KR20080087648A - Electrolytic processing unit device, and method for electrolytic processing, washing, and drying - Google Patents

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타카시 후지타
쿄우지 와타나베
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가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔
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Abstract

An electrolytic processing unit device and an electrolytic processing, washing, and a drying method are provided to enhance efficiency by using one module for performing electrolytic processing, washing, and drying processes. An electrolytic processing unit device includes an electrolytic processor(2) for performing an electrolytic process on a wafer, a washer(3) for washing the processed wafer, and a drier(4) for drying the processed or washed wafer. The electrolytic processor, the washer, and the drier are formed in the same process chamber so that the electrolytic process, the washing process, and the drying process are performed by using one module. The electrolytic processor, the washer, and the drier are arranged in an arc-shaped structure or a linear structure.

Description

전해 가공 유닛 장치 및 전해 가공 세정 건조 방법{Electrolytic processing unit device, and method for electrolytic processing, washing, and drying}Electrolytic processing unit device, and method for electrolytic processing, washing, and drying}

본 발명은 전해 가공 유닛 장치 및 전해 가공 세정 건조 방법에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 행할 때에 이용되는 전해 가공 유닛 장치 및 전해 가공 세정 건조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an electrolytic processing unit apparatus and an electrolytic processing cleaning drying method, and more particularly, to an electrolytic processing unit apparatus and an electrolytic processing cleaning drying method used when performing electrolytic processing, cleaning and drying of a wafer.

종래, 예를 들면, CuCMP의 전해 연마에서는, 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조의 일련의 공정은 각각 독립한 복수의 모듈에서 따로따로 행해지고 있었다. 따라서, 웨이퍼의 전해 가공, 세정 또는 건조의 각 공정에서는, 개개의 모듈에 웨이퍼를 순차 경유시켜야 하고, 그만큼 각 모듈 간의 웨이퍼 반송 공정도 많아진다.Conventionally, for example, in electrolytic polishing of CuCMP, a series of processes of electrolytic processing, cleaning, and drying of a wafer have been performed separately in a plurality of independent modules, respectively. Therefore, in each step of the electrolytic processing, cleaning or drying of the wafer, the individual modules must pass through the wafer sequentially, so that the wafer transfer step between the modules increases.

특히, 웨이퍼의 전해 가공에서는, 일반적으로 이 웨이퍼를 뒤집어 웨이퍼의 표리 양면을 가공하고 있기 때문에, 그만큼 웨이퍼의 반송계도 복잡하게 된다.In particular, in electrolytic processing of wafers, since the wafers are generally turned upside down and both sides of the wafer are processed, the conveyance system of the wafers is also complicated.

이와 같이, 웨이퍼의 전해 연마에 있어서, 공정마다의 각 모듈에 웨이퍼를 순차 반송하여 가공한 경우, 어느 하나의 모듈에서 일단 문제가 발생하면 그 문제는 큰 문제를 일으키게 된다. 예를 들면, 가공 처리 중에 세정 공정의 모듈에서 문제가 발생했을 때, 오퍼레이터가 알아차리지 못하고 이 문제에 대한 대응이 늦어 진 경우에는, 세정 공정의 모듈에서 웨이퍼의 반송계가 정체하고, 그 영향이 다른 공정의 복수의 모듈에도 미치게 된다. 그 결과, 다른 복수의 모듈의 반송계가 정체하기 때문에, 가공 처리 라인을 흐르고 있던 모든 웨이퍼가 정체하고, 이 정체한 웨이퍼가 외부 공기나 처리액과 장시간 접촉하여, 산화 열화나 부식 등의 결함을 일으킨다는 문제가 있었다.As described above, in the electropolishing of the wafer, when the wafer is sequentially conveyed and processed to each module for each step, the problem is a big problem once a problem occurs in any one module. For example, when a problem occurs in the module of the cleaning process during the processing, when the operator is not aware and the response to this problem is delayed, the wafer transfer system is stagnant in the module of the cleaning process, and the influence is different. It also extends to multiple modules of the process. As a result, since the transfer systems of a plurality of other modules are stagnant, all the wafers flowing through the processing line are stagnant, and the stagnant wafers are brought into contact with the outside air or the processing liquid for a long time, causing defects such as oxidation deterioration and corrosion. Had a problem.

따라서, 전해 가공시에 문제를 발생했을 때, 모든 공정의 모듈에서 웨이퍼의 반송을 즉시 정지시켜, 가공 처리 라인으로부터 웨이퍼를 퇴피시킬 수 있도록 생산관리용의 프로그램을 기동시키는 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 4 참조).Therefore, when a problem occurs during electrolytic machining, a method for starting a production management program has been proposed so that the transfer of wafers can be immediately stopped by modules in all processes and the wafers can be evacuated from the processing line (eg, For example, refer patent document 4).

[특허문헌 1] 일본국 공개특허공고 제 2002-93761 호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-93761

[특허문헌 2] 미국 특허 제 7084064 호 공보[Patent Document 2] US Patent No. 7084064

[특허문헌 3] 일본국 공개특허공고 제 2006-135045 호 공보[Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-135045

[특허문헌 4] 일본국 특허출원번호 제 2002-178236 호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Publication No. 2002-178236

그러나 상기 종래 기술과 같이, 문제 발생시에, 복수의 모듈에서 웨이퍼의 반송을 즉시 정지시키고, 이 웨이퍼를 가공 처리 라인으로부터 퇴피시키는 방식은, 상기 프로그램의 작성이 매우 복잡하게 된다는 문제가 있다. 또한, 종래 타입의 CMP 장치에서는, 웨이퍼에 대하여 주로 기계 가공을 행하기 때문에, 웨이퍼 연마용 패드를 회전하기 위한 플래튼(platen)이 필요하지만, 전해 가공 장치에서는 이 플래튼을 생략할 수 있다.However, as in the conventional art, when a problem occurs, a method of immediately stopping the conveyance of the wafers in the plurality of modules and evacuating the wafers from the processing line has a problem that the creation of the program becomes very complicated. Further, in the conventional type CMP apparatus, since the machining is mainly performed on the wafer, a platen for rotating the wafer polishing pad is required, but the platen can be omitted in the electrolytic processing apparatus.

또한, 장치 내에서 가공, 세정, 건조와 몇 개의 공정을 거쳐, 복수의 모듈에서 처리를 행하는 경우, 예를 들면, 마지막 건조 공정에서 문제가 있었을 경우, 그 문제가 해제되지 않는 한, 장치 내에서 다수의 웨이퍼가 정체하게 된다. 특히, 가공 공정이나 세정 공정 등에서는, 그대로 정체에 의해 방치되어 있는 경우, 웨이퍼 표면의 산화가 진행되는 경우나, 세정액 등으로는 표면이 에칭되거나 하여, 웨이퍼 전체의 품질이 손상되어 버리는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 초기에 일어난 문제가 매우 경미하였다고 하더라도, 그것을 알아차리는 것이 늦어져서 웨이퍼를 정체시키게 되면, 결과적으로 장치 내의 모든 웨이퍼를 망가뜨린다는 중대한 문제로 발전하기도 한다.In addition, when processing in a plurality of modules through processing, washing, drying and several steps in the apparatus, for example, if there is a problem in the last drying process, unless the problem is solved, Many wafers become stagnant. In particular, in the processing step or the cleaning step, when left untreated by stagnation, the oxidation of the wafer surface may proceed, the surface may be etched with a cleaning liquid, etc., and the quality of the entire wafer may be impaired. . In such a case, even if the initial problem is very mild, it may develop into a serious problem that if the wafer is stagnated due to a delay in noticing it, the result is that all wafers in the device are destroyed.

이와 같은 것으로부터도, 복수의 공정을 복수의 모듈에서 행하는 것에 대하여, 그 하나의 문제가 다른 웨이퍼에 대하여 다대한 영향을 미친다는 의미에서는, 웨이퍼의 양산 처리라고 하더라도, 매우 주의하여 장치를 운전해야 하고, 실질적으 로 무인으로 운전하는 것은 불가능했다.Even from such a thing, in the sense that one problem has a great influence on the other wafers in performing a plurality of processes in a plurality of modules, even if the mass production process of the wafers, the device must be operated with great care. It was virtually impossible to drive unattended.

또한, 근년 Cu-Low-k 공정에서는, 특히 전해 가공 중에 표면의 산화를 방지할 목적으로, 웨이퍼 전해 가공 중의 분위기를 대기와는 다른 분위기로 제어할 필요가 있었다. 또한, 세정 후의 건조 공정에 있어서도, 워터 마크의 발생을 경감하기 위해, 마찬가지로 분위기를 통상의 대기의 분위기와는 다른 분위기로 컨트롤할 필요가 있었다.Moreover, in recent years, in the Cu-Low-k process, it was necessary to control the atmosphere during wafer electrolytic processing to the atmosphere different from the atmosphere, especially in order to prevent the oxidation of the surface during electrolytic processing. Moreover, also in the drying process after washing | cleaning, in order to reduce generation | occurrence | production of a watermark, it was necessary to control atmosphere to the atmosphere similar to the atmosphere of normal atmosphere similarly.

이러한 분위기 제어를 다수의 모듈에서 행하게 되면, 분위기 개변 수단이 매우 커짐과 동시에, 각각의 공정에서 각각의 웨이퍼의 출납에 있어서, 1회씩 행하게 되면, 매우 다대한 시간을 필요로 하게 된다. 이와 같은 것으로부터도, 한 번의 분위기 개변에 의하여, 가공, 세정, 건조까지 모두 행할 수 있다면, 매우 효율적이라고 할 수 있다.When such atmosphere control is performed by a large number of modules, the means for modifying the atmosphere becomes very large, and when each wafer is taken out once in each process, a very large time is required. Even from such a thing, it can be said that it is very efficient if it can perform all to processing, washing | cleaning, and drying by one atmosphere change.

또한, 복수의 공정에 대하여 복수의 모듈에서 처리를 행하게 되면, 그 모듈 간을 연결하기 위한 웨이퍼를 반송하는 수단이 필요하게 된다. 이러한 반송 수단도 매우 비용이 드는 것과 동시에, 메인터넌스하기 위해서는, 모든 웨이퍼 처리를 일단 정지하여 행하게 되기 때문에, 장치의 가동률에 다대한 영향을 주게 된다.Moreover, when a process is performed by a some module with respect to a some process, the means which conveys the wafer for connecting between the modules is needed. Such a conveying means is also very costly, and in order to perform maintenance, all wafer processing is stopped once and performed, and it has a great influence on the operation rate of an apparatus.

또한, 종래의 전해 가공의 웨이퍼에 있어서도, Cu의 전해 가공과 Ta의 전해 가공을 동일한 위치에서 행하는 것은 곤란했다.Moreover, also in the wafer of the conventional electrolytic processing, it was difficult to perform electrolytic processing of Cu and electrolytic processing of Ta in the same position.

전해 가공이라고 하여도, 통상, 화학 기계 연마의 장치에 대해서, 그것에 통전(通電)하는 기구를 부여하여, 전해 연마를 행하고 있었다. 여기서, 화학 기계 연마에서 사용하는 패드는, 통상의 연마 패드가 사용되지만, Cu를 연마한 후에 Ta 를 연마하면, Cu의 연마 부스러기가 Ta 연마시에 악영향을 미쳐, 예를 들면, Ta의 연마 레이트가 변화하는 것이나, Ta 표면에 Cu의 연마 부스러기가 부착하는 것 등이 염려된다. 또한, Cu를 연마하는 전해액과 Ta를 연마하는 전해액의 종류가 서로 다른 경우, 상기 연마 패드에 2개의 전해액이 섞이는 일도 있다. 따라서, 연마 패드를 통하여 전해 연마를 행하는 경우, 동일한 모듈에서 Cu와 Ta의 2개의 연마 공정을 겸하는 것은 어렵다는 문제가 있었다.Even in the case of electrolytic machining, electrochemical polishing was usually performed by providing a mechanism for energizing the apparatus of chemical mechanical polishing. Here, although a conventional polishing pad is used for the pad used in chemical mechanical polishing, if Ta is polished after polishing Cu, polishing debris of Cu adversely affects Ta polishing, for example, the polishing rate of Ta May change or the adhesion of Cu abrasive debris to the Ta surface may be a concern. In addition, when the types of the electrolyte for polishing Cu and the electrolyte for polishing Ta are different from each other, two electrolytes may be mixed in the polishing pad. Therefore, when electrolytic polishing is carried out through the polishing pad, it is difficult to combine two polishing processes of Cu and Ta in the same module.

마찬가지로, 이와 같은 연마 공정과 세정 공정을 겸하는 것은, 동일 모듈 내에서, 연마 패드에 전해액이나 연마제 입자가 내재된 상태가 되면, 세정을 행하는 환경이 손상된다는 문제가 있었다.Similarly, having both such a polishing process and a cleaning process has a problem that the environment in which the cleaning is performed is impaired when an electrolyte solution or abrasive particles are inherent in the polishing pad in the same module.

또한, 특허문헌 2, 3이 나타내는 바와 같이, 종래 기술에 있어서 상기 전해 가공 장치와 세정 장치를 하나로 조합하는 것은, 물리적으로도 거의 불가능했다. 그것은, 전해 가공 장치가 플래튼을 가지고 있으며, 웨이퍼 표면 전면을 동시에 가공하기 때문이다. 통상 웨이퍼는, 그 상측에 배치되는 웨이퍼 헤드에 보유되고, 또한, 플래튼은 웨이퍼의 하측에 배치되고, 웨이퍼는 하향으로 보유된 상태로 연마된다.In addition, as Patent Documents 2 and 3 show, in the prior art, it was almost impossible to physically combine the electrolytic processing device and the cleaning device into one. This is because the electrolytic processing apparatus has a platen and simultaneously processes the entire surface of the wafer surface. Usually, the wafer is held in a wafer head disposed above the wafer, and the platen is disposed below the wafer, and the wafer is polished in a downwardly held state.

따라서, 세정할 때도 그대로 하향으로 세정하면 좋을지도 모르지만, 이 상태에서 현실적으로 웨이퍼 표면에 세정액을 작용시킬 수는 없다.Therefore, although it may be good to wash downward as it is, even in the case of washing, in this state, it cannot realistically apply the washing | cleaning liquid to the wafer surface.

또한, 특허문헌 1에 나타내는 바와 같은 일부의 전해 가공 장치에서는, 전극 부분을 웨이퍼 상에서 쓸어내 가면서 가공해 나가지만, 웨이퍼가 전해욕에 침지되어 가공되기 때문에, 세정 공정이나 건조 공정을 이 안에 짜넣는 것은 어렵다.Moreover, in some electrolytic processing apparatuses as shown in patent document 1, although the electrode part is processed while sweeping an electrode part on a wafer, since a wafer is immersed and processed in an electrolytic bath, a washing process and a drying process are incorporated in this. It is difficult.

전해 가공 장치와 세정 장치 및 건조 장치를 결합시키기 위해서는, 이들 장치에서 웨이퍼의 클램프 방법을 가능한 한 동일하게 유지하도록 고안하고, 또한, 웨이퍼를 웨이퍼척에 반송할 때에 반송 기구가 각각의 전해 가공 유닛, 세정 유닛 등과 물리적으로 간섭하지 않는 구성이 필요하게 된다.In order to combine the electrolytic processing apparatus, the cleaning apparatus, and the drying apparatus, these apparatuses are designed to keep the clamping method of the wafer as same as possible, and when the wafer is conveyed to the wafer chuck, the conveying mechanism is provided for each electrolytic processing unit, There is a need for a configuration that does not physically interfere with the cleaning unit or the like.

그러나, 종래 이와 같은 모든 기능을 만족하면서, 모든 모듈을 하나의 모듈 구성으로 하는 것은 불가능하고, 전해액의 공급이나 전해 가공의 제어 및 웨이퍼 세정의 전부를 행하는 모듈을 하나로 모으는 것은 물리적으로 어려웠다.However, while satisfying all such functions in the related art, it is impossible to have all modules in one module configuration, and it was physically difficult to bring together the modules that perform all of the supply of the electrolyte solution, the control of the electrolytic processing, and the wafer cleaning.

또한, 전해 가공에서, 연마 슬러리 등이 유닛 내에 체류할 때는, 연마 슬러리가 건조됨으로써, 외유닛의 벽면에 고착되고, 이것이 분진이 되어 모듈 내에 뿌려진다. 따라서, 세정 장치로서 깨끗한 환경을 확보하는 것이 어렵다는 결점을 가진다.In the electrolytic machining, when the polishing slurry or the like stays in the unit, the polishing slurry is dried to adhere to the wall surface of the outer unit, which becomes dust and is sprayed into the module. Therefore, it has a drawback that it is difficult to ensure a clean environment as a cleaning apparatus.

이상으로부터, 전해 가공 장치와 웨이퍼를 반도체 공장으로 복귀시키기 위해, 충분히 정상적인 상태로 세정·건조하는 세정 장치 및 그 후의 건조 장치를 동일 모듈에서 행하는 것은 깨끗한 환경을 확보한다는 관점에서도 종래 기술에서는 불가능했다.As mentioned above, in order to return an electrolytic processing apparatus and a wafer to a semiconductor factory, performing the washing | cleaning apparatus which wash | cleans and dry in a sufficiently normal state, and subsequent drying apparatus in the same module was not possible from the prior art from a viewpoint of ensuring a clean environment.

또한, 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조의 각 공정의 모듈을 하나로 집약하는 경우, 어느 하나의 공정에서 문제가 생기더라도, 다른 모듈을 흐르는 웨이퍼의 반송을 정체시키지 않는다. 만일, 다른 웨이퍼가 정체하면 웨이퍼의 표면이 개질되고, 이 경우 경미한 문제가 결과적으로 모든 웨이퍼를 망가뜨리는 문제로 발전한다는 문제가 생긴다.In addition, when the modules of the respective processes of the electrolytic processing, cleaning, and drying of the wafer are integrated into one, even if a problem occurs in any one process, the conveyance of the wafer flowing through the other module is not stagnant. If other wafers are stagnant, the surface of the wafer is modified, in which case a minor problem develops that eventually destroys all the wafers.

본 발명은, 이와 같은 문제를 방지하여, 만일 문제가 발생한 경우에도, 장치 내에서 순차적으로 행해지는 공정이 모두 일시정지함으로써, 가동률을 급속히 저하시키도록 하는 것이 아니라, 각각의 모듈이 독립적으로 처리를 행함으로써, 하나의 문제가 있어도, 나머지 모듈이 가동함으로써, 전체적으로 가동률을 크게 떨어뜨리지 않고 안정적인 가동률을 확보하고, 또한, 복수의 공정에 대응한 복수의 모듈을 연결하기 위한 웨이퍼 반송 수단이 불필요하게 되고, 그 반송 수단에 의해, 장치 전체의 크기가 커지는 것을 회피하는 것을 목적으로 한다.The present invention prevents such a problem, so that even if a problem occurs, all the steps performed sequentially in the apparatus are paused, so that the operation rate is not rapidly lowered, but each module independently processes. By doing so, even if there is one problem, the remaining modules are operated, thereby ensuring a stable operation rate without significantly lowering the overall operation rate and eliminating the need for wafer transfer means for connecting a plurality of modules corresponding to a plurality of processes. The object of the conveyance means is to avoid increasing the size of the entire apparatus.

또한, 본 발명은, 통상적으로, 전해 가공과 세정 건조 공정을 조합하는 것에 의해 용이하게 상상되는 문제로서, 전해 가공을 행하는 공정의 분위기가 후의 세정 공정의 분위기에 악영향을 미치는 것과 같은 문제, 즉, 파티클의 비산을 방지하고, 또한, 전해액에 의해 용출된 Cu 재료가 재부착됨으로써 생기는 오염의 악영향을 배제함으로써, 전해 가공을 행한 전해액이 다음의 전해 가공 공정, 세정 공정시에 들어올 수 없게 하는 것을 목적으로 한다.Moreover, this invention is a problem usually imagined easily by combining electrolytic processing and washing | cleaning drying process, and the problem that the atmosphere of the process which performs electrolytic processing adversely affects the atmosphere of a subsequent washing process, ie, The purpose is to prevent the scattering of particles and to prevent the adverse effects of contamination caused by the reattachment of the Cu material eluted by the electrolyte solution so that the electrolyte solution subjected to the electrolytic processing cannot enter during the next electrolytic processing step or washing process. It is done.

또한, 본 발명은, 한 장의 웨이퍼가 복수의 모듈을 거쳐 복수 공정을 처리하는 경우에, 하나의 메인터넌스 작업이 장치 내를 흐르는 모든 웨이퍼를 일단 정지시키는 것에 따른 장치 가동률의 저하를 없애기 위해 해결해야 할 기술적 과제가 생기고, 본 발명은 이 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention has to be solved in order to eliminate the decrease in device operation rate caused by one maintenance operation once stopping all the wafers flowing through the device when a single wafer is processed through a plurality of modules. Technical problem arises, and an object of this invention is to solve this problem.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 제안된 것으로, 청구항 1에 기재된 발명은, 웨이퍼의 전해 가공을 행하는 전해 가공부와, 이 가공 후의 웨이퍼를 세정 하는 세정부와, 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼를 건조시키는 건조부를 구비하고, 이 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 동일한 가공 처리실에 제공하여 하나의 모듈에서 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 행할 수 있도록 구성한 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.The present invention has been proposed in order to achieve the above object, and the invention described in claim 1 includes an electrolytic processing portion for performing an electrolytic processing of a wafer, a cleaning portion for cleaning the wafer after this processing, and a wafer after or after the processing. An electrolytic processing unit apparatus comprising a drying unit for drying, and configured to provide the electrolytic processing unit, the washing unit, and the drying unit in the same processing chamber so as to perform electrolytic processing, cleaning, and drying of a wafer in one module.

이 구성에 따르면, 전해 가공 유닛 장치는 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 동일한 가공 처리실에 형성하여 하나의 모듈로 통괄하였으므로, 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 1개소에서 연속적으로 행할 수 있다. 또한, 하나의 모듈에 문제가 생겨도, 다른 모듈에 어떠한 영향도 주지 않기 때문에, 다른 모듈에서의 웨이퍼 처리 가공을 정지할 필요도 없다.According to this structure, since the electrolytic processing unit, the washing | cleaning part, and the drying part were formed in the same process chamber, and integrated into one module, electrolytic processing, washing, and drying of a wafer can be performed continuously in one place. In addition, even if a problem occurs in one module, since it does not affect any other module, there is no need to stop the wafer processing in the other module.

청구항 2에 기재된 발명은, 상기 전해 가공부, 세정부 및 건조부는 원호 형상 또는 직선 형상으로 나열되어 배치되어 있는 청구항 1에 기재된 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.The invention according to claim 2 provides the electrolytic machining unit apparatus according to claim 1, wherein the electrolytic machining part, the washing part, and the drying part are arranged in an arc shape or a straight line.

이 구성에 따르면, 전해 가공 유닛 장치를 구성하는 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 원호 형상 또는 직선 형상으로 나열되도록 배치하였으므로, 이 전해 가공부, 세정부 및 건조부에 웨이퍼를 이송할 때는, 상기 원호 또는 직선의 방향으로 동작 가능한 로봇 1대로 웨이퍼의 이송을 행할 수 있다.According to this structure, since the electrolytic processing part, the washing | cleaning part, and the drying part which comprise an electrolytic processing unit apparatus were arrange | positioned so that it may be arranged in circular arc shape or a straight line shape, When conveying a wafer to this electrolytic processing part, a washing | cleaning part, and a drying part, The wafer can be transferred by one robot that can operate in the direction of an arc or a straight line.

청구항 3에 기재된 발명은, 상기 전해 가공부, 세정부 및 건조부는, 하나의 모듈로 구성되고, 그들 모듈이 하나의 반송계에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1 또는 2에 기재된 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.In the invention according to claim 3, the electrolytic processing unit, the washing unit, and the drying unit are constituted by one module, and those modules are connected by one transport system. Provide the device.

이 구성에 따르면, 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 구성하는 하나의 모듈 이 하나의 반송계에 의해 연결되어 있으므로, 전해 가공부, 세정부 및 건조부에 웨이퍼를 반송하기 위한 수단은 1대 설치하면 좋고, 이 경우, 전해 가공부, 세정부 및 건조부에 있어서 웨이퍼는 연속적으로 반송된다.According to this structure, since one module which comprises an electrolytic process part, a washing | cleaning part, and a drying part is connected by one conveyance system, one means for conveying a wafer to an electrolytic process part, a washing | cleaning part, and a drying part is provided. In this case, the wafer is continuously conveyed in the electrolytic processing portion, the washing portion, and the drying portion.

청구항 4에 기재된 발명은, 상기 일련의 공정을 행하는 전해 가공부, 세정부 및 건조부는 독립적으로 조작·운전·메인터넌스를 실행할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1, 2, 3 중 어느 하나에 기재된 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.The invention according to claim 4 is characterized in that the electrolytically processed portion, the washing portion, and the drying portion performing the series of steps are configured to independently perform operation, operation, and maintenance. The electrolytic processing unit apparatus described is provided.

이 구성에 따르면, 전해 가공부, 세정부 및 건조부는, 서로 독립적으로 조작·운전·메인터넌스를 행할 수 있으므로, 전해 가공부, 세정부 및 건조부의 어느 하나의 공정에서 조작·운전·메인터넌스를 행하는 경우에, 다른 공정의 운전 등을 정지시킬 필요가 없다.According to this structure, since the electrolytic processing part, the washing | cleaning part, and a drying part can operate, operate, and maintain independently of each other, when operating, operating, and maintaining in any one process of an electrolytic processing part, a washing | cleaning part, and a drying part, Therefore, it is not necessary to stop the operation or the like of another process.

청구항 5에 기재된 발명은, 상기 전해 가공부의 근방에는, 전해 가공 후의 웨이퍼 외주부를 모따기 가공하는 베벨링 가공부가 설치되어 있는 청구항 1 또는 2에 기재된 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.Invention of Claim 5 provides the electrolytic processing unit apparatus of Claim 1 or 2 provided with the beveling process part which chamfers the wafer outer peripheral part after an electrolytic process in the vicinity of the said electrolytic process part.

이 구성에 따르면, 상기 웨이퍼 표면의 도전성막을 웨이퍼의 중심으로부터 외주부를 향해 제거한 경우, 이 웨이퍼의 외주부에는 상기 도전성막이 링 형상으로 남지만, 이 링 형상의 도전성막은, 전해 가공부 근방의 베벨링 가공부에 있어서 에칭 또는 기계 가공에 의해 모따기된다. 따라서, 전해 가공 후의 웨이퍼는 전해 가공부로부터 이동시키지 않고 모따기 가공을 실시할 수 있다.According to this configuration, when the conductive film on the surface of the wafer is removed from the center of the wafer toward the outer circumferential portion, the conductive film remains in a ring shape on the outer circumferential portion of the wafer, but the ring-shaped conductive film is a beveling ring near the electrolytic processing portion. It is chamfered by etching or machining in a processing part. Therefore, the wafer after the electrolytic processing can be chamfered without moving from the electrolytic processing portion.

청구항 6에 기재된 발명은, 상기 모듈은, 웨이퍼의 반출입이 행해지는 액세 스 에리어와, 이 액세스 에리어와는 별도로 전해 가공을 행하기 위한 전해 가공 헤드와, 이 전해 가공 헤드를 보유하는 보유 암을 가지고, 이 보유 암에 대치하는 위치에는, 웨이퍼용 세정 유닛을 지지하여 이루어지는 세정 암이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1, 3, 4 중 어느 하나에 기재된 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.According to the sixth aspect of the present invention, the module has an access area for carrying in and out of a wafer, an electrolytic machining head for performing electrolytic machining separately from the access area, and a holding arm holding the electrolytic machining head. The electrolytic machining unit apparatus as described in any one of Claims 1, 3, 4 provided with the cleaning arm which supports the wafer cleaning unit in the position which opposes this holding arm.

이 구성에 따르면, 상기 전해 가공 헤드를 보유하는 보유 암에 대치하는 위치에, 웨이퍼용 세정 유닛을 지지하여 이루어지는 세정 암이 설치되어 있으므로, 웨이퍼의 세정은 전해 가공과는 떨어진 장소에서 행해진다.According to this structure, since the cleaning arm which supports the cleaning unit for wafers is provided in the position which opposes the holding arm which holds the said electrolytic machining head, cleaning of a wafer is performed in the place away from electrolytic processing.

청구항 7에 기재된 발명은, 상기 모듈에 있어서의 웨이퍼용 세정 유닛은, 세정 브러쉬나 초음파수(超音波水) 공급 수단, 질소 블로우 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 청구항 6에 기재된 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.The invention according to claim 7, wherein the wafer cleaning unit in the module includes a cleaning brush, ultrasonic water supply means, and nitrogen blow means. to provide.

이 구성에 따르면, 상기 웨이퍼용 세정 유닛은, 세정 브러쉬나 초음파수 공급 수단, 질소 블로우 수단을 구비하므로, 웨이퍼 표면에 부착한 전해액은 브러쉬 세정 및 초음파 세정에 의해 제거됨과 동시에 세정시에 웨이퍼 주위가 산소 분위기로 되는 것이 차단된다.According to this configuration, since the wafer cleaning unit includes a cleaning brush, ultrasonic water supply means, and nitrogen blow means, the electrolyte solution attached to the wafer surface is removed by brush cleaning and ultrasonic cleaning, The oxygen atmosphere is blocked.

청구항 8에 기재된 발명은, 상기 웨이퍼의 전해 가공을 행하는 전해 가공부와, 이 가공 후의 웨이퍼를 세정하는 세정부와, 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼를 건조시키는 건조부를 구비하고, 이 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 동일한 가공 처리실에 제공하여 하나의 모듈에서 상기 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 행할 수 있도록 구성되고, 상기 전해 가공을 행하는 전극부는 무기질의 재료로 이 루어지는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치를 제공한다.Invention of Claim 8 is provided with the electrolytic process part which electrolytically processes the said wafer, the washing | cleaning part which wash | cleans the wafer after this process, and the drying part which dries the wafer after this process or after this process, This electrolytic process part, Electrolytic processing, cleaning and drying of the wafer in one module by providing a cleaning unit and a drying unit in the same processing chamber, the electrode portion for performing the electrolytic processing is made of an inorganic material, characterized in that the electrolytic Provides a processing unit device.

이 구성에 따르면, 상기 청구항 1에 기재된 발명과 동일한 작용을 가지고, 더하여, 상기 전해 가공을 행하는 전극부는 무기질의 재료로 형성되어 있으므로, 유기질의 재료와는 달리, 전극부에 전극 가공에서 사용한 오래된 전해액을 용이하게 씻어 보낼 수 있어 오래된 전해액이 잔존할 우려가 없다.According to this structure, it has the same effect | action as the invention of Claim 1, In addition, since the electrode part which performs the said electrolytic processing is formed with the inorganic material, unlike the organic material, the old electrolyte solution used by electrode processing in the electrode part is different. It can be easily washed away, so there is no fear of old electrolyte remaining.

청구항 9에 기재된 발명은, 웨이퍼를 파지하는 기구를 가지고, 웨이퍼를 파지한 후, 웨이퍼 주위에서 엣지 클램프된 전극과, 웨이퍼 표면을 스캔하는 전해 가공 헤드의 사이에서 통전하여 전해 가공을 행하고, 다음에, 엣지 클램프를 해제하여, 웨이퍼 이면을 흡착 고정하면서, 동 위치에서 필요에 따라 엣지부의 도전성막을 연마하고, 그 후 동 위치에서, 세정 유닛을 형성한 세정 암을 웨이퍼 상에서 스캔시켜, 이 가공 후의 웨이퍼를 세정하고, 그 후 동 위치에서 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼를 건조시키는 전해 가공 세정 건조 방법을 제공한다.The invention according to claim 9 has a mechanism for holding a wafer, and after holding the wafer, the electrode is electrically energized between an electrode clamped around the wafer and an electrolytic machining head for scanning the wafer surface. While the edge clamp is released and the back surface of the wafer is adsorbed and fixed, the conductive film of the edge portion is polished as necessary at the same position, and then, at the same position, the cleaning arm in which the cleaning unit is formed is scanned on the wafer, and the wafer after this processing The cleaning process is then performed, and an electrolytic processing cleaning drying method of drying the wafer after this processing or after cleaning at the same position is provided.

이 방법에 의하면, 상기 웨이퍼의 전해 가공, 엣지 가공, 세정 및 건조의 일련의 공정이 동일한 위치에서 실시되므로, 이 공정마다 웨이퍼를 이동시킬 필요가 없다.According to this method, since a series of processes of electrolytic processing, edge processing, cleaning and drying of the wafer are performed at the same position, there is no need to move the wafer for each of these processes.

청구항 10에 기재된 발명은, 상기 전해 가공 공정의 후 및 세정 공정의 후에 순수(純水)로 웨이퍼 표면 및 전극부를 린스하는 것을 특징으로 하는 청구항 9에 기재된 전해 가공 세정 건조 방법을 제공한다.Invention of Claim 10 rinses the surface of a wafer and an electrode part with pure water after the said electrolytic process and after a washing process, The electrolytic process wash drying method of Claim 9 is provided.

이 방법에 의하면, 상기 웨이퍼 표면 및 전극부는 전해 가공 후 및 세정 후에 순수에 의해 린스되므로, 웨이퍼의 전해 가공 후 및 세정에 있어서 이 웨이퍼 표면에 부착한 전해액 및 약액(세정액)이 제거된다.According to this method, since the wafer surface and the electrode portion are rinsed with pure water after the electrolytic processing and after the cleaning, the electrolytic solution and the chemical liquid (cleaning liquid) adhering to the wafer surface after the electrolytic processing and the cleaning of the wafer are removed.

청구항 1에 기재된 발명은, 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 1개소에서 행할 수 있으므로, 넓은 스페이스를 필요로 하지 않고, 종래와 같이 복수의 모듈 간에 웨이퍼를 반송시킬 필요가 없고, 웨이퍼 반송계의 기구의 생략화를 도모할 수 있다. 또한, 하나의 모듈에서 문제가 발생하여도, 다른 모듈의 반송계의 운전을 정지하여 라인 상의 웨이퍼를 정체시킬 필요도 없기 때문에, 이 정체에 기인하는 웨이퍼의 산화 열화나 부식을 일으키지 않고, 또한, 복잡한 프로그램의 작성도 불필요하게 된다.Invention of Claim 1 can carry out electrolytic processing, washing, and drying of a wafer in one place, and does not require a large space, does not need to convey a wafer between several modules like the conventional one, Omission of the mechanism can be achieved. In addition, even if a problem occurs in one module, it is not necessary to stop the operation of the transfer system of the other module and to stagnate the wafer on the line, so that the wafer does not cause oxidation deterioration or corrosion due to the stagnation, and Complicated program creation is also unnecessary.

청구항 2에 기재된 발명은, 상기 전해 가공부, 세정부 및 건조부에의 웨이퍼의 이송은, 1대의 로봇에 의해 행할 수 있으므로, 청구항 1에 기재된 발명의 효과에 더하여, 종래에 비하여 웨이퍼 이송 기구를 간이하게 구성할 수 있다. 또한, 전해 가공부, 세정부 및 건조부는 조건이나 목적에 따라 원호 형상 또는 직선 형상으로 배치할 수 있으므로, 전해 가공부, 세정부 및 건조부의 레이아웃의 자유도가 향상된다는 이점을 가진다.In the invention according to claim 2, since the transfer of the wafer to the electrolytic processing part, the cleaning part, and the drying part can be performed by one robot, in addition to the effect of the invention according to claim 1, the wafer transport mechanism is compared with the prior art. It can be easily configured. In addition, since the electrolytically processed portion, the cleaned portion, and the dried portion can be arranged in an arc shape or a straight line according to the conditions or the purpose, the degree of freedom of the layout of the electrolytically processed portion, the washed portion, and the dried portion is improved.

청구항 3에 기재된 발명은, 전해 가공부, 세정부 및 건조부에 웨이퍼를 반송하기 위한 수단은 1대 설치하면 좋기 때문에, 청구항 1 또는 2에 기재된 발명의 효과에 더하여, 웨이퍼 반송 수단의 설비 비용의 저감화가 가능하게 됨과 동시에, 웨이퍼 반송 수단의 가동률이 향상된다.In the invention according to claim 3, since one means for conveying the wafer may be provided in the electrolytic processing part, the washing part, and the drying part, in addition to the effect of the invention according to claim 1 or 2, While the reduction is possible, the operation rate of the wafer transfer means is improved.

청구항 4에 기재된 발명은, 전해 가공부, 세정부 및 건조부의 어느 하나의 공정에서 조작·운전·메인터넌스를 실행하고 있는 경우에도, 다른 공정의 운전 등을 중단시키는 일 없이 속행할 수 있으므로, 청구항 1, 2, 3 중 어느 하나에 기재된 발명의 효과에 더하여, 종래에 비하여 전해 가공부, 세정부 또는 건조부의 가동률의 상승을 도모할 수 있다는 이점을 가진다.The invention according to claim 4 can be continued without interrupting the operation of another process even when the operation, operation, maintenance is performed in any one of the electrolytic processing part, the washing part, and the drying part. In addition to the effect of the invention as described in any one of 2, 3, it has the advantage that the operation rate of an electrolytic process part, a washing part, or a drying part can be raised compared with the past.

청구항 5에 기재된 발명은, 전해 가공 후에 웨이퍼 외주부에 남은 도전성막의 모따기 가공은, 전해 가공부 근방에 형성한 베벨링 가공부에 의하여, 전해 가공 종료 후에 연속하여 행할 수 있으므로, 청구항 1 또는 2에 기재된 발명의 효과에 더하여, 베벨링 가공의 생산성 향상을 기대할 수 있다.In the invention according to claim 5, the chamfering of the conductive film remaining on the outer peripheral portion of the wafer after the electrolytic processing can be continuously performed after the end of the electrolytic processing by the beveling processing portion formed in the vicinity of the electrolytic processing portion. In addition to the effects of the disclosed invention, productivity improvement of beveling can be expected.

청구항 6에 기재된 발명은, 상기 웨이퍼의 세정은 전해 가공과는 떨어진 장소에서 실행할 수 있으므로, 청구항 1, 3, 4 중 어느 하나에 기재된 발명의 효과에 더하여, 전해 가공을 행한 전해액이 세정부에 들어오는 것을 방지할 수 있다.The invention described in claim 6 can be cleaned at a location away from the electrolytic processing, and thus, in addition to the effects of the invention described in any one of claims 1, 3 and 4, the electrolytic solution subjected to the electrolytic processing enters the cleaning portion. Can be prevented.

청구항 7에 기재된 발명은, 상기 브러쉬 세정 및 초음파 세정에 의해 웨이퍼에 부착된 전해액을 제거할 수 있고, 또한, 세정시에 웨이퍼 주위가 산소 분위기가 되는 것을 차단하므로, 청구항 6에 기재된 발명의 효과에 더하여, 웨이퍼에 대한 세정 효과가 향상되어, 산소 분위기에 의한 웨이퍼에 대한 악영향을 미연에 방지할 수 있다.The invention according to claim 7 can remove the electrolyte solution adhered to the wafer by the brush cleaning and ultrasonic cleaning, and also prevents the surroundings of the wafer from becoming an oxygen atmosphere at the time of cleaning. In addition, the cleaning effect on the wafer is improved, and adverse effects on the wafer due to the oxygen atmosphere can be prevented in advance.

청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명과 동일한 효과, 즉, 웨이퍼 반송계의 기구의 생략화를 도모할 수 있고, 웨이퍼의 산화 열화나 부식을 방지하며, 또한, 복잡한 프로그램의 작성을 불필요하게 하는 효과를 얻을 수 있고, 또한, 전극 가공에서 사용한 오래된 전해액이 전극부에 잔존하지 않기 때문에, 새 로운 전해액으로 전해 가공할 때, 새로운 전해액이 오래된 전해액과 반응하여 전해 가공에 악영향을 줄 우려가 없다.The invention described in claim 8 can achieve the same effects as the invention described in claim 1, that is, the mechanism of the wafer transfer system can be omitted, prevent oxidative deterioration and corrosion of the wafer, and create a complicated program. In addition, since the old electrolyte solution used in the electrode processing does not remain in the electrode portion, when electrolytically processing with a new electrolyte solution, the new electrolyte solution may react with the old electrolyte solution and adversely affect the electrolytic processing. none.

청구항 10에 기재된 발명은, 상기 전해 가공 공정의 후 및 세정 공정 후에 순수로 웨이퍼 표면 및 전극부를 린스하는 것을 특징으로 하는 청구항 9에 기재된 전해 가공 세정 건조 방법을 제공한다.The invention according to claim 10 provides the electrolytic processing cleaning drying method according to claim 9, wherein the surface of the wafer and the electrode portion are rinsed with pure water after the electrolytic processing step and after the cleaning step.

본 발명은, 웨이퍼의 전해 가공 공정, 세정 공정 및 건조 공정을 하나의 모듈에 집약하여, 어느 하나의 공정에서 문제가 생겨도, 다른 모듈을 흐르는 웨이퍼를 정체시키지 않고, 또한, 복잡한 프로그램의 작성을 불필요하게 한다는 목적을, 웨이퍼의 전해 가공을 행하는 전해 가공부와, 이 가공 후의 웨이퍼를 세정하는 세정부와, 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼를 건조시키는 건조부를 구비하고, 이 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 동일한 처리실에 제공하여 하나의 모듈에서 상기 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 행함으로써 달성했다.The present invention integrates the electrolytic machining step, the cleaning step, and the drying step into one module, so that even if a problem occurs in any one step, the wafer flowing through the other module is not stagnant and a complicated program is unnecessary. The electrolytically processed portion which performs the electrolytic processing of a wafer, the washing | cleaning part which wash | cleans the wafer after this process, and the drying part which dries the wafer after this process or after cleaning are provided, A drying section was provided in the same process chamber to achieve electrolytic processing, cleaning and drying of the wafer in one module.

[실시예]EXAMPLE

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도 1 내지 도 7에 따라 설명한다. 본 실시예는 도전성막을 형성하여 이루어지는 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 행하는 전해 가공 유닛 장치에 적용한 것이다. 도 1은 본 발명에 관한 전해 가공 유닛 장치의 구성예를 나타내는 평면도, 도 2는 도 1의 전해 가공 유닛 장치의 전해 가공부를 나타내는 단면도, 도 3은 상기 전해 가공 장치에 의한 가공 상태를 설명하는 요부 사시도, 도 4는 상기 전해 가공 유닛 장치에 의한 가공 처리 공정예를 나타내는 플로우 차트, 도 5∼도 7은 각각 본 발명의 전해 가공 유닛 장치의 배치예를 나타내는 평면도이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 7. This embodiment is applied to the electrolytic processing unit apparatus which performs electrolytic processing, washing | cleaning, and drying of the wafer which forms a conductive film. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The top view which shows the structural example of the electrolytic processing unit apparatus which concerns on this invention, FIG. 2 is sectional drawing which shows the electrolytic processing part of the electrolytic processing unit apparatus of FIG. 1, The main part which demonstrates the processing state by the said electrolytic processing apparatus. 4 is a flowchart showing an example of a processing step by the electrolytic machining unit apparatus, and FIGS. 5 to 7 are plan views showing an arrangement example of the electrolytic machining unit apparatus of the present invention.

도 1에 나타내는 바와 같이, 전해 가공 유닛 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 전해 가공을 행하는 전해 가공부(2)와, 가공 후의 웨이퍼(W)를 세정하는 세정부(3)와, 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼(W)를 건조시키는 건조부(4)를 구비하고 있다. 이들 전해 가공부(2), 세정부(3) 및 건조부(4)는 동일한 가공 처리실(클린 룸)(5)에 제공되고, 웨이퍼(W)는 이송용 로봇(6)에 의해 가공 처리실(5)에 이송된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 전해 가공, 세정 및 건조의 일련의 공정은 가공 처리실(5)에서 모두 실시할 수 있고, 종래 방식에서 3개 이상 필요했던 가공 처리 공정의 모듈이 하나로 통괄하여 일체화되어 있다.As shown in FIG. 1, the electrolytic processing unit apparatus 1 includes an electrolytic machining portion 2 which performs electrolytic machining of the wafer W, a washing section 3 which cleans the wafer W after the treatment, and A drying unit 4 for drying the wafer W after processing or after cleaning is provided. These electrolytic processing sections 2, cleaning sections 3, and drying sections 4 are provided in the same processing chamber (clean room) 5, and the wafer W is processed by the transfer robot 6 (process processing chamber ( 5) are transferred to. Therefore, a series of processes of electrolytic processing, cleaning, and drying of the wafer W can all be performed in the processing chamber 5, and the modules of the processing process, which have been required three or more in the conventional system, are collectively integrated into one. .

이 전해 가공 유닛 장치(1)에서는, 전해 가공부(2), 세정부(3) 및 건조부(4)에서 웨이퍼(W)의 전해 가공, 세정 및 건조가 소정의 수순으로 행해진다.In this electrolytic processing unit apparatus 1, electrolytic processing, washing, and drying of the wafer W are performed in a predetermined procedure in the electrolytic processing part 2, the cleaning part 3, and the drying part 4.

상기 전해 가공부(2)에서는, 암의 선단부에 카본 전극이 부착되어 있다. 이 카본 전극은 브러쉬 형상이어도 좋고, 펠트 형상으로 되어 있어도 좋다. 또한, 가느다란 타일 형상으로 구성되어 있어도 좋다. 카본 전극은 웨이퍼에 직접 접하면 손상이 생기므로, 얇은 전해액의 필름을 통하여 반접촉 상태로 가공한다. 주로 전해용출 가공이 진행된다. 또한, 상기 전극은 카본 이외에도, 금속 재료의 선재(線材)를 사용해도 좋다.In the said electrolytic processing part 2, the carbon electrode is affixed to the front-end | tip part of an arm. The carbon electrode may be in the shape of a brush or may be in the shape of a felt. Moreover, you may be comprised in the shape of a thin tile. The carbon electrode is damaged by direct contact with the wafer, and is thus processed in a semi-contact state through a thin film of electrolyte. Electrolytic elution is mainly performed. In addition to the carbon, the electrode may be a wire rod made of a metal material.

어쨌든 중요한 것은, 고분자로 제작된 연마 패드와 같이, 전해액을 보유하는 재료이어서는 안 된다. 화학 기계 연마에서 사용되는 연마 패드는 발포 폴리우레 탄 등으로 구성되지만, 이것은 연마재를 안에 함유한다. 그 때문에, 다른 연마 재료를 다른 전해액으로 가공할 때, 연마 패드 내부에 포함된 전의 전해액이 배어 나와, 새로운 다른 전해액과 반응하는 경우도 있다.In any case, the important thing is not to be a material holding an electrolyte, such as a polishing pad made of a polymer. The polishing pad used in chemical mechanical polishing consists of expanded polyurethane and the like, but it contains abrasives therein. Therefore, when processing another abrasive material into another electrolyte solution, the previous electrolyte solution contained in the inside of a polishing pad may bleed out, and may react with another new electrolyte solution.

따라서, 사용한 전해액이 보유되지 않는 유기물이 아닌 무기물 재료인 것이 요구된다. 이렇게 함으로써, 예를 들면 연마제 입자를 포함한 전해액을 사용하는 경우에도, 사전에 전극부를 린스함으로써, 용이하게 전해액을 씻어내는 것이 가능하게 되고, 다음의 세정 공정에 세정 분위기로서 악영향을 주는 일은 없다.Therefore, it is required to be an inorganic material which is not an organic substance in which the used electrolyte solution is not retained. By doing in this way, even when using the electrolyte solution containing abrasive particle, for example, by rinsing an electrode part beforehand, it becomes possible to wash away electrolyte solution easily, and does not adversely affect a next cleaning process as a cleaning atmosphere.

또한, 전해 가공 종료 후는, 웨이퍼(W) 표면을 향한 순수 노즐(도시하지 않음)로부터 웨이퍼(W) 표면에 순수를 공급하여 웨이퍼(W) 전면을 빠짐없이 린스한다. 이것에 의하여, 웨이퍼(W) 표면으로부터 전해액은 완전히 순수로 치환된다. 또한, 웨이퍼(W) 주위의 컵(도시하지 않음)의 내측에도 세정하기 위한 순수를 공급하는 샤워 노즐이 존재하고, 웨이퍼(W)로부터 비산하여 컵의 내측에 비산한 전해액을 깨끗하게 씻어내도록 구성되어 있다.In addition, after completion of the electrolytic processing, pure water is supplied from the pure water nozzle (not shown) facing the wafer W surface to rinse the entire surface of the wafer W. As a result, the electrolyte is completely replaced with pure water from the wafer W surface. In addition, a shower nozzle for supplying pure water for cleaning is also present inside the cup (not shown) around the wafer W, and is configured to cleanly wash away the electrolyte solution scattered from the wafer W inside the cup. have.

또한, 전해 가공을 행하고 있던 상기 암의 선단에 있는 전극은, 웨이퍼(W)의 가공 위치로부터 벗어난다. 웨이퍼 가공 위치로부터 벗어난 대기 위치에는, 순수로 채워진 포트가 있고, 거기에 전극 재료를 침지하여 전극에 부착한 전해액을 세정한다. 포트에는 순수가 끊임없이 공급되어, 오버플로우한 상태로 하고 있다. 또한, 초음파가 카본 브러쉬와 같은 전극 재료라도, 브러쉬 간에 모세관 현상에 의해 배어나온 전해액도 깨끗하게 씻어낸다.In addition, the electrode at the tip of the arm that has been subjected to electrolytic processing is out of the processing position of the wafer W. At the standby position deviated from the wafer processing position, there is a port filled with pure water, and the electrolyte material attached to the electrode is washed by immersing the electrode material therein. Pure water is constantly supplied to the pot, and it is in an overflowing state. In addition, even if the ultrasonic wave is an electrode material such as a carbon brush, the electrolyte solution drawn out by the capillary phenomenon between the brushes is also washed out cleanly.

이상의 구성으로부터, 만약 전해 가공을 행하더라도, 그 전해 가공액을 후의 세정 공정에 영향을 주지 않도록, 웨이퍼(W) 표면 및 전극 부재 등을 린스하는 기구가 구비되어 있고, 전해 가공의 환경 상황을 그대로 다음의 세정 공정에 영향을 주지 않고, 깨끗한 환경에서 세정을 행하는 것을 가능하게 하고 있다.From the above structure, even if it performs electrolytic processing, the mechanism which rinses the surface of the wafer W, an electrode member, etc. is provided so that the electrolytic process liquid may not affect a subsequent washing process, and the environmental condition of electrolytic processing is maintained as it is. It is possible to perform washing in a clean environment without affecting the next washing step.

상기 전해 가공부(2)는, 웨이퍼(W) 표면의 도전성막을 제거하는 1차 가공 및 2차 가공을 실시한다. 또한, 전해 가공부(2)에는 베벨링 가공부(7)가 제공되고, 이 베벨링 가공부(7)에 의하여, 상기 제거 가공 후에 웨이퍼(W)의 외주부에 잔존한 엣지부의 모따기 가공이 행해진다. 또한, 전해 가공부(2)에는, 2차 가공 종료 후에 웨이퍼(W)에 산화 방지액을 도포하기 위한 도포 기구(도시하지 않음)가 설치되어 있다.The said electrolytic process part 2 performs the primary process and secondary process which remove the electroconductive film of the wafer W surface. In addition, the beveling portion 7 is provided in the electrolytically processed portion 2, and the beveling portion 7 is subjected to the chamfering of the edge portion remaining in the outer peripheral portion of the wafer W after the removal processing. All. Moreover, the electrolytic process part 2 is provided with the coating mechanism (not shown) for apply | coating antioxidant liquid to the wafer W after completion | finish of secondary processing.

전해 가공부(2)의 구체적인 구성예를 도 2 및 도 3에 나타낸다. 부호 8은 웨이퍼(W)가 위치 고정되는 회전 구동 가능한 웨이퍼 보유대이며, 웨이퍼 보유대(8)의 상면부에는 웨이퍼(W)를 위치 고정하기 위해 고정 수단(9), 도시예에서는 진공척부가 설치되어 있다.Specific structural examples of the electrolytic processing part 2 are shown in FIG. 2 and FIG. 3. Reference numeral 8 denotes a rotationally driveable wafer holder on which the wafer W is fixed, and a fixing means 9 for positioning the wafer W on the upper surface of the wafer holder 8, in the example shown by a vacuum chuck. It is installed.

또한, 웨이퍼 보유대(8)의 상방에는 가공 헤드(10)가 배치되고, 이 가공 헤드(10)의 선단부에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 가공 전극(11)이 웨이퍼(W) 상면과 미소 갭을 가지고 대면하도록 설치되어 있다. 또한, 이 가공 헤드(10)는 웨이퍼 보유대(8)의 일측 근방에 설치된 암 또는 슬라이더 등의 가동 부재(12), 도시예에서는 더블 암형 가동 부재(12)의 선단부에 부착되고, 이 가동 부재(12)의 기단부는, 높이 조정 가능한 연직축(13)의 상부에 수평 선회 가능하게 연결되어 있다. 따라서, 가공 헤드(10)를 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주부를 향하여 수평 선회시 킴으로써, 가공 전극(11)은 웨이퍼(W)의 반경 방향 외측으로 이동한다.Moreover, the processing head 10 is arrange | positioned above the wafer holding stand 8, and as shown in FIG. 3 at the front-end | tip part of this processing head 10, the processing electrode 11 is a top surface of a wafer W, and a minute is small. It is installed to face with a gap. Moreover, this processing head 10 is attached to the front-end | tip part of the movable member 12, such as an arm or a slider provided in the one side of the wafer holding stand 8, and a double female-type movable member 12 in the example of illustration, and this movable member The proximal end of 12 is connected to the upper part of the height-adjustable vertical shaft 13 so that it can turn horizontally. Therefore, by turning the processing head 10 horizontally from the center of the wafer W toward the outer peripheral portion, the processing electrode 11 moves outward in the radial direction of the wafer W. As shown in FIG.

웨이퍼(W)의 외주부에는 웨이퍼 보유대(8)와 일체 회전하는 6개의 웨이퍼척(21∼26)이 착탈 가능하게 부착되고, 이들 웨이퍼척(21∼26)은 웨이퍼(W)의 외주 방향에 등간격을 가지고 배치되어 있다. 또한, 웨이퍼척(21∼26)은, 웨이퍼 보유대(8) 상의 웨이퍼(W) 외주부에 대하여 진퇴 동작 가능하고, 상하 위치 조정 가능하게 설치되어 있다. 또한, 각 웨이퍼척(21∼26)의 내측에는 각각, 웨이퍼(W)에 전기를 공급하기 위한 급전 전극(A∼F)이 제공되고, 각 급전 전극(A∼F)의 주위는 액체 등이 침입하지 않도록 시일재로 봉지 보호되어 있다. 또한, 각각의 급전 전극(A∼F) 사이에는 상호의 전기 저항을 측정하기 위한 테스터(도시하지 않음)가 짜넣어져 있다. 또는, 하나의 테스터에 대하여 순차적으로 전극을 전환하여 급전 전극(A∼F) 간의 저항을 체크할 수 있는 기구로 하고 있다.Six wafer chucks 21 to 26, which are integrally rotated with the wafer holder 8, are detachably attached to the outer circumferential portion of the wafer W, and these wafer chucks 21 to 26 are attached to the outer circumferential direction of the wafer W. FIG. It is arranged at equal intervals. Moreover, the wafer chucks 21-26 are provided so that advancing / removing operation | movement is possible with respect to the outer peripheral part of the wafer W on the wafer holding stand 8, and it is provided so that up-down position adjustment is possible. In addition, feed electrodes A to F for supplying electricity to the wafers W are provided inside the respective wafer chucks 21 to 26, and a liquid or the like is provided around the feed electrodes A to F. It is sealed with a sealing material to prevent intrusion. In addition, a tester (not shown) for measuring mutual electrical resistance is incorporated between each of the feed electrodes A to F. FIG. Alternatively, an electrode can be sequentially switched to one tester to check the resistance between the feed electrodes A to F.

상기 급전 전극(A∼F)과 가공 전극(11)과의 사이에는 직류의 저전압 전원(15)에 의해 전압이 인가되고, 또한, 웨이퍼(W) 상면에는 공급 노즐(16)에 의해 전해액(슬러리)(17)이 공급된다. 이 전해액(17)으로서는, 인산, 질산나트륨, 염화암모늄, 황산이나 염산, 혹은 그들의 혼합액이 적합하게 사용된다.A voltage is applied between the feed electrodes A to F and the processing electrode 11 by a low voltage power supply 15 of direct current, and an electrolytic solution (slurry) is supplied to the upper surface of the wafer W by a supply nozzle 16. 17 is supplied. As this electrolyte solution 17, phosphoric acid, sodium nitrate, ammonium chloride, sulfuric acid, hydrochloric acid, or a mixture thereof is suitably used.

전극부는, 카본 등으로 형성되어 있다. 웨이퍼(W)에 전극을 가까이 했을 때, 전해액(17)의 수막에 의한 하이드로플랜 상태가 되면, 전극간 갭을 매우 작게 하는 것이 가능하게 되고, 웨이퍼(W) 상의 볼록 부분이 전해 집중하게 되어, 볼록부만을 선택적으로 가공 제거하는 것이 가능하게 된다.The electrode portion is made of carbon or the like. When the electrode is brought close to the wafer W, when the hydroplan state by the water film of the electrolyte solution 17 is reached, the gap between the electrodes can be made very small, and the convex portions on the wafer W become electrolytically concentrated. It is possible to selectively remove only the convex portion.

전극부의 형상은 대향하는 웨이퍼 표면에 대하여 플랫인 형상을 하고 있는 것이 바람직하다. 그러나, 전극 형상이 어느 정도 커지면, 평면과 평면의 관계가 되고, 어딘가 전극의 일부에서 웨이퍼(W) 표면과 접촉하는 일이 있다. 만일 접촉하면, 쇼트하게 되는 것 외에 웨이퍼에 경질의 카본이 접하면 상처가 나기 때문에, 미소 갭을 형성하면서도 면 내에서 접촉하는 부분이 없는 정도로 전극 면적을 작게 하면 좋다. 효과적인 전극 면적으로서는, φ20 mm 정도가 바람직하다.It is preferable that the shape of an electrode part is flat shape with respect to the opposing wafer surface. However, when an electrode shape becomes large to some extent, it will become a plane-plane relationship, and it may come into contact with the surface of the wafer W in one part of electrode. If it contacts, it will short-circuit and if a hard carbon contacts a wafer, it will be damaged. Therefore, it is good to make an electrode area small enough that there is no part which contacts in-plane, even if a microgap is formed. As an effective electrode area, about 20 mm is preferable.

또한, 순수하게 전해 용출 가공에 의지하는 경우, 특히 Cu나 Ta 등에서는, 표면에 부동체 피막이 형성되는 일이 있다. 이러한 경우는, 전류량이 급격하게 감소하여, 어느 곳에서 가공이 진행되지 않는 일이 있다. 이러한 경우에는, 전극 구조로서는, 카본 브러쉬의 전극 등이 매우 적합하다. 브러쉬 형상으로 함으로써, 선단은 웨이퍼(W) 표면에 접촉 상태가 되지만, 웨이퍼(W)가 회전하면서, 전해액이 공급되는 상태에서는, 선단 부분이 완전히 접촉하지 않고 미소한 갭이 형성된다.In addition, when purely relying on electrolytic elution, a passive film may be formed on the surface, particularly in Cu, Ta, or the like. In such a case, the amount of current decreases rapidly, and processing may not proceed at any place. In such a case, as the electrode structure, an electrode of a carbon brush or the like is very suitable. By the brush shape, the tip is brought into contact with the surface of the wafer W. However, while the wafer W is being rotated, the tip is not completely contacted and a minute gap is formed while the electrolyte is supplied.

예를 들면, 카본 브러쉬를 0.15 mm 정도의 가는 선을 다수 묶은 브러쉬를 사용하면, 하나 하나의 브러시의 선단이 웨이퍼(W) 표면에 미치는 압력은 개개의 브러쉬가 휨에 따라, 극미량이지만 상시 일정한 압력이 가해진다. 이 압력에 의해 더욱 미소한 갭이 웨이퍼(W)와 카본 브러쉬 전극 간에 형성되고, 그 갭에 의해 웨이퍼(W) 상의 볼록 부분이 선택적으로 전해 가공된다.For example, if a carbon brush is brushed with a number of thin lines of about 0.15 mm, the pressure applied to the surface of the wafer W by the tip of one brush is extremely small but always constant as the individual brushes are warped. This is applied. A smaller gap is formed between the wafer W and the carbon brush electrode by this pressure, and the convex portion on the wafer W is selectively electrolytically processed by the gap.

전해 가공시에는, 회전하는 웨이퍼(W)와 가공 전극(11)의 사이에 전해액(17)을 공급하면서, 전압을 인가하여 전해 연마함으로써, 웨이퍼(W) 상면의 도전성막이 균일하게 제거 가공된다. 이 경우, 가공 전극(11)은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주부를 향하여 서서히 스캔 이동시킨다.At the time of electrolytic processing, the electroconductive film on the upper surface of the wafer W is uniformly removed by applying an electrolytic polishing while supplying an electrolyte solution 17 between the rotating wafer W and the processing electrode 11. . In this case, the processing electrode 11 is gradually moved from the center of the wafer W toward the outer peripheral portion.

웨이퍼(W)를 중심으로 가공을 완료시키고, 가공이 완료된 영역을 외주부까지 넓혀 가는 요령으로, 웨이퍼(W) 전면을 균일하게 가공하는 것이 가능하게 된다. 가공 전극(11)을 부착하고 있는 가동 부재(암)(12)를 스캔할 때는, 웨이퍼(W)의 가공의 상황에 따라 스캔 속도를 변화시키면 좋다.Processing is completed centering around the wafer W, and the whole process of the wafer W can be processed uniformly by the method of extending the process completed area to the outer peripheral part. When scanning the movable member (arm) 12 with which the process electrode 11 is attached, what is necessary is just to change a scanning speed according to the situation of the process of the wafer W. As shown in FIG.

웨이퍼(W) 표면의 가공 상황의 모니터는, 전해 가공의 스캔 암에 웨이퍼(W) 표면의 색변화를 식별할 수 있는 센서를 부착하여 사용함으로써 달성할 수 있다. 표면의 막의 색변화는 Cu 웨이퍼(W)의 경우에는 Cu막으로부터 Ta막으로 막종이 바뀔 때에 명료하게 막의 색의 변화를 관찰할 수 있다.The monitoring of the processing status of the surface of the wafer W can be achieved by attaching and using a sensor capable of identifying the color change of the surface of the wafer W to the scan arm of the electrolytic processing. As for the color change of the film on the surface, in the case of the Cu wafer W, when the film type is changed from the Cu film to the Ta film, the color change of the film can be clearly observed.

또한, 표면의 색변화를 식별할 수 있는 센서로서 분광계 등을 사용하면 좋다. 광을 프리즘이나 회절 격자로 분광하고, 그 분광된 광을 하마마츠 포토닉스제 Linear Image Sensor S3901/S3904 시리즈 등을 사용하여 각 파장에서의 강도 분포를 구함으로써, 막의 색변화를 정밀도 좋게 검출하는 것이 가능하게 된다.In addition, a spectrometer or the like may be used as a sensor capable of identifying the color change of the surface. By spectroscopically diffracting light with a prism or a diffraction grating, the intensity distribution at each wavelength can be detected with the spectroscopic light using the Linear Image Sensor S3901 / S3904 series manufactured by Hamamatsu Photonics, etc., so that the color change of the film can be detected with high accuracy. Done.

전해 가공 종료 후에는, 전해 가공 후의 전해액(17)을 웨이퍼(W) 표면으로부터 제거하기 위하여, 린스 공정이 제공되어 있다. 이 린스 공정에서는 웨이퍼(W) 표면을 린스하는 것 외에, 웨이퍼척(21∼26)이나 그 아래의 가공 세정 컵 내 전부에 순수를 내뿜어, 씻어내는 공정을 포함하고 있다.After completion of the electrolytic processing, a rinse step is provided in order to remove the electrolytic solution 17 after the electrolytic processing from the wafer W surface. In addition to rinsing the surface of the wafer W, the rinse step includes a step of flushing and washing pure water into the wafer chucks 21 to 26 and all of the processed cleaning cups below.

또한, 상기 세정부(3)에서는, 전해 가공 후의 웨이퍼(W)를 펜 브러쉬에 의해 세정한다. 펜 브러쉬는, 폴리비닐알코올(PVA)로 만들어진 스펀지 등이 적합하게 사용된다. 먼저, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W) 표면 중앙부 부근에 세정 약액 혹은 물을 공급한다. 그 후, 펜 브러쉬를 웨이퍼(W) 상에서 스캔함으로써, 웨이 퍼(W) 표면을 깨끗하게 세정하는 것이 가능하게 된다(1차 세정).Moreover, in the said washing | cleaning part 3, the wafer W after electrolytic processing is wash | cleaned with a pen brush. As the pen brush, a sponge made of polyvinyl alcohol (PVA) or the like is suitably used. First, the wafer W is rotated to supply a cleaning chemical liquid or water near the center portion of the wafer W surface. Thereafter, by scanning the pen brush on the wafer W, it is possible to clean the surface of the wafer W (primary cleaning).

다음에, 웨이퍼(W) 표면을 세정하여도, 일부의 파티클이 남아 있는 경우가 있다. 그러한 때에는, 다음에 순수로 린스하면 좋다. 특히, 이 웨이퍼(W)를 초음파에 의해 세정하면, 이 웨이퍼(W) 표면의 파티클을 완전히 제거하는 것이 가능하게 된다(2차 세정).Next, even if the surface of the wafer W is cleaned, some particles may remain. In such a case, you may rinse with pure water next time. In particular, when the wafer W is cleaned by ultrasonic waves, it is possible to completely remove particles on the surface of the wafer W (secondary cleaning).

또한, 펜 브러쉬 및 초음파 발생부는, 연직축(18)을 중심으로 하여 수평 선회 가능한 세정부용 가동 암(19)의 선단부(20)에 부착되고, 이 세정부용 가동 암(19)은 웨이퍼 보유대(8)의 타방측 근방에 설치되어 있다. 따라서, 상기 가동 암(19)의 선단부(20)에 형성한 펜 브러쉬 및 초음파 발생부는 세정부용 가동 암(19)을 수평 선회시킴으로써, 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동한다.In addition, the pen brush and the ultrasonic wave generator are attached to the distal end portion 20 of the movable arm 19 for the cleaning portion that can be rotated horizontally around the vertical axis 18, and the movable arm 19 for the cleaning portion is a wafer holder 8. Is installed near the other side. Therefore, the pen brush and the ultrasonic wave generator formed on the distal end portion 20 of the movable arm 19 move in the radial direction of the wafer W by horizontally turning the movable arm 19 for the cleaning portion.

또한, 재료에 따라서는 펜 브러쉬에 의한 물리 세정에 있어서도 더러움이 제거되지 않는 경우가 있다. 이러한 경우에 대비하여, 약액 노즐(도시하지 않음)이 웨이퍼(W)를 향하여 배치되어 있다. 특히, 전해액의 첨가제 성분이나, 용출한 금속 재료 성분 등은 때로는 웨이퍼(W)의 오염 성분으로서 악영향을 미치는 경우가 있다.In addition, depending on the material, dirt may not be removed even in physical cleaning with a pen brush. In preparation for this case, a chemical liquid nozzle (not shown) is disposed toward the wafer W. As shown in FIG. In particular, the additive component of the electrolyte solution, the eluted metal material component, and the like sometimes adversely affect the contamination of the wafer W.

이러한 경우에는, 웨이퍼(W)의 오염 성분을 제거하기 위해서, 불산이나 염산 등의 산의 약액을 사용하는 경우, 또는, 암모니아 등의 알칼리성의 약액이 사용되는 경우가 있다. 이렇게 한 약액을 펜 브러쉬 공정과 병용하여 오염을 제거함과 동시에, 웨이퍼(W) 표면의 파티클을 제거해도 좋다.In such a case, in order to remove the contaminants of the wafer W, when using a chemical liquid of an acid such as hydrofluoric acid or hydrochloric acid, or an alkaline chemical liquid such as ammonia may be used. The chemical liquid thus used may be used in combination with the pen brush process to remove contamination and to remove particles from the wafer W surface.

또한, 상기 사용한 약액도 모두 웨이퍼(W) 주위의 컵에 접하여, 드레인되는 구성으로 하고 있다. 또한, 비산한 약액도 컵 내의 순수 샤워에 의해 수시로 씻어 내도록 하고 있기 때문에, 재차의 전해 가공시에 있어서도, 세정시에 사용한 약액이 나쁜 영향을 미치는 일은 없다.Moreover, all the used chemical liquids are also in contact with the cup around the wafer W, and are made to drain. In addition, since the chemical liquid scattered is often washed out by a pure shower in a cup, the chemical liquid used at the time of washing does not adversely affect the electrolytic processing again.

또한, 계속하여, 사용한 약액을 린스하는 공정에서는, 초음파를 통한 순수 세정으로 하여도 좋다. 초음파를 통하는 것에 의해, 보다 효과적으로 웨이퍼(W) 표면의 약액을 린스할 수 있고, 또한, 컵의 내측에 부착한 약액도 깨끗하게 씻어낼 수 있다.In addition, in the step of rinsing the used chemical liquid, pure water washing with ultrasonic waves may be used. By passing through ultrasonic waves, the chemical liquid on the surface of the wafer W can be rinsed more effectively, and the chemical liquid attached to the inside of the cup can also be washed out cleanly.

다음의 마지막 건조 공정에 있어서도, 웨이퍼(W) 표면을 순수로 린스한 후, 그대로 스핀 건조 가능하게 하고 있다. 웨이퍼척(21∼26)의 최고 회전수는 2000 rpm까지 회전 가능하게 하고 있다.Also in the next last drying process, after the surface of the wafer W is rinsed with pure water, spin drying is possible as it is. The maximum rotational speed of the wafer chucks 21 to 26 is rotatable up to 2000 rpm.

통상, 전해 연마에서 사용되는 연마 헤드나 연마 정반 등은 그 크기가 너무 크고, 또한 중량도 있기 때문에, 고속으로 회전하면 장치 전체의 진동을 일으킨다. 그러나, 본 발명에 의해 경량화한 웨이퍼척(21∼26)에서는, 전해 가공한 후에 세정하고, 그 후, 같은 웨이퍼척(21∼26)을 사용하여 2000 rpm까지 고속 스핀하여 건조시키는 것이 가능하다.Usually, the polishing heads, polishing plates, and the like used in electropolishing are too large in size and have a large weight, so that rotation at high speed causes vibration of the entire apparatus. However, in the wafer chucks 21 to 26 reduced in weight by the present invention, it is possible to clean after electrolytic processing, and then spin and dry at a high speed up to 2000 rpm using the same wafer chucks 21 to 26.

또한, Low-k 재료를 사용한 공정에서는, 웨이퍼(W) 표면이 발수성을 가지기 때문에, 워터 마크가 발생하는 일이 있다. 이 경우, 보통의 스핀 건조는 적합하지 않다. 워터 마크의 발생 메커니즘으로서는, 웨이퍼(W) 표면이 발수성이고, 물이 하나가 되어 제거되지 않고, 도중에 작은 물로 분단되는 것이 하나의 원인으로 여겨지고 있다. 이 물방울이 산소를 잡아, 그 산소를 잡은 물이 Low-k 재료와 반응 하여, 조성이 다른 실리콘 산화물을 형성한다고 알려져 있다.In addition, in the process using a low-k material, since the surface of the wafer W has water repellency, a watermark may occur. In this case, normal spin drying is not suitable. As a watermark generation mechanism, it is considered that one surface is that the surface of the wafer W is water-repellent, water is not removed as one, and is divided into small water along the way. It is known that this water droplet traps oxygen, and the water that traps the oxygen reacts with the Low-k material to form silicon oxide having a different composition.

이러한 문제에 대처하기 위해, 전해 가공·세정 건조 모듈 전체가 콤팩트하고, 밀봉된 용기에 형성되어 있고, 또한, 10 기압까지 견딜 수 있는 압력 용기로 설계되어 있다. 특히 마지막 건조 공정에 있어서는, 질소 분위기에서 8 기압 정도까지 압력을 높여 스핀 건조하면 좋다고 생각된다.In order to cope with such a problem, the whole electrolytic processing and washing drying module is formed in the compact, sealed container, and it is designed as the pressure container which can endure to 10 atmospheres. It is thought that what is necessary is just to spin-dry by raising a pressure to about 8 atmospheres in nitrogen atmosphere especially in a last drying process.

질소 분위기에 의해 순수에 포함되는 산소에 의하여, Low-k 재료 표면에 불필요한 워터 마크인 실리콘 산화물을 형성하지 않아도 된다. 또한, 압력을 높임으로써 물의 접촉각이 증대하여, 외관상 발수성이 아닌 환경으로 할 수 있다. 이와 같은 환경을 형성함으로써, 스핀 건조를 행하여도 워터 마크의 형성을 방지하는 것이 가능하게 된다.By oxygen contained in pure water by nitrogen atmosphere, it is not necessary to form the silicon oxide which is an unnecessary water mark on the low-k material surface. In addition, by increasing the pressure, the contact angle of water increases, so that it is possible to obtain an environment that is not water-repellent in appearance. By forming such an environment, it is possible to prevent the formation of watermarks even after spin drying.

또한, 스핀 건조에 의해 워터 마크를 형성하지 않는 다른 방법으로서, 미리 스핀 건조 전의 린스 공정에서 공급하는 순수에 IPA 등의 알코올을 함유시키는 것 등을 생각할 수 있다. IPA를 함유한 물은 웨이퍼(W) 표면상에서 습윤성이 향상하여, 접촉각이 매우 커진다. 그 결과, 통상의 스핀 건조에 의해서도, 웨이퍼(W) 표면에 워터 마크를 발생시키지 않고 건조 표면을 얻을 수 있다.As another method of not forming a watermark by spin drying, it is possible to include an alcohol such as IPA in the pure water supplied in the rinse step before spin drying. Water containing IPA improves the wettability on the wafer W surface, and the contact angle becomes very large. As a result, even by normal spin drying, a dry surface can be obtained without generating a water mark on the wafer W surface.

다음에, 웨이퍼 건조부(4)에서는 세정 후의 웨이퍼(W)를 스핀 건조한다. 이 경우, 전해 가공시에 장착한 웨이퍼척(21∼26)을 웨이퍼(W)로부터 떼어내어도, 떼어내지 않아도 좋다. 이 후, 이 웨이퍼(W)를 스핀함으로써, 웨이퍼(W) 표면에 부착한 전해액이나 물을 떼어내도록 분리 제거할 수 있다.Next, in the wafer drying unit 4, the wafer W after cleaning is spin dried. In this case, the wafer chucks 21 to 26 attached at the time of electrolytic processing may be removed from the wafer W or may not be removed. Thereafter, by spinning the wafer W, it is possible to separate and remove the electrolyte solution and water attached to the wafer W surface.

또한, 순수 대신에, 알코올을 혼합한 수용액을 사용함으로써, 표면 장력이 저하하여, 스핀 건조하기 쉬워진다. 특히, 표면이 발수성인 Low-k 재료에 대해서는, 이러한 공정은 적합하게 사용된다.Moreover, by using the aqueous solution which mixed alcohol instead of pure water, surface tension falls and it becomes easy to spin-dry. In particular, for low-k materials whose surface is water repellent, this process is suitably used.

다음에, 본 실시예에 의한 웨이퍼(W) 가공 처리의 일례에 대하여 도 4를 참조하여 설명한다. 먼저, 로봇(6)에 의해 웨이퍼(W)를 가공 처리실(5)로 이송하고, 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보유대 위에 놓는다. 그 후, 웨이퍼(W)를 웨이퍼척(21∼26)에 의하여 파지한다. 이 척은 웨이퍼척과 동시에 웨이퍼(W) 표면에 전기를 공급하는 급전부와 접촉시키는 의미도 포함한다. 또한, 웨이퍼(W)가 웨이퍼 보유대의 중앙부에 보유되도록 센터링하는 기능도 한다. 웨이퍼척에 의하여 파지된 웨이퍼에 대하여, 웨이퍼 보유대의 진공척에 의해 진공을 형성함으로써, 웨이퍼(W)는 강고하게 웨이퍼 보유대(8)에 흡인되어 보유된다.Next, an example of the wafer W processing process according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 4. First, the wafer W is transferred to the processing chamber 5 by the robot 6, and the wafer W is placed on the wafer holder. Thereafter, the wafer W is held by the wafer chucks 21 to 26. This chuck also includes the meaning of being in contact with a feeder that supplies electricity to the surface of the wafer W at the same time as the wafer chuck. It also functions to center the wafer W so that it is held at the center of the wafer holder. With respect to the wafer held by the wafer chuck, by forming a vacuum by the vacuum chuck of the wafer holder, the wafer W is firmly attracted to and held by the wafer holder 8.

다음에, 웨이퍼(W) 표면에 전해액을 흘리면서, 스캔 암의 선단에 장착된 가공 전극(11)을 웨이퍼(W) 표면에 작용시켜, 전해 가공을 행한다. 전해 가공부(2)에서 웨이퍼(W) 표면의 도전성막(Cu막 또는 Ta막)을 전해 연마에 의해 제거 가공한다. 즉, 회전하는 웨이퍼(W)와 가공 전극(11)의 사이에 전해액(17)을 공급하면서 전압을 인가하고, 가공 전극(11)을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주부를 향하여 스캔 이동시킴으로써, 웨이퍼(W) 상면의 도전성막을 웨이퍼(W) 중심으로부터 외주에 걸쳐 순차적으로 균일하게 제거 가공한다(스텝 S1).Next, while flowing an electrolyte solution on the surface of the wafer W, the processing electrode 11 attached to the tip of a scan arm is made to act on the surface of the wafer W, and electrolytic processing is performed. In the electrolytically processed portion 2, the conductive film (Cu film or Ta film) on the surface of the wafer W is removed by electropolishing. In other words, a voltage is applied while the electrolyte 17 is supplied between the rotating wafer W and the processing electrode 11, and the processing electrode 11 is scanned by moving the processing electrode 11 from the center of the wafer W toward the outer circumference. (W) The conductive film on the upper surface is removed and processed uniformly in sequence over the outer circumference from the center of the wafer W (step S1).

이렇게 하여, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주부까지 도전성막을 균일하게 제거 가공한 후, 방식 용액(BTA)을 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주부까지 도포한다. 또한, 전해 가공에서 최종적으로 웨이퍼(W)의 외주부에 잔존한 링 형상의 Cu막은, 베벨링 가공부(7)에서 에칭 또는 기계 가공에 의해 제거한다(스텝 S2).In this manner, after the conductive film is uniformly removed from the center of the wafer W to the outer peripheral portion, the anticorrosive solution BTA is applied from the center of the wafer W to the outer peripheral portion. In addition, the ring-shaped Cu film | membrane which remained in the outer peripheral part of the wafer W finally at the time of electrolytic processing is removed by the beveling process part 7 by etching or machining (step S2).

다음에, 전계 가공 후의 웨이퍼(W)는 웨이퍼(W)를 이동시키지 않고 그대로의 상태에서, 전해 가공용의 스캔 암과는 다른 또 하나의 암의 세정부(3)에서 세정된다. 구체적으로는, 펜 브러쉬를 웨이퍼(W) 표면에 접촉시켜, 세정액 혹은 순수를 흘리면서 세정한 후에, 초음파를 인가한 순수로 린스함으로써 세정한다(스텝 S3, S4).Next, the wafer W after the electric field processing is cleaned in the cleaning section 3 of another arm different from the scan arm for electrolytic processing, without changing the wafer W. As shown in FIG. Specifically, the pen brush is brought into contact with the surface of the wafer W to clean it while flowing a cleaning liquid or pure water, followed by rinsing with pure water to which ultrasonic waves are applied (steps S3 and S4).

이렇게 한 후, 세정 후의 웨이퍼(W)는 건조부(4)에서 스핀 건조된다. 즉, 이 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보유대(8) 상에서 스핀함으로써, 웨이퍼(W) 표면에 부착한 전해액(17)이나 물은 원심력에 의해 떨어뜨려지도록 분리 제거된다(스텝 S5).After this, the wafer W after cleaning is spin-dried in the drying part 4. In other words, by spinning the wafer W on the wafer holder 8, the electrolyte 17 and water adhering to the wafer W surface are separated and removed to be dropped by centrifugal force (step S5).

이와 같이 본 실시예는 전해 가공부(2), 세정부(3) 및 건조부(4)를 가공 처리실(5)에 형성하여 하나로 모듈화하였으므로, 장치 전체의 컴팩트화 및 설치 스페이스의 축소화를 도모할 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼(W)의 전해 가공, 세정 및 건조의 각 가공 처리를 1개소에서 연속적으로 순차 실시할 수 있다.Thus, in this embodiment, since the electrolytically processed part 2, the washing part 3, and the drying part 4 are formed in the processing chamber 5 and modularized into one, it is possible to compact the entire apparatus and reduce the installation space. Not only can it be performed, but each processing process of electrolytic processing, washing | cleaning, and drying of the wafer W can be performed continuously in one place continuously.

또한, 웨이퍼(W)의 전해 가공, 세정, 건조를 일관하여 행하는 모듈은, 청정도를 유지하기 위하여, 위에서부터 헤파필터를 통한 다운 플로우의 기류가 공급된다. 이것에 의하여, 모듈 내에서 특히 웨이퍼(W) 주위는, 상시 한결같은 청정한 기류 중에 배치되기 때문에, 마지막 웨이퍼(W) 건조까지 행한 후, 파티클이 없는 청정한 표면을 가진 웨이퍼(W)로서 반송 로봇에 이송할 수 있다.Moreover, the module which performs electrolytic processing, washing | cleaning, and drying of the wafer W consistently is supplied with the airflow of the downflow through a hepa filter from the top in order to maintain the cleanliness. As a result, since the periphery of the wafer W in the module is always placed in a constant clean air stream, the wafer is transferred to the transfer robot as a wafer W having a clean surface free of particles after the final wafer W is dried. can do.

또한, 특히 전해 가공이나 세정 건조시의 워터 마크의 문제를 대처하기 위해 서는, 모듈 내의 특히 웨이퍼(W) 근방 부근에 N2 블로우를 행하여도 좋다. 웨이퍼(W) 상부에 액체 질소로부터 도입된 N2 노즐을 배치하고, 냉각한 N2를 웨이퍼(W)의 부근에 공급함으로써, 웨이퍼(W) 주위를 산소가 있는 분위기로부터 부분적으로 격리·차단한 상태를 형성할 수 있다.In addition, in order to cope with the problem of watermark during electrolytic processing or washing and drying, N 2 blow may be performed in the module, especially near the wafer W. By arranging the N 2 nozzles introduced from the liquid nitrogen on the wafer W and supplying the cooled N 2 to the vicinity of the wafer W, the surroundings of the wafer W are partially isolated and blocked from the oxygen atmosphere. Can form a state.

또한, 분위기 내에 산소가 없으므로, 전해 가공 중에 Cu 표면이 산화하는 것을 방지함과 동시에, 웨이퍼 건조 공정에서는, 순수 중에 용해된 산소가 Low-k 재료 표면과 작용하여, 워터 마크를 형성하는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다.In addition, since there is no oxygen in the atmosphere, the Cu surface is prevented from being oxidized during electrolytic processing, and in the wafer drying process, oxygen dissolved in pure water acts on the low-k material surface to prevent the formation of watermarks. It becomes possible.

따라서, 하나의 모듈을 구성하는 전해 가공부(2), 세정부(3) 또는 건조부(4)의 어느 하나에 있어서 문제가 생겨도, 그 영향이 다른 모듈의 가공 처리 공정에 아무런 영향도 주지 않기 때문에, 다른 모듈의 가공 처리 공정의 라인 운전을 정지시킬 필요가 없고, 종래와 같이 웨이퍼(W)의 정체에 의한 산화 열화나 부식을 일으키는 일도 없고, 또한, 복잡한 프로그램을 작성할 필요도 없다.Therefore, even if a problem occurs in any one of the electrolytic processing part 2, the washing part 3, or the drying part 4 constituting one module, the influence does not affect the processing operation of other modules. Therefore, it is not necessary to stop the line operation of the processing steps of other modules, and there is no need to cause oxidation deterioration or corrosion due to the stagnation of the wafer W as in the prior art, and there is no need to create a complicated program.

도 5 또는 도 6은 본 발명에 관한 전해 가공 유닛 장치(1)의 다른 배치예로서, 가공 처리실(5)에 전해 가공부(2), 세정부(3) 및 건조부(4)를 원호 형상 또는 직선 형상으로 배치한 것이다. 이 전해 가공부(2), 세정부(3) 및 건조부(4)에의 웨이퍼(W)의 이송은, 임의 방향으로 동작(직선 동작 및 선회 동작을 포함) 가능한 더블 암형 로봇(27)에 의해 행해진다. 또한, 전해 가공부(2), 세정부(3) 및 건조부(4)는 도 7에 나타내는 바와 같이, 상호 독립적으로 동작 가능하게 배치한 2대의 로봇(27, 27)을 사이에 두고 양측으로 각각 형성하는 것도 가능하다.5 or 6 is another arrangement example of the electrolytic machining unit apparatus 1 according to the present invention, wherein the electrolytic machining part 2, the washing part 3, and the drying part 4 are arc-shaped in the processing chamber 5. Or it arrange | positioned in linear form. The transfer of the wafer W to the electrolytic processing part 2, the cleaning part 3, and the drying part 4 is performed by the double-armed robot 27 which can operate in arbitrary directions (including linear motion and turning motion). Is done. In addition, the electrolytic processing part 2, the washing | cleaning part 3, and the drying part 4 are shown to both sides with two robots 27 and 27 arrange | positioned so that they can operate independently mutually, as shown in FIG. It is also possible to form each.

이와 같이 구성하여도, 웨이퍼(W)의 전해 가공부, 세정 및 건조를 모두 하나의 모듈에서 실시할 수 있으므로, 이 모듈에서 문제가 발생하여도, 다른 모듈의 웨이퍼(W)의 가공 처리를 정지시킬 필요가 없다. 또한, 종래형의 CMP 장치에서 필요했던 연마 패드용의 회전 기구를 생략하여, 기계적인 가공부를 저감할 수 있으므로, 그만큼 장치 기구의 간소화 및 경량화를 도모할 수 있다.Even in this configuration, since the electrolytically processed portion, cleaning and drying of the wafer W can all be performed in one module, even if a problem occurs in this module, the processing of the wafer W of the other module is stopped. You don't have to. Moreover, since the mechanical processing part can be reduced by omitting the rotation mechanism for the polishing pad which was required by the conventional CMP apparatus, the apparatus mechanism can be simplified and reduced in weight.

또한, 전해 가공, 세정 및 건조를 행하는 전용의 모듈을 복수 구비한 종래 방식과는 달리, 본 발명은 복수의 모듈 사이에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 기구를 형성할 필요가 없기 때문에, 기구 및 가공 프로그램의 간소화를 한층 더 도모할 수 있다.In addition, unlike the conventional method in which a plurality of dedicated modules for electrolytic processing, cleaning, and drying are provided, the present invention does not require the formation of a mechanism for transporting the wafer W between the plurality of modules. The machining program can be further simplified.

상기 실시예에서는, 전해 가공 유닛 장치를 구성하는 전해 가공부, 세정부 및 건조부의 수를 각각 하나로 했지만, 이 전해 가공부, 세정부 및 건조부의 수는 필요에 따라 복수 형성할 수도 있다.In the said Example, although the number of the electrolytic-processing part, the washing | cleaning part, and the drying part which comprises an electrolytic processing unit apparatus was made into one each, you may form multiple numbers of this electrolytic-processing part, a washing | cleaning part, and a drying part as needed.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 구성하는 하나의 모듈이 하나의 반송계에 의해 연결되어 있다. 이 때문에, 전해 가공부, 세정부 및 건조부에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 수단은 1대 설치하면 좋고, 이 경우, 전해 가공부, 세정부 및 건조부에 있어서 웨이퍼(W)를 연속적으로 반송할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 반송계의 비용 삭감이 가능하게 됨과 동시에, 웨이퍼 반송 수단의 가동률이 향상한다.As described above, in the present invention, one module constituting the electrolytic processing portion, the washing portion, and the drying portion is connected by one conveyance system. For this reason, one means for conveying the wafers W may be provided in the electrolytic processing portion, the washing portion, and the drying portion. In this case, the wafers W are continuously disposed in the electrolytic processing portion, the washing portion, and the drying portion. You can return it. Therefore, the cost of a wafer conveyance system can be reduced, and the operation rate of a wafer conveyance means improves.

또한, 전해 가공부, 세정부 및 건조부는, 서로 독립적으로 조작·운전·메인터넌스를 행할 수 있다. 그 결과, 전해 가공부, 세정부 및 건조부의 어느 하나의 공정에서 조작·운전·메인터넌스를 행하는 경우에, 다른 공정의 운전 등을 정지시킬 필요가 없다. 따라서, 전해 가공부, 세정부 또는 건조부의 가동률을 향상시킨다.In addition, an electrolytic process part, a washing | cleaning part, and a drying part can operate, operate, and maintain independently of each other. As a result, when operation, operation, and maintenance are performed in any of the steps of the electrolytic processing part, the washing part, and the drying part, it is not necessary to stop the operation and the like of the other steps. Therefore, the operation rate of an electrolytic process part, a washing part, or a drying part is improved.

또한, 전해 가공 헤드를 보유하는 보유 암에 대치하는 위치에, 웨이퍼용 세정 유닛을 지지하여 이루어지는 세정 암이 설치됨으로써, 웨이퍼(W)의 세정은 전해 가공과는 떨어진 장소에서 행해진다. 따라서, 전해 가공을 행한 전해액이 세정부에 들어오는 것이 방지된다.In addition, the cleaning arm formed by supporting the cleaning unit for wafers is provided at a position opposite to the holding arm holding the electrolytic machining head, so that the cleaning of the wafer W is performed at a location apart from the electrolytic processing. Therefore, the electrolyte solution subjected to the electrolytic processing is prevented from entering the washing section.

또한, 웨이퍼용 세정 유닛은, 세정 브러쉬나 초음파수 공급 수단, 질소 블로우 수단을 구비하므로, 웨이퍼(W) 표면에 부착한 전해액은 브러쉬 세정 및 초음파 세정에 의해 제거됨과 동시에, 세정시에 웨이퍼(W) 주위가 산소 분위기가 되는 것이 차단된다. 따라서, 웨이퍼(W)에 대한 세정 효과가 향상하여, 산소 분위기에 의해 웨이퍼(W)가 악영향을 받는 일이 없다.In addition, since the wafer cleaning unit includes a cleaning brush, ultrasonic water supply means, and nitrogen blow means, the electrolyte solution attached to the surface of the wafer W is removed by brush cleaning and ultrasonic cleaning, and at the same time, the wafer W is cleaned. ) The surroundings are blocked from becoming an oxygen atmosphere. Therefore, the cleaning effect on the wafer W is improved, and the wafer W is not adversely affected by the oxygen atmosphere.

또한, 전극부는 무기질의 재료로 형성되어 있기 때문에, 전극 가공에서 사용한 오래된 전해액이 전극부에 잔존하지 않는다. 따라서, 새로운 전해액으로 전해 가공할 때, 새로운 전해액이 오래된 전해액과 반응하는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the electrode portion is formed of an inorganic material, the old electrolyte solution used in the electrode processing does not remain in the electrode portion. Therefore, when electrolytically processing with a new electrolyte solution, it is possible to prevent the new electrolyte solution from reacting with the old electrolyte solution.

또한, 웨이퍼(W)의 전해 가공, 엣지 가공, 세정 및 건조의 일련의 공정이 동일한 위치에서 실시된다. 따라서, 이 공정마다 웨이퍼(W)를 이동시킬 필요가 없고, 상기 일련의 공정을 연속적으로 실행할 수 있다.In addition, a series of processes of electrolytic processing, edge processing, cleaning and drying of the wafer W are performed at the same position. Therefore, it is not necessary to move the wafer W for each of these steps, and the series of steps can be executed continuously.

본 실시예에서는, 웨이퍼(W) 표면 및 전극부는 전해 가공 후 및 세정 후에 순수에 의해 린스된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 전해 가공 후 및 세정에 있어서 이 웨이퍼(W) 표면에 부착한 전해액 및 약액이 깨끗하게 제거된다. 이렇게 하여, 전해액 및 약액에 의한 웨이퍼(W)의 가공 품질의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.In this embodiment, the surface of the wafer W and the electrode portion are rinsed with pure water after the electrolytic processing and after the cleaning. Therefore, the electrolyte solution and the chemical liquid adhering to the surface of the wafer W after the electrolytic processing and the cleaning of the wafer W are cleanly removed. In this way, the fall of the processing quality of the wafer W by electrolyte solution and chemical liquid can be prevented effectively.

본 발명은, 본 발명의 정신을 일탈하지 않는 한 다양한 개변을 할 수 있고, 본 발명이 이 개변된 것에 미친다는 것은 당연하다.The present invention can be variously modified without departing from the spirit of the present invention, and it is natural that the present invention extends to the modified.

도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타내고, 전해 가공 유닛 장치의 구성예를 나타내는 평면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The top view which shows one Example of this invention and shows the structural example of an electrolytic processing unit apparatus.

도 2는 도 1의 전해 가공 유닛 장치의 전해 가공부를 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view showing an electrolytic machining portion of the electrolytic machining unit apparatus of FIG. 1.

도 3은 일 실시예에 관한 전해 가공 장치에 의한 가공 상태를 설명하는 요부 사시도.3 is a perspective view of principal parts illustrating a machining state by an electrolytic machining apparatus according to one embodiment;

도 4는 일 실시예에 관한 전해 가공 유닛 장치에 의한 가공 처리 공정예를 나타내는 플로차트.4 is a flowchart showing an example of a machining process by the electrolytic machining unit apparatus according to one embodiment;

도 5는 본 발명의 전해 가공 유닛 장치의 배치예를 나타내는 평면도.5 is a plan view showing an arrangement example of the electrolytic machining unit apparatus of the present invention.

도 6은 본 발명의 전해 가공 유닛 장치의 다른 배치예를 나타내는 평면도.Fig. 6 is a plan view showing another arrangement example of the electrolytic machining unit apparatus of the present invention.

도 7은 본 발명의 전해 가공 유닛 장치의 또 다른 배치예를 나타내는 평면도.7 is a plan view showing still another example of arrangement of the electrolytic machining unit apparatus of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

1 : 전해 가공 유닛 장치 2 : 전해 가공부1: electrolytic machining unit apparatus 2: electrolytic machining

3 : 세정부 4 : 건조부3: washing part 4: drying part

5 : 가공 처리실 6 : 로봇5: processing chamber 6: robot

7 : 베벨링 가공부 8 : 웨이퍼 보유대7: Beveling processing part 8: Wafer holding table

9 : 고정 수단(진공척부) 10 : 가공 헤드9: fixing means (vacuum chuck) 10: processing head

11 : 가공 전극 12 : 가동 부재11 processing electrode 12 movable member

19 : 세정부용 가동 암 21∼26 : 웨이퍼척19: movable arm for cleaning part 21-26: wafer chuck

27 : 로봇 W : 웨이퍼27: robot W: wafer

Claims (10)

웨이퍼의 전해 가공을 행하는 전해 가공부와, 이 가공 후의 웨이퍼를 세정하는 세정부와, 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼를 건조시키는 건조부를 구비하고, 이 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 동일한 가공 처리실에 형성하여 하나의 모듈에서 상기 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 행할 수 있도록 구성한 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.An electrolytic processing portion for performing electrolytic processing of the wafer, a washing portion for washing the wafer after this processing, and a drying portion for drying the wafer after the processing or after the cleaning, and the electrolytic processing portion, the washing portion, and the drying portion have the same processing chamber. And electrolytic machining, cleaning and drying of the wafer in one module. 제 1 항에 있어서, 상기 전해 가공부, 세정부 및 건조부는 원호 형상 또는 직선 형상으로 나열되어 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.The electrolytic machining unit apparatus according to claim 1, wherein the electrolytic machining portion, the washing portion, and the drying portion are arranged in an arc shape or a straight line. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전해 가공부, 세정부 및 건조부는, 하나의 모듈로 구성되고, 그들 모듈이 하나의 반송계에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.The electrolytic machining unit apparatus according to claim 1 or 2, wherein the electrolytic machining part, the washing part, and the drying part are constituted by one module, and these modules are connected by one conveying system. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 일련의 공정을 행하는 전해 가공부, 세정부 및 건조부는, 독립적으로 조작·운전·메인터넌스를 실행할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.The electrolytic processing part, the washing part, and the drying part which perform the said series process are comprised so that operation, operation, and maintenance can be performed independently in any one of Claims 1, 2, and 3. Electrolytic processing unit apparatus to be used. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전해 가공부의 근방에는, 전해 가공 후의 웨이퍼 외주부를 모따기 가공하는 베벨링 가공부가 제공되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.The electrolytic processing unit apparatus according to claim 1 or 2, wherein a beveling processing unit for chamfering the outer peripheral portion of the wafer after electrolytic processing is provided in the vicinity of the electrolytic processing unit. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모듈은 웨이퍼의 반출입이 행해지는 액세스 에리어와, 이 액세스 에리어와는 별도로 전해 가공을 행하기 위한 전해 가공 헤드와, 이 전해 가공 헤드를 보유하는 보유 암을 가지고, 이 보유 암에 대치하는 위치에는, 웨이퍼용 세정 유닛을 지지하여 이루어지는 세정 암이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.5. The module according to any one of claims 1, 3, and 4, wherein the module includes an access area for carrying in and out of a wafer, an electrolytic machining head for performing electrolytic processing separately from the access area, and the electrolysis process. An electrolytic machining unit apparatus having a holding arm for holding a processing head, and a cleaning arm for supporting a wafer cleaning unit at a position opposed to the holding arm. 제 6 항에 있어서, 상기 모듈에서의 웨이퍼용 세정 유닛은, 세정 브러쉬나 초음파수 공급 수단, 질소 블로우 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.7. The electrolytic machining unit apparatus according to claim 6, wherein the cleaning unit for wafers in the module includes a cleaning brush, ultrasonic water supply means, and nitrogen blow means. 상기 웨이퍼의 전해 가공을 행하는 전해 가공부와, 이 가공 후의 웨이퍼를 세정하는 세정부와, 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼를 건조시키는 건조부를 구비하고, 이 전해 가공부, 세정부 및 건조부를 동일한 가공 처리실에 형성하여 하나의 모듈에서 상기 웨이퍼의 전해 가공, 세정 및 건조를 행할 수 있도록 구성되고, 상기 전해 가공을 행하는 전극부는 무기질 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해 가공 유닛 장치.The electrolytic processing part which performs the electrolytic process of the said wafer, the washing | cleaning part which wash | cleans the wafer after this process, and the drying part which dries the wafer after this process or after cleaning are provided, and this electrolytic process part, a washing | cleaning part, and a dry part are processed similarly. Electrolytic processing unit apparatus, characterized in that formed in the processing chamber so that the electrolytic processing, cleaning and drying of the wafer in one module, the electrode portion for performing the electrolytic processing is made of an inorganic material. 웨이퍼를 파지하는 기구를 가지고, 웨이퍼를 파지한 후, 이 웨이퍼 주위에서 엣지 클램프된 전극과, 이 웨이퍼 표면을 스캔하는 전해 가공 헤드의 사이에서 통전하여 전해 가공을 행하고, 다음에, 엣지 클램프를 해제하고, 상기 웨이퍼 이면을 흡착 고정하면서, 동 위치에서 필요에 따라 엣지부의 도전성막을 연마하고, 그 후 동 위치에서, 세정 유닛을 설치한 세정 암을 웨이퍼 상에서 스캔시키고, 이 가공 후의 웨이퍼를 세정하고, 그 후 동 위치에서 이 가공 후 또는 세정 후의 웨이퍼를 건조시키는 전해 가공 세정 건조 방법.After holding the wafer and holding the wafer, the electrode is edge-clamped around the wafer and the electrolytic machining is conducted between the electrodes and the electrolytic machining head scanning the wafer surface, and then the edge clamp is released. While polishing and fixing the back surface of the wafer, the conductive film of the edge portion is polished as necessary at the same position, and then, at the same position, the cleaning arm provided with the cleaning unit is scanned on the wafer, and the wafer after this processing is washed. The electrolytic process cleaning drying method which dries the wafer after this process or after cleaning at the same position after that. 제 9 항에 있어서, 상기 전해 가공 공정의 후 및 세정 공정의 후에, 순수로 웨이퍼 표면 및 전극부를 린스하는 것을 특징으로 하는 전해 가공 세정 건조 방법.10. The electrolytic process cleaning drying method according to claim 9, wherein the wafer surface and the electrode portion are rinsed with pure water after the electrolytic process and after the cleaning process.
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