, 홈 씨어터 등과 같은 영상관상장치(image viewing device)용 프로젝터로서 액정 프로젝터(liquid-crystal projector)용 광량 조절 조리개 블레이드 등에 사용되는 차광 필름은 디지털 카메라 및 디지털 비디오 카메라와 유사한 특성이 요구되며, 특히, 내열성에 관해서는 카메라 이상의 특성이 요구된다.On the other hand, a light shielding film used for an image viewing device such as a presentation, a home theater, or the like, for a light amount control aperture blade for a liquid-crystal projector, requires characteristics similar to those of a digital camera and a digital video camera. In particular, in terms of heat resistance, characteristics beyond the camera are required.

이러한 시판 차광 필름은 일반적으로 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)와 같은 플라스틱 필름 기재 또는 스테인레스 스틸(SUS), SK 재, Al 등과 같은 금속 박판을 기재로 한 것이다. 금속 기재에 기반한 차광 필름을 카메라의 셔터 블레이드 또는 조리개 블레이드로 사용하면, 블레이드를 개폐할 때 금속판이 서로 맞물려 큰 소음이 발생한다. 또한, 액정 프로젝터에서 영상이 변할 때 밝기 변화를 차감시키기 위해서 블레이드가 빠른 속도로 이동되어야 하는 바, 블레이드가 서로 맞물리면서 반복적으로 소음을 발생시키게 된다. 소음을 줄이기 위해 블레이드를 낮은 속 도로 작동시키게 되면, 광량 조절이 영상 변화를 충분히 따라잡지 못하기 때문에 영상이 불안정하게 되는 문제가 있다.Such commercially available light-shielding films are generally based on plastic film substrates such as polyethylene terephthalate (PET) or metal thin plates such as stainless steel (SUS), SK ash, Al and the like. When a light-shielding film based on a metal substrate is used as a shutter blade or an aperture blade of a camera, the metal plates are engaged with each other when opening and closing the blade, thereby generating a loud noise. In addition, in order to subtract the brightness change when the image changes in the liquid crystal projector, the blades must be moved at high speed, and the blades mesh with each other to repeatedly generate noise. When the blade is operated at a low speed to reduce noise, there is a problem that the image becomes unstable because the light amount adjustment does not sufficiently catch up with the image change.

이상 언급한 문제점 및 경량화의 관점에서, 최근 차광 필름은 주로 플라스틱 필름 기재에 기반하고 있다. 또한, 먼지의 발생을 줄이기 위해 전기전도성을 가질 것이 요구되고 있다. 따라서, 차광 필름은 높은 차광성, 내열성, 저광택성, 우수한 미끄러짐 특성, 높은 도전성, 낮은 발진성 등의 특성을 만족시킬 필요가 있는 것으로 여겨진다. 이와 같이 차광 필름이 보유해야 할 특성을 충족시키기 위해서, 종래부터 다양한 재료 및 필름 구조를 사용한 필름들이 제안되어 왔다.In view of the above-mentioned problems and light weight, recent light-shielding films are mainly based on plastic film substrates. In addition, it is required to have electrical conductivity to reduce the generation of dust. Therefore, it is considered that a light shielding film needs to satisfy characteristics such as high light shielding property, heat resistance, low gloss property, excellent slipping property, high conductivity, and low oscillation property. In order to satisfy the characteristics that the light shielding film should possess, films using various materials and film structures have been proposed in the past.

예를 들어, 특허 문헌 1에는 차광성, 저광택성 및 높은 도전성의 측면에서, 차광성과 도전성을 갖는 필름을 제공하기 위해 카본블랙, 티타늄블랙 등 흑색의 도전성 미립자가 함침되고, 표면 광택을 줄이기 위해 매팅(matting) 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 수지 필름이 개시되어 있고, 여기서, 상기 흑색 미립자는 램프 등의 광원 등으로부터 나오는 빛을 흡수한다. For example, Patent Document 1 discloses impregnated with black conductive fine particles such as carbon black and titanium black to provide a film having light shielding properties and conductivity in terms of light shielding properties, low glossiness and high conductivity, and matting to reduce surface gloss. A resin film such as polyethylene terephthalate (PET) treated with matting is disclosed, wherein the black fine particles absorb light from a light source such as a lamp.

특허문헌 2에는 차광성, 도전성, 윤활성, 저광택성 등을 갖도록, 차광성 및 도전성을 갖는 카본 블랙 등과 같은 흑색 안료, 윤활제(lubricant), 소광제(delustering agent)를 함유하고 있는 열경화성 수지층을 도포된 수지 필름을 포함하는 차광 필름이 개시되어 있다. Patent Document 2 is coated with a thermosetting resin layer containing a black pigment, a lubricant, a delustering agent, such as carbon black having light shielding properties and conductivity, to have light shielding properties, conductivity, lubricity, low glossiness, and the like. The light shielding film containing the resin film which was made is disclosed.

특허문헌 3에는 알루미늄 합금 등의 금속 블레이드 재료의 표면에 경질 탄소막을 형성한 차광재가 개시되어 있다.Patent Document 3 discloses a light shielding material in which a hard carbon film is formed on a surface of a metal blade material such as an aluminum alloy.

특허문헌 4에는 차광 블레이드의 구조체가 개시되어 있고, 플라스틱 기재의 양면에 탄소섬유를 함유하는 열경화성 수지의 프리프레그 시트(prepreg sheet)로 강화되어 블레이드의 강성을 개선한다.Patent Document 4 discloses a structure of a light shielding blade, and is reinforced with a prepreg sheet of a thermosetting resin containing carbon fibers on both sides of a plastic substrate to improve the rigidity of the blade.

차광 필름은 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 액정 프로젝터 등의 광학 기기용 차광 블레이드 재료에 널리 사용되고 있다. 최근, 액정 프로젝터는 거실과 같은 밝은 환경하에서도, 선명하고 높은 콘트라스트(contrast)의 선명하고 고품질 영상을 발휘할 것이 요구되고 되고 있다. 이에 따라, 고화질화를 위해 램프 광원의 출력을 높이면, 이로 인해 광량 조절용 조리개 장치 내 온도가 증가하는 경향이 있다. 광량 조절용 차광 필름에 고출력의 빛이 조사되면, 차광 필름이 열 변형되기 쉬운 환경이 조성된다.Light shielding films are widely used for light shielding blade materials for optical devices such as digital cameras, digital video cameras, liquid crystal projectors, and the like. In recent years, liquid crystal projectors have been required to display clear and high contrast images with high contrast even under bright environments such as living rooms. Accordingly, when the output of the lamp light source is increased for high quality, the temperature in the aperture device for adjusting the light amount tends to increase. When light of high power is irradiated to the light-shielding film for light quantity adjustment, the environment in which a light-shielding film is easy to heat-deform is created.

예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 기재로 한 차광 필름은 비중이 낮기 때문에 널리 사용되고 있다. 그러나, PET는 열변형 온도가 낮고 인장 탄성율(tensile modulus)과 같은 기계적 강도가 약하므로, 램프 광원의 출력이 높아지게 되면, PET 차광 블레이드는 광원의 동작 중 또는 제동시에 발생하는 진동이나 충격 등에 의해 변형될 수 있다.For example, a light shielding film based on polyethylene terephthalate (PET) is widely used because of its low specific gravity. However, PET has a low thermal deformation temperature and a weak mechanical strength such as tensile modulus. Therefore, when the output of the lamp light source increases, the PET shading blade is deformed by vibration or shock generated during operation or braking of the light source. Can be.

또한, 차광 필름은 저광택성 및 우수한 미끄러짐 특성을 발휘하기 위해 샌드 블라스팅에 의해 매팅 처리된다. 이러한 처리는 입사광 산란에 의한 이미지 가시성의 향상과 표면 광택의 감소 효과를 또한 발휘한다. 또한, 이러한 처리에 의해 차광 필름들이 상호 접촉하는 경우에도 이들 사이의 접촉면적 증가가 제어되어 미끄러짐 특성의 저하를 방지할 수 있는 것으로 생각된다.In addition, the light shielding film is matted by sand blasting in order to exhibit low glossiness and excellent slip characteristics. This treatment also exerts an effect of improving image visibility and reducing surface gloss by incident light scattering. In addition, even when the light-shielding films come into contact with each other by such a treatment, it is thought that the increase in the contact area between them can be controlled to prevent the deterioration of the sliding characteristics.

디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 및 액정 프로젝터에는 복수 개의 차광 필름이 사용되고, 셔터 블레이드 또는 조리개 블레이드로서 불가피하게 접하게 되며, 상호 겹치면서 작동하기 때문에, 유기 성분의 차광재, 윤활제, 및 소광제를 사용하는 차광 필름은 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 및 액정 프로젝터에 노출된 온도, 습도와 같은 가혹한 작동 환경에 놓이게 된다. 차량 내부용 모니터의 렌즈 장치에 사용되는 고정 조리개는 심지어 100 내지 155℃의 고온 환경에서 사용된다. 액정 프로젝터에서는 특히, 앞서 언급한 바와 같이, 영상의 선명도를 높이기 위해 램프 광원의 출력을 증가시킴으로써, 장치(광량 조절용 장치, 조리개 장치)의 내부 온도가 약 200℃까지 상승하게 된다. 이러한 가혹한 환경하에서, 앞서 언급한 종래의 차광 필름을 사용하면, 변형이나 변색 등 내구성이 열악해지는 현상이 나타나고, 실용상 문제가 있다.A plurality of light blocking films are used in digital cameras, digital video cameras, and liquid crystal projectors, and are inevitably encountered as shutter blades or aperture blades, and because they operate in a mutually overlapping manner, light blocking films using organic light blocking materials, lubricants, and quenchers. Is subjected to harsh operating environments such as temperature and humidity exposed to digital cameras, digital video cameras and liquid crystal projectors. The fixed aperture used in the lens device of the vehicle interior monitor is used even in a high temperature environment of 100 to 155 ° C. In the liquid crystal projector, in particular, as mentioned above, by increasing the output of the lamp light source to increase the sharpness of the image, the internal temperature of the device (light amount adjusting device, aperture device) is raised to about 200 ℃. Under such a harsh environment, when the above-mentioned conventional light-shielding film is used, a phenomenon in which durability such as deformation or discoloration is poor appears, and there is a problem in practical use.

155℃ 이상의 고온 환경에서 사용하면, 표면에 미세 요철 구조를 형성한 차광 필름이라 하더라도 열에 의해 상당히 변형될 것이고, 그 결과 서로 접촉되었을 때 고속으로 작동할 수 없게 되며, 불규칙하게 서로 맞물리는 경우가 많아지게 되어, 미끄러짐 특성 및 광택성의 열화가 발생한다. 따라서, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 또는 액정 프로젝터의 본래 기능을 발휘할 수 없게 될 수 있다.When used in a high temperature environment of 155 ° C or higher, even a light-shielding film having a fine concavo-convex structure on its surface will be significantly deformed by heat, and as a result, it will not be able to operate at high speed when contacted with each other, and it is often interlocked irregularly. This results in deterioration of slip characteristics and glossiness. Therefore, the original functions of the digital camera, the digital video camera or the liquid crystal projector may not be able to be performed.

또한, 상기 기재의 플라스틱 필름의 매팅 처리는, 플라스틱 필름 기재의 플라스틱 필름에 미세한 요철을 형성하여, 기재 및 기재 상에 도포된 막상호간의 접착력을 향상시키고, 표면 광택성을 저감시키는 효과가 있다. 그러나, 샌드 블라스팅에서 필름 표면의 거칠기(roughness)는 쇼트(shot) 재의 재질 및 입자 크기와, 방전 압력 등에 좌우된다. 쇼트재의 입자 크기가 크면 수세 또는 브러싱 등의 세 정에 의해 필름 표면으로부터 제거될 수 있다. 크기가 1 ㎛ 보다 작은 미세 입자의 쇼트재는 완전히 제거될 수 없고, 세정 이후에도 적지 않은 양의 입자가 표면에 잔존한다. 상기 잔존하는 쇼트재는 차광 필름이 노출된 고온 환경하에서 필름의 벗겨짐을 유발하고, 쇼트재와 필름 상에 형성된 금속 합금 차광막 등의 막 상호간의 열팽창 계수 차이에 의해 발생된 열 응력의 차이에 의해 쇼트재가 막으로부터 벗겨지게 된다. 이러한 문제는 주변 부품에 악영향을 미칠 수 있고, 본래 기능을 발휘할 수 없게 되는 문제가 발생한다.Moreover, the matting process of the plastic film of the said base material has the effect of forming fine unevenness | corrugation in the plastic film of a plastic film base material, improving the adhesive force between a base material and the film mutually apply | coated on the base material, and reducing surface glossiness. However, the roughness of the film surface in sand blasting depends on the material and particle size of the shot material, the discharge pressure and the like. If the particle size of the shot material is large, it can be removed from the film surface by washing such as washing or brushing. The shot material of fine particles smaller than 1 mu m cannot be completely removed, and a small amount of particles remain on the surface even after cleaning. The remaining short material causes peeling of the film under a high temperature environment in which the light shielding film is exposed, and the short material is caused by a difference in thermal stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the short material and a film of a metal alloy light shielding film formed on the film. Peeling off the membrane. Such a problem may adversely affect peripheral components, and a problem arises that the original function cannot be performed.

[특허문헌 1] JP-A-1-120503[Patent Document 1] JP-A-1-120503

[특허문헌 2] JP-A-4-9802[Patent Document 2] JP-A-4-9802

[특허문헌 3] JP-A-2-116837[Patent Document 3] JP-A-2-116837

[특허문헌 4] JP-A-2000-75353[Patent Document 4] JP-A-2000-75353

따라서, 본 발명의 목적은 기재 필름 표면에 미세한 요철구조를 포함하고, 사용시에 고온에 노출되는 액정 프로젝터의 광량 조정용 블레이드, 가공시 고온에 노출되는 디지털 카메라의 셔터 블레이드 및 고정 조리개에 유용한 차광 필름에 있어서, 미끄러짐 및 표면 광택 특성의 열화가 없고, 필름 제조시 변형 및 변색에 강하여 내구성이 우수하며, 및 쇼트재의 탈락이 유발되지 않는, 도전성이 우수한 내열 차광 필름을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to include a fine concave-convex structure on the surface of a base film, and a light shading film useful for a light amount adjusting blade of a liquid crystal projector exposed to high temperatures in use, a shutter blade and a fixed aperture of a digital camera exposed to high temperatures in processing. Accordingly, the present invention provides a heat-resistant light-shielding film having excellent electrical conductivity, which is free from slippage and surface glossiness, is excellent in deformation and discoloration during film production, and has excellent durability, and does not cause the shot material to fall off.

본 출원의 발명자들은 종래기술과 관련된 문제점을 해결하기 위하여 심도있는 연구 끝에, 표면에 미세한 요철 구조를 포함하는 수지막으로서 155℃ 이상에서 내열성을 갖는 수지 필름(A)을 기재로 사용하고, 소정의 두께를 갖는 결정성 금속 카바이드층(이하, 때때로 'MeC'로 지칭하기도 함)의 차광층(B)을 수지 필름 기재(A)의 표면 온도가 155℃로 유지된 상태에서 스퍼터링법에 의해 형성함으로써, 변형이 없고, 약 155℃ 이상, 기재의 종류에 따라 200℃의 고온 환경에서도 특성(우수한 차광성, 낮은 표면광택, 우수한 미끄러짐 특성, 본연의 색, 낮은 반사율)이 유지될 수 있으며, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라 또는 액정 프로젝터 등의 조리개 소재로 이용할 수 있는 내열 차광 필름을 얻을 수 있었다.In order to solve the problems related to the prior art, the inventors of the present application use a resin film (A) having heat resistance at 155 ° C. or higher as a base material as a resin film having a fine uneven structure on the surface thereof, By forming the light shielding layer (B) of the crystalline metal carbide layer (hereinafter sometimes referred to as 'MeC') having a thickness by the sputtering method while the surface temperature of the resin film substrate (A) is maintained at 155 ° C No deformation, about 155 ℃ or more, depending on the type of substrate, properties (excellent light shielding property, low surface gloss, excellent slipping properties, natural color, low reflectance) can be maintained even in a high temperature environment of 200 ° C. The heat-resistant light-shielding film which can be used for aperture materials, such as a digital video camera or a liquid crystal projector, was obtained.

즉, 본 발명의 제 1 발명에 따르면, 155℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재(A)와, 상기 수지 필름 기재(A)의 일면 또는 양면에 형성된 결정성 금속 카바이드 층(MeC)의 차광층(B)으로 이루어져 있고, 상기 차광층(B)의 두께는 100 nm 이상이고, 표면 거칠기는 0.1 ~ 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이며, 상기 금속 카바이드 층(MeC) 중 탄소 원소(C)의 함량은 총 금속 원소(Me)에 대한 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.That is, according to the 1st invention of this invention, the light shielding layer of the resin film base material (A) which has a heat resistance of 155 degreeC or more, and the crystalline metal carbide layer (MeC) formed in one side or both surfaces of the said resin film base material (A) ( B), the thickness of the light blocking layer (B) is 100 nm or more, the surface roughness is 0.1 ~ 2.1 ㎛ (arithmetic mean height Ra), the content of the carbon element (C) in the metal carbide layer (MeC) Silver provides a heat-resistant light-shielding film, characterized in that the atomic ratio (C / Me) to the total metal element (Me) is 0.3 or more.

본 발명의 제 2 발명에 따르면, 제 1 발명에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)는 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리이미드(polyimide), 아라미드(aramid), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 또는 폴리에테르 설폰(polyether sulfone)으로부터 선택된 적어도 1 종으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the second invention of the present invention, in the first invention, the resin film substrate (A) is polyethylene naphthalate, polyimide, aramid, polyphenylene sulfide It provides a heat-resistant light-shielding film, characterized in that composed of at least one selected from polyether sulfone.

본 발명의 제 3 발명에 따르면, 제 1 발명 또는 제 2 발명에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)는 200℃ 이상의 내열성을 가지는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the 3rd invention of this invention, in the 1st invention or 2nd invention, the said resin film base material (A) provides heat resistant light-shielding film characterized by having heat resistance of 200 degreeC or more.

본 발명의 제 4 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 3 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)의 두께는 5 내지 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the 4th invention of this invention, in any one of the 1st invention-the 3rd invention, the thickness of the said resin film base material (A) provides a heat resistant light shielding film characterized by the above-mentioned.

본 발명의 제 5 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 4 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)의 표면 거칠기는 0.2 내지 2.2 ㎛(산술 평균 높이 Ra)인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the fifth invention of the present invention, in any one of the first to fourth inventions, the surface roughness of the resin film base material A is 0.2 to 2.2 µm (arithmetic mean height Ra). Provide a heat resistant light shielding film.

본 발명의 제 6 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 5 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 차광층(B)의 두께는 110 내지 550 nm인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the sixth invention of the present invention, in any one of the first to fifth inventions, the thickness of the light shielding layer (B) provides a heat resistant light shielding film, characterized in that 110 to 550 nm.

본 발명의 제 7 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 6 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 금속 카바이드 층(MeC)은 주성분으로서, 실리콘 카바이드(silicon carbide), 티타늄 카바이드(titanium carbide), 알루미늄 카바이드(aluminum carbide), 니오브 카바이드(niobium carbide), 텅스텐 카바이드(tungsten carbide), 몰리브덴 카바이드(molybdenum carbide), 바나듐 카바이드(vanadium carbide), 탄탈륨 카바이드(tantalum carbide), 지르코늄 카바이 드(zirconium carbide), 또는 하프늄 카바이드(hafnium carbide)로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to a seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth inventions, the metal carbide layer (MeC) is a main component, silicon carbide, titanium carbide, aluminum Carbide, niobium carbide, tungsten carbide, molybdenum carbide, molybdenum carbide, vanadium carbide, tantalum carbide, zirconium carbide, or It provides a heat-resistant light-shielding film, characterized in that it comprises at least one material selected from hafnium carbide.

본 발명의 제 8 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 7 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 금속 카바이드 층(MeC)에서 탄소 원소(C)의 함량은 총 금속원소(Me)에 대한 탄소 원소(C)의 원자수비(C/Me)가 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the eighth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh inventions, the content of the carbon element (C) in the metal carbide layer (MeC) is a carbon element relative to the total metal element (Me). The atomic heat shield (C / Me) of (C) is 0.5 or more, The heat shielding film which provides is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 제 9 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 8 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 금속 카바이드 층(MeC)에서 산소(O)의 함량은 총 금속원소(Me)에 대한 산소(O)의 원자수비(O/Me)가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the ninth invention of the present invention, in any one of the first to eighth inventions, the content of oxygen (O) in the metal carbide layer (MeC) is oxygen (O) to the total metal element (Me). It provides a heat-resistant light-shielding film, characterized in that the atomic ratio (O / Me) of () is 0.5 or less.

본 발명의 제 10 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 9 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 차광층(B)의 반사율은 380 내지 780 nm의 파장 범위의 광에 대해 10% 이하인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the tenth aspect of the present invention, in any one of the first to ninth inventions, the reflectance of the light shielding layer (B) is 10% or less for light in the wavelength range of 380 to 780 nm. It provides a heat-resistant light shielding film.

본 발명의 제 11 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 10 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 차광능(light-shading capacity)의 지표(index)로서 광 밀도(optical density)는 380 내지 780 nm의 파장 범위에서 4 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름을 제공한다.According to the eleventh invention of the present invention, in any one of the first to tenth inventions, the optical density as an index of the light-shading capacity is in the range of 380 to 780 nm. It provides a heat resistant light shielding film characterized by being 4 or more in the wavelength range.

본 발명의 제 12 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 11 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 동일한 구조(structure) 및 두께를 갖는 금속 카바이드 층(MeC)들이 수지 필름 기재(A)의 양면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름 을 제공한다.According to the twelfth invention of the present invention, in any one of the first to eleventh inventions, metal carbide layers (MeC) having the same structure and thickness are formed on both sides of the resin film substrate (A). It provides a heat resistant light shielding film characterized in that.

본 발명의 제 13 발명에 따르면, 155℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재(A) 및 상기 수지 필름 기재(A)의 일면 또는 양면에 형성된 차광층(B)으로서 결정성 금속 카바이드 층(MeC)을 포함하는 내열 차광 필름을 제조하는 방법으로서, 표면 거칠기가 0.2 내지 2.2 ㎛(산술 평균 높이 Ra)인 내열성 수지 필름 기재(A)를 스퍼터링 장치에 공급하는 단계; 및 불활성 가스 분위기에서 금속 카바이드 타겟을 사용하여 상기 수지 필름 기재(A) 상에 스퍼터링법에 의해, 두께가 100 nm 이상이고, 표면 거칠기가 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이며, 금속 카바이드 층(MeC)의 탄소 원소(C) 함량은 전체 금속 원소량에 대한 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 결정성 금속 카바이드 층(MeC)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법을 제공한다.According to the thirteenth invention of the present invention, a crystalline metal carbide layer (MeC) is used as a resin film base material (A) having heat resistance of 155 ° C or higher and a light shielding layer (B) formed on one or both surfaces of the resin film base material (A). A method of manufacturing a heat-resistant light-shielding film comprising: supplying a heat-resistant resin film base material (A) having a surface roughness of 0.2 to 2.2 µm (arithmetic mean height Ra) to a sputtering apparatus; And a thickness of 100 nm or more, a surface roughness of 0.1 to 2.1 µm (arithmetic mean height Ra) by sputtering on the resin film substrate A using a metal carbide target in an inert gas atmosphere, and a metal carbide layer The carbon element (C) content of (MeC) is a step of forming a crystalline metal carbide layer (MeC) having an atomic ratio (C / Me) of 0.3 or more relative to the total amount of metal elements; heat-resistant light-shielding film comprising a It provides a method of manufacturing.

본 발명의 제 14 발명에 따르면, 제 13 발명에 있어서, 금속 카바이드 층(MeC)이 형성된 내열 차광 필름을 스퍼터링 장치에 추가적으로 공급하는 단계; 및 스퍼터링에 의해, 금속 카바이드 층(MeC)이 형성되지 않은 수지 필름 기재(A)의 타면에 금속 카바이드 층(MeC)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법을 제공한다.According to a fourteenth aspect of the present invention, in the thirteenth invention, further comprising: supplying a heat resistant light shielding film having a metal carbide layer (MeC) to a sputtering apparatus; And forming a metal carbide layer (MeC) on the other surface of the resin film substrate (A) on which the metal carbide layer (MeC) is not formed by sputtering. do.

본 발명의 제 15 발명에 따르면, 제 13 발명 또는 제 14 발명에 있어서, 차광층(B) 형성시 상기 스퍼터링 가스의 압력은 0.2 내지 1.0 Pa인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법을 제공한다.According to a fifteenth invention of the present invention, in the thirteenth or fourteenth invention, the pressure of the sputtering gas when forming the light shielding layer (B) is 0.2 to 1.0 Pa to provide a method for producing a heat-resistant light-shielding film. .

본 발명의 제 16 발명에 따르면, 제 13 발명 내지 제 15 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 차광층(B) 형성시 상기 수지 필름 기재(A)의 표면 온도는 180℃ 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법을 제공한다.According to a sixteenth invention of the present invention, in any one of the thirteenth to fifteenth inventions, the surface temperature of the resin film base material (A) at the time of forming the light shielding layer (B) is 180 ° C or more. It provides a method for producing a light shielding film.

본 발명의 제 17 발명에 따르면, 제 13 발명 내지 제 16 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)를 롤(roll) 형태로 스퍼터링 장치의 필름 이송부(film transfer section)에 셋팅하는 단계; 및 상기 수지 필름 기재(A)가 권출부(wind-off section)에서 권취부(take-up section)으로 이동하는 동안 스퍼터링법에 의해 층을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법을 제공한다. According to a seventeenth invention of the present invention, in any one of the thirteenth to sixteenth inventions, the resin film base material A is set in a film transfer section of the sputtering apparatus in a roll form. Doing; And forming a layer by sputtering while the resin film substrate (A) moves from the wind-off section to the take-up section. It provides a manufacturing method.

본 발명의 제 18 발명에 따르면, 제 13 발명 내지 제 17 발명들 중 어느 한 발명에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)를 롤(roll) 형태로 스퍼터링 장치의 필름 이송부에 셋팅하는 단계; 및 상기 수지 필름 기재(A)가 권출부(wind-off section)에서 권취부(take-up section)로 이동하는 동안 스퍼터링법에 의해 층을 형성하는 단계;를 포함하고, 여기서, 상기 층은 수지 필름 기재(A)가 냉각되지 않고, 스퍼터링시 필름 형성용 챔버(film-forming chamber) 내에서 부유 상태(floating state)인 동안 형성되는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법을 제공한다.According to an eighteenth aspect of the present invention, in any one of the thirteenth to seventeenth inventions, the method further comprises the steps of: setting the resin film substrate (A) in the form of a roll in the film conveying portion of the sputtering apparatus; And forming a layer by sputtering while the resin film base material (A) moves from a wind-off section to a take-up section, wherein the layer is a resin. Provided is a method of manufacturing a heat-resistant light-shielding film, wherein the film base material A is not cooled and is formed while in a floating state in a film-forming chamber during sputtering.

본 발명의 제 19 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 12 발명들 중 어느 한 발명에 따른 내열 차광 필름을 가공하여 제조된 우수한 내열성의 조리개(diaphragm)를 제공한다.According to a nineteenth aspect of the present invention, there is provided an excellent heat resistant diaphragm manufactured by processing the heat shielding film according to any one of the first to twelfth inventions.

본 발명의 제 20 발명에 따르면, 제 1 발명 내지 제 12 발명들 중 어느 한 발명에 따른 내열 차광 필름을 사용한 광량 조정 장치(light intensity adjusting device)를 제공한다.According to a twentieth invention of the present invention, there is provided a light intensity adjusting device using the heat resistant light shielding film according to any one of the first to twelfth inventions.

본 발명의 내열 차광 필름은, 소정의 두께를 가지는 금속 카바이드 층이 0.2 - 2.2 ㎛(산술 평균 높이 Ra)의 표면 거칠기를 가진 내열 수지 필름 기재 상에 형성되어 있어서, 낮은 표면광택, 낮은 반사율 및 우수한 도전성을 유지하는 내열 차광 필름을 제조할 수 있다. 또한, 상기 금속 카바이드 필름층은 스퍼터링(sputtering)법에 의해 형성되는 바, 종래의 코팅 공정에 의해 제조된 차광층에 비해 더 조밀한 표면 구조로 이루어져 있으며, 표면 내마모성 및 마찰저항성(friction resistance)이 우수하다. 또한, 본 발명에 따른 내열 차광 필름에서 155℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재 상에는 차광층으로서 결정성 금속 카바이드층이 형성되어 있으며, 상기 금속 카바이드재는 산화에 덜 취약하고, 155 내지 300℃의 고온 환경 및 고습 환경에서도 차광능이 거의 변하지 않으므로, 종래 산화 가능한 금속층을 차광층으로 사용한 내열 차광 필름에 비해 내열성이 현저히 우수하다. 더욱이, 본 발명에 따른 내열 차광 필름은 금속 카바이드 층들 사이에 내열 수지 필름이 중심에 삽입되어 있는 대칭층(symmetrical layer) 구조로 이루어져 있어서, 스퍼터링시 필름의 응력으로 인한 변형이 유발되지 않으므로, 생산성이 우수하다.In the heat-resistant light-shielding film of the present invention, a metal carbide layer having a predetermined thickness is formed on a heat-resistant resin film substrate having a surface roughness of 0.2-2.2 μm (arithmetic mean height Ra), so that low surface gloss, low reflectance and excellent The heat-resistant light shielding film which maintains electroconductivity can be manufactured. In addition, the metal carbide film layer is formed by a sputtering method, and has a denser surface structure than the light shielding layer manufactured by a conventional coating process, and has a high surface wear resistance and friction resistance. great. In addition, in the heat-resistant light-shielding film according to the present invention, a crystalline metal carbide layer is formed as a light-shielding layer on the resin film substrate having heat resistance of 155 ° C or higher, and the metal carbide material is less susceptible to oxidation, and has a high temperature of 155-300 ° C. And since the light-shielding ability hardly changes even in a high humidity environment, compared with the heat-resistant light shielding film which used the oxidizable metal layer as a light shielding layer conventionally, heat resistance is remarkably excellent. Furthermore, the heat-resistant light-shielding film according to the present invention has a symmetrical layer structure in which a heat-resistant resin film is inserted in the center between the metal carbide layers, so that deformation due to stress of the film during sputtering does not occur, thereby improving productivity. great.

또한, 본 발명에 따른 금속 카바이드 층을 스퍼터링법으로 형성하기 위한 최적의 층 형성 조건을 통해, 상기 금속 카바이드 층을 더욱 조밀하게 만들 수 있다. 이와 같은 조밀한 최외층으로 인해, 상기 필름을 사용한 차광 블레이드 작업시, 심 지어 155 내지 300℃의 고온 환경에 노출되는 경우에도 상기 내열 차광층이 분리되지 않으며, 기재 필름의 매팅 처리, 특히 샌드 블라스팅에 의해 필름의 표면처리를 행함으로써 부착, 잔존하는 쇼트재의 탈리(peel-off)가 일어나지 않는다.Further, through the optimum layering conditions for forming the metal carbide layer according to the present invention by the sputtering method, the metal carbide layer can be made more compact. Due to this dense outermost layer, the heat-resistant light-shielding layer does not separate even when exposed to a high temperature environment of 155 to 300 ° C., even when exposed to a high temperature environment of the film, and the matting treatment of the base film, especially sandblasting The surface treatment of the film prevents the peeling off of the remaining shot material.

또한, 본 발명에 따른 광량 조정장치는 상기 내열 차광 필름을 가공하여 제조한 차광 블레이드를 사용하는 바, 수지 필름 기재로 제조된 차광 블레이드로 인해, 내열 코팅재로 코팅된 금속 호일 플레이트로 이루어진 종래의 내열 차광 필름을 가공하여 제조한 차광 블레이드를 사용한 광량 조정장치 보다 중량이 더욱 감소된다. 따라서, 상기 내열 차광 필름이 조리개 블레이드 등에 사용되는 경우, 미끄러짐(sliding) 특성이 향상되고, 구동 모터의 부피를 줄일 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있다.In addition, the light amount adjusting device according to the present invention uses a light shielding blade manufactured by processing the heat-resistant light-shielding film, and due to the light-shielding blade made of a resin film base material, a conventional heat-resistant made of a metal foil plate coated with a heat-resistant coating material. The weight is further reduced than the light amount adjusting device using the light shielding blade manufactured by processing the light shielding film. Therefore, when the heat-resistant light-shielding film is used in an aperture blade or the like, the sliding property is improved, the volume of the driving motor can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced.

따라서, 본 발명의 내열 차광 필름은 내열성이 특히 요구되는 액정 프로젝터의 광량 조정 장치를 구성하는 조리개 블레이드재 및 차량 내부용 모니터의 렌즈 장치를 구성하는 고정 조리개에 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 본 발명의 내열 차광 필름은 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라의 셔터 블레이드 등에 유용하며 산업적으로 매우 가치가 있다. Therefore, the heat-resistant light-shielding film of the present invention can be usefully used for the diaphragm blade member constituting the light amount adjusting device of the liquid crystal projector, in which heat resistance is particularly required, and the fixed diaphragm constituting the lens device of the monitor for the vehicle interior. In addition, the heat-resistant light-shielding film of the present invention is useful in digital cameras, shutter blades of digital video cameras, and the like, and is of great industrial value.

이하, 본 발명에 따른 내열 차광 필름, 그것의 제조방법, 및 그것을 사용한 광량 조정 장치 및 조리개를 도면을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the heat-resistant light-shielding film which concerns on this invention, its manufacturing method, and the light quantity adjusting device and aperture using the same are demonstrated with reference to drawings.

1. One. 내열 차광 필름Heat resistant shading film

본 발명에 따른 내열 차광 필름은, 155℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재(A)와, 상기 수지 필름 기재(A)의 일면 또는 양면에 형성된 결정성 금속 카바이드 층(MeC)의 차광층(B)으로 이루어져 있고, 상기 차광층(B)의 두께는 100 nm 이상이고, 표면 거칠기는 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이며, 상기 금속 카바이드 층(MeC) 중 탄소 원소의 함량은 총 금속 원소(Me)에 대한 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 것으로 구성되어 있다.The heat-resistant light-shielding film which concerns on this invention is the light-shielding layer (B) of the resin film base material (A) which has heat resistance of 155 degreeC or more, and the crystalline metal carbide layer (MeC) formed in one side or both surfaces of the said resin film base material (A). The thickness of the light blocking layer (B) is 100 nm or more, the surface roughness is 0.1 to 2.1 ㎛ (arithmetic mean height Ra), the content of the carbon element in the metal carbide layer (MeC) is a total metal element ( It is comprised by the atomic ratio (C / Me) with respect to Me) 0.3 or more.

저광택도 및 저반사율을 갖는 내열 차광 필름은, 상기 언급한 표면 거칠기를 갖는 차광층을 형성하거나, 상기 차광층의 표면을 금속 카바이드로 덮어서 표면 거칠기가 유사하게 함으로써 구현할 수 있다. 따라서, 상기 내열 차광 필름이 디지털 이미지 촬영 기기(digital image-taking devices)의 고정 조리개, 기계식 셔터기기의 조리개 블레이드 또는 액정 프로젝터의 광량 조정장치용 블레이드재에 사용되는 경우, 광학 시스템에서 반사광에 의해 생성되는 미광(stray light)을 방지할 수 있다.The heat-resistant light-shielding film having low glossiness and low reflectance can be realized by forming a light-shielding layer having the above-mentioned surface roughness or by covering the surface of the light-shielding layer with metal carbide to make the surface roughness similar. Therefore, when the heat-resistant light-shielding film is used for a fixed aperture of digital image-taking devices, an aperture blade of a mechanical shutter device, or a blade material for light quantity adjusting device of a liquid crystal projector, it is generated by reflected light in an optical system. It can prevent stray light.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 내열 차광 필름의 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 본 발명에 따른 내열 차광 필름은 기재로서의 수지 필름(1) 및 그것의 표면에 형성된 금속 카바이드 층(2)으로 이루어져 있다. 또한, 금속 카바이드 층(2)의 표면 거칠기는 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra), 바람직하게는 0.2 내지 2.0 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 1.9 ㎛일 수 있다. 표면 거칠기가 0.1 ㎛ 보다 작거나 2.1 ㎛ 보다 큰 경우, 저광택도 또는 표면 결함이 생기기 쉽다는 측면 에서 바람직하지 않다.1 and 2 schematically show the structure of a heat resistant light shielding film according to the present invention. The heat resistant light shielding film according to the present invention consists of a resin film 1 as a substrate and a metal carbide layer 2 formed on the surface thereof. Further, the surface roughness of the metal carbide layer 2 may be 0.1 to 2.1 μm (arithmetic mean height Ra), preferably 0.2 to 2.0 μm, more preferably 0.3 to 1.9 μm. If the surface roughness is smaller than 0.1 mu m or larger than 2.1 mu m, it is not preferable in view of low glossiness or surface defects.

상기 금속 카바이드 층(2)은 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 수지 필름 기재의 일면에 형성될 수도 있으나, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 양면에 형성되는 것이 바람직하다. 상기 금속 카바이드 층(2)이 양면에 형성되는 경우, 두 개의 금속 카바이드 층(2)은 구조 및 두께가 동일하고, 중심에 필름 기재가 삽입된 대칭 구조를 이루는 것이 더욱 바람직하다. 기재 상에 형성된 박막은 기재에 응력을 가하고, 이는 변형을 유발할 수 있다. 내열 차광 필름에서 응력에 의한 변형은 막 형성 직후에 종종 관찰할 수 있으며, 특히, 약 155 내지 300℃ 정도로 필름이 가열되었을 때 더 크고 현저하게 나타나는 경향이 있다. 그러나, 상기 기재의 양면에 재질 및 두께가 동일한 금속 카바이드 층을 사용하고, 기재를 중심으로 대칭 구조를 이룸으로써, 가열 조건 하에서도 응력의 균형을 잘 유지할 수 있고, 평평(flat)한 내열 차광 필름이 구현될 수 있다.The metal carbide layer 2 may be formed on one surface of the resin film substrate as shown in FIG. 1, but is preferably formed on both sides as shown in FIG. 2. When the metal carbide layer 2 is formed on both sides, it is more preferable that the two metal carbide layers 2 have the same structure and thickness, and have a symmetrical structure in which a film substrate is inserted in the center. Thin films formed on the substrate stress the substrate, which can cause deformation. Stress-induced deformation in heat-resistant light-shielding films can often be observed immediately after film formation, and especially tends to appear larger and more pronounced when the film is heated to about 155 to 300 ° C. However, by using a metal carbide layer of the same material and thickness on both sides of the substrate and forming a symmetrical structure around the substrate, it is possible to maintain a good balance of stress even under heating conditions, and a flat heat-resistant light-shielding film This can be implemented.

(A)(A) 수지 필름 기재Resin film base material

본 발명에 따른 내열 차광 필름에 사용되는 수지 필름 기재(A)는 155℃ 이상의 내열성을 갖는 내열 수지 필름 기재라면 특별히 한정되지 않으나, 바람직하게는 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리이미드(polyimide), 아라미드(aramid), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 또는 폴리에테르 설폰(polyether sulfone)으로부터 선택된 적어도 1 종으로 구성되어 있는 물질로 이루어질 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌 나프탈레이트는 약 200℃에서 내열 성을 나타내는 바, 155~200℃의 환경에서 사용될 수 있으며, 가격이 저렴하여 유용한 산업재로 사용될 수 있다. 또한, 폴리이미드, 아라미드, 폴리페닐렌 설파이드 또는 폴리에테르 설폰 역시 200℃ 이상의 내열성을 나타내므로, 200℃ 이상의 환경에서 사용될 수 있다. 특히, 폴리이미드는 가장 높은 온도인 300℃ 이상의 내열성을 나타내는 바, 가장 바람직한 필름이다.The resin film base material (A) used in the heat-resistant light-shielding film according to the present invention is not particularly limited as long as it is a heat-resistant resin film base material having a heat resistance of 155 ° C. or higher. Preferably, polyethylene naphthalate, polyimide, It may be made of a material consisting of at least one selected from aramid, polyphenylene sulfide, or polyether sulfone. Among them, polyethylene naphthalate shows heat resistance at about 200 ℃, can be used in the environment of 155 ~ 200 ℃, it can be used as a useful industrial material at a low price. In addition, since polyimide, aramid, polyphenylene sulfide or polyether sulfone also exhibits heat resistance of 200 ° C. or higher, it may be used in an environment of 200 ° C. or higher. In particular, polyimide shows the heat resistance of 300 degreeC or more which is the highest temperature, and is the most preferable film.

또한, 기재로 사용되는 수지 필름은 투명 수지 또는 안료가 혼합된 착색 수지로 구성될 수 있으나, 이 경우에도 155℃ 이상의 내열성을 가져야 한다. 여기서 "155℃ 이상의 내열성을 갖는 필름"은 유리 전이 온도가 155℃ 이상인 필름을 의미하며, 유리 전이 온도가 존재하지 않는 소재의 경우에는 155℃ 이상에서 변질(degeneration)을 나타내지 않는 필름을 의미한다. 수지 물질의 종류는 양산성을 고려하여 스퍼터링에 의해 롤 코팅(roll coating)될 수 있도록 가소성(flexibility) 재료가 바람직하다.In addition, the resin film used as the substrate may be composed of a transparent resin or a colored resin mixed with a pigment, but in this case, it should have heat resistance of 155 ° C or higher. Here, "film having heat resistance of 155 ° C or higher" means a film having a glass transition temperature of 155 ° C or higher, and in the case of a material having no glass transition temperature, it means a film that does not exhibit degeneration at 155 ° C or higher. The kind of resin material is preferably a flexible material so that it can be roll coated by sputtering in consideration of mass productivity.

상기 수지 필름 기재의 두께는 바람직하게는 5 내지 200 ㎛일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 10 내지 150 ㎛, 특히 바람직하게는 20 내지 125 ㎛일 수 있다. 두께가 5 ㎛ 보다 작으면 상처나 접힘 등과 같은 표면 결함에 취약하고, 두께가 200 ㎛ 보다 크면 부피 간소화 측면에서 복수 개의 차광 블레이드를 조리개 기기 또는 광량 조정 장치에 탑재하기 어렵다.The resin film substrate may have a thickness of preferably 5 to 200 μm, more preferably 10 to 150 μm, and particularly preferably 20 to 125 μm. If the thickness is less than 5 μm, it is vulnerable to surface defects such as scratches and folds. If the thickness is larger than 200 μm, it is difficult to mount the plurality of light blocking blades to the aperture device or the light amount adjusting device in terms of volume simplification.

또한, 본 발명에 따른 내열 차광 필름에 사용되는 수지 필름의 표면 거칠기(산술 평균 높이 Ra)는 바람직하게 0.2 내지 2.2 ㎛일 수 있으며, 특히 0.3 내지 2.1 ㎛의 미세 요철 구조를 포함할 수 있다. Ra가 0.2 ㎛ 보다 작으면, 필름 표면 에 형성되는 금속 카바이드 층의 충분한 접착성을 얻을 수 없고, 저광택 및 저반사 특성 또한 충분하지 않을 수 있다. Ra가 2.2 ㎛을 초과하면, 필름 표면의 요철 구조가 너무 커서, 요철 부분에 금속 카바이드 층을 형성하기 어렵다. 충분한 차광능을 위해 필름 표면을 완전히 피복할 경우, 금속 카바이드 층의 두께는 너무 두꺼워질 수 있는 바, 비용 측면에서 바람직하지 않다.In addition, the surface roughness (arithmetic mean height Ra) of the resin film used in the heat-resistant light-shielding film according to the present invention may preferably be 0.2 to 2.2 µm, and may particularly include a fine uneven structure of 0.3 to 2.1 µm. If Ra is smaller than 0.2 μm, sufficient adhesion of the metal carbide layer formed on the film surface may not be obtained, and low gloss and low reflection properties may also not be sufficient. When Ra exceeds 2.2 mu m, the uneven structure of the film surface is too large, and it is difficult to form a metal carbide layer on the uneven portion. When the film surface is completely covered for sufficient light shielding ability, the thickness of the metal carbide layer may be too thick, which is undesirable in terms of cost.

산술 평균 높이는 또한 산술 평균 거칠기로 표현될 수 있으며, 이는, 평균선(average line)의 방향으로 기준길이(standard length) 내의 거칠기 커브를 취해, 상기 기준길이 내의 평균선에 대한 거칠기 커브의 편차 절대값을 더하고, 평균 값을 계산하여 측정된다.The arithmetic mean height can also be expressed as an arithmetic mean roughness, which takes a roughness curve within a standard length in the direction of the average line, adding the absolute value of the deviation of the roughness curve with respect to the average line within the reference length and , By calculating the average value.

상기 수지 필름 표면의 요철 구조는 필름 표면을 표면처리하여 형성될 수 있다. 상기 표면 요철 구조는, 예를 들어, 쇼트(shot)재를 사용하는 매팅 처리 또는 나노 임프린팅(nano-imprinting) 가공으로 형성할 수 있다. 매팅 처리하는 경우, 매팅 처리를 위한 쇼트재에는 모래가 이용될 수 있으나, 이것으로 한정되는 것은 아니다. 최적의 Ra 수치를 갖는 요철 구조는 매팅 처리 중의 필름 이송 속도 및 쇼트재의 종류, 크기에 따라 달라진다. 따라서, 이러한 조건을 최적화하여 필름 표면의 산술 평균 높이 Ra가 0.2 내지 2.2 ㎛이 되도록 표면처리 한다. 매팅 처리 이후, 필름을 세정하여 쇼트재를 제거하고 건조시킨다. 필름의 양면에 금속 카바이드 층을 형성하는 경우, 필름의 양면을 매팅 처리한다.The uneven structure of the resin film surface may be formed by surface treatment of the film surface. The surface uneven structure may be formed, for example, by matting or nano-imprinting using a shot material. In the case of matting, sand may be used as the short material for matting, but is not limited thereto. The uneven structure having an optimal Ra value depends on the film feed rate and the type and size of the shot material during the matting process. Therefore, these conditions are optimized and surface treated so that the arithmetic mean height Ra of the film surface becomes 0.2-2.2 micrometers. After the matting treatment, the film is washed to remove the short material and to dry. When the metal carbide layer is formed on both sides of the film, the both sides of the film are matted.

(B)(B) 차광층 (금속 카바이드 층)Shading Layer (Metal Carbide Layer)

본 발명에 따른 내열 차광 필름은 155℃의 고온 환경하에서도 견딜 수 있도록 내열성을 나타낸다. 이는 수지 필름 기재가 내열성을 보유하고 있고, 차광 금속 카바이드 층 역시 내열성을 보유하고 있기 때문이다.The heat-resistant light-shielding film according to the present invention exhibits heat resistance to withstand the high temperature environment of 155 ℃. This is because the resin film base material has heat resistance, and the light shielding metal carbide layer also has heat resistance.

일반적으로, 금속층은 산화되면 투명도가 증가하므로 차광층으로 사용되는 경우에는 반드시 내산화성을 갖추어야 한다. 본 발명의 내열 차광층에 사용된 차광층의 재료는 내산화성이 우수한 금속 카바이드 층이다. In general, when the metal layer is oxidized, the transparency increases, so that the metal layer must have oxidation resistance when used as a light shielding layer. The material of the light shielding layer used for the heat resistant light shielding layer of the present invention is a metal carbide layer excellent in oxidation resistance.

구체적으로, 본 발명의 상기 금속 카바이드 층(MeC)은 바람직하게는 주성분으로서, 실리콘 카바이드(silicon carbide), 티타늄 카바이드(titanium carbide), 알루미늄 카바이드(aluminum carbide), 니오브 카바이드(niobium carbide), 텅스텐 카바이드(tungsten carbide), 몰리브덴 카바이드(molybdenum carbide), 바나듐 카바이드(vanadium carbide), 탄탈륨 카바이드(tantalum carbide), 지르코늄 카바이드(zirconium carbide), 또는 하프늄 카바이드(hafnium carbide)로부터 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 이러한 금속 카바이드 층은 종래의 금속층(규소, 티타늄, 알루미늄, 니오브, 텅스텐, 몰리브덴, 바나듐, 탄탈륨, 지르코늄, 하프늄)에 비해 155 내지 300℃에서 내산화성이 더욱 우수할 뿐 아니라, 금속 카바이드의 강직성(hardness)으로 인해 내마모성 역시 우수하다. 반면, 기존의 금속(규소, 티타늄, 알루미늄, 니오브, 텅스텐, 몰리브덴, 바나듐, 탄탈륨, 지르코늄, 하프늄)을 차광층으로 사용하는 경우, 앞에서 언급한 바와 같이 고온에서 충분한 내산성 및 강도를 내지 못하기 때문에, 보호층으로서 내산성 및 소정의 강직성을 지닌 다른 물질(금속 산화물 및 DLC)로 표면을 보호해야 한다. 결과적으로, 구 조가 복잡해지고, 비용이 증가한다.Specifically, the metal carbide layer (MeC) of the present invention is preferably a main component, silicon carbide (titanium carbide), titanium carbide (titanium carbide), aluminum carbide (aluminum carbide), niobium carbide (tungsten carbide), tungsten carbide (tungsten carbide), molybdenum carbide (molybdenum carbide), vanadium carbide (vanadium carbide), tantalum carbide (tantalum carbide), zirconium carbide, or at least one material selected from hafnium carbide (hafnium carbide) Can be. This metal carbide layer is not only more excellent in oxidation resistance at 155 to 300 ℃ than conventional metal layers (silicon, titanium, aluminum, niobium, tungsten, molybdenum, vanadium, tantalum, zirconium, hafnium), but also the rigidity of the metal carbide ( Abrasion resistance is also excellent due to hardness. On the other hand, when the existing metals (silicon, titanium, aluminum, niobium, tungsten, molybdenum, vanadium, tantalum, zirconium, hafnium) are used as the light shielding layer, they do not have sufficient acid resistance and strength at high temperature as mentioned above. As a protective layer, the surface should be protected by other materials (metal oxides and DLC) having acid resistance and predetermined rigidity. As a result, the structure becomes complicated and the cost increases.

또한, 본 발명에서 사용된 금속 카바이드 층(MeC)의 구조에서, 상기 층에 포함된 탄소 원소(C)의 함량은 총 금속원소(Me)에 대한 탄소 원소(C)의 원자수비(C/Me)가 0.3 이상, 바람직하게는 0.5 이상, 특히 바람직하게는 0.7 이상일 수 있다. C/Me의 원자수비가 0.3 미만이면, 155 내지 300℃의 고온 가열 하에서 충분한 내산화성을 발휘할 수 없다.In addition, in the structure of the metal carbide layer (MeC) used in the present invention, the content of the carbon element (C) included in the layer is an atomic ratio (C / Me) of the carbon element (C) to the total metal element (Me). ) May be at least 0.3, preferably at least 0.5, particularly preferably at least 0.7. If the atomic ratio of C / Me is less than 0.3, sufficient oxidation resistance cannot be exhibited under high temperature heating of 155-300 degreeC.

상기 수지 필름 상에 차광층으로서 형성된 금속 카바이드 층은 결정성 층이어야 한다. 이는 결정 구조로 이루어진 필름이 상기 수지 필름 기재에 강한 접착력을 나타내기 때문이다. 금속 카바이드 층이 무정형 층이면 고온에서 사용시 층의 결정화가 진행된다. 이러한 층의 결정화가 진행되면, 변색이 일어날 뿐 아니라 결정화된 부위에 필름 응력이 발생하여 상기 내열 차광 필름은 응력의 균형을 잃고 쉽게 변형되는 문제가 있다. The metal carbide layer formed as the light shielding layer on the resin film should be a crystalline layer. This is because a film made of a crystal structure exhibits strong adhesion to the resin film substrate. If the metal carbide layer is an amorphous layer, the crystallization of the layer proceeds when used at high temperatures. As the crystallization of the layer proceeds, not only discoloration occurs, but also film stress occurs in the crystallized portion, so that the heat-resistant light-shielding film loses balance of stress and is easily deformed.

상기 금속 카바이드(MeC) 층은 금속 원소(Me)의 결정에 탄소를 침투하여 형성된 물질이기 때문에, 금속 원소(Me)로 이루어진 금속층과 비교하여 결정화되기 더 어렵다. 또한, 금속 원소(Me) 결정에 탄소가 침투하면, 각 원소들 간의 결합이 더 높은 공유 특성의 비율을 가지도록 만들어, 이로 인해 탄소를 포함하지 않는 금속 결합으로 이루어진 금속 물질과 비교하여 결정화가 더욱 어렵게 된다. 우수한 내열성을 나타내는 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 층은 특히 결정화되기 어렵다. 금속 카바이드 층이 결정성 층인지 여부는 X선 회절 측정을 통해 회절 피크(peak)의 존재 여부를 관찰하거나, TEM을 사용하여 층의 단면 관찰을 통해 결정성 입자의 존재 여부를 관찰함으로써 측정할 수 있다. 결정화도가 높으면 도 6에서와 같은 선명한 회절 피크가 나타난다.Since the metal carbide (MeC) layer is a material formed by penetrating carbon into the crystal of the metal element (Me), it is more difficult to crystallize compared to the metal layer made of the metal element (Me). In addition, the penetration of carbon into the metal element (Me) crystals causes the bonds between the elements to have a higher proportion of covalent properties, resulting in more crystallization compared to metallic materials consisting of metal bonds that do not contain carbon. Becomes difficult. A layer having an atomic ratio (C / Me) of 0.3 or more that exhibits excellent heat resistance is particularly difficult to crystallize. Whether the metal carbide layer is a crystalline layer can be determined by observing the presence of diffraction peaks by X-ray diffraction measurement or by observing the presence of crystalline particles by cross section observation of the layer using TEM. have. If the degree of crystallinity is high, a clear diffraction peak as shown in FIG. 6 appears.

앞서 언급한 바와 같이, 본 발명에 따른 금속 카바이드 층(MeC)의 표면 거칠기는 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이어야 하고, 바람직하게는 0.2 내지 2.0 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 1.9 ㎛일 수 있다. 표면 거칠기가 0.1 ㎛ 보다 작거나 2.1 ㎛ 보다 크면, 저광택도 또는 표면 결함이 생기기 쉽다는 측면에서 바람직하지 않다.As mentioned above, the surface roughness of the metal carbide layer (MeC) according to the present invention should be 0.1 to 2.1 μm (arithmetic mean height Ra), preferably 0.2 to 2.0 μm, more preferably 0.3 to 1.9 μm. Can be. If the surface roughness is smaller than 0.1 mu m or larger than 2.1 mu m, it is not preferable in view of low glossiness or surface defects.

본 발명에 따른 금속 카바이드 층(MeC)의 두께는 110 내지 550 nm, 바람직하게는 110 내지 400 nm, 더욱 바람직하게는 110 내지 300 nm일 수 있다. 두께가 110 nm 미만이면, 층을 통해 광 투과(light transmission)가 일어나기 때문에 충분한 차광 기능을 발휘할 수 없다. 필름의 두께가 두꺼울수록 차광능은 향상된다. 그러나, 두께가 550 nm 보다 크면 재료비가 증가하고 필름 형성 시간이 늘어나 생산비가 높아질 뿐만 아니라, 필름의 응력이 증가하여 쉽게 변형이 일어난다. 금속 카바이드 층의 두께를 상기 언급한 수준로 설정함으로써, 우수한 차광능, 낮은 필름 응력 및 낮은 생산비를 구현할 수 있다.The thickness of the metal carbide layer (MeC) according to the present invention may be 110 to 550 nm, preferably 110 to 400 nm, more preferably 110 to 300 nm. If the thickness is less than 110 nm, sufficient light blocking function cannot be exerted because light transmission occurs through the layer. The thicker the film, the better the light shielding ability. However, when the thickness is larger than 550 nm, the material cost increases and the film formation time increases, thereby increasing the production cost, and the stress of the film increases, which easily causes deformation. By setting the thickness of the metal carbide layer to the above-mentioned level, excellent light shielding ability, low film stress and low production cost can be realized.

또한, 이러한 금속 카바이드 층을 형성시 표면 거칠기 Ra는 반드시 0.1 내지 2.1 ㎛ 이어야 한다. 이러한 표면 거칠기를 통해, 380 내지 780 nm의 파장 범위에서 광 반사율을 10% 이하로 낮출 수 있다. 차광능과 관련하여, 광 밀도는 바람직하게는 4 이상일 수 있으며, 또한 투과율(transmittance)은 바람직하게는 1% 이하, 특히 바람직하게는 0%이다.In addition, when forming such a metal carbide layer, the surface roughness Ra must be 0.1 to 2.1 μm. Through this surface roughness, the light reflectance can be lowered to 10% or less in the wavelength range of 380 to 780 nm. Regarding the light shielding ability, the light density may preferably be 4 or more, and the transmittance is preferably 1% or less, particularly preferably 0%.

상기 금속 카바이드 층은 질소를 포함할 수 있음에 주목해야 한다. 금속 카바이드 층에 질소를 도입하는 것은, 금속 카바이드 층의 형성시 스퍼터링 가스로서 질소 가스를 포함하는 혼합 가스를 사용한 스퍼터링을 수행하여 가능할 할 수도 있고, 또는 상기 설명한 혼합 가스를 사용하지 않고 대신에 질소를 함유한 타겟을 사용함으로써 상기 원소를 도입할 수도 있다. It should be noted that the metal carbide layer may comprise nitrogen. The introduction of nitrogen into the metal carbide layer may be possible by performing sputtering with a mixed gas comprising nitrogen gas as the sputtering gas in the formation of the metal carbide layer, or instead of using the mixed gas described above and using nitrogen instead. The element can also be introduced by using a contained target.

더욱이, 본 발명에 따른 금속 카바이드 층(MeC)은 가능한 산소를 적게 포함함으로써, 수지 필름과의 접착력 및 차광능을 높이는 것이 바람직하다. 그러나, 타겟에 포함된 산소 또는 스퍼트링 챔버(sputtering chamber)에 잔존하는 산소가 금속성, 우수한 차광능 및 수지 필름에의 우수한 접착력을 해하지 않는 수준으로, 금속층의 일부 또는 전체에 유입되어 포함될 수 있다.Furthermore, it is preferable that the metal carbide layer (MeC) according to the present invention contain as little oxygen as possible, thereby increasing the adhesion to the resin film and the light shielding ability. However, oxygen contained in the target or oxygen remaining in the sputtering chamber may be introduced into a part or the whole of the metal layer at a level that does not impair the metallicity, the excellent light shielding ability, and the excellent adhesion to the resin film.

이와 같이 불가피하게 금속 카바이드 층(MeC)에 포함된 산소의 함량은 총 금속원소(Me)에 대한 산소(O)의 원자수비(O/Me)가 0.5 이하일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 0.1 이하일 수 있다. 총 금속원소(Me)에 대한 산소(O)의 원자수비(O/Me)가 0.5를 초과하는 함량으로 산소가 포함되면, 380 내지 780 nm의 파장 범위에서 투과율이 증가(광 밀도 감소)되고, 차광능을 충분히 발휘할 수 없기 때문이다. 총 금속원소(Me)에 대한 산소(O)의 원자수비(O/Me)가 0.5 미만이면, 박막의 두께가 110 내지 400 nm 이라도 차광능이 충분히 발휘될 수 있어서 제조비용을 감소시킬 수 있다. 그러나, 원자수비가 0.5를 초과하고 0.8 이하이면, 좀 더 두꺼운 400 내지 550 nm의 필름을 사용하여 충분한 차광능을 얻을 수 있다.As such, the content of oxygen contained in the metal carbide layer (MeC) may be an atomic ratio (O / Me) of oxygen (O) to the total metal element (Me) of 0.5 or less, more preferably 0.1 or less. have. When oxygen is included in the content of the atomic ratio (O / Me) of oxygen (O) to the total metal element (Me) of more than 0.5, the transmittance is increased (reduced optical density) in the wavelength range of 380 to 780 nm, This is because the light shielding ability cannot be sufficiently exhibited. When the atomic ratio (O / Me) of oxygen (O) to the total metal element (Me) is less than 0.5, even if the thickness of the thin film is 110 to 400 nm, the light shielding ability can be sufficiently exhibited, thereby reducing the manufacturing cost. However, if the atomic ratio exceeds 0.5 and is 0.8 or less, sufficient light shielding ability can be obtained by using a thicker 400 to 550 nm film.

금속 카바이드 층에 포함된 원자수비(O/Me)는 예를 들어, XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)에 의해 측정될 수 있다. 층의 최외면에 더 많은 산소 원자가 결합되어 있기 때문에, 진공 상태에서 스퍼터링에 의해 20 내지 30 nm의 표면층을 제거한 후에 측정함으로써, 층에 포함된 원자수비(O/Me) 를 정량화할 수 있다.The atomic ratio (O / Me) included in the metal carbide layer can be measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), for example. Since more oxygen atoms are bonded to the outermost surface of the layer, the atomic ratio (O / Me) contained in the layer can be quantified by measuring after removing the surface layer of 20 to 30 nm by sputtering in a vacuum state.

본 발명에 따른 내열 차광 필름의 금속 카바이드 층은 서로 다른 조성(금속 원소의 함량 및 종류, 탄소 함량, 질소 함량, 산소 함량)을 갖는 여러 유형의 금속 카바이드 층으로 이루어진 적층 구조로 이루어질 수 있다. 다른 광 상수를 가지는 복수의 금속 카바이드 층을 적층하면, 광 간섭 효과를 유도할 수 있으며, 반사 특성을 제어할 수 있다.The metal carbide layer of the heat-resistant light-shielding film according to the present invention may have a laminated structure composed of various types of metal carbide layers having different compositions (content and type of metal element, carbon content, nitrogen content, oxygen content). By stacking a plurality of metal carbide layers having different light constants, an optical interference effect can be induced and reflection characteristics can be controlled.

본 발명에 따른 차광 필름은 본 발명의 특징을 해하지 않는 한, 상기 금속 카바이드 층의 표면에 윤활성 및 마모성이 낮은 기타 박층(thin layer: 예를 들어, 불소-함유 유기층)을 코팅하여 사용할 수 있다. The light-shielding film according to the present invention can be used by coating other thin layers (for example, fluorine-containing organic layers) having low lubricity and wearability on the surface of the metal carbide layer, so long as the features of the present invention are not impaired.

2.2. 내열 차광 필름의 제조방법Manufacturing method of heat resistant light shielding film

본 발명은, 155℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재(A) 및 상기 수지 필름 기재(A)의 일면 또는 양면에 형성된 차광층(B)으로서 결정성 금속 카바이드 층(MeC)을 포함하는 내열 차광 필름을 제조하는 방법으로서, 표면 거칠기가 0.2 내지 2.2 ㎛(산술 평균 높이 Ra)인 내열성 수지 필름 기재(A)를 스퍼터링 장치에 공급하는 단계; 및 불활성 가스 분위기에서 금속 카바이드 타겟을 사용하여 스퍼터링법에 의해, 상기 수지 필름 기재(A) 상에 두께가 100 nm 이상이고, 표면 거칠기가 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이며, 금속 카바이드 층(MeC)의 탄소 원소(C) 함량은 전체 금속 원소량에 대한 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 결정성 금속 카바이드 층(MeC)을 형성하는 단계;를 포함하는 내열 차광 필름의 제조방법에 관한 것이다.The heat-resistant light-shielding film which comprises the crystalline metal carbide layer (MeC) as a light-shielding layer (B) formed in the resin film base material (A) which has heat resistance of 155 degreeC or more, and the resin film base material (A) on one side or both surfaces. A method of producing a method comprising the steps of: supplying a heat resistant resin film base material (A) having a surface roughness of 0.2 to 2.2 mu m (arithmetic mean height Ra) to a sputtering apparatus; And a thickness of 100 nm or more, a surface roughness of 0.1 to 2.1 µm (arithmetic mean height Ra) on the resin film substrate A, by sputtering using a metal carbide target in an inert gas atmosphere, and a metal carbide layer The carbon element (C) content of (MeC) is a method for producing a heat-resistant light-shielding film comprising a step of forming a crystalline metal carbide layer (MeC) having an atomic ratio (C / Me) to 0.3 or more of the total amount of metal elements It is about.

금속 카바이드 층을 형성하는 방법은 바람직하게는 CVD 및 PVD와 같은 가스상 합성(gas phase synthesis)일 수 있다. 이 중에서도, 스퍼터링법과 이온 주입법(ion plating method)은 품질이 우수하고 조밀한 필름을 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 형성할 수 있기 때문에, 산업적으로 더욱 바람직하다. 스퍼터링법 또는 이온 주입법에 의해 형성된 층은 잉크 코팅법 또는 진공 증착법에 의해 형성된 층에 비해 더 조밀한 구조로 이루어져 있으며, 이에 따라 하부층(기재 및 필름층)에의 결합력이 우수하다.The method of forming the metal carbide layer may preferably be gas phase synthesis such as CVD and PVD. Among these, the sputtering method and the ion plating method are more industrially preferable because they can form a uniform and dense film uniformly over a wide area. The layer formed by the sputtering method or the ion implantation method has a more dense structure than the layer formed by the ink coating method or the vacuum deposition method, and thus the bonding force to the lower layer (substrate and film layer) is excellent.

이러한 특성은 내열 차광 필름이 155 내지 300℃의 고온 환경에서 사용될 때 더욱 부각된다. 상기 필름을 잉크 코팅법에 의해 형성하는 경우, 층의 산화에 의한 탈리 및 변색 등이 관찰된다. 반대로, 본 발명에 따른 스퍼터링법에 의해 형성된 층은 이러한 문제점들이 거의 발생하지 않는다.This property is further highlighted when the heat resistant light shielding film is used in a high temperature environment of 155 to 300 ° C. When the film is formed by the ink coating method, detachment and discoloration due to oxidation of the layer are observed. In contrast, the layer formed by the sputtering method according to the present invention hardly causes these problems.

상기 스퍼터링법은 증기압이 낮은 물질층을 기재 상에 형성하거나 정밀한 층의 두께 조절이 요구되는 경우에, 효율적인 박막 형성 방법이다. 이 방법은 일반적으로, 기재를 애노드(anode)으로 하고, 막의 원료가 되는 스퍼터링 타겟을 캐소드(cathode)으로 하여 약 10 Pa 이하의 압력으로 아르곤 분위기하에서 스퍼터링하면, 전극들 사이에 글로우(glow) 방전이 유발되어 아르곤 플라즈마가 발생하고, 상 기 플라즈마 내의 아르곤 양이온이 캐소드의 스퍼터링 타겟에 충돌함으로써, 스퍼터링 타겟 성분 입자가 비산되어 기재 상에 적층된다.The sputtering method is an efficient thin film formation method when a low vapor pressure material layer is formed on a substrate or precise thickness control is required. This method is generally a glow discharge between the electrodes when the substrate is used as an anode, and the sputtering target, which is a raw material for the film, is used as a cathode, and sputtered in an argon atmosphere at a pressure of about 10 Pa or less. This causes an argon plasma to be generated, and the argon cations in the plasma collide with the sputtering target of the cathode, whereby the sputtering target component particles are scattered and deposited on the substrate.

스퍼터링법은 아르곤 플라즈마의 발생 방법에 따라 고주파 플라즈마를 사용한 고주파(RF) 스퍼터링법과, DC 플라즈마를 이용한 직류 스퍼터링법, 및 마그네트론 스퍼터링법으로 분류될 수 있고, 마그네트론 스퍼터링법은 스퍼터링 타겟의 이면에 자석을 배치하여 아르곤 플라즈마를 스퍼터링 타겟 상에 집중시켜, 낮은 가스압에서도 아르곤 이온의 충돌 효율을 높인 방법이다.The sputtering method can be classified into high frequency (RF) sputtering method using high frequency plasma, DC sputtering method using DC plasma, and magnetron sputtering method according to the generation method of argon plasma. By arranging argon plasma on a sputtering target, the argon ion collision efficiency is improved even at low gas pressure.

스퍼터링법에 의해 금속 카바이드 층을 제조하는 방법에는 여러가지가 있다. 한 가지 방법은 금속 카바이드를 타겟으로 사용하는 것이고, 다른 방법은 금속을 타겟으로 하고, 탄소원으로서 탄화수소 가스 등을 스퍼터링 가스에 도입함으로써 스퍼터링에 의해 층을 형성하는 방법이다. 또한, 금속 타겟과 탄소 타겟을 동시에 사용하여, 기재 상에 금속 원소 및 탄소 원소를 적층함으로써 층을 형성할 수 있다. 이 중에서도 금속 카바이드를 타겟으로 하는 것이 간단하면서도 바람직한 바, 이는 층의 조성 및 특성이 안정적이고, 스퍼터링에 의한 층 형성을 순수 아르곤 가스 분위기에서 수행할 수 있기 때문이다. There are many methods for producing the metal carbide layer by the sputtering method. One method is to use metal carbide as a target, and the other is to target metal and form a layer by sputtering by introducing a hydrocarbon gas or the like into the sputtering gas as a carbon source. Moreover, a layer can be formed by laminating a metal element and a carbon element on a base material simultaneously using a metal target and a carbon target. Among these, it is simple and preferable to target metal carbide because the composition and properties of the layer are stable and the layer formation by sputtering can be performed in a pure argon gas atmosphere.

금속 카바이드 층은, 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같은 릴 장착형 스퍼터링 장치(reel-equipped style sputtering unit)에 의해 상기 수지 필름상에 형성될 수 있다. 이러한 장치는, 롤 형태의 수지 필름 기재(1)를 권출형 롤(5)에 셋팅하고, 층 형성 챔버인 진공 챔버(7) 내 함유물을 터보 몰리큘라 펌프 등의 진공 펌프(6)로 배기한 후, 권출형 롤(5)로부터 이송된 필름(1)이 냉각 캔 롤(8)의 표면을 통과하여, 권취형 롤(9)에 감기는 구조로 이루어져 있다. 마그네트론 캐소드(10)가 냉각 캔 롤(8)의 표면을 대면하도록 설치되고, 상기 캐소드는 막의 원료가 되는 타겟(11)이 구비되어 있다. 권출형 롤(5), 냉각 캔 롤(8), 및 권취형 롤(9) 등으로 이루어진 필름 이송부는 배리어(12)에 의해 마그네트론 캐소드(10)와 격리되어 있다.The metal carbide layer can be formed on the resin film by, for example, a reel-equipped style sputtering unit as shown in FIG. 3. This apparatus sets the roll-shaped resin film base material 1 to the unwinding roll 5, and exhausts the contents of the vacuum chamber 7 which is a layer forming chamber to a vacuum pump 6 such as a turbo molecular pump. Then, the film 1 conveyed from the unwinding roll 5 passes through the surface of the cooling can roll 8, and consists of a structure wound around the unwinding roll 9. The magnetron cathode 10 is provided to face the surface of the cooling can roll 8, and the cathode is provided with a target 11 serving as a raw material of the film. The film conveying part which consists of the unwinding roll 5, the cooling can roll 8, the winding roll 9, etc. is isolate | separated from the magnetron cathode 10 by the barrier 12. As shown in FIG.

우선, 롤 형태의 수지 필름 기재(1)를 권출형 롤(5)에 세팅하고, 터보 몰리큘라 펌프 등의 진공 펌프(6)로 진공 챔버(7) 내를 배기한다. 그런 다음, 권출형 롤(5)로부터 공급된 수지 필름 기재(1)가 경로 상에 있는 냉각 캔 롤(8)의 표면을 거쳐 권취형 롤(9)에 감기는 것으로 이루어져 있고, 그 동안 냉각 캔 롤(8)과 캐소드 사이에 방전이 일어나고, 냉각 캔 롤의 표면과 가깝게 접촉되도록 이송되었을 때 수지 필름 기재(1) 상에 막이 형성된다. 수지 필름 기재(1)는 스퍼터링 전에 유리 전이 온도 정도로 가열하여, 건조하는 것이 바람직하다.First, the resin film base material 1 of a roll form is set to the unwinding roll 5, and the inside of the vacuum chamber 7 is evacuated with the vacuum pump 6, such as a turbo molecular pump. Then, the resin film base material 1 supplied from the unwinding roll 5 is wound around the winding-type roll 9 via the surface of the cooling can roll 8 on the path, during which the cooling can A discharge occurs between the roll 8 and the cathode, and a film is formed on the resin film base material 1 when it is transported to be in close contact with the surface of the cooling can roll. It is preferable to heat and dry the resin film base material 1 about glass transition temperature before sputtering.

본 발명에 따른 내열 차광 필름에서, 상기 금속 카바이드 층은, 예를 들어, 아르곤 분위기에서 금속 카바이드를 스퍼터링 타겟으로 하여, DC 마그네트론 스퍼터링법을 통해 수지 필름 기재 상에 형성될 수 있다. In the heat resistant light shielding film according to the present invention, the metal carbide layer may be formed on the resin film substrate through DC magnetron sputtering, for example, using metal carbide as a sputtering target in an argon atmosphere.

상기 수지 필름 기재 상에 형성된 차광층으로서의 금속 카바이드 필름은 상기 언급한 바와 같이 결정성 필름이다. 상기 금속 카바이드 필름(MeC)은 금속 원소(Me)의 결정에 탄소가 침투하여 형성한 물질이기 때문에, 금속 원소(Me)로 이루어진 금속층과 비교하여 결정화되기가 더 어렵다. 또한, 금속 원소(Me) 결정에 탄소가 침투하면, 각 원소들 사이의 결합이 더욱 공유 특성을 가지도록 만들어, 이로 인해 탄소를 포함하지 않는 금속 결합으로 이루어진 금속 물질과 비교하여 결정화가 더 어렵게 된다. 우수한 내열성을 발휘하는 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 층은 특히 결정화되기 어렵다.The metal carbide film as the light shielding layer formed on the resin film substrate is a crystalline film as mentioned above. Since the metal carbide film MeC is a material formed by infiltrating carbon into the crystal of the metal element Me, it is more difficult to crystallize compared to the metal layer made of the metal element Me. In addition, the penetration of carbon into the metal element (Me) crystals makes the bonds between the elements more covalent, which makes crystallization more difficult compared to metallic materials consisting of metal bonds that do not contain carbon. . A layer having an atomic ratio (C / Me) of 0.3 or more that exhibits excellent heat resistance is particularly difficult to crystallize.

또한, 박막에서의 결정 성장은 기재의 종류 및 표면 형상에 좌우된다. 금속 카바이드 층과 같은 무기층이 성장하면, 금속 산화층과 같은 무기 기재 상보다 유기 기재 상에 결정화도가 우수한 층을 형성하기 어렵다. 더욱이, 기재에 도달한 스퍼터링 입자는, 기재 표면의 평평도(flatness)가 커질수록 이동에 의해 더욱 쉽게 결정 내에 배향될 수 있다. 그러나, 본 발명에서와 같이 기재의 표면에 큰 요철 구조가 생성된 경우에는, 스퍼터링된 입자가 이동에 의해 결정 배향하기 어려워, 우수한 결정성을 가진 박막을 형성하기 어렵다.In addition, crystal growth in the thin film depends on the type and the surface shape of the substrate. When an inorganic layer such as a metal carbide layer grows, it is difficult to form a layer having better crystallinity on an organic substrate than on an inorganic substrate such as a metal oxide layer. Furthermore, sputtered particles that reach the substrate can be more easily oriented in the crystal by movement as the flatness of the substrate surface increases. However, when a large uneven structure is produced on the surface of the substrate as in the present invention, it is difficult for the sputtered particles to crystallize by movement, making it difficult to form a thin film having excellent crystallinity.

큰 크기의 요철이 형성된 내열 수지 필름의 표면에 결정화도가 우수하고 조밀한 금속 카바이드 층이 형성되는지 여부에 따라 본 발명에서와 같은 내열성 및 내구성이 우수한 내열 차광 필름이 구현될 수 있다.The heat-resistant light-shielding film having excellent heat resistance and durability as in the present invention may be realized depending on whether a metal carbide layer having excellent crystallinity and a dense metal carbide layer is formed on the surface of the heat-resistant resin film having large irregularities.

본 발명에서, 큰 크기의 요철이 형성된 내열 수지 필름의 표면에, 금속 카바이드를 타겟으로, 스퍼터링법에 의해 결정화도가 우수한 조밀한 금속 카바이드 층을 형성하기 위해서는, 층 형성 과정에서 스퍼터링 가스 압력과 필름 표면의 온도가 특히 중요하다. In the present invention, in order to form a dense metal carbide layer having excellent crystallinity by sputtering method on the surface of the heat-resistant resin film having a large unevenness, sputtering gas pressure and film surface during the layer formation process The temperature of is especially important.

스퍼터링을 통해 층을 형성함에 있어서, 층은 일반적으로 10 Pa 이하의 가스압 하에서 불활성 가스를 사용하여 생성된 플라스마에 의해 형성될 수 있으나, 내열 차광 필름의 차광층으로 사용할 결정화도가 우수한 금속 카바이드 층을 형성하 기 위해서는, 바람직하게는 소정의 가스압 하에서 제조될 수 있다. 결정성이 우수한 금속 카바이드 층을 형성하기 위한 가스압은, 장치 타입 등에 따라 달라지기 때문에 단정적으로 규정할 수는 없으나, 바람직하게 1.0 Pa 이하, 예를 들어 0.2 내지 1.0 Pa일 수 있다. 이러한 가스압 하에서, 기재(수지 필름)에 도달한 스퍼터링 입자는 에너지가 높기 때문에, 결정성 금속 카바이드 층이 내열 수지 필름 기재 상에 형성되며, 필름과 수지 필름 사이에 강한 접착력을 나타낼 수 있다. In forming the layer through sputtering, the layer may be formed by plasma generated using an inert gas, generally under a gas pressure of 10 Pa or less, but forms a metal carbide layer having excellent crystallinity for use as a light shielding layer of a heat resistant light shielding film. In order to achieve this, it can be produced under a predetermined gas pressure. The gas pressure for forming the metal carbide layer having excellent crystallinity cannot be determined as a matter of dependence on the device type or the like, but may preferably be 1.0 Pa or less, for example, 0.2 to 1.0 Pa. Under such gas pressure, the sputtered particles reaching the substrate (resin film) have high energy, so that a crystalline metal carbide layer is formed on the heat resistant resin film substrate, and can exhibit strong adhesion between the film and the resin film.

그 결과, 매팅 처리시 사용된 미량의 쇼트재가 수지 필름 기재 상에 잔존하더라도, 쇼트재와 금속 카바이드 층 사이의 열 확장 계수의 차이에 상관없이, 예를 들어 155 내지 300℃의 고온 환경에서 층의 탈리를 방지할 수 있다. 가스압이 0.2 Pa 미만이면, 가스압이 너무 낮아서 아르곤 플라즈마가 불안정하게 되는 바, 생성된 층의 품질이 떨어진다. 또한, 되튄 아르곤(recoil argon) 입자는 기재 상에 증착된 필름을 다시 스퍼터링하여, 조밀한 층의 형성을 억제하기 쉽다. 또한, 필름 형성 과정에서 가스압이 1.0 Pa을 초과하면, 기재 상에 도달한 스퍼터링한 입자들의 에너지가 너무 낮기 때문에, 결정층이 성정하기 어려워 금속 카바이드 층의 입자가 거칠어지고, 밀도 및 결정성이 낮아질 수 있다. 이 경우, 수지 필름 기재와의 결합력이 약해져 층의 탈리를 유발할 수 있다. 이러한 층은 내열 용도로 사용되는 차광층으로 사용될 수 없게 된다.As a result, even if a small amount of the short material used in the matting treatment remains on the resin film substrate, regardless of the difference in thermal expansion coefficient between the short material and the metal carbide layer, for example, in the high temperature environment of 155 to 300 캜, Desorption can be prevented. If the gas pressure is less than 0.2 Pa, the gas pressure is so low that the argon plasma becomes unstable, resulting in poor quality of the layer produced. Recoil argon particles also sputter the film deposited on the substrate again, making it easy to suppress the formation of a dense layer. In addition, if the gas pressure exceeds 1.0 Pa during the film formation, the energy of the sputtered particles reaching the substrate is too low, so that the crystal layer is difficult to establish, resulting in coarse grains of the metal carbide layer, and low density and crystallinity. Can be. In this case, the bonding force with the resin film base material becomes weak, which may cause the layer to detach. Such a layer may not be used as a light shielding layer used for heat resistance purposes.

층 형성 과정에서 필름 표면의 온도는 금속 카바이드 층의 결정성에 영향을 미친다. 필름 표면의 온도가 상승함에 따라, 스퍼터링된 입자의 결정 배향이 용이해지고, 결정화도는 더욱 우수하게 된다. 그러나, 가열될 수 있는 내열 수지 필름 의 온도는 한계가 있으며, 가장 내열성이 우수한 필름 중 하나인 폴리이미드 필름의 경우에도 400℃ 이하의 표면 온도에서 층을 형성할 수 있다. 이러한 조건에서, 상기 수지 필름에 우수한 결합력을 나타내는 금속 카바이드 층을 제조할 수 있다. 따라서, 고온 환경에서 사용될 수 있는 내열 차광 필름을 형성하는 경우, 표면 온도는 특히 중요하다. 층을 형성하는데 있어서, 최적의 표면 온도는 필름 기재의 종류에 따라 변화하기 때문에 단정할 수 없으나, 예를 들면 바람직하게 155℃ 이상으로 하여, 100 내지 155℃ 조건에서 사용할 내열 차광 필름을 형성할 수 있다.The temperature of the film surface during layer formation affects the crystallinity of the metal carbide layer. As the temperature of the film surface rises, the crystallographic orientation of the sputtered particles becomes easy, and the degree of crystallinity becomes more excellent. However, the temperature of the heat-resistant resin film that can be heated is limited, even in the case of a polyimide film, which is one of the films having the most heat resistance, it is possible to form a layer at a surface temperature of 400 ° C or less. Under these conditions, it is possible to produce a metal carbide layer exhibiting excellent bonding force to the resin film. Therefore, when forming a heat resistant light shielding film that can be used in a high temperature environment, the surface temperature is particularly important. In forming the layer, since the optimum surface temperature varies depending on the type of film substrate, it cannot be determined. For example, preferably, the heat-resistant light-shielding film to be used under the conditions of 100 to 155 ° C. can be formed. have.

이를 통해, 조밀하고, 수지 필름 기재에의 결합력 및 결정화도가 우수한 금속 카바이드 층으로 이루어진 내열 차광 필름을 100 내지 155℃의 조건에서도 형성할 수 있다. 이 경우, 당연히 155℃ 이상의 내열성을 보유한 수지 필름이 사용된다. 또한, 155℃ 이상의 온도, 특히 약 200 내지 300℃의 고온 환경에서 사용되는 내열 차광 필름을 제조하기 위해서, 필름 표면의 온도는 바람직하게 180 내지 220℃, 또는 220℃ 이상의 고온인 것이 바람직하며, 상기 수지 필름 기재의 온도는 동일하거나 또는 더 낮을 수 있다. 이러한 조건하에서, 조밀한 층 특성과 200℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재에 대해 우수한 결합력을 가진 내열 차광 필름을 얻을 수 있다. Thereby, the heat-resistant light-shielding film which consists of a metal carbide layer which is dense and excellent in the bonding force to a resin film base material, and excellent in crystallinity can be formed also in the conditions of 100-155 degreeC. In this case, of course, a resin film having heat resistance of 155 ° C or higher is used. In addition, in order to produce a heat-resistant light-shielding film used in a high temperature environment of 155 ° C. or higher, particularly about 200 to 300 ° C., the temperature of the film surface is preferably 180 to 220 ° C., or high temperature of 220 ° C. or higher. The temperature of the resin film substrate may be the same or lower. Under these conditions, a heat-resistant light-shielding film having excellent bonding strength to a resin film substrate having dense layer properties and heat resistance of 200 ° C. or higher can be obtained.

그러나, 이와 관련하여, 상온 내지 130℃의 온도에서 사용되는 차광 필름을 얻기 위해서, 표면 온도가 50 내지 100℃이면 충분하다. 그러나, 결정성 금속 카바이드 층은 50 내지 100℃의 필름 표면 온도에서는 특히 어렵고, 0.2 내지 1.0 Pa의 스퍼터링 가스압 하에서 층을 형성하는 것이 절대 필수적이다. 이러한 조건 하 에서, 수지 필름 기재에의 접착력이 우수한 금속 카바이드 층으로 이루어진 내열 차광 필름은 상온 내지 130℃의 환경에서도 얻을 수 있다.However, in this connection, in order to obtain the light shielding film used at the temperature of normal temperature-130 degreeC, if surface temperature is 50-100 degreeC, it is enough. However, the crystalline metal carbide layer is particularly difficult at film surface temperatures of 50 to 100 ° C., and it is absolutely essential to form the layer under a sputtering gas pressure of 0.2 to 1.0 Pa. Under these conditions, a heat resistant light shielding film made of a metal carbide layer having excellent adhesion to a resin film substrate can be obtained even in an environment of normal temperature to 130 ° C.

상기 수지 필름은 층 형성시, 플라스마에 의해 자연스럽게 가열될 수 있다. 타겟에서 기재로 흐르는 입사된 열전자 및 플라스마로부터의 조사열(radiated heat)에 의해, 또한 가스압, 타겟에 공급되는 전력, 필름 이송 속도 등을 조절하여, 상기 수지 필름 기재 표면의 온도를 155 내지 220℃로 용이하게 유지할 수 있다. 가스압이 감소하거나, 타겟에 공급되는 전력이 높거나 또는 필름 이송 속도가 감소함에 따라 플라스마에 의한 자연 가열 효과는 증가할 수 있다. 층 형성시에 필름이 냉각 캔에 접촉하는 경우에도, 자연 가열 효과에 의해 수지 필름 표면의 온도는 냉각 캔의 온도보다 높다. 반면에, 도 3의 장치에서 냉각 캔에 의해 냉각되면서 필름이 이송되는 바, 자연 가열된 필름 표면의 온도는 냉각 캔의 온도에 매우 의존적이다. 층 형성시에 자연 가열 효과를 최대한 이용하기 위해서는 냉각 캔의 온도를 높이고, 이송속도를 감소시키는 것이 효과적이다. The resin film may be naturally heated by plasma at the time of layer formation. Radiated heat from plasma and incident hot electrons flowing from the target to the substrate, the gas pressure, the power supplied to the target, the film feed rate, etc. are adjusted to adjust the temperature of the surface of the resin film substrate to 155 to 220 ° C. Can be easily maintained. The natural heating effect by plasma may increase as the gas pressure decreases, the power supplied to the target is high, or the film feed rate decreases. Even when a film contacts a cooling can at the time of layer formation, the temperature of a resin film surface is higher than the temperature of a cooling can by a natural heating effect. On the other hand, as the film is conveyed while being cooled by the cooling can in the apparatus of FIG. 3, the temperature of the naturally heated film surface is very dependent on the temperature of the cooling can. In order to make the most of the natural heating effect in forming the layer, it is effective to increase the temperature of the cooling can and to reduce the feeding speed.

금속 카바이드 층의 두께는 필름 이송 속도 및 타겟에 공급되는 전력에 의해 조절될 수 있으며, 필름 이송 속도가 느릴수록, 타겟에 공급되는 전력이 커질수록 두꺼워진다.The thickness of the metal carbide layer can be controlled by the film feed rate and the power supplied to the target, and the slower the film feed rate, the thicker the power supplied to the target.

추가적으로, 도 4에 나타낸 장치는 상기 언급한 장치와 다른 필름 이송 시스템으로 이루어져 있다. 이 장치는 냉각 캔으로 필름을 냉각하지 않고 스퍼터링하는 층 형성법(유동법: floating method)을 적용하기 때문에 자연 가열 효과를 효과적으로 이용할 수 있다. 이러한 방법에서, 상기 필름은 타겟으로부터 떨어져 위치 하는 2 개의 지지용 롤(13)에 의해 지지되며, 타겟(11)과 대면하는 필름 기재는 배면의 냉각 없이 층 형성용 챔버(진공조; 7) 내에서 부유하는 동안 스퍼터링된다. 층 형성용 챔버는 진공으로 유지되고, 타겟 및 플라즈마로부터 방출되고 필름 상에 축적된 열은 거의 방출되지 않으므로, 필름을 효과적으로 가열할 수 있으며, 실제 270℃ 이상의 자연 가열 효과도 용이하게 실현할 수 있다.In addition, the apparatus shown in FIG. 4 consists of a film conveying system different from the above-mentioned apparatus. The device applies a layer forming method (floating method) that sputters the film without cooling the film with a cooling can, thereby effectively utilizing the natural heating effect. In this way, the film is supported by two supporting rolls 13 positioned away from the target, and the film substrate facing the target 11 is in the layer forming chamber (vacuum bath) 7 without cooling the rear surface. Sputtered while suspended at The layer forming chamber is kept in vacuum, and little heat released from the target and plasma and accumulated on the film can be effectively heated, and a natural heating effect of 270 ° C. or more can be easily realized.

층 형성시에 기재 표면의 온도는 방사온도계(radiation thermometer)로 측정할 수 있다. 또한, 필름 표면에 써모라벨(thermolabel)을 부착하고 층 형성 후에 라벨의 색깔 변화를 관찰함으로써 온도를 측정할 수 있다.The temperature of the substrate surface at the time of layer formation can be measured by a radiation thermometer. In addition, the temperature can be measured by attaching a thermolabel to the film surface and observing the color change of the label after layer formation.

이상 설명한 바에 따라, 수지 필름 기재의 일면에 접착력이 우수한 금속 카바이드 층이 형성된 내열 차광 필름을 제조할 수 있다. 상기 제조된 내열 차광 필름을 순차적으로 동일한 방법으로 상기 스퍼터링 장치에 공급하여 수지 필름 기재의 후면에 스퍼터링으로 금속 카바이드 층을 형성함으로써, 양면에 금속 카바이드 층을 형성한 내열 차광 필름 역시 제조할 수 있다.As described above, a heat resistant light shielding film having a metal carbide layer having excellent adhesion on one surface of the resin film substrate can be produced. The heat-resistant light-shielding film in which the metal carbide layer is formed on both surfaces thereof may also be manufactured by supplying the manufactured heat-resistant light-shielding film to the sputtering apparatus in the same manner sequentially to form a metal carbide layer by sputtering on the rear surface of the resin film substrate.

또한, 예시적으로 릴 장착 스퍼터링 장치에 의해 연속 공정으로 금속 카바이드 층을 형성하는 방법에 관하여 상술하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 층 형성시 필름 기재를 이동시키지 않는 배취식(batch style) 방법이 적용될 수 있다. 그러나, 이 경우에는 가스 분위기를 바꾸고, 필름 이송/정지와 같은 조작이 추가되므로 층 형성 과정이 번잡해진다. 또한, 상기 기재 필름은 반드시 롤 형상으로 만들 필요는 없으며, 소정의 크기로 절단한 후 장치 내에 고정할 수도 있다.Further, by way of example, a method of forming a metal carbide layer in a continuous process by a reel mounting sputtering apparatus has been described above, but the present invention is not limited thereto. For example, a batch style method may be applied that does not move the film substrate during layer formation. However, in this case, the process of forming the layer is complicated because the operation of the film is changed and the operation such as film transfer / stop is added. In addition, the base film does not necessarily have to be roll-shaped, and may be fixed in the apparatus after cutting to a predetermined size.

3. 3. 내열 차광 필름의 용도Use of heat resistant light shielding film

상기 제조방법에 의해 제조된 본 발명에 따른 내열 차광 필름은 단면 크랙이 생기지 않는 방법으로 소정의 형상으로 천공(punch) 가공할 수 있으며, 고정 조리개 또는 디지털 카메라 또는 디지털 비디오 카메라용 기계적 셔터 블레이드, 특정량의 광만을 통과시키는 조리개(iris) 또는 액정 프로젝터의 광량 조정 장치용 조리개 블레이드(auto-iris) 용으로 사용할 수 있다.Heat-resistant light-shielding film according to the present invention produced by the manufacturing method can be punched (punch) to a predetermined shape in a way that no cross-sectional crack, fixed shutter or mechanical shutter blade for a digital camera or digital video camera, specific It can be used for an iris for passing only a quantity of light or for an auto-iris for a light amount adjusting device of a liquid crystal projector.

특히, 차량 내부 디지털 비디오 카메라용 렌즈 장치에 사용되는 고정 조리개는 여름에 태양광에 의해 심하게 가열되며, 액정 프로젝터의 광도 조정 장치는 램프로부터 조사되는 열에 의해 극심하게 가열된다. 따라서, 본 발명에 따른 내열 차광 필름을 가공하여 제조되는 내열 차광능이 우수한 조리개 블레이드는 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 리플로(reflow) 공정 등과 같은 광학 부품 조립 공정을 적용하는 경우, 본 발명에 따른 내열 차광 필름을 가공하여 제조된 고정 조리개 및 기계식 셔터 블레이드는 가열 환경에서도 특성이 변화하지 않기 때문에 유용하게 사용될 수 있다. In particular, the fixed diaphragm used in the lens device for in-vehicle digital video cameras is severely heated by sunlight in summer, and the brightness adjusting device of the liquid crystal projector is extremely heated by heat radiated from the lamp. Therefore, an aperture blade having excellent heat shielding ability manufactured by processing the heat shielding film according to the present invention may be usefully used. In addition, in the case of applying an optical component assembly process such as a reflow process, the fixed aperture and the mechanical shutter blade manufactured by processing the heat-resistant light shielding film according to the present invention may be usefully used since the properties do not change even in a heating environment. Can be.

도 5는 천공에 의해 제조된 내열 차광 블레이드(14)를 탑재한 광도 조정 장치의 조리개 구조를 모식적으로 도시하고 있다. 내열 차광 블레이드(14)는 가이드 홀(guide hole: 15), 작동 모터에 연결된 가이드 핀(guide pin: 16), 및 홀(hole: 19)로 이루어져 있고, 홀(19)에 의해 블레이드의 작동시에 위치를 제어하는 핀(17)이 구비된 기판(18) 상에 블레이드가 장착된다. 또한, 기판(18)의 중앙에는 개 구(20)가 구비되어 있으며, 이를 통해 램프로부터 빛이 통과한다. 상기 차광 블레이드는 조리개 장치의 구조에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다. 수지 필름을 기재로 하고 있는 본 발명에 따른 내열 차광 필름을 사용한 블레이드는 무게를 감소시킬 수 있고, 그에 따라 차광 블레이드의 작동을 위한 작동부재의 소형화가 가능하며, 작동부재의 소비 전력을 줄일 수 있다. FIG. 5 schematically shows the diaphragm structure of the brightness adjusting device equipped with the heat-resistant light shielding blade 14 manufactured by drilling. The heat resistant shading blade 14 is composed of a guide hole 15, a guide pin 16 connected to an actuating motor, and a hole 19. The blade is mounted on a substrate 18 provided with a pin 17 to control the position. In addition, the opening 20 is provided at the center of the substrate 18, through which light passes from the lamp. The light blocking blade may have various shapes according to the structure of the aperture device. The blade using the heat-resistant light-shielding film according to the present invention based on the resin film can reduce the weight, thereby miniaturizing the operating member for the operation of the light-shielding blade, it is possible to reduce the power consumption of the operating member. .

[실시예]EXAMPLE

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 통해 상세히 설명한다. 제조된 내열 차광 필름에 대한 평가는 하기의 방법에 의해 이루어진다. Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples and comparative examples. Evaluation of the produced heat-resistant light-shielding film is made by the following method.

광 밀도(Optical density ( opticaloptical densitydensity ) 및 반사율() And reflectance ( reflectancereflectance ))

제조된 내열 차광 필름의 광 밀도 및 반사율은, 파장 380 nm ~ 780 nm의 가시영역에 대한 차광능 및 반사율(regular reflectance)을 분광 광도계를 사용하여 측정함으로써 결정하였다. 차광능의 지표로서 광 밀도는 분광광도계로 측정한 투과율(T)을 다음 식에 따라 환산하였다. The light density and reflectance of the produced heat-resistant light-shielding film were determined by measuring the light-shielding ability and regular reflectance of the visible region having a wavelength of 380 nm to 780 nm using a spectrophotometer. As an index of light shielding ability, the light density was converted from the transmittance T measured by a spectrophotometer according to the following equation.

광 밀도 = Log (1/T)Light Density = Log (1 / T)

광 밀도는 4 이상이어야 하고, 반사율의 최대값은 10% 이하이어야 한다. The light density should be at least 4 and the maximum value of the reflectance should be 10% or less.

표면 광택(surface gloss)Surface gloss

제조된 내열 차광 필름의 표면 광택은 광택도 측정기(gloss meter)로 JIS Z8741에 따라 측정하였다. 표면 광택도가 3% 미만일 때 표면 광택성이 우수한 것으로 고려된다.The surface gloss of the produced heat-resistant light-shielding film was measured in accordance with JIS Z8741 with a gloss meter. It is considered to be excellent in surface glossiness when the surface glossiness is less than 3%.

마찰 계수(friction coefficient)Friction coefficient

제조된 내열 차광 필름의 정지 마찰 계수 및 운동 마찰 계수는 JIS D1894에 따라 측정하였다. 정지 마찰 계수 및 운동 마찰 계수가 0.3 이하이면 양호한 것으로 평가하였다.The static friction coefficient and the kinetic friction coefficient of the manufactured heat resistant light shielding film were measured according to JIS D1894. If the static friction coefficient and the kinetic friction coefficient were 0.3 or less, it evaluated as favorable.

표면 거칠기(surface roughness)Surface roughness

제조된 내열 차광 필름의 산술 평균 높이 Ra를 표면 거칠기 측정기(Surfcom 570A, Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 제품)로 측정하였다. 필름의 표면 거칠기는 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이어야 한다. The arithmetic mean height Ra of the produced heat-resistant light-shielding film was measured by a surface roughness measuring instrument (Surfcom 570A, manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.). The surface roughness of the film should be 0.1 to 2.1 μm (arithmetic mean height Ra).

차광층의 결정화도(crystallinity)Crystallinity of Shading Layer

차광층의 결정화도는 X선 회절 장치에 의해 측정되었다. X'PertPROMPD (PANalytical Co., Ltd. 제품)을 이용하여 45 kV의 전압 및 40 mA의 전류에서 Cu Kα-ray을 사용한 광범위한 스팩트럼 측정 조건 하에서 측정하였다. 필름의 결정화도는 X선 회절 피크의 존재 여부로 평가하였다. 또한, 결정화도는 TEM에 의해 층의 단면을 관찰할 때 결정입자가 존재하는지 여부로 평가하였다.The crystallinity of the light shielding layer was measured by an X-ray diffraction apparatus. X'PertPROMPD (manufactured by PANalytical Co., Ltd.) was used to measure under a broad spectrum of measurement conditions using Cu Kα-rays at a voltage of 45 kV and a current of 40 mA. The crystallinity of the film was evaluated by the presence of X-ray diffraction peaks. In addition, the degree of crystallinity was evaluated by the presence or absence of crystal grains when observing the cross section of the layer by TEM.

차광층의 조성(composition)Composition of Shading Layer

차광층의 조성(원자수비 C/Me)은 XPS 및 EPMA(electron probe micro analyzer)를 통해 정량분석하여 측정하였다. 또한, 차광층의 산소량(원자수비 O/Me)은 XPS를 통해 정량적으로 분석하였다. XPS를 이용한 조성 분석은 진공에서 스퍼터링하여 20 내지 30 nm의 표면층을 제거한 후 수행하였다. 필름은 C/Me가 0.3 이상이어야 하고, O/Me가 0.5 이하이어야 한다. The composition of the light shielding layer (atomic ratio C / Me) was measured by quantitative analysis using XPS and electron probe micro analyzer (EPMA). In addition, the amount of oxygen (atomic ratio O / Me) of the light shielding layer was quantitatively analyzed through XPS. Composition analysis using XPS was performed after sputtering in vacuo to remove the surface layer of 20-30 nm. The film should have a C / Me of at least 0.3 and an O / Me of 0.5 or less.

내열성(heat resistance)Heat resistance

제조된 내열 차광 필름의 내열성을 하기의 과정에 의해 평가하였다. 제조된 내열 차광 필름을 세팅한 오븐(Advantech 제품)에 넣고, 24 시간 동안 앞서 설명한 가열 온도(130, 155 및 250℃)로 가열한 후 꺼냈다. 평가는 막의 변색이 없으면 양호(O), 막의 변색이 관찰되면 불충분(X)으로 하였다.The heat resistance of the manufactured heat resistant light shielding film was evaluated by the following procedure. The heat-resistant light-shielding film thus prepared was placed in an oven (manufactured by Advantech), heated for 24 hours to the aforementioned heating temperatures (130, 155, and 250 ° C), and then taken out. Evaluation was good (O) if there was no discoloration of the membrane, and insufficient (X) if discoloration of the membrane was observed.

접착성(adhesiveness)Adhesiveness

제조된 내열 차광 필름의 접착성은 JIS C0021에 따라 평가하였다. 평가는 막의 탈리(peel-off)가 발생하지 않으면 양호(O), 막의 탈리가 관찰되면 불충분(X)으로 하였다.The adhesiveness of the produced heat resistant light shielding film was evaluated according to JIS C0021. The evaluation was good (O) if no peel-off of the membrane occurred, and insufficient (X) if the detachment of the membrane was observed.

도전성(electroconductivity)Electroconductivity

제조된 내열 차광 필름의 도전성을 JIS K6911에 따라 평가하였다.The conductivity of the produced heat resistant light shielding film was evaluated according to JIS K6911.

[실시예 1]Example 1

도 3에 도시된 릴 장착 스퍼터링 장치를 사용하여 200℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재 상에 금속 카바이드 층을 형성하였다. 먼저, 막의 원료가 되는 타겟(11)을 냉각 캔 롤(8)의 표면에 대면하도록 장착된 마그네트론 캐소드(10) 상에 장착하였다. 권출형 롤(5), 냉각 캔 롤(8), 권취형 롤(9) 등으로 이루어진 필름 이송부는 격막(12)으로 마그네트론 캐소드(10)와 격리시켰다. 그런 다음, 롤 형태의 수지 필름 기재(1)를 권출형 롤(5)에 셋팅하였다. The metal carbide layer was formed on the resin film base material which has heat resistance of 200 degreeC or more using the reel mounting sputtering apparatus shown in FIG. First, the target 11 serving as the raw material of the film was mounted on the magnetron cathode 10 mounted to face the surface of the cooling can roll 8. The film conveying part which consists of the unwinding roll 5, the cooling can roll 8, the winding roll 9, etc. was isolate | separated from the magnetron cathode 10 by the diaphragm 12. As shown in FIG. Then, the roll-shaped resin film base material 1 was set to the unwinding roll 5.

수지 필름 기재로서 폴리이미드(PI) 필름은 75 ㎛의 두께를 갖고, 샌드 블라스팅으로 표면처리하여 표면에 산술 평균 높이가 0.5 ㎛인 미세 요철 구조가 형성되도록 하여 사용하였다. 이러한 폴리이미드 필름은 스퍼터링 전에 200℃ 이상의 온도로 가열하여 충분히 건조하였다.As the resin film base material, the polyimide (PI) film had a thickness of 75 μm and was surface treated by sand blasting so as to form a fine uneven structure having an arithmetic mean height of 0.5 μm on the surface. This polyimide film was heated to a temperature of 200 ° C. or higher before sputtering and dried sufficiently.

다음으로, 진공 챔버(7) 내 함유물을 터보 몰리큘라 펌프 등의 진공 펌프(6)로 배기한 후, 냉각 캔 롤(8)과 캐소드 사이에 방전을 발생시키고, 수지 필름 기재(1)를 냉각 캔 롤의 표면에 밀착하여 이송하면서 층을 형성하였다. 층을 형성하기 전 진공 챔버 내의 진공 정도는 2 x 10-4 Pa 이하였다.Next, after evacuating the contents in the vacuum chamber 7 with a vacuum pump 6 such as a turbo molecular pump, discharge is generated between the cooling can roll 8 and the cathode, and the resin film base material 1 is removed. The layer was formed while conveying in close contact with the surface of the cooling can roll. The degree of vacuum in the vacuum chamber before the formation of the layer was 2 × 10 −4 Pa or less.

먼저, 소결한 티타늄 카바이드 타겟(C/Ti의 원자수비: 0.8)을 캐소드 상에 설치하였고, DC 스퍼터링법에 의해 티타늄 카바이드 층을 형성하였다. 스퍼터링 가스로서 고순도 아르곤 가스(99.999%)를 사용하여 0.6 Pa 스퍼터링 가스압 하에서 티타늄 카바이드 층을 형성하였다. 티타늄 카바이드 층의 두께는 필름의 이송 속도 및 층 형성시 타겟에 투입된 전력을 제어함으로써 조절하였다. 권출형 롤(5)로부터 이송된 수지 필름 기재(1)는 냉각 캔 롤(8)의 표면을 거쳐 권취형 롤(9)에 의해 권취되었다.First, a sintered titanium carbide target (atom ratio of C / Ti: 0.8) was installed on the cathode, and a titanium carbide layer was formed by DC sputtering. A titanium carbide layer was formed under 0.6 Pa sputtering gas pressure using high purity argon gas (99.999%) as the sputtering gas. The thickness of the titanium carbide layer was adjusted by controlling the feed rate of the film and the power applied to the target during layer formation. The resin film base material 1 conveyed from the unwinding roll 5 was wound up by the winding-up roll 9 via the surface of the cooling can roll 8.

티타늄 카바이드 층을 스퍼터링시, 적외선 방사 온도계를 이용하여 릴 장착 스퍼터링 장치 내 석영 유리의 검사창(inspection window)을 통해 필름 표면의 온도를 측정하였으며, 온도는 200 내지 210℃이었다.When sputtering the titanium carbide layer, the temperature of the film surface was measured through an inspection window of quartz glass in a reel mounted sputtering apparatus using an infrared radiation thermometer, and the temperature was 200 to 210 ° C.

두께가 200 nm인 티타늄 카바이드 층을 75 ㎛ 두께의 폴리이미드(PI) 필름 양측에 형성하여 내열 차광 필름을 제조하였다. 폴리이미드(PI) 필름의 표면은 앞서 언급한 방전 시간, 방전압 및 이송 속도 조건에서 샌드 블라스팅에 의해 처리하여 양면에 0.5 ㎛의 산술 평균 높이 Ra로 미세한 요철구조를 형성하였다. 이러한 층 형성을 양면에 반복하여 폴리이미드 필름 기재의 중심-대칭성 구조를 갖는 차광층을 형성하였다. A titanium carbide layer having a thickness of 200 nm was formed on both sides of a 75 μm-thick polyimide (PI) film to prepare a heat resistant light-shielding film. The surface of the polyimide (PI) film was treated by sand blasting at the conditions of discharge time, discharge voltage and transfer speed mentioned above to form fine concavo-convex structures with arithmetic mean height Ra of 0.5 μm on both sides. This layer formation was repeated on both sides to form a light shielding layer having a center-symmetrical structure of the polyimide film substrate.

그런 다음, 이와 같이 제조된 내열 차광 필름을 앞서 언급한 방법으로 평가하였다. XPS 및 EPMA의 정량 분석 결과, 형성된 티타늄 카바이드 층의 구조는 타겟의 조성(C/Ti의 원자수비 0.8)과 동일한 것을 확인하였다. 또한, 층 내 산소량은 XPS 정량 분석으로부터 O/Me 원자수비가 0.3인 것을 확인하였다.Then, the heat-resistant light-shielding film thus prepared was evaluated by the aforementioned method. As a result of quantitative analysis of XPS and EPMA, it was confirmed that the structure of the formed titanium carbide layer was the same as the composition of the target (atom ratio of C / Ti of 0.8). In addition, the amount of oxygen in the layer confirmed that the O / Me atomic ratio was 0.3 from XPS quantitative analysis.

필름의 결정화도는 X선 회절로 측정하였으며, 도 6에 도시된 바와 같은 패턴이 얻어졌다. 상기 패턴들은 TiC 결정구조에 기인한 피크들을 나타내고, 우수한 결정화도를 나타내고 있음을 입증한다. 또한, TEM에 의해 층 단면을 관찰한 결과, 층은 결정입자로 이루어져 있음을 확인하였다.The crystallinity of the film was measured by X-ray diffraction, and a pattern as shown in FIG. 6 was obtained. The patterns demonstrate peaks due to the TiC crystal structure and demonstrate excellent crystallinity. In addition, when the cross section was observed by TEM, it was confirmed that the layer was composed of crystal grains.

또한, 가시 영역(380 내지 780 nm의 파장범위)에서의 광 밀도는 4 이상이었으며, 최대 반사율은 7%였다. 표면 광택도는 3% 미만이었다. 정지 마찰 계수 및 운동 마찰 계수는 0.3 이하로서 우수하였다. 또한, 표면 저항값은 98 Ω/□(ohm per square)이었으며, 표면의 산술 평균 높이 Ra는 0.4 ㎛이었다. In addition, the light density in the visible region (wavelength range of 380 to 780 nm) was 4 or more, and the maximum reflectance was 7%. Surface glossiness was less than 3%. The static friction coefficient and the kinetic friction coefficient were excellent as 0.3 or less. In addition, the surface resistance value was 98 ohms / square (ohm per square), and the arithmetic mean height Ra of the surface was 0.4 micrometer.

상기 내열 차광 필름은 가열 후에도 뒤틀림이나 변색이 발견되지 않았다. 층의 탈리 역시 발생하지 않았으며, 결합력도 우수하였다. 가열 후에도 차광능, 반사 특성, 표면 광택 및 마찰 계수에는 변화가 없었다. 이러한 평가 결과들을 표 1에 나타내었다.No distortion or discoloration was found in the heat-resistant light-shielding film even after heating. Desorption of the layer also did not occur, and the bonding strength was excellent. There was no change in the light shielding ability, the reflection characteristic, the surface gloss, and the friction coefficient after heating. These evaluation results are shown in Table 1.

상기 제조된 내열 차광 필름은 광 밀도, 표면 광택, 내열성, 마찰 계수 및 도전성 측면에서 모두 우수하였다. 따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다.The heat-resistant light-shielding film prepared above was excellent in terms of light density, surface gloss, heat resistance, coefficient of friction and conductivity. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[실시예 2]Example 2

스퍼터링시 필름 이송 속도를 변화시킴으로써 티타늄 카바이드 층의 두께를 110 nm로 하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1의 조건과 동일한 조건에서 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 1에서와 동일하였다. 스퍼터링 시작 전 진공 챔버 내의 진공 정도는 6 x 10-5 Pa 이하이었다. 차광층에서의 탄소량은 실시예 1과 동일하였다. 층의 산 소량을 XPS에 의해 정량 분석한 결과, O/Me의 원자수비는 0.4이었다. X선 회절 측정 결과, 상기 층은 결정화도가 우수한 TiC임을 확인하였다. TEM에 의한 단면 관찰 결과, 결정 입자로 이루어진 조밀한 층임이 밝혀졌다.A heat-resistant light-shielding film was prepared under the same conditions as in Example 1, except that the thickness of the titanium carbide layer was 110 nm by changing the film feed rate during sputtering. The kind of target material, the kind of resin film, thickness, and surface roughness were the same as in Example 1. The degree of vacuum in the vacuum chamber before the start of sputtering was 6 × 10 −5 Pa or less. The amount of carbon in the light shielding layer was the same as in Example 1. As a result of quantitative analysis of the amount of oxygen in the layer by XPS, the atomic ratio of O / Me was 0.4. As a result of X-ray diffraction measurement, it was confirmed that the layer was TiC having excellent crystallinity. Cross-sectional observation by TEM revealed a dense layer of crystal grains.

제조된 내열 차광 필름에 대한 평가(광 특성 및 내열성)는 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 실시하였다. 티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정한 결과, 180 내지 200℃이었다.Evaluation (light characteristics and heat resistance) with respect to the manufactured heat-resistant light-shielding film was performed by the same method and conditions as Example 1. It was 180-200 degreeC when the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with the infrared radiation thermometer similarly to Example 1 at the time of sputtering of a titanium carbide layer.

광 밀도, 반사율, 표면 광택도 등의 가시 영역에서의 특성들은 실시예 1과 대등하였다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 190 Ω/□ 및 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다. 또한, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서도 층의 뒤틀림 또는 탈리가 일어나지 않았고, 이를 통해 실시예 1과 동등한 내열 특성을 보유하고 있음을 확인하였다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 1에 나타내었다.Properties in the visible region such as light density, reflectance, surface glossiness and the like were comparable to Example 1. Further, the surface resistance and the arithmetic mean height Ra were found to be 190 Ω / □ and 0.4 μm, respectively. In addition, in the adhesive evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, no distortion or detachment of the layer occurred, and it was confirmed that the same heat resistance characteristics as those of Example 1 were obtained. Table 1 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[실시예 3]Example 3

스퍼터링 시작 전 진공 챔버 내의 진공 정도가 8 x 10-4 Pa이었으며, 실시예 2의 스퍼터링 조건에서 필름 기재 상에 스퍼터링을 5회 반복하여 필름 기재의 양면 에 두께가 550 nm인 티타늄 카바이드 층을 형성하였다는 점을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 조건에서 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 1에서와 동일하였다.The degree of vacuum in the vacuum chamber before sputtering was 8 × 10 −4 Pa, and sputtering was repeated five times on the film substrate under the sputtering conditions of Example 2 to form a titanium carbide layer having a thickness of 550 nm on both sides of the film substrate. Except that, a heat-resistant light shielding film was prepared under the same conditions as in Example 2. The kind of target material, the kind of resin film, thickness, and surface roughness were the same as in Example 1.

제조된 내열 차광 필름에 대한 평가(광 특성 및 내열성)는 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 실시하였다. 티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시, 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정한 결과, 180 내지 200℃이었다.Evaluation (light characteristics and heat resistance) with respect to the manufactured heat-resistant light-shielding film was performed by the same method and conditions as Example 1. When sputtering the titanium carbide layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer similarly to Example 1, and it was 180-200 degreeC.

차광층의 탄소량은 실시예 1과 동일하였으며, XPS에 의해 분석한 층의 산소량(O/Ti 원자수비)은 0.8로, 실시예 1 및 2를 통해 제조된 층들과 비교하여 약간 높은 수치였다. X선 회절 측정 결과, 층은 결정화도가 우수한 TiC임을 확인하였다. 또한, TEM에 의한 단면 관찰 결과, 결정 입자로 이루어진 조밀한 층임이 밝혀졌다.The carbon content of the light shielding layer was the same as that of Example 1, and the amount of oxygen (O / Ti atomic ratio) of the layer analyzed by XPS was 0.8, which was slightly higher than that of the layers prepared through Examples 1 and 2. As a result of X-ray diffraction measurement, it was confirmed that the layer was TiC having excellent crystallinity. In addition, cross-sectional observation by TEM revealed that it was a dense layer made of crystal grains.

광 밀도, 반사율, 표면 광택도 등 가시 영역에서의 특성들은 실시예 1과 동일하였다. 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 80 Ω/□ 및 0.3 ㎛인 것으로 확인되었다. 또한, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서도 층의 뒤틀림 또는 탈리가 일어나지 않았고, 이를 통해 실시예 1과 동등한 내열 특성을 보유하고 있음을 확인하였다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 1에 나타내었다.Properties in the visible region, such as light density, reflectance, and surface glossiness, were the same as in Example 1. Surface resistance and arithmetic mean height Ra were found to be 80 Ω / □ and 0.3 μm, respectively. In addition, in the adhesive evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, no distortion or detachment of the layer occurred, and it was confirmed that the same heat resistance characteristics as those of Example 1 were obtained. Table 1 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film.

스퍼터링 하는 동안 진공 챔버 내의 진공도가 낮아서, 실시예 3에서 제조된 층에 포함된 산소량은 실시예 1 및 2의 층들보다 많았다. 즉, 진공 챔버에 잔존하 는 산소 가스가 스퍼티링에 의해 층 내로 유입되었기 때문인 것으로 여겨진다. 이처럼 산소량이 많은 층은 두께가 400 nm 이하이면, 약간 높은 투과율로 인해 충분한 차광능을 발휘할 수 없다. 그러나, 실시예 3에서와 같이 층의 두께를 550 nm 정도로 증가시킴으로써 광 밀도 4 이상의 충분한 차광능을 확보할 수 있다. Due to the low degree of vacuum in the vacuum chamber during sputtering, the amount of oxygen contained in the layer prepared in Example 3 was higher than the layers of Examples 1 and 2. In other words, it is considered that the oxygen gas remaining in the vacuum chamber is introduced into the layer by sputtering. Such a layer with a large amount of oxygen cannot exhibit sufficient light shielding ability due to the slightly high transmittance when the thickness is 400 nm or less. However, by increasing the thickness of the layer to about 550 nm as in Example 3, it is possible to ensure sufficient light shielding ability of light density 4 or more.

또한, 유사한 실험에서 O/Ti가 0.9인 층은 필름의 두께가 450 nm 또는 500 nm인 경우에도 광 밀도 4 이상의 차광능을 발휘하는 것을 확인하였다. In a similar experiment, it was confirmed that the layer having an O / Ti of 0.9 exhibits light blocking ability of 4 or more at light density even when the film thickness is 450 nm or 500 nm.

이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다. Such heat resistant light shielding film may be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[비교예 1]Comparative Example 1

필름 이송 속도를 변화시켜 티타늄 카바이드 층의 두께를 90 nm로 하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건에서 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 1과 동일하였다. 차광층의 조성(탄소량 및 산소량) 및 결정화도는 실시예 1의 층과 동일하였으며, 이에 대한 평가 결과를 표 2에 나타내었다.A heat-resistant light-shielding film was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the film feed rate was changed to make the thickness of the titanium carbide layer 90 nm. The kind of target material, the kind, thickness, and surface roughness of the resin film were the same as in Example 1. The composition (carbon amount and oxygen amount) and crystallinity of the light shielding layer were the same as those of Example 1, and the evaluation results thereof are shown in Table 2.

양면에 두께 90 nm의 티타늄 카바이드를 스퍼터링한 내열 차광 필름은 실시예 1에서와 동일한 조건하에서, 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과, 광 밀도는 3이었으며, 필름은 충분한 차광능을 보유하지 못하였다. 따라서, 이러한 필름은 액정 프로젝터의 부품으로 사용되는 경우, 누광(leak of light)으로 인해 충분히 작동하지 못한다.The heat-resistant light-shielding film which sputter | spattered the titanium carbide of 90 nm in thickness on both surfaces was evaluated by the same method under the same conditions as Example 1. As a result, the light density was 3, and the film did not have sufficient light shielding ability. Thus, such films do not work sufficiently due to leak of light when used as part of a liquid crystal projector.

[실시예 4]Example 4

표면 처리 조건을 달리하여 샌드 블라스팅함으로써 산술 평균 높이 Ra가 0.2 ㎛인 폴리이미드 필름을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 1에서와 동일하였다.The heat-resistant light-shielding film was manufactured on the same conditions as Example 1 except that the polyimide film whose arithmetic mean height Ra is 0.2 micrometer was used by sandblasting by changing surface treatment conditions. The kind of target material, the kind of resin film, thickness, and surface roughness were the same as in Example 1.

티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 실시예 1의 필름 온도와 동등한 200 내지 210℃이었다. 제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 차광층의 조성(탄소량 및 산소량) 및 결정화도는 실시예 1과 동일하였다. 이러한 특성들을 표 1에 나타내었다.The temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus by the infrared radiation thermometer similarly to Example 1 at the time of sputtering of a titanium carbide layer. The temperature was 200-210 ° C., equivalent to the film temperature of Example 1. The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 1. The composition (carbon amount and oxygen amount) and crystallinity of the light shielding layer were the same as in Example 1. These properties are shown in Table 1.

그 결과, 광 밀도, 표면 광택 등의 특성이 실시예 1과 동일한 필름이 제조되었다. 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 105 Ω/□ 및 0.1 ㎛인 것으로 확인되었다. 가시 영역에서의 최대 반사율은 10%였다. 또한, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서도 층의 뒤틀림 또는 탈리가 일어나지 않았고, 이를 통해 실시예 1과 동등한 내열 특성을 보유하고 있음을 확인하였다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 1에 나타내었다.As a result, films having the same properties as those of Example 1, such as light density and surface gloss, were produced. Surface resistance and arithmetic mean height Ra were found to be 105 Ω / □ and 0.1 μm, respectively. The maximum reflectance in the visible region was 10%. In addition, in the adhesive evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, no distortion or detachment of the layer occurred, and it was confirmed that the same heat resistance characteristics as those of Example 1 were obtained. Table 1 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[실시예 5]Example 5

표면 처리 조건을 달리하여 샌드 블라스팅함으로써 산술 평균 높이 Ra가 0.8 ㎛인 폴리이미드 필름을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 1에서와 동일하였다.The heat-resistant light-shielding film was manufactured on the same conditions as Example 1 except that the polyimide film whose arithmetic mean height Ra was 0.8 micrometers was used by sandblasting on the surface treatment conditions. The kind of target material, the kind of resin film, thickness, and surface roughness were the same as in Example 1.

티타늄 카바이드 층을 스퍼터링시 실시예 1과 동일한 방법으로 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 실시예 1의 필름 온도와 동등하게 200 내지 210℃이었다.The temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounted sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1 during sputtering of the titanium carbide layer. The temperature was 200-210 ° C., equivalent to the film temperature of Example 1.

제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 차광층의 조성(탄소량 및 산소량) 및 결정화도는 실시예 1과 동일하였다. 차광층은 실시예 1과 마찬가지로 결정화도가 우수하고, 탄소량과 산소량이 실시예 1과 거의 동일하였다. 이러한 특성들을 표 1에 나타내었다.The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 1. The composition (carbon amount and oxygen amount) and crystallinity of the light shielding layer were the same as in Example 1. The light shielding layer had excellent crystallinity as in Example 1, and the amount of carbon and oxygen were almost the same as in Example 1. These properties are shown in Table 1.

그 결과, 광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성이 실시예 1과 동일한 필름을 제조할 수 있었다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 90 Ω/□ 및 0.7 ㎛인 것을 확인하였다. 또한, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서도 층의 뒤틀림 또는 탈리가 일어나지 않았고, 이를 통해 실시예 1과 동등한 내열 특성을 보유하고 있음을 확인하였다. 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다.As a result, films such as light density, reflectance, surface gloss and the like could be produced in the same manner as in Example 1. In addition, it was confirmed that surface resistance and arithmetic mean height Ra are 90 ohms / square and 0.7 micrometers, respectively. In addition, in the adhesive evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, no distortion or detachment of the layer occurred, and it was confirmed that the same heat resistance characteristics as those of Example 1 were obtained. Such heat resistant light shielding film may be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[비교예 2]Comparative Example 2

표면 처리 조건을 달리하여 샌드 블라스팅함으로써 산술 평균 높이 Ra가 0.1 ㎛인 폴리이미드 필름을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 1에서와 동일하였다.The heat-resistant light-shielding film was manufactured on the same conditions as Example 1 except that the polyimide film whose arithmetic mean height Ra is 0.1 micrometer was used by sandblasting by changing surface treatment conditions. The kind of target material, the kind of resin film, thickness, and surface roughness were the same as in Example 1.

티타늄 카바이드 층을 스퍼터링시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 200 내지 210℃이었다.When sputtering the titanium carbide layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel-mounted sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1. The temperature was 200 to 210 ° C.

필름 기재의 양면에 형성된 티타늄 카바이드 층으로 이루어진 내열 차광 필름(광 특성 및 내열성)은 실시예 1에서와 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 차광층은 실시예 1과 마찬가지로 결정화도가 우수하고, 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 실시예 1과 대등하였다. 이러한 특성을 표 1에 나타내었다. 그 결과, 필름은 실시예 1과 동일하게 광 밀도가 4 이상이었으나, 최대 반사율이 33%이었고, 표면 광택도가 70%이었는 바, 반사율 및 표면광택도가 실시예 2에 비하여 높았다. 또한, 표면 저항 및 표면의 산술 평균 높이 Ra는 각각 110 Ω/□ 및 0.05 ㎛였다. 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 결합력 평가에서 층의 뒤틀림 또는 탈리가 일어나지는 않았다.Heat-resistant light-shielding films (light characteristics and heat resistance) made of titanium carbide layers formed on both sides of the film substrate were evaluated in the same manner and in the same manner as in Example 1. The light shielding layer was excellent in crystallinity as in Example 1, and the amount of carbon and oxygen contained in the layer were the same as in Example 1. These properties are shown in Table 1. As a result, the film had a light density of 4 or more in the same manner as in Example 1, but had a maximum reflectance of 33% and a surface gloss of 70%, so that the reflectance and surface glossiness were higher than those in Example 2. In addition, the surface resistance and the arithmetic mean height Ra of the surface were 110 ohms / square and 0.05 micrometers, respectively. No distortion or desorption of the layer occurred in the evaluation of the bonding strength of the layer made after heating at 250 ° C. for 24 hours.

이처럼 반사율 및 표면 광택도가 높은 내열 차광 필름은 표면 반사에 의해 영향을 받기 때문에 셔터 블레이드로 사용될 수 없다.Such heat resistant light shielding films having high reflectance and surface gloss cannot be used as shutter blades because they are affected by surface reflection.

[비교예 3]Comparative Example 3

표면 처리 조건을 달리하여 샌드 블라스팅함으로써 산술 평균 높이 Ra가 2.3 ㎛인 폴리이미드 필름을 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 2과 동일한 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 2에서와 동일하였다.A heat-resistant light-shielding film was prepared under the same conditions as in Example 2 except that a polyimide film having an arithmetic mean height Ra of 2.3 μm was used by sandblasting with different surface treatment conditions. The kind of target material, the kind, thickness and surface roughness of the resin film were the same as in Example 2.

티타늄 카바이드 층을 스퍼터링시, 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 실시예 1의 필름 온도와 동등하게 200 내지 210℃이었다.When sputtering the titanium carbide layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel-mounted sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1. The temperature was 200-210 ° C., equivalent to the film temperature of Example 1.

필름 기재의 양면에 형성된 110 nm 두께의 티타늄 카바이드 필름으로 이루어진 내열 차광 필름(광 특성 및 내열성)은 실시예 1에서와 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 차광층은 실시예 2와 마찬가지로 결정화도가 우수하고, 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 역시 실시예 2에서와 동일하였다. 이러한 특성을 표 2에 나타내었다. 그 결과, 필름은 최대 반사율이 3%이었고, 표면 광택도는 실시예 2와 동일하게 3% 이하이었으나, 광 밀도가 2로 차광능이 충분하지 않은 내열 차광 필름임을 의미한다. 또한, 표면 저항 및 표면의 산술 평균 높이 Ra는 각각 86 Ω/□ 및 2.2 ㎛였다. 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 결합력 평가에서도 층의 뒤틀림 또는 탈리가 일어나지 않았다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 2에 나타내었다.The heat-resistant light-shielding film (optical characteristics and heat resistance) made of a 110 nm thick titanium carbide film formed on both sides of the film substrate was evaluated in the same manner and in the same manner as in Example 1. The light shielding layer had excellent crystallinity as in Example 2, and the amount of carbon and oxygen contained in the layer were also the same as in Example 2. These properties are shown in Table 2. As a result, the film had a maximum reflectance of 3% and a surface glossiness of 3% or less in the same manner as in Example 2, but a light density of 2 means that it was a heat-resistant light-shielding film having insufficient light blocking ability. In addition, the surface resistance and the arithmetic mean height Ra of the surfaces were 86 ohms / square and 2.2 micrometers, respectively. No distortion or desorption of the layer occurred even in the evaluation of the bonding strength of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours. Table 2 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film.

따라서, 이와 같은 내열 차광 필름은 광 밀도가 낮아서 상기 실시예들에서 제조된 필름과 비교하여 상당한 양의 빛이 통과될 수 있으며, 액정 프로젝터에 사용되는 조리개 부품 뿐 아니라 광학 분야에서의 다양한 기기 등에도 사용될 수 없다.Therefore, such heat-resistant light-shielding film has a low light density, so that a considerable amount of light can pass through as compared to the film manufactured in the above embodiments, and is used not only in the aperture parts used in liquid crystal projectors but also in various devices in the optical field. Cannot be used.

[실시예 6 내지 8][Examples 6 to 8]

티타늄 카바이드 층을 구성하는 C/Ti의 원자수비가 다른 탄소 함량을 가진 타겟을 이용하여 0.3 (실시예 6), 0.5 (실시예 7) 및 1.1 (실시예 8)로 달리하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1에서의 조건과 동일하게 내열 차광 필름을 제조하였다.Except that the atomic ratio of C / Ti constituting the titanium carbide layer was varied to 0.3 (Example 6), 0.5 (Example 7) and 1.1 (Example 8) using targets having different carbon contents. Manufactured heat resistant light-shielding film similarly to the conditions in Example 1.

수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기, 티타늄 카바이드 층의 두께는 실시예 1과 동일하였다. 내열 차광 필름의 구조 및 특성은 표 1에 나타내었다.The type, thickness and surface roughness of the resin film and the thickness of the titanium carbide layer were the same as in Example 1. The structure and characteristics of the heat resistant light shielding film are shown in Table 1.

티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 200 내지 210℃였으며, 실시예 1의 필름 온도와 동일하였다.The temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus by the infrared radiation thermometer similarly to Example 1 at the time of sputtering of a titanium carbide layer. The temperature was 200-210 ° C., which was the same as the film temperature of Example 1.

실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)을 평가하였다. 그 결과, 광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성이 실시예 1과 동일한 필름을 제조할 수 있었다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 90 내지 115 Ω/□ 및 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다. 차광층들의 X선 회절은 C/Ti의 원자수비가 증가할수록 약해지는 경향을 보였으나, 각 층의 결정화도는 우수하였다. 또한, 이러한 결과와 유사하게 TEM 관찰에서도 각 층은 결정층을 이루는 것으로 확인되었다. XPS에 의한 층의 산소 함량을 정량 분석한 결과, O/Ti 원자수비는 0.2 내지 0.4 이었다.The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the heat-resistant light-shielding film manufactured by the same method and conditions as in Example 1 were evaluated. As a result, films such as light density, reflectance, surface gloss and the like could be produced in the same manner as in Example 1. In addition, surface resistance and arithmetic mean height Ra were confirmed to be 90-115 ohms / square and 0.4 micrometer, respectively. X-ray diffraction of the light shielding layers tended to decrease as the atomic ratio of C / Ti increased, but the crystallinity of each layer was excellent. In addition, similar to these results, it was confirmed that each layer forms a crystal layer in the TEM observation. As a result of quantitative analysis of the oxygen content of the layer by XPS, the O / Ti atomic ratio was 0.2 to 0.4.

또한, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서도 층의 뒤틀림 또는 탈리가 일어나지 않았고, 이를 통해 실시예 1과 동등한 내열 특성을 보유하고 있음을 확인하였다.In addition, in the adhesive evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, no distortion or detachment of the layer occurred, and it was confirmed that the same heat resistance characteristics as those of Example 1 were obtained.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다.Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[비교예 4][Comparative Example 4]

다른 탄소함량을 가진 타겟을 사용하여 티타늄 카바이드 층의 C/Ti의 원자수비를 0.15로 달리하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성은 표 2에 나타내었다.A heat-resistant light-shielding film was prepared under the same conditions as in Example 1, except that the atomic ratio of C / Ti in the titanium carbide layer was changed to 0.15 using a target having a different carbon content. The structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film are shown in Table 2.

티타늄 카바이드 층을 스퍼터링 하는 경우, 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 200 내지 210℃이었으며, 이는 실시예 1의 필름 온도와 동일하였다.When sputtering a titanium carbide layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with the infrared radiation thermometer like Example 1. The temperature was 200-210 ° C., which was the same as the film temperature of Example 1.

제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 그 결과, 광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성들은 실시예 1에서 제조된 것과 동일하였다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 86 Ω/□ 및 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다. 층의 결정화도는 우수하였으며, 층의 산소 함량은 O/Ti 원자수비로 0.4이었다.The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 1. As a result, the properties of light density, reflectance, surface gloss, and the like were the same as those prepared in Example 1. In addition, it was confirmed that surface resistance and arithmetic mean height Ra were 86 ohms / square and 0.4 micrometer, respectively. The crystallinity of the layer was excellent and the oxygen content of the layer was 0.4 in O / Ti atomic ratio.

더욱이, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 층의 뒤틀림은 발생하지 않았으나, 층의 탈리가 발생하였고, 반사율의 변화로 인한 심각한 변색이 유발되었다. TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과 표면 및 폴리이미드 측을 대면하고 있는 차광층의 계면이 산화되었음을 확인하였다. 이러한 산화 현상이 층의 결합력 감소 및 변색의 원인이라 추측된다.Furthermore, no distortion of the layer occurred in the adhesion evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, but detachment of the layer occurred, causing severe discoloration due to a change in reflectance. The cross-sectional observation of the layer by TEM confirmed that the interface of the light shielding layer facing the surface and the polyimide side was oxidized. It is assumed that this oxidation phenomenon is the cause of the decrease in the bonding strength of the layer and the discoloration.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 없다. Therefore, such heat resistant light shielding film cannot be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[비교예 5][Comparative Example 5]

Ti 타겟을 사용하 제조되었으며 탄소를 포함하지 않은 티타늄 층을 차광층으로 이용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기 및 차광층의 두께는 실시예 1에서와 동일하였다.A heat-resistant light-shielding film was prepared under the same conditions as in Example 1, except that a titanium layer prepared using a Ti target and using no carbon was used as the light-shielding layer. The type, thickness and surface roughness of the resin film and the thickness of the light shielding layer were the same as in Example 1.

내열 차광 필름의 구조와 특성은 표 2에 나타내었다.The structure and characteristics of the heat-resistant light-shielding film are shown in Table 2.

티타늄 카바이드 층을 스퍼터링시, 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 200 내지 210℃이었으며, 이는 실시예 1의 필름 온도와 동일하였다.When sputtering the titanium carbide layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel-mounted sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1. The temperature was 200-210 ° C., which was the same as the film temperature of Example 1.

제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방 법, 조건으로 평가하였다. 그 결과, 광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성들은 실시예 1에서 제조된 것과 동일하였다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 86 Ω/□ 및 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다. The properties (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding films were evaluated in the same manner and in the same manner as in Example 1. As a result, the properties of light density, reflectance, surface gloss, and the like were the same as those prepared in Example 1. In addition, it was confirmed that surface resistance and arithmetic mean height Ra were 86 ohms / square and 0.4 micrometer, respectively.

그러나, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 층의 뒤틀림은 발생하지 않았으나, 층의 탈리가 발생하였고, 반사율의 변화로 인한 심각한 변색이 유발되었다. TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과 표면 및 폴리이미드 측을 대면하고 있는 차광층의 계면이 산화되었음을 확인하였다. 이러한 산화 현상이 층의 결합력 감소 및 변색의 원인이라 추측된다.However, no distortion of the layer occurred in the adhesion evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, but detachment of the layer occurred, causing severe discoloration due to a change in reflectance. The cross-sectional observation of the layer by TEM confirmed that the interface of the light shielding layer facing the surface and the polyimide side was oxidized. It is assumed that this oxidation phenomenon is the cause of the decrease in the bonding strength of the layer and the discoloration.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 없다. Therefore, such heat resistant light shielding film cannot be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[실시예 9]Example 9

도 4에 도시된 스퍼터링 장치를 사용하여 부유 상태에서 필름 기재의 일면에 실시예 1에서와 동일한 티타늄 카바이드 층을 형성하였다. 상기 수지 필름 기재로 200 ㎛ 두께의 폴리이미드 필름을 사용하였다. 스퍼터링할 필름 기재의 표면은 미리 샌드 블라스팅으로 처리하였으며, 실시예 1에서와 동일한 표면 거칠기를 나타내었다.The same titanium carbide layer as in Example 1 was formed on one surface of the film substrate in the suspended state using the sputtering apparatus shown in FIG. As the resin film base material, a 200 μm thick polyimide film was used. The surface of the film substrate to be sputtered was previously treated by sand blasting, showing the same surface roughness as in Example 1.

제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)을 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표 면 온도를 측정하였다. 온도는 270 내지 310℃이었으며, 이는 플라스마로부터 받은 자연 가열 효과(natural heating effect)가 실시예 1과 비교하여 더욱 두드러짐을 의미한다.The properties (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding films were evaluated in the same manner and in the same manner as in Example 1. The film surface temperature was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1 during sputtering of the titanium carbide layer. The temperature was 270-310 ° C., which means that the natural heating effect received from the plasma is more pronounced compared to Example 1.

가시 영역에서 스퍼터링된 면의 광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성들은 실시예 1과 동일하였다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 95 Ω/□ 및 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다. 제조된 층은 결정화도가 우수하였으며, 층의 탄소 및 산소량은 실시예 1과 대등하였다.Properties such as light density, reflectance, surface gloss of the sputtered surface in the visible region were the same as in Example 1. It was also confirmed that the surface resistance and the arithmetic mean height Ra were 95 Ω / □ and 0.4 μm, respectively. The prepared layer had excellent crystallinity, and the carbon and oxygen amounts of the layer were comparable to those of Example 1.

또한, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 층의 뒤틀림 또는 탈리는 발생하지 않았으며, 이를 통해 실시예 1과 동등한 내열 특성을 보유하고 있음을 확인하였다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 1에 나타내었다.In addition, in the adhesive evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, no distortion or desorption of the layer occurred, thereby confirming that it had heat resistance equivalent to that of Example 1. Table 1 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[실시예 10 내지 12, 비교예 6 및 7][Examples 10 to 12, Comparative Examples 6 and 7]

탄소 함량을 다양하게 한 텅스텐 카바이드 층을 사용하여 실시예 6 내지 8 및 비교예 4 및 5와 동일한 방법으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 수지 필름 기재는 폴리이미드 필름으로 두께는 50 ㎛이었다. 필름 기재의 양면에 산술 평균 높이 Ra가 0.5 ㎛인 미세 요철 구조를 형성하였다. 각각 다른 탄소 함량을 가진 텅스텐 카바이드 층 또는 텅스텐 층들은 두께가 약 150 nm이고, 실시예 6 내지 8 및 비교예 4 및 5와 유사한 조건하에서 다른 탄소량을 가진 텅스텐 카바이드 타겟 또는 텅스텐 타겟을 사용하여 필름 기재 표면 상에 형성되었다. 텅스텐 카바이드 층 또는 텅스텐 층을 스퍼터링 시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 190 내지 203℃이었다.Heat-resistant light-shielding films were prepared in the same manner as in Examples 6 to 8 and Comparative Examples 4 and 5 using tungsten carbide layers having varying carbon contents. The resin film base material was a polyimide film and thickness was 50 micrometers. Fine irregularities having arithmetic mean height Ra of 0.5 µm were formed on both sides of the film substrate. Tungsten carbide layers or tungsten layers, each having a different carbon content, have a thickness of about 150 nm and a film using a tungsten carbide target or tungsten target having a different carbon amount under conditions similar to Examples 6-8 and Comparative Examples 4 and 5. Formed on the substrate surface. When sputtering the tungsten carbide layer or the tungsten layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1. The temperature was 190-203 ° C.

상기 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성은 표 1 및 표 2에 나타내었다. XPS를 통해 층들의 산소 함량을 분석한 결과, O/Me 원자수비로 0.05 내지 0.1이었다. 차광층의 X선 회절은 C/W 원자수비가 증가할수록 회절 피크가 약해지는 경향을 보였으나, 각 층의 결정화도는 우수하였다. 또한, 이와 유사하게 TEM 관찰에 의해 각 층은 결정층을 이루는 것으로 확인되었다.The structure and characteristics of the heat-resistant light-shielding film prepared are shown in Table 1 and Table 2. As a result of analyzing the oxygen content of the layers through XPS, it was 0.05 to 0.1 in O / Me atomic ratio. X-ray diffraction of the light shielding layer showed a tendency that the diffraction peak was weakened as the C / W atomic ratio increased, but the crystallinity of each layer was excellent. Similarly, the TEM observation confirmed that each layer formed a crystal layer.

광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성들은 실시예 1에서 제조된 것과 동일하였다. 또한, 표면 저항은 83 내지 123 Ω/□로 전도성을 보유하고 있음을 의미하며, 표면의 산술 평균 높이 Ra는 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다.Properties such as light density, reflectance, surface gloss, and the like were the same as those prepared in Example 1. In addition, the surface resistance means that it has conductivity from 83 to 123 Ω / □, it was confirmed that the arithmetic mean height Ra of the surface is 0.4 ㎛.

250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 C/W 원자수비가 0.3 (실시예 10), 0.6 (실시예 11), 0.9 (실시예 12)인 층에서는 변색 또는 뒤틀림 현상이 관찰되지 않았으나, C/W 원자수비가 0.1 (비교예 6) 및 0 (비교예 7)인 층에서는 층의 탈리가 발생하였으며, 반사율의 변화로 인한 심각한 변색이 유발되었다.In the adhesive evaluation of the layer carried out after heating at 250 ° C. for 24 hours, discoloration or warping was observed in the layers having C / W atomic ratios of 0.3 (Example 10), 0.6 (Example 11), and 0.9 (Example 12). However, in the layers having a C / W atomic ratio of 0.1 (Comparative Example 6) and 0 (Comparative Example 7), layer detachment occurred and serious discoloration was caused by a change in reflectance.

TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과, 비교예 6 및 7에서 차광층의 표면과, 폴리이미드 필름에 접해있는 층 계면의 일부가 산화되었음을 확인하였으나, 실시예 10 내지 12의 층들에서는 산화 현상이 관찰되지 않았다. 이러한 산화 현상이 비교예 6 및 7에서의 결합력 감소 및 변색의 원인이라고 추측된다.As a result of cross-sectional observation of the layer by TEM, in Comparative Examples 6 and 7, it was confirmed that the surface of the light shielding layer and a part of the layer interface in contact with the polyimide film were oxidized, but no oxidation phenomenon was observed in the layers of Examples 10 to 12. Did. This oxidation phenomenon is presumed to be the cause of the decrease in the bonding strength and discoloration in Comparative Examples 6 and 7.

따라서, 실시예 10 내지 12의 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있으나, 비교예 6 및 7에서와 같은 필름은 고온 환경에서 사용될 수 없다.Therefore, the heat-resistant light blocking films of Examples 10 to 12 may be used as parts of liquid crystal projectors such as apertures used under high temperature environments, but films such as those of Comparative Examples 6 and 7 cannot be used in high temperature environments.

[실시예 13 내지 15, 비교예 8 및 9][Examples 13 to 15, Comparative Examples 8 and 9]

탄소 함량을 다양하게 한 실리콘 카바이드 층을 사용하여 실시예 6 내지 8 및 비교예 4 및 5와 동일한 방법으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 수지 필름 기재는 폴리이미드 필름으로 두께는 125 ㎛이었다. 필름 기재의 양면에 산술 평균 높이 Ra가 0.4 ㎛인 미세 요철 구조를 형성하였다. 각각 다른 탄소 함량을 가진 실리콘 카바이드 층 및 실리콘 층은 둘 다 두께가 약 270 nm이고, 실시예 6 내지 8 및 비교예 4 및 5와 유사한 조건하에서 다른 탄소량을 가진 실리콘 카바이드 타겟 또는 실리콘 타겟을 사용하여 필름 기재 상에 형성하였다. 실리콘 카바이드 층 또는 실리콘 층을 스퍼터링시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 205 내지 213℃이었다.Heat-resistant light-shielding films were prepared in the same manner as in Examples 6 to 8 and Comparative Examples 4 and 5 using silicon carbide layers with varying carbon contents. The resin film base material was a polyimide film and was 125 micrometers in thickness. Fine irregularities having arithmetic mean height Ra of 0.4 µm were formed on both sides of the film substrate. Both the silicon carbide layer and the silicon layer each having a different carbon content are about 270 nm in thickness, using silicon carbide targets or silicon targets having different carbon amounts under conditions similar to those of Examples 6 to 8 and Comparative Examples 4 and 5. To form on a film substrate. When sputtering the silicon carbide layer or silicon layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1. Temperature was 205-213 degreeC.

제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성은 표 1 및 표 2에 나타내었다. XPS를 통해 층들의 산소 함량을 분석한 결과, O/Si 원자수비로 0.1 내지 0.2 이었다. 차광층의 X선 회절은 C/Si 원자수비가 증가할수록 회절 피크가 약해지는 경향을 보 였으나, 각 층의 결정화도는 우수하였다. 또한, 이와 유사하게 TEM 관찰에 의해 각 층은 결정층을 이루는 것으로 확인되었다.The structure and the characteristics of the heat-resistant light-shielding film produced are shown in Table 1 and Table 2. As a result of analyzing the oxygen content of the layers through XPS, the ratio of O / Si was 0.1 to 0.2. X-ray diffraction of the light shielding layer showed a tendency that the diffraction peak was weakened as the C / Si atomic ratio increased, but the crystallinity of each layer was excellent. Similarly, the TEM observation confirmed that each layer formed a crystal layer.

광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성들은 실시예 1에서 제조된 것과 동일하였다. 또한, 표면 저항은 91 내지 156 Ω/□ 로 전도성을 보유하고 있음을 의미하며, 표면의 산술 평균 높이 Ra는 0.3 ㎛인 것으로 확인되었다.Properties such as light density, reflectance, surface gloss, and the like were the same as those prepared in Example 1. In addition, the surface resistance means that it has conductivity at 91 to 156 Ω / □, and the arithmetic mean height Ra of the surface was found to be 0.3 μm.

250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 C/Si 원자수비가 0.35 (실시예 13), 0.5 (실시예 14), 0.95 (실시예 15)인 층에서는 변색 또는 뒤틀림 현상이 관찰되지 않았으나, C/Si 원자수비가 0.2 (비교예 8) 및 0 (비교예 9)인 층에서는 층의 탈리가 발생하였으며, 반사율의 변화로 인한 심각한 변색이 유발되었다. TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과 비교예 8 및 9에서 표면 및 폴리이미드 측을 대면하고 있는 차광층의 계면의 일부가 산화되었음을 확인하였으나, 실시예 13 내지 15의 층들에서는 산화 현상이 관찰되지 않았다. 이러한 산화 현상이 비교예 8 및 9에서의 결합력 감소 및 변색의 원인이라고 추측된다.In the adhesive evaluation of the layer carried out after heating at 250 ° C. for 24 hours, discoloration or warping was observed in the layers having C / Si atomic ratios of 0.35 (Example 13), 0.5 (Example 14), and 0.95 (Example 15). However, in the layers having a C / Si atomic ratio of 0.2 (Comparative Example 8) and 0 (Comparative Example 9), layer detachment occurred, causing severe discoloration due to a change in reflectance. As a result of cross-sectional observation of the layer by TEM, in Comparative Examples 8 and 9, it was confirmed that a part of the interface of the light shielding layer facing the surface and the polyimide side was oxidized, but no oxidation phenomenon was observed in the layers of Examples 13 to 15. This oxidation phenomenon is presumed to be the cause of the decrease in the bonding strength and discoloration in Comparative Examples 8 and 9.

따라서, 실시예 13 내지 15의 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있으나, 비교예 8 및 9에서와 같은 필름은 고온 환경에서 사용될 수 없다.Thus, the heat-resistant light-shielding films of Examples 13 to 15 may be used as parts of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment, but films such as those of Comparative Examples 8 and 9 cannot be used in a high temperature environment.

[실시예 16 내지 18, 비교예 10 및 11][Examples 16 to 18, Comparative Examples 10 and 11]

탄소 함량을 다양하게 한 알루미늄 카바이드 층을 사용하여 실시예 6 내지 8 및 비교예 4 및 5와 동일한 방법으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 수지 필름 기 재는 폴리이미드 필름으로 두께는 20 ㎛이었다. 필름 기재의 양면에 산술 평균 높이 Ra가 0.6 ㎛인 미세 요철 구조를 형성하였다. 각각 다른 탄소 함량을 가진 알루미늄 카바이드 층 및 알루미늄 층은 둘 다 두께가 약 230 nm이고, 실시예 6 내지 8 및 비교예 4 및 5와 유사한 조건하에서 다른 탄소량을 가진 알루미늄 카바이드 타겟 또는 알루미늄 타겟을 사용하여 필름 기재 상의 양면에 형성되었다. 알루미늄 카바이드 층 또는 알루미늄 층을 스퍼터링시 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 200 내지 210℃이었다.Heat-resistant light-shielding films were prepared in the same manner as in Examples 6 to 8 and Comparative Examples 4 and 5 using aluminum carbide layers having varying carbon contents. The resin film substrate was a polyimide film having a thickness of 20 μm. Fine irregularities having arithmetic mean height Ra of 0.6 µm were formed on both sides of the film substrate. The aluminum carbide layer and the aluminum layer, each having a different carbon content, are both about 230 nm thick, and use aluminum carbide targets or aluminum targets having different carbon amounts under conditions similar to Examples 6 to 8 and Comparative Examples 4 and 5. On both sides of the film substrate. When sputtering the aluminum carbide layer or the aluminum layer, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1. The temperature was 200 to 210 ° C.

제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성은 표 1 및 표 2에 나타내었다. XPS를 통해 층들의 산소 함량을 분석한 결과, O/Al 원자수비로 0.1 내지 0.2 이었다. 차광층의 X선 회절은 O/Al 원자수비가 증가할수록 회절 피크가 약해지는 경향을 보였으나, 각 층의 결정화도는 우수하였다. 또한, 이와 유사하게 TEM 관찰에 의해 각 층은 결정층을 이루는 것으로 확인되었다.The structure and the characteristics of the heat-resistant light-shielding film produced are shown in Table 1 and Table 2. As a result of analyzing the oxygen content of the layers through XPS, the ratio of O / Al was 0.1 to 0.2. X-ray diffraction of the light shielding layer showed a tendency that the diffraction peak was weakened as the O / Al atomic ratio increased, but the crystallinity of each layer was excellent. Similarly, the TEM observation confirmed that each layer formed a crystal layer.

광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성들은 실시예 1에서 제조된 것과 동일하였다. 또한, 표면 저항은 82 내지 125 Ω/□로 층이 전도성을 보유하고 있음을 의미하며, 표면의 산술 평균 높이 Ra는 0.5 ㎛인 것으로 확인되었다.Properties such as light density, reflectance, surface gloss, and the like were the same as those prepared in Example 1. Further, the surface resistance was 82 to 125 Ω / □, which means that the layer had conductivity, and the arithmetic mean height Ra of the surface was found to be 0.5 μm.

250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 C/Al 원자수비가 0.3 (실시예 16), 0.7 (실시예 17), 1.0 (실시예 18)인 층에서는 변색 또는 뒤틀림 현상이 관찰되지 않았으나, C/Al 원자수비가 0.1 (비교예 10) 및 0 (비교예 11)인 층에서는 층의 탈리가 발생하였으며, 반사율의 변화로 인한 심각한 변색이 유발되었다. TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과 비교예 10 및 11에서 차광층의 표면 및 폴리이미드 측을 대면하고 있는 계면이 일부 산화되었음을 확인하였으나, 실시예 16 내지 18의 층들에서는 산화 현상이 관찰되지 않았다. 이러한 산화 현상이 비교예 10 및 11에서의 결합력 감소 및 변색의 원인이라고 추측된다.In the adhesive evaluation of the layer carried out after heating at 250 ° C. for 24 hours, discoloration or warping was observed in the layers having C / Al atomic ratios of 0.3 (Example 16), 0.7 (Example 17), and 1.0 (Example 18). However, in the layers having a C / Al atomic ratio of 0.1 (Comparative Example 10) and 0 (Comparative Example 11), layer detachment occurred and serious discoloration was caused by a change in reflectance. As a result of cross-sectional observation of the layer by TEM, in Comparative Examples 10 and 11, the interface facing the surface of the light shielding layer and the polyimide side were partially oxidized, but no oxidation phenomenon was observed in the layers of Examples 16 to 18. This oxidation phenomenon is presumed to be the cause of the decrease in the bonding strength and discoloration in Comparative Examples 10 and 11.

따라서, 실시예 16 내지 18의 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있으나, 비교예 10 및 11에서와 같은 필름은 고온 환경에서 사용될 수 없다.Thus, the heat-resistant light-shielding films of Examples 16 to 18 may be used as parts of liquid crystal projectors such as apertures used under high temperature environments, but films such as those of Comparative Examples 10 and 11 cannot be used in high temperature environments.

[실시예 19]Example 19

이중층 구조를 가진 차광층을 사용하여 내열 차광 필름을 제조하였으며, 층의 두께 및 조성은 티타늄 카바이드 층(두께: 200 nm, 원자수비 C/Ti: 0.8)/실리콘 카바이드 층(두께: 20 nm, 원자수비 C/Si: 0.5)으로 이루어져 있다. 도 3에 도시된 릴 장착 스퍼터링 장치를 이용하여 실시예 1과 동일한 종류, 두께 및 표면 거칠기를 가진 폴리이미드 필름의 양면에 차례로 티타늄 카바이드 층 및 실리콘 카바이드 층을 코팅하였다.Heat-resistant light-shielding film was prepared using a light-shielding layer having a double layer structure, and the thickness and composition of the layer were titanium carbide layers (thickness: 200 nm, atomic ratio C / Ti: 0.8) / silicon carbide layer (thickness: 20 nm, atomic Defensive C / Si: 0.5). A titanium carbide layer and a silicon carbide layer were sequentially coated on both sides of a polyimide film having the same type, thickness, and surface roughness as Example 1 using the reel mounting sputtering apparatus shown in FIG. 3.

스퍼터링시 필름 표면의 온도는 실시예 1에서와 동일한 방법으로 측정되었다. 온도는 190 내지 210℃이었다. 수지 필름의 종류, 두께 및 표면 거칠기는 실시예 1에서와 같았다. 제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 1에 나타내었다. 적층된 차광층의 결정화도는 우수하였다. 또한, 스퍼터 링에 의해 층 표면을 제거하면서 XPS에 의해 각 층의 산소 함량(O/Me)을 측정한 결과, SiC 층에서 O/Si 원자수비는 0.1이었고, TiC 층에서 O/Ti의 원자수비는 0.2인 것으로 나타났다.The temperature of the film surface upon sputtering was measured in the same manner as in Example 1. The temperature was 190 to 210 ° C. The type, thickness and surface roughness of the resin film were the same as in Example 1. The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 1. Table 1 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film. The crystallinity degree of the laminated light shielding layer was excellent. In addition, when the oxygen content (O / Me) of each layer was measured by XPS while removing the layer surface by sputtering, the O / Si atomic ratio was 0.1 in the SiC layer, and the O / Ti atomic ratio was in the TiC layer. Was found to be 0.2.

가시 영역에서 표면 저항, 표면 거칠기, 광 밀도 및 표면 광택 등과 같은 특성은 실시예 1에서와 대등하였다. 가시 영역에서의 최대 반사율은 4%이었으며, 표면에 실리콘 카바이드 층을 코팅하지 않고 티타늄 카바이드 층만을 사용한 실시예 1과 비교하여 반사율이 현저하게 감소하였다. 서로 다른 광 상수를 가진 티타늄 카바이드 층과 실리콘 카바이드 층을 적층하여 광 간섭에 의한 비반사 효과(antireflection effect)로 인해 반사율의 감소가 유발되었다.Properties such as surface resistance, surface roughness, light density and surface gloss in the visible region were comparable to those in Example 1. The maximum reflectance in the visible region was 4% and the reflectance was significantly reduced compared to Example 1, in which only the titanium carbide layer was used without coating the silicon carbide layer on the surface. Titanium carbide and silicon carbide layers with different light constants were stacked, resulting in a reduction in reflectance due to the antireflection effect caused by optical interference.

또한, 250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 층의 뒤틀림 또는 층의 탈리가 유발되지 않음을 관찰할 수 있으며, 실시예 1과 동일한 내열 특성을 보유하고 있음을 확인할 수 있다.In addition, it can be observed from the adhesion evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours that no distortion of the layer or detachment of the layer is caused, and it can be confirmed that it has the same heat resistance characteristics as in Example 1.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있으며, 특히 낮은 반사율이 요구되는 프로젝터의 렌즈 가까이에 위치하는 부품에 사용될 수 있다.Therefore, such heat resistant light-shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment, and especially can be used for a part located near the lens of the projector where low reflectance is required.

[실시예 20]Example 20

차광층으로 니오브 카바이드, 몰리브덴 카바이드, 탄탈륨 카바이드, 지르코늄 카바이드 또는 하프늄 카바이드를 사용하여 실시예 1 내지 9 및 비교예 1 내지 4의 티타늄 카바이드와 동일한 방법으로 실험을 수행하였으며, 그 결과 동일한 경 향이 관찰되었다. 내열성을 보유한 차광 필름은 C/Nb 원자수비, C/Mo 원자수비, C/V 원자수비, C/Ta 원자수비, C/Zr 원자수비 또는 C/Hf 원자수비가 0.3 이상인 것으로 확인되었다. 각 층의 결정화도는 우수하였으며, 400 nm 이하의 두께를 가지는 층은 층의 산소 함량이 O/Me 원자수비로 0.5 이하인 경우에 충분한 차광능을 보였다.Experiments were carried out in the same manner as the titanium carbides of Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 to 4 using niobium carbide, molybdenum carbide, tantalum carbide, zirconium carbide or hafnium carbide as the light shielding layer, and the same tendency was observed as a result. . The light-shielding film having heat resistance was found to have a C / Nb atomic ratio, a C / Mo atomic ratio, a C / V atomic ratio, a C / Ta atomic ratio, a C / Zr atomic ratio or a C / Hf atomic ratio of 0.3 or more. The crystallinity of each layer was excellent, and the layer having a thickness of 400 nm or less showed sufficient light blocking ability when the oxygen content of the layer was 0.5 or less in O / Me atomic ratio.

[실시예 21]Example 21

내열 수지 필름으로서 두께가 25 ㎛의 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN) 필름을 사용하고, 스퍼터링시 필름 표면 온도를 155 내지 158℃로 설정하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건하에서 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 필름 기재의 표면 거칠기는 실시예 1에서와 동일하였다.Heat-resistant light-shielding film under the same conditions as in Example 1, except that a polyethylene naphthalate (PEN) film having a thickness of 25 μm was used as the heat-resistant resin film, and the film surface temperature was set to 155 to 158 ° C. during sputtering. Was prepared. The kind of target material and the surface roughness of the film substrate were the same as in Example 1.

제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 적외선 방사 온도계로 실시예 1과 동일하게 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 155 내지 158℃였다.The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 1. The temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus in the same manner as in Example 1 when sputtering the titanium carbide layer. Temperature was 155-158 degreeC.

가시 영역에서 표면 저항, 표면 거칠기, 광 밀도 및 표면 광택 등과 같은 특성은 실시예 1과 대등하였다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 90 Ω/□ 및 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다. 유사한 방법에 의해 차광층의 결정화도가 우수함을 확인할 수 있었다. 차광층의 탄소 및 산소 함량은 실시예 1과 대등하였다.Properties such as surface resistance, surface roughness, light density and surface gloss in the visible region were comparable to Example 1. In addition, it was confirmed that surface resistance and arithmetic mean height Ra were 90 ohms / square and 0.4 micrometer, respectively. It was confirmed that the crystallinity of the light shielding layer was excellent by a similar method. The carbon and oxygen content of the light shielding layer was comparable with Example 1.

또한, 내열성과 관련하여 층의 접착성은 155℃에서 24 시간 동안 가열 후 유사하게 평가하였다. 그 결과, 층은 뒤틀림 또는 탈리를 보이지 않았으며, 실시예 1과 동일한 내열 특성을 나타내었다. 제조된 내열 차광 필름의 구조와 특성은 표 1에 나타내었다.In addition, the adhesion of the layer with respect to heat resistance was similarly evaluated after heating at 155 ° C. for 24 hours. As a result, the layer showed no distortion or detachment and exhibited the same heat resistance characteristics as in Example 1. The structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film are shown in Table 1.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 100 내지 155℃에서 사용되는 렌즈 장치의 고정 조리개 등과 같은 차량 내부용 모니터 부품으로 사용될 수 있다. Therefore, such a heat resistant light shielding film can be used as a vehicle interior monitor component such as a fixed aperture of a lens device used at 100 to 155 ° C.

[실시예 22 및 23][Examples 22 and 23]

내열 수지 필름을 6 ㎛(실시예 22) 및 12 ㎛(실시예 23)의 두께를 가진 폴리에틸린 나프탈레이트(PEN) 필름으로 변경하였다는 점을 제외하고는, 실시예 21과 동일한 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 필름 기재의 표면 거칠기, 스퍼터링 조건은 실시예 1과 동일하였다. 층의 조성 및 두께 역시 실시예 1에서와 동일하였다.The heat-resistant resin film was heat-resistant under the same conditions as in Example 21, except that the heat-resistant resin film was changed to a polyethylen naphthalate (PEN) film having a thickness of 6 μm (Example 22) and 12 μm (Example 23). A light shielding film was produced. The kind of target material, the surface roughness of a film base material, and the sputtering conditions were the same as that of Example 1. The composition and thickness of the layer were also the same as in Example 1.

티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 필름 표면의 온도를 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 측정한 결과, 155 내지 158℃이었다. 층들의 탄소량 및 산소량의 분석은 유사한 방법으로 이루어져 실시예 1에서와 동일한 결과를 보였다. 각 층의 결정화도가 우수한 것으로 확인되었다.It was 155-158 degreeC when the temperature of the film surface at the time of sputtering of a titanium carbide layer was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with the infrared radiation thermometer similarly to Example 1. Analysis of the amount of carbon and amount of oxygen in the layers was performed in a similar manner to give the same results as in Example 1. It was confirmed that the crystallinity of each layer was excellent.

제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1에서와 동일한 방법, 조건으로 평가하였다.The properties (light characteristics and heat resistance) of the produced heat-resistant light-shielding films were evaluated by the same methods and conditions as in Example 1.

가시광선 영역에서 광 밀도, 반사율, 표면 광택 등의 특성들 및 표면 저항, 표면 거칠기 등은 실시예 21에서 제조된 것과 대등하였다.Properties such as light density, reflectance, surface gloss, surface resistance, surface roughness, etc. in the visible region were comparable to those prepared in Example 21.

실시예 21에서와 동일하게 내열성을 시험하였으며, 이러한 필름은 실시예 21과 동일한 내열성을 가지며, 뒤틀림 및 탈리가 일어나지 않았다. 내열 차광 필름의 특성 및 구조를 표 1에 나타내었다. The heat resistance was tested as in Example 21, and this film had the same heat resistance as in Example 21, and no distortion and detachment occurred. The properties and structure of the heat resistant light shielding film are shown in Table 1.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 100 내지 155℃에서 사용되는 렌즈 장치의 고정 조리개 등과 같은 차량 내부 모니터용 부품으로 사용될 수 있다. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a vehicle interior monitor component such as a fixed aperture of a lens device used at 100 to 155 ° C.

[비교예 12]Comparative Example 12

Ti 타겟을 사용하여, 탄소를 포함하지 않는 티타늄 층을 제조하여 차광 필름으로 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예 21에서와 동일한 조건하에서 내열 차광 필름을 제조하였다. 기재의 종류, 두께, 표면 거칠기 및 차광층의 두께는 실시예 21에서와 동일하였다.Using the Ti target, a heat resistant light shielding film was prepared under the same conditions as in Example 21, except that a titanium layer containing no carbon was prepared and used as the light shielding film. The type, thickness, surface roughness and thickness of the light shielding layer of the substrate were the same as in Example 21.

제조된 내열 차광 층의 구조와 특성을 표 2에 나타내었다.Table 2 shows the structure and characteristics of the manufactured heat resistant light shielding layer.

차광 필름을 스퍼터링시, 실시예 21과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 155 내지 158℃이었으며, 실시예 21의 필름 온도와 동일하였다.When sputtering the light-shielding film, the temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with the infrared radiation thermometer similarly to Example 21. The temperature was 155-158 ° C., which was the same as the film temperature of Example 21.

제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 21과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다. 그 결과, 광 밀도, 반사율, 표면 광택, 표면 저항, 표면의 산술 평균 높이 Ra 등의 특성들은 실시예 21에서 제조된 것과 동일하였다. 층의 결정화도 역시 우수하였다.The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 21. As a result, the properties of light density, reflectance, surface gloss, surface resistance, arithmetic mean height Ra of the surface and the like were the same as those prepared in Example 21. The crystallization of the layer was also excellent.

그러나, 실시예 21의 내열 시험 조건과 동일하게 155℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 뒤틀림은 보이지 않았으나, 층의 탈리가 일어났으며, 반사율의 변화로 인해 변색이 유발되었다. TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과, 차광층의 표면과, 차광층의 필름 기재에 대면하는 계면의 일부가 산화되었음을 확인하였다. 이러한 산화 현상이 결합력 감소 및 변색의 원인이라 추측된다.However, under the same heat resistance test conditions as in Example 21, no distortion was observed in the adhesion evaluation of the layer performed after heating at 155 ° C. for 24 hours, but detachment of the layer occurred and discoloration was caused by a change in reflectance. The cross-sectional observation of the layer by TEM confirmed that the surface of the light shielding layer and a part of the interface facing the film substrate of the light shielding layer were oxidized. This oxidation phenomenon is presumed to be the cause of the decrease in the binding force and discoloration.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 155℃에서 사용되는 렌즈 장치의 고정 조리개 등과 같은 차량 내부용 모니터용 부품으로 사용될 수 없다. Therefore, such a heat resistant light shielding film cannot be used as a component for monitoring a vehicle interior such as a fixed aperture of a lens device used at 155 ° C.

[비교예 13 내지 16][Comparative Examples 13 to 16]

Al (비교예 13), Cr (비교예 14), Ni (비교예 15) 및 Nb (비교예 16)을 차광층으로 사용하였다는 점을 제외하고는, 비교예 12에서와 동일한 방법 및 조건으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 그 결과, 광 밀도, 반사율, 표면 광택, 표면 저항, 표면의 산술 평균 높이 Ra 등이 실시예 21과 동일한 내열 차광 필름을 제조하였다.In the same manner and conditions as in Comparative Example 12, except that Al (Comparative Example 13), Cr (Comparative Example 14), Ni (Comparative Example 15), and Nb (Comparative Example 16) were used as the light shielding layer. A heat resistant light shielding film was prepared. As a result, a heat resistant light shielding film having the same light density, reflectance, surface gloss, surface resistance, arithmetic mean height Ra as in Example 21 was prepared.

그러나, 실시예 21의 내열 시험 조건과 동일하게 155℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 뒤틀림은 보이지 않았으나, 층의 탈리가 일어났으며, 반사율의 변화로 인해 변색이 유발되었다. TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과, 차광층의 표면과, 차광층의 필름 기재에 대면하는 계면의 일부가 산화되었음을 확인하였다. 이러한 산화 현상이 결합력 감소 및 변색의 원인이라고 추측된다.However, under the same heat resistance test conditions as in Example 21, no distortion was observed in the adhesion evaluation of the layer performed after heating at 155 ° C. for 24 hours, but detachment of the layer occurred and discoloration was caused by a change in reflectance. The cross-sectional observation of the layer by TEM confirmed that the surface of the light shielding layer and a part of the interface facing the film substrate of the light shielding layer were oxidized. It is assumed that this oxidation phenomenon is the cause of the decrease in the binding force and discoloration.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 155℃에서 사용되는 렌즈 장치의 고정 조 리개 등과 같은 차량 내부 모니터용 부품으로 사용될 수 없다. Therefore, such a heat resistant light shielding film cannot be used as a vehicle interior monitor component such as a fixed stop of a lens device used at 155 ° C.

[실시예 24]Example 24

샌드 블라스팅으로 조건을 달리하여 표면 처리하여, 폴리이미드(PI) 필름의 산술 평균 높이 Ra를 2.2 ㎛로 하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 폴리이미드 필름의 종류 및 두께는 실시예 1에서와 같다.The heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 1 except that the surface treatment was performed under different conditions by sand blasting, and the arithmetic mean height Ra of the polyimide (PI) film was set to 2.2 µm. The kind of target material, the kind and thickness of the polyimide film are the same as in Example 1.

티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 필름 표면의 온도를 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 측정한 결과, 200 내지 210℃이었으며, 이는 실시예 1의 필름 온도와 동일하였다. 제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다.The temperature of the film surface during sputtering of the titanium carbide layer was measured from the quartz glass inspection window of the reel-mounted sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer in the same manner as in Example 1, and was 200 to 210 ° C., which was the same as the film temperature of Example 1 It was. The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 1.

그 결과, 광 밀도, 표면 광택 등의 특성이 실시예 1과 동일한 필름이 제조되었다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 120 Ω/□ 및 2.1 ㎛인 것으로 확인되었다. 가시 영역에서의 최대 반사율은 3%이었다. 차광층의 결정화도, 탄소량 및 산소량은 실시예 1과 대등하였다.As a result, films having the same properties as those of Example 1, such as light density and surface gloss, were produced. In addition, it was confirmed that surface resistance and arithmetic mean height Ra were 120 ohms / square and 2.1 micrometers, respectively. Maximum reflectance in the visible region was 3%. The crystallinity, carbon amount and oxygen amount of the light shielding layer were the same as those in Example 1.

250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 뒤틀림 또는 층의 탈리가 발생하지 않았으며, 이는 실시예 1과 동등한 내열성을 보유하고 있음을 의미한다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 1에 나타내었다. 가시 영역에서의 일반적인 반사율이 최대 3%이었으며, 필름의 반사율이 낮음을 알 수 있 다.No distortion or desorption of the layer occurred in the adhesion evaluation of the layer made after heating at 250 ° C. for 24 hours, which means that it has heat resistance equivalent to that of Example 1. Table 1 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film. The general reflectance in the visible range was up to 3% and the film reflects low reflectivity.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다.Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[실시예 25]Example 25

샌드 블라스팅으로 조건을 달리하여 표면 처리하여, 폴리이미드(PI) 필름의 산술 평균 높이 Ra를 1.6 ㎛로 하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 내열 차광 필름을 제조하였다. 타겟 물질의 종류, 수지 필름의 종류 및 두께는 실시예 1에서와 같다.The heat-resistant light-shielding film was produced in the same manner as in Example 1, except that the surface treatment was performed under different conditions by sand blasting, and the arithmetic mean height Ra of the polyimide (PI) film was 1.6 µm. The kind of target material, the kind and thickness of a resin film are the same as in Example 1.

티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 필름 표면의 온도를 실시예 1과 동일하게 적외선 방사 온도계로 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 측정한 결과, 실시예 1의 필름 온도와 동일하게 200 내지 210℃이었다. 제조된 내열 차광 필름의 특성(광 특성 및 내열성)은 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 평가하였다.The temperature of the film surface at the time of sputtering of the titanium carbide layer was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus with an infrared radiation thermometer similarly to Example 1, and it was 200-210 degreeC similarly to the film temperature of Example 1. The characteristics (light characteristics and heat resistance) of the manufactured heat resistant light shielding film were evaluated by the same method and conditions as in Example 1.

그 결과, 광 밀도, 표면 광택 등의 특성이 실시예 1과 동일한 필름이 제조되었다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 110 Ω/□ 및 1.5 ㎛인 것으로 확인되었다. 가시 영역에서의 최대 반사율은 4%이었다. 차광층의 결정화도, 탄소량 및 산소량은 실시예 1과 대등하였다.As a result, films having the same properties as those of Example 1, such as light density and surface gloss, were produced. In addition, it was confirmed that surface resistance and arithmetic mean height Ra were 110 ohms / square and 1.5 micrometers, respectively. Maximum reflectance in the visible region was 4%. The crystallinity, carbon amount and oxygen amount of the light shielding layer were the same as those in Example 1.

250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 뒤틀림 또는 층의 탈리가 발생하지 않았으며, 이는 실시예 1과 동등한 내열성을 보유하고 있음을 의미한다. 제조된 내열 차광 필름의 구조 및 특성을 표 1에 나타내었다. 가시 영역에서의 일반적인 반사율이 최대 4%이었으며, 필름의 반사율이 낮음을 알 수 있다.No distortion or desorption of the layer occurred in the adhesion evaluation of the layer made after heating at 250 ° C. for 24 hours, which means that it has heat resistance equivalent to that of Example 1. Table 1 shows the structure and properties of the manufactured heat resistant light shielding film. The general reflectance in the visible region was at most 4% and the reflectance of the film is low.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 있다.Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[실시예 26]Example 26

실시예 1 내지 25에서 제조된 내열 차광 필름을 천공 가공하여, 20 mm x 30 mm의 차광 블레이드를 제조하였다. 차광 블레이드 한 개의 중량은 0.01 내지 0.03 g이었다. 블레이드 2개를 조리개 장치에 탑재하여, 내구성 시험을 실시하였다.The heat-resistant light-shielding film prepared in Examples 1 to 25 was punched to prepare a light shielding blade of 20 mm x 30 mm. The weight of one shading blade was 0.01-0.03 g. Two blades were mounted in the diaphragm and the durability test was done.

내구성 시험은 램프 광원을 조사하고, 차광 블레이드의 최대 및 최소 개구 직경을 포함하는 범위에서 수 만번 이동하면서, 차광 블레이드의 내열 및 내마모성을 평가하였다.The durability test evaluated the heat resistance and wear resistance of the shading blades by irradiating a lamp light source and moving tens of thousands of times in the range including the maximum and minimum opening diameters of the shading blades.

상기 테스트된 차광 블레이드는 내마모성을 가지고 있어서, 외관 상 변화가 없었고, 조리개 장치 내에 마모된 이물질이 증착되어 있는 것 역시 관찰할 수 없었다. 따라서, 내열 차광 블레이드는 다양한 이점을 갖는 바, 예를 들어, 마찰, 마모 및 소음이 적고, 수지 필름을 기재로 사용함으로써 경량화할 수 있으며, 차광 블레이드를 작동시키는 모터의 구동 토크(driving torque)를 줄일 수 있고, 미끄러짐 특성이 우수하다.The tested shading blades had abrasion resistance, so there was no change in appearance, and no worn foreign matter was deposited in the aperture device. Therefore, the heat resistant shading blade has various advantages, for example, low friction, abrasion and noise, can be reduced by using a resin film as a substrate, and the driving torque of the motor for operating the shading blade is reduced. It can be reduced, and the slip characteristics are excellent.

[비교예 17][Comparative Example 17]

차광 블레이드를 금속성 스테인리스 스틸(SUS) 호일 플레이트로 대체하였다는 점을 제외하고는, 실시예 26과 동일한 방법으로 SUS 호일 플레이트를 천공하여, 20 x 30 mm 의 크기를 가지고 기재로서 SUS 호일 플레이트를 사용하는 차광 블레이드를 제조하였다. 차광 블레이드의 중량은 0.2 내지 0.5 g이었다.Except for replacing the shading blades with a metallic stainless steel (SUS) foil plate, perforated the SUS foil plate in the same manner as in Example 26, having a size of 20 x 30 mm and using an SUS foil plate as the substrate. A light shielding blade was prepared. The weight of the light shielding blade was 0.2 to 0.5 g.

마모성을 평가한 차광 블레이드의 외관 변화는 없었으며, 조리개 장치 내에 마모된 이물질이 부착되어 있는 것 역시 관찰할 수 없었다. 그러나, 차광 블레이드의 중량이 증가하여 차광 블레이드를 구동시키는 모터의 구동 토크가 커졌고, 미끄러짐 특성이 나빴다.There was no change in the appearance of the shading blades that evaluated the wearability, and no worn foreign matter adhered to the aperture device. However, the weight of the shading blades increased to increase the drive torque of the motor for driving the shading blades, resulting in poor slip characteristics.

[실시예 27]Example 27

스퍼터링시의 필름 표면 온도를 50 내지 100℃로 달리하였다는 점을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 조건하에서 동일한 구조를 가진 내열 차광 필름을 제조하였다. 이러한 필름 표면 온도는 냉각 캔의 온도를 -20 내지 20℃의 범위로 조절하여 달성하였다. 차광층은 결정층이었으며, 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 실시예 1과 대등하였다.Except that the film surface temperature at the time of sputtering was changed to 50-100 degreeC, the heat-resistant light-shielding film which has the same structure under the same conditions as Example 1 was produced. This film surface temperature was achieved by adjusting the temperature of the cooling can in the range of -20 to 20 ° C. The light shielding layer was a crystal layer, and the amount of carbon and oxygen contained in the layer were the same as in Example 1.

제조된 내열 차광 필름을 250℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 층의 접착성을 평가하였다. 층은 뒤틀리지 않았으며, 반사율 변화로 인한 변색도 없었으나, 탈리가 유발되었다. 155℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우에도 동일한 결과가 나타났다.After the heat-resistant light-shielding film thus prepared was heated at 250 ° C. for 24 hours, the adhesion of the layer was evaluated. The layer was not warped and there was no discoloration due to the change in reflectance, but desorption was caused. The same results were obtained when evaluated after heating at 155 ° C. for 24 hours.

그러나, 130℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우 뒤틀림, 변색 및 탈리가 일어나지 않았다. 천공한 샘플의 경우에도 130℃에서 24 시간 동안 가열하였으나, 모서리에서 탈리는 유발되지 않았다. 따라서, 이러한 내열 차광 필름은 상대적으로 낮은 온도, 예를 들어, 통상의 온도 또는 130℃ 이하의 온도에서 사용되는 디지털 스틸 카메라(digital still camera)의 고정 조리개 등과 같은 광학 부품으로 사용될 수 있다.However, no distortion, discoloration and desorption occurred when evaluated after heating at 130 ° C. for 24 hours. Perforated samples were also heated at 130 ° C. for 24 hours, but no detachment from the edges was induced. Therefore, such heat resistant light shielding film may be used as an optical component such as a fixed aperture of a digital still camera used at a relatively low temperature, for example, a normal temperature or a temperature of 130 ° C. or lower.

[실시예 28]Example 28

스퍼터링시의 필름 표면 온도를 50 내지 100℃로 달리하였다는 점을 제외하고는, 실시예 21 내지 23에서와 동일한 제조 조건 하에서 동일한 구조를 가진 내열 차광 필름을 제조하였다. 이러한 필름 표면 온도는 냉각 캔의 온도를 -20 내지 20℃의 범위로 조절하여 달성하였다. 차광층은 결정층이었으며, 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 실시예 21에서와 동일하였다.Except that the film surface temperature at the time of sputtering was changed to 50-100 degreeC, the heat-resistant light-shielding film which has the same structure was manufactured under the same manufacturing conditions as Example 21-23. This film surface temperature was achieved by adjusting the temperature of the cooling can in the range of -20 to 20 ° C. The light shielding layer was a crystal layer, and the amount of carbon and oxygen contained in the layer was the same as in Example 21.

상기 제조된 내열 차광 필름을 250℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 층의 접착성을 평가하였다. 층은 뒤틀리지 않았으며, 반사율 변화로 인한 변색도 없었으나, 탈리가 유발되었다. 155℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우에도 동일한 결과가 나타났다.After the heat-resistant light-shielding film prepared above was heated at 250 ° C. for 24 hours, the adhesion of the layer was evaluated. The layer was not warped and there was no discoloration due to the change in reflectance, but desorption was caused. The same results were obtained when evaluated after heating at 155 ° C. for 24 hours.

그러나, 130℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우, 뒤틀림, 변색 및 탈리가 일어나지 않았다. 천공한 샘플의 경우에도 130℃에서 24 시간 동안 가열하였으나, 모서리에서 탈리는 유발되지 않았다. 따라서, 이러한 내열 차광 필름은 상대적으로 낮은 온도, 예를 들어, 통상의 온도 또는 130℃ 이하의 온도에서 사용 되는 디지털 스틸 카메라의 고정 조리개 등과 같은 광학 부품으로 사용될 수 있다.However, when evaluated after heating at 130 ° C. for 24 hours, no distortion, discoloration and desorption occurred. Perforated samples were also heated at 130 ° C. for 24 hours, but no detachment from the edges was induced. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as an optical component such as a fixed aperture of a digital still camera used at a relatively low temperature, for example, a normal temperature or a temperature of 130 ° C. or lower.

[실시예 29 내지 31][Examples 29 to 31]

스퍼터링시의 가스압을 0.2 Pa(실시예 29), 0.8 Pa(실시예 30) 및 1.0 Pa(실시예 31)로 달리하였다는 점을 제외하고는, 실시예 28과 동일한 조건하에서 동일한 구조의 내열 차광 필름을 제조하였다. 차광층은 결정층이었으며, 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 실시예 21에서와 동일하였다.Heat shielding of the same structure under the same conditions as in Example 28, except that the gas pressure during sputtering was changed to 0.2 Pa (Example 29), 0.8 Pa (Example 30) and 1.0 Pa (Example 31). A film was prepared. The light shielding layer was a crystal layer, and the amount of carbon and oxygen contained in the layer was the same as in Example 21.

상기 제조된 내열 차광 필름을 250℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 층의 접착성을 평가하였다. 층은 뒤틀리지 않았으며, 반사율 변화로 인한 변색도 없었으나, 탈리가 유발되었다. 155℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우에도 동일한 결과가 나타났다.After the heat-resistant light-shielding film prepared above was heated at 250 ° C. for 24 hours, the adhesion of the layer was evaluated. The layer was not warped and there was no discoloration due to the change in reflectance, but desorption was caused. The same results were obtained when evaluated after heating at 155 ° C. for 24 hours.

그러나, 130℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우, 뒤틀림, 변색 및 탈리가 일어나지 않았다. 천공한 샘플의 경우에도 130℃에서 24 시간 동안 가열하였으나, 모서리에서 탈리는 유발되지 않았다. 따라서, 이러한 내열 차광 필름은 상대적으로 낮은 온도, 예를 들어, 통상의 온도 또는 130℃ 이하의 온도에서 사용되는 디지털 스틸 카메라의 고정 조리개 등과 같은 광학 부품으로 사용될 수 있다.However, when evaluated after heating at 130 ° C. for 24 hours, no distortion, discoloration and desorption occurred. Perforated samples were also heated at 130 ° C. for 24 hours, but no detachment from the edges was induced. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as an optical component such as a fixed aperture of a digital still camera used at a relatively low temperature, for example, a normal temperature or a temperature of 130 ° C. or lower.

[비교예 18 및 19][Comparative Examples 18 and 19]

스퍼터링시의 가스압을 1.3 Pa(비교예 18) 및 1.8 Pa(비교예 19)로 달리하였다는 점을 제외하고는 제조예 28과 동일한 조건하에서 동일한 구조의 내열 차광 필 름을 제조하였다. 각 차광층은 실시예 28 내지 31과 달리 무정형이었다. 각 층에서의 탄소량 및 산소량은 실시예 21에서와 동일하였다.Except that the gas pressure during sputtering was 1.3 Pa (Comparative Example 18) and 1.8 Pa (Comparative Example 19), a heat-resistant light-shielding film having the same structure was prepared under the same conditions as in Preparation Example 28. Each light shielding layer was amorphous, unlike Examples 28-31. The amount of carbon and oxygen in each layer were the same as in Example 21.

상기 제조된 내열 차광 필름의 내열성 평가는 130℃에서 24 시간 동안 이루어졌다. 양 필름에는 뒤틀림, 반사율 변화로 인한 변색 및 심각한 층의 탈리가 유발되었다.Evaluation of the heat resistance of the heat-resistant light-shielding film prepared above was made for 24 hours at 130 ℃. Both films caused distortion, discoloration due to reflectance change and severe layer detachment.

80℃에서 24 시간 또는 100℃에서 24 시간 동안 이루어진 내열성 평가 역시 동일한 결과를 나타내었다. 따라서, 이러한 내열 차광 필름은 상대적으로 낮은 온도, 예를 들어, 통상의 온도 또는 130℃ 이하의 온도에서 사용되는 디지털 스틸 카메라(digital still camera) 등의 고정 조리개 등과 같은 광학 부품으로도 이용될 수 없다.The heat resistance evaluation made for 24 hours at 80 ° C. or 24 hours at 100 ° C. also showed the same result. Therefore, such heat-resistant light-shielding film cannot be used as an optical component such as a fixed aperture such as a digital still camera used at a relatively low temperature, for example, a normal temperature or a temperature of 130 ° C. or lower. .

[실시예 32]Example 32

스퍼터링시의 아르곤 가스압을 1.0 Pa로 하였고, 스퍼터링시의 필름 표면 온도를 50 내지 100℃로 달리하였다는 점을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 조건하에서 실시예 11과 동일한 구조를 가진 내열 차광 필름을 제조하였다. 이러한 필름 표면 온도는 냉각 캔의 온도를 -20 내지 20℃의 범위로 조절하여 달성하였다. 차광층은 도 7에 도시한 바와 같은 결정층이었으며, 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 실시예 11에서와 동일하였다.The heat-resistant light-shielding film having the same structure as in Example 11 under the same conditions as in Example 11 except that the argon gas pressure at sputtering was 1.0 Pa and the film surface temperature at sputtering was varied from 50 to 100 ° C. Was prepared. This film surface temperature was achieved by adjusting the temperature of the cooling can in the range of -20 to 20 ° C. The light shielding layer was a crystal layer as shown in FIG. 7, and the amount of carbon and oxygen contained in the layer were the same as in Example 11.

제조된 내열 차광 필름의 내열성 평가는 250℃에서 24 시간 동안 이루어졌다. 필름은 뒤틀림 및 반사율의 변화로 인한 변색이 일어나지 않았으나, 층의 탈 리가 일어났다. 155℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우에도 동일한 결과가 나타났다.The heat resistance evaluation of the produced heat-resistant light-shielding film was made at 250 ° C. for 24 hours. The film did not discolor due to distortion and change in reflectance, but detachment of the layer occurred. The same results were obtained when evaluated after heating at 155 ° C. for 24 hours.

그러나, 130℃에서 24 시간 동안 가열한 후에 평가한 경우, 뒤틀림, 변색 및 탈리가 일어나지 않았다. 천공한 샘플의 경우에도 130℃에서 24 시간 동안 가열하였으나, 모서리에서 탈리는 유발되지 않았다. 따라서, 이러한 내열 차광 필름은 상대적으로 낮은 온도, 예를 들어, 통상의 온도 또는 130℃ 이하의 온도에서 사용되는 디지털 스틸 카메라의 고정 조리개 등과 같은 광학 부품으로 사용될 수 있다.However, when evaluated after heating at 130 ° C. for 24 hours, no distortion, discoloration and desorption occurred. Perforated samples were also heated at 130 ° C. for 24 hours, but no detachment from the edges was induced. Therefore, such heat resistant light shielding film can be used as an optical component such as a fixed aperture of a digital still camera used at a relatively low temperature, for example, a normal temperature or a temperature of 130 ° C. or lower.

[비교예 20][Comparative Example 20]

스퍼터링시에 가스압을 1.5 Pa로 하였다는 점을 제외하고는, 실시예 32와 동일한 조건하에서 동일한 구조의 내열 차광 필름을 제조하였다. 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 실시예 11에서와 동일하였다. 차광층에서의 X선 회절 측정 결과, 어떠한 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 이는 실시예 11 및 32와 달리 무정형 층임을 의미한다. Except that the gas pressure was set to 1.5 Pa at the time of sputtering, the heat-resistant light-shielding film of the same structure was produced on the conditions similar to Example 32. The amount of carbon and oxygen contained in the layer was the same as in Example 11. As a result of X-ray diffraction measurement in the light shielding layer, no diffraction peak was observed, which means that it is an amorphous layer unlike Examples 11 and 32.

상기 제조된 내열 차광 필름의 내열성 평가는 130℃에서 24 시간 동안 이루어졌다. 필름에는 뒤틀림, 반사율 변화로 인한 변색 및 심각한 탈리가 일어났다. Evaluation of the heat resistance of the heat-resistant light-shielding film prepared above was made for 24 hours at 130 ℃. The film was warped, discolored due to reflectance change and severe desorption.

80℃에서 24 시간 동안 또는 100℃에서 24 시간 동안 내열성을 평가한 경우에도 동일한 결과가 나타났다. 따라서, 이러한 내열 차광 필름은 비교적 낮은 온도 예를 들면 130℃ 이하의 온도에서 사용되는 디지털 스틸 카메라의 고정 조리개 등과 같은 광학 부품으로도 이용할 수 없다.The same result was obtained when the heat resistance was evaluated at 80 ° C. for 24 hours or at 100 ° C. for 24 hours. Therefore, such heat resistant light shielding film cannot be used as an optical component such as a fixed aperture of a digital still camera used at a relatively low temperature, for example, 130 ° C. or lower.

[비교예 21]Comparative Example 21

스퍼터링시에 가스압을 1.5 Pa로 하였다는 점을 제외하고는, 실시예 11과 동일한 조건하에서 실시예 1에서와 동일한 구조로 이루어진 내열 차광 필름을 제조하였다. 수지 필름의 종류, 두께, 표면 거칠기 및 텅스텐 카바이드 층의 두께는 실시예 11에서와 동일하였다.A heat resistant light-shielding film having the same structure as in Example 1 was prepared under the same conditions as in Example 11 except that the gas pressure was set to 1.5 Pa during sputtering. The type, thickness, surface roughness and thickness of the tungsten carbide layer of the resin film were the same as in Example 11.

티타늄 카바이드 층의 스퍼터링시 적외선 방사 온도계로 실시예 1과 동일하게 릴 장착 스퍼터링 장치의 석영 유리 검사창으로부터 필름 표면의 온도를 측정하였다. 온도는 185 내지 195℃였으며, 이는 실시예 11의 필름 온도와 동일하였다.The temperature of the film surface was measured from the quartz glass inspection window of the reel mounting sputtering apparatus in the same manner as in Example 1 when sputtering the titanium carbide layer. The temperature was 185-195 ° C., which was the same as the film temperature of Example 11.

제조된 내열 차광 필름에 대한 평가(광 특성 및 내열성)는 실시예 1과 동일한 방법, 조건으로 실시하였다. 그 결과 광 밀도, 반사율, 표면 광택도 등의 특성들은 실시예 1과 대등하였다. 또한, 표면 저항 및 산술 평균 높이 Ra는 각각 105 Ω/□ 및 0.4 ㎛인 것으로 확인되었다. 층에 포함된 탄소량 및 산소량은 실시예 11에서와 동일하였다. 그러나, 차광층의 X선 회절 측정 결과, 어떠한 회절 피크도 관찰되지 않았으며, 층이 무정형 구조임을 의미한다.Evaluation (light characteristics and heat resistance) with respect to the manufactured heat-resistant light-shielding film was performed by the same method and conditions as Example 1. As a result, characteristics such as light density, reflectance, surface glossiness, and the like were the same as those of Example 1. It was also confirmed that the surface resistance and the arithmetic mean height Ra were 105 Ω / □ and 0.4 μm, respectively. The amount of carbon and oxygen contained in the layer was the same as in Example 11. However, as a result of X-ray diffraction measurement of the light shielding layer, no diffraction peak was observed, which means that the layer was an amorphous structure.

250℃에서 24 시간 동안 가열 후에 행한 층의 접착성 평가에서 뒤틀림은 일어나지 않았으나, 탈리가 일어났으며, 반사율의 변화로 인한 심각한 변색이 유발되었다. TEM에 의한 층의 단면 관찰 결과 차광층의 표면 및 폴리이미드 측을 대면하는 계면이 산화되었음을 확인하였다. 이러한 산화 현상이 층의 결합력 감소 및 변 색의 원인이라 추측된다.No distortion occurred in the adhesion evaluation of the layer performed after heating at 250 ° C. for 24 hours, but detachment occurred, causing severe discoloration due to a change in reflectance. The cross-sectional observation of the layer by TEM confirmed that the interface facing the surface of the light shielding layer and the polyimide side was oxidized. It is assumed that this oxidation phenomenon is the cause of the decrease in the bonding strength and discoloration of the layer.

따라서, 이러한 내열 차광 필름은 고온 환경하에서 사용되는 조리개 등과 같은 액정 프로젝터의 부품으로 사용될 수 없다. Therefore, such heat resistant light shielding film cannot be used as a part of a liquid crystal projector such as an aperture used in a high temperature environment.

[표 1] TABLE 1

Figure 112008008195050-PAT00001
Figure 112008008195050-PAT00001

[표 2]TABLE 2

Figure 112008008195050-PAT00002
Figure 112008008195050-PAT00002

본 발명의 내열 차광 필름은, 소정의 두께를 가지는 금속 카바이드 층이 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)의 표면 거칠기로 내열 수지 필름 기재 상에 형성되어 있어서, 낮은 표면광택, 낮은 반사율 및 우수한 도전성을 유지하는 내열 차광 필름을 제조할 수 있다. 또한, 상기 금속 카바이드 필름층은 스퍼터링(sputtering)법에 의해 형성되는 바, 종래의 코팅 공정에 의해 제조된 차광 필름에 비해 더 조밀한 표면 구조로 이루어져 있으며, 표면 마모성 및 마찰성이 우수하다. 또한, 상기 금속 카바이드재는 산화에 더 강하고, 155 내지 300℃의 고온 환경 및 고습 환경에서도 차광능이 변하지 않으므로, 종래 산화 금속층을 차광층으로 사용한 내열 차광 필름에 비해 내열성이 현저히 우수하다. 더욱이, 본 발명에 따른 내열 차광 필름은 내열 수지 필름을 중심으로 금속 카바이드 층들 사이에 끼워져 있는 대칭층 구조로 이루어져 있어서, 스퍼터링시 필름의 응력으로 인한 변형이 유발되지 않으므로, 생산성이 우수하다.In the heat-resistant light-shielding film of the present invention, a metal carbide layer having a predetermined thickness is formed on a heat-resistant resin film substrate with a surface roughness of 0.1 to 2.1 µm (arithmetic mean height Ra), so that low surface gloss, low reflectance and excellent conductivity A heat resistant light shielding film can be produced. In addition, the metal carbide film layer is formed by a sputtering method, and has a denser surface structure than the light shielding film manufactured by a conventional coating process, and has excellent surface wear and friction. In addition, the metal carbide material is more resistant to oxidation, and the light shielding ability does not change even in a high temperature environment and a high humidity environment of 155 to 300 ° C., thus, the heat resistance light shielding film using the metal oxide layer as a light shielding layer is significantly superior. In addition, the heat-resistant light-shielding film according to the present invention has a symmetrical layer structure sandwiched between metal carbide layers around the heat-resistant resin film, so that deformation due to stress of the film during sputtering is not induced, thereby providing excellent productivity.

따라서, 본 발명의 내열 차광 필름은 내열성이 특히 요구되는 액정 프로젝터의 광량 조정 장치를 구성하는 조리개 블레이드재 및 차량 내부용 모니터의 렌즈 장치를 구성하는 고정 조리개에 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라의 셔터 블레이드 등에 사용하는 경우, 공업적으로 매우 유용하다.Therefore, the heat-resistant light-shielding film of the present invention can be usefully used for the diaphragm blade member constituting the light amount adjusting device of the liquid crystal projector, in which heat resistance is particularly required, and the fixed diaphragm constituting the lens device of the monitor for the vehicle interior. Moreover, when used for the shutter blades of a digital camera, a digital video camera, etc., it is very useful industrially.

도 1은 기재의 일면에 금속 카바이드 필름이 결합된 본 발명에 따른 내열 차광 필름의 단면도이다;1 is a cross-sectional view of a heat resistant light shielding film according to the present invention in which a metal carbide film is bonded to one surface of a substrate;

도 2는 기재의 양면에 금속 카바이드 필름이 결합된 본 발명에 따른 내열 차광 필름의 단면도이다;2 is a cross-sectional view of a heat resistant light shielding film according to the present invention in which a metal carbide film is bonded to both sides of a substrate;

도 3은 본 발명에 따른 내열 차광 필름의 제조에 사용되는 릴 장착형 기재 냉각형 스퍼터링 장치에 관한 하나의 예를 나타낸 모식도이다;3 is a schematic view showing one example of a reel-mounted substrate-cooled sputtering apparatus used for producing a heat-resistant light-shielding film according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 내열 차광 필름의 제조에 사용되는 릴 장착형 스퍼터링 장치에 관한 하나의 예를 나타낸 모식도이다;4 is a schematic view showing one example of a reel-mounted sputtering apparatus used for producing a heat-resistant light-shielding film according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 내열 차광 필름이 사용되는 조리개 구조를 나타낸 모식도이다;5 is a schematic diagram showing an aperture structure in which a heat resistant light shielding film according to the present invention is used;

도 6은 본 발명에 따른 제조방법에 의해 만들어진 내열 차광 필름의 차광층(티타늄 카바이드 층)의 X선 회절 패턴을 나타낸 도면이다; 6 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern of a light shielding layer (titanium carbide layer) of a heat resistant light shielding film made by a manufacturing method according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 제조방법에 의해 만들어진 내열 차광 필름의 차광층(텅스텐 카바이드 층)의 X선 회절 패턴을 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern of a light shielding layer (tungsten carbide layer) of a heat resistant light shielding film produced by a manufacturing method according to the present invention. FIG.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

1 수지 필름 기재1 resin film base material

2 금속 카바이드 층2 metal carbide layers

5 권출형 롤5 unwinding roll

6 진공펌프6 vacuum pump

7 진공 챔버7 vacuum chamber

8 냉각 캔 롤8 cooling cans roll

9 권취형 롤9 winding rolls

10 마그네트론 캐소드10 magnetron cathode

11 타겟11 targets

12 격벽12 bulkhead

13 지지용 롤13 Support roll

14 내열 차광 블레이드14 heat resistant shading blade

15 가이드 홀15 guide holes

16 가이드 핀16 guide pin

17 핀17 pin

18 기재18 description

19 홀19 holes

20 개구20 openings

Claims (20)

155℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재(A)와, 상기 수지 필름 기재(A)의 일면 또는 양면에 형성된 결정성 금속 카바이드 층(MeC)의 차광층(B)으로 이루어져 있고, 상기 차광층(B)의 두께는 100 nm 이상이고, 표면 거칠기가 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이며, 상기 금속 카바이드 층(MeC) 중 탄소 원소의 함량은 총 금속 원소(Me)에 대한 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The light-shielding layer (B) which consists of a resin film base material (A) which has a heat resistance of 155 degreeC or more, and the light shielding layer (B) of the crystalline metal carbide layer (MeC) formed in one or both surfaces of the said resin film base material (A). ) Has a thickness of 100 nm or more, a surface roughness of 0.1 to 2.1 μm (arithmetic mean height Ra), and the content of carbon elements in the metal carbide layer (MeC) is an atomic ratio (C / to total metal elements (Me)). Me) is 0.3 or more, The heat-resistant light-shielding film characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)는 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리이미드, 아라미드, 폴리페닐렌 설파이드, 또는 폴리에테르 설폰으로부터 선택된 적어도 1 종으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The heat-resistant light-shielding film according to claim 1, wherein the resin film base material (A) is composed of at least one selected from polyethylene naphthalate, polyimide, aramid, polyphenylene sulfide, or polyether sulfone. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)는 200℃ 이상의 내열성을 가지는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The heat-resistant light-shielding film according to claim 1 or 2, wherein the resin film base material (A) has heat resistance of 200 ° C or higher. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)의 두께는 5 내지 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The heat-resistant light-shielding film according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin film base material (A) has a thickness of 5 to 200 µm. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 수지 필름 기재(A)의 표 면 거칠기는 0.2 내지 2.2 ㎛(산술 평균 높이 Ra)인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The surface roughness of the said resin film base material (A) is 0.2-2.2 micrometers (arithmetic mean height Ra), The heat-resistant light-shielding film in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 차광층(B)의 두께는 110 내지 550 nm인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The heat resistant light shielding film according to any one of claims 1 to 5, wherein the light shielding layer (B) has a thickness of 110 to 550 nm. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 금속 카바이드 층(MeC)은 주성분으로서, 실리콘 카바이드, 티타늄 카바이드, 알루미늄 카바이드, 니오브 카바이드, 텅스텐 카바이드, 몰리브덴 카바이드, 바나듐 카바이드, 탄탈륨 카바이드, 지르코늄 카바이드, 또는 하프늄 카바이드로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The metal carbide layer (MeC) according to any one of claims 1 to 6, the main component is silicon carbide, titanium carbide, aluminum carbide, niobium carbide, tungsten carbide, molybdenum carbide, vanadium carbide, tantalum carbide, zirconium carbide Or at least one material selected from hafnium carbide. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 금속 카바이드 층(MeC)에서 탄소 원소(C)의 함량은 총 금속원소(Me)에 대한 탄소 원소(C)의 원자수비(C/Me)가 0.5 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The content of carbon element (C) in the metal carbide layer (MeC) is an atomic ratio (C / Me) of the carbon element (C) to the total metal element (Me). Is 0.5 or more, the heat-resistant light-shielding film characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 금속 카바이드 층(MeC)에서 산소(O)의 함량은 총 금속원소(Me)에 대한 산소(O)의 원자수비(O/Me)가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The method of any one of claims 1 to 8, wherein the content of oxygen (O) in the metal carbide layer (MeC) is 0.5 atomic ratio (O / Me) of oxygen (O) to the total metal element (Me). The heat-resistant light shielding film characterized below. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 하나에 있어서, 상기 차광층(B)의 반사율은 380 내지 780 nm의 파장 범위의 광에 대해 10% 이하인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The heat resistant light shielding film according to any one of claims 1 to 9, wherein the reflectance of the light shielding layer (B) is 10% or less with respect to light in a wavelength range of 380 to 780 nm. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서, 차광능(light-shading capacity)의 지표로서 광 밀도(optical density)는 380 내지 780 nm의 파장 범위에서 4 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The heat resistant light shielding film according to any one of claims 1 to 10, wherein the optical density as an index of light-shading capacity is 4 or more in a wavelength range of 380 to 780 nm. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 하나에 있어서, 동일한 구조 및 두께를 갖는 금속 카바이드 층(MeC)들이 수지 필름 기재(A)의 양면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름.The heat-resistant light-shielding film according to any one of claims 1 to 11, wherein metal carbide layers (MeC) having the same structure and thickness are formed on both surfaces of the resin film substrate (A). 155℃ 이상의 내열성을 갖는 수지 필름 기재(A) 및 상기 수지 필름 기재(A)의 일면 또는 양면에 형성된 차광층(B)으로서 결정성 금속 카바이드 층(MeC)으로 이루어진 내열 차광 필름을 제조하는 방법으로서, As a method of manufacturing a heat-resistant light-shielding film made of a crystalline metal carbide layer (MeC) as a light-shielding layer (B) formed on one or both surfaces of a resin film base material (A) having a heat resistance of 155 ° C. or higher and the resin film base material (A). , 표면 거칠기가 0.2 내지 2.2 ㎛(산술 평균 높이 Ra)인 내열성 수지 필름 기재(A)를 스퍼터링 장치에 공급하는 단계; 및 Supplying a heat resistant resin film base material (A) having a surface roughness of 0.2 to 2.2 mu m (arithmetic mean height Ra) to the sputtering apparatus; And 불활성 가스 분위기에서 금속 카바이드 타겟을 사용하여 상기 수지 필름 기재(A) 상에 스퍼터링법에 의해, 두께가 100 nm 이상이고, 표면 거칠기가 0.1 내지 2.1 ㎛(산술 평균 높이 Ra)이며, 금속 카바이드 층(MeC)의 탄소 원소(C) 함량은 전 체 금속 원소(M)에 대한 원자수비(C/Me)가 0.3 이상인 결정성 금속 카바이드 층(MeC)을 형성하는 단계; Sputtering method on the said resin film base material A using a metal carbide target in inert gas atmosphere, thickness is 100 nm or more, surface roughness is 0.1-2.1 micrometers (arithmetic mean height Ra), and a metal carbide layer ( The carbon element (C) content of MeC) may include forming a crystalline metal carbide layer (MeC) having an atomic ratio (C / Me) of 0.3 or more to the total metal element (M); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법.Method for producing a heat-resistant light-shielding film comprising a. 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 금속 카바이드 층(MeC)이 형성된 내열 차광 필름을 스퍼터링 장치에 추가적으로 공급하는 단계; 및Additionally supplying a heat resistant light shielding film having a metal carbide layer (MeC) formed thereon; And 금속 카바이드 층(MeC)이 형성되지 않은 수지 필름 기재(A)의 타면에 스퍼터링에 의해 금속 카바이드 층(MeC)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법.Forming a metal carbide layer (MeC) by sputtering on the other surface of the resin film substrate (A) on which the metal carbide layer (MeC) is not formed. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서, 차광층(B) 형성 시기에 상기 스퍼터링 가스의 압력은 0.2 내지 1.0 Pa인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법.The manufacturing method of the heat resistant light shielding film according to claim 13 or 14, wherein the pressure of the sputtering gas is 0.2 to 1.0 Pa at the time of forming the light shielding layer (B). 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 하나에 있어서, 차광층(B) 형성 시기에 상기 수지 필름 기재(A)의 표면 온도는 180℃ 이상인 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법.The surface temperature of the said resin film base material (A) is 180 degreeC or more in the light shielding layer (B) formation timing, The manufacturing method of the heat resistant light shielding film in any one of Claims 13-15 characterized by the above-mentioned. 제 13 항 내지 제 16 항 중 어느 하나에 있어서, The method according to any one of claims 13 to 16, 상기 수지 필름 기재(A)를 롤(roll) 형태로 스퍼터링 장치의 필름 이송 부(film transfer section)에 셋팅하는 단계; 및Setting the resin film substrate (A) in a roll form in a film transfer section of a sputtering apparatus; And 상기 수지 필름 기재(A)가 권출부(wind-off section)로부터 권취부(take-up section)으로 이동하는 동안 스퍼터링법에 의해 층을 형성하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법. Forming a layer by sputtering while the resin film substrate (A) is moved from the wind-off section to the take-up section; manufacturing a heat-resistant light-shielding film, characterized in that consisting of Way. 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 하나에 있어서, The method according to any one of claims 13 to 17, 상기 수지 필름 기재(A)를 롤 형태로 스퍼터링 장치의 필름 이송부에 셋팅하는 단계; 및Setting the resin film base material (A) in the form of a roll on the film transfer part of the sputtering apparatus; And 상기 수지 필름 기재(A)가 권출부에서 권취부로 이동하는 동안 스퍼터링법에 의해 층을 형성하는 단계;를 포함하고, Forming a layer by sputtering while the resin film substrate (A) moves from the unwinding portion to the winding-up portion; 여기서, 상기 층은 수지 필름 기재(A)가 냉각되지 않고, 스퍼터링시 필름 형성용 챔버(film-forming chamber) 내에서 부유 상태(floating state)인 동안 형성되는 것을 특징으로 하는 내열 차광 필름의 제조방법.Here, the layer is a method of manufacturing a heat-resistant light-shielding film, characterized in that the resin film base (A) is not cooled, but is formed in a floating state in a film-forming chamber during sputtering. . 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 하나에 따른 내열 차광 필름을 가공하여 제조된 우수한 내열성의 조리개(diaphragm).An excellent heat resistance diaphragm manufactured by processing the heat shielding film according to any one of claims 1 to 12. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 하나에 따른 내열 차광 필름을 사용한 광량 조정 장치(light intensity adjusting device).Light intensity adjusting device using the heat-resistant light blocking film according to any one of claims 1 to 12.
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