KR20080084116A - 유기전계발광소자 - Google Patents

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Abstract

유기전계발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 유기전계발광소자는 화소영역의 외주 영역의 적어도 한 방향을 감싸면서 형성된 도전성 광반사막 패턴을 구비한다. 도전성 광반사막 패턴은 반사성 재질로 구성되며, 적용 상태에 따라 양극인 제1 전극의 보조전극으로도 활용될 수 있으며, 제1 전극과 절연된 상태로 구비될 수도 있다. 또한, 화소영역 사이의 이격공간에 반사성 재질의 제2 전극을 형성할 수도 있다. 따라서, 제 1전극이나 기판에서 손실되는 광량을 최소화할 수 있는 이점이 있다.

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 일반적인 유기전계발광소자에서의 광 손실을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 도 1의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
도 6은 본 발명의 제 3실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다.
도 7a 내지 도 7d는 도 6의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 제 4실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다.
도 9a 내지 도 9d는 도 8의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
도 10은 본 발명의 제 5실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 10의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 제 6실시예에 따른 하부발광방식 유기전계발광소자 도시한 평면도이다.
도 13a 내지 도 13d는 도 12의 Ⅲ-Ⅲ`선을 따라 절단된 단면을 보인 공정 단계별 단면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200, 300, 400, 500 : 투명 기판
110, 210, 310, 410, 510 : 제1 전극
120, 320, 420, 520 : 도전성 광반사막 패턴
130, 220, 330, 430, 530 : 절연막
140, 230, 340, 440, 540 : 화소영역
150, 250, 350, 450, 550 : 격벽
160, 240, 360, 460, 560 : 유기 발광층
170, 260, 370, 470, 570 : 제2 전극
본 발명은 디스플레이소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 표시장치의 대형화에 따라 공간 점유가 적은 평면표시소자의 요구가 증대되고 있는데, 이러한 평면표시소자 중 하나로서 전계발광소자가 주목되고 있다. 이러한 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기전계발광소자와 유기전계발광소자로 대별되며, 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
상기 무기전계발광소자는 일반적으로 발광부에 높은 전계를 인가하고 전자를 높은 전계 중에서 가속하여 발광 중심으로 충돌시켜 발광 중심을 여기함으로써 발광하는 소자이다. 그러나, 이러한 무기전계발광소자는 구동전압으로서 100～200(V)볼트의 높은 전압을 필요로 하기 때문에 유기전계발광소자에 비해 전력소모가 크고 고휘도를 얻을 수 없으며, 적색(R),녹색(G),청색(B)의 다양한 색을 발광할 수 없는 단점이 있다.
또한, 상기 유기전계발광소자는 전자주입전극(cathod)과 정공주입전극(anode)으로부터 각각 전자와 정공을 발광부 내로 주입시켜 주입된 전자와 정공이 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질때 발광하는 소자이다. 이와 같은 동작원리를 갖는 유기전계발광소자는 5～20(V)볼트 정도의 낮은 전압으로 구동할 수 있어 높은 발광효율과 고화질을 제공할 수 있는 장점 이 있다. 따라서, 상기 유기전계발광소자는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트(contrast) 등의 뛰어난 특징을 가지고 있으므로 그래픽 디스플레이의 픽셀, 텔레비젼 영상 디스플레이나 표면광원(surface light source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 얇고 가벼우며 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레이에 적합한소자이다.
도 1은 일반적인 유기전계발광소자에서의 광 손실을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 유기전계발광소자는 투명기판(1), 상기 투명 기판(1) 상에 형성된 제 1전극(3), 상기 제 1전극(3)을 가진 기판 상에 형성된 유기발광층(5), 상기 유기발광층(5)을 가진 기판 상에 형성된 제 2전극(7)을 포함하여 구성된다. 이때, 상기 제 1전극(3)은 투명한 양극으로, ITO(Indium Tin Oxide)가 이용될 수 있다. 또한, 상기 유기발광층(5)는 차례로 적층된 정공주입층(HIL), 정공전달층(HTL), 발광층(EML), 전자전달층(ETL), 전자주입층(EIL)으로 구성될 수 있다. 한편, 상기 제 2전극(7)은 음극에 해당된다.
상술한 구조를 가진 유기전계발광소자는 음극인 제 2전극(7)에서 유기발광층(5)으로 주입된 전자와 양극인 제 1전극(3)에서 유기발광층(5)으로 주입된 정공이 유기발광층에서 쌍(전자-정공)을 이루고 있다가 소멸되면서 에너지를 방사함으로써 광을 방출하게 된다. 그러나, 이때 발광하는 광의 대부분은 제 1전극이나 기판에서 손실되어 사라지고 일부분만이 외부로 나오게 된다. 이에 따라, 광손실이 큰 문제점이 있다.
따라서, 상기 문제점을 해결하고자, 본 발명의 목적은 제 1전극이나 기판에서 손실되는 광을 최소화시켜 유기발광층에서 발생된 광이 외부로 최대한 많이 방출될 수 있도록 한 유기전계발광소자를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 투명기판 제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극 상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 제1 전극의 측면을 감싸면서 형성된 도전성 광반사막 패턴 상기 도전성 광반사막 패턴들 사이의 이격 공간을 매립하면서 화소영역을 정의하는 절연막 상기 화소영역에 형성된 유기발광층 및 상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되, 상기 도전성 광반사막 패턴은 유기발광층으로부터 측면을 향해 누설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 투명기판 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극 제2 방향으로 서로 이격된 상기 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하면서 형성되어, 상기 제2 방향으로 제1 전극들을 전기적으로 연결시키는 도전성 광반사막 패턴 상기 제1 방향으로는 인접한 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하고, 상기 제2 방향으로는 상기 도전성 광반사막 패턴 상에 형성되어 화소영역을 정의하는 절연막 상기 화소영역에 형성된 유기발광층 및 상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되, 상기 도전성 광반사막 패턴은 유기발광층으로부터 측면을 향해 누 설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
또한, 본 발명의 목적은, 투명기판 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극 제1 방향으로 서로 이격되고, 인접한 상기 제1 전극들의 측면을 감싸며, 상기 제2 방향으로는 인접한 상기 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하며 형성되는 도전성 광반사막 패턴 상기 도전성 광반사막 패턴 상에 형성되어 화소영역을 정의하는 절연막 상기 화소영역에 형성된 유기발광층 및 상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되, 상기 도전성 광반사막 패턴은 상기 화소영역의 상하좌우 측면에 형성되어 측면을 향해 누설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자의 제공을 통해서도 달성될 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 투명기판 제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극 상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 제1 전극의 측면을 감싸면서 형성되고, 화소영역을 정의하는 절연막 상기 화소영역 상에 형성된 유기 발광층 및 상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되, 상기 제2 전극은 광반사 특성을 가진 금속으로 구성되며, 상기 제1 방향으로는 상기 절연막들 사이의 이격공간을 매립하면서 형성되는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 투명기판 제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극 상기 제2 방향으로 인 접한 상기 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하며 형성되어 상기 제2 방향으로 인접한 제1 전극들을 전기적으로 연결시키는 도전성 광반사막 패턴 상기 제1 방향으로 상기 제1 전극의 측면에 형성되고, 서로 이격되어 형성되며, 상기 제2 방향으로는 상기 도전성 광반사막 패턴을 감싸며 형성되어 화소영역을 정의하는 절연막 상기 화소영역에 형성된 유기발광층 및 상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장되고, 상기 제1 방향으로 이격된 상기 절연막들 사이의 이격공간을 매립하는 제2 전극을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
(실시예)
이하, 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 설명하기로 한다.
유기전계발광소자는 구동방식에 따라 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나눌 수 있다. 상기 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자는 그 구성이 단순하여 제조공정이 매우 간단한 이점이 있다. 또한, 상기 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자는 높은 발광 효율과 고화질을 제공하는 장점이 있다. 본 발명에서는 제 1전극이나 기판에서 손실되는 광을 최소화시켜 상기 유기발광층에서 발생된 광이 외부로 최대한 많이 방출될 수 있도록 한 각각의 패시브 매트릭스 타입/ 액티브 매트릭스 타입의 유기전계발광소자의 구조 및 그 제조방법에 대해 설명하기로 한다.
제1 실시예
도 2는 본 발명의 제 1실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다. 또한, 도 3a 내지 도 3d는 도 1의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
도 2 및 도 3a를 참조하면, 투명 기판(100) 상에 스퍼터링 등의 증착법을 사용하여 투명 도전막을 형성한다. 투명 도전막은ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 투명 기판(100) 전면에 도포된 투명 도전막을 패터닝하여 제1 전극(110)을 형성한다. 상기 제1 전극(110)은 제1 방향으로는 각각의 제1 전극들(110)이 서로 이격되게 배치되고, 제2 방향으로는 하나의 라인을 구성하면서 형성된다. 상기 제1 전극(110)은 애노드 전극으로 사용된다.
도 2 및 도 3b를 참조하면, 제1 전극(110)이 형성된 투명 기판(100) 상에 도전성 광반사막 패턴(120)을 형성한다. 먼저, 알루미늄, 은, 몰리브덴 또는 크롬을 이용하여 광반사막층을 도포한다. 형성된 광반사막층을 통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 제2 방향으로 상기 제1 전극(110)의 측면 또는 상부의 일부를 감싸는 도전성 광반사막 패턴(120)을 형성한다. 또한, 상기 도전성 광반사막 패턴(120)은 상기 제1 전극(110)의 보조전극으로서의 역할을 수행한다.
또한, 도전성 광반사막 패턴(120)의 구조는 제2방향으로는 제1 전극(110)의 측면 또는 상부의 일부를 감싸면서, 제1 방향으로는 제1 전극(110) 사이의 이격공간 하부의 투명 기판(100)의 표면이 노출되도록 한다.
도 2 및 도 3c를 참조하면, 도전성 광반사막 패턴(120)이 형성된 투명 기판(100) 상에 절연물층을 형성한다. 또한, 상기 절연물층을 패터닝하여 절연막(130)을 형성한다. 형성된 절연막(130)은 제1 방향으로는 형성된 도전성 광반사막 패턴(120)이 외부로 노출되지 않도록 완전히 감싸도록 형성된다. 또한, 인접한 도전성 광반사막 패턴들(120) 사이의 이격공간을 완전히 매립하도록 형성된다. 또한, 제2 방향으로는 화소영역(140)을 정의하면서 형성된다. 즉, 패터닝된 절연막(130)에 의해 화소영역(140)은 정의된다.
계속해서 절연막(130) 상부 및 화소 영역(140) 사이의 이격공간에 제1 방향으로 격벽(150)을 형성한다.
도 2 및 도 3d를 참조하면, 형성된 절연막(130)에 의해 정의된 화소영역(140)에 유기발광층(160)을 형성한다. 즉, 화소영역(140)의 노출된 제1 전극(110) 상부에 유기발광층(160)을 형성한다. 상기 유기발광층(160)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 인쇄방식으로 형성할 수 있다. 상기 유기발광층(160)이 다층으로 구성될 경우에는 상기 유기발광층(160)에 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 및 전자주입층이 더 구성될 수 있다.
계속해서, 상기 유기발광층(160) 상부에 금속층을 형성하고, 이를 패터닝하여 제2 전극(170)을 형성한다. 상기 제2 전극(170)은 화소영역(140)을 가로지르면서, 제1 방향으로 신장된 구조로 형성된다. 또한, 상기 제2 전극(170)을 구성하는 물질은 상기 제1 전극(110)보다 낮은 일함수를 가지는 금속이라면 어느 것이나 적용 가능하다.
본 실시예에서는 도전성 광반사막 패턴(120)은 제2 방향으로 신장된 제1 전극(110)의 측면 또는 상부의 일부를 감싸면서 형성된다. 또한, 상기 도전성 광반사막 패턴(120)은 제1 전극(110)과 전기적으로 연결된다. 화소영역(140)의 측면에 구비된 도전성 광반사막 패턴(120)에 의해 측면을 통한 광의 누설은 차단된다.
제2 실시예
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다. 또한, 도 5a 내지 도 5d는 도 4의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
먼저, 도 4 및 도 5a를 참조하면, 투명 기판(200) 상에 스퍼터링 등의 증착법을 사용하여 투명 도전막을 형성한다. 투명 도전막은ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 투명 기판 전면에 도포된 투명 도전막을 패터닝하여 제1 전극(210)을 형성한다. 상기 제1 전극(210)은 제1 방향으로는 각각의 제1 전극들(210)이 서로 이격되게 배치되고, 제2 방향으로는 하나의 라인을 구성하면서 형성된다. 상기 제1 전극(210)은 애노드 전극으로 사용된다.
도 4 및 도 5b를 참조하면, 제1 전극(210)이 형성된 투명 기판(200) 상에 절연막(220)을 형성한다. 먼저, 절연물층을 기판의 전면에 도포하고, 통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 이를 패터닝하여 절연막(220)을 형성한다.
상기 절연막(220)은 제1 방향으로는 인접한 제1 전극들(210) 사이의 이격공 간을 노출시키고, 상기 제1 전극(210)의 상부를 노출시켜서 화소영역(230)을 정의한다. 또한, 제2 방향으로도 화소영역(230)을 정의한다.
도 4 및 도 5c를 참조하면, 제1 방향으로 신장된 격벽(250)을 인접한 화소 영역(230) 사이의 이격공간에 형성한다.
또한, 형성된 절연막(220)에 의해 정의된 화소영역(230)에 유기발광층(240)을 형성한다. 즉, 화소영역(230)의 노출된 제1 전극(210) 상부에 유기발광층(240)을 형성한다. 상기 유기발광층(240)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 인쇄방식으로 형성할 수 있다. 상기 유기발광층(240)이 다층으로 구성될 경우에는 상기 유기발광층(240)에 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 및 전자주입층이 더 구성될 수 있다.
도 4 및 도 5d를 참조하면, 상기 유기발광층(240) 상부에 금속층을 형성하고, 이를 패터닝하여 제2 전극(260)을 형성한다. 상기 제2 전극(260)은 화소영역(230)을 가로지르면서, 제1 방향으로 신장된 구조를 가진다.
또한, 상기 제2 전극(260)은 제1 방향으로 이격된 절연막(220) 사이의 이격공간을 매립하면서 형성된다. 따라서, 제2 전극(260)은 유기발광층(240)의 측면 부위에도 형성됨을 알 수 있다.
상기 제2 전극(260)은 상기 제1 전극(210)보다 낮은 일함수를 가지는 금속이면 가능할 것이나, 광반사 특성을 가지는 금속임이 바람직하다. 따라서, 상기 제2 전극(260)은 알루미늄, 은, 몰리브덴 또는 크롬으로 구성됨이 바람직하다.
제1 방향으로 신장되고, 제1 전극(210) 사이의 이격공간을 매립하면서 형성 된 제2 전극(260)은 도전성이면서 광반사 특성을 가진다. 따라서, 유기발광층(240)에 의해 측면으로 누설되는 광은 효과적으로 차단될 수 있다.
제3 실시예
도 6은 본 발명의 제 3실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다. 또한, 도 7a 내지 도 7d는 도 6의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
먼저, 도 6 및 도 7a를 참조하면, 투명 기판(300) 상에 스퍼터링 등의 증착법을 사용하여 투명 도전막을 형성한다. 투명 도전막은ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 투명 기판(300) 전면에 도포된 투명 도전막을 패터닝하여 제1 전극(310)을 형성한다. 상기 제1 전극(310)은 제1 방향으로 서로 이격되게 배치되고, 제2 방향으로도 각각의 제1 전극들(310)이 서로 이격되게 배치된다. 따라서, 각각의 제1 전극들(310)은 서로 전기적으로 절연된 상태를 유지한다. 상기 제1 전극(310)은 애노드 전극으로 사용된다.
도 6 및 도 7b를 참조하면, 제1 전극(310)이 형성된 투명 기판(300) 상에 도전성 광반사막 패턴(320)을 형성한다. 먼저, 알루미늄, 은, 몰리브덴 또는 크롬을 이용하여 광반사막층을 도포한다. 형성된 광반사막층을 통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 제2 방향으로 인접한 제1 전극들(310)을 전기적으로 연결시키는 도전성 광반사막 패턴(320)을 형성한다.
상기 도전성 광반사막 패턴(320)은 제2 방향으로는 서로 이격된 제1 전극들(310) 사이의 이격 공간을 매립하면서 형성된다. 따라서, 제2 방향으로는 인접한 제1 전극들(310)은 전기적으로 연결되며, 제1 방향으로 인접한 제1 전극들(310)은 전기적으로 절연된 상태이다. 따라서, 상기 도전성 광반사막 패턴(320)은 상기 제1 전극(310)의 보조전극의 역할을 수행한다.
도 6 및 도 7c를 참조하면, 도전성 광반사막 패턴(320)이 형성된 투명 기판(300) 상에 절연물층을 형성한다. 또한, 상기 절연물층을 패터닝하여 절연막(330)을 형성한다. 형성된 절연막(330)은 제1 방향으로는 서로 이격된 제1 전극들(310) 사이의 이격 공간을 완전히 매립하도록 형성된다.
또한, 제2 방향으로는 형성된 도전성 광반사막 패턴(320)이 외부로 노출되지 않도록 감싸도록 형성된다.
또한, 상기 패터닝된 절연막(330)의 형성에 의해 노출된 제1 전극(310)의 상부는 화소영역(340)으로 정의된다.
계속해서, 제2 방향으로 서로 이격된 화소영역(340) 사이의 이격공간에 격벽(350)을 형성한다. 상기 격벽(350)은 제1 방향으로 신장되도록 형성되며, 절연막(330) 상부에 형성됨이 바람직하다.
도 6및 도 7d를 참조하면, 형성된 절연막(330)에 의해 정의된 화소영역(340)에 유기발광층(360)을 형성한다. 즉, 화소영역(340)의 노출된 제1 전극(310) 상부에 유기발광층(360)을 형성한다. 상기 유기발광층(360)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 인쇄방식으로 형성할 수 있다. 상기 유기발광층(360)이 다층으로 구 성될 경우에는 상기 유기발광층(360)에 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 및 전자주입층이 더 구성될 수 있다.
계속해서, 상기 유기발광층(360) 상부에 금속층을 형성하고, 이를 패터닝하여 제2 전극(370)을 형성한다. 상기 제2 전극(370)은 화소영역(340)을 가로지르면서, 제1 방향으로 신장된 구조를 가진다.
상기 제2 전극(370)은 상기 제1 전극(310)보다 낮은 일함수를 가지는 금속이면 어느 것이나 가능하다.
제2 방향으로 제1 전극(310) 사이의 이격공간을 매립하면서 형성된 도전성 광반사막 패턴(320)은 도전성이면서 광반사 특성을 가진다. 따라서, 유기발광층(360)에 의해 측면으로 누설되는 광은 효과적으로 차단될 수 있다.
제4 실시예
도 8은 본 발명의 제 4실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다. 또한, 도 9a 내지 도 9d는 도 8의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
먼저, 도 8 및 도 9a를 참조하면, 투명 기판(400) 상에 스퍼터링 등의 증착법을 사용하여 투명 도전막을 형성한다. 투명 도전막은ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 투명 기판(400) 전면에 도포된 투명 도전막을 패터닝하여 제1 전극(410)을 형성한다. 상기 제1 전극(410)은 제1 방향으로 각각의 제1 전극 들(410)이 서로 이격되게 배치되고, 제2 방향으로도 각각의 제1 전극들(410)이 서로 이격되게 배치된다. 따라서, 각각의 제1 전극들(410)은 서로 전기적으로 절연된 상태를 유지한다. 상기 제1 전극(410)은 애노드 전극으로 사용된다.
도 8 및 도 9b를 참조하면, 제1 전극(410)이 형성된 투명 기판(400) 상에 도전성 광반사막 패턴(420)을 형성한다. 먼저, 알루미늄, 은, 몰리브덴 또는 크롬을 이용하여 광반사막층을 도포한다. 형성된 광반사막층을 통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 제1 방향 및 제2 방향으로 분리된 제1 전극(410)의 측면을 상하좌우로 완전히 감싸는 도전성 광반사막 패턴(420)을 형성한다.
상기 도전성 광반사막 패턴(420)은 제1 방향으로는 인접한 제1 전극들(410) 사이의 측면을 감싸며, 제1 방향으로는 패터닝에 의해 도전성 광반사막 패턴들(420) 사이에 투명 기판(400)의 표면이 노출된 이격 공간이 형성된다.
또한, 상기 도전성 광반사막 패턴(420)은 제2 방향으로는 인접한 제1 전극들(410) 사이의 이격공간을 완전히 매립하도록 형성된다. 따라서, 제2 방향으로는 인접한 제1 전극들(410)은 전기적으로 연결된다.
도 8 및 도 9c를 참조하면, 도전성 광반사막 패턴(420)이 형성된 투명기판(400) 상에 절연막(430)을 형성한다. 먼저, 투명기판(400)의 전면에 절연물층을 형성한 다음, 이를 패터닝하여 절연막(430)을 형성한다.
상기 절연막(430)은 제1 방향으로는 인접한 도전성 광반사막 패턴들(420) 사이의 이격공간을 매립하고, 도전성 광반사막 패턴(420)이 외부로 노출되지 않도록 도전성 광반사막 패턴(420)을 감싸면서 형성된다. 또한, 제2 방향으로는 제1 전극 들(410) 사이의 이격공간을 매립하는 도전성 광반사막 패턴(420)을 감싸도록 형성된다. 따라서, 절연막(430) 사이의 이격공간은 제1 전극(410)의 상부 공간인 화소영역(440)으로 정의된다.
계속해서, 제2 방향으로 서로 이격된 화소영역(440) 사이의 이격공간에 격벽(450)을 형성한다. 상기 격벽(450)은 제1 방향으로 신장되도록 형성되며, 절연막(430) 상부에 형성됨이 바람직하다.
도 8 및 도 9d를 참조하면, 형성된 절연막(430)에 의해 정의된 화소영역(440)에 유기발광층(460)을 형성한다. 즉, 화소영역(440)의 노출된 제1 전극(410) 상부에 유기발광층(460)을 형성한다. 상기 유기발광층(460)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 인쇄방식으로 형성할 수 있다. 상기 유기발광층(460)이 다층으로 구성될 경우에는 상기 유기발광층(460)에 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 및 전자주입층이 더 구성될 수 있다.
계속해서, 상기 유기발광층(460) 상부에 금속층을 형성하고, 이를 패터닝하여 제2 전극(470)을 형성한다. 상기 제2 전극(470)은 화소영역(440)을 가로지르면서, 제1 방향으로 신장된 구조를 가진다.
상기 제2 전극(470)은 상기 제1 전극(410)보다 낮은 일함수를 가지는 금속이면 어느 것이나 가능하다.
본 실시예에서 상기 도전성 광반사막 패턴(420)은 화소영역(440)을 상하좌우로 감싸도록 형성된다. 따라서, 화소영역(440)의 유기발광층(460)으로부터 발생되어, 측면으로 누설되는 광은 화소영역(440)의 상하좌우를 감싸고, 반사특성을 가진 도전성 광반사막 패턴(420)에 의해 차단된다.
제5 실시예
도 10은 본 발명의 제 5실시예에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자에 대한 평면도이다. 또한, 도 11a 내지 도 11d는 도 10의 유기전계발광소자의 평면도에서 제1 방향 및 제2 방향을 따라 절단된 단면을 보인 공정별 단면도들이다.
먼저, 도 10 및 도 11a를 참조하면, 투명 기판(500) 상에 스퍼터링 등의 증착법을 사용하여 투명 도전막을 형성한다. 투명 도전막은ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 형성될 수 있다.
이어서, 상기 투명 기판(500) 전면에 도포된 투명 도전막을 패터닝하여 제1 전극(510)을 형성한다. 상기 제1 전극(510)은 제1 방향으로 각각의 제1 전극들(510)이 서로 이격되게 배치되고, 제2 방향으로도 각각의 제1 전극들(510)이 서로 이격되게 배치된다. 따라서, 각각의 제1 전극들(510)은 서로 전기적으로 절연된 상태를 유지한다. 상기 제1 전극(510)은 애노드 전극으로 사용된다.
도 10 및 도 11b를 참조하면, 제1 전극(510)이 형성된 투명 기판(500) 상에 도전성 광반사막 패턴(520)을 형성한다. 먼저, 알루미늄, 은, 몰리브덴 또는 크롬을 이용하여 광반사막층을 도포한다. 형성된 광반사막층을 통상의 포토리소그래피 공정을 이용하여 제2 방향으로 제1 전극들(510) 사이의 이격공간을 매립하는 도전성 광반사막 패턴(520)을 형성한다.
상기 도전성 광반사막 패턴(520)은 제2 방향으로는 인접한 제1 전극들(510) 사이의 이격공간을 완전히 매립하도록 형성되므로, 제2 방향으로는 인접한 제1 전극들(510)은 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 도전성 광반사막 패턴(520)은 제1 전극(510)의 보조전극으로 활용된다.
도 10 및 도 11c를 참조하면, 도전성 광반사막 패턴(520)이 형성된 투명기판(500) 상에 절연막(530)을 형성한다. 먼저, 투명기판(500)의 전면에 절연물층을 형성한 다음, 이를 패터닝하여 절연막(530)을 형성한다.
상기 절연막(530)은 제1 방향으로는 인접한 도전성 광반사막 패턴들(520) 사이의 측면을 감싸는 구조를 가지며, 제2 방향으로는 도전성 광반사막 패턴(520)을 감싸도록 형성된다. 따라서, 제1 방향으로는 인접한 절연막들(530) 사이에 투명기판(500)이 노출된 이격공간이 나타나며, 제1 전극(510)의 상부가 노출된 화소영역(540)이 나타난다. 또한, 제2 방향으로는 상기 절연막(530)은 도전성 광반사막 패턴(520)을 감싸며, 절연막들(530) 사이에는 제1 전극(510)의 상부가 노출된 화소영역(540)이 나타난다.
계속해서, 제2 방향으로 서로 이격된 화소영역(540) 사이의 이격공간에 격벽(550)을 형성한다. 상기 격벽(550)은 제1 방향으로 신장되도록 형성되며, 절연막(530) 상부에 형성됨이 바람직하다.
도 10 및 도 11d를 참조하면, 형성된 절연막(530)에 의해 정의된 화소영역(540)에 유기발광층(560)을 형성한다. 즉, 화소영역(540)의 노출된 제1 전극(510) 상부에 유기발광층(560)을 형성한다. 상기 유기발광층(560)은 단층 또는 다층으로 구성할 수 있으며, 인쇄방식으로 형성할 수 있다. 상기 유기발광층(560)이 다층으로 구성될 경우에는 상기 유기발광층(560)에 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 및 전자주입층이 더 구성될 수 있다.
계속해서, 상기 유기발광층(560) 상부에 금속층을 형성하고, 이를 패터닝하여 제2 전극(570)을 형성한다. 상기 제2 전극(570)은 화소영역(540)을 가로지르면서, 제1 방향으로 신장된 구조를 가진다. 또한, 상기 제2 전극(570)은 제1 방향으로는 인접한 절연막(530) 사이의 이격공간을 매립하면서 형성된다.
상기 제2 전극(570)은 상기 제1 전극(510)보다 낮은 일함수를 가지는 금속이면 어느 것이나 가능하다. 바람직하게는 상기 제2 전극(570)은 반사특성을 가진 금속으로서, 알루미늄, 은, 몰리브덴 또는 크롬으로 구성될 수 있다.
본 실시예에서 상기 도전성 광반사막 패턴(520)은 제2 방향으로 제1 전극들(510)을 전기적으로 연결하고, 인접한 제1 전극들(510) 사이의 이격공간을 매립하면서 형성된다. 또한, 광반사 특성을 가지는 제2 전극(570)은 제1 방향을 제1 전극들(510) 사이의 이격공간을 매립하면서 형성된다. 즉, 화소영역(540)의 상하방향으로는 화소영역(540)의 측면을 감싸는 도전성 광반사막 패턴(520)이 구비되고, 화소영역(540)의 좌우방향으로는 화소영역(540)의 측면부위에 광반사특성을 가지는 제2 전극(570)이 구비된다.
따라서, 화소영역(540)의 유기발광층(560)으로부터 발생되어, 측면으로 누설되는 광은 반사특성을 가진 도전성 광반사막 패턴(520) 및 제2 전극(570)에 의해 차단된다.
제6 실시예
도 12는 본 발명의 제 6실시예에 따른 하부발광방식 유기전계발광소자 도시한 평면도로서, 본 발명의 제 1실시예 내지 제5 실시예와 기본적인 구성은 동일하며 픽셀마다 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 가지는 액티브 매트릭스 타입에 해당된다. 도 12에서 도면부호 640은 게이트라인을, 도면부호 650은 데이터라인을 각각 나타낸 것이다.
또한, 도 13a 내지 도 13d는 도 12의 Ⅲ-Ⅲ`선을 따라 절단된 단면을 보인 공정 단계별 단면도이다. 이하, 도 12, 도 13a 내지 도 13d를 참고로 하여 본 발명의 제 6실시예에 따른 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자의 제조방법에 대해 알아보기로 한다.
도 12 및 도 13a에 도시된 바와 같이, 투명기판(601) 상에 액티브층(605)을 형성한다. 이때, 상기 액티브층(605)은 비정질실리콘층을 패터닝하고, 이를 다결정화하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 기판(601)과 액티브층(605) 사이에는 버퍼막(603)이 개재될 수 있다. 이어, 상기 액티브층(605)을 가진 기판 위에 게이트 절연막(607)을 개재시켜 게이트전극(609)을 형성한다. 그 다음, 상기 게이트전극(609)을 가진 기판 위에 불순물을 주입하고 열처리를 실시하여 상기 액티브층(605)에 박막 트랜지스터의 소오스영역(605S) 및 드레인영역(605D)을 형성한다. 한편, 도 13a에서 상기 소오스영역(605S)과 드레인영역(605D) 사이의 미설명된 도면부호 605C는 채널영역에 해당된다.
계속하여, 도 12 및 도 13b에 도시된 바와 같이, 상기 소오스영역(605S) 및 드레인영역(605D)을 가진 기판 위에 층간절연막(614)을 형성한다. 이때, 상기 층간절연막(614)은 2층 이상의 적층 구조를 가질 수도 있다. 즉, 상기 층간절연막(614)은 제 1층간절연막(611) 및 제 2층간절연막(613)으로 구성될 수 있다. 이어, 상기 층간절연막(611) 및 게이트절연막(603)을 패터닝하여 소오스영역(605S) 및 드레인영역(605D)을 노출하는 각각의 제 1및 제 2콘택홀(H1)(H2)을 형성한다. 그 다음, 상기 제 1및 제 2콘택홀(H1)(H2)을 가진 기판 위에 금속막을 형성한다. 이후, 상기 금속막을 패터닝하여 상기 상기 제 1및 제 2콘택홀(H1)(H2)을 덮어 상기 소오스영역(605S)과 연결되는 소오스전극(615S)과 상기 드레인영역(605D)과 연결되는 드레인전극(615D)을 형성한다.
이어, 도 12 및 도 13c에 도시된 바와 같이, 상기 드레인전극(615D)을 가진 기판 상에 보호막(617)을 형성한다. 그 다음, 상기 보호막(617)을 패터닝하여 상기 드레인전극(615D)의 일부위를 노출하는 제 3콘택홀(H3)을 형성한다. 이후, 상기 제 3콘택홀(H3)을 가진 기판 위에 투명도전막을 형성한다. 그 다음, 상기 투명도전막을 패터닝하여 상기 제 3콘택홀(H3)을 통해 상기 드레인전극(615D)과 연결되는 제 1전극(619)을 형성한다. 이때, 상기 제 1전극(619)은 픽셀영역별로 서로 분리된 구조를 가진다. 이후, 상기 제 1전극(619)을 가진 기판 위에 도전성 광반사막을 형성한다. 그 다음, 상기 도전성 광반사막을 패터닝하여 상기 제 1전극(619)의 외주연을 감싸는 도전성 광반사막 패턴(621)들을 형성한다. 이와 같은 형상을 가진 상기 도전성 광반사막 패턴(621)들은 이후의 공정에서 형성되는 유기발광층에서 발생된 광이 제 1전극(619)에서 손실되는 것을 막아 주는 역할을 한다.
계속해서, 도 12및 도 13d에 도시된 바와 같이, 상기 도전성 광반사막 패턴(621)들을 가진 기판 상에 뱅크레이어(623)를 형성한다. 이어, 상기 뱅크레이어(623)를 패터닝하여 상기 제 1전극(619)를 노출하는 제 4콘택홀(H4)을 형성한다. 그 다음, 상기 뱅크레이어(623) 상에 상기 제 4콘택홀(H4)을 통해 제 1전극(619)과 연결되는 유기발광층(625) 및 제 2전극(627)을 차례로 형성한다. 그 결과, 상기 제 1전극(619), 유기발광층(625) 및 제 2전극(627)으로 이루어진 유기전계발광 다이오드(620)가 형성된다. 이때, 상기 제 1전극(619)은 양극, 제 2전극(627)은 음극일 수 있다. 한편, 상기 제 2전극(627) 상에 상기 유기전계발광 다이오드(620)를 보호하기 위해 보호막(미도시)이 추가로 형성될 수 있다.
상술한 방법을 통해 제조된 본 발명의 제 6실시예에 따른 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자는 투명 기판(601)과, 상기 기판(601) 상의 소정영역에 위치하고 게이트전극(609), 소오스전극(615S) 및 드레인전극(615D)을 갖는 박막트랜지스터(T)와, 상기 박막 트랜지스터(T)를 가진 기판 상에 형성되며 상기 드레인전극(615D)을 노출시키는 제 3콘택홀(H3)를 가진 보호막(617)과, 상기 보호막(617) 상에 형성되며 상기 제 3콘택홀(H3)를 덮어 상기 드레인전극(615D)과 전기적으로 연결되는 제 1전극(619)과, 상기 제 1전극(619)을 감싸는 광반사성 재질의 도전성 광반사막 패턴(621)들과, 상기 도전성 광반사막 패턴(621)들을 가진 기판 상에 형성되며 상기 제 1전극(619)의 표면을 노출시키는 제 4콘택홀(H4)를 갖는 뱅크 레이어(623)와, 상기 뱅크 레이어(623) 상에 형성되며 상기 제 4콘택홀(H4)을 통해 상 기 제 1전극(619)와 연결되는 유기발광층(625)과, 상기 유기발광층(625) 상에 위치하는 제 2전극(627)을 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 제 1전극(619)은 양극이고 상기 제 2전극(627)은 음극일 수 있다. 이때, 상기 제2전극(627)은 상기 유기발광층(625)에서 생성된 광이 투과되는 투과성 전극인 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1전극(619) 및 제 2전극(627)은 전도성 물질로 이루어진다. 구체적으로,상기 제 1전극(619)은 ITO 및 IZO 중 어느 하나일 수 있다.
한편, 전술한 본 발명의 제 6실시예에서는 하부 발광방식의 액티브 매트릭스 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 설명하였다. 여기서, 하부 발광방식 대신 상부 발광방식을 채택할 경우에, 제 6실시예에서의ITO재질의 제 1전극 대신 이와 유사한 일함수를 가진 반사성 금속물질로 치환하거나, ITO재질의 제 1전극 하부에 반사성 금속물질을 부가함으로써, 제 1전극을 불투명한 반사 전극으로 구성할 수 있다. 이후의 공정은 제 1실시예 내지 제5 실시예에서 설명한 바와 동일하게 진행될 수 있다.
본 발명에 따른 패시브 매트릭스 타입 유기전계발광소자는 제 1전극과 상기 절연막 사이에 형성되며 적어도 상기 제 1전극의 일측면 또는 상하좌우 측면 전체를 감싸도록 형성된 도전성 광반사막 패턴을 구비한다. 또한, 실시의 형태에 따라, 제2 전극이 제1 전극 사이의 이격 공간에 매립되어 도전성 광반사막 패턴의 역할을 수행한다. 따라서, 유기발광층으로부터 발생되는 광을 상기 도전성 광반사막 패턴 및 제 2전극 표면에서 반사시킴으로써 제 1전극이나 기판에서 손실되는 광량을 최소화할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 타입 유기전계발광소자는 박막 트랜지스터 기판 상의 픽셀영역에 형성된 제 1전극과 상기 제 1전극을 감싸도록 형성된 도전성 광반사막 패턴을 제공한다. 따라서, 유기발광층으로부터 발생되는 광을 상기 도전성 광반사막 패턴 표면에서 반사시킴으로써 제 1전극이나 기판에서 손실되는 광량을 최소화할 수 있다.

Claims (14)

  1. 투명기판;
    제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 제1 전극의 측면을 감싸면서 형성된 도전성 광반사막 패턴;
    상기 도전성 광반사막 패턴들 사이의 이격 공간을 매립하면서 화소영역을 정의하는 절연막;
    상기 화소영역에 형성된 유기발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되,
    상기 도전성 광반사막 패턴은 유기발광층으로부터 측면을 향해 누설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자.
  2. 투명기판;
    제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극;
    제2 방향으로 서로 이격된 상기 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하면서 형성되어, 상기 제2 방향으로 제1 전극들을 전기적으로 연결시키는 도전성 광반사 막 패턴;
    상기 제1 방향으로는 인접한 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하고, 상기 제2 방향으로는 상기 도전성 광반사막 패턴 상에 형성되어 화소영역을 정의하는 절연막;
    상기 화소영역에 형성된 유기발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되,
    상기 도전성 광반사막 패턴은 유기발광층으로부터 측면을 향해 누설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자.
  3. 투명기판;
    제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극 ;
    제1 방향으로 서로 이격되고, 인접한 상기 제1 전극들의 측면을 감싸며, 상기 제2 방향으로는 인접한 상기 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하며 형성되는 도전성 광반사막 패턴;
    상기 도전성 광반사막 패턴 상에 형성되어 화소영역을 정의하는 절연막
    상기 화소영역에 형성된 유기발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되,
    상기 도전성 광반사막 패턴은 상기 화소영역의 상하좌우 측면에 형성되어 측면을 향해 누설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 광반사막 패턴은 알루미늄, 은, 텅스텐 또는 몰리브덴 금속인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연막은 상기 도전성 광반사막 패턴을 완전히 감싸는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 투명기판;
    제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 방향으로 서로 이격되고, 제2 방향으로 신장되어 상기 제1 전극의 측면을 감싸면서 형성되고, 화소영역을 정의하는 절연막;
    상기 화소영역 상에 형성된 유기 발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장된 제2 전극을 포함하되,
    상기 제2 전극은 광반사 특성을 가진 금속으로 구성되며, 상기 제1 방향으로는 상기 절연막들 사이의 이격공간을 매립하면서 형성되는 것을 특징으로 포함하는 유기전계발광소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 전극은 알루미늄, 은, 텅스텐 또는 몰리브덴 금속을 포함하고, 상기 제1 방향으로 누설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  8. 투명기판;
    제1 방향 및 제2 방향으로 서로 이격되고, 상기 투명기판 상에 형성된 제1 전극;
    상기 제2 방향으로 인접한 상기 제1 전극들 사이의 이격공간을 매립하며 형성되어 상기 제2 방향으로 인접한 제1 전극들을 전기적으로 연결시키는 도전성 광반사막 패턴;
    상기 제1 방향으로 상기 제1 전극의 측면에 형성되고, 서로 이격되어 형성되며, 상기 제2 방향으로는 상기 도전성 광반사막 패턴을 감싸며 형성되어 화소영역을 정의하는 절연막;
    상기 화소영역에 형성된 유기발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 형성되고, 상기 제1 방향으로 신장되고, 상기 제1 방향으로 이격된 상기 절연막들 사이의 이격공간을 매립하는 제2 전극을 포함하는 유기전계발광소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 도전성 광반사막 패턴은 상기 제2 방향으로 누설되는 광을 차단하고, 알루미늄, 은, 텅스텐 또는 몰리브덴 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 방향으로 이격된 상기 절연막 사이의 이격공간을 매립하고, 반사성 재질의 금속물로서 상기 제1 방향으로 누설되는 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제2 전극은 알루미늄, 은, 텅스텐 또는 몰리브덴 금속인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  12. 투명 기판;
    상기 기판 상의 소정영역에 위치하고, 소오스 및 드레인 전극을 갖는 박막트랜지스터 ;
    상기 박막 트랜지스터를 가진 기판 상에 형성되며, 상기 드레인 전극을 노출시키는 제 1콘택홀을 가진 보호막;
    상기 보호막 상에 형성되며, 상기 제 1콘택홀을 덮어 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 제 1전극;
    상기 제 1전극의 주연부를 감싸는 도전성 광반사막 패턴;
    상기 도전성 광반사막 패턴을 가진 기판 상에 형성된 유기발광층; 및
    상기 유기발광층 상에 형성된 제 2전극을 포함하는 유기전계발광소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 도전성 광반사막 패턴은 은, 텅스텐, 몰리브덴 또는 알루미늄 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  14. 제12항에 있어서, 상기 유기전계발광소자는 상기 도전성 광반사막 패턴을 가진 기판 상에 상기 제 1전극의 표면을 노출시키는 제 2콘택홀을 갖는 뱅크 레이어를 더 포함하는 유기전계발광소자.
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